CN1928994A - 掩膜形成方法及信息记录媒体制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供能降低掩膜的形成成本的掩膜形成方法。将形成凹凸图形的掩模形成在中间体10之上时，依次实行在中间体10之上涂布紫外线硬化型的涂液(放射性硬化型的涂液)，从而形成涂膜31的涂膜形成处理，对涂膜31照射紫外线52a(放射线)的紫外线照射处理(放射线照射处理)，以及将压模中的凹凸图形的形成面压到所述涂膜31上，使压模的凹凸图形转写到涂膜31的图形转写处理，从而形成掩膜的凹凸图形。

Description

掩膜形成方法及信息记录媒体制造方法
技术领域
本发明涉及使压模的凹凸图形转写到涂布于基材之上的涂膜上从而形成掩膜的掩膜形成方法，以及用按照该掩膜形成方法形成的掩膜制造信息记录媒体的信息记录媒体制造方法。
背景技术
作为这种掩膜形成方法，形成在蚀刻处理基板上形成的薄膜时所用的掩膜的掩膜形成方法，由特开平5-80530号公报所揭示。该掩膜形成方法中，首先，涂布有光硬化性的有机树脂使覆盖基板上形成的薄膜，形成有机树脂层。其次，将具有聚碳酸脂、聚甲基丙烯酸甲酯及玻璃等的透光性材料形成的压模中的凹凸图形的形成面压到有机树脂层上。接着，通过向着薄膜上的有机树脂层透过压模照射光，使有机树脂层硬化。然后，从硬化的有机树脂层剥离压模。这样，有机树脂层构成的掩膜图形(掩膜)形成于薄膜之上。然后用形成的掩膜图形蚀刻处理薄膜。通过这样，在掩膜图形中的各凹部部位，从基板上除去薄膜，在基板上形成薄膜图形。
[特许文献1]特开平5-80530号公报(第4-5页，第1图)
可是，从来的掩膜形成方法存在如下问题。即，从来的掩膜形成方法中，在有机树脂层的硬化处理时，为了使透过压模照射光，使用有透光性的材料形成的压模。这时，用聚碳酸脂、聚甲基丙烯酸甲酯等的树脂材料形成压模时，由于难以使其耐久性充分提高，所以压模的反复利用变得困难的结果，掩膜的形成成本增大。另外用玻璃形成压模时，每次制造1片压模，有必要实行在压模形成用的玻璃板上形成凹凸图形的处理。因此，因压模的制造成本的增大，提高了掩膜的形成成本。这样，从来的掩膜形成方法中，存在因使用有透光性的压模引起掩膜的形成成本增大的问题。
发明内容
本发明鉴于上述问题而作，其目的在于提供能降低掩膜的形成成本的掩膜形成方法，以及能降低信息记录媒体的制造成本的信息记录媒体制造方法。
为达到上述目的，本发明的掩膜形成方法，将形成凹凸图形的掩模形成在基材之上时，依次实行在所述基材上涂布放射线硬化型的涂液，从而形成涂膜的涂膜形成处理，对所述涂膜照射放射线的放射线照射处理，以及将压模中的凹凸图形的形成面压到所述涂膜上，使该凹凸图形转写到该涂膜上的图形转写处理，形成所述掩膜的凹凸图形。
另外，本发明的掩膜形成方法，以即使在停止所述放射线的照射后也进行硬化反应的树脂材料作为所述涂液进行涂布。
另外，本发明的掩膜形成方法，以通过阳离子聚合反应进行所述硬化反应的树脂材料作为所述树脂材料进行涂布。
另外，本发明的信息记录媒体的制造方法，使用上述任一种掩膜形成方法形成的掩膜，制造信息记录媒体。具体地说，作为一例，以按照上述掩模的形成方法形成的掩模在所述基材上形成凹凸图形，制造信息记录媒体。这时，“基材上形成凹凸图形”的处理中，包含通过基材上形成凹部来形成凹凸图形的处理，与通过基材上形成凸部来形成凹凸图形的处理的双方。此外，用掩模制造信息记录媒体的方法，不限于用掩模在所述基材上形成凹凸图形来制造信息记录媒体的方法，也可以是例如用掩模使基材的表面(磁性层等)部分地改质来制造信息记录媒体的方法。
根据本发明的掩膜形成方法，通过依次实行在所述基材上涂布放射线硬化型的涂液从而形成涂膜的涂膜形成处理，对所述涂膜照射放射线的放射线照射处理，以及将压模中的凹凸图形的形成面压到所述涂膜上，使该凹凸图形转写到该涂膜上的图形转写处理，形成所述掩膜的凹凸图形，与通过透过压模照射光使有机树脂层硬化形成掩膜的从来的掩膜形成方法相不同，能不用有透光性的材料来形成掩膜。因此，由于能考虑耐久性选用各种材料制造压模，故可反复利用压模的结果，能充分降低形成掩膜的成本。另外，与用玻璃形成压模不同，由于能从一片压模制造用原盘容易地复制例如金属制的压模，故能充分降低压模的制造成本。因此，根据用该掩膜形成方法形成的掩膜，制造信息记录媒体的信息记录媒体的制造方法，能充分降低信息记录媒体的制造成本。
另外，本发明的掩膜形成方法，以即使在停止放射线的照射后也进行硬化反应的树脂材料作为涂液进行涂布。具体说，例如以利用阳离子聚合反应进行硬化反应的树脂材料作为上述树脂材料进行涂布。因此，根据这种掩膜形成方法，通过在图形转写处理之前对涂膜照射放射线，从开始照射放射线的时刻起慢慢进行涂膜的硬化反应，在图形转写处理进行中(将压模压到涂膜的期间)涂膜也慢慢硬化，结果，在图形转写处理结束时(从涂膜剥离压模时)，能避免发生图形崩散的事态，在基材的整个范围内正确转写凹凸图形。另外，通过适当调整照射涂膜的放射线的照射量(放射线的照射强度和照射时间)，在图形转写处理完成后(从涂膜剥离压模后)可不照射放射线，使涂膜充分硬化。因此，与在图形转写处理前后对涂膜照射放射线的图形形成方法相比，能充分缩短掩膜形成所需的时间，充分降低形成成本。
附图说明
图1是示出信息记录媒体制造装置50的构成的构成图。
图2是信息记录媒体1的剖视图。
图3是压模2的剖视图。
图4是形成涂膜31的状态的中间体10的剖视图。
图5是将压模2的凹凸图形25压到涂膜31上的状态的中间体10的剖视图。
图6是剥离压模2，形成凹凸图形35(掩膜30)的状态的中间体10的剖视图。
图7是说明紫外线52a的照射强度与凹凸图形35的形成状态的关系用的说明图。
图8是说明从紫外线52a的照射停止后至进行压下压模2为止的时间与凹凸图形35的形成状态的关系用的说明图。
标号说明
1信息记录媒体
2压模
10中间体
13、23、33凸部
14、24、34凹部
15、25、35凹凸图形
30掩膜
31涂膜
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的掩膜形成方法和信息记录媒体制造方法的最佳形态。
最初，参照附图说明根据本发明的掩膜形成方法形成掩膜并制造信息记录媒体的信息记录媒体制造装置50(以下称为“制造装置50”)。
图1所示的制造装置50具备涂布装置51、紫外线照射装置52、压力装置53、以及蚀刻装置54，根据本发明的掩膜形成方法形成掩膜30(图6参照)的同时，通过用该掩膜30的蚀刻处理，制造图2所示的信息记录媒体1。这时制造装置50用信息记录媒体制造用的中间体10(参照图4)与压模2(参照图3)形成掩膜30。中间体10相当于本发明的基材，如图4所示，作为一例，具备直径2.5英寸左右的圆板形基板11与形成于基板11之上的磁性层12。另外，该图中示出中间体10之上形成涂膜31的状态。实际上，在基板11与磁性层12之间形成软磁性层和取向层等的各种功能层，但为使容易对本发明的理解，省略对它们的图示和说明。压模2是在中间体10之上形成掩膜30用的原盘，作为整体，由例如金属材料(例如镍)形成圆板形。另外，如图3所示，压模2的一面(本发明中的凹凸图形形成面：图中的下面)上，形成具有多个凸部23、23、…与多个凹部24、24…的凹凸图形25。形成压模2的材料和其制造方法不作特别限定，可用公知的各种材料按照公知的制造方法制造。
