CN1982503B - 电介质的金属化 - Google Patents

电介质的金属化 Download PDF

Info

Publication number
CN1982503B
CN1982503B CN2006101684244A CN200610168424A CN1982503B CN 1982503 B CN1982503 B CN 1982503B CN 2006101684244 A CN2006101684244 A CN 2006101684244A CN 200610168424 A CN200610168424 A CN 200610168424A CN 1982503 B CN1982503 B CN 1982503B
Authority
CN
China
Prior art keywords
silver
ion
compsn
dielectric medium
ion source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2006101684244A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1982503A (zh
Inventor
F·斯卡拉格林诺
W·萨默
N·D·布朗
K·王
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Original Assignee
Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm and Haas Electronic Materials LLC filed Critical Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Publication of CN1982503A publication Critical patent/CN1982503A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1982503B publication Critical patent/CN1982503B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/48Coating with alloys
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/04Pretreatment of the material to be coated
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601Process or apparatus
    • C23C18/1633Process of electroless plating
    • C23C18/1646Characteristics of the product obtained
    • C23C18/165Multilayered product
    • C23C18/1653Two or more layers with at least one layer obtained by electroless plating and one layer obtained by electroplating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/2006Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30
    • C23C18/2046Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30 by chemical pretreatment
    • C23C18/2073Multistep pretreatment
    • C23C18/208Multistep pretreatment with use of metal first
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/28Sensitising or activating
    • C23C18/30Activating or accelerating or sensitising with palladium or other noble metal
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/54Contact plating, i.e. electroless electrochemical plating
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31678Of metal

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Abstract

揭示了一种组合物和方法。该组合物同时对介电材料进行调整和活化,以用于金属沉积。可通过无电沉积法将金属沉积在电介质上。所述金属化的电介质可用于电子器件。

Description

电介质的金属化
技术领域
本发明涉及电介质的金属化。更具体来说,本发明涉及使用一种组合物和方法对电介质进行金属化,以促进金属在电介质上的附着,并催化电介质的金属化。
背景技术
已知有各种在电介质上形成金属图案的方法。这些方法包括单独或以各种结合的形式使用以下的方法:正像印刷法和负像印刷法、正蚀刻技术和负蚀刻技术、电镀法和无电镀敷法。
背景技术
在调整、催化和无电金属沉积步骤之前,采用许多使用铬酸之类的腐蚀性氧化剂的常规方法对介电基材进行金属化,作为表面处理的一部分。然而,这些过程不但对工人和环境有害,而且冗长而耗时。采用无电金属化法的工业需要能够快速(以提高生产效率)且环境友好、以避免处理昂贵的有害废物方法。
在氧化之后,首先进行活化或催化步骤,然后再进行无电沉积。对电介质施用能够将金属离子还原成金属的金属盐。然后将电介质置于无电镀浴中,在此镀浴内,在不使用电流的情况下,金属离子被还原为金属,在电介质基材上形成金属层。在无电过程中作为还原催化剂的催化剂或活化剂包括贵金属,例如钯、铂、金、银、铱、锇、钌和铑。通常钯是优选的催化剂,这是由于钯能够在介电基材上形成具有高剥离强度的均匀金属层。钯还可用来无电沉积许多种金属,以及沉积对电子工业之类的各种工业非常重要的金属。这些金属包括锡、铜、镍和它们的许多合金。市售的钯经常是钯/锡合金。例如,Chao等人在美国专利第5,413,817号中揭示了一种将金属涂层附着在聚苯醚-聚苯乙烯制品上的方法。Chao等人首先使聚苯醚-聚苯乙烯制品与四价铈和硝酸接触,然后用含钯的催化剂溶液进行活化。
尽管钯在许多无电方法中是优选的催化剂,但是钯价格昂贵,其价格有时高于金两倍或更多。人们已经尝试了其它的较为廉价的金属,例如银。但是银具有一些不利之处。银经常不能提供合适的催化活性,或者可能达不到最佳的沉淀效果。由于这些原因,人们通常不推荐使用银。因此,人们需要能够避免使用钯的无电金属化法。
发明内容
一方面,组合物包含一种或多种铈(IV)离子源、一种或多种银(I)离子源、以及一种或多种氢离子源。
另一方面,组合物由一种或多种铈(IV)离子源、一种或多种银(I)离子源、一种或多种氢离子源和水组成。
另一方面,一种方法包括提供一种组合物,该组合物包含一种或多种铈(IV)离子源、一种或多种银(I)离子源、以及一种或多种氢离子源;使电介质与所述组合物接触,以调整和活化该电介质;然后在电介质上沉积金属。
另一方面,一种方法包括提供一种组合物,该组合物包含一种或多种铈(IV)离子源、一种或多种银(I)离子源、一种或多种氢离子源;使电介质与所述组合物接触,以调整和活化该电介质;在所述电介质上无电沉积第一金属;在所述第一金属上沉积第二金属。
该组合物不但能调整电介质表面,以使得金属和电介质之间牢固结合,而且能对金属在介电材料上的沉积起催化作用。提供用于电介质金属化的环境友好组合物和方法,能避免铬酸之类的有害氧化剂。同时,由于避免使用铬酸,且调整步骤和催化步骤合并,减少了处理步骤数,提供了更高效的电介质金属化方法。另外,避免使用昂贵的钯,提供了更为经济的方法。
具体实施方式
在此说明书中,除非上下文另外说明,以下缩写的含义如下:℃=摄氏度;g=克;mg=毫克;L=升;ml=毫升;cm=厘米;ppm=份/百万份;1密耳=25.4微米;M=摩尔;v=体积;ASD=安培/平方分米;lbf=英尺磅;in=英寸。
在此说明书中,术语“沉积”和“镀敷”可互换使用。除非另外说明,所有的百分数均以重量为基准计。所有的数值范围都包括端值且可以以任意顺序互相组合,除非从逻辑上讲这些数值范围之和为100%。
组合物包含一种或多种铈(IV)离子源、一种或多种银(I)离子源和一种或多种氢离子源。铈(IV)离子和氢离子的组合对电介质表面进行调整,使电介质和沉积在电介质表面上的金属牢固结合。银(I)离子对电介质表面上的金属沉积起催化作用。
可使用任何能够提供铈(IV)离子的水溶性盐或络合物。可以通过向水中加入络合复盐(例如硝酸高铈铵(NH4)2Ce(NO3)6)并混合来提供铈(IV)离子。硝酸高铈铵溶解在水中,在水溶液中提供铈(IV)离子(Ce4+)。其它铈(IV)离子源包括但不限于四硫酸高铈Ce(SO4)·2H2SO4、硫酸高铈铵(NH4)4Ce(SO4)4·2H2O之类的复盐、二氧化铈(CeO2)、硫酸高铈(Ce(SO4)2)和四水合硫酸高铈(Ce(SO4)2·4H2O)。将一种或多种盐或络合物与水混合,使得溶液中铈(IV)离子的含量为5-100克/升,或例如10-50克/升,或例如20-40克/升。
可使用任何能够提供银(I)离子(Ag+)的水溶性盐或络合物。银离子源包括但不限于硝酸银、四氟硼酸银、高氯酸银、氟化银、乙酸银、碳酸银、氧化银、硫酸银和氢氧化银。一种或多种银(I)离子源的含量为0.1-50克/升,或例如1-40克/升,或例如5-25克/升。
可以用任何合适的酸提供氢离子,氢离子与铈(IV)离子结合起来,调整介电基材。通常使用无机酸,它们提供所述组合物的基质(matrix)。这些无机酸包括但不限于硫酸、硝酸、盐酸、氢氟酸、磷酸或其混合物。通常使用硝酸或硫酸。最优选使用硝酸提供组合物基质。组合物中一种或多种酸的含量为50-750克/升,或例如50-500克/升,或例如100-300克/升。
可以将所述调整剂-活化剂组合物的组分以任意顺序混合在水中。如果需要的话,可以将混合物加热至30℃,以引发一种或多种组分的溶解,或者可以在室温下将所述组合物混合起来。所述调整剂-活化剂组合物储存时是稳定的,但是可以加入任选的常规抗菌剂,以延长该组合物的储存时间。在储存过程中,组分会发生一定的沉淀,但是该组合物仍可使用,或者可以通过加热该组合物重新溶解这些组分。通常所述组合物由一种或多种铈(IV)离子源、一种或多种银(I)离子源、一种或多种氢离子源和水组成。该组合物的pH值为小于1至5,或例如1-3。通常pH值小于1。
所述组合物除了一种或多种铈(IV)离子源、银(I)离子和酸以外,还可包含添加剂,以调节其对于特定电介质的性能。合适的添加剂包括但不限于一种或多种表面活性剂,例如阳离子性表面活性剂、阴离子性表面活性剂、两性表面活性剂和非离子性表面活性剂。这些表面活性剂可以常规用量使用。通常它们的用量为0.005-10克/升。
可以用任何合适的方法将所述调整剂-活化剂组合物施用于介电基材。这些方法包括但不限于将所述介电基材浸在包含调整剂-活化剂组合物的镀浴中,将所述组合物喷涂在所述电介质上,或者将所述组合物刷涂在所述电介质上。通常所述组合物保持与介电基材接触5-30分钟,或例如10-15分钟。然后用水淋洗电介质。
所述调整过程能形成一个表面,该表面可以使金属与电介质表面牢固结合。通常调整后的表面并不显示可观察到的形态变化。当金属沉积在调整后的表面上的时候,金属与电介质表面形成牢固的键合。由InstronSeries 4400材料测试仪测得,剥离强度可为1.7-175克/毫米,或例如10-120克/毫米,或例如20-80克/毫米。由于铈(IV)离子和氢离子的组合的表面调整能力,可以不需要使用铬酸之类的对工人和环境都有害的不希望采用的氧化性化合物。
