CN1875478A - 溶剂改性树脂组合物及其制备方法 - Google Patents
溶剂改性树脂组合物及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1875478A CN1875478A CNA2004800326373A CN200480032637A CN1875478A CN 1875478 A CN1875478 A CN 1875478A CN A2004800326373 A CNA2004800326373 A CN A2004800326373A CN 200480032637 A CN200480032637 A CN 200480032637A CN 1875478 A CN1875478 A CN 1875478A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- resin
- composition
- colloidal silica
- epoxy
- solvent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title abstract description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 150
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 94
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 94
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 92
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims abstract description 88
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 63
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 63
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 85
- -1 hydroxy aromatic compound Chemical class 0.000 claims description 65
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 58
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 37
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 35
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 28
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 26
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 26
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical group C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 24
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 19
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- MCTWTZJPVLRJOU-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-1H-imidazole Chemical compound CN1C=CN=C1 MCTWTZJPVLRJOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 13
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims description 12
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 11
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 9
- 150000001896 cresols Chemical class 0.000 claims description 9
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical compound C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 claims description 9
- 239000004844 aliphatic epoxy resin Substances 0.000 claims description 8
- 239000011353 cycloaliphatic epoxy resin Substances 0.000 claims description 8
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims description 8
- 239000004843 novolac epoxy resin Substances 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 235000019439 ethyl acetate Nutrition 0.000 claims description 6
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 6
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 claims description 5
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N n-propyl alcohol Natural products CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- XOBKSJJDNFUZPF-UHFFFAOYSA-N Methoxyethane Chemical compound CCOC XOBKSJJDNFUZPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 claims description 4
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims description 4
- 230000008961 swelling Effects 0.000 claims description 4
- GXDHCNNESPLIKD-UHFFFAOYSA-N 2-methylhexane Natural products CCCCC(C)C GXDHCNNESPLIKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- AEXMKKGTQYQZCS-UHFFFAOYSA-N 3,3-dimethylpentane Chemical compound CCC(C)(C)CC AEXMKKGTQYQZCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RBHIUNHSNSQJNG-UHFFFAOYSA-N 6-methyl-3-(2-methyloxiran-2-yl)-7-oxabicyclo[4.1.0]heptane Chemical compound C1CC2(C)OC2CC1C1(C)CO1 RBHIUNHSNSQJNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- ZFIVKAOQEXOYFY-UHFFFAOYSA-N Diepoxybutane Chemical compound C1OC1C1OC1 ZFIVKAOQEXOYFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical group C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 claims description 3
- SHKUUQIDMUMQQK-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(oxiran-2-ylmethoxy)butoxymethyl]oxirane Chemical compound C1OC1COCCCCOCC1CO1 SHKUUQIDMUMQQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims description 2
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 claims description 2
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 claims description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims description 2
- FKXJWELJXMKBDI-UHFFFAOYSA-K [butyl-di(dodecanoyloxy)stannyl] dodecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)O[Sn](CCCC)(OC(=O)CCCCCCCCCCC)OC(=O)CCCCCCCCCCC FKXJWELJXMKBDI-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims 2
- HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 2-(3,4-dimethoxyphenyl)-5-hydroxy-7-methoxychromen-4-one Chemical compound C=1C(OC)=CC(O)=C(C(C=2)=O)C=1OC=2C1=CC=C(OC)C(OC)=C1 HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 33
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 26
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 14
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 12
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 10
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 10
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 9
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 9
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 9
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 8
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 8
- 150000002118 epoxides Chemical group 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N monobenzene Natural products C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 7
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 7
- LHENQXAPVKABON-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-1-ol Chemical compound CCC(O)OC LHENQXAPVKABON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 5
- 239000002585 base Substances 0.000 description 5
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 5
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N p-cresol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1 IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 5
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 5
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 4
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 4
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 150000002191 fatty alcohols Chemical class 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 4
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UXFQFBNBSPQBJW-UHFFFAOYSA-N 2-amino-2-methylpropane-1,3-diol Chemical compound OCC(N)(C)CO UXFQFBNBSPQBJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UKLDJPRMSDWDSL-UHFFFAOYSA-L [dibutyl(dodecanoyloxy)stannyl] dodecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)O[Sn](CCCC)(CCCC)OC(=O)CCCCCCCCCCC UKLDJPRMSDWDSL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 239000012975 dibutyltin dilaurate Substances 0.000 description 3
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 3
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 3
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 3
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 2
- UVWBCEZWTSQQJW-UHFFFAOYSA-N 1,1a,6,6a-tetrahydrocyclopropa[a]indene Chemical compound C1=CC=C2C3CC3CC2=C1 UVWBCEZWTSQQJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 1,3-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC(N)=C1 WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GJYCVCVHRSWLNY-UHFFFAOYSA-N 2-butylphenol Chemical compound CCCCC1=CC=CC=C1O GJYCVCVHRSWLNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KLSLBUSXWBJMEC-UHFFFAOYSA-N 4-Propylphenol Chemical compound CCCC1=CC=C(O)C=C1 KLSLBUSXWBJMEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ULPDSNLBZMHGPI-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-7-oxabicyclo[4.1.0]heptane Chemical compound C1C(C)CCC2OC21 ULPDSNLBZMHGPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTKINSOISVBQLD-UHFFFAOYSA-N Glycidol Chemical compound OCC1CO1 CTKINSOISVBQLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical class P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 2
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 2
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 2
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- PQNFLJBBNBOBRQ-UHFFFAOYSA-N benzocyclopentane Natural products C1=CC=C2CCCC2=C1 PQNFLJBBNBOBRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YXVFYQXJAXKLAK-UHFFFAOYSA-N biphenyl-4-ol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C1=CC=CC=C1 YXVFYQXJAXKLAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 2
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 2
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N m-cresol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1 RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940018564 m-phenylenediamine Drugs 0.000 description 2
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004692 metal hydroxides Chemical class 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 125000000466 oxiranyl group Chemical group 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 2
- 239000012258 stirred mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- XMGQYMWWDOXHJM-JTQLQIEISA-N (+)-α-limonene Chemical compound CC(=C)[C@@H]1CCC(C)=CC1 XMGQYMWWDOXHJM-JTQLQIEISA-N 0.000 description 1
- UNMJLQGKEDTEKJ-UHFFFAOYSA-N (3-ethyloxetan-3-yl)methanol Chemical class CCC1(CO)COC1 UNMJLQGKEDTEKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BGGGMYCMZTXZBY-UHFFFAOYSA-N (3-hydroxyphenyl) phosphono hydrogen phosphate Chemical compound OC1=CC=CC(OP(O)(=O)OP(O)(O)=O)=C1 BGGGMYCMZTXZBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CIRMGZKUSBCWRL-LHLOQNFPSA-N (e)-10-[2-(7-carboxyheptyl)-5,6-dihexylcyclohex-3-en-1-yl]dec-9-enoic acid Chemical compound CCCCCCC1C=CC(CCCCCCCC(O)=O)C(\C=C\CCCCCCCC(O)=O)C1CCCCCC CIRMGZKUSBCWRL-LHLOQNFPSA-N 0.000 description 1
- DYLIWHYUXAJDOJ-OWOJBTEDSA-N (e)-4-(6-aminopurin-9-yl)but-2-en-1-ol Chemical compound NC1=NC=NC2=C1N=CN2C\C=C\CO DYLIWHYUXAJDOJ-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 1
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YQSKLOBIOWVBHU-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(oxiran-2-ylmethyl)cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid Chemical class C1CCCC(C(O)=O)(CC2OC2)C1(C(=O)O)CC1CO1 YQSKLOBIOWVBHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YDIZFUMZDHUHSH-UHFFFAOYSA-N 1,7-bis(ethenyl)-3,8-dioxatricyclo[5.1.0.02,4]oct-5-ene Chemical compound C12OC2C=CC2(C=C)C1(C=C)O2 YDIZFUMZDHUHSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RKMGAJGJIURJSJ-UHFFFAOYSA-N 2,2,6,6-Tetramethylpiperidine Substances CC1(C)CCCC(C)(C)N1 RKMGAJGJIURJSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VOZKAJLKRJDJLL-UHFFFAOYSA-N 2,4-diaminotoluene Chemical compound CC1=CC=C(N)C=C1N VOZKAJLKRJDJLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YECWFFFKBCTNQX-UHFFFAOYSA-N 2-[[2-(cyclopenten-1-yl)phenoxy]methyl]oxirane Chemical compound C1OC1COC1=CC=CC=C1C1=CCCC1 YECWFFFKBCTNQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOC(C)=O NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNGRANIQDCWDOC-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-3,4,5-trimethylphenol Chemical compound COC1=C(C)C(C)=C(C)C=C1O XNGRANIQDCWDOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AIDLAEPHWROGFI-UHFFFAOYSA-N 2-methylbenzene-1,3-dicarboxylic acid Chemical compound CC1=C(C(O)=O)C=CC=C1C(O)=O AIDLAEPHWROGFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZTMADXFOCUXMJE-UHFFFAOYSA-N 2-methylbenzene-1,3-diol Chemical compound CC1=C(O)C=CC=C1O ZTMADXFOCUXMJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000094 2-phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- VEORPZCZECFIRK-UHFFFAOYSA-N 3,3',5,5'-tetrabromobisphenol A Chemical compound C=1C(Br)=C(O)C(Br)=CC=1C(C)(C)C1=CC(Br)=C(O)C(Br)=C1 VEORPZCZECFIRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRBJSXQPQWSCCF-UHFFFAOYSA-N 3,3'-Dimethoxybenzidine Chemical compound C1=C(N)C(OC)=CC(C=2C=C(OC)C(N)=CC=2)=C1 JRBJSXQPQWSCCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGULWIQIYWWFBJ-UHFFFAOYSA-N 3,4-dichlorofuran-2,5-dione Chemical compound ClC1=C(Cl)C(=O)OC1=O AGULWIQIYWWFBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YAXXOCZAXKLLCV-UHFFFAOYSA-N 3-dodecyloxolane-2,5-dione Chemical compound CCCCCCCCCCCCC1CC(=O)OC1=O YAXXOCZAXKLLCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QEVPNCHYTKOQMP-UHFFFAOYSA-N 3-octylphenol Chemical compound CCCCCCCCC1=CC=CC(O)=C1 QEVPNCHYTKOQMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 4,4'-diaminodiphenylmethane Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1CC1=CC=C(N)C=C1 YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXEZQOQSKOVCNB-UHFFFAOYSA-N 4-(1-phenylpropan-2-ylidene)cyclohexa-1,5-dien-1-ol Chemical compound C1C=C(O)C=CC1=C(C)CC1=CC=CC=C1 FXEZQOQSKOVCNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KOGSPLLRMRSADR-UHFFFAOYSA-N 4-(2-aminopropan-2-yl)-1-methylcyclohexan-1-amine Chemical compound CC(C)(N)C1CCC(C)(N)CC1 KOGSPLLRMRSADR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCSVMCYCFDEOMM-UHFFFAOYSA-N 4-(cyclohexylmethyl)phenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1CCCCC1 YCSVMCYCFDEOMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXDOZKJGKXYMEW-UHFFFAOYSA-N 4-ethylphenol Chemical compound CCC1=CC=C(O)C=C1 HXDOZKJGKXYMEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYYZDBDROVLTJU-UHFFFAOYSA-N 4-n-Butylphenol Chemical compound CCCCC1=CC=C(O)C=C1 CYYZDBDROVLTJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTDQQZYCCIDJRK-UHFFFAOYSA-N 4-octylphenol Chemical compound CCCCCCCCC1=CC=C(O)C=C1 NTDQQZYCCIDJRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QHPQWRBYOIRBIT-UHFFFAOYSA-N 4-tert-butylphenol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 QHPQWRBYOIRBIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OXQXGKNECHBVMO-UHFFFAOYSA-N 7-oxabicyclo[4.1.0]heptane-4-carboxylic acid Chemical compound C1C(C(=O)O)CCC2OC21 OXQXGKNECHBVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 241000963007 Anelosimus may Species 0.000 description 1
- 229920003319 Araldite® Polymers 0.000 description 1
- 229920001342 Bakelite® Polymers 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PGJXOBMICYXMCG-UHFFFAOYSA-N C.OC1=C(C=C(C(=O)C2=CC=CC=C2)C=C1)[N+](=O)[O-] Chemical compound C.OC1=C(C=C(C(=O)C2=CC=CC=C2)C=C1)[N+](=O)[O-] PGJXOBMICYXMCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AYDSPSJZGVYVNL-UHFFFAOYSA-N C=1C=CC=CC=1[SiH](N(C)[Si](C)(C)C)C1=CC=CC=C1 Chemical compound C=1C=CC=CC=1[SiH](N(C)[Si](C)(C)C)C1=CC=CC=C1 AYDSPSJZGVYVNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QHYPBIJEVPHZNP-UHFFFAOYSA-N CO.CO.C1CCC2CCCCC2C1 Chemical compound CO.CO.C1CCC2CCCCC2C1 QHYPBIJEVPHZNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LYKOAWAODDWCOP-SNAWJCMRSA-N COC(CC(OC)(OC)[SiH3])OC(=O)/C=C/C(=O)O Chemical class COC(CC(OC)(OC)[SiH3])OC(=O)/C=C/C(=O)O LYKOAWAODDWCOP-SNAWJCMRSA-N 0.000 description 1
- MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N Dapsone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=C1 MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N Epichlorohydrin Chemical compound ClCC1CO1 BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101001134216 Homo sapiens Macrophage scavenger receptor types I and II Proteins 0.000 description 1
- OWYWGLHRNBIFJP-UHFFFAOYSA-N Ipazine Chemical compound CCN(CC)C1=NC(Cl)=NC(NC(C)C)=N1 OWYWGLHRNBIFJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HJOVHMDZYOCNQW-UHFFFAOYSA-N Isophorone Natural products CC1=CC(=O)CC(C)(C)C1 HJOVHMDZYOCNQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100034184 Macrophage scavenger receptor types I and II Human genes 0.000 description 1
- JOOMLFKONHCLCJ-UHFFFAOYSA-N N-(trimethylsilyl)diethylamine Chemical compound CCN(CC)[Si](C)(C)C JOOMLFKONHCLCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000935974 Paralichthys dentatus Species 0.000 description 1
- ALQSHHUCVQOPAS-UHFFFAOYSA-N Pentane-1,5-diol Chemical compound OCCCCCO ALQSHHUCVQOPAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N Phthalic anhydride Natural products C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJWAPAVRQYYSTK-UHFFFAOYSA-N [(dimethyl-$l^{3}-silanyl)amino]-dimethylsilicon Chemical compound C[Si](C)N[Si](C)C GJWAPAVRQYYSTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YIMQCDZDWXUDCA-UHFFFAOYSA-N [4-(hydroxymethyl)cyclohexyl]methanol Chemical compound OCC1CCC(CO)CC1 YIMQCDZDWXUDCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000013006 addition curing Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 125000005250 alkyl acrylate group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004103 aminoalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- ZHNUHDYFZUAESO-OUBTZVSYSA-N aminoformaldehyde Chemical compound N[13CH]=O ZHNUHDYFZUAESO-OUBTZVSYSA-N 0.000 description 1
- 238000010539 anionic addition polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002929 anti-fatigue Effects 0.000 description 1
- 239000012736 aqueous medium Substances 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000004984 aromatic diamines Chemical class 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000004637 bakelite Substances 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004841 bisphenol A epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000004842 bisphenol F epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229940106691 bisphenol a Drugs 0.000 description 1
- YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N butan-1-olate;titanium(4+) Chemical class [Ti+4].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-] YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N butan-2-ol Chemical class CCC(C)O BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N butyl 2,2-difluorocyclopropane-1-carboxylate Chemical compound CCCCOC(=O)C1CC1(F)F JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 150000001244 carboxylic acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000010538 cationic polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 235000019994 cava Nutrition 0.000 description 1
- QZXCCPZJCKEPSA-UHFFFAOYSA-N chlorfenac Chemical compound OC(=O)CC1=C(Cl)C=CC(Cl)=C1Cl QZXCCPZJCKEPSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFOBOFBSSXPQGD-UHFFFAOYSA-N chloro-dimethyl-trimethylsilyloxysilane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)Cl LFOBOFBSSXPQGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000891 common polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000007859 condensation product Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- YMHQVDAATAEZLO-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,1-diamine Chemical compound NC1(N)CCCCC1 YMHQVDAATAEZLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N cyclohexene Chemical compound C1CCC=CC1 HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004956 cyclohexylene group Chemical group 0.000 description 1
- XMWUUVAOARQJSU-UHFFFAOYSA-N cyclooctylcyclooctane;methanol Chemical compound OC.OC.C1CCCCCCC1C1CCCCCCC1 XMWUUVAOARQJSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- BQQUFAMSJAKLNB-UHFFFAOYSA-N dicyclopentadiene diepoxide Chemical compound C12C(C3OC33)CC3C2CC2C1O2 BQQUFAMSJAKLNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCWXGJITAZMZEV-UHFFFAOYSA-N dimethoate Chemical compound CNC(=O)CSP(=S)(OC)OC MCWXGJITAZMZEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUKFPAQLGOOCNJ-UHFFFAOYSA-N dimethyl(trimethylsilyloxy)silicon Chemical compound C[Si](C)O[Si](C)(C)C XUKFPAQLGOOCNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVAONLSZTBKFKM-UHFFFAOYSA-N diphenylmethanediol Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)(O)C1=CC=CC=C1 PVAONLSZTBKFKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 210000001951 dura mater Anatomy 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 150000002168 ethanoic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- LDLDYFCCDKENPD-UHFFFAOYSA-N ethenylcyclohexane Chemical compound C=CC1CCCCC1 LDLDYFCCDKENPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N ethyl(trimethoxy)silane Chemical compound CC[Si](OC)(OC)OC SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019197 fats Nutrition 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N ferric oxide Chemical compound O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007306 functionalization reaction Methods 0.000 description 1
- LHGVFZTZFXWLCP-UHFFFAOYSA-N guaiacol Chemical compound COC1=CC=CC=C1O LHGVFZTZFXWLCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001867 guaiacol Drugs 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 230000026030 halogenation Effects 0.000 description 1
- 238000005658 halogenation reaction Methods 0.000 description 1
- FLBJFXNAEMSXGL-UHFFFAOYSA-N het anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C2C1C1(Cl)C(Cl)=C(Cl)C2(Cl)C1(Cl)Cl FLBJFXNAEMSXGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229940051250 hexylene glycol Drugs 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 125000004356 hydroxy functional group Chemical group O* 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 1
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 1
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Natural products OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003253 isopropoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(O*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical compound O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000010338 mechanical breakdown Methods 0.000 description 1
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- ZJTLZYDQJHKRMQ-UHFFFAOYSA-N menadiol Chemical compound C1=CC=CC2=C(O)C(C)=CC(O)=C21 ZJTLZYDQJHKRMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 description 1
- ASHGTJPOSUFTGB-UHFFFAOYSA-N methyl resorcinol Natural products COC1=CC=CC(O)=C1 ASHGTJPOSUFTGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDOPTJXRTPNYNR-UHFFFAOYSA-N methyl-cyclopentane Natural products CC1CCCC1 GDOPTJXRTPNYNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKWOFMSUGVVZIV-UHFFFAOYSA-N n-bis(ethenyl)silyl-n-trimethylsilylmethanamine Chemical compound C[Si](C)(C)N(C)[SiH](C=C)C=C WKWOFMSUGVVZIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- GPRIERYVMZVKTC-UHFFFAOYSA-N p-quaterphenyl Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 GPRIERYVMZVKTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000004965 peroxy acids Chemical class 0.000 description 1
- 125000004344 phenylpropyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Chemical class 0.000 description 1
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 229920003987 resole Polymers 0.000 description 1
- 238000007152 ring opening metathesis polymerisation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007151 ring opening polymerisation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 239000013049 sediment Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N silanol Chemical compound [SiH3]O SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- MDDUHVRJJAFRAU-YZNNVMRBSA-N tert-butyl-[(1r,3s,5z)-3-[tert-butyl(dimethyl)silyl]oxy-5-(2-diphenylphosphorylethylidene)-4-methylidenecyclohexyl]oxy-dimethylsilane Chemical compound C1[C@@H](O[Si](C)(C)C(C)(C)C)C[C@H](O[Si](C)(C)C(C)(C)C)C(=C)\C1=C/CP(=O)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 MDDUHVRJJAFRAU-YZNNVMRBSA-N 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000725 trifluoropropyl group Chemical group [H]C([H])(*)C([H])([H])C(F)(F)F 0.000 description 1
- YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilane Chemical compound CO[SiH](OC)OC YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007306 turnover Effects 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K9/00—Use of pretreated ingredients
- C08K9/04—Ingredients treated with organic substances
- C08K9/06—Ingredients treated with organic substances with silicon-containing compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09C—TREATMENT OF INORGANIC MATERIALS, OTHER THAN FIBROUS FILLERS, TO ENHANCE THEIR PIGMENTING OR FILLING PROPERTIES ; PREPARATION OF CARBON BLACK ; PREPARATION OF INORGANIC MATERIALS WHICH ARE NO SINGLE CHEMICAL COMPOUNDS AND WHICH ARE MAINLY USED AS PIGMENTS OR FILLERS
- C09C1/00—Treatment of specific inorganic materials other than fibrous fillers; Preparation of carbon black
- C09C1/28—Compounds of silicon
- C09C1/30—Silicic acid
- C09C1/3081—Treatment with organo-silicon compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
- H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01087—Francium [Fr]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12044—OLED
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Abstract
本发明提供了用作底层填料材料的溶剂改性树脂组合物。该组合物含有至少一种环氧树脂,至少一种溶剂和官能化胶态硅石填料。所述溶剂改性树脂组合物对于制备透明B-阶段树脂膜是有用的。本发明的实施方案包括作为晶片级底层填料和电子芯片密封剂的用途。
Description
发明背景
本发明涉及溶剂改性树脂组合物以及由其制备的透明材料如底层填料(underfill)材料。更具体地,该溶剂改性树脂组合物包括热固性树脂、至少一种溶剂,以及官能化胶态硅石。最终固化组合物具有低的热膨胀系数和高的玻璃转化温度。
对更小和更复杂的电子器件的需要不断驱使电子工业走向能够支持更高输入/输出(I/O)密度以及在更小片(die)区域具有增强性能的改进的集成电路封装。尽管已经开发了倒装芯片(flip chip)技术来适应这些苛刻的要求,但倒装芯片构造的弱点是在热循环期间因硅片和基片之间的热膨胀系数(CTE)失配,球形焊点经受大的机械应力。这一失配又引起电子器件的机械故障和电故障。目前,使用毛细管底层填料来填充硅芯片和基板之间的间隙和提高球形焊点(solder bump)的抗疲劳寿命;但是,以毛细管底层填料为基础的制造过程给芯片装配过程带来了额外的步骤,降低了生产量。
理想地,底层填料树脂应在晶片阶段施用以消除和毛细管底层填料有关的制造无效性。然而,使用含有需要低CTE的常规熔凝硅石填料的树脂存在问题,因为熔凝硅石填料使得用于晶片切割的指示标记模糊并且在回流焊接(solder reflow)操作时还影响良好电连接的形成。从而,在一些应用中需要提高透明度,使得能够有效切割已施用底层填料材料的晶片。
因此,需要具有低CTE和提高了透明度的改进的底层填料材料。
发明内容
本发明涉及组合物,其包括:至少一种可固化芳族环氧树脂,至少一种溶剂,胶态硅石填料,以及至少一种选自脂环族环氧单体、脂族环氧单体、羟基芳族化合物及其组合和混合物的物质。本发明还涉及透明底层填料组合物,其包括:至少一种可固化树脂,以及溶剂,用至少一种有机烷氧基硅烷官能化的胶态硅石填料,以及至少一种选自脂环族环氧单体、脂族环氧单体、羟基芳族化合物及其组合和混合物的物质。优选地,在组合物中应用的树脂在除去溶剂时形成坚硬的、透明的B-阶段树脂,然后在固化时形成低CTE、高Tg的热固性树脂。
通过下述方法制得该底层填料材料:将加热的填料悬浮体和溶剂与树脂及任选的添加剂结合,除去溶剂形成B-阶段树脂并再加热该树脂以固化所述材料,从而形成低CTE、高Tg的热固性树脂。
具体实施方式
本发明涉及可用作底层填料材料的溶剂改性树脂组合物。该溶剂改性树脂组合物包括至少一种芳族环氧树脂和至少一种脂环族环氧树脂、脂族环氧树脂或羟基芳族化合物或其混合物或组合的树脂基质。该树脂基质与至少一种溶剂和粒状填料分散体结合。在一实施方案中,所述芳族环氧树脂是得自甲酚可溶酚醛树脂的环氧树脂。在另一实施方案中,粒状填料分散体包括至少一种官能化胶态硅石。所述溶剂改性树脂组合物还可以包括一种或多种硬化剂和/或催化剂等添加剂。当加热并除去溶剂时,该组合形成透明的B-阶段树脂。除去溶剂之后,底层填料材料通过加热最终可固化为具有低热膨胀系数(″CTE″)和高玻璃转化温度(″Tg″)的透明的固化的硬树脂。胶态硅石填料实质上(essentially)均匀地分布在整个所披露的组合物中,在室温下及在除去溶剂和任何固化步骤期间该分布都保持稳定。所得树脂的透明度对底层填料材料是有用的,尤其对晶片级底层填料(wafer levelunderfill)是有用的,使得在晶片切割操作时晶片切割指示标记清晰可见。在一些实施方案中,该底层填料材料可具有自熔(self-fluxing)能力。
本文中使用的“低的热膨胀系数”指当以每摄氏度每百万分之一的份数(ppm/℃)测量时,固化的整个组合物具有低于基质树脂的热膨胀系数。通常,固化的整个组合物的热膨胀系数低于约50ppm/℃。在本文中使用的“固化的”指具有反应性基团的整个制剂中反应性基团已经反应了约50%至约100%。在本文中使用的“B-阶段树脂”指第二阶段的热固性树脂,其中树脂通常是坚硬的并且在普通溶剂中仅部分可溶。本文中所指的“玻璃转化温度”是无定形材料从硬态变为塑性状态时的温度。“固化前整个组合物的低粘度”通常指在组合物固化之前,底层填料材料的粘度在25℃介于约50厘泊和约100,000厘泊之间,优选介于约200厘泊和约20,000厘泊之间。在本文中使用的“透明的”指最大雾度百分数为15,通常最大雾度百分数为十(10);最通常最大雾度百分数为三(3)。
在溶剂改性树脂组合物中使用的合适的树脂包括但不限于环氧树脂、聚二甲基硅氧烷树脂、丙烯酸酯树脂、其它有机官能化的聚硅氧烷树脂、聚酰亚胺树脂、氟碳树脂、苯并环丁烯树脂、氟化聚烯丙基醚、聚酰胺树脂、聚亚氨基酰胺(polyimidoamide)树脂、苯酚苯甲酚(phenol resol)树脂、芳族聚酯树脂、聚苯醚(PPE)树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂、氟树脂和任何其它本领域技术人员已知的可以固化为高度交联的热固性材料的聚合物体系。(对于普通的聚合物,参见″Polymer Handbook″,Branduf,J.,;Immergut,E.H;Grulke,Eric A;Wiley Interscience Publication,New York,4th ed.(1999);″Polymer Data Handbook″;Mark,James,Oxford University Press,New York(1999))。优选的可固化的热固性材料为环氧树脂、丙烯酸酯树脂、聚二甲基硅氧烷树脂和其它可以通过游离基聚合(radical polymerization)、原子转移(atom transfer)、自由基聚合、开环聚合、开环易位聚合、阴离子聚合、阳离子聚合或本领域技术人员已知的任何其它方法形成交联网络的有机官能化聚硅氧烷树脂。合适的可固化树脂包括,例如,如″Chemistry and Technologyof Silicone″;Noll,W.,Academic Press(1968)中描述的加成固化和缩合固化基质。
环氧树脂优选为环氧树脂基质,其包括至少一种芳族环氧树脂和至少一种脂环族环氧单体、脂族环氧单体或羟基芳族化合物,或者上述任意一种物质的混合物。环氧树脂还可包括具有环氧官能团的任意有机体系或无机体系。当在整个说明书和权利要求书中描述包括芳族、脂族和脂环族树脂的树脂时,可预想特别指定的树脂或具有该指定树脂部分的分子。有用的环氧树脂包括描述在″Chemistry and Technology of the Epoxy Resins,″B.Ellis(Ed.)Chapman Hall 1993,New York and″Epoxy Resins Chemistry andTechnology,″C.May and Y.Tanaka,Marcell Dekker,New York(1972)中的那些。环氧树脂是可以和填料分散体共混的可固化的单体和低聚物。环氧树脂可以包括在其分子中具有两个或更多个环氧基团的芳族环氧树脂或脂环族环氧树脂。在本发明组合物中的环氧树脂优选具有2个或更多个官能团,更优选具有2-4个官能团。有用的环氧树脂还包括可以通过含有羟基、羧基或胺的化合物与表氯醇,优选在碱性催化剂如金属氢氧化物(例如氢氧化钠)存在下反应制备的那些。还包括通过含有至少一个且优选两个或更多个碳-碳双键的化合物与过氧化物(如过氧酸)反应制得的环氧树脂。
可用于环氧树脂基质中的芳族环氧树脂优选具有两个或更多个环氧官能团,更优选具有2-4个环氧官能团。这些材料的添加将提供树脂组合物更高的玻璃转化温度(Tg)。可用于本发明的芳族环氧树脂的实例包括甲酚可溶酚醛环氧树脂、双酚-A环氧树脂、双酚-F环氧树脂、酚醛清漆环氧树脂、双酚环氧树脂、联苯环氧树脂、4,4′-二苯基(biphenyl)环氧树脂、多官能环氧树脂、二乙烯基苯二氧化物和2-缩水甘油基苯基缩水甘油基醚。三官能芳族环氧树脂的实例包括三缩水甘油基异氰脲酸酯环氧树脂、MitsuiChemical制造的VG3101L等,四官能芳族环氧树脂的实例包括Ciba Geigy制造的Araldite MTO163等。在一实施方案中,优选用于本发明的环氧树脂包括甲酚可溶酚醛环氧树脂和衍生自双酚的环氧树脂。
包含在本发明的组合物中的多官能环氧单体的量为总组合物的约1重量%至约70重量%,优选约5重量%至约35重量%。在一些情况下,调节环氧树脂的量以便和其它试剂如酚醛清漆树脂硬化剂的摩尔量相适应。
可用于本发明的组合物的脂环族环氧树脂是本领域广为人知的,在本文中描述的是包含至少约一个脂环基和至少一个环氧乙烷(oxirane)基团的化合物。在一实施方案中,优选脂环族烯烃的环氧化物。更优选的脂环族环氧化物是每个分子中包含约一个脂环基和至少两个环氧乙烷环的化合物。具体实例包括3-(1,2-环氧乙基)-7-氧杂二环庚烷;己二酸,双(7-氧杂二环庚基甲基)酯;2-(7-氧杂二环庚-3-基)-螺(1,3-二氧杂-5,3′-(7)-氧杂双环庚烷;3,4-环氧环己烷羧酸甲酯,3-环己烯基甲基-3-环己烯基羧酸酯双环氧化物,2-(3,4-环氧)环己基-5,5-螺-(3,4-环氧)环己烷-m-二烷,3,4-环氧环己基烷基-3,4-环氧环己烷羧酸酯,3,4-环氧-6-甲基环己基甲基-3,4-环氧-6-甲基环己烷羧酸酯,乙烯基环己烷二氧化物,双(3,4-环氧环己基甲基)己二酸酯,双(3,4-环氧-6-甲基环己基甲基)己二酸酯,外-外双(2,3-环氧环戊基)醚,内-外双(2,3-环氧环戊基)醚,2,2-双(4-(2,3-环氧丙氧基)环己基)丙烷,2,6-双(2,3-环氧丙氧基环己基-p-二烷),2,6-双(2,3-环氧丙氧基)降冰片烯,亚油酸二聚体的二缩水甘油醚,柠檬烯二氧化物,2,2-双(3,4-环氧环己基)丙烷,二环戊二烯二氧化物,1,2-环氧-6-(2,3-环氧丙氧基)-六氢-4,7-亚甲基茚满(methanoindane),对-(2,3-环氧)环戊基苯基-2,3-环氧丙基醚,1-(2,3-环氧丙氧基)苯基5,6-环氧六氢-4,7-亚甲基茚满(methanoindane),邻-(2,3-环氧)环戊基苯基-2,3-环氧丙醚),1,2-双(5-(1,2-环氧)-4,7-六氢亚甲基茚满(methanoindane)氧基)乙烷(1,2-bis(5-(1,2-epoxy)-4,7-hexahydromethanoindanoxyl)ethane),环戊烯基苯基缩水甘油醚,环己二醇二缩水甘油醚,丁二烯二氧化物,二甲基戊烷二氧化物,二缩水甘油醚,1,4-丁二醇二缩水甘油醚,二甘醇二缩水甘油醚,二聚戊烯二氧化物和二缩水甘油基六氢苯二甲酸酯。通常,脂环族环氧树脂是3-环己烯甲-3-环己烯基羧酸酯酯双环氧化物。
在溶剂改性树脂组合物中包含的脂环族环氧单体的量为总组合物的约0.3重量%至约15重量%,优选约0.5重量%至约10重量%。
可用于溶剂改性树脂组合物中的脂族环氧树脂包括含有至少一个脂基的化合物,包括C4-C20脂族树脂或聚乙二醇类树脂。脂族环氧树脂可以是单官能的,即每个分子一个环氧基团,或者可以是多官能的,即每个分子两个或更多个环氧基团。脂族环氧树脂的实例包括但不限于丁二烯二氧化物,二甲基戊烷二氧化物,二缩水甘油醚,1,4-丁二醇二缩水甘油醚,二甘醇二缩水甘油醚和二聚戊烯二氧化物。这些脂族环氧树脂可购买,例如购自Dow的DER732和DER736。
在溶剂改性树脂组合物中包含的脂族环氧单体的量占全部组合物的约0.3重量%至约15重量%,优选占约0.5重量%至约10重量%。
可以使用有机硅-环氧树脂且该有机硅-环氧树脂可以具有以下通式:
MaM′bDcD′dTeT′fQg
其中下标a,b,c,d,e,f和g为0或正整数,条件是下标b,d和f的总和为1或更大;其中M具有通式:
R1 3SiO1/2,
M′具有通式:
(Z)R2 2SiO1/2,
D具有通式:
R3 25iO2/2,
D′具有通式:
(Z)R4SiO2/2,
T具有通式:
R5SiO3/2,
T′具有通式:
(Z)SiO3/2,
Q具有通式SiO4/2,其中每个R1,R2,R3,R4,R5各自独立地为氢原子,C1-22烷基,C1-22烷氧基,C2-22链烯基,C6-14芳基,C6-22烷基取代芳基和C6-22芳烷基,这些基团可以被卤化,例如氟化以包含氟碳化合物,如C1-22氟烷基,或者可以包含氨基以形成氨基烷基,如氨基丙基或氨乙基氨丙基,或者可以包含通式(CH2CHR6O)k的聚醚单元,其中R6为CH3或H,k介于约4和20之间;每个Z独立地表示环氧基。在本发明的各种实施方案中使用的术语“烷基”意指正构烷基、支链烷基、芳烷基和环烷基。正构和支链烷基优选含有约1至约12个碳原子的那些,其说明性的非限制性实例包括甲基,乙基,丙基,异丙基,丁基,叔丁基,戊基,新戊基和己基。所示的环烷基优选为含有约4至约12个环碳原子的那些。这些环烷基的一些说明性的非限制实例包括环丁基,环戊基,环己基,甲基环己基和环庚基。优选的芳烷基是包含约7至约14个碳原子的那些;它们包括但不限于苯甲基,苯丁基,苯丙基和苯乙基。在本发明的各种实施方案中使用的芳基优选是含有约6至约14个环碳原子的那些。这些芳基的一些说明性的非限制性实例包括苯基,联苯基和萘基。合适的卤代基团的说明性的非限制性实例为三氟丙基。环氧单体和低聚体的组合也预计用于本发明。
