CN1884198A - 铌钽酸钾钠基压电陶瓷及其制备方法 - Google Patents
铌钽酸钾钠基压电陶瓷及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1884198A CN1884198A CN200610043041.4A CN200610043041A CN1884198A CN 1884198 A CN1884198 A CN 1884198A CN 200610043041 A CN200610043041 A CN 200610043041A CN 1884198 A CN1884198 A CN 1884198A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- base
- sodium potassium
- niobate
- ball
- ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 48
- BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N potassiosodium Chemical compound [Na].[K] BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 38
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 22
- 235000015895 biscuits Nutrition 0.000 claims abstract description 13
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Substances [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 11
- 235000015320 potassium carbonate Nutrition 0.000 claims abstract description 11
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 19
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 claims description 17
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 235000017550 sodium carbonate Nutrition 0.000 claims description 10
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 8
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 7
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 229960000935 dehydrated alcohol Drugs 0.000 claims description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 6
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 claims description 6
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 claims description 6
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 claims description 6
- 238000002791 soaking Methods 0.000 claims description 6
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims description 6
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract 1
- 229940072033 potash Drugs 0.000 abstract 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 8
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 7
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 6
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N antimony(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Sb+3].[Sb+3] GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N copper(II) nitrate Chemical compound [Cu+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SXTLQDJHRPXDSB-UHFFFAOYSA-N copper;dinitrate;trihydrate Chemical compound O.O.O.[Cu+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O SXTLQDJHRPXDSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L lithium carbonate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]C([O-])=O XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
本发明公开了一种铌钽酸钾钠基压电陶瓷，其原材料为碳酸钾、碳酸钠、氧化铌、氧化钽的基料以及占基料量0.2～0.8mol％的Cu2+、Sb5+、Sn4+、Li+离子任一种或者任几种，基料化学计量比为(K1－xNax)(Nb1－yTay)O3，其中(x＝0.1～0.9，y＝0.01～0.30)。本发明还公开了上述铌钽酸钾钠基压电陶瓷的制备方法，将上述原料装入球磨罐中球磨混合后合成，合成温度为800～900℃，保温时间为4～10h；将所得熟料二次球磨后，冷等静压50～100MPa压力下压成圆片素坯；1000℃～1200℃的温度下保温2～4h叠片烧结成陶瓷；烧渗银电极、极化。本发明通过在陶瓷烧结过程中掺杂Cu2+，Sb5+，Sn4+或Li+离子任一种或者任几种，提高了铌酸钾钠基压电陶瓷的整体电学性能，机械品质因数由现有技术的约为100提高到979，机电耦合系数从0.36提高到0.41。
Description
技术领域
本发明涉及一种铌钽酸钾钠基压电陶瓷，还涉及铌钽酸钾钠基压电陶瓷的制备方法。
背景技术
压电陶瓷材料具有化学性质稳定，易于制备且能制得各种形状、尺寸和任意极化方向的产品，能通过掺杂或置换取代改性得到适合不同需要的具有不同特性的陶瓷，并且价格低廉，因而得到广泛应用。
在众多的无铅压电陶瓷当中(KxNa1-x)NbO3基压电陶瓷目前被认为是最有潜在应用前景的压电陶瓷材料。文献“Alkaline-earth doping in(K，Na)NbO3 based piezoceramics，Journal ofthe European Ceramic Society 25(2005)2707-2711”中报道了一种利用传统陶瓷的制备方法制备配方为(K0.5Na0.5)1-2yAEyNbO3，AE＝Mg，Ca，Sr，Ba，y＝0.005的压电陶瓷，该材料的介电常数ε约为500，压电常数d33约为100。
文献“(Na0.5K0.5)NbO3-LiTaO3 lead-free piezoelectric ceramics，Materials Letters 59(2005)241-244”报道了利用传统陶瓷的制备方法制备配方为(1-x)(Na0.5K0.5)NbO3-xLiTaO3压电陶瓷，该材料的介电常数ε约为600，压电常数d33约为200，机电耦合系数kp达到了0.36。
中国专利CN02128111.4公开了一种利用传统陶瓷制备工艺制备配方为(LixNayK1-x-y)(Nb1-xRx)O3压电陶瓷，该材料的介电常数ε约为500，压电常数d33达到了150，机电耦合系数kp达到了0.27。
上述文献中报道的铌酸盐类压电陶瓷中机械品质因数很低，约为100，机电耦合系数也偏低，使得该体系压电陶瓷材料的普遍应用受到限制。
发明内容
为了克服现有技术铌酸盐类压电陶瓷机械品质因数低、机电耦合系数低的不足，本发明提供一种铌钽酸钾钠基压电陶瓷，通过掺杂Cu2+，Sb5+，Sn4+和Li+金属离子，提高铌酸盐类压电陶瓷的机械品质因数和机电耦合系数。
本发明还提供这种铌钽酸钾钠基压电陶瓷的制备方法。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种铌钽酸钾钠基压电陶瓷，其原材料为碳酸钾、碳酸钠、氧化铌、氧化钽的基料以及占合成基体量0.2～0.8mol％的Cu2+、Sb5+、Sn4+、Li+离子任一种或者任几种，基料化学计量比为(K1-xNax)(Nb1-yTay)O3，其中，x＝0.1～0.9，y＝0.01～0.30。
一种上述铌钽酸钾钠基压电陶瓷的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：