任选地,在使用组合物调整电介质之前,可以通过溶剂溶胀(solvent swell)处理电介质。然后可用水淋洗该电介质,然后用一种组合物进行调整。
可使用常规的溶胀溶剂。市售可得的溶胀溶剂的例子是ConditionerPM-920TM(购自美国麻萨诸塞州Marlborough的Rohm and Haas ElectronicMaterials)。对不同种类的电介质使用不同的溶胀溶剂。例如,对于不同的聚合物,使用不同的溶剂才能起到作用。因此,必需进行一定的反复尝试,以使得对电介质的处理最优化。溶剂包括但不限于二醇醚酯,例如乙酸酯,N-烷基吡咯烷酮,脂族醇,脂族胺,碱金属氢氧化物,丁基和乙基Cellosolve(2-丁氧基乙醇),丁基Carbitol
Figure G061G8424420061229D000043
(2-(2-丁氧基乙氧基)乙醇)和乙二醇。其它可用的溶剂包括但不限于2-乙酸丁氧基乙酯(EBA)、丙二醇单甲醚(DowanolTM PM)、丙二醇单甲醚乙酸酯(DowanolTM PMA)或它们的混合物。
其它溶胀溶剂包括但不限于,酰胺(例如N,N-二甲基甲酰氨和N-甲基-2-吡咯烷酮),腈(例如乙腈),胺(例如三乙醇胺),二甲亚砜,碳酸异丙烯酯和γ-丁内酯,乙酸乙酯,乙酸丁酯,苯甲醛,酮,例如环己酮、丙酮、甲基乙基酮,乙酸,二硫化碳或它们的混合物。
可以用所述调整剂-活化剂进行调整的电介质包括但不限于热塑性树脂,聚乙烯树脂,例如高密度聚乙烯、中密度聚乙烯、支化低密度聚乙烯、直链低密度聚乙烯或超高分子量聚乙烯,聚烯烃树脂,例如聚丙烯树脂、聚丁二烯-聚丁烯树脂、聚丁烯树脂、聚苯乙烯树脂,卤代树脂,例如聚氯乙烯树脂、聚偏二氯乙烯-聚氯乙烯聚合物树脂、氯代聚乙烯、氯代聚丙烯和四氟乙烯,AS树脂,ABS树脂,MBS树脂,聚乙烯醇树脂,聚丙烯酸酯树脂,例如聚丙烯酸甲酯,聚甲基丙烯酸酯树脂,例如聚甲基丙烯酸甲酯,甲基丙烯酸甲酯-苯乙烯共聚物树脂,马来酸酐-苯乙烯共聚物树脂,聚氯乙烯树脂,纤维素树脂,例如丙酸纤维素树脂和乙酸纤维素树脂,环氧树脂,聚酰胺酰亚胺树脂,聚烯丙树脂(polyallylate resin),聚醚酰亚胺树脂,聚醚醚酮树脂,聚环氧乙烷树脂,PET树脂之类的聚酯树脂,聚砜树脂,聚乙烯醚树脂,聚乙烯醇缩丁醛树脂,聚苯醚之类的聚苯醚树脂,聚苯硫醚树脂,聚对苯二甲酸丁二醇酯树脂,聚甲基戊烯树脂聚缩醛树脂,氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物,乙烯-乙酸乙烯酯共聚物,乙烯-氯乙烯共聚物,以及它们的共聚物和混合物,热固性树脂,包括环氧树脂,二甲苯树脂,胍胺树脂,邻苯二甲酸二烯丙酯树脂,乙烯基酯树脂,酚醛树脂,不饱和聚酯树脂,呋喃树脂,聚酰亚胺树脂,聚氨酯树脂,马来酸树脂,三聚氰胺树脂和脲树脂,以及它们的混合物。
在对电介质进行调整之后,将金属无电沉积在该电介质的表面上。可以将能够通过无电沉积或浸渍沉积法沉积的任何金属镀敷在经过调整的电介质表面上。这些金属包括但不限于铜、镍、锡、银和能够沉积在蚀刻后的电介质上的各种金属。能够镀敷的合金的例子有铜/锡、铜/金、铜/银/金、镍/磷以及锡/铅。
可以使用常规的无电镀浴将金属和金属合金沉积在电介质上。所述镀浴可根据文献所述制备,也可以在市场上购得。可在市场上购得的无电镀浴的例子有C 3000TM Electroless铜和CircupositTM 71 Bath。这两种无电镀浴均可购自Rohm and Haas Electronic Materials。
可通过任何合适的方法将无电镀浴施用在蚀刻过的电介质上。可使用常规的无电金属沉积法。通常是将电介质浸渍在无电镀浴中,或者将镀浴喷涂在电介质表面上。所述调整组合物是自催化的,因此可以不必使用钯催化剂之类的催化剂。镀敷时间可以改变。镀敷时间取决于所需的金属层厚度。厚度可为0.5-50微米,或例如5-30微米,或例如10-20微米。金属或金属合金沉积物是导电性的,而且不含气泡。气泡是是镀敷后的电介质上,沉积的金属膜与基材相分离的未附着的区域。
在进行无电金属沉积之后,可任选通过酸淋洗处理金属层。通常酸淋洗所用的是一种或多种无机酸的稀溶液。这些酸包括但不限于硫酸、硝酸、盐酸、氢氟酸或磷酸。酸淋洗可以在室温下进行。
可以任选地在无电镀敷的金属层上镀敷电解金属层。可以采用常规的电解金属镀浴以及常规的沉积条件。可以沉积在无电金属化的电介质上的金属包括但不限于铜、镍、锡、金、银、钴、铱和铋。能够通过电解沉积的金属合金包括但不限于铜/锡,铜/金/银,铜/铋,铜/锡/铋,铜/镍/金,镍/磷,镍/钴/磷,锡/铋,锡/银和金/银。用于电解金属沉积的电解镀浴可由文献中得知,或者可以在市场上购得。
在电镀的时候,无电金属化的电介质作为阴极。可溶性或不溶性的阳极作为第二电极。可采用常规脉冲镀敷或直流(DC)镀敷或DC镀敷与脉冲镀敷的组合。电流密度和电极电势可根据沉积的金属或金属合金改变。通常电流密度为0.05-100ASD。通常电流密度为1-50ASD。持续镀敷直至达到所需的金属厚度。通常,电解沉积的金属层的厚度为1-100微米,或例如15-80微米,或例如25-50微米。
可以使用调整组合物和方法对介电基材进行金属化,用于以下的制品:通常包括但不限于光电元件、家具配件之类的装饰制品、珠宝、卫生器具和汽车部件,柔性电路,手机之类的通讯设备,EMI屏蔽和RF屏蔽,以及计算机部件。
以下实施例将进一步说明本发明,但是并不对本发明的范围构成限制。
实施例
实施例1(比较例)
使用六价铬处理溶液在70℃对购自General Electric Co.(General ElectricCycolacTM MG37EP-BK4500)尺寸为8厘米×9厘米的丙烯腈丁二烯苯乙烯共聚物(ABS)板材蚀刻8分钟,使该板材的表面变粗糙。所述铬处理溶液包含490克/升(9摩尔%)铬酸和295克/升(5.5摩尔%)硫酸和水。然后用去离子水对板材淋洗4次,以除去铬酸。
在45℃将所述板材浸在Neutralizer PMTM 954(购自美国宾夕法尼亚州费城Rohm and Haas Company)的水溶液中处理3分钟,将铬(VI)还原为铬(III),然后用去离子水淋洗。
然后将该板材浸在购自Rohm and Haas Company的Cuposit CatalystTM 44(氯化亚锡-钯催化剂)中,对该板材进行活化,以便用于无电金属化。催化剂的温度为45℃。将该板材浸没在活化剂中处理2分钟,然后用去离子水淋洗2分钟。
然后在45℃将活化后的板材浸在包含Accelerator PMTM 964(购自Rohm andHaas Company)镀浴中处理2分钟,然后用去离子水淋洗。然后在60℃无电镀铜。镀敷进行20分钟,在板材上形成0.5微米厚的铜层。该水性镀浴的组成如下表1所示:
表1
  组分   含量
  五水合硫酸铜   8克/升
  甲醛   3克/升
  氢氧化钠(25重量%的溶液)   10毫升/升
  乙二胺四乙酸   10克/升