和树脂一起使用的合适的溶剂包括,例如,1-甲氧基-2-丙醇,甲氧基丙醇乙酸酯,乙酸丁酯,甲氧基乙基醚,甲醇,乙醇,异丙醇,乙二醇,乙基溶纤剂,甲乙酮,环己酮,苯,甲苯,二甲苯,和溶纤剂,例如乙酸乙酯,乙酸溶纤剂,丁基溶纤剂乙酸酯,卡必醇乙酸酯和丁基卡必醇乙酸酯。这些溶剂可以单独使用或以两种或更多种组合的形式使用。在一实施方案中,用于本发明的优选溶剂为1-甲氧基-2-丙醇。在溶剂改性树脂组合物中存在的溶剂量为约5wt.%至约70wt.%,优选约15wt.%至约40wt.%,以及介于其间的区间。
用于制备本发明组合物的改性填料的填料优选为胶态硅石,该胶态硅石是亚微尺寸的硅石(SiO2)颗粒在水介质或其它溶剂介质中的分散体。该分散体包括至少约10重量%至高达约85重量%的二氧化硅(SiO2),通常包括约30重量%至约60重量%的二氧化硅。胶态硅石的粒度通常介于约1纳米(nm)和约250nm之间,更通常介于约5nm和100nm之间,在一实施方案中优选介于约5nm和约50nm之间。
在另一实施方案中优选的范围为约50nm至约100nm,更优选为约50nm至约75nm。如下所述,胶态硅石用有机烷氧基硅烷官能化以形成官能化胶态硅石。
用于官能化胶态硅石的有机烷氧基硅烷包括在以下通式中:
(R7)aSi(OR8)4-a,
其中每个R7独立地表示C1-18一价烃基,任选进一步用丙烯酸烷基酯、甲基丙烯酸烷基酯或环氧化物基团官能化或C6-14芳基或烷基,每个R8独立地为C1-18一价烷基或氢,“a”为等于1-3的整数,包括端值。优选地,本发明包括的有机烷氧基硅烷是苯基三甲氧基硅烷,2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷,3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷和甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷。在优选的实施方案中,可以使用苯基三甲氧基硅烷官能化胶态硅石。在另一实施方案中,使用苯基三甲氧基硅烷官能化胶态硅石。多官能团的组合也是可行的。
通常,有机烷氧基硅烷存在的量基于胶态硅石中包含的二氧化硅的重量为约0.5重量%至约60重量%,优选为约5重量%至约30重量%。
通过以上述重量比向可购买的胶态硅石水分散体(其中已经添加了脂肪醇)中加入官能化剂进行胶态硅石的官能化。生成的在脂肪醇中包含官能化胶态硅石和官能化剂的组合物在本文中定义为前分散体(pre-dispersion)。脂肪醇可以选自但不限于异丙醇、叔丁醇、2-丁醇及其组合。脂肪醇的量通常为含水胶态硅石前分散体中存在的二氧化硅量的约1倍至约10倍。
得到的有机官能化胶态硅石可以用酸或碱处理以中和pH。也可以使用酸或碱,以及促进硅烷醇和烷氧基硅烷基团聚合的其它催化剂来促进官能化反应。所述催化剂包括有机钛酸盐(酯)和有机锡化合物,例如四丁基钛酸盐(酯)、异丙氧基双(乙酰丙酮化)钛、二月桂酸二丁锡,或它们的组合。在一些情况下,可以向所述前分散体中添加稳定剂,例如4-羟基-2,2,6,6-四甲基哌啶氧(即4-羟基TEMPO)。通常将所得的前分散体在约50℃至约100℃下加热约1小时至约5小时。
然后进一步处理冷却的透明前分散体,形成最终分散体。任选可以添加可固化单体或低聚体,以及更多脂族溶剂,该溶剂可以选自但不限于异丙醇、1-甲氧基-2-丙醇、1-甲氧基-2-丙基乙酸酯、甲苯及其组合。官能化胶态硅石的最终分散体可以用酸或碱处理,或者用离子交换树脂处理,以除去酸性或碱性杂质。
可以手工混合或通过标准混合设备例如揉面机(dough mixer)、链式罐头混合机(chain can mixer)和行星混合机(planetary mixer)混合最终的分散体组合物。可以借助本领域技术人员使用的任何方法以间歇、连续或半连续的方式共混分散体组分。
然后在约0.5托至约250托的真空下和约20℃至约140℃的温度下浓缩官能化胶态硅石的最终分散体,基本上除去所有的低沸点组分,例如溶剂、残留水及其组合,得到可任选包含可固化单体的官能化胶态硅石的透明分散体,这里称为最终的浓缩分散体。在本文中将基本上除去低沸点组分限定为除去低沸点组分得到含有约15%至约80%硅石的浓缩的硅石分散体。
通常在约50℃至约250℃,更通常地在约70℃至约100℃的温度下,在约75mmHg至约250mmHg,更优选在约100mmHg至约200mmHg的真空压力下进行B-阶段固化。此外,可以在约30分钟至约5小时,更通常地在约45分钟至2.5小时的一段时间进行固化。任选地,可以在约100℃至约250℃,更通常地在约150℃至约200℃的温度下对固化树脂进行后固化约45分钟至约3小时。
所得的组合物优选包含官能化二氧化硅作为官能化胶态硅石。此时,在最终组合物中二氧化硅的含量可以为最终组合物的约15%至约80重量%,更优选约25%至约75重量%,并且最优选为最终固化树脂组合物的约30%至约70重量%。胶态硅石填料实质上均匀地分布在本发明披露的整个组合物中,该分布在室温下保持稳定。本文中使用的“均匀地分布”指不存在任何可见的沉淀物,而该分散体是透明的。
在一些情况中,官能化胶态硅石的前分散体或最终分散体可以进一步官能化。至少部分除去低沸点组分,随后添加与官能化胶态硅石残留的羟基官能团反应的合适的封端剂,添加量为前分散体或最终分散体中存在的二氧化硅量的约0.05倍至约10倍。本文中使用的部分除去低沸点组分指除去低沸点组分总量的至少约10%,优选低除去沸点组分总量的至少约50%。
有效量的封端剂将官能化胶态硅石封端,在本文封端的官能化胶态硅石是指通过和封端剂反应,相应的未封端官能化胶态硅石中存在的至少10%,优选至少20%,更优选至少35%的游离羟基已被官能化的官能化胶态硅石。
在一些情况下,封端官能化胶态硅石通过改进树脂制剂的室温稳定性,有效改善了整个可固化树脂制剂的固化。一些情况中,包括封端官能化胶态硅石的制剂比没有封端的胶态硅石的类似制剂表现出好得多的室温稳定性。
示范性的封端剂包括羟基反应性物质,例如硅烷化试剂。硅烷化试剂的实例包括但不限于六甲基二硅氮烷(HMDZ)、四甲基二硅氮烷、二乙烯基四甲基二硅氮烷、二苯基四甲基二硅氮烷、N-(三甲基甲硅烷基)二乙胺、1-(三甲基甲硅烷基)咪唑、三甲基氯硅烷、五甲基氯代二硅氧烷、五甲基二硅氧烷,及其组合。在优选的实施方案中,使用六甲基二硅氮烷作为封端剂。当例如通过封端进一步官能化分散体时,添加至少一种可固化单体以形成最终的分散体。然后在约20℃至约140℃的温度下加热该分散体约0.5小时至约48小时。再过滤所得的混合物。在约0.5托至约250托的压力下浓缩可固化单体中的官能化胶态硅石混合物,形成最终的浓缩分散体。期间,基本上除去低沸点组分,例如溶剂、残留水、封端剂和羟基反应的副产物、过量的封端剂和它们的组合,得到含有约15%至约75%硅石的封端官能化胶态硅石分散体。
任选地,可以添加环氧硬化剂,例如胺环氧硬化剂、酚醛树脂、羧酸酐或酚醛清漆硬化剂。此外,任选和环氧硬化剂一起添加包含羟基的固化催化剂或有机化合物。
示范性的胺环氧硬化剂通常包括芳胺、脂族胺或其组合。芳胺包括,例如,间苯二胺、4,4′-亚甲基二苯胺、二氨基二苯基砜、二氨基二苯基醚、甲苯二胺、联茴香胺,以及胺的共混物。脂族胺包括,例如,乙二胺、环己二胺、烷基取代的二胺、薄荷烷二胺(menthane diamine)、异佛乐酮二胺,以及芳族二胺的氢化物。还可以使用胺环氧硬化剂的组合。在″Chemistry andTechnology of the Epoxy Resins″B.Ellis(Ed.)Chapman Hall,New York,1993中也描述了胺环氧硬化剂的说明性实例。
示范性的酚醛树脂通常包括苯酚-甲醛缩合产物,通常称为酚醛清漆或甲酚树脂。这些树脂可以是不同的酚和各种摩尔比的甲醛缩合得到的产物。这些酚醛清漆树脂硬化剂包括可购买的那些,例如分别得自ArakawaChemical Industries和Schenectady International的Tamanol 758或HRJ1583低聚树脂。酚醛树脂硬化剂的其它实例还描述在″Chemistry and Technologyof the Epoxy Resins″B.Ellis(Ed.)Chapman Hall,New York,1993中。尽管这些材料是用于促进环氧制剂固化的添加剂的代表,但对于本领域的技术人员,显然可以使用其它材料,例如但不限于氨基甲醛树脂作为硬化剂,因此这些其它材料涵盖在本发明的范围内。
合适的羟基芳族化合物是不影响本发明组合物的树脂基质的那些。该含有羟基的单体包括由下式表示的羟基芳族化合物:
其中R1-R5独立地为C1-C10支链或直链脂族或芳族基团,或者羟基。该羟基芳族化合物的实例包括但不限于氢醌、间苯二酚、儿茶酚、甲基氢醌、甲基间苯二酚和甲基儿茶酚。当存在时,羟基芳族化合物的量为约0.3wt.%至约15wt.%,且优选为约0.5至约10wt.%。
示范性的酸酐固化剂通常包括甲基六氢邻苯二酸酐(MHHPA)、甲基四氢邻苯二酸酐、1,2-环己烷二羧酸酐、二环[2.2.1]庚-5-烯-2,3-二羧酸酐、甲基二环[2.2.1]庚-5-烯-2,3-二羧酸酐、苯二酸酐、苯均四甲酸二酐、六氢邻苯二酸酐、十二烷基琥珀酸酐、二氯代马来酸酐、氯菌酸酐、四氯邻苯二酸酐,等等。还可以使用包含至少两种酸酐固化剂的组合。说明性实例描述在“Chemistry and Technology of the Epoxy Resins”;B.Ellis(编辑)ChapmanHall,New York,(1993)和“Epoxy Resins Chemistry and Technology”;C.A.May,Marcel Dekker编辑,New York,2nd edition,(1988)中。
可添加而形成环氧制剂的固化催化剂可以选自常规的环氧固化催化剂,包括但不限于胺、烷基-取代咪唑、咪唑鎓盐、膦、金属盐例如乙酰丙酮化铝(Al(acac)3)、含氮化合物和酸性化合物的盐,及其组合。含氮化合物包括,例如,胺化合物、二氮杂化合物、三氮杂化合物、多胺化合物及其组合。酸性化合物包括苯酚、有机取代苯酚、羧酸、磺酸及其组合。优选的催化剂是含氮化合物的盐。含氮化合物的盐包括,例如,1,8-二氮杂二环(5,4,0)-7-十一烷。含氮化合物的盐可以购买,例如购自Air Products的PolycatSA-1和Polycat SA-102。优选的催化剂包括三苯基膦(TPP)、N-甲基咪唑(NMI)和二月桂酸二丁锡(DiBSn)。
用作含羟基部分的有机化合物的实例包括醇,例如二醇,含有一个或多个羟基的高沸点烷基醇,以及双酚。烷基醇可以为直链、支链或脂环醇并且可以包括2-12个碳原子。这些醇的实例包括但不限于乙二醇;丙二醇,即,1,2-和1,3-丙二醇;2,2-二甲基-1,3-丙二醇;2-乙基,2-甲基,1,3-丙二醇;1,3-和1,5-戊二醇;一缩丙二醇;2-甲基-1,5-戊二醇;1,6-己二醇;二甲醇十氢萘,二甲醇二环辛烷;1,4-环己烷二甲醇,特别是它的顺式和反式异构体;三甘醇;1,10-癸二醇;以及上述醇的任意组合。二醇的其它实例包括双酚。
双酚的一些说明性的非限制性实例包括美国专利4,217,438中以属或种类披露的二羟基取代芳烃。二羟基取代芳族化合物的一些优选实例包括4,4′-(3,3,5-三甲基环亚己基)-二酚;2,2-双(4-羟苯基)丙烷(一般称为双酚A);2,2-双(4-羟苯基)甲烷(一般称为双酚F);2,2-双(4-羟基-3,5-二甲基苯基)丙烷;2,4′-二羟基二苯基甲烷;双(2-羟苯基)甲烷;双(4-羟苯基)甲烷;双(4-羟基-5-硝基苯基)甲烷;双(4-羟基-2,6-二甲基-3-甲氧基苯基)甲烷;1,1-双(4-羟苯基)乙烷;1,1-双(4-羟基-2-氯苯基乙烷;2,2-双(3-苯基4-羟苯基)丙烷;双(4-羟苯基)环己基甲烷;2,2-双(4-羟苯基)-1-苯基丙烷;2,2,2′,2′-四氢-3,3,3′,3′-四甲基,1′-螺二[1H-茚]-6,6′-二醇(SBI);2,2-双(4-羟基-3-甲基苯基)丙烷(一般称为DMBPC);以及C1-13烷基取代的间苯二酚。最典型地,2,2-双(4-羟苯基)丙烷和2,2-双(4-羟苯基)甲烷是优选的双酚化合物。本发明中还可以使用含羟基有机化合物的组合。
还可以将活性有机稀释剂添加至整个可固化环氧制剂中以降低组合物的粘度。活性有机稀释剂的实例包括但不限于3-乙基-3-羟甲基-氧杂环丁烷,十二烷基缩水甘油醚,4-乙烯基-1-环己烷双环氧化物,二(β-(3,4-环氧环己基)乙基)-四甲基二硅氧烷,及其组合。活性有机稀释剂可还包括单官能团环氧化物和/或含有至少一个环氧官能团的化合物。这些稀释剂的代表性实例包括但不限于,苯酚缩水甘油醚的烷基衍生物,例如3-(2-壬基苯氧基)-1,2-环氧丙烷或3-(4-壬基苯氧基)-1,2-环氧丙烷。其它可以使用的稀释剂包括苯酚自身和取代苯酚的缩水甘油醚,例如2-甲基苯酚,4-甲基苯酚,3-甲基苯酚,2-丁基苯酚,4-丁基苯酚,3-辛基苯酚,4-辛基苯酚,4-叔丁基苯酚,4-苯基苯酚和4-(苯基异亚丙基)苯酚。
整个最终分散体中还可以使用助黏剂,例如三烷氧基有机硅烷(如,γ-氨丙基三甲氧基硅烷,3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷和双(三甲氧基甲硅烷基丙基)富马酸酯)。当存在时,助黏剂以有效量添加,通常为整个最终分散体的约0.01重量%至约2重量%。
在整个最终分散体中可以任选使用阻燃剂,阻燃剂的量相对于整个最终分散体的量为约0.5重量%至约20重量%。阻燃剂的实例包括磷酰胺、三苯基磷酸酯(TPP)、间苯二酚二磷酸酯(RDP)、双酚-a-二磷酸酯(BPA-DP)、有机膦氧化物、卤代环氧树脂(四溴双酚A)、金属氧化物、金属氢氧化物,及其组合。
除了上述的环氧树脂基质之外,对于芳族环氧树脂,可以结合使用两种或两种以上的环氧树脂,例如脂环族环氧树脂和芳族环氧树脂的混合物。该组合改进了透明度和流动性。优选使用含有至少一种具有三个或更多官能团的环氧树脂的环氧树脂混合物,由此形成低CTE、良好助熔(fluxing)性能和高玻璃转化温度的底层填料树脂。除了可至少包括双官能团脂环族环氧树脂和双官能团芳族环氧树脂之外,环氧树脂还可以包括三官能团环氧树脂。
制备本发明组合物的方法得到改进的底层填料材料。在一实施方案中,通过以下步骤制备本发明的组合物:官能化胶态硅石,使得形成胶态硅石稳定的浓缩分散体;形成含有约15%至约75%硅石的官能化胶态硅石浓缩的分散体;共混环氧单体溶液和官能化胶态硅石分散体,该环氧单体溶液包括至少一种脂环族环氧树脂和至少一种脂族环氧树脂,任选的一种或多种添加剂(例如上述硬化剂、催化剂或其它添加剂)及溶剂;除去溶剂形成坚硬的、透明的B-阶段树脂膜;以及固化B-阶段树脂膜。该方法对于形成低CTE、高Tg的热固性树脂是有用的。
因此,所述溶剂改性的环氧树脂对于制备B-阶段树脂膜和在固化B-阶段树脂膜后制备低CTE、高Tg的热固性树脂是有用的。本发明制备的B-阶段树脂膜的透明性使得它们特别适合作为晶片级底层填料(wafer levelunderfill)材料,因为它们用于晶片切割时不会模糊指示标记。此外,该B-阶段树脂膜在回流焊接操作期间提供了良好的电连接,在固化后得到低CTE、高Tg的热固性树脂。
已经令人惊讶地发现,通过本发明的方法,可以获得用目前其它方法不能得到的具有良好流动性的含有高含量官能化胶态硅石的底层填料材料。
本发明描述的底层填料材料是可分配的(dispensable)且可以用于各种器件中,例如但不限于固态器件(solid state device)和/或电子器件,如计算机、半导体或需要底层填料、包覆成型外壳(overmold),或其组合的任何器件。底层填料材料可用于晶片级底层填料和/或密封剂来增强球形焊点的物理、机械和电性质,所述球形焊点通常连接芯片和基板。本发明披露的底层填料材料表现出改进的性能且有利地具有较低的制造成本。通过本领域已知的方法可以获得底层填料。优选的方法是晶片级底层填料。该晶片级底层填料方法包括在切割为单个芯片之前将底层填料材料分布在晶片上,随后通过倒装晶片型操作安装为最终的结构。本发明的组合物具有填充约10微米至约600微米的间隙的能力。
为了本领域的技术人员能够更好地实施本发明,通过说明而非限制的方式给出以下实施例。
实施例1
制备官能化胶态硅石(FCS)前分散体。通过结合以下步骤制备官能化胶态硅石前分散体:在搅拌下将935g异丙醇(Aldrich)缓慢加入675克含有34重量%、20nm SiO2颗粒的含水胶态硅石(Nalco 1034A,Nalco ChemicalCompany)中。随后,将溶解在100g异丙醇的58.5g苯基三甲氧基硅烷(PTS)(Aldrich)添加至搅拌的混合物中。然后将混合物加热至80℃,持续1-2小时,得到透明的悬浮液。将所得的官能化胶态硅石悬浮液存放在室温下。制备具有多种不同SiO2含量(10%-30%)的分散体用于实施例2。
实施例2
制备官能化胶态硅石在环氧树脂中的分散体。将540g实施例1中制备的每种前分散体装入2000ml圆底烧瓶中。下面的表1示出了其它的前分散体的组成。然后向每个烧瓶中添加1-甲氧基-2-丙醇(750g)。所得的官能化胶态硅石分散体在60℃和60mmHg下进行真空汽提,除去约1L溶剂。在良好的搅拌下缓慢降低真空度并不断除去溶剂,直到分散体的重量达到140g。透明的苯基官能化胶态硅石分散体含有50%SiO2且没有沉淀的硅石。该分散体在室温下稳定三个月以上。表1的结果显示,为了在1-甲氧基-2-丙醇(分散体1-5)中制备浓缩的稳定的FCS分散体,需要一定含量的苯基官能团。可以调节官能团的含量以获得在甲氧基丙醇乙酸酯中透明、稳定的分散体。该调节表明优化官能团的含量可允许在其它溶剂(分散体6和7)中制备分散体。
表1
FCS分散体的制备
项号# | 前分散体组成 | 最终分散体浓度 | 分散稳定性 |
(PTS*/100g SiO2) | (wt%SiO2)/wt%总固体 | (在甲氧基丙醇中) | |
1 | 0.028m/100g | 50%SiO2/63% | 沉淀 |
2 | 0.056m/100g | 47%SiO2/60% | 沉淀 |
3 | 0.13m/100g | 53%SiO2/66% | 稳定,透明 |
4 | 0.13m/100g | 60%SiO2/75% | 稳定,透明 |
5 | 0.19m/100g | 50%SiO2/63% | 稳定,透明 |
(在甲氧基丙醇乙酸酯中) | |||
6 | 0.13m/100g | 50%SiO2/63% | 沉淀 |
7 | 0.19m/100g | 50%SiO2/63% | 稳定,透明 |
*PTS是苯基三甲氧基硅烷
实施例3
制备封端官能化胶态硅石在环氧树脂中的分散体。将在3.0g 1-甲氧基-2-丙醇中含有5.33g甲酚可溶酚醛环氧树脂(ECN 195XL-25,得自SumitomoChemical Co.),2.6g酚醛清漆硬化剂(Tamanol 758,得自Arakawa ChemicalIndustries)的溶液加热至约50℃。在搅拌时在50℃下向10.0g FCS分散体中逐滴添加7.28g溶液(见上面的表1,项号#3,50%SiO2的甲氧基丙醇溶液)。冷却该透明的悬浮液并在搅拌下添加N-甲基咪唑的催化剂溶液,60微升50%w/w的甲氧基丙醇溶液。直接使用该透明的溶液流延(cast)成树脂膜,用于表征或在-10℃下存放。使用不同量的不同催化剂和不同的环氧树脂制备其它的膜,如下面显示最终树脂组成的表2中所列出的。
在玻璃板上分散一部分环氧-硅石分散体而流延膜,然后在设定在85℃、150mmHg真空度的烘箱中除去溶剂。1-2小时之后,移去玻璃板,留下的膜为透明和坚硬的。在一些情况下,在220℃下将干燥的膜固化5分钟,接着在160℃下加热60分钟。使用购自Perkin Elmer的DSC通过差示扫描量热法测量玻璃转化温度。测试的制剂和它们的Tg列在下面的表2中。
表2
胶态硅石制剂
项号# | 环氧树脂(g)* | 硬化剂**(g) | 溶剂***(g) | 催化剂****(g) | FCS量***** | Tg****** |
1 | ECN(3.55) | T758(1.73) | MeOPrOH(2) | TPP(0.12) | 10 | 168 |
2 | ECN(3.55) | T758(1.73) | MeOPrOH(2) | TPP(0.06) | 10 | 165 |
3 | ECN(3.55) | T758(1.73) | McOPrOH(2) | NMI(0.015) | 10 | 199 |
4 | ECN(3.55) | T758(1.73) | MeOPrOH(2) | NMI(0.018) | 5 | 180 |
5 | ECN(3.55)Epon 1002F(0.5) | T758(1.73) | MeOPrOH(2) | TPP(0.06) | 10 | 136 |
6 | ECN(3.55)Epon 1002F(0.5) | T758(1.73) | MeOPrOH(2) | NMI(0.03) | 10 | 184 |
7 | ECN(3.55) | T758(1.73) | BuAc(2) | TPP(0.12) | 5 | 171 |
8 | ECN(3.55) | T758(1.73) | 二甘醇二甲醚(2) | TPP(0.12) | 5 | 171 |
*ECN指购自Sumitomo Chemical Co.的ECN 195XL-25,Epon 1002F指低聚的BPA二缩水甘油醚环氧树脂,购自Resolution Performance Products。
**T758指购自Arakawa Chemical Industries的Tamanol 758
***溶剂为1-甲氧基-2-丙醇(MeOPrOH),乙酸丁酯(BuAc)或甲氧基乙基醚(二甘醇二甲醚)
****催化剂为三苯基膦(TPP),N-甲基咪唑(NMI)或二月桂酸二丁锡(DiBSn)
*****FCS量指在实施例2中所描述的50%SiO2苯基官能化胶态硅石的量,以克计。
******Tg指由DSC(转折的中点)测量的玻璃转化温度。
实施例4
测量晶片级底层填料(WLU)材料的热膨胀系数性能。将根据实施例3制备的材料的10微米膜流延在Teflon厚片(尺寸为4″×4″×0.25″)上并在40℃和100mmHg下干燥过夜,得到透明的硬膜,然后在85℃和150mmHg下进一步干燥。根据实施例3的方法固化该膜,并通过热机械分析(TMA)测量热膨胀系数(CTE)值。使用外科手术刀将样品切成4mm宽并在TMA上使用薄膜探针测量CTE。
在TA Instruments的TMA 2950 Thermo Mechanical Analyzer上进行热机械分析。实验参数设定为:力为0.05N,静态重量为5.000g,氮气冲洗量为100mL/min,取样间隔为2.0sec/pt。将样品在30℃平衡2分钟,接着以5.00℃/min线性上升至250.00℃,平衡2分钟,再以10.00℃/min线性下降至0.00℃,平衡2分钟,然后以5.00℃/min线性上升至250.00℃。
下面的表3提供了获得的CTE数据。在在透明的膜上获得表3第二和第三项的结果,与使用5微米熔凝硅石的相同组合物得到的膜进行比较。在50重量%相同的载量率下使用5微米熔凝硅石和官能化胶态硅石。另外,在未填充树脂上(表3,项号1)这些材料(表3,第二和第三项)表现的CTE下降表明官能化胶态硅石在降低树脂CTE方面是有效的。
表3
项号# | 低于Tg的CTE(μm/m℃) | 高于Tg的CTE(μm/m℃) |
未填充树脂 | 70 | 210 |
表2,项号1(TPP含量0.015g) | 46 | 123 |
表3,项号3(NMI含量0.0075g) | 40 | 108 |
实施例5
焊接润湿(wetting)和回流实验。为了说明在上述实施例中制备的晶片级底层填料存在下球形焊点的润湿作用进行以下实验。
A部分:
凸形倒装晶片片涂覆实施例3的实验用底层填料材料层。该底层填料涂层包含大量溶剂,约为30%。为了除去该溶剂,在85℃和150mmHg的真空烘箱中烘烤涂覆的芯片。这使得球形焊点的顶端暴露,和涂覆在芯片的整个活性表面的B-阶段树脂层。
B部分:
为了确保球形焊点的润湿能力不因B-阶段层的存在受到妨碍,向Cu包覆的FR-4试样(购自MG Chemicals的与铜层压的玻璃纤维环氧树脂片)涂布助熔剂薄涂层。仅仅在球形焊点欲接触Cu表面的区域施用助熔剂(Kester TSF 6522 Tacflux)。然后将这一组装在Zepher对流回流炉(MannCorp)中进行回流。回流之后,手工剪断片,检查Cu表面浸润的(wet-out)焊料。润湿Cu表面的熔融焊料仍附着在面板上,表明在黏性助熔剂存在下,润湿性能没有受到晶片级底层填料材料的B-阶段层妨碍。
C部分:
使用A部分描述的方法制备涂覆芯片。这些芯片用菊花链测试方式组装在测试板上。所用的测试板为购自MG Chemicals的62密耳厚的FR-4板。底座抛光冶金(pad finish metallurgy)为Ni/Au。使用30计量针头和EFD手动分散器(EFD,Inc.)将黏性助熔剂(Kester TSF 6522)注射分布在测试板的暴露焊盘(pad)上。在MRSI 505自动拾放机(pick and place machine)(Newport/MSR1 Corp.)的帮助下将片放置在板上。然后将这一组装在Zepher对流回流炉中进行回流。电阻阅读值约2欧姆(用Fluke万用表测量),表明在晶片级底层填料存在下焊料已经润湿了焊盘。使用具有MICROFOCUS X-射线管的X-射线机,对与对照片的Cu焊盘和涂覆有本发明组合物的片的Cu焊盘连接的晶片组装进行X-射线分析。X-射线分析的结果表明焊料润湿了Cu焊盘,在回流之后对照树脂和实验树脂的焊接块显示出相似的焊接球形态。
实施例6
制备官能化胶态硅石(FCS)前分散体。通过结合以下步骤制备官能化胶态硅石前分散体:在搅拌下将1035g异丙醇(Aldrich)缓慢加入675克含有20-21重量%、50nm SiO2颗粒的含水胶态硅石(Snowtex OL,NissanChemical Company)中。随后,将17.6g苯基三甲氧基硅烷(PTS)(Aldrich)添加至搅拌的混合物中。然后将混合物加热至80℃,持续1-2小时,得到官能化胶态硅石的前分散体,存放在室温下。
实施例7
制备在各种溶剂中的官能化胶态硅石分散体。将540g实施例6中制备的每种前分散体装入2000ml圆底烧瓶中。下面的表4示出了其它的前分散体的组成。然后向每个烧瓶中添加1-甲氧基-2-丙醇(750g)。所得的官能化胶态硅石分散体在60℃和60mmHg下进行真空汽提,除去约1L溶剂。在良好的搅拌下缓慢降低真空度并不断除去溶剂,直到分散体的重量达到80g。苯基官能化胶态硅石分散体含有50%SiO2且没有沉淀的硅石。该分散体在室温下稳定三个月以上。表4的结果显示,为了在1-甲氧基-2-丙醇(分散体1-4,6)中制备浓缩的稳定的FCS分散体,需要一定含量的苯基官能团。包括实施例2,表1项号3的组合物(列在表4的项号6中)作为比较。
表4
项号# | 前分散体组成 | 最终分散体浓度(粒度) | 分散稳定性 |
(PTS/100g SiO2) | (wt%SiO2) | (在甲氧基丙醇中) | |
1 | 0.067m/100g | 47%SiO2-50nm | 勉强稳定 |
2 | 0.0838m/100g | 50%SiO2-50nm | 稳定 |
3 | 0.134/100g | 50%SiO2-50nm | 稳定 |
4 | 0.268m/100g | 50%SiO2-50nm | 稳定 |
5 | 0.134/100g | 47%SiO2-50nm | 稳定 |
6 | 0.134/100g | 50%SiO2-20nm | 稳定 |
实施例8
制备官能化胶态硅石在环氧树脂中的分散体。将在3.0g 1-甲氧基-2-丙醇中组合5.33g甲酚可溶酚醛环氧树脂(ECN 195XL-25,得自SumitomoChemical Co.),2.6g酚醛清漆硬化剂(Tamanol 758,得自Arakawa ChemicalIndustries)的溶液加热至约50℃。在搅拌时在50℃下向10.0g FCS分散体中逐滴添加7.28g溶液(见上面的表4,项号#3,50%SiO2的甲氧基丙醇溶液)。冷却该透明的悬浮液并在搅拌下添加N-甲基咪唑的催化剂溶液,60微升50%w/w的甲氧基丙醇溶液。直接使用该透明的溶液流延成树脂膜,用于表征或在-10℃下存放。使用显示最终树脂组合物的表5给出的不同量的不同催化剂和不同的环氧化物/硬化剂组合物和各种FCS分散体制备其它的膜。
在玻璃板上分散一部分环氧-硅石分散体而流延膜,然后在烘箱中在90℃/200mm下除去溶剂1小时,再在90℃/100mm下除去溶剂1小时。移去玻璃板,留下的膜为透明和固态的B-阶段材料。在一些情况下,在220℃下将干燥的膜固化5分钟,接着在160℃下加热60分钟。使用购自PerkinElmer的DSC通过差示扫描量热法测量玻璃转化温度。DSC分析的结果列在下面的表6中。
表5
样品# | 填料*(Wt%SiO2) | Epoxy A(g)** | Epoxy B(g)** | 硬化剂A(g)*** | 硬化剂B(g)*** | 甲氧基丙醇(g) | 催化剂(%)**** |
1 | 0 | ECN(5.3) | - | Tamanol(2.6) | - | 3 | 0.14 |
2 | Denka40 | ECN(5.3) | - | Tamanol(2.6) | - | 3 | 0.14 |
3 | 表4,#6(50) | ECN(5.3) | - | Tamanol(2.6) | - | 3 | 0.14 |
4 | 表4,#6(10) | ECN(5.3) | - | Tamanol(2.6) | - | 3 | 0.14 |
5 | 表4,#6(15) | ECN(5.3) | - | Tamanol(2.6) | - | 3 | 0.14 |
6 | 表4,#1(20) | ECN(5.3) | - | Tamanol(2.6) | - | 3 | 0.14 |
7 | 表4,#1(30) | ECN(5.3) | - | Tamanol(2.6) | - | 3 | 0.14 |
8 | 表4,#1(30) | ECN(5.0) | UVR6105(0.475) | HRJ(2.6) | - | 3 | 0.14 |
9 | 表4,#1(60) | ECN(5.0) | UVR6105(0.475) | HRJ(2.6) | - | 3 | 0.14 |
10 | 表4,#1(50) | ECN(4.5) | UVR6105(0.945) | HRJ(2.6) | - | 3 | 0.14 |
11 | 表4,#1(50) | ECN(4.0) | UVR6105(1.52) | HRJ(2.6) | - | 3 | 0.14 |
12 | 表4, | ECN(4.9) | - | Tamanol | - | 2.7 | 0.14 |
#5(10) | - | (2.4) | - | - | - | ||
13 | 表4,#5(20) | ECN(4.9) | - | Tamanol(2.4) | - | 2.7 | 0.14 |
14 | 表4,#5(30) | ECN(4.9) | - | Tamanol(2.4) | - | 2.7 | 0.14 |
15 | 表4,#5(40) | ECN(4.9) | - | Tamanol(2.4) | - | 2.7 | 0.14 |
16 | 表4,#5(50) | ECN(4.9) | - | Tamanol(2.4) | - | 2.7 | 0.14 |
17 | 表4,#5(50) | ECN(2.2) | DER732(0.4) | Tamanol(1.2) | - | 1.4 | 0.14 |
18 | 表4,#5(50) | ECN(2.2) | DER736(0.3) | Tamanol(1.2) | - | 1.4 | 0.14 |
19 | 表4,#5(30) | ECN(2.8) | - | Tamanol(1.1) | 氢醌(0.5) | 1.6 | 0.14 |
20 | 表4,#5(40) | ECN(2.4) | - | Tamanol(0.9) | 氢醌(0.5) | 1.3 | 0.14 |
21 | 表4,#5(30) | ECN(2.8) | - | Tamanol(1.1) | 间苯二酚(0.5) | 1.6 | 0.14 |
22 | 表4,#5(40) | ECN(2.4) | - | Tamanol(0.9) | 间苯二酚(0.5) | 1.3 | 0.14 |
*填料指表4描述的官能化胶态硅石形式的最终制剂中的SiO2的重量。指定为Denka的填料是得自Denka Corporation的5微米熔凝硅石填料(FB-5LDX)。
**ECN指购自Sumitomo Chemical Co.的ECN 195XL-25。Epoxy B是得自Dow Chemical Co.的UVR6105,3-环己烯基甲基-3-环己烯基羧酸酯双环氧化物。DER 732是得自Dow Chemical Co.的聚乙二醇二环氧化物。DER736得自Dow Chemical Co.的聚乙二醇二环氧化物。
***硬化剂是分别得自Arakawa Chemical Industries和SchenectadyInternational的Tamanol 758或HRJ1583低聚树脂,或者购自AldrichChemical的单体氢醌或间苯二酚。
****催化剂(N-甲基咪唑)载量是基于除去溶剂的有机组分。
实施例9:50nm官能化胶态硅石制剂的流动性能。
通过将表5中描述的树脂组合物膜流延在玻璃滑板上制备含有铅低共熔焊接球的树脂膜。将两块玻璃滑板挤压在一起在该膜上放置铅低共熔焊接球(直径25密耳,mp.183℃),确保焊球浸在树脂膜中。然后在烘箱中在90℃/200mm下加热这些组装1小时,再在90℃/100mm下加热这些组装另1小时,以除去所有溶剂并将树脂膜转化为嵌有焊接球的坚硬的B-阶段膜。当冷却至室温时,这些膜通常是坚硬的,如表6中指出的。通过将玻璃载片放置在铜包覆的FR-4电路板上进行树脂流动性和助熔性能的测试,所述FR-4电路板上已经放置了一滴Kester助熔剂(得自Kester division ofNorthrup Grumman的产品TSF-6522)。安置该玻璃载片使得焊接球/树脂膜与助熔剂接触。然后将整个组装放置在保持为230-240℃的热板上。如果焊接球表现为坍塌(collapse)并流动在一起则认为流动性和助熔性能是良好的。相反,如果流动性和助熔性能差的树脂阻止焊接球坍塌,从而最初焊接球的形态是明显可见的。认为能够使焊接球熔融和坍塌的良好的流动性和助熔性能对于在器件中形成好的电连接是至关重要的,上述测试在器件制造中是有用的量度标准。
归纳在表6中的结果表明,相对于基于常规5微米填料(项号2),用50nm官能化胶态硅石(项号6,7和12-16)可以制备具有明显改进的透明度的膜,但这些膜的透明度尽管是可接受的,但不如用20nm官能化胶态硅石的组合物(项号3-5)所制备的膜清澈。然而,出乎意料地,添加少量的脂环族环氧单体,UVR6105,即使在高载量的50nm官能化胶态硅石(项号8-11)下,也得到了具有优异透明度的膜。而且,项号8-11的结果表明,在一定的UVR6105含量范围,膜的坚硬度得以保持。
表6
样品# | 材料 | Tg * | B-阶段** | 透明度*** | 焊接球的坍塌**** |
1 | 表5,#1 | 190 | 坚硬 | 透明 | 完全坍塌(极好) |
2 | 表5,#2 | 193 | 坚硬 | 不透明 | 完全坍塌(极好) |
3 | 表5,#3 | 184 | 坚硬 | 透明 | 不坍塌(非常差) |
4 | 表5,#4 | 185 | 坚硬 | 透明 | 完全坍塌(良好) |
5 | 表5,#5 | - | 坚硬 | 透明 | 勉强坍塌(差) |
6 | 表5,#6 | - | 坚硬 | 半透明 | 完全坍塌(极好) |
7 | 表5,#7 | 180 | 坚硬 | 半透明 | 勉强坍塌,可接受 |
8 | 表5,#8 | 158 | 坚硬 | 透明 | 完全坍塌(极好) |
9 | 表5,#9 | 153 | 坚硬 | 透明 | 完全坍塌(极好) |
10 | 表5,#10 | 160 | 坚硬 | 透明 | 完全坍塌(极好) |
11 | 表5,#11 | 157 | 粘性 | 透明 | 完全坍塌(极好) |
12 | 表5,#12 | 183 | 坚硬 | 半透明 | 完全坍塌(极好) |
13 | 表5,#13 | 183 | 坚硬 | 半透明 | 完全坍塌(极好) |
14 | 表5,#14 | 187 | 坚硬 | 半透明 | 完全坍塌(极好) |
15 | 表5,#15 | 190 | 坚硬 | 半透明 | 勉强坍塌,可接受 |
16 | 表5,#16 | 203 | 坚硬 | 半透明 | 勉强坍塌(差) |
17 | 表5,#17 | 163 | 坚硬 | 半透明 | 完全坍塌(极好) |
18 | 表5,#18 | 171 | 坚硬 | 半透明 | 完全坍塌(极好) |
19 | 表5,#19 | 183 | 坚硬 | 半透明 | 完全坍塌(极好) |
20 | 表5,#20 | 180 | 坚硬 | 半透明 | 完全坍塌(极好) |
21 | 表5,#21 | 177 | 坚硬 | 半透明 | 完全坍塌(极好) |
22 | 表5,#22 | 160 | 坚硬 | 半透明 | 完全坍塌(极好) |
*Tg指用DSC测量时在标准回流条件下所固化的给定材料的玻璃转化温度。
**B-阶段相应于溶剂去除之后膜的状态。
***基于在溶剂去除之后膜的目测观察。使用透明表示最佳透明度,使用半透明表示所述应用可接受的透明度(即对晶片切割过程没有不利影响),使用不透明表示不能接受的透明度。
****基于在200-240℃加热期间和之后的目测观察。
表6的结果表明,基质树脂(项号1)由于显示了极好的焊接球坍塌而表现出良好的流动性;但是,该树脂具有不能接受的高CTE值,预计在倒装晶片器件中用作晶片级底层填料时可靠性差。使用常规的5微米填料(项号2),在保持极好的焊接球坍塌时获得较低的CTE,但引起晶片切割操作中所需透明度的损失。在填料载量和使用5微米填料相当的情况下,使用20nm填料系统得到极好的透明度但引起流动性损失,正如不可接受的差的焊接球坍塌(项号3)所显示的。在10%SiO2的20nm填料处观察到良好的焊接球坍塌而在大于15%SiO2的20nm填料处没有观察到(分别为项号3和4)。50nm填料的使用(表4,项号6和7)显示流动性明显增加,正如在高达30wt.%的填料处良好的焊接球坍塌所显示的。另外,与添加脂族环氧树脂所获得的结果相似,向制剂添加脂环族环氧树脂得到了在流动性方面明显的增加以及更好的膜透明性(表6,项号8-11和17-18)。此外,当结合50nm填料和包含一些二羟基化合物的单体硬化剂时,在流动性方面同样实现了类似的提高(表6,项号19-22)。
尽管本文已经描述了本发明的优选实施方案和其它实施方案,但本领域的技术人员可以领会到更多实施方案而不偏离权利要求书限定的本发明的范围。
Claims (36)
1.一种组合物,包括:至少一种可固化芳族环氧树脂、至少一种溶剂、胶态硅石填料和至少一种选自以下的物质:脂环族环氧单体、脂族环氧单体、羟基芳族化合物,及其组合和混合物。
2.权利要求1的组合物,其中树脂还包括至少一种选自以下的树脂:环氧树脂、丙烯酸酯树脂、聚酰亚胺树脂、氟碳树脂、氟树脂、苯并环丁烯树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂、氟化聚烯丙基醚、聚酰胺树脂、聚亚氨基酰胺树脂、苯酚苯甲酚树脂、芳族聚酯树脂、聚苯醚树脂和聚二甲基硅氧烷树脂。
3.权利要求1的组合物,其中树脂还包括至少一种有机硅-环氧树脂。
4.权利要求1的组合物,其中芳族环氧树脂是甲酚可溶酚醛环氧树脂。
5.权利要求1的组合物,其中至少一种脂环族环氧单体选自:3-环己烯基甲基-3-环己烯基羧酸酯双环氧化物、3-(1,2-环氧乙基)-7-氧杂双环庚烷、己二酸、双(7-氧杂二环庚基甲基)酯、2-(7-氧杂二环庚-3-基)-螺(1,3-二氧杂-5,3′-(7)-氧杂双环庚烷和3,4-环氧环己烷羧酸甲酯。
6.权利要求1的组合物,其中至少一种脂族环氧单体选自:丁二烯二氧化物、二甲基戊烷二氧化物、二缩水甘油醚、1,4-丁二醇二缩水甘油醚、二甘醇二缩水甘油醚和二聚戊烯二氧化物。
7.权利要求1的组合物,其中填料的粒度为约20nm至100nm。
8.权利要求7的组合物,其中填料的粒度为约50nm至75nm。
9.权利要求1的组合物,其还包括至少一种树脂硬化剂。
10.权利要求9的组合物,其中所述至少一种树脂硬化剂选自酚醛清漆树脂硬化剂、氢醌、间苯二酚,及其组合和混合物。
11.权利要求1的组合物,其中至少一种溶剂选自1-甲氧基-2-丙醇、乙酸丁酯、甲氧基乙基醚、甲氧基丙醇乙酸酯和甲醇。
12.权利要求1的组合物,其中胶态硅石用苯基三甲氧基硅烷官能化。
13.权利要求1的透明底层填料组合物,其中胶态硅石是用硅烷化剂封端的。
14.权利要求13的透明底层填料组合物,其中硅烷化剂是六甲基二硅氮烷。
15.权利要求1的组合物,其中胶态硅石填料还包括占组合物约15wt.%至约75wt.%量的二氧化硅。
16.权利要求1的组合物,其中组合物还包括催化剂,该催化剂选自三苯基膦、N-甲基咪唑和二月桂酸丁基锡。
17.权利要求1的组合物,其中组合物还包括添加剂,该添加剂选自阻燃剂、助黏剂、活性有机稀释剂、固化剂,及其组合。
18.权利要求17的组合物,其中所述活性有机稀释剂包括单官能环氧化合物。
19.透明底层填料组合物,其包括:至少一种芳族环氧树脂,以及至少一种溶剂,官能化胶态硅石分散体和至少一种选自脂环族环氧单体、脂族环氧单体、羟基芳族化合物及其组合和混合物的物质;所述官能化胶态硅石的粒度为约50nm至约100nm。
20.权利要求19的透明底层填料组合物,其中芳族环氧树脂包括甲酚可溶酚醛环氧树脂。
21.权利要求19的透明底层填料组合物,其还包括酚醛清漆树脂硬化剂。
22.权利要求19的透明底层填料组合物,其中所述至少一种溶剂是1-甲氧基-2-丙醇。
23.权利要求19的组合物,其中组合物还包括催化剂,该催化剂选自三苯基膦、N-甲基咪唑和二月桂酸丁基锡。
24.权利要求19的透明底层填料组合物,其中官能化胶态硅石包含占官能化胶态硅石分散体约15wt.%至约75wt.%的二氧化硅。
25.透明底层填料组合物,其包括:甲酚可溶酚醛环氧树脂;至少一种选自脂环族环氧树脂、脂族环氧树脂、羟基芳族化合物及其混合物和组合的物质;至少一种溶剂;粒度为约50nm至约100nm的官能化胶态硅石分散体;以及至少一种催化剂。
26.固态器件,其包括:
芯片;
基板;和
芯片和基板之间的透明可固化底层填料组合物,该组合物包括:至少一种芳族环氧树脂,官能化胶态硅石分散体,和至少一种选自脂环族环氧单体、脂族环氧单体、羟基芳族化合物及其组合和混合物的物质;所述官能化胶态硅石的粒度为约50nm至约100nm。
27.权利要求26的固态器件,其中透明底层填料组合物还包括添加剂,该添加剂选自树脂硬化剂、树脂催化剂、阻燃剂、助黏剂、活性有机稀释剂、固化剂,及其组合。
28.权利要求26的固态器件,其中芳族环氧树脂包括甲酚可溶酚醛环氧树脂。
29.制备透明底层填料组合物的方法,包括:
官能化胶态硅石,使得形成粒度为约50nm至约100nm的胶态硅石的稳定的浓缩分散体;
形成含有约15wt.%至约75wt.%硅石的官能化胶态硅石浓缩的分散体;
将芳族环氧树脂和至少一种选自脂环族环氧单体、脂族环氧单体、羟基芳族化合物及其混合物和组合的物质及溶剂的溶液与官能化胶态硅石分散体共混;
除去溶剂形成硬的、透明的B-阶段树脂膜;以及
固化透明的B-阶段树脂膜。
30.权利要求29的方法,其中官能化胶态硅石的步骤包括用苯基三甲氧基硅烷官能化胶态硅石。
31.权利要求29的方法,其中形成官能化胶态硅石的浓缩分散体的步骤包括在约20℃至约140℃的温度下将所述官能化胶态硅石置于约0.5托至约250托的真空下。
32.权利要求29的方法,其中将环氧单体和溶剂的溶液与官能化胶态硅石分散体共混的步骤还包括向环氧单体的溶液添加添加剂,该添加剂选自硬化剂、活性有机稀释剂、固化剂及其组合。
33.权利要求29的方法,其中将环氧单体和溶剂的溶液与官能化胶态硅石共混的步骤包括将环氧单体放置在溶剂中,该溶剂选自1-甲氧基-2-丙醇、乙酸丁酯、甲氧基乙基醚、甲氧基丙醇乙酸酯和甲醇。
34.权利要求29的方法,其中固化透明的B-阶段树脂膜的步骤包括在约50℃至约250℃的温度下将B-阶段树脂膜置于约75mmHg至约250mmHg的真空下。
35.透明B-阶段树脂膜,其是由权利要求29的方法制备的。
36.透明B-阶段树脂膜,其包括:芳族环氧树脂,官能化胶态硅石分散体,和至少一种选自脂环族环氧单体、脂族环氧单体、羟基芳族化合物及其混合物和组合的物质;所述官能化胶态硅石的粒度为约20nm至约100nm。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/654,378 | 2003-09-03 | ||
US10/654,378 US20050049334A1 (en) | 2003-09-03 | 2003-09-03 | Solvent-modified resin system containing filler that has high Tg, transparency and good reliability in wafer level underfill applications |
US10/737,943 | 2003-12-16 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1875478A true CN1875478A (zh) | 2006-12-06 |
Family
ID=34218078
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNA2004800326373A Pending CN1875478A (zh) | 2003-09-03 | 2004-08-03 | 溶剂改性树脂组合物及其制备方法 |
CNB2004800325173A Expired - Fee Related CN100490130C (zh) | 2003-09-03 | 2004-08-03 | 在晶片级底层填料应用中含有高Tg、透明和良好可靠性的填料的溶剂改性树脂体系 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2004800325173A Expired - Fee Related CN100490130C (zh) | 2003-09-03 | 2004-08-03 | 在晶片级底层填料应用中含有高Tg、透明和良好可靠性的填料的溶剂改性树脂体系 |
Country Status (14)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20050049334A1 (zh) |
EP (1) | EP1665376A1 (zh) |
JP (1) | JP2007504321A (zh) |
KR (1) | KR20060093707A (zh) |
CN (2) | CN1875478A (zh) |
AT (1) | ATE446589T1 (zh) |
AU (1) | AU2004271534A1 (zh) |
BR (1) | BRPI0413778A (zh) |
CA (1) | CA2537828A1 (zh) |
DE (1) | DE602004023734D1 (zh) |
MX (1) | MXPA06002522A (zh) |
RU (1) | RU2358353C2 (zh) |
WO (1) | WO2005024939A1 (zh) |
ZA (2) | ZA200602267B (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102686634A (zh) * | 2010-02-01 | 2012-09-19 | 株式会社大赛璐 | 固化性环氧树脂组合物 |
CN101688051B (zh) * | 2007-07-11 | 2013-03-13 | 日产化学工业株式会社 | 含有无机粒子的液体环氧树脂形成用制剂 |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050170188A1 (en) * | 2003-09-03 | 2005-08-04 | General Electric Company | Resin compositions and methods of use thereof |
US20060147719A1 (en) * | 2002-11-22 | 2006-07-06 | Slawomir Rubinsztajn | Curable composition, underfill, and method |
US7022410B2 (en) * | 2003-12-16 | 2006-04-04 | General Electric Company | Combinations of resin compositions and methods of use thereof |
US20040102529A1 (en) * | 2002-11-22 | 2004-05-27 | Campbell John Robert | Functionalized colloidal silica, dispersions and methods made thereby |
US20050266263A1 (en) * | 2002-11-22 | 2005-12-01 | General Electric Company | Refractory solid, adhesive composition, and device, and associated method |
US7446136B2 (en) * | 2005-04-05 | 2008-11-04 | Momentive Performance Materials Inc. | Method for producing cure system, adhesive system, and electronic device |
US7405246B2 (en) * | 2005-04-05 | 2008-07-29 | Momentive Performance Materials Inc. | Cure system, adhesive system, electronic device |
US7339834B2 (en) | 2005-06-03 | 2008-03-04 | Sandisk Corporation | Starting program voltage shift with cycling of non-volatile memory |
DE102005040126A1 (de) * | 2005-08-25 | 2007-03-01 | Altana Electrical Insulation Gmbh | Überzugsmasse |
TWI305389B (en) * | 2005-09-05 | 2009-01-11 | Advanced Semiconductor Eng | Matrix package substrate process |
US7551482B2 (en) | 2006-12-27 | 2009-06-23 | Sandisk Corporation | Method for programming with initial programming voltage based on trial |
US7570520B2 (en) | 2006-12-27 | 2009-08-04 | Sandisk Corporation | Non-volatile storage system with initial programming voltage based on trial |
EP2145928B1 (de) * | 2008-07-18 | 2017-09-13 | Evonik Degussa GmbH | Dispersion von hydrophobierten Siliciumdioxidpartikeln und Granulat hiervon |
DE102008048874A1 (de) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Siemens Aktiengesellschaft | Beschichtungen für elektronische Schaltungen |
WO2010043638A2 (en) * | 2008-10-15 | 2010-04-22 | Basf Se | Curable epoxide formulation containing silica |
JP5353629B2 (ja) * | 2008-11-14 | 2013-11-27 | 信越化学工業株式会社 | 熱硬化性樹脂組成物 |
KR20130039760A (ko) * | 2010-06-25 | 2013-04-22 | 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨 | 경화성 에폭시 수지 조성물 및 이로부터 제조된 복합체 |
US8070045B1 (en) * | 2010-12-02 | 2011-12-06 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Curable amine flux composition and method of soldering |
US8070046B1 (en) * | 2010-12-02 | 2011-12-06 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Amine flux composition and method of soldering |
JP5598343B2 (ja) * | 2011-01-17 | 2014-10-01 | 信越化学工業株式会社 | 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
US8531821B2 (en) * | 2011-01-28 | 2013-09-10 | Raytheon Company | System for securing a semiconductor device to a printed circuit board |
JP5685451B2 (ja) * | 2011-02-01 | 2015-03-18 | アイカ工業株式会社 | 難燃化用組成物及び化粧板 |
CN102876179B (zh) * | 2011-07-13 | 2015-03-11 | 中国科学院化学研究所 | 用于喷墨打印直接制版用铝版基的涂料及其制法和应用 |
KR20130059291A (ko) | 2011-11-28 | 2013-06-05 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 언더필재 및 반도체 장치의 제조 방법 |
JP6692758B2 (ja) * | 2014-02-24 | 2020-05-13 | ヘンケル アイピー アンド ホールディング ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 熱伝導性プリアプライアンダーフィル組成物およびその使用 |
WO2016134257A1 (en) * | 2015-02-19 | 2016-08-25 | Lixter Biotechnology, Inc. | Oxabicycloheptanes and oxabicycloheptenes for the treatment of depressive and stress disorders |
US10703939B2 (en) * | 2016-08-10 | 2020-07-07 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Acrylic composition for sealing, sheet material, multilayer sheet, cured product, semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
TWI606565B (zh) * | 2016-08-31 | 2017-11-21 | 金寶電子工業股份有限公司 | 封裝結構及其製作方法 |
TWI654218B (zh) | 2018-01-08 | 2019-03-21 | 財團法人工業技術研究院 | 樹脂組合物與導熱材料的形成方法 |
CN109504327A (zh) * | 2018-11-13 | 2019-03-22 | 烟台德邦科技有限公司 | 一种高Tg高可靠性的环氧树脂封装导电胶及其制备方法 |
CN114149725B (zh) * | 2021-11-25 | 2022-07-08 | 中国船舶重工集团公司第七二五研究所 | 一种破冰船用破冰涂料及其制备方法 |
CN116814174B (zh) * | 2023-08-24 | 2023-11-28 | 佛山市奥川顺新材料实业有限公司 | 一种复合型pet保护膜及其制备方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4217438A (en) * | 1978-12-15 | 1980-08-12 | General Electric Company | Polycarbonate transesterification process |
JPH04154861A (ja) * | 1990-10-19 | 1992-05-27 | Toshiba Silicone Co Ltd | 樹脂組成物 |
US5307438A (en) * | 1992-08-13 | 1994-04-26 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Index matching compositions with improved DNG/DT |
JPH06232296A (ja) * | 1993-02-05 | 1994-08-19 | Nitto Denko Corp | 半導体装置 |
JPH1176928A (ja) * | 1997-09-03 | 1999-03-23 | Asahi Glass Co Ltd | 透明被覆成形品の製造方法 |
US6210790B1 (en) * | 1998-07-15 | 2001-04-03 | Rensselaer Polytechnic Institute | Glass-like composites comprising a surface-modified colloidal silica and method of making thereof |
US6576718B1 (en) * | 1999-10-05 | 2003-06-10 | General Electric Company | Powder coating of thermosetting resin(s) and poly(phenylene ethers(s)) |
CN1156533C (zh) * | 1999-10-06 | 2004-07-07 | 日东电工株式会社 | 半导体密封用树脂组合物和使用它的半导体装置及制法 |
JP4633214B2 (ja) * | 1999-12-08 | 2011-02-16 | 富士通株式会社 | エポキシ樹脂組成物 |
US6578718B2 (en) * | 2000-05-01 | 2003-06-17 | Raymond H. Levy | Paint chip display system |
US6548189B1 (en) * | 2001-10-26 | 2003-04-15 | General Electric Company | Epoxy adhesive |
US6833629B2 (en) * | 2001-12-14 | 2004-12-21 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | Dual cure B-stageable underfill for wafer level |
US20030164555A1 (en) * | 2002-03-01 | 2003-09-04 | Tong Quinn K. | B-stageable underfill encapsulant and method for its application |
US7037399B2 (en) * | 2002-03-01 | 2006-05-02 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | Underfill encapsulant for wafer packaging and method for its application |
CN100521869C (zh) * | 2002-05-23 | 2009-07-29 | 3M创新有限公司 | 纳米颗粒填充的底层填料 |
US20040102529A1 (en) * | 2002-11-22 | 2004-05-27 | Campbell John Robert | Functionalized colloidal silica, dispersions and methods made thereby |
US20040101688A1 (en) * | 2002-11-22 | 2004-05-27 | Slawomir Rubinsztajn | Curable epoxy compositions, methods and articles made therefrom |
JP4481672B2 (ja) * | 2003-02-07 | 2010-06-16 | 株式会社日本触媒 | 半導体封止材用微粒子および半導体封止用樹脂組成物 |
-
2003
- 2003-09-03 US US10/654,378 patent/US20050049334A1/en not_active Abandoned
- 2003-12-16 US US10/737,943 patent/US20050049352A1/en not_active Abandoned
-
2004
- 2004-08-03 BR BRPI0413778-7A patent/BRPI0413778A/pt not_active IP Right Cessation
- 2004-08-03 EP EP04779800A patent/EP1665376A1/en not_active Ceased
- 2004-08-03 AT AT04779798T patent/ATE446589T1/de not_active IP Right Cessation
- 2004-08-03 RU RU2006110520/28A patent/RU2358353C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2004-08-03 WO PCT/US2004/024849 patent/WO2005024939A1/en active Application Filing
- 2004-08-03 MX MXPA06002522A patent/MXPA06002522A/es unknown
- 2004-08-03 CA CA002537828A patent/CA2537828A1/en not_active Abandoned
- 2004-08-03 CN CNA2004800326373A patent/CN1875478A/zh active Pending
- 2004-08-03 CN CNB2004800325173A patent/CN100490130C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-08-03 AU AU2004271534A patent/AU2004271534A1/en not_active Abandoned
- 2004-08-03 DE DE602004023734T patent/DE602004023734D1/de active Active
- 2004-08-03 JP JP2006525333A patent/JP2007504321A/ja active Pending
- 2004-08-03 KR KR1020067006376A patent/KR20060093707A/ko not_active Application Discontinuation
-
2006
- 2006-03-17 ZA ZA200602267A patent/ZA200602267B/en unknown
- 2006-03-17 ZA ZA200602266A patent/ZA200602266B/en unknown
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101688051B (zh) * | 2007-07-11 | 2013-03-13 | 日产化学工业株式会社 | 含有无机粒子的液体环氧树脂形成用制剂 |
CN102686634A (zh) * | 2010-02-01 | 2012-09-19 | 株式会社大赛璐 | 固化性环氧树脂组合物 |
CN102686634B (zh) * | 2010-02-01 | 2016-01-20 | 株式会社大赛璐 | 固化性环氧树脂组合物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20060093707A (ko) | 2006-08-25 |
DE602004023734D1 (de) | 2009-12-03 |
CN1875477A (zh) | 2006-12-06 |
RU2006110520A (ru) | 2007-10-10 |
EP1665376A1 (en) | 2006-06-07 |
BRPI0413778A (pt) | 2006-10-31 |
ZA200602266B (en) | 2007-07-25 |
US20050049352A1 (en) | 2005-03-03 |
WO2005024939A1 (en) | 2005-03-17 |
CN100490130C (zh) | 2009-05-20 |
MXPA06002522A (es) | 2006-06-20 |
CA2537828A1 (en) | 2005-03-17 |
US20050049334A1 (en) | 2005-03-03 |
ATE446589T1 (de) | 2009-11-15 |
RU2358353C2 (ru) | 2009-06-10 |
ZA200602267B (en) | 2007-07-25 |
AU2004271534A1 (en) | 2005-03-17 |
JP2007504321A (ja) | 2007-03-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1875478A (zh) | 溶剂改性树脂组合物及其制备方法 | |
CN1918703A (zh) | 树脂组合物的组合及其使用方法 | |
CN100543067C (zh) | 具有增强的粘合力的新型底层填充材料 | |
US20050170188A1 (en) | Resin compositions and methods of use thereof | |
JP6155261B2 (ja) | 半導体パッケージ樹脂組成物及びその使用方法 | |
CN1875068A (zh) | 具有低热膨胀系数和良好的焊球助熔性能的不流动的底层填充材料 | |
US20050266263A1 (en) | Refractory solid, adhesive composition, and device, and associated method | |
RU2363071C2 (ru) | Состав на основе модифицированной растворителем смолы и способы его использования | |
US20050181214A1 (en) | Curable epoxy compositions, methods and articles made therefrom | |
JP2011126977A (ja) | プリプレグ、金属箔張積層板、及びプリント配線板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: MOMENTIFF PERFORMANCE MATERIAL CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: GENERAL ELECTRIC CO. Effective date: 20090828 |
|
C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20090828 Address after: American Connecticut Applicant after: Gen Electric Address before: American New York Applicant before: General Electric Company |
|
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Open date: 20061206 |