CN1931858A - 包含具有螺环缩酮基团的单体的光刻胶聚合物及其组合物 - Google Patents

包含具有螺环缩酮基团的单体的光刻胶聚合物及其组合物 Download PDF

Info

Publication number
CN1931858A
CN1931858A CNA2005101027712A CN200510102771A CN1931858A CN 1931858 A CN1931858 A CN 1931858A CN A2005101027712 A CNA2005101027712 A CN A2005101027712A CN 200510102771 A CN200510102771 A CN 200510102771A CN 1931858 A CN1931858 A CN 1931858A
Authority
CN
China
Prior art keywords
general formula
methyl
polymkeric substance
photoresist material
monomer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2005101027712A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1931858B (zh
Inventor
李载禹
李正烈
金德倍
金宰贤
孙银卿
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dongjin Semichem Co Ltd
Original Assignee
Dongjin Semichem Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020050049720A external-priority patent/KR101155453B1/ko
Application filed by Dongjin Semichem Co Ltd filed Critical Dongjin Semichem Co Ltd
Publication of CN1931858A publication Critical patent/CN1931858A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1931858B publication Critical patent/CN1931858B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D317/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having two oxygen atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D317/08—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having two oxygen atoms as the only ring hetero atoms having the hetero atoms in positions 1 and 3
    • C07D317/72—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having two oxygen atoms as the only ring hetero atoms having the hetero atoms in positions 1 and 3 spiro-condensed with carbocyclic rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10—Esters
    • C08F220/12—Esters of monohydric alcohols or phenols
    • C08F220/16—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms
    • C08F220/18—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms with acrylic or methacrylic acids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F222/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a carboxyl radical and containing at least one other carboxyl radical in the molecule; Salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof
    • C08F222/10—Esters
    • C08F222/1006—Esters of polyhydric alcohols or polyhydric phenols
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0397—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • G03F7/0758—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds with silicon- containing groups in the side chains
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Abstract

本发明公开了具有螺环缩酮基团的光刻胶聚合物，以及包括所述聚合物的光刻胶组合物。由于所述螺环缩酮基团脱保护反应的活化能较低，因此所述光刻胶聚合物和光刻胶组合物可以提高分辨率和制程范围；并且由于其PEB(曝光后烘焙)温度敏感性较低，可产生精细的光刻胶图案。