  三异丙醇胺   2克/升
用去离子水淋洗该镀铜的板材,然后喷洒去离子水进行淋洗。然后用水性酸电解铜镀浴在已镀铜的板材上电镀1.5密耳的铜层。电流密度为4ASD。镀浴的pH值小于1。使用常规的电镀设备。所用镀浴的组成如下表2所示:
表2
  组成   含量
  五水合硫酸铜   80克/升
  硫酸(98重量%)   225克/升
  氯化物(氯化钠)   50ppm
  聚环氧乙烷聚合物(平均分子量2200)   1克/升
  二磺丙基二硫化物(Bissulfopropyl disulfide)   1ppm
然后在80℃的常规对流烘箱中对该板材烘烤1小时。然后使用Instron
Figure G061G8424420061229D000071
Series 4400材料测试仪测量剥离强度。测出剥离强度为89克/分钟。
下表3列出了使用常规方法在ABS板材上制备和沉积金属层的20个步骤。
表3
  处理步骤   时间
  溶剂溶胀   55秒
  淋洗   55秒
  淋洗   55秒
  淋洗和喷涂   55秒
  铬蚀刻   8分钟
  淋洗   55秒
  淋洗   55秒
  淋洗   55秒
  淋洗   55秒
  还原剂   55秒
  淋洗   55秒
  活化剂   2分钟
  淋洗   55秒
  淋洗   55秒
  促进剂   55秒
  淋洗   55秒
  无电镀铜   5分钟
  淋洗   55秒
  淋洗+喷涂   55秒
  电解酸镀铜   5分钟
  总计   34.7分钟
在需要高生产量的工业中,包括大量步骤的金属镀敷是低效的,也是人们所不希望的。
                          实施例2
在室温下,在CrownplateTM Conditioner PM-920(购自Rohm and HaasCompany)中对尺寸为8厘米×9厘米的ABS共聚物处理1分钟。然后用去离子水对该板材淋洗1分钟。
然后用包含5克/升的硝酸银、30克/升的硝酸铈(IV)铵和600毫升/升(95%)硝酸的水溶液对该板材进行调整和活化。所述调整剂-活化剂组合物的pH值小于1。在65℃对ABS板材调整和活化15分钟。然后用去离子水淋洗该板材2分钟。
用下表4所示的水性无电镀浴在调整和活化后的板材上无电镀敷铜层。
表4
  组成   含量
  五水合硫酸铜   8克/升
  氢氧化钠   4克/升
  甲醛   3克/升
  乙二胺四乙酸   10克/升
  三乙醇胺   2克/升
在70℃无电镀铜20分钟,在所述板材上形成1微米厚的铜层。用稀硫酸对镀铜后的板材淋洗1分钟。
然后用实施例1中表2所示的酸铜电镀浴在该镀铜的板材上电镀1.5密耳厚的铜。
然后在80℃的常规对流烘箱内,对板材烘焙1小时。然后使用Instron
Figure G061G8424420061229D000091
Series4400材料测试仪测量剥离强度。剥离强度为112克/毫米。
下表5列出了使用本发明的方法在ABS板材上制备和沉积金属层的7个步骤。
表5
  处理步骤   时间
  溶剂溶胀   1分钟
  淋洗   1分钟
  非铬调整和活化   15分钟
  淋洗   1分钟
  无电镀铜   10分钟
  酸淋洗   1分钟
  电解酸镀铜   5分钟
  总计   34分钟
本发明的方法可以无需像实施例1中的方法那样使用对环境不友好的有害铬酸和昂贵的钯催化剂的条件下,提供电导性铜层,其上再镀敷铜。本发明的方法还将步骤由20个减少到仅有7个,提供了更为有效的方法。
                     实施例3
将8厘米×9厘米的ABS板材浸在包含10克/升的硝酸银、50克/升的硝酸铈(IV)铵和350毫升/升(95%)硝酸的调整剂-活化剂溶液中。所述蚀刻-活化剂组合物的pH值小于1。在65℃对该ABS板材调整和活化20分钟。然后用去离子水淋洗该板材1分钟。
然后将该ABS板材浸没在具有下表6所示组成的无电铜镀浴中:
表6
  组成   含量
  三水合硝酸铜   12克/升
  甲醛   3克/升
  氢氧化钠   4克/升
  乙二胺四乙酸   40克/升
  硅酸钠   2克/升
在70℃无电镀铜10分钟,形成0.5微米厚的铜附着层。
然后使用具有下表7所示组成的镍镀浴在已镀铜的板材上电镀厚1密耳的镍:
表7
  组成   含量
  六水合硫酸镍   180克/升
  六水合氯化镍   90克/升
  硼酸   45克/升
在3ASD、60℃的条件下,电解镀镍1小时。预期该工艺程序将制得与所述板材牢固结合的高光泽度附着金属沉积物。
                          实施例4
用N-甲基-2-吡咯烷酮溶胀溶剂处理10厘米×10厘米的聚苯醚-聚苯乙烯板材。该过程在室温下进行2分钟。然后在去离子水中对该板材淋洗5分钟。
然后用包含40克/升硝酸铈(IV)铵、20克/升的氟代硼酸银和400毫升/升(95%)硝酸的水性组合物对该板材进行调整和活化。在65℃调整和活化15分钟。然后用去离子水对试样淋洗5分钟。
然后将调整并活化后的板材浸没入组成如下表8所示无电铜镀浴:
表8
  组分   含量
  五水合硫酸铜   12克/升
  甲醛   4克/升
  氢氧化钠   8克/升
  Quadrol   20克/升
  氰化钠   5ppm
在45℃无电镀铜15分钟,在所述板材上形成0.5微米厚的铜膜。然后用稀硫酸淋洗该板材2分钟。
然后使用下表9所示的水性酸锡电解镀浴对镀铜的板材电镀锡:
表9
  组成   含量
  源自甲烷硫酸锡的锡离子   15克/升
  甲磺酸   40克/升
  环氧乙烷/环氧丙烷共聚物   0.5克/升
  聚乙二醇   0.5克/升
  氢醌   250ppm
在30ASD、55℃的条件下电镀锡15分钟。锡层厚度为2密耳。
预期在锡层上不会观察到气泡,预期金属层与所述板材牢固结合。
                        实施例5
使用丙二醇单甲醚(DowenolTM PM)对10厘米×15厘米的高密度聚乙烯试样处理1分钟。该处理在室温下进行。然后用去离子水淋洗该试样一分钟。
用由40克/升的四硫酸高铈、500毫升/升的(95%)硝酸和10克/升的硝酸银组成的水性组合物对该试样进行调整和活化。所述溶液的pH值小于1。在70℃下调整和活化10分钟。然后用去离子水淋洗该试样。
然后将调整并活化后的试样浸渍在具有下表10所示组成的无电铜镀浴中:
表10
  组成   含量
  五水合硫酸铜   10克/升
  甲醛37%   20毫升/升
  氢氧化钠50%   20毫升/升
  乙二胺四乙酸   35克/升
在65℃下无电镀铜30分钟,在试样上形成0.75微米厚的铜膜。然后用去离子水淋洗该试样2分钟。
然后使用下表11所示的水性酸锡-镍镀浴在镀铜的试样上电镀锡-镍合金:
表11
  组分   含量
  亚锡   30克/升
  镍   70克/升
  总氟含量   35克/升
  游离氢氟酸   8克/升
在50℃、2ASD的条件下,电镀锡-镍合金10分钟。生成的锡-镍层的厚度为1微米。
预期在锡层上不会观察到气泡,预期金属层与所述板材牢固结合。

