CN1870312A - 制造发光二极管的方法 - Google Patents
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Abstract
一种制造发光二极管的方法，其中激光剥离(LLO)层和外延层形成于氮化物半导体衬底上，然后通过激光剥离工艺分离氮化物半导体衬底，由此提高了外延层的特性，并能够制造高品质且高效率的发光二极管。而且，由此分离的LLO层使用激光束来移除，以便重新使用相对昂贵的氮化物半导体衬底，由此降低了制造成本。
Description
技术领域
本说明涉及制造发光二极管的方法。
背景技术
近来，GaN基的发光二极管作为蓝光和绿光发光二极管已经引起了关注。用作有源层的InxGa1-xN公知为具有宽的能带带隙的材料，并由此能根据In的成分发出整个可见光范围内的光。
这种发光二极管具有广泛的应用，包括标志牌、显示设备、用于背光的设备、灯泡等，并且其应用范围渐渐扩大。由此，开发高品质的发光二极管非常重要。
图1是概略地示出常规发光二极管(LED)结构的截面图。N-GaN层(101)、有源层(102)和P-GaN层(103)被顺序地叠置在蓝宝石衬底(100)上。从P-GaN层(103)至N-GaN层(101)进行台面蚀刻(mesa-etch)。透明电极(104)和P-金属层(105)被顺序地形成在P-GaN层(103)上。N-金属层(106)形成于台面蚀刻后的N-GaN层(101)上。
使用粘接剂(108)将由此构成的二极管接合到制模杯。N-金属层(106)被引线接合到与外部引出线相连的第一引线框架(109a)。P-金属层(105)被引线接合到与另一外部引出线相连的第二引线框架(1 09b)。
现在，描述LED的操作。当通过N和P电极施加电压时，电子和空穴从N-GaN层(101)和P-GaN层(103)流入有源层(102)中，电子和空穴在该有源层中重新组合从而发光。
有源层(102)经由其顶部、底部、横向表面部分发光。经由有源层的顶部部分发出的光通过P-GaN层(101)而显露到外部。
然而，由于LED是在具有低热导性的蓝宝石衬底上制造的，因此难以平稳地散逸在器件工作的操作期间产生的热，导致器件特性降低。
此外，如图1中所示，电极无法在器件的顶部和底部上形成，因此不应在器件的顶部上形成。由此，应当移除一部分有源层。因此存在这样的问题：减少了发光区域，很难实现高亮度和高品质的LED，降低了由一个晶片获得的芯片数目，复杂化了制造工艺，并在组装期间要进行两次接合。
而且，在晶片上完成了对于LED芯片的工艺之后，进行搭接、抛光、划片和切断工艺，以将晶片分成单位芯片。此时，如果将蓝宝石衬底用作衬底，则存在这样的问题：由于蓝宝石的坚硬和蓝宝石与GaN之间的解理面的失配而导致的产量降低。
图2a至2e是示出制造常规改进的LED的方法的截面图。
首先，如图2a中所示，使用MOCVD工艺将未掺杂的GaN层(122)、N-GaN层(123)、InxGa1-yN层(124)和P-GaN层(125)顺序地形成于蓝宝石衬底(121)上。
在此，N-GaN层(123)、InxGa1-yN层(124)和P-GaN层(125)构成了基本的发光结构。
然后，在P-GaN层(125)上顺序形成透明电极(126)、反射膜(127)、焊料反应抑制层(128)和由选自Ti/Au、Ni/Au和Pt/Au中的任一种制成的金属层(129)。
之后，制备可以流过电流的基衬底(130)。该基衬底(130)具有分别形成于其顶部和底部上的第一和第二欧姆接触金属层(131、132)。在第一欧姆接触金属层(131)上形成用于LED芯片贴合的焊料(133)。
然后，将发光结构的金属层(129)接合至基衬底(130)的焊料(133)，如图2a中所示。
随后，在蓝宝石衬底(121)上照射激光，以便将蓝宝石衬底(121)与未掺杂的GaN层(122)分离(图2b)。
由此，通过激光照射，将蓝宝石衬底(121)从未掺杂的GaN层(122)完全移除。该未掺杂的GaN层(122)残留为从其表面损伤至一定厚度的层(图2c)。
因此，如图2d中所示，通过干法蚀刻工艺来蚀刻未掺杂的GaN层(122)，直到暴露出N-GaN层(123)。然后在N-GaN层(123)上形成N-电极焊盘141(图2d)。
此时，为了形成多个LED，在N-GaN(123)层上形成了每一个都与另一个相间隔的多个N-电极焊盘(141)。
最后，在N-电极焊盘(141)之间从GaN层(123)到第二欧姆接触金属层(132)进行切割工艺，如划片和切断，由此获得分离的器件(150、160) (图2e)。
然而，该常规技术也具有以下问题。
即，由于将蓝宝石衬底用作用于在其上形成外延层的衬底，因此在外延层的GaN和蓝宝石之间的晶格失配降低了外延层的质量，引起降低的发光效率、降低的静电损伤(ESD)水平、变劣的可靠性等。
此外，尽管考虑将氮化物半导体衬底作为可选衬底，以解决该蓝宝石衬底的问题，但是并没有实质上的成功。由于该氮化物半导体衬底昂贵，因此其作为一次性用品的使用导致增加制造成本的问题。
发明内容
构思了本发明以解决现有技术中上述问题。本发明的一个目的是提供一种制造发光二极管的方法，其中激光剥离(lift-off)(LLO)层和外延层形成于氮化物半导体衬底上，且通过激光剥离工艺分离氮化物半导体衬底，以提高外延层的特性，由此能够制造高品质且高效率的发光二极管。
本发明的另一目的是提供一种便宜地制造发光二极管的方法，其中使用激光移除制备的LLO层以再使用相对昂贵的氮化物半导体衬底，由此降低制造成本。
本发明的另一目的是提供一种发光二极管的制造方法，其中在衬底和发光结构之间形成LLO层，且通过在其上照射激光束来移除该LLO层，从而平滑移除的LLO层与之接触的发光结构界面。
根据用于实现上述目的的本发明第一优选方面，提供一种制造发光二极管的方法，包括：形成激光剥离(LLO)层，将通过照射到衬底上的激光束来移除该的激光剥离(LLO)层；在LLO层上形成具有第一极性的第一层、有源层和具有与第一极性相反的第二极性的第二层；并通过将激光经由衬底照射在LLO层上来移除LLO层，以分离衬底。
根据用于实现上述目的的本发明第二优选方面，提供一种制造发光二极管的方法，包括：在氮化物半导体衬底上形成第一半导体和层由GaN、InGaN、AlGaN和InAlGaN中的至少一种制成的激光剥离(LLO)层；在第一半导体层上形成有源层、第二半导体层和第一电极；进行激光剥离工艺，其中将激光束经由氮化物半导体衬底照射到LLO层上，以分离氮化物半导体衬底；和在第一半导体层底部下方形成第二电极。
根据用于实现上述目的的本发明第三优选方面，提供一种制造发光二极管的方法，包括：在氮化物半导体衬底上形成第一半导体层和由GaN、InGaN、AlGaN和InAlGaN中的至少一种制成的激光剥离(LLO)层；在第一半导体层上形成有源层和第二半导体层；在第二半导体层上形成载体(carrier)；进行激光剥离工艺，其中将激光束经由氮化物半导体衬底照射在LLO层上的，以分离氮化物半导体衬底；移除在第二半导体层上形成的载体；和在第二半导体层上形成电极。
附图说明
根据结合附图给出的优选实施例的以下描述，本发明的上述和其它目的、特征和优点将变得明显，附图中：
图1是概略地示出常规发光二极管的结构的截面图；
图2a至2e是示出制造常规改进的发光器件的方法的截面图；
图3a至3c是示出根据本发明的制造发光二极管的方法的截面图；
图4a和4b是示出根据本发明的制造发光二极管的方法的截面图；
图5a和5b是示出根据本发明第一实施例的制造发光二极管的一些工艺的截面图；
图6a和6b是示出根据本发明第一实施例的制造作为一种类型支撑的基台衬底的方法的截面图；
图7a至7e是示出根据本发明第一实施例的使用基台衬底制造发光二极管的方法的截面图；
图8是示出根据本发明第一实施例的使用金属支撑制造发光二极管的方法的截面图；
图9a至9d是示出根据本发明第二实施例的制造发光二极管的方法的截面图；和
图10a和10b是示出根据本发明的发光二极管的变形实例的截面图。
具体实施方式
以下，将参考附图详细描述本发明的优选实施例。
图3a至3c是示出根据本发明的制造发光二极管的方法的截面图。首先，形成衬底(200)，其具有包括激光剥离(LLO)层(210)的半导体膜(220)，将通过在其上照射的激光束来移除该激光剥离(LLO)层(210)(图3a)。
之后，在半导体膜(220)上形成具有第一极性的第一层(230)、有源层(240)和具有与第一极性相反的第二极性的第二层(250)(图3b)。
此时，在图3a和3b的工艺中，可将衬底(200)形成为其上仅有LLO层(210)，并可将LLO层(220)形成为其上有具有第一极性的第一层(230)、有源层(240)和具有与第一极性相反的第二极性的第二层(250)。
然后，激光束经由衬底(200)照射到LLO层(210)上，以移除LLO层(210)，从而可分离衬底(200)(图3c)。
在此，进一步在第二层(250)上形成金属结构或含有金属的结构。在图3c中示出的分离衬底(200)的工艺中，可通过金属结构或含有金属的结构安全地保持包括第一层(230)、有源层(240)和第二层(250)的发光结构。此时，优选的是通过实施包括沉积工艺和生长工艺中的至少一种工艺、或通过在第二层上接合该结构，在第二层(250)上形成金属结构。
即，金属被沉积在第二层(250)上以形成金属结构。可选地，在第二层(250)上生长除了金属之外的诸如含有金属的AlGaN的材料或诸如化合物半导体的材料，然后沉积金属以形成结构。
因此，在本发明中，可通过激光束完全移除的LLO被插入到发光结构和将被移除的衬底之间，由此提供容易移除衬底的优点。
图4a和4b是示出根据本发明的制造发光二极管的方法的截面图。优选的是，LLO层(210)与将被分离的衬底(200)接触，如图4a中所示，或将LLO层(210)设置在半导体膜(220)内部，如图4b中所示。
图5a和5b是示出根据本发明第一实施例制造发光二极管的一些工艺的截面图。使用MOCVD工艺将LLO层(311)、未掺杂的GaN层(312)、N-GaN层(313)、有源层(314)、P-GaN层(315)叠置在氮化物半导体衬底(310)上。在600℃时进行约20分钟的热处理，以激活P-GaN层(315)的杂质(图5a)。
有源层(314)由InxGa1-xN等形成。
氮化物半导体衬底(310)是由半导体氮化物及其化合物制成的衬底，以提高外延层的特性，所述半导体氮化物及其组合物优选的是选自GaN、InGaN、AlGaN和AlInGaN中的任一种材料。
此外，氮化物半导体衬底(310)可以是在蓝宝石衬底、硅衬底、ZnO衬底或氮化物半导体衬底上叠置GaN、InGaN、AlGaN和AlInGaN中的至少一种的样板衬底。
优选的是，所述在样板衬底上叠置的GaN、InGaN、AlGaN和AlInGaN中的至少一种具有0.001～100μm的厚度。
LLO层(311)可由从由GaN、InGaN、AlGaN、AlInGaN及其组合物构成的组中选出的至少一种形成。
为了吸收穿过氮化物半导体衬底(310)的激光，LLO层(311)优选具有Ga、In、Al等的受到控制的成分比率，以便其能带带隙大于氮化物半导体衬底(310)的能带带隙且小于有源层(314)的能带带隙。
换句话说，LLO层(311)具有的能带带隙对应于比对应于氮化物半导体衬底(310)的能带带隙的波长更小、且比对应于有源层(314)的能带带隙的波长更大的波长。
即，在氮化物半导体衬底(310)由GaN制成的情况下，优选的是将LLO层(311)制造为具有对应于350～1,000nm波长的能带带隙。如果是AlGaN衬底的话，则优选的是将LLO层制造为具有对应于200～1,000nm波长的能带带隙。
此外，LLO层(311)在其厚度方面没有特别的限制，但是优选具有1～3μm的厚度。
以下，在P-GaN层(315)上形成P-欧姆接触材料(316)，然后形成UBM层(318)。优选的是，鉴于光效率，在P-欧姆接触材料(316)上形成反射金属(317)(图5b)。
在此，欧姆接触材料将用于形成电极。
对于在GaN层上形成电极的情形，提供欧姆接触材料是为了保持高透明性且同时形成良好欧姆接触。可使用在现有技术中公知的所有欧姆接触材料。