Description

包含具有螺环缩酮基团的单体的光刻胶聚合物及其组合物
发明领域
本发明涉及具有螺环缩酮基团的光刻胶单体、其聚合物、以及包括所述聚合物的光刻胶组合物。更特别地，本发明涉及具有螺环缩酮基团的光刻胶单体、其聚合物以及包括所述聚合物的光刻胶组合物，其中由于所述螺环缩酮基团脱保护反应的活化能较低，因此所述组合物可以提高分辨率和制程范围(process margin)。
发明背景
近来，由于半导体装置的集成度和精密度增加，使得在光蚀刻工艺中为了产生这样的半导体装置需要形成半间距小于90nm的超精细的光刻胶图案。从而，曝光波长也降至193nm以下，并开发出了多种用于优化所述晶片成型过程和制造精密晶片的方法。除此之外，为了形成所述精细的光刻胶图案，还有必要开发具有较低LER(线条边缘粗糙度)、低PEB(曝光后烘焙)温度敏感性以及良好的干燥抗蚀性的光敏材料。
为了在形成所述光刻胶图案的过程中提高分辨率和制程范围并形成更精细的光刻胶图案，所述光敏光刻胶聚合物在保护基团脱保护反应中应该具有较低的活化能和/或低PEB(曝光后烘焙)温度敏感性，其中所述保护基团与所述光刻胶聚合物的链相连，以抑制所述聚合物在碱性溶液中的解离。例如，可用于ArF曝光光源的光刻胶聚合物，其包括聚丙烯酸酯、环烯-马来酸酐共聚物、以及聚降冰片烯等等。根据与所述聚合物链相连的保护基团脱保护反应的活化能的大小，所述聚合物可划分为：(i)具有诸如叔丁基的高活化能保护基团的聚合物；(ii)具有诸如甲基金刚烷基或乙基金刚烷基的中等活化能保护基团的聚合物；以及(iii)具有诸如乙缩醛基或缩酮基的低活化能保护基团的聚合物。作为用于ArF曝光光源的光刻胶聚合物，具有属于低活化能保护基团的乙缩醛基的聚(甲基)丙烯酸酯已被美国专利第4,975,519号、美国专利公开第2002-0143130(2002.10.03)号、以及国际专利公开WO 2002-20214(2002.3.14)号等所公开。
发明概述
因此，本发明的目的之一是提供具有螺环缩酮基团的光刻胶单体、其聚合物、以及包括所述聚合物的光刻胶组合物，由于所述螺环缩酮基团脱保护反应的活化能较低，因此可以提高分辨率和制程范围；并且由于对PEB(曝光后烘焙)温度敏感性较低，可以产生精细的光刻胶图案。
本发明的另一目的是提供具有螺环缩酮基团的光刻胶单体、其聚合物、以及包括所述聚合物的光刻胶组合物，其可以提高所述光刻胶图案的聚焦深度范围(focus depth margin)以及线条边缘粗糙度。
本发明的再一目的是提供产生所述单体及其聚合物的方法，以及采用上述提到的光刻胶组合物形成图案的方法。
为了达到以上及其它目的，本发明提供了具有螺环缩酮基团的单体，如以下通式1所示：
通式1
在通式1中，R*为氢或甲基；x和y独立地为1、2或3；R为具有3到50个碳原子的饱和单环或多环烃基或饱和杂单环或多环烃基。
本发明还提供了具有螺环缩酮基团的聚合物，其包括通式2的重复单元：
通式2
Figure A20051010277100141
在通式2中，R*，R，x和y的定义如通式1所述。
本发明还提供了包括上述聚合物的光刻胶组合物，以及使用上述光刻胶组合物形成光刻胶图案的方法。
附图的简要说明
通过参考下列附图，可对本发明及其诸多优点有更全面的了解，其中：
图1至图14是采用本发明实施例的光刻胶组合物形成的光刻胶图案的SEM(扫描电子显微镜)照片。
发明的详细说明
以下通过参照附图对本发明进行更详细地描述。
本发明的具有螺环缩酮基团的光刻胶单体如通式1所示。
通式1
Figure A20051010277100142
在通式1中，R*为氢或甲基；x和y独立地为1、2或3；R为具有3到50个碳原子的饱和单环或多环烃基或饱和杂单环或多环烃基。优选地，R为
Figure A20051010277100151
其中，螺旋线
Figure A20051010277100153
代表一根连接键。
通式1所示的本发明的具有螺环缩酮基团的单体，可以通过常规的有机合成方法制备。例如，如以下反应式1所示，通过在酸催化剂存在下使环酮和三醇反应制备环缩酮醇。
反应式1
Figure A20051010277100154
在反应式1中，R，x和y如通式1所定义。
可采用多种常规酸催化剂作为酸催化剂，且代表性的催化剂的例子就是对-甲苯磺酸。所述反应可通过在氮气或氩气氛中、于30-100℃和常压下，在诸如普通庚烷的常规有机溶剂中反应1-24小时来进行。然后，如以下反应式2所示，通式1所示的单体可在碱催化剂存在下通过所得环缩酮醇和(甲基)丙烯酰氯反应制备。
反应式2
Figure A20051010277100161
在反应式2中，R*，R，x和y如通式1所定义。
可采用多种常规的碱催化剂作为碱催化剂，且代表性的催化剂的例子为三乙胺。所述反应可通过在包括氮气或氩气等等的惰性气体中，于0-60℃和常压下在诸如四氢呋喃(THF)的常规有机溶剂中反应1-24小时来进行。
本发明的具有螺环缩酮基团的聚合物包括通式2所示的重复单元。
通式2
Figure A20051010277100162
在通式2中，R*，R，x和y如通式1所定义。
在本发明的光刻胶聚合物中，所述通式2所示的重复单元在所述上部和下部聚合物链中的含量分别为1-99％摩尔比和1-99％摩尔比。所述含量是基于所述上部和下部聚合物链中的总重复单元数。更优选地，通式2所示的重复单元在上部和下部聚合物链中的含量分别为5-95％摩尔比和5-95％摩尔比。可以使用多种常规用于制备光刻胶聚合物的单体作为与通式2重复单元一起使用的单体。
本发明优选的具有螺环缩酮基团的光刻胶聚合物是通式3所示的聚合物，更优选的聚合物如通式3a到3h所示。
通式3
Figure A20051010277100171
通式3a
通式3b
Figure A20051010277100181
通式3c
通式3d
通式3e
Figure A20051010277100191
通式3f
通式3g
Figure A20051010277100193
通式3h
Figure A20051010277100201
在通式3和3a到3h中，R*和R**独立地为氢或甲基；R1可以相同或不同，并且是具有1到20个碳原子的链烃基或环烃基；a和b是构成所述上部和下部聚合物链的重复单元的摩尔百分数，且独立地为和1-99％摩尔比，优选为1-95％摩尔比和1-95％摩尔比，更优选为5-95％摩尔比和5-95％摩尔比；且x、y和R的定义如通式1所述。所述聚合物可以是嵌段共聚物或无规共聚物。