Claims (11)

1.一种组合物,该组合物包含一种或多种铈(IV)离子源、一种或多种银(I)离子源和一种或多种氢离子源;所述铈(IV)离子源提供5-100g/L的铈(IV)离子,所述银(I)离子源提供1-20g/L的银(I)离子。
2.如权利要求1所述的组合物,其特征在于,所述一种或多种铈(IV)离子源选自硝酸高铈铵、四硫酸高铈、硫酸高铈铵、二氧化铈、硫酸高铈和四水合硫酸高铈。
3.如权利要求1所述的组合物,其特征在于,所述一种或多种银离子源选自硝酸银、四氟硼酸银、高氯酸银、氟化银、乙酸银、碳酸银、氧化银、硫酸银和氢氧化银。
4.如权利要求1所述的组合物,其特征在于,所述一种或多种氢离子源选自硫酸、硝酸、盐酸、氢氟酸和磷酸。
5.一种组合物,该组合物由一种或多种铈(IV)离子源、一种或多种银(I)离子源、一种或多种氢离子源和水组成;所述铈(IV)离子源提供5-100g/L的铈(IV)离子,所述银(I)离子源提供1-20g/L的银(I)离子。
6.一种在电介质上沉积金属或金属合金的方法,该方法包括:
a)提供一种组合物,该组合物包含一种或多种铈(IV)离子源,一种或多种银(I)离子源和一种或多种氢离子源;所述铈(IV)离子源提供5-100g/L的铈(IV)离子,所述银(I)离子源提供1-20g/L的银(I)离子;
b)将电介质浸在所述组合物中,或将所述组合物喷涂在所述电介质上,或者将所述组合物刷涂在所述电介质上,对所述电介质进行调整和活化;
c)在电介质上沉积金属或金属合金。
7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,所述金属选自铜,镍,锡,金,银,钴,铟或铋。
8.如权利要求6所述的方法,其特征在于,所述金属合金选自铜锡,铜金,铜铋,铜锡铋,铜镍金,镍磷,镍钴磷,锡铋,锡银和金银。
9.如权利要求6所述的方法,其特征在于,所述方法还包括对所述电介质进行蚀刻。
10.一种在电介质上沉积金属的方法,该方法包括:
a)提供一种组合物,该组合物包含一种或多种铈(IV)离子源,一种或多种银(I)离子源和一种或多种氢离子源;所述铈(IV)离子源提供5-100g/L的铈(IV)离子,所述银(I)离子源提供1-20g/L的银(I)离子;
b)将电介质浸在所述组合物中,或将所述组合物喷涂在所述电介质上,或者将所述组合物刷涂在所述电介质上,对所述电介质进行调整和活化;
c)在所述电介质上无电沉积第一金属;和
d)在所述第一金属上沉积第二金属。
11.如权利要求10所述的方法,其特征在于,所述电介质是印刷电路板的元件。
CN2006101684244A 2005-12-05 2006-12-05 电介质的金属化 Active CN1982503B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US74249505P 2005-12-05 2005-12-05
US60/742,495 2005-12-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1982503A CN1982503A (zh) 2007-06-20
CN1982503B true CN1982503B (zh) 2012-01-11

Family

ID=37896004

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2006101684244A Active CN1982503B (zh) 2005-12-05 2006-12-05 电介质的金属化

Country Status (5)

Country Link
US (2) US7780771B2 (zh)
EP (1) EP1793013B1 (zh)
JP (1) JP5269306B2 (zh)
KR (1) KR101332597B1 (zh)
CN (1) CN1982503B (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4881689B2 (ja) * 2006-09-29 2012-02-22 鶴見曹達株式会社 導電性高分子用エッチング液、及び、導電性高分子をパターニングする方法
KR100856687B1 (ko) * 2007-11-29 2008-09-04 동진P&I산업(주) 유전체로 사용한 소재에 전도체 물질을 형성하는 무전해도금방법
US20130084395A1 (en) * 2011-09-29 2013-04-04 Roshan V. Chapaneri Treatment of Plastic Surfaces After Etching in Nitric Acid Containing Media
CN104342643B (zh) * 2013-07-23 2017-06-06 比亚迪股份有限公司 一种化学镀银液和镀银方法
CN104342645B (zh) * 2013-07-23 2017-05-31 比亚迪股份有限公司 一种化学镀银液和镀银方法
CN104342644B (zh) * 2013-07-23 2017-05-31 比亚迪股份有限公司 一种化学镀银液和镀银方法
CN106460175B (zh) * 2014-02-28 2019-03-05 国立大学法人大阪大学 电介质基材表面的金属化方法以及附有金属膜的电介质基材
US10920321B2 (en) 2014-05-30 2021-02-16 Uab Rekin International Chrome-free adhesion pre-treatment for plastics
US9506150B2 (en) 2014-10-13 2016-11-29 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Metallization inhibitors for plastisol coated plating tools
US20200040459A1 (en) * 2017-04-04 2020-02-06 Nanyang Technological University Plated object and method of forming the same

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5134039A (en) * 1988-04-11 1992-07-28 Leach & Garner Company Metal articles having a plurality of ultrafine particles dispersed therein
CN1477922A (zh) * 2002-04-09 2004-02-25 ���ǵ�����ʽ���� 用于模块化印刷电路板表面处理的合金镀液
CN1743502A (zh) * 2004-09-01 2006-03-08 丰田自动车株式会社 镀敷树脂材料的方法

Family Cites Families (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3440151A (en) * 1965-06-02 1969-04-22 Robert Duva Electrodeposition of copper-tin alloys
US3561995A (en) * 1967-04-03 1971-02-09 M & T Chemicals Inc Method of activating a polymer surface and resultant article
US3765936A (en) * 1968-08-13 1973-10-16 Shipley Co Electroless copper plate
US3682786A (en) * 1970-02-18 1972-08-08 Macdermid Inc Method of treating plastic substrates and process for plating thereon
DE2010438A1 (en) * 1970-02-27 1971-09-09 Schering Ag Metallizing insulators for printed circuits e - tc
US3737339A (en) * 1970-12-18 1973-06-05 Richardson Co Fabrication of printed circuit boards
US3661597A (en) * 1971-05-20 1972-05-09 Shipley Co Electroless copper plating
US3847658A (en) * 1972-01-14 1974-11-12 Western Electric Co Article of manufacture having a film comprising nitrogen-doped beta tantalum
GB1360904A (en) * 1972-01-19 1974-07-24 Ici Ltd Oxidation of aromatic compounds
US4035500A (en) * 1976-06-04 1977-07-12 Western Electric Company, Inc. Method of depositing a metal on a surface of a substrate
NL184695C (nl) * 1978-12-04 1989-10-02 Philips Nv Bad voor het stroomloos neerslaan van tin op substraten.
US4321114A (en) * 1980-03-11 1982-03-23 University Patents, Inc. Electrochemical doping of conjugated polymers
DE3152361A1 (de) * 1980-09-15 1983-01-13 Shipley Co Electroless alloy plating
US4539044A (en) * 1982-11-15 1985-09-03 Shipley Company Inc. Electroless copper plating
US4467067A (en) * 1982-12-27 1984-08-21 Shipley Company Electroless nickel plating
US4592929A (en) * 1984-02-01 1986-06-03 Shipley Company Inc. Process for metallizing plastics
US4550036A (en) * 1984-10-18 1985-10-29 Hughes Aircraft Company Electroless silver plating process and system
US4550037A (en) * 1984-12-17 1985-10-29 Texo Corporation Tin plating immersion process
US4781788A (en) * 1986-12-29 1988-11-01 Delco Electronics Corporation Process for preparing printed circuit boards
JPH02310376A (ja) * 1989-05-26 1990-12-26 Electroplating Eng Of Japan Co 非電導性物への金属性被膜の形成方法
US5160600A (en) * 1990-03-05 1992-11-03 Patel Gordhanbai N Chromic acid free etching of polymers for electroless plating
US5143544A (en) * 1990-06-04 1992-09-01 Shipley Company Inc. Tin lead plating solution
US5118356A (en) * 1990-11-19 1992-06-02 Eastman Kodak Company Process for cleaning a photographic processing device
US5306334A (en) * 1992-07-20 1994-04-26 Monsanto Company Electroless nickel plating solution
US5316867A (en) 1993-05-17 1994-05-31 General Electric Company Method for adhering metal coatings to thermoplastic addition polymers
US5413817A (en) * 1993-11-05 1995-05-09 General Electric Company Method for adhering metal coatings to polyphenylene ether-polystyrene articles
US5847658A (en) * 1995-08-15 1998-12-08 Omron Corporation Vibration monitor and monitoring method
US5765936A (en) * 1996-09-03 1998-06-16 Walton; Judy T. Portable neon lighting system
US6251249B1 (en) * 1996-09-20 2001-06-26 Atofina Chemicals, Inc. Precious metal deposition composition and process
JPH10250709A (ja) * 1997-03-11 1998-09-22 Ashland Inc 容器の成形および充填統合設備
GB9722028D0 (en) * 1997-10-17 1997-12-17 Shipley Company Ll C Plating of polymers
US6284545B1 (en) * 1999-03-24 2001-09-04 Industrial Scientific Corporation Filter for gas sensor
US6752844B2 (en) * 1999-03-29 2004-06-22 Intel Corporation Ceric-ion slurry for use in chemical-mechanical polishing
JP4247863B2 (ja) * 1999-07-12 2009-04-02 ソニー株式会社 電子部品用金属材料、電子部品用配線材料、電子部品用電極材料、電子部品、電子機器、金属材料の加工方法及び電子光学部品
US6344242B1 (en) * 1999-09-10 2002-02-05 Mcdonnell Douglas Corporation Sol-gel catalyst for electroless plating
US6632344B1 (en) * 2000-03-24 2003-10-14 Robert L. Goldberg Conductive oxide coating process
US6322686B1 (en) * 2000-03-31 2001-11-27 Shipley Company, L.L.C. Tin electrolyte
JP4571741B2 (ja) * 2000-10-31 2010-10-27 株式会社フルヤ金属 電子部品用金属材料、電子部品、電子機器、金属材料の加工方法及び電子光学部品
US6348732B1 (en) * 2000-11-18 2002-02-19 Advanced Micro Devices, Inc. Amorphized barrier layer for integrated circuit interconnects
JP4932094B2 (ja) * 2001-07-02 2012-05-16 日本リーロナール有限会社 無電解金めっき液および無電解金めっき方法
US6645557B2 (en) * 2001-10-17 2003-11-11 Atotech Deutschland Gmbh Metallization of non-conductive surfaces with silver catalyst and electroless metal compositions
JP4375702B2 (ja) 2001-10-25 2009-12-02 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. めっき組成物
AU2002361029A1 (en) 2001-12-17 2003-06-30 Henkel Kommanditgesellschaft Auf Aktien Agent for producing a primer on metallic surfaces and method for treatment
JP2003193284A (ja) 2001-12-28 2003-07-09 Learonal Japan Inc 電気ニッケルめっき液
JP4478383B2 (ja) * 2002-11-26 2010-06-09 関東化学株式会社 銀を主成分とする金属薄膜のエッチング液組成物
JP4069248B2 (ja) * 2002-12-09 2008-04-02 大阪市 無電解めっき用触媒組成物
JP4189532B2 (ja) * 2002-12-10 2008-12-03 奥野製薬工業株式会社 無電解めっき用触媒の活性化方法
JP5095909B2 (ja) * 2003-06-24 2012-12-12 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. 触媒組成物および析出方法
JP2005036285A (ja) * 2003-07-15 2005-02-10 Tokyo Electron Ltd 無電解メッキ用前処理液及び無電解メッキ方法
JP4000476B2 (ja) * 2003-09-11 2007-10-31 奥野製薬工業株式会社 無電解めっきの前処理用組成物