信息记录媒体1，作为一例，是离散磁道型的磁记录媒体(成型的媒体)，壳体内一起收容着使信息记录媒体1旋转的电动机、实行对信息记录媒体1的记录数据的记录再生的记录再生头(形成记录头和再生头的浮置式头滑动器)，构成磁记录装置(硬盘驱动器)。该信息记录媒体1如图2所示，由形成磁性层12的多个凸部13、13…和多个凹部14、14…形成数据磁道图形和伺服图形等(凹凸图形15)，可构成由垂直记录方式产生的记录数据的记录。这时，信息记录媒体1中对应于压模2的凹凸图形25中的各凹部24形成各凸部13，同时对应于凹凸图形25中的各凸部23形成各凹部14。本说明书中参照的图2～6的各图，为使对本发明容易理解，用与实际厚度不同的厚度示出各层的厚度，同时用与实际宽度不同的宽度示出各凹凸图形的各凸部的宽度和各凹部的宽度。
另一方面，涂布装置51是实施本发明中的涂膜形成处理的装置，通过将作为本发明中的放射线硬化型涂液的紫外线硬化型的树脂材料自旋涂布到中间体10中的磁性层12之上，如图4所示，中间体10之上形成涂膜31。这时，作为树脂材料，如后述那样最好用照射紫外线52a时开始硬化反应，即使在停止紫外线52a的照射后也进行硬化反应的树脂材料。具体说，作为一例，最好用在紫外线52a的照射时利用阳离子聚合反应开始硬化反应的树脂材料。阳离子聚合反应因已公知，故省略其详细说明。紫外线照射装置52是实施本发明中的放射线照射处理的装置。作为本发明的放射线的一例的紫外线52a向着中间体10上的涂膜31照射。压力装置53是实施图形转写处理的装置，如图5所示，压模2的凹凸图形25压到中间体10上的涂膜31上，将凹凸图形25转写到涂膜31上。蚀刻装置54通过将蚀刻用气体照射到掩膜30形成完成的中间体10，除去从掩膜30露出的磁性层12(蚀刻处理)，在磁性层12上形成各凹部14，从而在基板上形成凹凸图形15。
下面，参照附图说明掩膜30的形成方法和用掩膜30的信息记录媒体1的制造方法。
首先，如图4所示，通过用涂布装置51自旋涂布涂液到中间体10之上，就在磁性层12之上形成涂膜31(本发明的涂膜形成处理)。这时，作为本发明的涂液，涂布装置51自旋涂布利用阳离子聚合反应进行硬化反应的环氧树脂系的树脂材料。这时，对于形成在中间体10之上的涂膜31的厚度，有必要取蚀刻装置54实施蚀刻处理时为在磁性层12形成各凹部14可形成足够高度的各凸部33(参照图6)的厚度(足够深的凹部14、14、…形成之前不使掩膜30消失的厚度)。因此，在形成蚀刻处理磁性层12用的掩膜30的该例中，取涂膜31的厚度为大于等于50nm为好。另一方面，涂膜31的厚度过厚时，在压力装置53实施图形转写处理时，便在压模2的各凸部23与中间体10的磁性层12之间产生较厚的残渣(凸部23与磁性层12之间残存的涂膜31)。这时，产生较厚残渣时，其除去处理要求较长时间。因此，为使缩短残渣去除所需时间的残渣厚度足够薄，取涂膜31的厚度为小于等于200nm为好。本例中，作为一例，涂布装置51完成涂液的自旋涂布时的涂膜31的厚度取100nm。
接着，紫外线照射装置52对中间体10上的涂膜31照射紫外线52a(本发明的放射线照射处理)。这时，作为一例，紫外线照射装置52照射500mW/cm2的紫外线52a只1秒钟。结果，涂布在中间体10上的涂液(涂膜31)开始由阳离子聚合反应引起的硬化反应。接着，如图5所示，涂膜31被形成的中间体10置于压力装置53上将压模2的凹凸图形25压到涂膜31上(本发明的图形转写处理)。这时，作为一例，压力装置53在紫外线照射装置52完成紫外线52a的照射时起1分钟后，开始加压，维持将压模2以10Mpa的压力压到涂膜31上的状态。这时，从紫外线52a的照射完毕后的经过时间小于等于3分钟的状态下，涂膜31未完全硬化，维持十分柔软的状态。因此，能将压模2的凹凸图形25的各凸部23压进涂膜31直到足够的深度。结果，能避免在凹凸图形25的各凸部23的端面与磁性层12的表面之间产生较厚残渣的事态。
接着，压力装置53将压模2压到涂膜31上的状态维持3分钟。这时，被紫外线照射装置52照射紫外线52a的涂膜31(树脂材料)在紫外线52a的照射停止后通过阳离子聚合反应进行硬化反应，在压模2被压下的状态中也慢慢硬化。因此，涂膜31在压模剥离之前已充分硬化，达到转写的凹凸图形35不致崩散的程度。接着，从涂膜31剥离压模2。这样一来，如图6所示，压模2的凹凸图形25被转写到涂膜31上，形成凹凸图形35(本发明的“掩膜的凹凸图形”的一例)，掩膜30形成在中间体10之上。至此，完成本发明的图形转写处理。这时，剥离压模2时由于压模2充分硬化，因此能避免压模2剥离中涂膜31与压模2一起从中间体10剥离的事态，及压模2剥离时因存在未硬化部分引起凹凸图形35发生崩散的事态。另外，也可在压模2的剥离完毕后，对涂膜31(凹凸图形35)照射紫外线52a达规定的时间。采用这种方法时，与只在压上压模2前照射紫外线52a使涂膜31完全硬化的方法相比，能在短时间使涂膜31完全硬化。
接着，通过蚀刻从中间体10上去除剥离压模2时各凹部34的底部生成的厚度极薄的残渣(未图示)。另外，本发明的掩膜不限于从涂膜31剥离了压模2的状态的涂膜31(存在残渣状态的凹凸图形35)，也包含各凹部34的底部生成的残渣去除完毕的状态的涂膜31(不存在残渣状态的凹凸图形35)。另外，也可通过蚀刻装置54实施残渣的去除处理。接着，将残渣去除完了的中间体10置于蚀刻装置54上，对磁性层12实施干蚀刻处理(本发明的“在基材上形成凹凸图形”处理的一例)。具体说，向着中间体10的掩膜30的形成面照射蚀刻用的气体。这时，从掩膜30露出的部位(各凹部34的部位)的磁性层12消失，磁性层12上对应于各凹部34形成各凹部14，如图2所示，在基板11上形成具有多个凸部13、13…及多个凹部14、14…的凹凸图形15。通过以上步骤，完成信息记录媒体1。
这时，上述掩膜形成方法中使用的压模2中，规定其凹凸图形25中的各凸部23的高度(各凹部24的深度)为大于转写到涂膜31上的凹凸图形35中的各凹部34的深度(各凸部33的高度)。具体说，如图5所示，规定各凸部23的高度(各凹部24的深度)，在将压模2压到形成于中间体10上的涂膜31上的状态中，使在各凹部24的底面与涂膜31的表面之间形成间隙S。与此相对，例如成型光盘用基材用的压模中，规定各凸部的高度(各凹部的深度)，使凹凸图形中的各凹部的底面与转写到基材成形用材料上的各凸部的端面面接触(不形成上述的间隙S)。从而，为使转写到光盘用基材的凹凸图形中的各凸部在同一平面内，必须使压模中的各凹部的底面在同一平面内。因此，成型光盘用基材用的压模的制造变得复杂，结果增大其制造成本。
另一方面，形成掩膜用的压模2中，由于也可不使凹凸图形25的各凹部24的底面在同一平面内，故能容易形成凹凸图形25的结果，可避免其制造成本的增大。另外，在规定各凸部23的高度(各凹部24的深度)使形成上述间隙S的压模2中，图形转写时，压入的部位的涂膜31向凹凸图形25的各凹部24平滑地移动各凸部23。因此，如前所述，能对涂膜31压入各凸部23直至足够的深度。结果，与使用成型光盘用基材用的压模同样地构成的压模(使不形成上述间隙S的压模)的情况不同，能避免在凹凸图形25的各凸部23的端面与磁性层12的表面之间产生较厚的残渣的事态。
另外，上述的制造装置50中，从压力装置53开始压模2的加压的时刻至完成压模2的剥离的时刻，不进行对中间体10(涂膜31)和压模2的双方的加热处理和冷却处理，维持中间体10(涂膜31)和压模2的双方为与室温同样程度的温度。这时，从开始加压的时刻至完成剥离的时刻之间中间体10(涂膜31)和压模2产生大的温度变化时(进行加热处理或冷却处理时)，因中间体10的热膨胀率与压模2的热膨胀率的差异，在中间体10与压模2之间发生沿平面方向的位移。结果，转写到涂膜31的凹凸图形35有发生缺陷的担心。因此，制造装置50中，通过在压模2的剥离完毕之前不对中间体10(涂膜31)与压模2双方进行加热处理和冷却处理，维持与室温相同的温度，从而避免凹凸图形35发生缺陷的事态。本说明书中的室温是指大于等于20℃小于等于30℃范围内的温度。
下面，参照附图，说明紫外线52a的照射量与凹凸图形35的形成状态的关系，及从紫外线52a的照射停止起至进行压模2的加压为止的时间与凹凸图形35的形成状态的关系。
首先，与上述掩膜30的形成方法相同，涂布装置51在6片中间体10上分别涂布涂液(利用阳离子聚合反应进行硬化反应的环氧树脂系树脂材料)，形成涂膜31。其次，紫外线照射装置52对涂膜31照射紫外线52a只1秒钟。这期间对各中间体10每个涂膜31的紫外线52a的照射强度为50mW/cm2、100mW/cm2、200mW/cm2、300mW/cm2、400mW/cm2、及500mW/cm2。接着，紫外线照射装置52的紫外线52a的照射停止起1分钟后，压力装置53将压模2压到涂膜31上，维持该状态3分钟后，从涂膜31剥离压模2。这期间用AFM(原子间力显微镜)观察转写到涂膜31上的凹凸图形，在中间体10整个区域凹凸图形被良好转写的标作“○”，凹凸图形不被良好转写的标作“×”，如图7所示。
如图所示，对涂膜31照射50mW/cm2的紫外线52a只1秒钟的例中，通过紫外线52a的照射虽开始硬化反应，但在剥离压模2之前(紫外线52a的照射停止起经过4分钟的时间)涂膜未充分硬化，被剥离的压模2中的凹凸图形25的一部分上附着涂液。因此，涂膜31的一部分从中间体10剥离，不能在中间体10上良好地形成掩膜30。另一方面，对涂膜31照射500mW/cm2紫外线52a只1分钟的例中，通过紫外线52a的照射开始硬化反应，在压模2的压上之前(紫外线52a的照射停止起经过1分钟的时间)涂膜的硬化反应过度。因此对涂膜31不能充分压入压模2的各凸部23的结果，不能在中间体10上良好地形成掩膜30。
与此相对，对涂膜31的紫外线52a的照射强度为100mW/cm2、200mW/cm2、300mW/cm2、400mW/cm2的各例中，能将压模2的各凸部23压入涂膜31到充分的深度，而且，在剥离压模2之前(紫外线52a的照射停止起经过4分钟的时间)能使涂液充分硬化，不会与压模2一起从中间体10剥离，能维持凹凸图形25被转写的涂膜31的状态(形成凹凸图形35的状态)。结果，在中间体10上能良好地形成掩膜30。这样，申请人确认，根据作为涂液涂布的树脂材料的硬化反应特性，有必要调整对涂膜照射的辐射线(本例中为紫外线52a)的照射量，使照射停止后硬化反应也充分进行，且在压上压模2之前硬化反应不过度。
其次，与上述掩膜30的形成方法相同，涂布装置51在5片中间体10上分别涂布涂液(利用阳离子聚合反应进行硬化反应的环氧树脂系树脂材料)，形成涂膜31。其次，紫外线照射装置52对涂膜31照射300mW/cm2紫外线52a只1秒钟。接着，紫外线照射装置52的紫外线52a的照射停止起经过规定时间后，压力装置53将压模2压到涂膜31上。这期间，取从紫外线照射装置52的紫外线52a的照射停止至压模2的压上为止的时间为1分钟、2分钟、3分钟、4分钟及5分钟。接着维持压模2压着涂膜31的状态3分钟后，从涂膜31剥离压模2。这期间用AFM(原子间力显微镜)观察转写到涂膜31上的凹凸图形，在中间体10整个区域凹凸图形被良好转写的标作“○”，凹凸图形不被良好转写的标作“×”，如图8所示。
如图所示，对涂膜31的紫外线52a照射结束后3分钟以内压上压模2的各例中，能将压模2的各凸部23压入涂膜31达到足够深的结果，能在中间体10的整个区域中正确转写凹凸图形25。因此，能在中间体10上良好地形成掩膜30。另一方面，对涂膜31的紫外线52a照射结束后起4分钟以后压上压模2的各例中，不能将压模2的各凸部23压入涂膜31达到足够深，不能在涂膜31上良好地转写凹凸图形25。因此，不能在中间体10上形成掩膜30。这样，申请人确认，根据作为涂液涂布的树脂材料的硬化反应特性，有必要在压上压模2之前硬化反应没有过度的期间压上压模2。
这时，在涂膜31过度硬化的状态下压上压模2时，因压模2中的各凸部23的压入量不足，在中间体10上产生较厚的残渣。因此，为缩短残渣清除处理所需的时间，避免生成较厚残渣的事态，作为一例，有必要在玻璃转移点之前加热处理涂膜31，使容易压入各凸部23。而且，加热处理涂膜31时，有必要在图形转写处理完毕时使中间体10(涂膜31)的温度降低到室温(冷却处理)。为此，有必要确保放置冷却处理中的中间体10用的场所，而且，信息记录媒体1的制造所需要的时间相应加长了冷却处理所需的部分，结果，增大信息记录媒体1的制造成本。因此，最好调整对涂膜31的放射线的照射量、从放射线照射停止后至压上压模2为止的时间，通过这样的调整能省去加热处理，充分缩短制造时间。
这样，根据该信息记录媒体制造装置50的掩膜形成方法，则通过依次实行在中间体10上形成涂膜31的涂膜形成处理，对涂膜31照射紫外线52a的紫外线照射处理(放射线照射处理)，以及将压模2的凹凸图形25转写到涂膜31上的图形转写处理，形成相当于本发明的掩膜的凹凸图形的凹凸图形35，与从来的使透过压模照射光，使有机树脂层硬化来形成掩膜的掩膜形成方法不同，能不用有透光性的材料形成的压模来形成掩膜30。从而，能用例如考虑耐久性选择的各种材料制造压模2，故压模2的反复利用成为可能，结果能充分降低形成掩膜30的成本。另外，与例如用玻璃形成压模不同，从1片压模制造用原盘容易复制例如金属制的压模2，故能充分降低压模2的制造成本。因此，根据用该掩膜形成方法形成的掩膜30，制造信息记录媒体1的信息记录媒体制造方法(在本例中，用掩膜30在中间体10上形成凹凸图形15来制造信息记录媒体1的信息记录媒体制造方法)，则能充分降低信息记录媒体1的制造成本。
另外，该信息记录媒体制造装置50的掩膜形成方法中，作为本发明的涂液，涂布即使在停止照射紫外线52a后也进行硬化反应的树脂材料。具体说，作为上述树脂材料，涂布利用阳离子聚合反应进行硬化反应的树脂材料。因此，根据该信息记录媒体制造装置50的掩膜形成方法，通过在本发明的图形转写处理之前对涂膜31照射紫外线52a，从开始紫外线52a的照射时刻起，涂膜31的硬化反应慢慢进行，即使在图形转写的实行期间(将压模2压着涂膜31的期间)，涂膜31也慢慢硬化，结果，能在图形转写处理完毕时(从涂膜31剥离压模2时)，避免发生图形崩散的事态，在中间体10的整个区域中正确转写凹凸图形25。另外，适当调整照射涂膜31的紫外线52a的照射量(紫外线52a的照射强度与照射时间)，能在图形转写处理完成后(从涂膜31剥离压模2之后)不照射紫外线52a，使涂膜31充分硬化。因此，与在图形转写前后对涂膜31照射紫外线52a的图形形成方法相比，能充分缩短掩膜30形成所需的时间，充分降低形成成本。
另外，本发明不限于上述的构成和方法。虽然说明了例如用通过阳离子聚合反应进行硬化反应的环氧树脂系的树脂材料作为本发明的涂液的例子，但能用只在照射紫外线52a期间产生硬化反应的各种树脂材料，在中间体10上形成掩膜30。具体说，取代用于前述的掩膜30形成的树脂材料，以利用原子团聚合反应进行硬化反应的树脂材料(只在照射放射线期间产生硬化反应的树脂材料的一例)涂布中间体10，形成涂膜31，同时，对该涂膜31照射放射线(作为一例是紫外线52a)，使涂膜31半硬化。这时，因可能压入压模2的各凸部23达到足够深度，且使涂膜31硬化达到转写的凹凸图形在压模2剥离时不崩散的程度。接着，将压模2的凹凸图形25压到半硬化状态的涂膜31上，维持该状态达规定时间后从涂膜31剥离压模2。这样一来，在中间体10上的涂膜31上形成凹凸图形35。接着，紫外线52a再次照射凹凸图形被形成的涂膜31，使涂膜31充分硬化。这样，即使使用只在照射紫外线时进行硬化反应的树脂材料，在将压模2压到中间体10的涂膜31的状态下不照射紫外线52a，也能形成掩膜30。从而，与前述的制造装置50的掩膜30的形成方法一样，能用没有透光性材料形成的廉价的压模2形成掩膜30。
