JP3356680B2 - リードフレーム及び半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

リードフレーム及び半導体装置及び半導体装置の製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレーム及
び半導体装置とその製造方法に関するものであり、特に
詳しくは、半導体装置に於ける封止樹脂によるそりの問
題、及びボンディング部の剥がれの問題を解決する事が
出来るリードフレーム及び半導体装置とその製造方法に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来から、本発明に於ける封止樹脂によ
る歪みが原因で、半導体装置がそり等の変形を発生した
り、封止樹脂割れを発生したりする事があり、その為、
当該半導体装置のチップの上面と下面を構成する当該封
止樹脂の厚みを等しくする様に設計が行われており、
又、当該半導体装置に於けるアウターリード部の配置位
置も、当該半導体装置の全体の厚みに対して略中央部か
ら当該半導体装置から外部に出てくる様に設計されてい
る。
【0003】その為の具体例としては、例えば、図3に
示す様に、リードフレーム1のアイランド部2に接続す
る吊りピン部3若しくはリード部4の一部若しくは全部
に、デプレス処理加工を施して形成した屈曲部5を形成
し、当該アイランド部2を該リードフレームの平面より
も、例えば、当該半導体装置のチップの厚みの少なくと
も略半分の長さだけ凹ませたリードフレーム1が使用さ
れている。
【0004】尚、12は当該チップ3の通常の信号端子
部とボンディング処理される信号線用のインナーリード
である。然しながら、係る構成を有するリードフレーム
1のアイランド部2に所定のチップ6を搭載し、そのま
ま当該チップ6の所定の端子部と当該吊りピン部3若し
くはリード部4との間にワイヤー7をボンディングする
操作を行っている。
【0005】然しながら、かかる操作に於いては、図4
に示す様に、通常は、ヒータープレート8上にチップ6
を搭載したリードフレーム1が置かれ、リードフレーム
1の反対側がワークホルダー9により固定されている。
従来に於ける当該リードフレームの段差状の屈曲部5の
凹み量Dpとヒータープレート8の掘り込み量Hとでは
50μm程度ヒータープレート8の掘り込み量Hの方が
浅くなっているため、ボンディングが行われる当該アイ
ランド部2に接続されたリード部4はヒータープレート
8の表面から浮いた状態となり易く、従って、ボンディ
ング時にリードが完全に固定されておらず、変位する事
が原因で、ボンディング部が剥がれると言う現象が多発
し易く、歩止まりが低下する原因となっていた。
【0006】つまり、当該リードフレーム1の段差状の
屈曲部5の凹み量Dpは製造時にバラツキが生じるた
め、例えば、設計値よりも深めに出来上がった場合には
ヒータープレート8の掘り込み量Hとの差が大きくな
り、ボンディング部の裏面とヒータープレートの隙間が
さらに大きくなり、ボンディング部の剥がれが発生す
る。この場合のボンディング部の剥がれの発生率は、一
般的に約7%である。
【0007】尚、特許第2536290号公報には、当
該アイランド部を支持する吊りピンに屈曲部を設ける事
が記載されているが、本発明の様なボンディング処理に
於けるボンディング剥がれを防止する技術に関しては全
くの開示がなく、又特開平4−56143号公報には、
アイランド部を支持する吊りピンを二股状に形成する事
が記載されているが、当該二股状の吊りピン部を何れも
アイランド部に接続せしめる構造であり、本発明の様な
ボンディング処理に於けるボンディング剥がれを防止す
る技術に関しては全くの開示はない。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、上記した従来技術の欠点を改良し、ボンディング部
の剥がれ現象を極力抑え、ボンディング不良により発生
する半導体装置の歩止まりを向上する事が可能なリード
フレーム及びそれを使用した半導体装置を提供するもの
である。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、基本的には以下に記載されたような技術
構成を採用するものである。即ち、本発明に係る第1の
態様としては、少なくともアイランド部に接続されてい
る一部の吊りピン部若しくはリード部の一部に補助ボン
ディング部を設けると共に、前記吊りピン部若しくはリ
ード部の前記アイランド部の近傍位置に段差部が形成さ
れ、然も前記補助ボンディング部は、前記吊りピン部若
しくはリード部の一部から分岐状に一体的に形成されて
いるものであり、且つ前記分岐状形成部は、前記段差部
に対して前記アイランド部側とは反対側の前記吊りピン
部若しくはリード部に形成されているものであって、前
記補助ボンディング部はヒータープレートと密着する位
置に形成されたリードフレームであり、又本発明に係る
第2の態様としては、上記したリードフレームを使用
し、前記アイランド部に搭載されているチップの端子部
前記補助ボンディング部との間でボンディングが形成
されている半導体装置である。
【0010】更に本発明に係る第3の態様としては、上
記したリードフレームの当該アイランド部に所定のチッ
プを搭載した後、当該リードフレームの一面をヒーター
プレート上に搭載されると同時に当該リードフレームの
他面からワークホルダーを押圧して、その状態でボンデ
ィング処理を行うに際し、当該ワークホルダーの先端部
の位置を当該補助ボンディング部と当該吊りピン部若し
くはリード部との分岐部よりもアイランド部側に位置す
る様に配置する半導体装置の製造方法である。
【0011】
【発明の実施の形態】本発明にかかる当該リードフレー
ム及び半導体装置は、上記したような構成を採用してお
り、その特徴は、アイランド接続されたグランドリード
または吊りピンが二又化若しくはそれ以上の分岐状態に
形成されているリードフレームを用い、二又化されたリ
ードの一方をアイランドに接続し、もう一方にワイヤー
ボンディングを行ったことによって、当該リードフレー
ムの当該吊りピン部若しくはリード部に形成される屈曲
部の深さDpのバラツキとヒータープレートの掘り込み
量Hの差によるボンディングされる当該吊りピン部若し
くはリード部とヒータープレートとの隙間を無くすこと
が可能となり、安定したボンディング性が得られる。
【0012】
【実施例】以下に、本発明に係るリードフレーム、半導
体装置及び前記半導体装置の製造方法の具体例を図面を
参照しながら詳細に説明する。即ち、図1は、本発明に
係るリードフレームの動き検出装置の一具体例の構造を
示す平面図であり、図中、少なくともアイランド部
接続されている一部の吊りピン部3若しくはリード部4
の一部に、補助ボンディング部10を設けると共に、前
記吊りピン部3若しくはリード部4の前記アイランド部
2の近傍位置には、段差部5が形成されているものであ
って、然も前記補助ボンディング部10は、前記吊りピ
ン部3若しくはリード部4の一部から分岐状11に一体
的に形成されているものであり、且つ前記分岐状形成部
11は、前記段差部5に対して前アイランド部側2と
は反対側の前記吊りピン部3若しくはリード部4に形成
されているリードフレーム1が示されている。
【0013】つまり、本発明に係る当該リードフレーム
1に於いて使用される当該補助ボンディング部10は、
例えば図1に示す様に、当該吊りピン部3若しくはリー
ド部4の一部から分岐状に枝分かれした形状を有し且つ
当該吊りピン部3若しくはリード部4とは一体的に形成
されているものである事が好ましい。図1に於いては、
当該アイランド部2は、それぞれに所定の段差部である
屈曲部5が形成された2本の当該吊りピン部3と2本の
リード部4によって当該リードフレーム1に保持されて
いる例を示しているが、係る吊りピン部若しくはリード
部の本数、形状は任意である。
【0014】当該補助ボンディング部10の形状及び個
数は特に限定はされないが、図1に示す様に、当該リー
ド部4の一側面に一個の当該補助ボンディング部10を
枝分かれ状に形成したものであっても良く、又当該リー
ド部4の両側にそれぞれ一個ずつ形成したものであって
も良い。場合によっては、一個の当該リード部4に3個
若しくは3個以上の当該補助ボンディング部10を形成
する事も可能である。
【0015】係る条件は、当該吊りピン部3に付いても
同様の事が言える。つまり、当該補助ボンディング部1
0の個数は、当該アイランド部2に搭載されたチップに
設けられている端子の数に応じて適宜決定すれば良い。
本発明に於ける当該補助ボンディング部10の機能とし
ては、当該吊りピン部3若しくはリード部4の本体部と
は異なる挙動を示す様に構成されている必要がある。
【0016】具体的には、後述する様に、ワイヤーをボ
ンディングするに際し、当該吊りピン部3若しくはリー
ド部4の本体部が形成する平面と当該補助ボンディング
部10が形成する平面とが異なる様に設計されている事
が望ましい。本発明に於ける当該吊りピン部3若しくは
リード部4は、グランド用端子を構成するものである事
が望ましい。
【0017】又、本発明に於いて、当該吊りピン部3若
しくはリード部4の一部には、段差部5が形成されてい
るものである。従って、本発明により製造される半導体
装置としては、上記した様な構成を有するリードフレー
ム1を使用し、当該アイランド部2に搭載されているチ
ップ6の端子部と該補助ボンディング部10との間で、
所定のワイヤ7によるボンディングが形成されているも
のである。
【0018】又、本発明に係る当該半導体装置の製造方
法の一具体例としては、例えば、図2に示す様に、上記
した構成を有するリードフレーム1の当該アイランド部
2に所定のチップ6を搭載した後、当該リードフレーム
1の一面をヒータープレート8上に搭載せしめると同時
に、当該リードフレーム1の他面からワークホルダー9
を押圧して、その状態でボンディング処理を行うに際
し、当該ワークホルダー9の先端部の位置を当該補助ボ
ンディング部10と当該吊りピン部3若しくはリード部
4との分岐部11よりもアイランド部2側に位置する様
に配置してボンディング処理を実行するものである。
【0019】係るボンディング処理を実行する際には、
上記した様に、当該補助ボンディング部10と当該吊り
ピン部3若しくはリード部4とが互いに異なる挙動を示
し、互いに異なる平面を形成する様に構成しているか
ら、当該補助ボンディング部10が当該ヒータープレー
ト8の表面に平行に配置され、当該吊りピン部3若しく
はリード部4の少なくとも一部は当該ヒータープレート
8の表面から離反している状態を顕出させ、その状態で
当該補助ボンディング部10にボンディング処理を行う
ものである。
【0020】本発明に係る当該半導体装置の製造方法を
より詳細に説明するならば、図2はボンディング時の断
面図であって、図2(A)は、図1のa−a線でみたア
イランド接続部の断面図であり、図2(B)は図1のb
−b線でみた補助ボンディング部10のの断面図であ
る。そして当該図2(A)及び図2(B)には、ヒータ
ープレート8上にチップ6を搭載したリードフレーム1
が置かれ、リードフレーム1のリードフレームの反対側
がワークホルダー9により固定されている状態を示して
いる。
【0021】図に於いて、ヒータープレート8にはリー
ドフレーム1の当該屈曲部5の深さDpに応じて、深さ
Hの掘り込み部が設けられているが、ヒータープレート
8の掘り込み量Hは、アイランド部2とヒータープレー
ト8が完全に接することが出来るように、リードフレー
ム1の屈曲部の深さDp量よりも50μm程度浅く造ら
れている。
【0022】そのために、アイランド部2に接続された
当該吊りピン部3若しくはリード部4は当該ヒータープ
レート8の表面より持ち上げられる形となりヒータープ
レート8と当該吊りピン部3若しくはリード部4の間に
は、図2(A)に示す様に隙間が出来るようになるので
上記した問題が発生する。しかし、本発明に於いては、
ボンディングを行うリードの先端部は、アイランド接続
された当該吊りピン部3若しくはリード部4から枝分か
れした、補助ボンディング部10を形成しており、かつ
二又化した箇所よりも先端寄りの部分をワークホルダー
9で固定することにより、図2(B)に示す様に、補助
ボンディング部10とヒータープレート8の間に隙間が
出来ることが無く、ボンディングの際にボンディング剥
がれが発生せず安定したボンディングを行うことが出来
る。
【0023】本発明に於いては、当該リードフレームに
おいて、特にグランドリードが二又以上に枝分かれして
おり、そのリード部の一方がアイランド接続され、又リ
ード部の他方がGndパッドとワイヤーで電気的に接続
されている。また、アイランド部2に接続された当該吊
りピン部3若しくはリード部4はアイランドと位置を合
わせるために、屈曲部5が施されているものであって、
リードの枝分かれしている箇所11は、出来る限りアイ
ランドから離れた位置に設ける事が望ましい。
【0024】本発明に於いては、このようにアイランド
ボンディングが必要な当該吊りピン部若しくはリード部
を二又化若しくはそれ以上の分岐構成にすることで、屈
曲部の深さのバラツキとヒータープレートの掘り込み量
の差によるボンディング部とヒータープレートとの隙間
の発生を防止することが可能となり、安定したボンディ
ング性が得られる。
【0025】図5は、本発明に係るリードフレームの他
の具体例を示すものであり、図中、アイランドボンディ
ングを行うのに、特に吊りピン3を用いている例を示し
ている。即ち、本具体例に於いては、吊りピン3へのボ
ンディングも当該吊りピンに屈曲部5が施されているの
で、ボンディング部がヒータープレート8から浮くこと
を防止するために吊りピン3の途中から枝分かれした補
助ボンディング部10が設けられているものである。
【0026】当該枝分かれしている位置11はワークホ
ルダー9の固定位置よりも後方(アイランドよりも遠
方)であることが望ましい。
【0027】
【発明の効果】本発明に係る当該リードフレーム及び半
導体装置は、上記した様な技術構成を採用しているの
で、アイランドに接続された当該吊りピン部3若しくは
リード部4が二又以上に枝分かれした補助ボンディング
部10を構成し当該枝分かれしたリードにボンディング
することにより、アイランド接続されたリードとヒータ
ープレート8との隙間の影響を無くし、枝分かれしたリ
ードへのボンディング剥がれの無い安定したボンディン
グが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明に係るリードフレームの一具体
例の構成を示す平面図である。
【図2】図2は、本発明に係るリードフレームを用いて
ボンディング処理する場合の状態を示す断面図であり、
図2(A)は、図1に於けるa−a線で見た断面図であ
り、図2(B)は、図1に於けるb−b線で見た断面図
である。
【図3】図3は、従来のリードフレームの構成の一具体
例を示す平面図である。
【図4】図4は、従来のリードフレームを使用してボン
ディング処理した場合の問題点を説明する断面図であ
る。
【図5】図5は、本発明に係るリードフレームの他の具
体例の構成を示す平面図である。
【符号の説明】
1…リードフレーム 2…アイランド部 3…吊りピン部 4…リード部 5…屈曲部 6…チップ 7…ワイヤー 8…ヒータープレート 9…ワークホルダー 10…補助ボンディング部 11…分岐部 12…インナーリード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−90943(JP,A) 特開 昭60−107851(JP,A) 特開 平6−314765(JP,A) 実開 平4−74460(JP,U) 実開 昭54−65664(JP,U) 実開 昭64−2439(JP,U)

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくともアイランド部に接続されてい
    る一部の吊りピン部若しくはリード部の一部に補助ボン
    ディング部を設けると共に、前記吊りピン部若しくはリ
    ード部の前記アイランド部の近傍位置に段差部が形成さ
    れ、然も前記補助ボンディング部は、前記吊りピン部若
    しくはリード部の一部から分岐状に一体的に形成されて
    いるものであり、且つ前記分岐状形成部は、前記段差部
    に対して前記アイランド部側とは反対側の前記吊りピン
    部若しくはリード部に形成されているものであって、前
    記補助ボンディング部はヒータープレートと密着する位
    置に形成されたことを特徴とするリードフレーム。
  2. 【請求項2】 前記補助ボンディング部は、前記吊りピ
    ン部若しくはリード部の本体部とは異なる挙動が可能で
    ある様に構成されている事を特徴とする請求項1記載の
    リードフレーム
  3. 【請求項3】 前記補助ボンディング部は、前記吊りピ
    ン部若しくはリード部から二又若しくは二又以上に枝わ
    かれする様に構成されている事を特徴とする請求項1又
    は2の何れか1項に記載のリードフレーム。
  4. 【請求項4】 前記補助ボンディング部が形成する平面
    は、ヒータープレートの表面と平行な面を形成する事を
    特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載のリード
    フレーム。
  5. 【請求項5】 前記吊りピン部若しくはリード部は、グ
    ランド用端子を構成するものである事を特徴とする請求
    項1乃至4の何れか1項に記載のリードフレーム。
  6. 【請求項6】 請求項1乃至5の何れか1項に記載され
    たリードフレームを使用し、前記アイランド部に搭載さ
    れているチップの端子部と前記補助ボンディング部との
    間でボンディングが形成されている事を特徴とする半導
    体装置。
  7. 【請求項7】 請求項1乃至5の何れか1項に記載され
    たリードフレームの前記アイランド部に所定のチップを
    搭載した後、前記リードフレームの一面をヒータープレ
    ート上に搭載されると同時に前記リードフレームの他面
    からワークホルダーを押圧して、その状態でボンディン
    グ処理を行うに際し、前記ワークホルダーの先端部の位
    置を前記補助ボンディング部と当該吊りピン部若しくは
    リード部との分岐部よりもアイランド部側に位置する様
    に配置する事を特徴とする半導体装置の製造方法。
  8. 【請求項8】 前記補助ボンディング部が前記ヒーター
    プレートの表面に平行に配置され、前記吊りピン部若し
    くはリード部の少なくとも一部は前記ヒータープレート
    の表面から離反している様に構成し、その状態で前記補
    助ボンディング部にボンディング処理を行う事を特徴と
    する請求項7記載の半導体装置の製造方法。
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