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5134039A (en) * 1988-04-11 1992-07-28 Leach & Garner Company Metal articles having a plurality of ultrafine particles dispersed therein
CN1477922A (zh) * 2002-04-09 2004-02-25 ���ǵ�����ʽ���� 用于模块化印刷电路板表面处理的合金镀液
CN1743502A (zh) * 2004-09-01 2006-03-08 丰田自动车株式会社 镀敷树脂材料的方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开平10-195666A 1998.07.28

Also Published As

Publication number Publication date
EP1793013A3 (en) 2012-03-28
CN1982503A (zh) 2007-06-20
KR20070058986A (ko) 2007-06-11
JP5269306B2 (ja) 2013-08-21
JP2007182627A (ja) 2007-07-19
KR101332597B1 (ko) 2013-11-25
EP1793013A2 (en) 2007-06-06
US20070128366A1 (en) 2007-06-07
US20100323115A1 (en) 2010-12-23
EP1793013B1 (en) 2017-07-19
US7780771B2 (en) 2010-08-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1982503B (zh) 电介质的金属化
US20190144747A1 (en) Composition and process for metallizing nonconductive plastic surfaces
TWI629374B (zh) 無電極電鍍的方法
EP3284849A1 (en) Multi-layer electrical contact element
CN102965646A (zh) 化学镀的稳定催化剂
EP3168326B2 (en) Resin plating method
EP2845922A1 (en) Electroless metallization of dielectrics with alkaline stable pyrimidine derivative containing catalysts
US9914115B2 (en) Catalysts for electroless metallization containing five-membered heterocyclic nitrogen compounds
US9181622B2 (en) Process for metallizing nonconductive plastic surfaces
KR20190137146A (ko) 무전해 도금의 전처리용 조성물, 무전해 도금의 전처리 방법, 무전해 도금 방법
CN102549196B (zh) 用于将金属涂层施加到非电导性基体上的方法
TWI617700B (zh) 無電極電鍍的方法
US9918389B2 (en) Electroless metallization of dielectrics with alkaline stable pyrazine derivative containing catalysts
TWI614372B (zh) 無電極電鍍的方法
KR20170039775A (ko) 비전도성 플라스틱 표면들을 금속화하기 위한 방법
JP2001214278A (ja) ダイレクトプレーティング用アクセレレータ浴液およびダイレクトプレーティング方法
JP4740711B2 (ja) Pd/Snコロイド触媒吸着促進剤
EP2610365A2 (en) Plating catalyst and method
KR101546458B1 (ko) 동박 적층시트의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant