CN1921092B - 半导体器件、引线框架及电子设备 - Google Patents

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Abstract

在引线框架中的岛部分(22)上安装半导体芯片(23)，所述引线框架由依次延续的具有岛部分(22)的引线、接地焊接引线部分(28)和引线(21a)，以及其他引线端子部分(21b)到(21d)构成，之后，在嵌入树脂以形成封装(27)之前，将半导体芯片的接地焊接电极(24a)和其他电极(24b)到(24d)分别通过金丝(25a)到(25d)丝焊到引线(21a)和其他引线端子(21b)到(21d)。构造其上安装了半导体芯片(23)的引线，使得延续至引线(21a)和岛部分(22)的接地焊接引线部分(28)在沿金丝(25a)的纵向截面内不存在于丝焊区域(28)相对于岛部分(22)的两侧。

Description

半导体器件、引线框架及电子设备
技术领域
本发明涉及一种适用于，例如，光通信设备的半导体器件、所述半导体器件中使用的引线框架以及采用所述半导体器件的电子设备。
背景技术
JP S59-61950 A、JP H07-245420 A和JP H07-311172 A公开了具有树脂密封封装结构的常规半导体器件。图11示出了这些具有树脂密封封装结构的半导体器件的概观。图11是由顶部观察的透视图，其中，半导体芯片3安装在平面引线框架中的引线1a的岛部分(管芯焊盘)2上，设置于半导体芯片3的表面上的丝焊(wire-bonding)电极4a到4d分别通过丝焊利用金丝5a到5d连接至引线1a到1d。此外，通过树脂6密封半导体芯片3、金丝5a到5d和引线1a到1d，以构成封装7。引线1a到1d分别具有孔8a到8d，形成其的作用在于防止从封装7中滑落出来。
在设置于半导体芯片3的表面上的丝焊电极4a到4d中的电极4a为接地焊接(ground-bonding)电极的情况下，通过金丝5a将接地焊接电极4a丝焊(接地焊接)到设置于引线1a中并延伸至岛部分2的接地焊接引线部分9上。
图12是沿图11中沿接地焊接(grounded-bonded)金丝5a的箭头线A-A′得到的横截面图。如图12所示，引线1a沿接地焊接金丝5a具有连续的横截面结构。
将用于接地焊接的金丝5a丝焊到延伸至岛部分2的接地焊接引线部分9。由于接地焊接引线部分9形成得比延伸至接地焊接引线部分9的引线端子部分宽，因此，在丝焊过程中能够可靠地实现框架夹持(frame clamping)，使得金丝5a与其他金丝5b到5d相比取得了良好的接合状态。
但是，常规半导体器件具有下述问题。也就是说，如上所述，虽然与其他金丝5b到5d相比用于接地焊接的金丝5a能够获得良好的焊接状态，但是，作为可靠性试验的热循环试验表明，用于接地焊接的金丝5a(下文也称为接地线)的焊接部分比其他金丝5b到5d的焊接部分更易于产生断开故障(open failure)。在下文中，将参考图13说明作为接地线的金丝5a的焊接部分更易产生断开故障的原因，图13是沿图11中的箭头线A-A′得到的横截面图。
封装7包括引线1a、半导体芯片3、金丝5a和树脂6，它们中的每一个均具有不同的线膨胀系数，因而随着温度的变化在彼此之间的界面处产生了对应于线膨胀系数差异量的应力。
在沿接地焊接金丝5a的横截面中，引线1a在通过树脂6密封的封装7中具有最长的连续结构。因此，引线1a在沿接地焊接金丝5a的方向，即平行于引线1a的箭头10的方向上的横截面内，在温度变化的作用下，具有最大的膨胀和收缩。构成封装7的树脂6也沿平行于引线1a的箭头11的方向具有最大的膨胀和收缩。
结果，在树脂6和引线1a之间响应于温度变化而由于线膨胀系数差异产生的应力成为在封装7中产生的最大的应力。这一应力施加于半导体芯片3和树脂6之间的接触面上，以及位于接地焊接引线部分9的外侧上的引线1a的部分和树脂6之间的接触面上。在这些两个物体相互接触的面的部分内缺乏粘附力，产生了侧滑移(side slip)，也就是说，这些两两物体沿这些面相对错位，从而缓和了应力。在这种情况下，由热循环试验产生的侧滑移导致了往复运动，当在金丝5a的焊接部分内产生侧滑移时，金丝5a在嵌入到树脂6内的状态下与树脂6一起移动。因此，即使微小的侧滑移也将导致金丝5a的焊接部分破裂。
需要注意，在其材料以铜为基础的情况下，引线1a到1d的线膨胀系数为1.7×10-5。树脂6的线膨胀系数取决于所含有的填充物(filler)的量，但是通常为4.0×10-5～6.0×10-5。因此，树脂6的线膨胀系数大于引线1a到1d。就采用热固性树脂和热塑性树脂的情况而言，在150℃到300℃的高温下实施采用树脂6的密封。因此，鉴于在树脂6的固化温度下，树脂6和引线1a之间产生的应力为零这一事实，发现在“大约-40℃到120℃”的热循环试验温度范围内在树脂6相对于引线1a收缩时产生了应力。
需要注意，金丝5a的线膨胀系数为1.4×10-5，其小于树脂6的线膨胀系数。因此，构成处于由树脂6密封的状态下的封装7的金丝5a受到周围环境基本恒定的、基本相等的压缩，并且受到应力作用。因此，除非在金丝5a的焊接部分内产生侧滑移，否则金丝5a不会容易断裂。
此外，图13示出了，鉴于引线1a和树脂6之间的线膨胀系数差异，可以理解，在“大约-40℃到120℃”的热循环试验温度范围内，应力沿相对于引线1a收缩的方向被施加到树脂6上，并且应力随着热循环试验的温度变化而改变。
假设引线1a的材料为基于铜的合金(线膨胀系数＝1.7×10-5)，树脂6的材料为含有填充物的热固性环氧树脂(线膨胀系数＝4.0×10-5)，引线1a沿直线与封装7内的树脂6连续接触的长度为10mm，在160℃的热循环试验温度范围内，由线膨胀系数差异导致的引线1a和树脂6之间的相对位移为36.8μm，在热循环试验过程中，导致相对位移的应力周期性地作用在引线1a和树脂6之间。因此，当所述应力变为引线1a和树脂6之间产生的侧滑移的往复驱动力时，那么所述侧滑移，即使是微小的，也会以导致处于到引线1a的焊接部分中的，或者处于半导体芯片3的电极4的焊接部分中的金丝5a的断裂而告终。
发明内容
本发明的目的在于提供一种高度可靠的半导体器件、在所述半导体器件中采用的引线框架和采用所述半导体器件的电子设备，所述半导体器件具有树脂密封封装结构，并且能够消除到引线的丝焊故障(wire-bonding failures toa lead)，所述引线具有在其上安装半导体芯片的岛部分。
为了实现上述目的，提供了一种半导体器件，包括：
引线，其包括其上安装了半导体芯片的岛部分、延续至所述岛部分的焊接引线部分和延续至所述焊接引线部分的引线端子部分；
丝线(wire)，其用于电连接设置于所述半导体芯片上的电极和所述焊接引线部分；以及
树脂，其密封所述半导体芯片、所述引线和所述丝线，并且含有大于等于20个重量百分比(weight％)小于等于90个重量百分比的填充物，
其中，在沿所述丝线且垂直于所述岛部分内的所述半导体芯片的安装表面的横截面内，延续至所述焊接引线部分的横截面的所述树脂的横截面出现在所述焊接引线部分的与所述岛部分相反的一侧。
根据所述结构，在沿电连接半导体芯片的电极和焊接引线部分的丝线的纵向截面内，延续至焊接引线部分的引线不存在于焊接引线部分的与岛部分相反的一侧。因此，缩短了沿丝线的方向上引线和密封树脂之间的界面的部分、即由其间的线膨胀系数差异产生应力的部分的长度，从而减少了施加到引线中的丝线的焊接部分上的应力。因此，变得有可能防止引线中的或半导体芯片中的丝线的焊接部分内发生由周围温度的改变而导致的断裂。
密封半导体芯片、引线和丝线的树脂含有大于等于20个重量百分比的填充物。因此，能够较没有填充物的情况降低树脂的线膨胀系数，并且能够更加接近引线的线膨胀系数。因此，能够更为可靠地防止丝线的焊接部分内发生破裂。此外，树脂中的填充物的含量为小于等于90个重量百分比。这能够为光半导体器件提供足以使其充分发挥功能的半透明度。
在本发明的一个实施例中，填充物具有带有光滑表面的大体为球体的形状。
根据本实施例，填充物具有带有光滑表面的大体为球体的形状。因此，变得有可能抑制填充物表面的漫反射，降低由填充物的形状导致的树脂的半透明度的劣化。
在本发明的一个实施例中，在沿所述丝线，垂直于所述岛部分内的所述半导体芯片的安装表面的横截面内，延续至所述焊接引线部分的横截面的所述树脂的横截面出现在位于所述岛部分一侧的焊接引线部分处。
根据本实施例，在沿电连接半导体芯片的电极和焊接引线部分的丝线的纵向截面内，延续至焊接引线部分的引线不仅不存在于焊接引线部分的与岛部分相反的一侧，也不存在于位于岛部分一侧的焊接引线部分处。与延续至焊接引线部分的引线只是不存在于焊接引线部分的与岛部分相反的一侧的情况相比，其进一步缩短了沿丝线的方向上引线中的丝线的焊接部分和密封树脂之间的界面的部分、即由其间的线膨胀系数差异产生应力的部分的长度，从而进一步减少了所产生的应力。因此，变得有可能进一步抑制在引线中的或半导体芯片中的丝线的焊接部分内发生破裂。
在本发明的一个实施例中，焊接引线部分包括：
第一直线部分，其形成为直线形状，并且一个端部连接至岛部分；以及
第二直线部分，其形成为直线形状，并且一个端部连接至所述第一直线部分的另一端部部分，从而沿所述岛部分延伸，
其中，所述第二直线部分的一个端部侧连接至所述引线端子部分，而所述第二直线部分的顶端部分则具有用于连接所述丝线的丝焊区域。
根据本实施例，设置于所述第二直线部分的顶端部分的丝焊区域在沿与引线端子部分的延伸方向相交的方向上比引线端子部分突出得更多。因此，在沿丝线的纵向截面内，延续至丝焊区域的引线不存在于丝焊区域的与岛部分相反的一侧。此外，在沿丝线的纵向截面内，延续至丝焊区域的引线也不存在于位于岛部分一侧的丝焊区域处。因此，可以使沿丝线的方向上引线中的丝线的焊接部分和密封树脂之间的界面的部分、即由其间的线膨胀系数差异产生应力的部分的长度与第二直线部分的宽度一样短，因而能够减少所产生的应力。
在本发明的一个实施例中，焊接引线部分包括：
第一直线部分，其形成为直线形状，并且一个端部连接至所述岛部分；
第二直线部分，其形成为直线形状，并且一个端部连接至所述第一直线部分的另一端部部分，从而沿所述岛部分延伸；以及
第三直线部分，其形成为直线形状，并且一个端部连接至所述第二直线部分的另一端部部分，从而朝所述岛部分延伸，
其中，所述第二直线部分的所述一个端部侧连接至所述引线端子部分，并且
其中，所述第三直线部分的顶端部分具有为连接所述丝线而设置的丝焊区域。
根据本实施例，设置于所述第三直线部分的顶端部分的丝焊区域在沿与引线端子部分的延伸方向相交的方向上比引线端子部分突出得更多。因此，在沿丝线的纵向截面内，延续至丝焊区域的引线不存在于丝焊区域的与岛部分相反的一侧。此外，在沿丝线的纵向截面内，延续至丝焊区域的引线也不存在于位于岛部分一侧的丝焊区域处。因此，可以使沿丝线的方向上引线中的丝线的焊接部分和密封树脂之间的界面的部分、即由其间的线膨胀系数差异产生应力的部分的长度与第三直线部分的宽度一样短，因而能够减少所产生的应力。
在本发明的一个实施例中，构造所述焊接引线部分，从而将形成为直线形状的四个或更多直线部分连接为螺旋状，在连接成螺旋状的多个直线部分中位于最前部的最外侧直线部分的顶端连接至所述岛部分，在连接成螺旋状的多个直线部分中离所述岛部分最远的直线部分连接至所述引线端子部分，并且
其中，在连接成螺旋状的多个直线部分中，位于后部的最内部直线部分的顶端部分具有为连接所述丝线而设置的丝焊区域。
根据本实施例，设置于连接成螺旋状的多个直线部分当中的位于后部的最内部的直线部分(the innermost linear section positioned at the rear)的顶端部分中的丝焊区域沿与引线端子部分的延伸方向相交的方向上比引线端子部分突出得更多。因此，在沿丝线的纵向截面内，延续至丝焊区域的引线不存在于丝焊区域的与岛部分相反的一侧。此外，在沿丝线的纵向截面内，延续至丝焊区域的引线也不存在于丝焊区域的接近岛部分的一侧。因此，可以使沿丝线的方向上引线中的丝线的焊接部分和密封树脂之间的界面的部分，即由其间的线膨胀系数差异产生应力的部分的长度与位于后部的最内部的直线部分的宽度一样短，因而能够减少所产生的应力。
在本发明的一个实施例中，构造所述焊接引线部分，从而将比所述引线端子部分的一侧宽的矩形主体的一侧连接至所述引线端子部分，而与该侧相反的一侧连接至所述岛部分，所述矩形主体具有沿所述岛部分设置的矩形通孔，并且
其中，在隔着所述通孔面对所述岛部分的所述矩形主体的、除了到所述引线端子部分的连接部分和到所述岛部分的连接部分以外的区域内设置用于连接所述丝线的丝焊区域。
根据本实施例，设置于隔着矩形通孔面对岛部分的部分内的丝焊区域在沿与引线端子部分的延伸方向相交的方向上比引线端子部分突出得更多。因此，在沿丝线的纵向截面内，延续至丝焊区域的引线不存在于丝焊区域的与岛部分相反的一侧。此外，在沿丝线的纵向截面内，延续至丝焊区域的引线也不存在于位于岛部分一侧的丝焊区域处。因此，可以使沿丝线的方向上引线中的丝线的焊接部分和密封树脂之间的界面的部分、即由其间的线膨胀系数差异产生应力的部分的长度与隔着通孔面对岛部分的部分的宽度一样短，因而能够减少所产生的应力。
在本发明的一个实施例中，构造所述焊接引线部分，从而将比所述引线端子部分的一侧宽的矩形主体的一侧连接至所述引线端子部分，而与该侧相反的一侧连接至所述岛部分，所述矩形主体具有沿所述岛部分设置的两个矩形通孔，并且
其中，在除了到所述岛部分的连接部分以外的、所述矩形主体中的所述两个通孔之间的区域内设置用于连接所述丝线的丝焊区域。
根据本实施例，设置于矩形主体内的两个通孔之间的部分内的丝焊区域在沿与引线端子部分的延伸方向相交的方向上比引线端子部分突出得更多。因此，在沿丝线的纵向截面内，延续至丝焊区域的引线不存在于丝焊区域的与岛部分相反的一侧。此外，在沿丝线的纵向截面内，延续至丝焊区域的引线也不存在于位于岛部分一侧的丝焊区域处。因此，可以使沿丝线的方向上引线中的丝线的焊接部分和密封树脂之间的界面的部分、即由其间的线膨胀系数差异产生应力的部分的长度与这两个通孔之间的部分的宽度一样短，因而能够减少所产生的应力。
在本发明的一个实施例中，焊接引线部分具有用于连接丝线的丝焊区域，并且
其中，所述丝焊区域的宽度为大于等于0.3mm且小于等于0.6mm。
根据本实施例，将丝焊区域的宽度设置为大于等于0.3mm小于等于0.6mm能够确保该区域允许通过丝线焊接。同时，通过沿丝线方向上的丝焊区域的形变释放在丝焊区域和树脂之间的界面处产生的微小(minor)应力，所述形变小到足以防止丝线破裂。因此，变得有可能防止应力施加到丝焊区域中的丝线的焊接部分上。
在本发明的一个实施例中，所述半导体芯片的尺寸为边长大于等于0.5mm且小于等于2.5mm，厚度大于等于0.1mm且小于等于0.4mm。
半导体芯片的表面与树脂的粘附性差，因此，在半导体芯片和树脂之间的界面内倾向于发生由应力导致的侧滑移。此外，半导体芯片的尺寸越大，由应力导致的侧滑移的产生变得越显著。根据本实施例，可以使具有安装于其上的半导体芯片的引线部分沿丝线的长度与岛部分的宽度一样短。因此，变得有可能减少在具有安装于其上的半导体芯片的引线的部分和树脂之间产生的、由其间的线膨胀系数差异导致的应力，进而减少在半导体芯片和树脂之间的界面内产生的应力。
因此，即使在安装边长大于等于0.5mm且小于等于2.5mm的半导体芯片的情况下，也能够抑制在半导体芯片和树脂之间的界面内产生侧滑移，并且能够确保半导体芯片中的引线的焊接部分的可靠性。
而且，还提供了一种在上述半导体器件中采用的引线框架，其包括：
岛部分，将在其上安装半导体芯片；
焊接引线部分，其延续至所述岛部分，并且将通过丝线被电连接到设置于所述半导体芯片上的电极上；以及
引线端子部分，其延续至所述焊接引线部分，并且在所述岛部分的相反侧延伸，
其中，在垂直于所述岛部分内的所述半导体芯片的安装表面、并且贯穿所述焊接引线部分和所述岛部分的横截面内，所述焊接引线部分具有未延续至所述岛部分和所述引线端子部分的区域。
根据所述结构，当通过在岛部分上安装半导体芯片、通过丝线电连接半导体芯片的电极和丝焊区域以及通过树脂密封半导体芯片、岛部分和丝线的步骤形成半导体器件时，通过将未延续至岛部分和引线端子部分的焊接引线部分的区域设置为用于连接丝线的丝焊区域，变得有可能通过构造使得在沿丝线的纵向截面内，在与岛部分相反的以及接近岛部分的丝焊区域侧，丝焊区域未延续至岛部分和引线端子部分。因此，能够缩短沿丝线的方向上引线中的丝线的焊接部分和密封树脂之间的界面的部分、即由其间的线膨胀系数差异产生应力的部分的长度，因而能够减少所产生的应力。因此，变得有可能防止在引线内的丝线的焊接部分内发生由周围温度的改变而发生的断裂。
在本发明的一个实施例中，未延续至所述岛部分和所述引线端子部分的所述焊接引线部分的区域由从所述岛部分突出的、并且在与所述引线端子部分的延伸方向相交的方向上比所述引线端子部分突出得更多的突出部分构成。
根据本实施例，能够通过为焊接引线部分提供突出部分容易地形成未延续至岛部分和引线端子部分的焊接引线部分的区域。
在本发明的一个实施例中，焊接引线部分具有沿岛部分延伸的通孔，并且
其中，未延续至所述岛部分和所述引线端子部分的所述焊接引线部分的区域由隔着所述通孔面对所述岛部分的区域构成。
根据本实施例，能够通过为焊接引线部分提供通孔容易地形成未延续至岛部分和引线端子部分的焊接引线部分的区域。
在本发明的一个实施例中，包括所述岛部分、所述焊接引线部分和所述引线端子部分的所述引线框架由基于铜或基于铁的合金形成，并且
其中，至少为向其连接所述丝线的所述焊接引线部分的区域提供适于丝焊的镀覆。
根据本实施例，能够更为可靠地实现将丝线焊接到引线焊接部分，并且能够更为可靠地防止丝线的焊接部分发生破裂。
在本发明的一个实施例中，提供了采用上述半导体器件的电子设备。
根据所述结构，所述电子设备采用了一种高度可靠的半导体器件，所述半导体器件能够消除由其上安装了半导体芯片的引线和密封树脂之间的线膨胀系数差异而导致的、在温度变化的作用下产生的丝焊故障。因此，变得有可能提供可以在宽温度范围环境下使用的高度可靠的电子设备。
从上述说明可以清晰地看到：在本发明的半导体器件中，在沿电连接半导体芯片的电极和焊接引线部分的丝线的纵向截面内，延续至焊接引线部分的引线不存在于焊接引线部分的与岛部分相反的一侧，这能缩短沿丝线方向上引线和密封树脂之间的界面的部分、即由其间的线膨胀系数差异产生应力的部分的长度。因此，变得有可能减少施加到引线中的丝线的焊接部分上的应力，并且防止在丝线的焊接部分内发生由周围温度的改变而发生断裂。
此外，密封半导体芯片、引线和丝线的树脂含有大于等于20个重量百分比的填充物。因此，能够使树脂的线膨胀系数更加接近引线的线膨胀系数，从而更为可靠地防止在丝线的焊接部分内发生破裂。此外，树脂中的填充物的含量为小于等于90个重量百分比。这能够为光半导体器件提供足以使其充分发挥功能的半透明度。
因此，根据本发明，变得有可能消除在具有安装于其上的半导体芯片的引线和密封树脂之间响应于温度变化而产生的由其间的线膨胀系数差异导致的丝焊故障，从而能够提供一种高度可靠的半导体器件。
此外，在沿电连接半导体芯片的电极和焊接引线部分的丝线的纵向截面内，如果使延续至焊接引线部分的引线也不存在于焊接引线部分的接近岛部分的一侧，那么能够进一步缩短沿丝线的方向上引线中的丝线的焊接部分和密封树脂之间的界面的部分、即由其间的线膨胀系数差异产生应力的部分的长度。因此，变得有可能进一步减少所产生的应力，并进一步抑制在丝线的焊接部分内发生破裂。
此外，在本发明的引线框架内，在贯穿焊接引线部分和岛部分的横截面内，延续至将要在其上安装半导体芯片的岛部分的、并且将要通过丝线电连接到半导体芯片的电极的焊接引线部分设置有未延续至岛部分和引线端子部分的区域。因此，通过将未延续至岛部分和引线端子部分的焊接引线部分的区域设置为丝焊区域，变得有可能通过构造使得在形成树脂密封半导体器件时，在沿丝线的纵向截面内，在与岛部分相反的以及接近岛部分的丝焊区域侧上，丝焊区域都不延续至岛部分和引线端子部分。
因此，能够缩短沿丝线的方向上引线中的丝线的焊接部分和密封树脂之间的界面的部分、即由其间的线膨胀系数差异产生应力的部分的长度，因而能够减少所产生的应力。因此，变得有可能防止在引线内的丝线的焊接部分内发生由周围温度的改变而发生的断裂。
此外，本发明的电子设备采用了本发明的半导体器件。因此，通过采用能够消除在温度变化的作用下由引线和密封树脂之间的线膨胀系数差异导致的丝焊故障的高度可靠的半导体器件，变得有可能提供可以在宽温度范围环境下使用的高度可靠的电子设备。
附图说明
通过下文给出的详细说明和附图，本发明将得到更为充分的理解，所述附图仅以图例的方式给出，因而并非意在限制本发明，其中：
图1是从顶部观察的角度示出了本发明的半导体器件的透视图；
图2是沿图1中的箭头线B-B′得到的横截面图；
图3是从顶部观察的角度示出了与图1不同的半导体器件的透视图；
图4是沿图3中的箭头线C-C′得到的横截面图；
图5是从顶部观察的角度示出了与图1和图3不同的半导体器件的透视图；
图6是沿图5中的箭头线D-D′得到的横截面图；
图7是从顶部观察的角度示出了与图1、图3和图5不同的半导体器件的透视图；
图8是沿图7中的箭头线E-E′得到的横截面图；
图9是从顶部观察的角度示出了与图1、图3、图5和图7不同的半导体器件的透视图；
图10是沿图9中的箭头线F-F′得到的横截面图；
图11是从顶部观察的角度示出了具有树脂密封封装的常规半导体器件的透视图；
图12是沿图11中的箭头线A-A′得到的横截面图；
图13是解释在接地线的焊接部分中倾向于发生断裂故障的原因的说明图。
具体实施方式
在下文中将参考附图详细描述本发明。
第一实施例
图1是从顶部观察的角度示出了本发明的半导体器件的透视图。在图1中，在平面引线框架的引线21a的岛部分(管芯焊盘)22上安装半导体芯片23，将设置于半导体芯片23的表面上的丝焊电极24a到24d分别通过丝焊利用金丝25a到25d连接到引线21a到21d。此外，通过含有重量百分比大于等于20且小于等于90的填充物的树脂26密封半导体芯片23、金丝25a到25d以及引线21a到21d，以构成封装27。
在设置于半导体芯片23的表面上的丝焊电极24a到24d当中的电极24a为接地焊接电极的情况下，通过金丝25a将接地焊接电极24a丝焊(接地焊接)到接地焊接引线部分28，接地焊接引线部分28设置于引线21a中，并延伸至岛部分22。
图2是沿图1中沿接地焊接金丝25a的箭头线B-B′得到的横截面图。如图2所示，在沿接地焊接金丝25a的纵向截面内，引线21a在通过树脂26密封的封装27内具有不连续结构。
更具体地说，延伸到引线21a的岛部分22的接地焊接引线部分28由形成了L形的两个直线部分构成。两个直线部分之一(下文称为第一直线部分)的顶端连接至岛部分22，而另一个(下文称为第二直线部分)的侧边连接至引线端子部分，比引线端子部分伸出得更多的第二直线部分的顶部起着丝焊区域28a的作用。因此，在沿金丝25a的纵向截面内，延伸至丝焊区域28a的横截面的树脂26的横截面出现在丝焊区域28a与岛部分22相反的一侧。也就是说，在沿金丝25a的纵向截面内，引线21a的结构在丝焊区28a与岛部分22相反的一侧上处于不连续状态。
因此，在本实施例中，构造在其上安装了半导体芯片23的引线21a，使得延伸至丝焊区域28a的引线端子部分在沿接地焊接金丝25a的纵向截面内不存在于丝焊区域28a的与岛部分相反的一侧。因此，缩短了引线21a内的金丝25a的焊接部分与树脂26之间的界面部分、即沿金丝25a的方向由于其间的线膨胀系数差异而产生应力的部分的长度，从而减少了施加到金丝25a的焊接部分上的应力。因此，变得有可能防止在金丝25a的焊接部分内发生由周围温度的改变而发生的断裂。
此外，构造在其上安装了半导体芯片23的引线21a，使得延伸至丝焊区域28a的岛部分22在沿接地焊接金丝25a的纵向截面内不存在于丝焊区域28a的接近岛部分22的一侧。因此，能够使处于金丝25a的纵向截面内的引线21a内的金丝25a的焊接部分的长度与接地焊接引线部分28的第二直线部分(丝焊区域28a)的宽度一样短，因而能够进一步降低由其间的线膨胀系数差异导致的在金丝25a的焊接部分和树脂26之间的界面内产生的应力。
更具体地说，根据本实施例，在接地焊接引线部分28的丝焊区域28a和树脂26之间产生的应力小，因此，将不会在丝焊区域28a和树脂26之间产生相对的侧滑移。因此，变得有可能防止在金丝25a的焊接部分内发生由周围温度的改变而发生的断裂。
此外，所形成的其上安装了半导体芯片23的引线21a内的接地焊接引线部分28的宽度W，即形成L形的两个直线部分中的第二直线部分的长度，大于引线端子部分的宽度W0。因此，能够在丝焊过程中可靠地实现框架夹持，从而获得金丝25a的良好的焊接状态。
第二实施例
图3是从顶部观察的角度示出了本实施例中的半导体器件的透视图。在图3中，在平面引线框架的引线31a的岛部分(管芯焊盘)32上安装半导体芯片33，将设置于半导体芯片33的表面上的丝焊电极34a到34d分别通过丝焊利用金丝35a到35d连接到引线31a到31d。此外，通过含有重量百分比大于等于20且小于等于90的填充物的树脂36密封半导体芯片33、金丝35a到35d以及引线31a到31d，以构成封装37。
在设置于半导体芯片33的表面上的丝焊电极34a到34d当中的电极34a为接地焊接电极的情况下，通过金丝35a将接地焊接电极34a丝焊(接地焊接)到接地焊接引线部分38，接地焊接引线部分38设置于引线31a中，并延伸至岛部分32。
图4是沿图3中沿接地焊接金丝35a的箭头线C-C′得到的横截面图。如图4所示，在沿接地焊接金丝35a的纵向截面内，引线31a在通过树脂36密封的封装37内具有不连续结构。
更具体地说，引线31a中延续至岛部分32的接地焊接引线部分38具有这样的结构：将图1所示的第一实施例中的接地焊接引线部分28中形成L形的两个直线部分的第二直线部分的顶端部分连接至与第一直线部分平行的朝向岛部分32延伸的直线部分(下文称为第三直线部分)。第三直线部分起着丝焊区域38a的作用。这样，构造引线31a，使得在沿金丝35a的纵向截面内，延续到丝焊区域38a的横截面的树脂36的横截面出现在丝焊区域38a的接近岛部分32的一侧。更具体地说，在沿金丝35a的纵向截面内，在位于岛部分32一侧的丝焊区域38a处，引线31a的形成方式是不连续的。
此外，构造接地焊接引线部分38中的丝焊区域38a，使得平行于第一直线部分并朝向岛部分32延伸的第三直线部分连接至形成L形的两个直线部分中的第二直线部分的顶端部分。因此，在沿接地焊接金丝35a的封装37的纵向截面内，延续到丝焊区域38a的横截面的树脂36的横截面出现在丝焊区域38a的与岛部分32相反的一侧。也就是说，构造引线31a，使得延续至丝焊区域38a的引线31a在沿金丝35a的纵向截面内不存在于丝焊区域38a的与岛部分相反的一侧。
因此，在本实施例中，构造在其上安装了半导体芯片33的引线31a，使得延伸至丝焊区域38a的引线端子部分在沿接地焊接金丝35a的纵向截面内不存在于丝焊区域38a的与岛部分相反的一侧。此外，构造在其上安装了半导体芯片33的引线31a，使得延伸至丝焊区域38a的岛部分32在沿接地焊接金丝25a的纵向截面内不存在于位于岛部分32一侧的丝焊区域38a处。
因此，能够使处于金丝35a的纵向截面内的引线31a内的金丝35a的焊接部分的长度与接地焊接引线部分28的第三直线部分(丝焊区域38a)的宽度一样短，因而能够降低由其间的线膨胀系数差异导致的在金丝35a的焊接部分和树脂36之间的界面内产生的应力。
更具体地说，根据本实施例，在丝焊区域38a和树脂36之间将不会发生相对侧滑移。因此，变得有可能防止在金丝35a的焊接部分内发生由周围温度的改变而发生的断裂。
此外，所形成的其上安装了半导体芯片33的引线31a中的接地焊接引线部分38的宽度W，即第二直线部分的长度，比引线端子部分的宽度W0宽。因此，能够在丝焊过程中可靠地实现框架夹持，从而获得金丝35a的良好的焊接状态。
第三实施例
图5是从顶部观察的角度示出了本实施例中的半导体器件的透视图。在图5中，在平面引线框架的引线41a的岛部分(管芯焊盘)42上安装半导体芯片43，将设置于半导体芯片43的表面上的丝焊电极44a到44d分别通过丝焊利用金丝45a到45d连接到引线41a到41d。此外，通过含有重量百分比大于等于20且小于等于90的填充物的树脂46密封半导体芯片43、金丝45a到45d以及引线41a到41d，以构成封装47。
在设置于半导体芯片43的表面上的丝焊电极44a到44d中的电极44a为接地焊接电极的情况下，通过金丝45a将接地焊接电极44a丝焊(接地焊接)到设置于引线41a中并延伸至岛部分42的接地焊接引线部分48上。
图6是沿图5中沿接地焊接金丝45a的箭头线D-D′得到的横截面图。如图6所示，在沿接地焊接金丝45a的纵向截面内，引线41a在通过树脂46密封的封装47内具有不连续结构。
更具体地说，引线41a中延续至岛部分42的接地焊接引线部分48具有这样的形状：将图4所示的第二实施例中的接地焊接引线部分38中的第三直线部分的顶端部分连接至平行于岛部分42朝第一直线部分延伸的直线部分(下文称为第四直线部分)，此外，将第四直线部分的顶端部分连接至平行于第一直线部分朝向第二直线部分延伸的直线部分(下文称为第五直线部分)。第五直线部分起着丝焊区域48a的作用。这样，构造引线41a，使得在沿金丝45a的纵向截面内，延续到丝焊区域48a的横截面的树脂46的横截面出现在岛部分42一侧的丝焊区域48a处。更具体地说，在沿金丝45a的纵向截面内，在位于岛部分42一侧的丝焊区域48a处，引线41a的形成方式是不连续的。
此外，通过这样的方式采用第一直线部分到第五直线部分五个直线部分构造引线41a中的接地焊接引线部分(ground-bonding lead section)48：第一直线部分的顶端部分连接至沿垂直于第一直线部分的方向的第二直线部分，第二直线部分的顶端部分连接至沿垂直于第二直线部分的方向的第三直线部分，第三直线部分的顶端部分连接至沿垂直于第三直线部分的方向的第四直线部分，第四直线部分的顶端部分连接至沿垂直于第四直线部分的方向的第五直线部分，按螺旋状连接这五个直线部分。连接成螺旋状的五个直线部分中最内部的第五直线部分构成了丝焊区域48a。
因此，在沿接地焊接金丝45a的封装47的纵向截面内，延续到丝焊区域48a的横截面的树脂46的横截面出现在丝焊区域48a的与岛部分42相反的一侧。也就是说，构造引线41a，使得在沿金丝45a的纵向截面内，延续到丝焊区域48a的引线41a不存在于岛部分一侧的丝焊区域48a处。
因此，在本实施例中，构造在其上安装了半导体芯片43的引线41a，使得延伸至丝焊区域48a的引线端子部分在沿接地焊接金丝45a的纵向截面内不存在于丝焊区域48a的与岛部分相反的一侧。此外，构造在其上安装了半导体芯片43的引线41a，使得延伸至丝焊区域48a的岛部分42在沿接地焊接金丝45a的纵向截面内不存在于位于岛部分42一侧的丝焊区域48a处。
因此，能够使处于金丝45a的纵向截面内的引线41a内的金丝45a的焊接部分的长度与接地焊接引线部分48的第五直线部分(丝焊区域48a)的宽度一样短，因而降低了由其间的线膨胀系数差异导致的在金丝45a的焊接部分和树脂46之间的界面内产生的应力。
更具体地说，根据本实施例，在丝焊区域48a和树脂46之间将不会发生相对侧滑移。因此，变得有可能防止在金丝45a的焊接部分内发生由周围温度的改变而发生的断裂。
此外，所形成的其上安装了半导体芯片43的引线41a中的接地焊接引线部分48的宽度W，即第二直线部分的长度，比引线端子部分的宽度W0宽。因此，能够在丝焊过程中可靠地实现框架夹持，从而获得金丝45a的良好的焊接状态。
第四实施例
图7是从顶部观察的角度示出了本实施例中的半导体器件的透视图。在图7中，在平面引线框架的引线51a的岛部分(管芯焊盘)52上安装半导体芯片53，将设置于半导体芯片53的表面上的丝焊电极54a到54d分别通过丝焊利用金丝55a到55d连接到引线51a到51d。此外，通过含有重量百分比大于等于20且小于等于90的填充物的树脂56密封半导体芯片53、金丝55a到55d以及引线51a到51d，以构成封装57。
在设置于半导体芯片53的表面上的丝焊电极54a到54d中的电极54a为接地焊接电极的情况下，通过金丝55a将接地焊接电极54a丝焊(接地焊接，ground-bonded)到设置于引线51a中并延续至岛部分52的接地焊接引线部分58上。
图8是沿图7中沿接地焊接金丝55a的箭头线E-E′得到的横截面图。如图8所示，在沿接地焊接金丝55a的纵向截面内，引线51a在通过树脂56密封的封装57内具有不连续结构。
更具体地说，构造引线51a中延续至岛部分52的接地焊接引线部分58，从而在矩形板主体中沿岛部分52设置矩形通孔，所述矩形板主体的具有长度“W”的边连接至岛部分52。引线51a的引线端子部分从隔着矩形通孔面对岛部分52的直线部分的侧面向外延伸。在具有这一结构的接地焊接引线部分58内，除了到引线端子部分的连接部分和到岛部分52的连接部分以外的直线部分的区域构成了丝焊区域58a。凭借这一结构，构造引线51a，使得在沿金丝55a的纵向截面内，延续到丝焊区域58a的横截面的树脂56的横截面出现在位于岛部分52一侧的丝焊区域58a处。也就是说，在沿金丝55a的纵向截面内，在位于岛部分52一侧的丝焊区域58a处，所形成的引线51a处于不连续状态。
此外，在引线51a中的接地焊接引线部分58内沿岛部分52设置矩形通孔，隔着矩形通孔面对岛部分52的直线部分的区域中除了到引线端子部分的连接部分和到岛部分52的连接部分以外的区域构成了丝焊区域58a。因此，在沿接地焊接金丝55a的封装57的纵向截面内，延续到丝焊区域58a的横截面的树脂56的横截面出现在丝焊区域58a的与岛部分52相反的一侧。也就是说，构造引线51a，使得延续至丝焊区域58a的引线51a在沿金丝55a的纵向截面内不存在于丝焊区域58a的与岛部分相反的一侧。
因此，在本实施例中，构造在其上安装了半导体芯片53的引线51a，使得延伸至丝焊区域58a的引线端子部分在沿接地焊接金丝55a的纵向截面内不存在于丝焊区域58a的与岛部分相反的一侧。此外，构造在其上安装了半导体芯片53的引线51a，使得延伸至丝焊区域58a的岛部分52在沿接地焊接金丝55a的纵向截面内不存在于位于岛部分52一侧的丝焊区域58a处。
因此，能够使处于金丝55a的纵向截面内的引线51a内的金丝55a的焊接部分的长度与接地焊接引线部分58中隔着通孔面对岛部分52的直线部分(丝焊区域58a)的宽度(图7中的水平长度)一样短，因而降低了由其间的线膨胀系数差异导致的在金丝55a的焊接部分和树脂56之间的界面内产生的应力。
更具体地说，根据本实施例，在丝焊区域58a和树脂56之间将不会发生相对侧滑移。因此，变得有可能防止在金丝55a的焊接部分内发生由周围温度的改变而发生的断裂。
此外，所形成的其上安装了半导体芯片53的引线51a中的接地焊接引线部分58的宽度W，即接地焊接引线部分58的边的长度，比引线端子部分的宽度W0宽。因此，能够在丝焊过程中可靠地实现框架夹持，从而获得金丝55a的良好的焊接状态。
第五实施例
图9是从顶部观察的角度示出了本实施例中的半导体器件的透视图。在图9中，在平面引线框架的引线61a的岛部分(管芯焊盘)62上安装半导体芯片63，将设置于半导体芯片63的表面上的丝焊电极64a到64d分别通过丝焊利用金丝65a到65d连接到引线61a到61d。此外，通过含有重量百分比大于等于20且小于等于90的填充物的树脂66密封半导体芯片63、金丝65a到65d以及引线61a到61d，以构成封装67。
在设置于半导体芯片63的表面上的丝焊电极64a到64d中的电极64a为接地焊接电极的情况下，通过金丝65a将接地焊接电极64a丝焊(接地焊接)到设置于引线61a中并延伸至岛部分62的接地焊接引线部分68上。
图10是沿图9中沿接地焊接金丝65a的箭头线F-F′得到的横截面图。如图10所示，在沿接地焊接金丝65a的纵向截面内，引线61a在通过树脂66密封的封装67内具有不连续结构。
更具体地说，构造引线61a中延续至岛部分62的接地焊接引线部分68，从而在矩形板主体中沿岛部分52平行设置两个矩形通孔，所述矩形板主体的具有长度“W”的边连接至岛部分62。两个矩形通孔之间的直线部分的、除了到岛部分62的连接部分以外的区域构成了丝焊区域68a。凭借这一结构，构造引线61a，使得在沿金丝65a的纵向截面内，延续到丝焊区域68a的横截面的树脂66的横截面出现在位于岛部分62一侧的丝焊区域68a处。也就是说，在沿金丝65a的纵向截面内，在位于岛部分62一侧的丝焊区域68a处，所形成的引线61a处于不连续状态。
此外，在引线61a的接地焊接引线部分68内沿岛部分62设置两个矩形通孔，两个通孔之间的除了到岛部分62的连接部分以外的区域构成了丝焊区域68a。因此，在沿接地焊接金丝65a的封装67的纵向截面内，延续到丝焊区域68a的横截面的树脂66的横截面出现在丝焊区域68a的与岛部分62相反的一侧。也就是说，构造引线61a，使得延续至丝焊区域68a的引线61a在沿金丝65a的纵向截面内不存在于丝焊区域68a的与岛部分相反的一侧。
因此，在本实施例中，构造在其上安装了半导体芯片63的引线61a，使得延伸至丝焊区域68a的引线端子部分在沿接地焊接金丝65a的纵向截面内不存在于丝焊区域68a的与岛部分相反的一侧。此外，构造在其上安装了半导体芯片63的引线61a，使得延伸至丝焊区域68a的岛部分62在沿接地焊接金丝65a的纵向截面内不存在于位于岛部分62一侧的丝焊区域68a处。
因此，能够使处于金丝65a的纵向截面内的引线61a内的金丝65a的焊接部分的长度与接地焊接引线部分68中两个通孔之间的直线部分(丝焊区域68a)的宽度(图9中的水平长度)一样短，因而降低了由其间的线膨胀系数差异导致的在金丝65a的焊接部分和树脂66之间的界面内产生的应力。
更具体地说，根据本实施例，在丝焊区域68a和树脂66之间将不会发生相对侧滑移。因此，变得有可能防止在金丝65a的焊接部分内发生因周围温度的改变而发生的断裂。
此外，所形成的其上安装了半导体芯片63的引线61a中的接地焊接引线部分68的宽度W，即接地焊接引线部分68的边的长度，比引线端子部分的宽度W0宽。因此，能够在丝焊过程中可靠地实现框架夹持，从而获得金丝65a的良好的焊接状态。
如上所述，根据每一实施例，变得有可能防止在其上安装了半导体芯片23到63的引线21a到61a中的丝焊区域28a到68a和树脂26到66之间的界面内，因为其间的线膨胀系数差异而产生相对侧滑移。因此，变得有可能消除引线21a到61a上的接地丝焊故障，并提供高度可靠的半导体器件，引线21a到61a具有用于在其上安装半导体芯片23到63的岛部分22到62。
此外，在每一实施例中，将丝焊区域28a到68a的宽度，即丝焊区域28a到68a在垂直于丝焊区域28a到68a的延伸方向的方向上的长度，设置为大于等于0.3mm且小于等于0.6mm。这可以确保该区域允许通过丝线25a到65a焊接。同时，通过丝焊区域28a到68a沿接地焊接金丝25a到65a的方向的形变释放了在丝焊区域和树脂26到66之间的界面内产生的微小应力，所述形变小到足以防止金丝25a到65a的破裂，因此，不会向丝焊区域28a到68a内的金丝25a到65a的焊接部分施加应力。
半导体芯片23到63的侧边尺寸达0.5mm到2.5mm，厚度达0.1mm到0.4mm，所述尺寸是半导体芯片的典型尺寸。在这种情况下，半导体芯片23到63的表面与树脂26到66的粘附性差，因此，在它们的界面内倾向于发生由应力导致的侧滑移。此外，半导体芯片23到63的尺寸越大，由应力导致的侧滑移的发生就会变得越显著。但是，在每一实施例中，可以沿金丝25a到65a使其上安装了半导体芯片23到63的引线21a到61a的部分的长度与岛部分22到62的宽度一样短，这使得减少在其上安装了半导体芯片23到63的引线21a到61a的部分和树脂26到66之间产生的由其间的线膨胀系数差异导致的应力，以及进而减少在半导体芯片23到63和树脂26到66之间的界面内产生的应力成为了可能。
因此，能够抑制在半导体芯片23到63和树脂26到66之间的界面内产生的侧滑移，并且能够确保半导体芯片23到63内金丝25a到65a的焊接部分的可靠性。
在每一实施例中，用于密封半导体芯片23到63、金丝25a到25d、35a到35d、45a到 45d、55a到 55d、65a到 65d以及引线21a到 21d、31a到 31d、41a到41d、51a到51d、61a到61d的树脂26到66含有重量百分比大于等于20且小于等于90的填充物。
在用于光通信设备等的半导体器件中，由于需要传输光，因此采用半透明(透明)树脂进行树脂密封。在那种情况下，向树脂中添加填充物损害了半透明度，因此，一般说来，半透明树脂几乎不含有填充物。
但是，每一实施例的目的在于提供一种半导体器件，所述半导体器件即使在500次或更多次处于-40℃到120℃之间的范围内的温度变化周期的严峻条件下也能免于丝线断裂，使得所述半导体器件适用于车内设备，因此，为了获得就丝线断裂而言的高可靠性，密封树脂(在每一实施例中采用的是热固性环氧树脂)26到66含有填充物，以降低树脂26到66的线膨胀系数。
采用透明二氧化硅(SiO2)作为每一实施例中的树脂26到66中包含的填充物，所述的透明二氧化硅具有大体上为球体的形状(直径大约为70μm)，并带有光滑表面，从而使对树脂26到66的半透明度的损害最小化。在这些条件下，将树脂26到66中的填充物含量设定为大于等于20个重量百分比，从而能够将热固性环氧树脂26到66的线膨胀系数从没有填充物的6.2×10-5的线膨胀系数降低，并在没有大幅度破坏半透明度的情况下更加接近引线21a到61a的线膨胀系数(就基于铜的合金而言为1.7×10-5)。因而，能够在金丝25a到65a的焊接部分中进一步减少破裂的发生。
需要注意的是，二氧化硅(SiO2)为透明材料，其形状排布为具有光滑表面的大体为球体的形状。因此，即使热固性环氧树脂26到66中的填充物含量大于等于90个重量百分比，热固性环氧树脂26到56也能起到半透明树脂的作用。但是，考虑到使光敏半导体器件获得使其充分发挥功能的足够的半透明度、保持低制造成本等因素，填充物含量应当优选小于等于90个重量百分比。
尽管在每一实施例中，采用填充物的重量百分比大于等于20且小于等于90的热固性环氧树脂作为密封树脂26到66，以构成封装27到57，但是也可以采用其他热固性树脂、热塑性树脂和冷固化(cold setting)树脂。
此外，包括岛部分、接地焊接引线部分和引线端子部分的每一引线框架由基于铜或基于铁的合金形成，至少为每一接地焊接引线部分的用于连接每一金丝的区域提供适于丝焊的镀覆(plating)。因此，能够更为可靠地实现将每一金丝焊接到每一焊接引线部分，并且能够更为可靠地防止在每一金丝的焊接部分内发生破裂。
此外，在每一实施例中，既完成了第一结构又完成了第二结构，在第一结构中，在沿接地焊接金丝25a到65a的纵向截面内，延续到丝焊区域28a到68a的引线端子部分不存在于丝焊区域28a到68a的与岛部分相反的一侧，在第二结构中，在沿接地焊接金丝25a到65a的纵向截面内，延续到丝焊区域28a到68a的岛部分22到62不存在位于岛部分22到62一侧的丝焊区域28a到68a处。不过，仅凭借第一结构就能充分解决问题。
此外，根据每一实施例，在接地焊接丝线的焊接部分内，消除热循环试验期间以及在环境温度变化的作用下由线膨胀系数的差异导致的断路故障成为了可能。
此外，在第三实施例中，引线41a中的接地焊接引线部分48由以螺旋状按顺序连接的五个直线部分构成。但是，以螺旋状连接的直线部分的数量不限于五个。
此外，在每一实施例中，已经通过实例对本发明进行了描述，在实例中将本发明用于接地焊接目的。但是，应当自然地理解，除了接地焊接以外，本发明适用于普遍的丝焊。
此外，每一实施例中的半导体器件所适用的电子设备包括：数字TV(电视)、数字BS(广播卫星)调谐器、CS(通信卫星)调谐器、DVD(数字通用光盘)播放机、CD(光盘)播放机、AV(音频-视频)放大器、音响(audios)、个人计算机、个人计算机外围设备、便携式电话以及PDA(个人数字助理)。此外，每一实施例中的半导体器件还适用于处于具有宽工作温度范围的环境内的电子设备，例如包括汽车音响的车内设备、汽车导航系统和传感器以及工厂所采用的机器人传感器和控制设备。
这样描述了本发明的实施例，显然，它们可以用许多方式改变。不应将这样的改变视为背离本发明的精神和范围，对于本领域技术人员而言显而易见的所有的这样的改变都旨在被包含在权利要求的范围内。

Claims (15)

1.一种半导体器件，包括：
引线，其包括其上安装了半导体芯片的岛部分、延续至所述岛部分的接地焊接引线部分和延续至所述接地焊接引线部分的引线端子部分；
丝线，其用于电连接设置于所述半导体芯片上的电极和所述接地焊接引线部分；以及
树脂，其密封所述半导体芯片、所述引线和所述丝线，并且含有大于等于20个重量百分比且小于等于90个重量百分比的填充物，
其中，在沿所述丝线，垂直于所述岛部分内的所述半导体芯片的安装表面的横截面内，延续至所述接地焊接引线部分的横截面的所述树脂的横截面出现在所述接地焊接引线部分的与所述岛部分相反的一侧。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述填充物具有带有光滑表面的为球体的形状。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，
其中，在沿所述丝线、垂直于所述岛部分内的所述半导体芯片的安装表面的横截面内，延续至所述接地焊接引线部分的横截面的所述树脂的横截面出现在位于所述岛部分一侧的接地焊接引线部分处。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，
其中，所述接地焊接引线部分包括：
第一直线部分，其形成为直线形状，并且一个端部连接至所述岛部分；以及
第二直线部分，其形成为直线形状，并且一个端部连接至所述第一直线部分的另一端部部分，从而沿所述岛部分延伸，
其中，所述第二直线部分的所述一个端部侧连接至所述引线端子部分，而所述第二直线部分的顶端部分具有用于连接所述丝线的丝焊区域。
5.根据权利要求3所述的半导体器件，
其中，所述接地焊接引线部分包括：
第一直线部分，其形成为直线形状，并且一个端部连接至所述岛部分；
第二直线部分，其形成为直线形状，并且一个端部连接至所述第一直线部分的另一端部部分，从而沿所述岛部分延伸；以及
第三直线部分，其形成为直线形状，并且一个端部连接至所述第二直线部分的另一端部部分，从而朝所述岛部分延伸，
其中，所述第二直线部分的所述一个端部侧连接至所述引线端子部分，并且
其中，所述第三直线部分的顶端部分具有为连接所述丝线而设置的丝焊区域。
6.根据权利要求3所述的半导体器件，
其中，构造所述接地焊接引线部分，从而将形成为直线形状的四个或更多直线部分连接为螺旋状，在连接成螺旋状的多个直线部分中位于最前部的最外侧直线部分的顶端连接至所述岛部分，在连接成螺旋状的多个直线部分中离所述岛部分最远的直线部分连接至所述引线端子部分，并且
其中，在连接成螺旋状的多个直线部分中，位于后部的最内部直线部分的顶端部分具有为连接所述丝线而设置的丝焊区域。
7.根据权利要求3所述的半导体器件，
其中，构造所述接地焊接引线部分，从而将比所述引线端子部分的一侧宽的矩形主体的一侧连接至所述引线端子部分，而与该侧相反的一侧连接至所述岛部分，所述矩形主体具有沿所述岛部分设置的矩形通孔，并且
其中，在隔着所述通孔面对所述岛部分的所述矩形主体的、除了到所述引线端子部分的连接部分和到所述岛部分的连接部分以外的区域内设置用于连接所述丝线的丝焊区域。
8.根据权利要求3所述的半导体器件，
其中，构造所述接地焊接引线部分，从而将比所述引线端子部分的一侧宽的矩形主体的一侧连接至所述引线端子部分，而与该侧相反的一侧连接至所述岛部分，所述矩形主体具有沿所述岛部分设置的两个矩形通孔，并且
其中，在除了到所述岛部分的连接部分以外的、所述矩形主体中的所述两个通孔之间的区域内设置用于连接所述丝线的丝焊区域。
9.根据权利要求3所述的半导体器件，
其中，所述接地焊接引线部分具有用于连接所述丝线的丝焊区域，并且
其中，所述丝焊区域的宽度为大于等于0.3mm且小于等于0.6mm。
10.根据权利要求3所述的半导体器件，
其中，所述半导体芯片的尺寸为边长大于等于0.5mm且小于等于2.5mm，厚度大于等于0.1mm且小于等于0.4mm。
11.在根据权利要求1到10的任何一项的半导体器件中采用的引线框架，所述引线框架包括：
岛部分，将在其上安装半导体芯片；
接地焊接引线部分，其延续至所述岛部分，并且将通过丝线被电连接到设置于所述半导体芯片上的电极上；以及
引线端子部分，其延续至所述接地焊接引线部分，并且在所述岛部分的相反侧延伸，
其中，在垂直于所述岛部分内的所述半导体芯片的安装表面、并且贯穿所述接地焊接引线部分和所述岛部分的横截面内，所述接地焊接引线部分具有未延续至所述岛部分和所述引线端子部分的区域。
12.根据权利要求11所述的引线框架，
未延续至所述岛部分和所述引线端子部分的所述接地焊接引线部分的区域由远离所述岛部分并且在与所述引线端子部分的延伸方向相交的方向上比所述引线端子部分突出得更多的突出部分构成。
13.根据权利要求11所述的引线框架，
其中，所述接地焊接引线部分具有沿所述岛部分延伸的通孔，并且
其中，未延续至所述岛部分和所述引线端子部分的所述接地焊接引线部分的区域由隔着所述通孔面对所述岛部分的区域构成。
14.根据权利要求11所述的引线框架，
其中，包括所述岛部分、所述接地焊接引线部分和所述引线端子部分的所述引线框架由基于铜或基于铁的合金形成，并且
其中，至少为向其连接所述丝线的所述接地焊接引线部分的区域提供适于丝焊的镀覆。
15.采用根据权利要求1到10中的任何一项的半导体器件的电子设备。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4705881B2 (ja) * 2006-05-09 2011-06-22 パナソニック株式会社 リードフレーム及びそれを用いた半導体装置
JP5572622B2 (ja) 2009-05-15 2014-08-13 ローム株式会社 半導体装置
JP6368682B2 (ja) 2015-04-24 2018-08-01 株式会社東芝 光結合装置
EP4227987A4 (en) * 2020-10-12 2023-11-22 Mitsubishi Electric Corporation SEMICONDUCTOR MODULE

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6208017B1 (en) * 1994-10-07 2001-03-27 Nec Corporation Semiconductor device with lead-on-chip structure
JP3337526B2 (ja) * 1993-07-21 2002-10-21 ローム株式会社 パッケージ型半導体部品の構造
CN100382286C (zh) * 2004-09-22 2008-04-16 夏普株式会社 光半导体装置、光通信装置和电子设备

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS451137Y1 (zh) 1967-06-23 1970-01-19
JPS51156763U (zh) 1975-05-07 1976-12-14
JPS553641A (en) 1978-06-23 1980-01-11 Hitachi Ltd Lead frame
JPS5961950A (ja) 1982-10-01 1984-04-09 Hitachi Ltd 半導体装置およびその組立に用いるリ−ドフレ−ム
JPH0546280Y2 (zh) 1987-04-20 1993-12-03
JPH04188859A (ja) 1990-11-22 1992-07-07 Mitsubishi Electric Corp リードフレーム
JPH06224357A (ja) 1993-01-26 1994-08-12 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置
JP3205660B2 (ja) 1994-03-08 2001-09-04 シャープ株式会社 半導体装置およびリモコン受光装置
JP3531970B2 (ja) 1994-05-16 2004-05-31 フィガロ技研株式会社 ガスまたは湿度を検出するセンサ
JPH0888313A (ja) 1994-09-14 1996-04-02 Oki Electric Ind Co Ltd 樹脂封止型半導体装置
JP4080582B2 (ja) 1997-12-22 2008-04-23 株式会社東芝 半導体集積回路装置
JP3356680B2 (ja) 1998-04-10 2002-12-16 日本電気株式会社 リードフレーム及び半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP4611503B2 (ja) 2000-09-27 2011-01-12 ローム株式会社 半導体装置
CN1269198C (zh) * 2000-09-29 2006-08-09 日立化成工业株式会社 树脂密封型半导体装置及使用的芯片焊接材料和密封材料
JP2004200350A (ja) 2002-12-18 2004-07-15 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体用リードフレーム及びそれを用いた半導体装置
MY134219A (en) * 2003-03-11 2007-11-30 Sumitomo Bakelite Co Resin composition for encapsulating semiconductor chip and semiconductor device therewith
TWI280673B (en) * 2004-09-22 2007-05-01 Sharp Kk Optical semiconductor device, optical communication device, and electronic equipment

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3337526B2 (ja) * 1993-07-21 2002-10-21 ローム株式会社 パッケージ型半導体部品の構造
US6208017B1 (en) * 1994-10-07 2001-03-27 Nec Corporation Semiconductor device with lead-on-chip structure
CN100382286C (zh) * 2004-09-22 2008-04-16 夏普株式会社 光半导体装置、光通信装置和电子设备

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特许第3337526号B2 2002.08.09

Also Published As

Publication number Publication date
US7589399B2 (en) 2009-09-15
JP2007059786A (ja) 2007-03-08
US20070052073A1 (en) 2007-03-08
JP4255934B2 (ja) 2009-04-22
CN1921092A (zh) 2007-02-28

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