CN1285542C - 钛酸铋钠钡锡铈压电陶瓷及其制备方法 - Google Patents

钛酸铋钠钡锡铈压电陶瓷及其制备方法 Download PDF

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CN1285542C CN 200510041602 CN200510041602A CN1285542C CN 1285542 C CN1285542 C CN 1285542C CN 200510041602 CN200510041602 CN 200510041602 CN 200510041602 A CN200510041602 A CN 200510041602A CN 1285542 C CN1285542 C CN 1285542C
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Abstract

本发明公开了一种钛酸铋钠钡锡铈压电陶瓷,由三氧化二铋、碳酸钠、碳酸钡、二氧化钛、氧化锡、氧化铈化学反应形成,化学计量比为(1-x)[(Na0.5Bi0.5)TiO3]-xBaTiO3-ywt%SnO2-zwt%CeO其中:0<x<0.1,0≤y<10,0<z<10。本发明还公开了上述钛酸铋钠钡锡铈压电陶瓷的制备方法,经过配料、振磨混料、压块、预烧、加入粘结剂,在轧膜机上反复轧制,成型方片,再将方片放入烘箱中烘干成素片,经过排胶、烧结、烧银,再放入硅油中极化,最终形成钛酸铋钠钡锡铈压电陶瓷。由于采用锡、铈离子对Bi1/2Na1/2TiO3-BaTiO3进行单独和复合掺杂,有效的降低了压电陶瓷的矫顽场及电阻率,提高了压电陶瓷的电学性能;本发明的电学参数为,压电常数d33为80~125pC/N,平面耦合机电系数kp为0.16~0.24,品质因数Qm为47~200,厚度耦合机电系数kt为0.33~0.52,比现有技术提高很多。

Description

钛酸铋钠钡锡铈压电陶瓷及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种钛酸铋钠钡锡铈压电陶瓷,还涉及钛酸铋钠钡锡铈压电陶瓷的制备方法。
背景技术
压电陶瓷在外加电场作用下可以产生应变,同时,在外力作用下,压电陶瓷会在两极产生电荷,因此被广泛的应用于微位移器、传感器、谐振器、换能器及滤波器等方面。
文献“G.A.Smolensky,V.A.Isupov,A.I.agranovskaya,N.N.Krainik,Sov.Phys.-SolidState(Engl.Transl.)2(11)(1961)2651-2654”介绍了G.A.Smolensky等发明的钛酸铋钠,它是一种复合钙铁矿铁电体,室温时呈三方晶系,居里点为320℃。钛酸铋钠具有铁电性强,剩余极化强度Pr=38μC/cm2、压电系数大,厚度耦合机电系数kt约为0.40~0.50、介电常数小、声学性能好等优良特性,且烧结温度低,但钛酸铋钠陶瓷矫顽场很高,约为73kV/cm,并且在铁电相区电导率很高,因而难以极化,性能也难以得到提高。
钛酸钡是已经规模化生产的无铅压电陶瓷,但钛酸钡的压电常数d33在100pC/N左右,难以通过掺杂大幅度地改善其性能,以满足不同的需要;工作温度区较窄,约为10~70℃,居里点为120℃,在0℃附近存在相变,导致性能参数的温度稳定性欠佳。
对于掺钛酸钡的钛酸铋钠陶瓷,在已报导的电学性能中,压电常数d33约为100pC/N,平面耦合机电系数kp约为0.18,品质因数Qm约为122,不能满足实际使用的需求。
发明内容
为了克服现有技术中钛酸铋钠陶瓷矫顽场高、电导率高且难以极化,钛酸钡陶瓷工作温度区窄等不足,本发明提供一种钛酸铋钠钡锡铈压电陶瓷,采用锡、铈离子对Bi1/2Na1/2TiO3-BaTiO3进行单独和复合掺杂,以降低其矫顽场和电导率,提高其机电耦合系数和品质因数。
本发明还提供这种钛酸铋钠钡锡铈压电陶瓷的制备方法。
本发明的技术方案是:
一种钛酸铋钠钡锡铈压电陶瓷,由三氧化二铋、碳酸钠、碳酸钡、二氧化钛、氧化锡、氧化铈化学反应形成,化学计量比为(1-x)[(Na0.5Bi0.5)TiO3]-xBaTiO3-ywt%SnO2-zwt%CeO
其中:0<x<0.1,0≤y<10,0<z<10。
一种根据上述钛酸铋钠钡锡铈压电陶瓷制备方法,
(1)将三氧化二铋、碳酸钠、碳酸钡、二氧化钛、氧化锡按化学计量比为(1-x)[(Na0.5Bi0.5)TiO3]-xBaTiO3-ywt%SnO2-zwt%CeO配料,其中:0<x<0.1,0≤y<10,0<z<10;
(2)将配好的料放入振磨料斗中按铁球∶料为4∶1的比例混料;
(3)将混合好的料压块,预烧,打碎,再振磨后过筛;
(4)加入20~30wt%的粘结剂,在轧膜机上反复轧制2~3小时,最终成型为方片;
(5)将成型的方片放入烘箱中100~120℃9~15小时烘干成素片,然后将烘干的素片放入炉中排胶,分别在500℃及800℃各保温1~3小时,随炉冷却;
(6)排完胶的素片放入烧结炉中,在1120~1200℃温度范围内烧结,烧结完成后取出,涂敷低温银浆,500℃烧银成为电极;
(7)将敷银电极的瓷片浸入160~170℃硅油中极化20~40分钟,极化电场为2~4kV/mm。
本发明的有益效果是:由于采用锡、铈离子对Bi1/2Na1/2TiO3-BaTiO3进行单独和复合掺杂,有效的降低了压电陶瓷的矫顽场及电阻率,提高了压电陶瓷的电学性能;本发明所得到的电学参数为,压电常数d33为80~125pC/N,平面耦合机电系数kp为0.16~0.24,品质因数Qm为47~200,厚度耦合机电系数kt为0.33~0.52,比现有技术制备的掺钛酸钡的钛酸铋钠压电常数d33=100pC/N,平面耦合机电系数kp=0.18,品质因数Qm=122大的多。
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
附图说明
图1是本发明的陶瓷烧结工艺图
图2是0.94[(Na0.5Bi0.5)TiO3]-0.06BaTiO3-0.4wt%CeO2在1140℃烧结表面显微形貌照片
图3是0.94[(Na0.5Bi0.5)TiO3]-0.06BaTiO3-0.4wt%CeO2-0.2wt%SnO2在1200℃烧结表面显微形貌照片
具体实施方式
实施例1,用分析纯级含量为99.0%的三氧化二铋、含量为99.8%的碳酸钠、含量为99.0%的碳酸钡、含量为98%的二氧化钛、含量为99.99%的氧化铈,按化学计量比为0.94[(Na0.5Bi0.5)TiO3]-0.06BaTiO3-0.4wt%CeO2进行称量配料。将配好的料放入振磨料斗中按铁球∶料为4∶1的比例混料,混料过程中不加入其他介质。振磨的时间为6小时,混合好的料压块在750℃温度下预烧1小时,取出煅烧的料打碎,再振磨6小时后过筛;加入20wt%的粘结剂,在轧膜机上反复轧制2小时,最终成型为12×12×0.5mm3的方片,放入烘箱中100℃9小时烘干成素片,然后将烘干的素片放入炉中排胶,分别在500℃及800℃保温1小时,随炉冷却;排完胶的素片放入烧结炉中,在1120℃烧结,烧结完成后取出,涂敷中温银浆,500℃烧银成为电极,在160℃的硅油中极化20分钟,极化电场为2kV/mm。压电及介电性能参数详见表1。
  烧结温度   密度   Kp   Qm   εr   Kt   Nd   tanδ
  1120℃1140℃1160℃1180℃1200℃   5.45.585.745.855.68   0.160.240.240.240.23   92146129161190   1023949920914851   0.330.490.430.520.52   25172504260825602588   0.0100.00680.00770.00620.0052
实施例2,用分析纯级含量为99.0%的三氧化二铋、含量为99.8%的碳酸钠、含量为99.0%的碳酸钡、含量为98%的二氧化钛、含量为99.99%的氧化铈,按化学计量比为0.94[(Na0.5Bi0.5)TiO3]-0.06BaTiO3-0.4wt%CeO2进行称量配料。将配好的料放入振磨料斗中按铁球∶料为4∶1的比例混料,混料过程中不加入其他介质。振磨的时间为8小时,混合好的料压块在800℃温度下预烧1.5小时,取出煅烧的料打碎,再振磨8小时后过筛;加入25wt%的粘结剂,在轧膜机上反复轧制2.5小时,最终成型为12×12×0.5mm3的方片,放入烘箱中110℃11小时烘干成素片,然后将烘干的素片放入炉中排胶,分别在500℃及800℃保温2小时,随炉冷却;排完胶的素片放入烧结炉中,在1140℃烧结,烧结完成后取出,涂敷中温银浆,500℃烧银成为电极,在165℃的硅油中极化30分钟,极化电场为3kV/mm。压电及介电性能参数详见表1。
实施例3,用分析纯级含量为99.0%的三氧化二铋、含量为99.8%的碳酸钠、含量为99.0%的碳酸钡、含量为98%的二氧化钛、含量为99.99%的氧化铈,按化学计量比为0.94[(Na0.5Bi0.5)TiO3]-0.06BaTiO3-0.4wt%CeO2进行称量配料。将配好的料放入振磨料斗中按铁球∶料为4∶1的比例混料,混料过程中不加入其他介质。振磨的时间为10小时,混合好的料压块在850℃温度下预烧2小时,取出煅烧的料打碎,再振磨10小时后过筛;加入30wt%的粘结剂,在轧膜机上反复轧制3小时,最终成型为12×12×0.5mm3的方片,放入烘箱中115℃13小时烘干成素片,然后将烘干的素片放入炉中排胶,分别在500℃及800℃保温3小时,随炉冷却;排完胶的素片放入烧结炉中,在1160℃烧结,烧结完成后取出,涂敷中温银浆,500℃烧银成为电极,在170℃的硅油中极化40分钟,极化电场为4kV/mm。压电及介电性能参数详见表1。
实施例4,用分析纯级含量为99.0%的三氧化二铋、含量为99.8%的碳酸钠、含量为99.0%的碳酸钡、含量为98%的二氧化钛、含量为99.99%的氧化铈,按化学计量比为0.94[(Na0.5Bi0.5)TiO3]-0.06BaTiO3-0.4wt%CeO2进行称量配料。将配好的料放入振磨料斗中按铁球∶料为4∶1的比例混料,混料过程中不加入其他介质。振磨的时间为10小时,混合好的料压块在850℃温度下预烧2小时,取出煅烧的料打碎,再振磨10小时后过筛;加入30wt%的粘结剂,在轧膜机上反复轧制3小时,最终成型为12×12×0.5mm3的方片,放入烘箱中115℃13小时烘干成素片,然后将烘干的素片放入炉中排胶,分别在500℃及800℃保温3小时,随炉冷却;排完胶的素片放入烧结炉中,在1180℃烧结,烧结完成后取出,涂敷中温银浆,500℃烧银成为电极,在170℃的硅油中极化40分钟,极化电场为4kV/mm。压电及介电性能参数详见表1。
实施例5,用分析纯级含量为99.0%的三氧化二铋、含量为99.8%的碳酸钠、含量为99.0%的碳酸钡、含量为98%的二氧化钛、含量为99.99%的氧化铈,按化学计量比为0.94[(Na0.5Bi0.5)TiO3]-0.06BaTiO3-0.4wt%CeO2进行称量配料。将配好的料放入振磨料斗中按铁球∶料为4∶1的比例混料,混料过程中不加入其他介质。振磨的时间为10小时,混合好的料压块在850℃温度下预烧2小时,取出煅烧的料打碎,再振磨10小时后过筛;加入30wt%的粘结剂,在轧膜机上反复轧制3小时,最终成型为12×12×0.5mm3的方片,放入烘箱中115℃13小时烘干成素片,然后将烘干的素片放入炉中排胶,分别在500℃及800℃保温3小时,随炉冷却;排完胶的素片放入烧结炉中,在1200℃烧结,烧结完成后取出,涂敷中温银浆,500℃烧银成为电极,在170℃的硅油中极化40分钟,极化电场为4kV/mm。压电及介电性能参数详见表1。
图3是0.94[(Na0.5Bi0.5)TiO3]-0.06BaTiO3-0.4wt%CeO2在1140℃烧结表面显微形貌照片显微照片。很明显,晶粒的大小在1.5μm左右,呈现明显的四方结构,晶粒大小均一,未见特大气孔及异常长大晶粒。表1列出0.94[(Na0.5Bi0.5)TiO3]-0.06BaTiO3-0.4wt%CeO2在不同烧结温度下压电及介电性能参数。
实施例6,用分析纯级含量为99.0%的三氧化二铋、含量为99.8%的碳酸钠、含量为99.0%的碳酸钡、含量为98%的二氧化钛、含量为99.5%的氧化锡、含量为99.99%的氧化铈,按化学计量比为0.94[(Na0.5Bi0.5)TiO3]-0.06BaTiO3-0.4wt%CeO2-0.2wt%SnO2进行称量配料。将配好的料放入振磨料斗中按铁球∶料为4∶1的比例混料,混料过程中不加入其他介质。振磨的时间为10小时,混合好的料压块在850℃温度下预烧2小时,取出煅烧的料打碎,再振磨10小时后过筛;加入30wt%的粘结剂,在轧膜机上反复轧制3小时,最终成型为12×12×0.5mm3的方片,放入烘箱中115℃13小时烘干成素片,然后将烘干的素片放入炉中排胶,分别在500℃及800℃保温3小时,随炉冷却;排完胶的素片放入烧结炉中,在1110℃烧结,烧结完成后取出,涂敷中温银浆,500℃烧银成为电极,在170℃的硅油中极化40分钟,极化电场为4kV/mm。压电及介电性能参数详见表2。
  烧结温度   密度   Kp   Qm   εr   Kt   Nd   tanδ
  1110℃1120℃1140℃1160℃1180℃1200℃   5.295.65.535.675.785.76   0.190.170.160.220.190.22   4715811710185180   1009898111210021087880   0.370.460.370.420.370.47   224524102515259326362552   0.0210.00640.00850.00990.0120.0056
实施例7,用分析纯级含量为99.0%的三氧化二铋、含量为99.8%的碳酸钠、含量为99.0%的碳酸钡、含量为98%的二氧化钛、含量为99.5%的氧化锡、含量为99.99%的氧化铈,按化学计量比为0.94[(Na0.5Bi0.5)TiO3]-0.06BaTiO3-0.4wt%CeO2-0.2wt%SnO2进行称量配料。将配好的料放入振磨料斗中按铁球∶料为4∶1的比例混料,混料过程中不加入其他介质。振磨的时间为8小时,混合好的料压块在900℃温度下预烧1.5小时,取出煅烧的料打碎,再振磨6小时后过筛;加入25wt%的粘结剂,在轧膜机上反复轧制1.5小时,最终成型为12×12×0.5mm3的方片,放入烘箱中120℃11小时烘干素片,然后将烘干的素片放入炉中排胶,分别在550℃和800℃各保温2小时,随炉冷却;排完胶的素坯放入烧结炉中,在1120℃温度范围内烧成;瓷片取出后,涂敷低温银浆,500℃烧银成为电极,在165℃的硅油中极化20分钟,极化电场为3kV/mm。压电及介电性能参数详见表2。
实施例8,用分析纯级含量为99.0%的三氧化二铋、含量为99.8%的碳酸钠、含量为99.0%的碳酸钡、含量为98%的二氧化钛、含量为99.5%的氧化锡、含量为99.99%的氧化铈,按化学计量比为0.94[(Na0.5Bi0.5)TiO3]-0.06BaTiO3-0.4wt%CeO2-0.2wt%SnO2进行称量配料。将配好的料放入振磨料斗中按铁球∶料为4∶1的比例混料,混料过程中不加入其他介质。振磨的时间为11小时,混合好的料压块在900℃温度下预烧1.5小时,取出煅烧的料打碎,再振磨11小时后过筛;加入30wt%的粘结剂,在轧膜机上反复轧制1.5小时,最终成型为12×12×0.5mm3的方片,放入烘箱中120℃13小时烘干素片,然后将烘干的素片放入炉中排胶,分别在550℃和800℃各保温3小时,随炉冷却;排完胶的素坯放入烧结炉中,在1140℃温度范围内烧成;瓷片取出后,涂敷低温银浆,500℃烧银成为电极,在170℃的硅油中极化35分钟,极化电场为3kV/mm。压电及介电性能参数详见表2。
实施例9,用分析纯级含量为99.0%的三氧化二铋、含量为99.8%的碳酸钠、含量为99.0%的碳酸钡、含量为98%的二氧化钛、含量为99.5%的氧化锡、含量为99.99%的氧化铈,按化学计量比为0.94[(Na0.5Bi0.5)TiO3]-0.06BaTiO3-0.4wt%CeO2-0.2wt%SnO2进行称量配料。将配好的料放入振磨料斗中按铁球∶料为4∶1的比例混料,混料过程中不加入其他介质。振磨的时间为12小时,混合好的料压块在900℃温度下预烧1.5小时,取出煅烧的料打碎,再振磨12小时后过筛;加入25wt%的粘结剂,在轧膜机上反复轧制1.5小时,最终成型为12×12×0.5mm3的方片,放入烘箱中120℃15小时烘干素片,然后将烘干的素片放入炉中排胶,分别在550℃和800℃各保温1小时,随炉冷却;排完胶的素坯放入烧结炉中,在1160℃温度范围内烧成;瓷片取出后,涂敷低温银浆,500℃烧银成为电极,在168℃的硅油中极化40分钟,极化电场为3kV/mm。压电及介电性能参数详见表2。
实施例10,用分析纯级含量为99.0%的三氧化二铋、含量为99.8%的碳酸钠、含量为99.0%的碳酸钡、含量为98%的二氧化钛、含量为99.5%的氧化锡、含量为99.99%的氧化铈,按化学计量比为0.94[(Na0.5Bi0.5)TiO3]-0.06BaTiO3-0.4wt%CeO2-0.2wt%SnO2进行称量配料。将配好的料放入振磨料斗中按铁球∶料为4∶1的比例混料,混料过程中不加入其他介质。振磨的时间为6小时,混合好的料压块在900℃温度下预烧1.5小时,取出煅烧的料打碎,再振磨6小时后过筛;加入25wt%的粘结剂,在轧膜机上反复轧制1.5小时,最终成型为12×12×0.5mm3的方片,放入烘箱中120℃11小时烘干素片,然后将烘干的素片放入炉中排胶,分别在550℃和800℃各保温2小时,随炉冷却;排完胶的素坯放入烧结炉中,在1180℃温度范围内烧成;瓷片取出后,涂敷低温银浆,500℃烧银成为电极,在160~170℃的硅油中极化20分钟,极化电场为3kV/mm。压电及介电性能参数详见表2。
实施例11,用分析纯级含量为99.0%的三氧化二铋、含量为99.8%的碳酸钠、含量为99.0%的碳酸钡、含量为98%的二氧化钛、含量为99.5%的氧化锡、含量为99.99%的氧化铈,按化学计量比为0.94[(Na0.5Bi0.5)TiO3]-0.06BaTiO3-0.4wt%CeO2-0.2wt%SnO2进行称量配料。将配好的料放入振磨料斗中按铁球∶料为4∶1的比例混料,混料过程中不加入其他介质。振磨的时间为8小时,混合好的料压块在900℃温度下预烧1.5小时,取出煅烧的料打碎,再振磨6小时后过筛;加入25wt%的粘结剂,在轧膜机上反复轧制1.5小时,最终成型为12×12×0.5mm3的方片,放入烘箱中120℃11小时烘干素片,然后将烘干的素片放入炉中排胶,分别在550℃和800℃各保温2小时,随炉冷却;排完胶的素坯放入烧结炉中,在1200℃温度范围内烧成;瓷片取出后,涂敷低温银浆,500℃烧银成为电极,在160~170℃的硅油中极化20分钟,极化电场为3kV/mm。压电及介电性能参数详见表2。
图3是0.94[(Na0.5Bi0.5)TiO3]-0.06BaTiO3-0.4wt%CeO2-0.2wt%SnO2在1200℃烧结表面显微形貌照片显微照片。很明显,晶粒的大小在3μm左右,呈现明显的四方结构,晶粒大小均一,未见特大气孔及异常长大晶粒。表2列出0.94[(Na0.5Bi0.5)TiO3]-0.06BaTiO3-0.4wt%CeO2-0.2wt%SnO2在不同烧结温度下压电及介电性能参数。
总之,本发明通过合理的原料配比、掺杂改性、优化制备、烧结和极化工艺,实现了与环境兼容性好、性能优良的钛酸铋钠基无铅压电陶瓷的工业化制备。

Claims (2)

1、一种钛酸铋钠钡锡铈压电陶瓷,由三氧化二铋、碳酸钠、碳酸钡、二氧化钛、氧化锡、氧化铈化学反应形成,化学计量比为(1-x)[(Na0.5Bi0.5)TiO3]-xBaTiO3-ywt%SnO2-zwt%CeO
其中:0<x<0.1,0≤y<10,0<z<10。
2、一种根据权利要求1所述的钛酸铋钠钡锡铈压电陶瓷制备方法,
(1)将三氧化二铋、碳酸钠、碳酸钡、二氧化钛、氧化锡按化学计量比为(1-x)[(Na0.5Bi0.5)TiO3]-xBaTiO3-ywt%SnO2-zwt%CeO配料,其中:0<x<0.1,0≤y<10,0<z<10;
(2)将配好的料放入振磨料斗中按铁球∶料为4∶1的比例混料;
(3)将混合好的料压块,预烧,打碎,再振磨后过筛;
(4)加入20~30wt%的粘结剂,在轧膜机上反复轧制2~3小时,最终成型为方片;
(5)将成型的方片放入烘箱中100~120℃9~15小时烘干成素片,然后将烘干的素片放入炉中排胶,分别在500℃及800℃各保温1~3小时,随炉冷却;
(6)排完胶的素片放入烧结炉中,在1120~1200℃温度范围内烧结,烧结完成后取出,涂敷低温银浆,500℃烧银成为电极;
(7)将敷银电极的瓷片浸入160~170℃硅油中极化20~40分钟,极化电场为2~4kV/mm。
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