1)将基料碳酸钾、碳酸钠、氧化铌、氧化钽按化学计量比(K1-xNax)(Nb1-yTay)O3，其中x＝0.1～0.9，y＝0.01～0.30配料，加入占合成基体0.2～0.8mol％的Cu2+、Sb5+、Sn4+、Li+离子；
2)将步骤1)所述原料装入有玛瑙球的球磨罐中，以无水乙醇为球磨介质，球磨12h后合成，合成温度为800～900℃，保温时间为4～10h；
3)将步骤2)所制得的熟料二次球磨24h后，冷等静压50～100MPa压力下压成圆片素坯；
4)素坯在空气中，1000℃～1200℃的温度下保温2～4h叠片烧结成陶瓷；
5)将步骤4)获得的陶瓷精修后550℃烧渗银电极，然后在100～150℃的硅油中施加2～3kV/mm的直流电场极化15～30分钟。
本发明的有益效果是，由于通过在陶瓷烧结过程中掺杂Cu2+，Sb5+，Sn4+或Li+离子任一种或者任几种，提高了铌酸钾钠基压电陶瓷的整体电学性能，机械品质因数由现有技术的约为100提高到979，机电耦合系数从0.36提高到0.41。
下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。
附图说明
图1铌钽酸钾钠盐基压电陶瓷掺杂0.4mol％Cu2+的陶瓷表面的显微形貌照片。
图2铌钽酸钾钠盐基压电陶瓷掺杂0.4mol％Cu2+的陶瓷的X射线衍射图谱。
图3铌钽酸钾钠盐基压电陶瓷掺杂0.4mol％Cu2+离子后的陶瓷的谐振曲线。
图4铌钽酸钾钠盐基压电陶瓷掺杂0.6mol％Cu2+离子后的陶瓷的谐振曲线
具体实施方式
选择碳酸钾、碳酸钠、氧化铌、氧化钽为基料，然后根据配方的需要选择硝酸铜、碳酸锂、氧化锑、氧化锡等的盐作为辅料。先将基料和辅料在200℃的烘箱中干燥4h，然后根据化学计量比(K1-xNax)(Nb1-yTay)O3，其中x＝0.5，0.01＜y＜0.30配料，根据不同配方的需要将占合成基体0.0～0.8mol％的单一Cu2+、Sb5+、Sn4+、Li+或者几种离子复合，直接加入到基体原料中。将配好的基料与辅料一同装入球磨罐中，以无水乙醇为球磨介质，球磨12h，混合均匀后利用一步法合成，保证材料成分的均匀性，合成温度为800～900℃，保温时间为4～10h。所得的熟料二次球磨24h后，冷等静压50～100MPa压力下压成直径约为15mm，厚度约为1.5mm的圆片素坯，素坯在空气中，1000～1200℃的温度下保温2～4h叠片烧成陶瓷。将获得的陶瓷精修后550℃烧渗银电极，然后在100～150℃的硅油中施加2～3kV/mm的直流电场极化15～30分钟，放置一昼夜后测量电学性能。
实施例1，称量碳酸钾3.9200克，碳酸钠3.0086克，氧化铌14.3208克，氧化钽1.2531克作为基料，称量三水硝酸铜0.1098克作为辅料，然后将配好的基料与辅料一同装入球磨罐中，以无水乙醇为球磨介质，球磨12h混合，混合均匀后利用一步法合成，保证材料成分的均匀性，合成温度为800℃，保温时间为10h。所得的熟料二次球磨24h后，冷等静压100MPa压力下压成直径约为15mm，厚度约为1.5mm的圆片素坯，素坯在空气中，1200℃的温度下保温2h叠片烧成陶瓷。将获得的陶瓷精修后550℃烧渗银电极，然后在100℃的硅油中施加2kV/mm的直流电场极化15分钟，放置一昼夜后测量电学性能。制备好的陶瓷电学性能参数如下：
| ε | Tanδ(％) | kp | Qm | Np(Hz.m) |
| 350 | 1.6 | 0.38 | 979 | 1731 |
从图1中可以看到，得到的陶瓷均匀致密，平均晶粒尺寸为2.0μm。从图2中可以看到，得到了纯的钙钛矿相结构的陶瓷。金属离子的加入同时也带来了陶瓷性能的进一步改善，通过从上面表格的测试数据可以看出该陶瓷的Qm增加到800左右，kp增加到0.3以上。这些数据与我们原来没有添加金属离子的(K1-xNax)(Nb1-yTay)O3陶瓷及其(K0.5Na0.5)1-2yAEyNbO3体系陶瓷的电学性能大大增加，原来的Qm约为100，kp小于0.2。从图3陶瓷样品的谐振曲线图中也可看出，该配方的陶瓷的谐振曲线光滑无杂波，在谐振点处阻抗小于30Ω，带宽大约为20kHz，性能稳定。
实施例2，称量碳酸钾3.9203克，碳酸钠3.0070克，氧化铌14.3203克，氧化钽1.2530克作为基料，然后称量三水硝酸铜0.0548克，将配好的基料与辅料一同装入球磨罐中，以无水乙醇为球磨介质，混合12h，混合均匀后利用一步法合成，保证材料成分的均匀性，合成温度为850℃，保温时间为7h。所得的熟料二次球磨24h后，冷等静压80MPa压力下压成直径约为15mm，厚度约为1.5mm的圆片素坯，素坯在空气中，1100℃的温度下保温3h叠片烧成陶瓷。将获得的陶瓷精修后550℃烧渗银电极，然后在130℃的硅油中施加3kV/mm的直流电场极化20分钟，放置一昼夜后测量电学性能。其各种电学性能参数如下表所示：
| ε | Tanδ(％) | kp | Qm | Np(Hz.m) |
| 375 | 1.6 | 0.41 | 786 | 1705 |
实施例3，称量碳酸钾3.9205克，碳酸钠3.0075克，氧化铌14.3206克，氧化钽1.2533克作为基料，然后称量三水硝酸铜0.1661克，将配好的基料与辅料一同装入球磨罐中，以无水乙醇为球磨介质，球磨12h，混合均匀后利用一步法合成，保证材料成分的均匀性，合成温度为900℃，保温时间为4h。所得的熟料二次球磨24h后，冷等静压50MPa压力下压成直径约为15mm，厚度约为1.5mm的圆片素坯，素坯在空气中，1000℃的温度下保温4h叠片烧成陶瓷。将获得的陶瓷精修后550℃烧渗银电极，然后在150℃的硅油中施加3kV/mm的直流电场极化30分钟，放置一昼夜后测量电学性能。制备出的陶瓷的电学性能参数如下表所示：
| ε | Tanδ(％) | kp | Qm | Np(Hz.m) |
| 335 | 2.1 | 0.23 | 336 | 1700 |
实施例4，称量碳酸钾6.1427克，碳酸钠5.5230克，氧化铌23.0912克，碳酸锂3.0166克，氧化钽4.4416克，氧化锑1.1779克。850℃保温8小时合成，1100℃保温3小时叠片烧结而成，其他工艺条件均同实施例1，得到了纯的钙钛矿结构，并且较致密。电学性能参数如下表所示：
| ε | Tanδ(％) | kp | Qm | Np(Hz.m) |
| 950 | 5.0 | 0.20 | 45 | 1500 |
实施例5，称量碳酸钾6.1433克，碳酸钠5.5223克，碳酸锂3.0157克，氧化铌23.0904克，氧化钽4.4416克，氧化锑1.1771克，氧化锡0.0629克。900℃保温10小时合成，1200℃保温4小时烧结，其他工艺条件同实施例1，得到了纯的钙钛矿结构，并且较致密。电学性能参数如下表所示：
| ε | Tanδ(％) | kp | Qm | Np(Hz.m) |
| 800 | 4.3 | 0.25 | 42 | 1380 |
由以上实施例可以看出，铌钽酸钾钠盐基压电陶瓷掺杂占合成基体0.0～0.8mol％的Cu2+，Sb5+，Sn4+和Li+一种或者共同掺杂几种离子后，铌钽酸钾钠盐基压电陶瓷的材料的综合电学性能得到极大的改善，其中最好的配方电学性能如Qm大于800，kp大于0.38等各项性能指标均能满足工业化的要求。
Claims (2)
1、一种铌钽酸钾钠基压电陶瓷，其原材料为碳酸钾、碳酸钠、氧化铌、氧化钽的基料以及占基料量0.2～0.8mol％的Cu2+、Sb5+、Sn4+、Li+离子任一种或者任几种，基料化学计量比为(K1-xNax)(Nb1-yTay)O3，其中(x＝0.1～0.9，y＝0.01～0.30)。
2、一种权利要求1所述铌钽酸钾钠基压电陶瓷的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：
1)将基料碳酸钾、碳酸钠、氧化铌、氧化钽按化学计量比(K1-xNax)(Nb1-yTay)O3，其中，x＝0.1～0.9，y＝0.01～0.30配料，加入占基料量0.2～0.8mol％的Cu2+、Sb5+、Sn4+、Li+离子；
2)将步骤1)所述原料装入有玛瑙球的球磨罐中，以无水乙醇为球磨介质，球磨12h后合成，合成温度为800～900℃，保温时间为4～10h；
3)将步骤2)所制得的熟料二次球磨24h后，冷等静压50～100MPa压力下压成圆片素坯；
4)素坯在空气中，1000℃～1200℃的温度下保温2～4h叠片烧结成陶瓷；
5)将步骤4)获得的陶瓷精修后550℃烧渗银电极，然后在100～150℃的硅油中施加2～3kV/mm的直流电场极化15～30分钟。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2006100430414A CN100352790C (zh) | 2006-06-27 | 2006-06-27 | 铌钽酸钾钠基压电陶瓷的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2006100430414A CN100352790C (zh) | 2006-06-27 | 2006-06-27 | 铌钽酸钾钠基压电陶瓷的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1884198A true CN1884198A (zh) | 2006-12-27 |
| CN100352790C CN100352790C (zh) | 2007-12-05 |
Family
ID=37582518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2006100430414A Expired - Fee Related CN100352790C (zh) | 2006-06-27 | 2006-06-27 | 铌钽酸钾钠基压电陶瓷的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN100352790C (zh) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100465131C (zh) * | 2007-05-28 | 2009-03-04 | 北京科技大学 | 一种铌酸钠钾锂基无铅压电陶瓷及其制备方法 |
| CN100465312C (zh) * | 2007-08-24 | 2009-03-04 | 北京科技大学 | 铌酸钾钠/铜压电复合材料的制备方法 |
| CN102173799A (zh) * | 2011-02-28 | 2011-09-07 | 上海海事大学 | 一种钽酸锂掺杂铌酸钾钠陶瓷的合成方法及设备 |
| CN101538160B (zh) * | 2009-04-14 | 2011-11-09 | 桂林工学院 | 温度稳定型钽酸盐介电陶瓷及其制备方法 |
| CN101538157B (zh) * | 2009-04-11 | 2011-11-09 | 桂林工学院 | 低温烧结的高品质因数钽酸盐微波介电陶瓷及其制备方法 |
| CN101531512B (zh) * | 2009-04-11 | 2011-11-30 | 桂林工学院 | 一种温度稳定型钨青铜结构介电陶瓷及其制备方法 |
| CN102395539A (zh) * | 2009-05-08 | 2012-03-28 | 太阳诱电株式会社 | 压电陶瓷及其制造方法以及压电器件 |
| CN105198417A (zh) * | 2015-09-08 | 2015-12-30 | 四川大学 | 一种锆酸铋钠锂铈掺杂铌酸钾钠基陶瓷材料的制备方法 |
| CN107512908A (zh) * | 2017-08-21 | 2017-12-26 | 昆明理工大学 | 一种铌酸钾钠基压电陶瓷的制备方法 |
| CN116041061A (zh) * | 2022-12-27 | 2023-05-02 | 山东省科学院新材料研究所 | 一种钽铌酸钾陶瓷及其制备方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3531803B2 (ja) * | 1999-02-24 | 2004-05-31 | 株式会社豊田中央研究所 | アルカリ金属含有ニオブ酸化物系圧電材料組成物 |
| CN1511802A (zh) * | 2002-12-27 | 2004-07-14 | ���Ĵ���ѧ | 多组元铌酸盐系无铅压电陶瓷 |
| EP1457471B1 (en) * | 2003-03-14 | 2014-02-26 | Denso Corporation | Crystal oriented ceramics and production method of same |
| CN100386291C (zh) * | 2004-07-15 | 2008-05-07 | 清华大学 | 铌酸钾钠系无铅压电陶瓷及其制备方法 |
-
2006
- 2006-06-27 CN CNB2006100430414A patent/CN100352790C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100465131C (zh) * | 2007-05-28 | 2009-03-04 | 北京科技大学 | 一种铌酸钠钾锂基无铅压电陶瓷及其制备方法 |
| CN100465312C (zh) * | 2007-08-24 | 2009-03-04 | 北京科技大学 | 铌酸钾钠/铜压电复合材料的制备方法 |
| CN101538157B (zh) * | 2009-04-11 | 2011-11-09 | 桂林工学院 | 低温烧结的高品质因数钽酸盐微波介电陶瓷及其制备方法 |
| CN101531512B (zh) * | 2009-04-11 | 2011-11-30 | 桂林工学院 | 一种温度稳定型钨青铜结构介电陶瓷及其制备方法 |
| CN101538160B (zh) * | 2009-04-14 | 2011-11-09 | 桂林工学院 | 温度稳定型钽酸盐介电陶瓷及其制备方法 |
| CN102395539A (zh) * | 2009-05-08 | 2012-03-28 | 太阳诱电株式会社 | 压电陶瓷及其制造方法以及压电器件 |
| CN102395539B (zh) * | 2009-05-08 | 2013-12-04 | 太阳诱电株式会社 | 压电陶瓷及其制造方法以及压电器件 |
| CN102173799A (zh) * | 2011-02-28 | 2011-09-07 | 上海海事大学 | 一种钽酸锂掺杂铌酸钾钠陶瓷的合成方法及设备 |
| CN105198417A (zh) * | 2015-09-08 | 2015-12-30 | 四川大学 | 一种锆酸铋钠锂铈掺杂铌酸钾钠基陶瓷材料的制备方法 |
| CN107512908A (zh) * | 2017-08-21 | 2017-12-26 | 昆明理工大学 | 一种铌酸钾钠基压电陶瓷的制备方法 |
| CN116041061A (zh) * | 2022-12-27 | 2023-05-02 | 山东省科学院新材料研究所 | 一种钽铌酸钾陶瓷及其制备方法 |
| CN116041061B (zh) * | 2022-12-27 | 2023-12-26 | 山东省科学院新材料研究所 | 一种钽铌酸钾陶瓷及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN100352790C (zh) | 2007-12-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1884198A (zh) | 铌钽酸钾钠基压电陶瓷及其制备方法 | |
| JP3406611B2 (ja) | 低い焼結温度で銀とともに焼成し得る低損失ｐｚｔセラミック組成物およびそれを製造するための方法 | |
| US7595975B2 (en) | Dielectric ceramic, ceramic electronic element, and multilayer ceramic capacitor | |
| US6485701B2 (en) | Oxide having perovskite structure, barium titanate, and manufacturing method therefor, dielectric ceramic, and ceramic electronic component | |
| EP2431343B1 (en) | Piezoelectric ceramic, method for producing same, and piezoelectric device | |
| JP4521387B2 (ja) | 耐還元性誘電体磁器組成物 | |
| US10505101B2 (en) | Ceramic material, method for producing the ceramic material, and electroceramic component comprising the ceramic material | |
| EP0534378A1 (en) | Non-reducible dielectric ceramic composition | |
| US20130162108A1 (en) | Piezoelectric ceramic and piezoelectric device | |
| CN101774803A (zh) | 一种(Ba,Sr)TiO3基陶瓷介质及其制备方法 | |
| CN101037332A (zh) | 多组元铌酸盐基无铅压电陶瓷 | |
| US6322718B1 (en) | Piezoelectric ceramic compositions and methods for production thereof | |
| CN102010200A (zh) | 一种镍、铜内电极抗还原陶瓷介质材料及其制备方法 | |
| CN107739205A (zh) | 一种钛酸钡核‑锶锆钙壳结构的陶瓷介质材料及其制备方法 | |
| JP3814401B2 (ja) | 誘電体磁器および積層セラミックコンデンサ | |
| CN102531579B (zh) | 陶瓷介质材料及其制备方法和陶瓷电容器及其制备方法 | |
| KR100586951B1 (ko) | 내환원성 유전체 조성물의 제조방법 | |
| EP1857426A1 (en) | Piezoelectric porcelain composition | |
| CN1285542C (zh) | 钛酸铋钠钡锡铈压电陶瓷及其制备方法 | |
| CN116813337B (zh) | 一种反铁电陶瓷及还原气氛下烧结制备反铁电陶瓷的方法 | |
| CN113929454B (zh) | 一种反铁电高储能密度陶瓷粉料及其制备方法和含有其的电容器 | |
| CN1081016A (zh) | 铅系低温烧结弛豫铁电陶瓷瓷料组成及制备工艺 | |
| CN114436647A (zh) | 低温共烧钛酸铋钠基介质陶瓷的制备方法 | |
| CN118290146A (zh) | 一种超低温烧结(Pb,La)(Zr,Sn,Ti)O3基反铁电陶瓷及其制备方法 | |
| JP3512587B2 (ja) | 積層型セラミックコンデンサ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20071205 Termination date: 20110627 |