优选地，反射层(317)可以是任一种材料，只要该材料能反射光；但是其优选的是由从Ag、Al、Pt、Au、Ni、Ti、ATO(掺杂有Sb的SnO2)和ITO中选出的至少一种形成。优选的是，反射金属(317)具有0.2μm或更多的厚度。
换句话说，反射层(317)优选的是从Ag、Al、Pt、Au、Ni和透光氧化物、或其组合物中选出的一种材料。
优选地，UBM层(318)由如Ti/Pt/Au的叠置结构或选自Ti/Au、Ni/Au和Pr/Au的任一种叠置结构来形成。
以这样的方式在氮化物半导体衬底上制成了发光结构。
该发光结构是在制造至少一种发光二极管时使用的发光结构，如在以晶片为基础制造多个发光二极管时使用的发光结构，或在制造单个发光二极管时使用的发光结构。
图6a和6b是示出根据本发明第一实施例的制造作为一种支撑的基台衬底(submount substrate)的方法的截面图。首先，为了制造基台衬底，分别在可流过电流的导电衬底(320)之上和之下形成欧姆接触材料(321)(图6a)。
导电衬底(320)由具有良好导热性、优选具有良好导电性、更优选具有与外延层的热膨胀系数相似的热膨胀系数的材料制成。优选地，导电衬底(320)包括Si、AlN、SiC、GaAs、Cu、W和Mo中的至少一种。
然后，在其上形成有欧姆接触材料(321)的导电衬底(320)上形成焊料(322)。
以这种方式，完成了作为一种支撑的基台衬底的制造。
图7a至7e是示出根据本发明第一实施例的使用基台衬底制造发光二极管的方法的截面图。如图7a中所示，发光结构被翻转，叠置到基台衬底上并与其接合，以从而使UBM层(318)与基台衬底的焊料(322)接触。
在此的发光结构指的是使用图5a至5e的工艺在氮化物半导体衬底上制造了多个发光二极管的结构。
之后，激光经由发光结构的氮化物半导体衬底(310)照射到LLO层(311)上，以将氮化物半导体衬底(310)与发光结构分离(图7b)。
此时，照射的激光穿过氮化物半导体(310)并被LLO层(311)吸收，使得LLO层(311)的成分即(Al)(In)GaN等能够被分成Ga、N2等，从而引起氮化物半导体衬底(310)的分离。
因此，氮化物半导体衬底(310)与发光结构分离。
在此，使用干法蚀刻工艺，在整个表面上方蚀刻由于氮化物半导体衬底(310)的分离而暴露出的未掺杂的GaN层(312)，直到暴露出N-GaN层(313)。然后，进行热处理，以修复在蚀刻工艺期间发生的晶格损失(lattice loss)。
使用的激光具有比对应于LLO层的能带带隙的波长更短、并且比对应于氮化物半导体衬底(310)的能带带隙的波长更长的波长。优选地，激光波长在对应于LLO层(311)的能带带隙的波长范围内。
以这种方式，激光透过氮化物半导体衬底(310)，并被LLO层(311)吸收，其中在LLO层(311)处分离了与LLO层(311)在一起的氮化物半导体衬底(310)。
此外，由于氮化物半导体衬底(310)未被激光损伤，因此分离的氮化物半导体衬底(310)可被重新使用，由此显著地降低了制造成本。
之后，在对应于相应发光二极管的N-GaN层(313)的上部部分上形成N-欧姆接触材料(330)。然后，优选的是以辐射状形成N-欧姆接触材料(330)，以供电流分布。
N-欧姆接触材料(330)被用作N-电极。
最后，在发光结构和基台衬底上进行包括划片和切断的切割工艺，以将其分离成单个器件(图7d和7e)。
因此，本发明的发光二极管被制造为具有其中在其顶部和底部提供电极的结构。由此，有这样的优点：由于不进行常规蚀刻工艺，因此简化了制造工艺。
此外，在氮化物半导体衬底上形成外延层，从而解决了由蓝宝石衬底的晶格失配引起的质量降低的问题。而且，通过特定的激光剥离工艺可重新使用氮化物半导体衬底，从而显著地降低了制造成本。
即，根据本发明第一实施例的制造发光二极管的方法包括以下步骤：在氮化物半导体衬底上形成第一半导体层和由GaN、InGaN、AlGaN和InAlGaN中的至少一种材料制成的激光剥离(LLO)层；在第一半导体层上形成有源层、第二半导体层和第一电极；进行激光剥离工艺，其中激光束经由氮化物半导体衬底照射到LLO层上，以移除LLO层并分离氮化物半导体衬底；和在第二半导体层上形成第二电极。
此处，第一半导体层是具有不同于第二半导体层的极性的极性的半导体层。例如，如果第一半导体层是n型的话，则第二半导体层是p型的。
此外，优选的是，该方法在第一电极形成步骤和激光剥离步骤之间，还包括在第一电极上形成金属支撑的步骤。
而且，在进行激光剥离步骤之前，该方法还包括形成凸点下金属(UBM)层和将支撑接合到UBM层的步骤。
在此，支撑等效于前述的基台衬底。
图8是示出根据本发明第一实施例的使用金属支撑制造发光二极管的方法的截面图。如图8中所示出的，可使用金属支撑(360)代替前述的基台衬底。
即，在P-欧姆接触材料(316)上形成金属支撑(360)。然后，将激光束经由氮化物半导体衬底(310)照射到LLO层(311)上，以分离氮化物半导体衬底(310)。
在该结构中，还可包括未掺杂的GaN层(312)。可省略反射层(317)和UBM层(318)。可通过向前述实施例的结构添加或自前述实施例的结构省略某一元素，来进行各种修改。
此外，可通过MOCVD方法来沉积金属支撑(360)，更优选且更常规的是通过电镀方法。该电镀工艺在本技术领域中是公知的，所以在此不再描述其细节。
因此，金属支撑(360)通过电镀方法、非电解电镀方法、CVD方法、溅射方法和蒸镀方法中的任一种方法来形成。
优选的是，金属支撑(360)具有10～400μm范围内的厚度。但是其不限于此。金属支撑(360)不限于特定材料，而是可以由任何材料制成，只要该材料具有与外延层相似的热膨胀系数以及优越的导热和导电性，其优选的是由从由Cu、W、Au、Ni、Mo、Pt、Al、Co、Pd、Ag和Ti构成的组中选出的至少一种形成。
图9a至9d是示出根据本发明第二实施例的制造发光二极管的方法的截面图。载体(371)接合到P-GaN层(315)。在移除了氮化物半导体衬底(310)之后，随后移除该载体(371)。
首先，如图9a中所示出的，在氮化物半导体衬底(310)上形成N-GaN层(313)和由GaN、InGaN、AlGaN和InAlGaN中的至少一种形成的激光剥离(LLO)层。有源层(314)和P-GaN层(315)叠置于N-GaN层(313)上。载体(371)形成于P-GaN层(315)上。
之后，将激光束经由氮化物半导体衬底(310)照射到LLO层(311)上，以进行用于分离氮化物半导体衬底(310)的激光剥离工艺，从而能够分离氮化物半导体衬底(310)(图9b)。
然后，在N-GaN层(313)的下方形成N-欧姆接触层(331)、反射层(332)和金属支撑(370)(图9c)。
在此，可省略N-欧姆接触层(331)和反射层(332)的形成。
接着，移除在P-GaN层(315)上形成的载体(371)，且在P-GaN层(315)上形成P-欧姆接触层(316)(图9d)。
同时，根据本发明的又一实施例，金属支撑可插入图9a中的P-GaN层(315)和载体(371)之间，且可进行如图9b中示出的LLO工艺。
在前述方法中，还可将未掺杂的GaN层(312)插入到LLO层(311)和N-GaN层(313)之间。以与前述方法相同的方式形成金属支撑(370)，且其材料和厚度与前述的那些相同。此外，可首先在P-GaN层(315)上形成P-欧姆层(316)，然后可将载体接合到P-欧姆接触层(316)。除了前述那些之外，还可通过将某一元件添加至前述实施例的结构或从前述实施例的结构省略某一元件来作出各种修改。
由于在随后的工艺中移除了载体(371)，因此对其材料并没有特别的限制。可选择任何材料，只要这些材料在随后的工艺中可移动LED层。
优选地，载体(371)包括：玻璃衬底、蓝宝石衬底、硅衬底、ZnO衬底和氮化物半导体衬底中的任一种；在其中将GaN、InGaN、AlGaN和AlInGaN中的至少一种叠置在玻璃衬底、蓝宝石衬底、硅衬底、ZnO衬底和氮化物半导体衬底中任一个上的样板衬底；或金属衬底和不锈钢衬底中的任一种。
此外，可将诸如聚氨酯、聚乙烯或PET之类的树脂制成的膜用于载体(371)。
使用粘接物质将载体(371)接合到P-GaN层(315)的顶部。
