CN1950473B - 绝缘膜形成用组合物和其制法及二氧化硅系绝缘膜和其形成法 - Google Patents

绝缘膜形成用组合物和其制法及二氧化硅系绝缘膜和其形成法 Download PDF

Info

Publication number
CN1950473B
CN1950473B CN2005800146286A CN200580014628A CN1950473B CN 1950473 B CN1950473 B CN 1950473B CN 2005800146286 A CN2005800146286 A CN 2005800146286A CN 200580014628 A CN200580014628 A CN 200580014628A CN 1950473 B CN1950473 B CN 1950473B
Authority
CN
China
Prior art keywords
expression
composition
general formula
group
following general
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2005800146286A
Other languages
English (en)
Chinese (zh)
Other versions
CN1950473A (zh
Inventor
秋山将宏
中川恭志
黑泽孝彦
盐田淳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JSR Corp
Original Assignee
JSR Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2005040460A external-priority patent/JP5110238B2/ja
Application filed by JSR Corp filed Critical JSR Corp
Publication of CN1950473A publication Critical patent/CN1950473A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1950473B publication Critical patent/CN1950473B/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
CN2005800146286A 2004-05-11 2005-04-28 绝缘膜形成用组合物和其制法及二氧化硅系绝缘膜和其形成法 Expired - Fee Related CN1950473B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004141200 2004-05-11
JP141200/2004 2004-05-11
JP2005040460A JP5110238B2 (ja) 2004-05-11 2005-02-17 絶縁膜形成用組成物およびその製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜およびその形成方法
JP040460/2005 2005-02-17
PCT/JP2005/008222 WO2005108516A1 (ja) 2004-05-11 2005-04-28 絶縁膜形成用組成物およびその製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜およびその形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1950473A CN1950473A (zh) 2007-04-18
CN1950473B true CN1950473B (zh) 2010-10-27

Family

ID=38019351

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2005800146286A Expired - Fee Related CN1950473B (zh) 2004-05-11 2005-04-28 绝缘膜形成用组合物和其制法及二氧化硅系绝缘膜和其形成法
CN2005800150934A Expired - Fee Related CN1957020B (zh) 2004-05-11 2005-04-28 有机二氧化硅系膜及形成法、布线结构体、半导体装置及膜形成用组合物
CNA2005800150690A Pending CN1954017A (zh) 2004-05-11 2005-05-11 有机二氧化硅系膜及形成法、布线结构体、半导体装置及膜形成用组合物

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2005800150934A Expired - Fee Related CN1957020B (zh) 2004-05-11 2005-04-28 有机二氧化硅系膜及形成法、布线结构体、半导体装置及膜形成用组合物
CNA2005800150690A Pending CN1954017A (zh) 2004-05-11 2005-05-11 有机二氧化硅系膜及形成法、布线结构体、半导体装置及膜形成用组合物

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JPWO2005108469A1 (cg-RX-API-DMAC7.html)
CN (3) CN1950473B (cg-RX-API-DMAC7.html)
TW (1) TW200604253A (cg-RX-API-DMAC7.html)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009008041A1 (ja) 2007-07-06 2009-01-15 Fujitsu Limited 絶縁膜材料、多層配線基板及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法
EP2058844A1 (en) * 2007-10-30 2009-05-13 Interuniversitair Microelektronica Centrum (IMEC) Method of forming a semiconductor device
US8278378B2 (en) * 2009-11-04 2012-10-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Organosilicate compound, and composition and film including the same
EP3705534A1 (en) * 2015-07-09 2020-09-09 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Silicon-containing resin composition
JP6641217B2 (ja) * 2016-03-30 2020-02-05 東京応化工業株式会社 金属酸化物膜形成用塗布剤及び金属酸化物膜を有する基体の製造方法
CN106110906B (zh) * 2016-07-15 2018-10-19 常州大学 一种亲水性有机硅膜的制备方法
JP6999408B2 (ja) 2016-12-28 2022-02-04 東京応化工業株式会社 樹脂組成物、樹脂組成物の製造方法、膜形成方法及び硬化物
CN108917582A (zh) * 2018-03-30 2018-11-30 华东理工大学 应变传感器及其制造方法
CN113677744B (zh) * 2019-04-08 2024-08-23 默克专利有限公司 包含嵌段共聚物的组合物和使用该组合物生产硅质膜的方法
US11421157B2 (en) 2019-08-21 2022-08-23 Entegris, Inc. Formulations for high selective silicon nitride etch
CN112563661B (zh) * 2020-12-07 2022-05-27 界首市天鸿新材料股份有限公司 环保型纤维素基隔膜的制备方法及其在锂电池中的应用

Also Published As

Publication number Publication date
TW200604253A (en) 2006-02-01
JPWO2005108469A1 (ja) 2008-03-21
TWI314936B (cg-RX-API-DMAC7.html) 2009-09-21
CN1950473A (zh) 2007-04-18
CN1954017A (zh) 2007-04-25
CN1957020B (zh) 2011-06-08
CN1957020A (zh) 2007-05-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5105041B2 (ja) 絶縁膜形成用組成物およびその製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜およびその形成方法
KR100528949B1 (ko) 실리카계 막의 제조 방법, 실리카계 막, 절연막 및 반도체장치
JP5110238B2 (ja) 絶縁膜形成用組成物およびその製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜およびその形成方法
KR20070010011A (ko) 중합체 및 그의 제조 방법, 절연막 형성용 조성물, 및절연막 및 그의 형성 방법
CN1950473B (zh) 绝缘膜形成用组合物和其制法及二氧化硅系绝缘膜和其形成法
JP4662000B2 (ja) 膜形成用組成物、膜の形成方法および絶縁膜
JP2010106100A (ja) 絶縁膜形成用組成物、ならびに絶縁膜およびその形成方法
JP4877486B2 (ja) 絶縁膜形成用組成物およびその製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜およびその形成方法
JP5423937B2 (ja) 絶縁膜形成用組成物の製造方法、ポリマーの製造方法
JP2005272816A (ja) ポリマーおよびその製造方法、絶縁膜形成用組成物、ならびに絶縁膜およびその形成方法
JP4101989B2 (ja) ポリオルガノシロキサン系組成物の製造方法、ポリオルガノシロキサン系組成物、および膜
JP4117440B2 (ja) 膜形成用組成物の製造方法、膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜
JP5152464B2 (ja) 絶縁膜形成用組成物、ならびにシリカ系膜およびその形成方法
JPWO2008096656A1 (ja) ケイ素含有ポリマーおよびその合成方法、膜形成用組成物、ならびにシリカ系膜およびその形成方法
JP5212591B2 (ja) 積層体、絶縁膜、および半導体装置
JP2009227910A (ja) 絶縁膜形成用組成物、ならびにシリカ系膜およびその形成方法
JP5376118B2 (ja) 絶縁膜形成用組成物の製造方法、ならびに絶縁膜の形成方法
JP2007262255A (ja) ポリマーおよびその製造方法、絶縁膜形成用組成物、絶縁膜の製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜
JP2001335746A (ja) 膜形成用組成物の製造方法、膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料
JP2002285085A (ja) 膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜
JP5126508B2 (ja) 絶縁膜形成用組成物、絶縁膜の製造方法、及びそれによって得られる絶縁膜
JP4716035B2 (ja) シリカ系膜およびその形成方法
JP2008198852A (ja) 絶縁膜形成用組成物、ならびにシリカ系膜およびその形成方法
JP2010043190A (ja) 絶縁膜形成用組成物、ならびにシリカ系膜およびその形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20101027

Termination date: 20180428

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee