CN1922725A - 半导体处理装置和方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种半导体处理装置，具备具有配置在横方向的不同位置上的多个搬送端口(33)的搬送室(3)。对被处理部件(W)实施半导体处理用的处理室(4A)通过多个搬送端口的一个与搬送室(3)连接。在搬送室(3)内配置搬送臂设备(5)用于通过多个搬送端口(33)搬送被处理基板(W)。配置驱动机构(55)用于使搬送臂设备(5)伸缩，同时绕铅直轴旋转。配置倾斜调整机构(6A～6C)用于调整搬送臂设备(5)的倾斜度。

Description

半导体处理装置和方法
技术领域
本发明涉及具有用于调整搬送臂设备的倾斜度的机构的半导体处理装置和使用该装置的半导体处理方法。这里，所谓半导体处理是指通过在半导体晶片、LCD(Liquid crystal display，液晶显示器)和FPD(Flat Panel Display，平板显示器)用的玻璃基板等的被处理基板上以规定的图案形成半导体层、绝缘层和导电层等，在该被处理基板上制造包含半导体设备和与半导体设备相连的配线、电极等的构造物而实施的各种处理。
背景技术
为制造半导体设备，对作为被处理基板的半导体晶片进行成膜、蚀刻、氧化、扩散、退火、改性等的各种处理。在这种处理中，随着半导体设备的细微化和高集成化，要求提高产量和生产率。从这种观点来看，已知有通过共同的搬运室将进行同一处理的多个处理室或进行不同的处理的多个处理室相互结合，并可进行各种工艺的连续处理，而不将晶片暴露在空气中的所谓的多腔室型(群组工具(cluster tool))的半导体处理装置。该类型的半导体处理装置例如公开在日本特开2000-127069号公报(参考图1)等中。
图12是示意性的表示这种多腔室型的现有的半导体处理装置的平面图。如图12所示，该处理装置具有与盒式台1并行设置的空气搬送室10。在空气搬送室10内配置可弯曲和旋转的多关节式的搬运臂设备11。通过两个负载锁定(Load lock)室12将六角形状的真空搬运室14与空气搬运室10连接。搬运室14内配置可弯曲和旋转的多关节式的搬运臂设备13。在搬运室14上连接4个真空处理室15(例如为进行成膜和蚀刻)。此外，各室之间通过闸阀(gate valve)16连接。
处理时，在盒式台1上载置例如棚状的容纳有25片晶片W的盒式容器20。接着，通过搬运臂设备11，将晶片W从盒式容器20搬运到负载锁定室12。接着，通过搬运臂设备13，将晶片W从负载锁定室12搬运到搬运室14。接着，将晶片W搬入到其中一个为空的处理室15中，例如接受蚀刻处理。在将晶片W搬入处理室15时，晶片W首先从搬运臂设备13传到三个升降销(lift pin)(未图示)中，接着通过升降销下降，载置在载置台15a上。
在装置整体上设置虚拟基准面，考虑相对该面的来自搬送臂设备13的晶片W的搬送面、即晶片W的背面的偏差。为了可靠进行晶片W的传送，要求在搬送臂设备13的所有访问范围中，搬运面离开虚拟基准面在±0.3mm以内。要求这种精度的理由是因为近年来，闸阀16的搬送端口(port)被形成为非常窄。这是基于为了使处理室15内的对称性好、等离子体的均匀性好，以及为了使闸阀16的开关机构小型化等的理由。此外，若晶片W的背面相对虚拟基准面倾斜，在将晶片W传送到升降销时，三个升降销不同时接触晶片W的背面。这时，晶片W的传送动作不稳定。
发明内容
本发明的目的是提供一种通过搬运臂设备以高水平搬运被处理基板的半导体处理装置和方法。
本发明的第一观点是一种半导体处理装置，具备：具有配置在横向的不同位置上的多个搬送端口的搬送室；通过所述多个搬送端口的一个与所述搬送室连接，用于对被处理基板实施半导体处理的处理室；用于通过所述多个搬送端口搬送所述被处理基板，配置在所述搬送室内的搬送臂设备；用于使所述搬送臂设备伸缩，同时绕铅直轴旋转的驱动机构；用于调整所述搬送臂设备的倾斜度的倾斜调整机构。
本发明的第二观点是使用第一观点的半导体处理装置进行处理的方法，包括：通过检测器检测与所述搬送臂设备的倾斜度相关的数据的工序；根据所述数据，通过所述倾斜调整机构调整所述搬送臂设备的倾斜度的工序；通过已调整倾斜度的所述搬送臂设备，将所述被处理基板搬入所述处理室内的工序；和在所述处理室内对所述被处理基板进行半导体处理的工序。
附图说明
图1是示意性的表示本发明的实施方式的半导体处理装置的平面图。
图2是表示图1所示的装置的真空搬运室和一个真空处理室的纵截面图。
图3是表示图1所示的装置的搬送端口的立体图。
图4A是表示支撑图1所示的装置的真空搬送室内配置的搬送臂设备的摆动台的截面图。
图4B是图4A所示的摆动台的平面图。
图5A是表示检测图1所示的装置的搬送臂设备的倾斜度的方式的立体图。
图5B是表示检测图5A所示的搬送臂设备的倾斜度的检测器(虚拟基板)的立体图。
图6是表示在图1所示的装置中，用于调整搬送臂设备的倾斜度的控制部的说明图。
图7是表示图1所示的装置中，通过传感器输出使用模式调整搬送臂设备的倾斜度的工序的流程图。
图8是表示图1所示的装置的搬送臂设备的变形例的底面图。
图9是表示图1所示的装置的搬送端口的变形例的立体图。
图10是示意性的表示本发明的另一实施方式的半导体处理装置的平面图。
图11是表示支撑图10所示的装置的真空搬送室内配置的搬送臂设备的摆动台的截面图。
图12是示意性的表示多腔室型的现有的半导体处理装置的平面图。
具体实施方式
本发明人在本发明的开发的过程中，对现有半导体处理装置中的搬送偏差进行了研究。结果，得到了下面所示的见解。
近年来，晶片W大型化，因此，搬送臂设备13的可达范围变长，访问范围变宽。因此，在整个访问范围中难以确保对于虚拟基准面的搬送精度，尤其在支撑晶片W的搬送臂设备13伸长时变难。
为了使晶片W的背面与虚拟基准面一致，考虑配置调整搬送臂设备13的高度的机构(Z轴调整机构)。但是，这种情况下，若因其中一个理由所述Z轴倾斜，则晶片W相对虚拟基准面倾斜，不能进行调整。这种现象例如由于抽真空时的应力造成的变形或制造精度的界线等的理由，在设置有搬送臂设备13的搬送室14的底面产生起伏而产生。
此外，还研究了使与搬送室14连接的处理室15的数目增加，使搬送臂设备13横向滑动而访问各处理室15的结构。根据该结构，例如，可以提高处理效率或实施多品种生产。但是，这时，由于搬送臂设备13的访问区域逐渐变大，所以搬送室14的底部起伏的影响也变大。此外，若搬送室14的底部的面积变大，则由于抽真空时负载的力增大，所以更难将底部产生的起伏抑制得很小。因此，有更难以确保搬送精度的问题。
下面，参考附图说明根据这种见解构成的本发明的实施方式。在下面的说明中，对于具有大致相同功能和结构的构成要素，使用同一符号，仅在需要的情况下进行重复说明。
图1是示意性的表示本发明的实施方式的半导体处理装置的平面图。图2是表示图1所示的装置的真空搬运室和一个真空处理室的纵截面图。如图1所示，该处理装置具有盒式台2，这里，可以并排载置多个以棚状容纳有例如25片作为被处理基板的半导体晶片W的盒容器20。在盒式台2的长度方向的一侧面上相邻配置搬送台21。为了进行晶片W的传送，在搬送台21上配置可进行弯曲和旋转的多关节式的搬送臂设备22。搬送臂设备22以沿导轨23可滑动移动的方式配置，由此，对任一个盒式容器20内的晶片W都可进行访问。
搬运台21的后面通过闸阀25A、25B分别连接具有载置晶片W的载置部的作为预真空室的负载锁定室24A、24B。在负载锁定室24A、24B的后方侧通过闸阀26A、26B连接可对其内部抽真空的真空搬送室3。搬送室3从上看形成为多边形，例如六边形。在搬送室3的6个侧面的每一个上各形成一个搬送端口33。即，搬送室3为具有在横向的不同位置上配置的多个搬送端口33的形态。
在搬送室3的两侧面的搬送端口33上分别通过闸阀26A、26B，与负载锁定室24A、24B连接。在搬送室3的4个侧面的搬送端口33上通过各个闸阀31A、31B、31C、31D，与例如4个的真空处理室4A、4B、4C、4D密闭的连接。搬送室3若按放射状与处理室4A～4D连接，也可形成为例如圆形或椭圆形。在搬送台21的一端上连接定位器27作为用于进行晶片W的定位的设备。定位器27通过边使晶片W旋转，边对形成有凹槽(notch)等的其边缘部进行光学观察，检测晶片W的偏心量、偏心方向和方位。
处理室4A～4D设置为进行例如成膜、扩散、蚀刻等的各种处理的同种或不同种的处理。例如，在位于进行蚀刻的处理室中时，可以使用CF类的处理气体，对氧化硅膜或氮化硅膜进行蚀刻处理。还可使用CI系/HBr系/SF系/O2/He等的单一气体或混合气体代替其，对钨化硅膜或多晶硅膜进行蚀刻处理。
例如，在对晶片W并行进行同种处理的情况下，可以从这些中选择同种的处理室。此外，在对氧硅化膜进行蚀刻后，对硅化钨膜进行蚀刻这样对晶片W进行种类不同的一系列处理的情况下，选择不同种类的处理室。此外，图2表示在真空氛围下利用等离子对晶片W进行蚀刻处理的蚀刻处理室作为处理室4A～4D的一例。
蚀刻处理室4A(4B～4D)具有用于形成真空状态用的密封容器41。在密封容器41的顶部上配置有兼作上部电极的气体喷淋头42。从气体喷淋头42向密封容器4内供给包含例如卤化碳气体、氧气和氩气等的处理气体。在密封容器41的底部形成用于排放处理气体的排气口45。
在密封容器41的内部配置以与气体喷淋头42相对的方式载置晶片W，并兼作下部电极的载置台43。在载置台43上以隔开一定间隔围住晶片W的外部周边的方式配置聚焦环44。在上部电极(气体喷淋头42)上连接用于施加等离子生成用的高频波(RF)电场的RF电源(未图示)。此外，在下部电极(载置台43)上连接用于施加偏压用的电压的RF电源(未图示)。
在载置台43的表面形成上下延伸的贯通孔43a。配置有通过贯通孔43a可以突出沉没的、从背面侧支撑晶片W的3根升降销46。将各升降销46与共同的支撑板47连结，可通过与支撑板47连接的驱动器48进行升降。在升降销46贯通密封容器41的部分上配置有维持密封状态用的波纹管(bellows)49。
图3是表示图1所示的装置的搬运端口33的立体图。在隔开搬送室3和处理室4A～4D的分隔壁32(密封容器41的壁面)上形成搬送端口33。搬送端口33成为在横向延伸的带状，同时，周围具有向搬送室3侧突出的框。闸阀31A(31B～31D)以堵塞该搬送端口33(图3中未图示)的方式配置。若通过开关机构(未图示)打开闸阀31A(31B～31D)，则可以在搬送室3和处理室4A～4D之间进行晶片W的传送。为了使处理室4A～4D的对称性好、半导体处理的均匀性好，搬送端口33的长度和宽度形成为较小。
在搬送室3的底部配置可进行弯曲和旋转的多关节式的搬送臂设备5。搬送臂设备5由从下方侧支撑例如晶片W的背面侧的操作手51a与中段臂51b和下段臂51c构成。下端臂51c支撑在摆动台52的上部的板53上。在各关节臂51a～51c的内部分别配置传送来自下述的驱动机构55的旋转动作用的传送部(未图示)。
图4A是表示支撑在图1所示的装置的真空搬送室3内配置的传送臂设备5的摆动台52的截面图。图4B是图4A所示的摆动台52的平面图。如图4A所示，摆动台52具有有底筒状的外壳54。在外壳54的内部配置用于弯曲和绕铅直轴旋转搬送臂设备5的驱动机构55。驱动机构55具体上由使搬送臂设备5伸缩用的电动机和使搬送臂设备5整体旋转用的电动机构成。由此，搬送臂设备5可以以例如支撑晶片W的状态进行弯曲和伸缩。
摆动台52贯通在搬送室3的底部形成的开口3a而配置。开口3a通过向下突出的盖57从下方侧关闭。在摆动台52的外壳54的底部中央配置向外侧下方突出的球形突起部58a。球形突起部58a以可动作的方式嵌合到配置在盖57的内面的接收部58b。由此，构成摆动台52在360度的任何一个方向上都可倾斜的万向接头。
摆动台52的外壳54通过配置在盖57的内面的分别独立的可升降的例如三个调节器6A、6B、6C从下方侧被支撑。调节器6A、6B、6C例如配置在以球形突起部58a为中心的同一圆上(参考图4B)。调节器6A～6C构成通过调整摆动台52的倾斜度调整搬送臂设备5的倾斜度用的倾斜调整机构(倾斜(tilt)调整机构)。通过调整调节器6A、6B、6C各自的高度，以球形突起部58a的中心为支点，搬送臂设备5与摆动台52成为一体，可以在360度的任何一个方向调整其倾斜度。调节器6A～6C的设置数不限定在三个，可以为三个以上。
在摆动台52的外壳54的上侧边缘部和搬送室3的底部之间配置维持搬送室3的密封性用的波纹管(可挠性壁)59。波纹管59将存在有调节器6A～6C和万向接头58a、58b的空间从搬送室3内隔离。波纹管59在360度的任何一个方向都允许摆动台52的动作。
如图4A所示，各调节器6A(6B、6C)具有在盖57的内表面配置的向上方延伸的导轨61A(61B、61C)。导轨61A(61B、61C)上沿其表面形成外螺纹62A(62B、62C)。将在第一齿轮64A(64B、64C)的轴孔上形成的内螺纹63A(63B、63C)螺合到外螺纹62A(62B、62C)上。在第一齿轮64A(64B、64C)的上端面形成从下方侧支撑外壳54的突起部65A(65B、65C)。
以与第一齿轮64A(64B、64C)啮合的方式配置第二齿轮66A(66B、66C)。第二齿轮66A(66B、66C)安装在驱动部例如电动机67A(67B、67C)的旋转轴上。若驱动电动机67A(67B、67C)使得第二齿轮66A(66B、66C)绕铅直轴旋转，则第一齿轮64A(64B、64C)绕铅直轴旋转。若第一齿轮64A(64B、64C)旋转，则通过内螺纹63A(63B、63C)和导轨61A(61B、61C)的外螺纹62A(62B、62C)的啮合，第一齿轮64A(64B、64C)沿轴方向(垂直方向)移动。即，通过电动机67A(67B、67C)的驱动，支撑外壳54的突起部65A(65B、65C)升降。
在图1所示的半导体处理装置中，处理时，在盒式台2上载置例如以棚状容纳有25片晶片W的盒式容器20。接着，为了定位，通过搬送臂设备22将晶片W从盒式容器20搬送到定位器27上。接着，通过搬送臂设备22，通过闸阀25A、25B，将晶片W从定位器27搬送到任一为空的负载锁定室24A(24B)内。
在将负载锁定室24A(24B)减压后，通过搬送臂设备5，将晶片W从负载锁定室24A搬送至搬送室3中。接着，将晶片W搬入任一个为空的处理室4A(4B、4C、4D)中，接受规定的处理。在将晶片W搬入到处理室4A(4B、4C、4D)中时，晶片W首先从搬送臂设备5传到三个升降销46(参考图2)中，接着，通过升降销46下降，载置在载置台43上。在处理室4A(4B、4C、4D)中进行了规定处理的晶片W后，以与上述的搬入路径相反的流向返回到盒式容器20中。
图5A是表示检测图1所示的装置的搬送臂设备5的倾斜度的形态的立体图。图5B是表示检测图5A所示的搬送臂设备5的倾斜度的检测器(虚拟基板)7的立体图。
虚拟基板7设置为与晶片W具有同一直径，使其作为晶片W的替代物而被处理。在虚拟基板7上例如相对其中心按同心圆状相隔间隔地配置各自具有发光部和受光部的例如三个光学式传感器(距离检测器)71A、71B、71C。虚拟基板7载置在例如处理室4A(4B、4C、4D)的载置台43上，并在其上以伸出搬送臂设备5的状态使用。光学式传感器71A～71C在该状态下，配置为与操作手51a的叉状前端部和基端部相对。各光学式传感器71A～71C的发光部向操作手51a照射规定的光，受光部接受来自操作手51a的相对的部位的反射光。
如上所述，根据来自操作手51a的反射光的强度，检测出从各光学式传感器71A(71B、71C)至操作手51a相对的部位为止的距离。即，可以根据基于三个光学式传感器71A～71C的检测结果，检测出操作手51a沿绕铅直轴的360度的其中一个方向与水平面倾斜了多少。此外，由于可知从载置台43的表面至光学式传感器71A～71C的受光面为止的垂直距离，所以可以通过计算求出虚拟基准面IRF(参考图2)和晶片W的背面的高度的差。在虚拟基板7上配置例如向后述的控制部73无线传送例如红外线传送作为光学式传感器71A～71C的检测结果的距离数据(传感器数据)用的通信部72。传感器数据从通信部72以规定的时刻相隔间隔依次发送至控制部73。
图6是表示在图1所示的装置中，调整搬送臂设备5的倾斜度用的控制部73的说明图。实际上控制部73由例如具有CPU的计算机系统构成。控制部73上配置接收光学式传感器71A～71C的检测结果用的通信部74，和在每个处理室4A(4B、4C、4D)上存储光学式传感器71A～71C的距离数据(至操作手51a为止的距离数据)的存储部75。
控制部73上配置例如对应于由光学式传感器71A～71C检测出的三个距离数据求出三个电动机67A～67C的驱动指令值(驱动量)用的转换部76。三个距离数据在已知光学式传感器71A～71C的受光面和载置台43的表面的高度方向距离的情况下，表示包含相对虚拟基准面IRF的高度的差和倾斜度的操作手51a的相对位置。此外，驱动指令值是使操作手51a与虚拟基准面IRF匹配所必需的驱动量。
转换部76中为了将距离数据转换为驱动指令值，可以参考预先准备的表格。该表格中包含三个距离数据的组合和与基于三个电动机67A～67C的从第一齿轮64A～64C的基准位置的驱动量(升降量)的关系。此外，可以以操作手51a的高度几乎不变为前提来进行转换处理。这种情况下，可以将距离数据的差的组合、例如光学式传感器71A、71B的检测距离之间的差和光学式传感器71A、71C的检测距离之间的差转换为驱动指令值。
图7是表示在图1所示的装置中，通过传感器输出使用模式来调整搬送臂设备5的倾斜度的工序的流程图。
例如，在装置的维护时或任意决定的规定时刻，首先，如步骤S1所示，打开处理室4A～4D中想要选择的其中一个盖，在载置台43上载置虚拟基板7。接着，如步骤S2所示，使搬送臂设备5伸长到将操作手51a设置在与晶片7的表面相对的位置上(参考图5A)。此时，优选在操作手51a上实际支撑晶片W。接着，如步骤S3所示，通过光学式传感器71A～71C取得相对的操作手51a的距离数据。接着，通过控制部73来接收距离数据，并存储在存储部75中。对所有的处理室4A～4D进行步骤S1～S3(步骤S4)。由此，检测出所有处理室4A～4D的搬送臂设备5的倾斜度。
接着，如步骤S5所示，关闭处理室4A～4D的盖开始装置的运转和晶片的搬送。因此，首先，通过上述路径将晶片W从盒式容器20搬送至搬送室3。接着，如步骤S6所示，根据有关作为搬送晶片W的对象的处理室4A(4B、4C、4D)的距离数据，进行搬送臂设备5的倾斜度的调整(tilt调整)。为了进行倾斜度的设置，通过转换部76，将存储部75的距离数据转换为各电动机67A～67C的驱动量，存储在存储部77中，读出该驱动量对各电动机67A～67C进行控制。
在进行倾斜调整后，伸长搬送臂设备5，通过操作手51将晶片W搬入该处理室4A(4B、4C、4D)内。并且，如步骤S7所示，通过搬送臂设备5和升降销46的协同作用将晶片W载置在处理室4A(4B、4C、4D)的载置台43上。接着，如步骤S8所示，进行规定的半导体处理，例如蚀刻。
进一步，在对该晶片W在不同的处理室4B(4C、4D)中进行不同种类的半导体处理的情况下，对该处理室4B(4C、4D)进行上述的步骤S5～S7(步骤S9)。使终止了所有的半导体处理的晶片W经负载锁定室24A、24B和搬送台21返回盒式容器20内。
根据上述的实施方式，具有调节搬送臂设备5的倾斜度，详细来说调整支撑其的摆动台52的倾斜度的机构。通过该结构，例如，即使在搬送大型的晶片W的情况下，或搬送室3的底部产生起伏的情况下，也可在搬送臂设备5的所有访问范围中在将晶片W的背面维持在高的水平度的状态下进行搬送。如上所述，搬送端口33例如可以形成为宽度非常窄，例如30～50mm。但是，若这样以高水平度来搬送晶片W，则可以可靠地使晶片W不发生碰撞的通过搬送端口33。此外，由于三根升降销46同时接触晶片W的背面，所以可以进行稳定的晶片W的传送。
通过上述的光学式传感器71A～71C取得距离数据并不限于装置维护后的规定时刻。例如，可以在装置的启动时等中，引导搬送臂设备5学习搬送动作，取得上述的距离数据。这时也可得到与上述的情况相同的效果。
可以将上述的倾斜调整机构与调整搬送臂设备5的高度用的高度调整机构(Z轴调整机构)组合，进行以虚拟基准面IRF为基准的调整。作为Z轴调整机构的例子，可以举出使例如驱动机构55中具有升降搬送臂设备5的功能的结构。这种情况下，也可得到与上述的情况相同的效果。
光学式传感器71A～71C可以配置在背面，而不是虚拟基板的上面。此时，在距离测量时，在支撑有该虚拟基板的状态下将搬送臂设备5延伸至与载置台43的表面相对的位置上。在该状态下，通过虚拟基板的背面的光学式传感器71A～71C，测量至载置台43表面为止的距离。由此，可以得到与上述的情况相同的效果。
图8是表示图1所示的装置的搬送臂设备的变形例的底面图。在图8所示的变形例中，在搬送臂设备的操作手51a的背面上配置有光学式传感器71A～71C。此时，在距离测量时，将搬送臂设备5延伸至与载置台43的表面相对的位置上。在该状态下，通过操作手51a的背面的光学式传感器71A～71C，可以测量至载置台43表面为止的距离。由此，可以得到与上述的情况相同的效果。
图9是表示图1所示的装置的搬送端口的变形例的立体图。在图9所示的变形例中，在各处理室4A(4B、4C、4D)的搬送端口33的下面配置光学式传感器71A、71B。在这种情况下，在距离测量时，将例如实际上支撑晶片W的搬送臂设备5延伸到与光学式传感器71A、71B相对的位置上。在该状态下，通过搬送端口33的下面的光学式传感器71A、71B，可以测量至晶片W的背面为止的距离。由此，可以得到与上述的情况相同的效果。进一步，若取得该搬送端口33中的距离数据和距离上述载置台43的距离数据两者，可以进行更精细的控制。
此外，在将光学式传感器配置在搬送端口33和操作手51a上的情况下，光学式传感器暴露在处理气体中。这时，优选配置例如加热该光学式传感器的受光部的单元例如加热器。由此，可以抑制处理气体形成的副生成物膜堆积在受光部上，获得稳定的距离数据。
距离测量并不限于光学式传感器71A～71C，例如可通过CCD摄像机来进行。这时，根据通过CCD摄像机拍摄出的图像数据检测出距离。由此，可以得到与上述的情况相同的效果。
图10是示意性的表示本发明的另一实施方式的半导体处理装置的平面图。图11是表示支撑在图10所示的装置的真空搬送室内配置的搬送臂设备的摆动台的截面图。图10所示的装置将6个的处理室4A～4F与搬送室3连接，除了随着处理室的增加，可滑动移动搬送臂设备5之外，为与图1所示的装置相同的结构。
由于可以滑动移动搬送臂设备5，所以如图11所示，将相当于图4A所示的盖57的箱状的移动体8经搬送室3的底部和间隙进行配置。移动体8从下方侧支撑摆动台52，同时在其内部具有调节器6A～6C。移动体8以可在搬送室3的底部配置的导轨81上移动的方式被支撑。移动体8通过滑动移动用的驱动部(未图示)，与搬送臂设备5成为一体，并沿导轨81移动。
例如，在将晶片W搬入到后方配置的处理室4B～4E时，首先，从负载锁定室24A、24B中取出晶片W。接着，使移动体8向后方侧滑动移动到达到规定的位置。接着，使搬送臂设备5伸长而将晶片W搬入处理室4B～4E内。即使是这种结构，也可得到与上述的情况相同的效果。尤其在这种情况下，由于搬送室3大型化，由真空造成的负载变大容易变形，所以搬送臂设备5的倾斜调整有效。
调节器6A(6B、6C)如上所述，并不限于组合导轨61A(61B、61C)和第一齿轮64A(64B、64C)而进行升降的结构。作为调节器6A(6B、6C)，可以使用线性致动器和并行链路等的其他机构。即使是这种结构，也可得到与上述的情况相同的效果。
进行倾斜调整的时刻并不限于使支撑有晶片W的搬送臂设备5进入到处理室4A(4B、4C、4D)内之前。例如，可以在搬送臂设备5进入到处理室4A(4B、4C、4D)内之前和进入后时，分为将晶片W传送到升降销46之前的两次进行倾斜调整。这种情况下，如上所述，利用在搬送端口33中得到的距离数据和在载置台43中得到的距离数据两者很有效。此外，也可仅在搬送臂设备5进入到处理室4A(4B、4C、4D)内之后进行倾斜调整。该后者的情况依赖于分配给处理室4A(4B、4C、4D)的处理的类别，在形成很大的搬送端口33的情况下有效。
搬送臂设备5也可以支撑在顶部或侧壁，而不是搬送室3的底部。这种情况下，也可得到与上述的情况相同的效果。
倾斜调整可以在搬送臂设备5的伸长、旋转或滑动移动时的动作开始时或动作停止时产生的加速度变小的方式设置。由此，在动作开始时或停止时可以抑制晶片W在操作手51a上滑动造成的位置偏移。结果，可以更可靠地进行稳定的传送，同时可以使搬送速度变快而实现生产能力的提高。

Claims (20)

1.一种半导体处理装置，其特征在于，具备：
具有配置在横方向的不同位置上的多个搬送端口的搬送室；
通过所述多个搬送端口中的一个与所述搬送室连接，用于对被处理基板实施半导体处理的处理室；
用于通过所述多个搬送端口搬送所述被处理基板、配置在所述搬送室内的搬送臂设备；
用于使所述搬送臂设备伸缩，同时绕铅直轴旋转的驱动机构；和
用于调整所述搬送臂设备的倾斜度的倾斜调整机构。
2.如权利要求1所述的装置，其特征在于：还具备支撑所述搬送臂设备，同时可相对所述搬送室动作的摆动台，
所述倾斜调整机构通过调整所述摆动台的倾斜度调整所述搬送臂设备的倾斜度。
3.如权利要求2所述的装置，其特征在于：将所述驱动机构配置在所述摆动台上。
4.如权利要求2所述的装置，其特征在于：所述倾斜调整机构包括多个调节器，所述多个调节器使位于沿所述摆动台的圆周方向的至少三个位置分别独立升降。
5.如权利要求4所述的装置，其特征在于：还具备根据与所述搬送臂设备的倾斜度相关的数据驱动所述调节器的控制部。
6.如权利要求4所述的装置，其特征在于：所述摆动台在底部的一个位置，通过万向接头被支撑。
7.如权利要求6所述的装置，其特征在于：还具备将存在有所述多个调节器和所述万向接头的空间从所述搬送室内隔离，同时以容许所述摆动台的动作的方式配置在所述摆动台和所述搬送室的壁面之间的可挠性壁。
8.如权利要求1所述的装置，其特征在于：所述搬送室是真空搬送室，多个真空处理室的各个通过闸阀与所述多个搬送端口的多个直接连接，所述处理室是所述多个真空处理室中的一个。
9.如权利要求1所述的装置，其特征在于：还具备用于检测与所述搬送臂设备的倾斜度相关的数据的检测器。
10.如权利要求9所述的装置，其特征在于：还具备存储通过检测器检测出的所述数据的存储部；和基于存储于所述存储部的所述数据控制所述倾斜调整机构的控制部。
11.如权利要求9所述的装置，其特征在于：所述检测器具备在横向相互分离配置的、并测定至相对部位为止的距离的多个光学式传感器。
12.如权利要求11所述的装置，其特征在于：所述多个光学式传感器配置在所述搬送臂设备的下面。
13.如权利要求11所述的装置，其特征在于：所述多个光学式传感器配置在与所述处理室连接的所述搬送端口上。
14.如权利要求11所述的装置，其特征在于：所述多个光学式传感器配置在作为所述被处理基板的替代物而被处理的虚拟基板上。
15.如权利要求11所述的装置，其特征在于：所述多个光学式传感器的每一个具备将光照射到所述相对部位的发光部，和检测来自所述相对部位的反射光的受光部。
16.一种使用权利要求1所述的半导体处理装置进行处理的方法，其特征在于，包括：
通过检测器检测与所述搬送臂设备的倾斜度相关的数据的工序；
根据所述数据，通过所述倾斜调整机构调整所述搬送臂设备的倾斜度的工序；
通过已调整倾斜度的所述搬送臂设备，将所述被处理基板搬入所述处理室内的工序；和
在所述处理室内对所述被处理基板进行半导体处理的工序。
17.如权利要求16所述的方法，其特征在于：
所述检测器具备在横向相互分离配置的、并测定至相对部位为止的距离的多个光学式传感器，
所述方法进一步包括从通过所述多个光学式传感器得到的距离数据，算出对于虚拟基准面，在所述搬送壁设备上支撑的所述被处理基板的位置的工序。
18.如权利要求16所述的方法，其特征在于：
所述检测器具备在横向相互分离配置的、并测定至相对部位为止的距离的多个光学式传感器，所述多个光学式传感器配置在作为所述被处理基板的替代物而被处理的虚拟基板上，
所述方法在检测与所述倾斜度相关的数据的工序前，进一步还包括将所述虚拟基板配置在规定的载置台上，同时将所述搬送臂设备配置在所述虚拟基板的上方且对应于所述多个光学式传感器的位置的工序。
19.如权利要求18所述的方法，其特征在于：所述规定的载置台是在进行所述半导体处理时用于载置所述被处理基板、配置在所述处理室内的载置台。
20.如权利要求16所述的方法，其特征在于：将多个处理室分别与所述多个搬送端口的多个连接，对所述多个处理室分别进行检测与所述倾斜度相关的数据的工序，和调整所述搬送臂设备的倾斜度的工序。
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