另外，作为本发明的涂液，能添加放射线硬化型的树脂材料以外的各种树脂材料。具体说，可采用在放射线硬化型树脂材料上少量添加热硬化树脂材料，在压模2的剥离后实行对中间体10(涂膜31)的加热处理，从而使涂膜31充分硬化的方法。本发明中的放射线，不限于紫外线52a，可根据形成涂膜31的涂液照射电子射线、X射线等的各种放射线，使涂膜31硬化。另外，虽说明了在磁性层12上形成涂膜31的例子，但本发明不限于此。例如，可在磁性层12上形成其他掩膜形成层，同时在该掩膜形成层上形成涂膜31，用通过压上压模2转写在涂膜31上的凹凸图形35(掩膜30)在掩膜形成层上形成凹凸图形(掩膜图形)后，用该掩膜形成层作为掩膜，进行对磁性层12的蚀刻处理。
另外，虽说明了干蚀刻处理磁性层12用的掩膜30的形成方法，但用本发明中的掩膜形成方法形成的掩膜，不限于干蚀刻处理用的掩膜，其中包含湿蚀刻处理用的掩膜。这时，湿蚀刻处理相当于本发明中的“在基材上形成凹凸图形”的处理的另一例。另外，通过本发明的掩膜形成方法形成的掩膜，不限于蚀刻处理用的掩膜。例如，其中包含这种掩膜，即在基材上形成的掩膜的凹凸图形(凹部底面的残渣去除完了的状态的凹凸图形)中的凸部之上，和掩膜的凹凸图形中的凹部的底面中，在从掩膜露出的基材之上形成薄膜后，通过从基材上除去掩膜，使形成于掩膜中的凸部之上的薄膜与掩膜一起从基材上除去，同时形成于掩膜中的凹部的底面(基材之上)的薄膜(相当于形成于基材上的凹凸图形的凸部)残存于基材上，以这种方式在基材上形成凹凸图形的处理(所谓“提升处理”)用的掩膜。这时，关于提升处理用的掩膜，在本发明的图形转写处理之后，除去了凹部底面的残渣的状态的凹凸图形相当于本发明中的掩膜。另外，提升处理相当于本发明中的“在基材上形成凹凸图形”的又一个例子。
另外，按照本发明的掩膜形成方法形成的掩膜的用途，不限于信息记录媒体的制造，例如也可适用于形成半导体元件制造时等所用的掩膜的情况。这时，能充分降低半导体元件的制造成本。另外，用按照本发明的掩膜形成方法形成的掩膜制造的信息记录媒体，不限于上述的信息记录媒体1那样的离散磁道型磁盘，也包含数据磁道图形被磁写入连续磁性层同时伺服图形由凹凸图形形成的磁盘。另外，不仅如信息记录媒体1那样的垂直记录方式的磁盘，而且也包含平面内记录方式的磁盘。此外，不但在磁盘，而且在光盘(光记录媒体)的制造时，也能合适地应用本发明的掩膜形成方法。

Claims (4)

1一种形成掩模的凹凸图形的掩模形成方法，其特征在于，
将形成凹凸图形的掩模形成在基材之上时，依次实行
在所述基材上涂布放射线硬化型的涂液，从而形成涂膜的涂膜形成处理，
对所述涂膜照射放射线的放射线照射处理，以及
将压模中的凹凸图形的形成面压到所述涂膜上，使该凹凸图形转写到该涂膜上的图形转写处理。
2如权利要求1所述的掩膜形成方法，其特征在于，
以即使在停止所述放射线的照射后也进行硬化反应的树脂材料作为所述涂液进行涂布。
3如权利要求2所述的掩膜形成方法，其特征在于，
以利用阳离子聚合反应进行所述硬化反应的树脂材料作为所述树脂材料进行涂布。
4一种信息媒体制造方法，其特征在于，
使用根据权利要求1至3中任一项所述的掩膜形成方法形成的掩膜，制造信息记录媒体。
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