本发明的其它优选的具有螺环缩酮基团的光刻胶聚合物如通式4和通式5所示，更优选的聚合物如通式5a到5f所示。
通式4
Figure A20051010277100202
在通式4中，R*和R**独立地为氢或甲基；R1可以相同或不同，且是具有1到20个碳原子的链烃基或环烃基；R为具有3到50个碳原子的饱和单环或多环烃基或饱和杂单环或多环烃基；x和y独立地为1、2或3；且a、b和c是构成所述上部和下部聚合物链的重复单元的摩尔百分数，且独立地为1-95％摩尔比、1-95％摩尔比和1-95％摩尔比。
通式5
Figure A20051010277100211
通式5a
通式5b
Figure A20051010277100221
通式5c
通式5d
Figure A20051010277100223
通式5e
通式5f
在通式5和5a到5f中，R*、R**、R、R1、R2、a、b、c、x和y的定义如通式4所述。
所述螺环缩酮基团是较大的饱和烃基并与所述聚合物链相连，是防止所述聚合物及包含它的光刻胶组合物被诸如碱性显影液的碱性溶液分解的保护基团。所述保护基团被光酸发生剂在曝光时产生的酸催化剂(H+)脱保护。随后所述曝光区域的溶解度增加，而且所述光刻胶组合物的对比度得到有效地改善。尤其是由于其脱保护反应的活化能较低，因此所述螺环缩酮基团可以提高所述光刻胶图案的分辨率以及制程范围(例如能量制程范围)。此外，因为所述脱保护反应的产物是大分子量的大体积材料，因此所述螺环缩酮基团可以改善聚焦深度范围以及线条边缘粗糙度。与具有螺环缩酮基团的单体一起使用构成所述聚合物的降冰片烯单体，降低了聚(甲基)丙烯酸聚合物的柔性，并保持了所述光刻胶的刚性。
包括通式2的重复单元的光刻胶聚合物可通过如下步骤制备：(a)将包括所述通式1单体在内的一种或多种单体和聚合引发剂溶解在聚合溶剂中，和(b)将所述反应溶液在氮气、氩气等等的惰性气氛中，于60-70℃反应4到24小时。所述聚合反应可以通过自由基聚合反应、溶液聚合反应、整体聚合反应或使用金属催化剂的聚合反应来实现。所述聚合方法还可包括采用二乙醚，石油醚，诸如甲醇、乙醇或异丙醇的低级醇，水及其混合物等对所述反应产物进行结晶和纯化的步骤。
多种常规用于产生光刻胶聚合物的单体可用作与通式1的单体共同使用的其它单体组分。这些常规单体的例子包括但不限于：
(i)具有酸敏感保护基团的单体，例如，叔丁基，四氢吡喃-2-基，2-甲基四氢吡喃-2-基，四氢puran-2-基，2-甲基四氢puran-2-基，1-甲氧基丙基，1-甲氧基-1-甲基乙基，1-乙氧基丙基，1-乙氧基-1-甲基乙基，1-甲氧基乙基，1-乙氧基乙基，叔丁氧基乙基，1-异丁氧基乙基和2-乙酰基薄荷-1-基；(ii)以下通式6所示的单体；以及(iii)诸如马来酸酐的环烯单体。所述常规单体的具体例子包括2-甲基-2金刚烷基(甲基)丙烯酸酯。
通式6
Figure A20051010277100241
在通式6中，R**和R1如通式3中所定义。
如以下反应式3所示，通式3的光刻胶聚合物可通过通式1的单体和通式6的单体反应来制备。
反应式3
在反应式3中，R*，R**，R，R1，x，y，a和b如通式3所定义。
同样，由以下反应式4所示，通式5的光刻胶聚合物可通过使通式1的具有螺环缩酮基团的单体、具有降冰片烯基团的单体、马来酸酐和通式6的单体反应来制备。
反应式4：
Figure A20051010277100252
在反应式4中，R*，R**，R，R1，R2，x，y，a，b和c如通式4所定义。
用于反应式4中的具有降冰片烯基团的单体可由以下反应式5所示的Diels-Alder反应制备。
反应式5
在反应式5中，R2是具有1到20个碳原子的链烃基或环烃基。
作为一种制备所述降冰片烯单体的方法，Diels-Alder反应可有效地用于本发明中来合成具有保护基团的降冰片烯单体。
可采用多种用于制备光刻胶的常规聚合溶剂来作为聚合溶剂。示例性的聚合溶剂的例子包括但不限于环己酮、环戊酮、四氢呋喃、二甲基甲酰胺、二甲亚砜、二氧六环、甲基乙基酮、苯、甲苯、二甲苯及其混合物。聚合引发剂也可选自多种常规的聚合引发剂。示例性的聚合引发剂包括本领域公知的过氧化苯甲酰、2，2’-偶氮二异丁腈(AIBN)、过氧化乙酰、过氧化月桂酰、叔丁基过醋酸盐、叔丁基过氧化氢、过氧化二叔丁基及其混合物。所述通式2至通式3的光刻胶聚合物的优选平均分子量(Mw)为3,000到100,000，所述聚合物的多分散性(PD)优选为1.0到5.0。如果所述聚物的平均分子量和多分散性超出了以上范围，所述光刻胶层和图案的对比度就会被削弱，或者不能形成光刻胶层。
本发明的光刻胶组合物包括：含有通式2的重复单元的光刻胶聚合物、用于产生酸组分的光酸发生剂以及有机溶剂。如有必要的话，所述光刻胶组合物还可包括各种添加剂。包括通式2的重复单元的光刻胶聚合物的优选含量为所述光刻胶组合物总量的1-30％重量比，更优选为5-15％重量比。如果所述光刻胶聚合物的含量低于1％重量比，将难以形成具有预期厚度的图案，因为所述光刻胶层会变得非常薄。如果所述光刻胶聚合物的含量超过30％重量比，则涂层的均一性会被削弱。
当曝露于光源时，所述光酸发生剂会产生诸如H+的酸成分。因此，所述光酸发生剂会将所述光敏聚合物的保护基团脱保护。可以采用任何曝光时能产生酸成分的化合物作为光酸发生剂。优选的光酸发生剂的例子包括诸如有机磺酸的硫鎓化合物，诸如鎓盐的鎓化合物，及其混合物。所述光酸发生剂的非限制性的例子包括在157nm和193nm具有低光吸收的苯二酰亚氨基三氟甲烷磺酸酯、二硝基苄基甲苯磺酸酯、正癸基二砜、萘基酰亚氨基三氟甲烷磺酸酯、联苯基碘鎓六氟磷酸盐、联苯基碘鎓六氟砷酸盐、联苯基碘鎓六氟锑酸盐、联苯基对甲氧基苯基硫鎓三氟甲磺酸盐、联苯基对亚苄基硫鎓三氟甲磺酸盐、联苯基对异丁基苯基鎓三氟甲磺酸盐、三苯基硫鎓六氟砷酸盐、三苯基硫鎓六氟锑酸盐、三苯基硫鎓三氟甲磺酸盐、二丁基萘基硫鎓三氟甲磺酸盐及其混合物。
优选的光酸发生剂的含量为所述光刻胶聚合物量的0.05-10％重量比(即每100重量份的所述聚合物0.05到10重量份的光酸发生剂)。如果所述光酸发生剂的含量低于0.05％重量比，所述保护基团的脱保护反应就难以进行，因为所述光刻胶组合物对光的敏感性会下降。如果所述光酸发生剂的含量超过10％重量比，所述光刻胶图案的轮廓就会遭到破坏，因为所述光酸发生剂产生了大量的酸。
本发明的光刻胶组合物的剩余成分是有机溶剂。所述有机溶剂选自多种用于制备光刻胶组合物的常规溶剂。示例性的有机溶剂包括但不限于乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单乙酸酯、二甘醇、二甘醇单乙醚、丙二醇单甲醚乙酸酯、丙二醇、丙二醇单乙酸酯、甲苯、二甲苯、甲基乙基酮、甲基异戊基酮、环己酮、二氧六环、乳酸甲酯、乳酸乙酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、甲基甲氧基丙酸酯、乙基甲氧基丙酸酯、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、3-乙氧基乙基丙酸酯、2-庚酮、γ-丁内酯、2-羟基丙酸乙酯、2-羟基-2-甲基丙酸乙酯、乙酸乙氧基乙酯、乙酸羟乙基酯、2-羟基-3-甲基丁酸甲酯、3-甲氧基-2-甲基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、3-甲氧基-2-甲基丙酸乙酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯及其混合物。
如有需要，所述光刻胶组合物还可以包括有机碱。示例性的有机碱包括但不限于三乙胺、三异丁胺、三异辛胺、二乙醇胺、三乙醇胺及其混合物。所述有机碱的优选含量为所述光刻胶组合物总量的0.01-2.00％重量比。如果所述有机碱含量低于0.01％重量比，在所述光刻胶图案就会产生不希望的T-Top现象。如果所述有机碱含量高于2.0％重量比，所述图案形成速度就会降低，因为光刻胶组合物的敏感性降低了。
可以通过将所述光敏聚合物、光酸发生剂、有机溶剂以及如有必要和多种添加剂混合并过滤来制备本发明的光刻胶组合物。此处，所述组合物中固体组分的优选浓度为10-60％质量比。如果所述固体组分的含量低于10％重量比，则难以形成具有预期厚度的图案，因为所述光刻胶涂层会变得非常薄。如果所述固体组分的含量大于60％重量比，则涂层的均一性会被削弱。
为了采用本发明的光刻胶组合物来形成光刻胶图案，可以采用以下常规光蚀刻工艺。首先，将所述光刻胶组合物应用于诸如硅晶片、铝基体等的基体上，例如旋涂机来形成光刻胶层。然后，将所述光刻胶层曝露于光源从而形成预定的图案。曝光后，如有必要，对所述光刻胶图案进行热处理(称为PEB(曝光后烘焙))以及显影。再将所制备的光刻胶图案用于生产具有预定电路图案的半导体。可以采用浓度为0.1-10％重量比的包括诸如氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸钠和氢氧化四甲基铵的碱性化合物的碱性溶液作为显影过程中的显影液。如有必要，显影液还可包括诸如甲醇、乙醇的水溶性有机溶剂以及适量的表面活性剂。在完成显影后，对基体进行清洗，其中用纯净水对所述基体进行清洗。
以下为了更好地理解本发明提供了本发明的优选实施例。然而，下列实施例仅用于说明本发明，而不应构成对本发明的限制。
实施例1-1通式7a单体的制备
向500ml三口圆底烧瓶中加入24.0g(0.26摩尔)甘油、9.8g(0.1摩尔)环戊烷-1，3-二酮、0.15g对甲苯磺酸和60g正庚烷后，将该烧瓶用Dean-Stark夹固定。然后，在98℃和氮气氛下使所述反应混合物回流12小时。反应完成后，将反应溶液冷却到室温。将冷却的反应溶液转入分液漏斗，去除分离的和未反应的多元醇。然后通过柱层析对去除了多元醇的螺环缩酮醇进行纯化。将纯化后的螺环缩酮醇放入三口圆底烧瓶，加入30g四氢呋喃(THF)进行稀释。用滴液漏斗将20.8g甲基丙烯酰氯(或18.2g丙烯酰氯)以及50g四氢呋喃(THF)加入到已稀释的反应物中。然后再加入10ml三乙胺，并在氮气氛下回流12小时。反应完成后，对反应物进行真空蒸馏以去除溶剂。然后将所述反应物用液相色谱分离(硅胶，己烷∶醚＝6∶1)，再次去除溶剂。将不含溶剂的反应物用己烷重结晶，然后将重结晶的所述反应物在室温下静置，获得收率为55％的通式7a所示的单体。
{H-NMR：i)R*＝H，d(6.52，2H)，m(6.16，2H)，d(5.98，2H)，m(4.56，2H)，m(4.31，4H)，m(3.91，4H)，m(3.63，2H)，m(1.96，6H)ii)R*＝CH3，s(6.56，2H)，d(5.86，2H)，m(4.96，2H)，m(4.63，4H)，m(4.42，4H)，m(3.69，2H)，m(1.35，12H)}
通式7a
在通式7a中，R*为氢或甲基。
实施例1-2通式7b单体的制备
除了加入11.2g环己烷-1，4-二酮代替9.8g环戊烷-1，3-二酮，采用与实施例1-1相同的方法获得了收率为50％的通式7b所示的单体。
{H-NMR：i)R*＝H，d(6.46，2H)，m(6.16，2H)，d(5.88，2H)，m(4.36，2H)，m(4.21，4H)，m(4.11，2H)，m(3.79，2H)，m(1.85，8H)ii)R*＝CH3，s(6.16，2H)，d(5.88，2H)，m(4.36，2H)，m(4.21，4H)，m(4.11，2H)，m(3.79，2H)，m(1.85，14H)}
通式7b
Figure A20051010277100301
在通式7b中，R*为氢或甲基。
实施例1-3通式7c单体的制备
除了加入16.6g的1，5-二甲基二环[3，3，0]辛烷-3，7-二酮代替9.8g环戊烷-1，3-二酮，采用与实施例1-1相同的方法获得了收率为55％的通式7c所示的单体。
{H-NMR：i)R*＝H，d(6.46，2H)，m(6.13，2H)，d(5.38，2H)，m(4.89，2H)，m(4.71，4H)，m(4.31，2H)，m(3.52，2H)，m(1.85，16H)ii)R*＝CH3，s(6.36，2H)，d(5.68，2H)，m(4.86，2H)，m(4.36，4H)，m(4.14，2H)，m(3.69，2H)，m(1.25，22H)}
通式7c
Figure A20051010277100302
在通式7c中，R*为氢或甲基。
实施例1-4通式7d单体的制备
除了加入15.2g的7，7-二甲基降冰片烷-2，3-二酮代替9.8g环戊烷-1，3-二酮，采用与实施例1-1相同的方法获得了收率为65％的通式7d所示的单体。
{H-NMR：i)R*＝H，d(6.05，2H)，m(6.25，2H)，d(5.18，2H)，m(4.86，2H)，m(4.61，4H)，m(4.31，2H)，m(3.29，2H)，m(1.25，12H)ii)R*＝CH3，s(6.16，2H)，d(5.86，2H)，m(4.86，2H)，m(4.51，4H)，m(4.21，2H)，m(3.29，2H)，m(1.75，18H)}
通式7d
Figure A20051010277100311
在通式7d中，R*为氢或甲基。
实施例1-5通式7e单体的制备
除了加入16.4g金刚烷-2，6-二酮代替9.8g环戊烷-1，3-二酮，采用与实施例1-1相同的方法获得了收率为55％的通式7e所示的单体。
{H-NMR：i)R*＝H，d(6.86，2H)，m(6.15，2H)，d(5.52，2H)，m(4.95，2H)，m(4.61，4H)，m(4.55，2H)，m(3.52，2H)，m(1.25，12H)ii)R*＝CH3，s(6.56，2H)，d(5.68，2H)，m(4.66，2H)，m(4.45，4H)，m(4.15，2H)，m(3.45，2H)，m(1.85，18H)}
通式7e
在通式7e中，R*为氢或甲基。
实施例1-6通式7f单体的制备
除了加入23.6g的2，2-双-4’-氧代环己基丙烷代替9.8g环戊烷-1，3-二酮，采用与实施例1-1相同的方法获得了收率为50％的通式7f所示的单体。
{H-NMR：i)R*＝H，d(6.20，2H)，m(6.01，2H)，d(5.80，2H)，m(4.96，2H)，m(4.38，4H)，m(4.21，2H)，m(3.29，2H)，m(1.35，24H)ii)R*＝CH3，s(6.36，2H)，d(5.88，2H)，m(4.66，2H)，m(4.21，4H)，m(4.01，2H)，m(3.79，4H)，m(1.55，30H)}
通式7f
Figure A20051010277100321
在通式7f中，R*为氢或甲基。
实施例1-7通式7g单体的制备
除了加入19.4g二环己烷-4，4-二酮代替9.8g环戊烷-1，3-二酮，采用与实施例1-1相同的方法获得了收率为50％的通式7g所示的单体。
{H-NMR：i)R*＝H，d(6.20，2H)，m(6.01，2H)，d(5.80，2H)，m(4.96，2H)，m(4.38，4H)，m(4.21，4H)，m(1.35，18H)ii)R*＝CH3，s(6.15，2H)，d(5.58，2H)，m(4.49，2H)，m(4.28，4H)，m(3.86，4H)，m(1.55，24H)}
通式7g
在通式7g中，R*为氢或甲基。
实施例1-8通式7h单体的制备
除了加入20.8g双-4-氧代-环己基甲烷代替9.8g环戊烷-1，3-二酮，采用与实施例1-1相同的方法获得了收率为50％的通式7h所示的单体。
{H-NMR：i)R*＝H，d(6.20，2H)，m(6.01，2H)，d(5.80，2H)，m(4.96，2H)，m(4.38，4H)，m(4.21，4H)，m(1.35，18H)ii)R*＝CH3，s(6.15，2H)，d(5.58，2H)，m(4.49，2H)，m(4.28，4H)，m(3.86，4H)，m(1.55，24H)}
通式7h
在通式7h中，R*为氢或甲基。
实施例1-9通式7i单体的制备
除了加入31.2g标准戊烷-1，3，5-三醇代替24.0g甘油，采用与实施例1-5相同的方法获得了收率为50％的通式7i所示的单体。
{H-NMR：i)R*＝H，d(6.43，2H)，m(6.05，2H)，d(5.80，2H)，m(4.15，4H)，m(3.80，6H)，m(1.35，20H)ii)R*＝CH3，s(6.15，2H)，d(5.58，2H)，m(4.15，4H)，m(3.80，6H)，m(2.02，26H)}
通式7i
在通式7i中，R*为氢或甲基。
实施例2-1通式3a单体的制备
将35.8g(0.1摩尔)通式7a所示的单体(R*为甲基)、22.2g(0.1摩尔)甲基乙酸-2-甲基-2-金刚烷基酯以及0.7g偶氮二异丁腈(AIBN)加入到反应器中，用25g四氢呋喃(THF)将所述反应物溶解。然后通过冷冻方法用安瓿去除所述反应器中的气体，并在68℃下聚合24小时。聚合反应完成后，将所述反应物缓慢滴入大量二乙醚中，并在二乙醚中形成沉淀。然后将所述沉淀再次溶解在四氢呋喃(THF)中，并将溶解的反应物在二乙醚中再次沉淀，以获得通式3a所示的聚合物(R*和R**为甲基，x＝1，y＝1)(Mw(平均分子量)：15,200，PD(多分散性)：2.32)。
实施例2-2通式3b单体的制备
除了加入37.2g(0.1摩尔)通式7b所示的单体(R*为甲基)代替35.8g(0.1摩尔)通式7a所示的单体(R*为甲基)，采用与实施例2-1相同的方法获得了上述通式3b所示的聚合物(R*和R**为甲基，x＝1，y＝1)(Mw：12,500，PD：2.12)。
实施例2-3通式3c单体的制备
除了加入42.8g(0.1摩尔)通式7c所示的单体(R*为甲基)代替35.8g(0.1摩尔)通式7a所示的单体(R*为甲基)，采用与实施例2-1相同的方法获得了上述通式3c所示的聚合物(R*和R**为甲基，x＝1，y＝1)(Mw：9,200，PD：1.89)。
实施例2-4通式3d单体的制备
除了加入41.2g(0.1摩尔)通式7d所示的单体(R*为甲基)代替35.8g(0.1摩尔)通式7a所示的单体(R*为甲基)，采用与实施例2-1相同的方法获得了上述通式3d所示的聚合物(R*和R**为甲基，x＝1，y＝1)(Mw：10,900，PD：1.96)。
实施例2-5通式3e单体的制备
除了加入42.4g(0.1摩尔)通式7e所示的单体(R*为甲基)代替35.8g(0.1摩尔)通式7a所示的单体(R*为甲基)，采用与实施例2-1相同的方法获得了上述通式3e所示的聚合物(R*和R**为甲基，x＝1，y＝1)(Mw：9,200，PD：2.12)。
实施例2-6通式3f单体的制备
除了加入53.6g(0.1摩尔)通式7f所示的单体(R*为甲基)代替35.8g(0.1摩尔)通式7a所示的单体(R*为甲基)，采用与实施例2-1相同的方法获得了上述通式3f所示的聚合物(R*和R**为甲基，x＝1，y＝1)(Mw：9,680，PD：2.08)。
实施例2-7通式3g单体的制备
除了加入49.4g(0.1摩尔)通式7g所示的单体(R*为甲基)代替35.8g(0.1摩尔)通式7a所示的单体(R*为甲基)，采用与实施例2-1相同的方法获得了上述通式3g所示的聚合物(R*和R**为甲基，x＝1，y＝1)(Mw：9,210，PD：2.13)。
实施例2-8通式3h单体的制备
除了加入50.8g(0.1摩尔)通式7h所示的单体(R*为甲基)代替35.8g(0.1摩尔)通式7a(R*为甲基)所示的单体，采用与实施例2-1相同的方法获得了上述通式3h所示的聚合物(R*和R**为甲基，x＝1，y＝1)(Mw：9,210，PD：2.13)。
实施例3-1通式5a单体的制备
将35.8g(0.1摩尔)通式7a所示的单体(R*为甲基)、14.3g(0.05摩尔)2-甲基-2金刚烷基-5-降冰片烷基-2-羧酸酯、4.9g(0.05摩尔)马来酸酐、22.2g(0.1摩尔)甲基丙烯酸-2-甲基-2金刚烷基酯以及0.7g偶氮二异丁腈(AIBN)加入到反应器中，用45g四氢呋喃(THF)将所述反应物溶解。然后通过冷冻方法用安瓿去除所述反应器中的气体，并在68℃下聚合24小时。聚合反应完成后，将所述反应物缓慢滴入大量二乙醚中，并在二乙醚中形成沉淀。然后将所述沉淀再次用四氢呋喃(THF)溶解，并将溶解的反应物在二乙醚中再次沉淀，以获得通式5a所示的聚合物(R*为甲基，x＝1，y＝1)(Mw：14,200，PD：2.02)。
实施例3-2通式5b单体的制备
除了加入37.2g(0.1摩尔)通式7b所示的单体(R*为甲基)代替35.8g(0.1摩尔)通式7a所示的单体(R*为甲基)，采用与实施例3-1相同的方法获得了上述通式5b所示的聚合物(R*为甲基，x＝1，y＝1)(Mw：9,500，PD：1.95)。
实施例3-3通式5c单体的制备
除了加入42.8g(0.1摩尔)通式7c所示的单体(R*为甲基)代替35.8g(0.1摩尔)通式7a(R*为甲基)所示的单体，采用与实施例3-1相同的方法获得了上述通式5c所示的聚合物(R*为甲基，x＝1，y＝1)(Mw：9,800，PD：1.96)。
实施例3-4通式5d单体的制备35.8g(0.1摩尔)通式7a所示的单体(R*为甲基)，采用与实施例3-1相同的方法获得了上述通式5d所示的聚合物(R*为甲基，x＝1，y＝1)(Mw：13,500，PD：1.93)。
实施例3-5通式5e单体的制备
除了加入42.4g(0.1摩尔)通式7e所示的单体(R*为甲基)代替35.8g(0.1摩尔)通式7a所示的单体(R*为甲基)，采用与实施例3-1相同的方法获得了上述通式5e所示的聚合物(R*和R**为甲基，x＝1，y＝1)(Mw：11,200，PD：2.16)。
实施例3-6通式5f单体的制备
除了加入46.7g(0.1摩尔)通式7f所示的单体(R*为甲基)代替35.8g(0.1摩尔)通式7a所示的单体(R*为甲基)，采用与实施例3-1相同的方法获得了上述通式5f所示的聚合物(R*和R**为甲基，x＝1，y＝1)(Mw：8,600，PD：1.91)。
实施例4-1到4-14包括从实施例2-1到2-8和实施例3-1到3-6获得的聚合物的光刻胶组合物的制备
将2g从实施例2-1得到的聚合物、0.024g苯二酰亚氨基三氟甲烷磺酸酯以及0.06g三苯基硫鎓三氟甲磺酸盐溶解于20g丙二醇单甲醚乙酸酯(PGMEA)中，然后通过用0.2μm孔径的过滤器过滤制备得到光刻胶组合物。
此外，除了加入2g由实施例2-2到2-8和实施例3-1到3-6制备的聚合物来代替2g由实施例2-1制备的聚合物，采用与实施例4-1中所述相同的方法来制备光刻胶组合物(实施例4-2到4-14)。
实施例5-1到5-14光刻胶图案的形成
将实施例4-1到4-14制备的光刻胶组合物旋涂于硅晶片的上部，制备光刻胶薄膜。将光刻胶层在烘箱或热盘上以90℃温度前烘(pre-bake)90秒，然后曝露于ArF准分子激光器，然后在120℃进行90秒硬烤(post-bake)。然后将所述烘焙过的晶片在2.38％重量比的TMAH溶液中显影40秒，从而形成0.07μm行/间隔的图案。所生产出光刻胶图案的性质如表1所示，采用实施例4-1到4-14所述的光刻胶组合物形成的光刻胶图案的SEM(扫描电子显微镜)照片如图1到图14所示。
表1
  光刻胶组合物   最小分辨率[μm]   聚焦深度[μm]   线条边缘粗糙度[nm]   能量制程范围[％]   曝光后烘焙敏感性[nm/℃]   干燥抗蚀性
  实施例5-1   0.065   0.30   5.5   12.0   6   好
  实施例5-2   0.065   0.30   5.5   12.5   4   好
  实施例5-3   0.065   0.35   4.7   15.0   1   好
  实施例5-4   0.065   0.45   4.5   13.0   2   非常好
  实施例5-5   0.065   0.45   4.5   13.5   1   非常好
  实施例5-6   0.065   0.30   4.5   11.0   3   好
  实施例5-7   0.065   0.40   4.0   12.0   2.5   好
  实施例5-8   0.065   0.35   4.6   12.5   3.5   好
  实施例5-9   0.065   0.35   6.0   12.5   3   好
  实施例5-10   0.065   0.35   5.6   13.2   2   非常好
  实施例5-11   0.065   0.40   5.0   15.5   1   好
  实施例5-12   0.065   0.45   5.6   13.3   1.5   非常好
  实施例5-13   0.065   0.45   5.3   13.5   1   非常好
  实施例5-14   0.065   0.45   4.8   11.0   1   非常好
因为螺环缩酮基团脱保护作用的活化能较低，因此本发明的具有螺环缩酮基团的光刻胶单体、聚合物以及包括所述聚合物的光刻胶组合物，可以提高分辨率和制程范围；同时因为其具有较高的干燥抗蚀性以及稳定的PEB(曝光后烘焙)温度敏感性，因此可以生成精细的光刻胶图案。而且，所述光刻胶聚合物和包括它的光刻胶组合物也可以改善所述光刻胶层的聚焦深度范围以及线条边缘粗糙度。

Claims (13)

1.通式1的单体，
通式1
Figure A2005101027710002C1
其中R*为氢或甲基；x和y独立地为1、2或3；且R为具有3到50个碳原子的饱和单环或多环烃基或饱和杂单环或多环烃基。
2.如权利要求1所述的单体，其中R选自：
3.如权利要求1所述的单体，其中所述单体是在酸催化剂作用下由环酮和三醇反应制备的。
4.包括通式2所示的重复单元的光刻胶聚合物，
通式2
其中R*，R，x和y如通式1中所定义。
5.如权利要求4所述的光刻胶聚合物，其中所述光刻胶聚合物如通式3所示，
通式3
其中R*和R**独立地为氢或甲基；R1可以相同或不同，且为具有1到20个碳原子的链烃基或环烃基；a和b是构成所述上部和下部聚合物链的重复单元的摩尔百分数，且独立地为1-99％摩尔比和1-99％摩尔比；x、y和R如通式1所定义。
6.如权利要求4所述的光刻胶聚合物，其中所述光刻胶聚合物选自下列通式3a到3h所示的聚合物，
通式3a
通式3b
通式3c
Figure A2005101027710005C1
通式3d
通式3e
Figure A2005101027710005C3
通式3f
通式3g
Figure A2005101027710006C2
通式3h
Figure A2005101027710006C3
其中R*、R**、R1、R、a、b、x和y如通式3所定义。
7.如权利要求4所述的光刻胶聚合物，其中所述光刻胶聚合物如下列通式4或通式5所示，
通式4
Figure A2005101027710007C1
通式5
其中R*和R**独立地为氢或甲基；R1可以相同或不同，且为具有1到20个碳原子的链烃基或环烃基；R为具有3到50个碳原子的饱和单环或多环烃基或饱和杂单环或多环烃基；x和y独立地为1、2或3；a、b和c是构成所述上部和下部聚合物链的重复单元的摩尔百分数，且独立地为1-95％摩尔比、1-95％摩尔比和1-95％摩尔比。
8.如权利要求4所述的光刻胶聚合物，其中所述光刻胶聚合物选自下列通式5a到5f所示的聚合物，
通式5a
通式5b
Figure A2005101027710008C2
通式5c
Figure A2005101027710009C1
通式5d
Figure A2005101027710009C2
通式5e
Figure A2005101027710009C3
通式5f
Figure A2005101027710010C1
其中R*、R**、R、R1、R2、a、b、c、x和y如通式4和通式5所定义。
9.光刻胶组合物，包括：
包含通式2所示的重复单元的光刻胶聚合物；
用于产生酸组分的光酸发生剂；以及
有机溶剂。
10.如权利要求9所述的光刻胶组合物，其中所述光刻胶聚合物的含量为所述光刻胶组合物总量的1-30％重量比，所述光酸发生剂的含量为所述光刻胶聚合物量的0.05-10％重量比。
11.如权利要求9所述的光刻胶组合物，其中所述光酸发生剂选自苯二酰亚氨基三氟甲烷磺酸酯、二硝基苄基甲苯磺酸酯、正癸基二砜、萘基酰亚氨基三氟甲烷磺酸酯、联苯基碘鎓六氟磷酸盐、联苯基碘鎓六氟砷酸盐、联苯基碘鎓六氟锑酸盐、联苯基对甲氧基苯基硫鎓三氟甲磺酸盐、联苯基对亚苄基硫鎓三氟甲磺酸盐、联苯基对异丁基苯基鎓三氟甲磺酸盐、三苯基硫鎓六氟砷酸盐、三苯基硫鎓六氟锑酸盐、三苯基硫鎓三氟甲磺酸盐、二丁基萘基硫鎓三氟甲磺酸盐及其混合物。
12.如权利要求9所述的光刻胶组合物，其中所述有机溶剂选自乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单乙酸酯、二甘醇、二甘醇单乙醚、丙二醇单甲醚乙酸酯、丙二醇、丙二醇单乙酸酯、甲苯、二甲苯、甲基乙基酮、甲基异戊基酮、环己酮、二氧六环、乳酸甲酯、乳酸乙酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、甲基甲氧基丙酸酯、乙基甲氧基丙酸酯、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、3-乙氧基乙基丙酸酯、2-庚酮、γ-丁内酯、2-羟基丙酸乙酯、2-羟基-2-甲基丙酸乙酯、乙酸乙氧基乙酯、乙酸羟乙基酯、2-羟基-3-甲基丁酸甲酯、3-甲氧基-2-甲基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、3-甲氧基-2-甲基丙酸乙酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯及其混合物。
13.形成光刻胶图案的方法，包括如下步骤：
将光刻胶组合物应用到基体上形成光刻胶层，所述光刻胶组合物包括：包含通式2所示的重复单元的光刻胶聚合物、用于产生酸成分的光酸发生剂和有机溶剂；
将所述光刻胶层曝露于光源形成预定的光刻胶图案；及
对所述光刻胶图案进行显影。
CN2005101027712A 2004-09-15 2005-09-15 包含具有螺环缩酮基团的单体的光刻胶聚合物及其组合物 Expired - Fee Related CN1931858B (zh)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20040073989 2004-09-15
KR10-2004-0073989 2004-09-15
KR1020040073989 2004-09-15
KR1020050049720 2005-06-10
KR1020050049720A KR101155453B1 (ko) 2005-06-10 2005-06-10 포토레지스트용 폴리머 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물
KR10-2005-0049720 2005-06-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1931858A true CN1931858A (zh) 2007-03-21
CN1931858B CN1931858B (zh) 2011-09-21

Family

ID=37150075

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2005101027712A Expired - Fee Related CN1931858B (zh) 2004-09-15 2005-09-15 包含具有螺环缩酮基团的单体的光刻胶聚合物及其组合物

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR101202402B1 (zh)
CN (1) CN1931858B (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101900954B (zh) * 2009-06-01 2012-07-25 和舰科技(苏州)有限公司 一种监测显影机台曝光后烘烤热板斜率的方法
CN103140551A (zh) * 2010-09-30 2013-06-05 Jsr株式会社 放射线敏感性树脂组合物、聚合物及化合物
CN110167945A (zh) * 2016-10-18 2019-08-23 三菱瓦斯化学株式会社 二醇、二醇的制造方法、二(甲基)丙烯酸酯及二(甲基)丙烯酸酯的制造方法
CN111116605A (zh) * 2019-12-28 2020-05-08 上海博栋化学科技有限公司 由戊醛糖合成的光刻胶树脂单体及其合成方法
CN111788209A (zh) * 2017-12-15 2020-10-16 三菱瓦斯化学株式会社 二元醇的制造方法
CN113321663A (zh) * 2021-06-23 2021-08-31 徐州博康信息化学品有限公司 一种由1,3二羟基丙酮二聚体合成的主链可降解型光刻胶树脂单体及其合成方法和应用
WO2021253478A1 (zh) * 2020-06-16 2021-12-23 徐州博康信息化学品有限公司 一种含多环β-酮结构的光敏型光刻胶树脂单体及其合成方法
CN114057763A (zh) * 2020-08-04 2022-02-18 中国石油化工股份有限公司 一种用于原油降粘降凝的螺环化合物、原油降粘降凝剂及其制备方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101155453B1 (ko) * 2005-06-10 2012-06-15 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트용 폴리머 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물
KR101158024B1 (ko) * 2005-06-14 2012-06-26 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트용 폴리머 및 이를 포함하는 포토레지스트조성물

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58176618A (ja) * 1982-04-10 1983-10-17 Toyo Contact Lens Co Ltd 含水性コンタクトレンズおよびその製造法
JPS6253664A (ja) * 1985-08-30 1987-03-09 東洋コンタクトレンズ株式会社 医用材料
US4975519A (en) * 1989-05-12 1990-12-04 Hoechst Celanese Corporation Novel polyacetal terpolymers of trioxane and alpha, alpha- and alpha, beta-isomers of glycerol formal and functional derivatives thereof

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101900954B (zh) * 2009-06-01 2012-07-25 和舰科技(苏州)有限公司 一种监测显影机台曝光后烘烤热板斜率的方法
CN103140551A (zh) * 2010-09-30 2013-06-05 Jsr株式会社 放射线敏感性树脂组合物、聚合物及化合物
CN103140551B (zh) * 2010-09-30 2016-06-29 Jsr株式会社 放射线敏感性树脂组合物、聚合物及化合物
US9459532B2 (en) 2010-09-30 2016-10-04 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition, polymer and compound
CN110167945A (zh) * 2016-10-18 2019-08-23 三菱瓦斯化学株式会社 二醇、二醇的制造方法、二(甲基)丙烯酸酯及二(甲基)丙烯酸酯的制造方法
CN111788209A (zh) * 2017-12-15 2020-10-16 三菱瓦斯化学株式会社 二元醇的制造方法
CN111788209B (zh) * 2017-12-15 2023-08-29 三菱瓦斯化学株式会社 二元醇的制造方法
CN111116605A (zh) * 2019-12-28 2020-05-08 上海博栋化学科技有限公司 由戊醛糖合成的光刻胶树脂单体及其合成方法
WO2021253478A1 (zh) * 2020-06-16 2021-12-23 徐州博康信息化学品有限公司 一种含多环β-酮结构的光敏型光刻胶树脂单体及其合成方法
CN114057763A (zh) * 2020-08-04 2022-02-18 中国石油化工股份有限公司 一种用于原油降粘降凝的螺环化合物、原油降粘降凝剂及其制备方法
CN114057763B (zh) * 2020-08-04 2023-07-07 中国石油化工股份有限公司 一种用于原油降粘降凝的螺环化合物、原油降粘降凝剂及其制备方法
CN113321663A (zh) * 2021-06-23 2021-08-31 徐州博康信息化学品有限公司 一种由1,3二羟基丙酮二聚体合成的主链可降解型光刻胶树脂单体及其合成方法和应用
CN113321663B (zh) * 2021-06-23 2022-07-22 徐州博康信息化学品有限公司 一种由1,3二羟基丙酮二聚体合成的主链可降解型光刻胶树脂单体及其合成方法和应用

Also Published As

Publication number Publication date
CN1931858B (zh) 2011-09-21
KR20060051330A (ko) 2006-05-19
KR101202402B1 (ko) 2012-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1931858A (zh) 包含具有螺环缩酮基团的单体的光刻胶聚合物及其组合物
CN1885161A (zh) 光刻胶单体及其聚合物以及包含该光刻胶聚合物的光刻胶组合物
CN1210622C (zh) 用于短波长光的负型光致抗蚀组合物及其形成图像的方法
CN1234047C (zh) 化学增幅光阻剂组成物
CN1146602C (zh) 聚合物和使用该聚合物形成显微图形的方法
CN1170207C (zh) 酚/脂环共聚物的光致抗蚀剂，及其制备方法和制品
CN1275095C (zh) 用于制备抗蚀剂的方法
CN1190706C (zh) 一种化学增强型正光刻胶组合物
CN1171125C (zh) 具有腈和脂环族离去基团的共聚物和包含该共聚物的光刻胶组合物
CN1330289A (zh) 化学增强型正光刻胶组合物和锍盐
CN1976913A (zh) 内酯化合物、含内酯的单体、它们的聚合物、使用该聚合物的抗蚀剂组合物、使用该抗蚀剂组合物的图形形成方法
CN1167982C (zh) 光刻胶组合物
CN1818782A (zh) 深紫外正性光刻胶及其成膜树脂
CN1934499A (zh) 正型感放射线性树脂组合物
CN1240666C (zh) 光致抗蚀剂单体,其共聚物和使用该共聚物的组合物
CN1162752C (zh) 用于光致抗蚀剂的交联剂及含该交联剂的光致抗蚀剂组合物
CN1219802C (zh) 共聚物树脂,其制备方法及使用其制成的光致抗蚀剂
CN1605938A (zh) 光致抗蚀剂聚合物及包含其的光致抗蚀剂组合物
CN1853139A (zh) 低多分散性可光成像的丙烯酸类聚合物、光致抗蚀剂和微平版印刷法
CN1215099C (zh) 用于微型平板印刷术的多环含氟聚合物及光刻胶
EP1736828A1 (en) Photoresist monomer, polymer thereof and photoresist composition including the same
CN1834785A (zh) 含硅193nm负性光刻胶及其成膜树脂
CN1818781A (zh) 深紫外负性光刻胶及其成膜树脂
CN1670014A (zh) 氰基金刚烷化合物和聚合物
CN1293105C (zh) 取代苯乙烯的均聚、共聚和三元共聚物的制备

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20110921

Termination date: 20130915