粘接物质可选自任何材料，只要这些材料可用于接合载体(371)，并且随后可使用有机溶剂容易地去除以分离载体，。优选的是将光致抗蚀剂或蜡用于粘接物质。有机溶剂可以是任何有机溶剂，只要该有机溶剂能溶解粘接物质；其优选是含有丙酮的有机溶剂。
此外，在如上所述的金属支撑形成于N-GaN层上的情况下，相对降低了电阻，这对于功耗是有利的。
本发明不限于上述实施例。由本领域技术人员作出的各种实施例都归于本发明的范围之内。
因此，根据本发明第二实施例的制造发光二极管的方法包括以下步骤：在氮化物半导体衬底上形成第一半导体和由GaN、InGaN、AlGaN和InAlGaN中的至少一种形成的激光剥离(LLO)层层；在第一半导体层上形成有源层和第二半导体层；在第二半导体层上形成载体；进行激光剥离工艺，其中激光束经由氮化物半导体衬底照射在LLO层上的，以分离氮化物半导体衬底；在第一半导体层上形成金属支撑；移除在第二半导体层的顶部上形成的载体；和在第二半导体层上形成电极。
图10a和10b是示出根据本发明的发光二极管的变形实例的截面图。即，如在这些图中所示出的，可将LLO层(311)形成为存在于未掺杂的GaN层(312)内。
在此，未掺杂GaN层(312)是未掺杂的GaN层。
即，可首先在氮化物半导体衬底(310)上未掺杂GaN层(312)形成，然后可形成LLO层(311)，并可再次形成未掺杂GaN层(312)。
在这种情况下，LLO层(311)优选的是被设置成接近氮化物半导体衬底(310)。优选的是，LLO层(311)和氮化物半导体衬底(310)之间的间距在1～10μm范围内(图10a)。
可如图10b中所示的那样形成多个LLO层(311)。
此外，可在LLO层(311)的顶部上、或在LLO层的顶部和底部的每一个上形成作为未掺杂的半导体层的未掺杂GaN层(312)。
同时，优选的是，在第一层和LLO层之间，在LLO层(311)的顶部和底部之外的至少一个或更多个表面上形成未掺杂的半导体层。
如上所述，根据本发明，在衬底和发光结构之间形成LLO层，随后通过在其上照射激光束来将其移除，以便分离衬底。由此，有很多优点：可重新使用衬底，能够平滑与LLO层接触的发光结构的界面，且可降低制造成本。
而且，根据本发明，在氮化物半导体衬底上形成LLO层和外延层，随后通过激光剥离工艺分离氮化物半导体衬底，由此改进外延层的特性，且能制造高品质且高效率的发光二极管。
尽管已经结合优选实施例详细描述了本发明，但是本发明不限于此。本领域技术人员应当很容易理解，可对其作出各种修改和变化，而不超出本发明的精神和范围，且这种修改和变化归于由附属的权利要求限定的本发明的范围之内。
Claims (25)
1.一种制造发光二极管的方法，包括：
形成激光剥离(LLO)层，该激光剥离(LLO)层将通过在衬底上照射的激光束来移除的；
在LLO层上形成具有第一极性的第一层、有源层和具有与第一极性相反的极性的第二层；和
通过将激光经由衬底照射到LLO层上来移除LLO层，以分离衬底。
2.根据权利要求1的方法，还包括在第二层上形成金属结构或含有金属的结构。
3.根据权利要求1或2的方法，其中，在第一层和LLO层之间，在LLO层的顶部和底部之外的至少一个或多个表面上还形成未掺杂的半导体层。
4.一种制造发光二极管的方法，包括：
在氮化物半导体衬底上形成第一半导体层和由GaN、InGaN、AlGaN和InAlGaN中的至少一种制成的激光剥离(LLO)层；
在第一半导体层上形成有源层、第二半导体层和第一电极；
进行激光剥离工艺，其中将激光束经由氮化物半导体衬底照射到LLO层上，以分离氮化物半导体衬底；和
在第一半导体层底部下方形成第二电极。
5.根据权利要求4的方法，还包括在第一电极形成步骤和激光剥离步骤之间，在第一电极上形成支撑。
6.根据权利要求4的方法，还包括在进行激光剥离步骤之前，在第一电极上形成凸点下金属(UBM)层。
7.根据权利要求6的方法，其中UBM层由从Ti/Pt/Au、Ti/Au、Ni/Au和Pt/Au中选出的任一种制成。
8.一种制造发光二极管的方法，包括：
在氮化物半导体衬底上形成第一半导体层和由GaN、InGaN、AlGaN和InAlGaN中的至少一种制成的激光剥离(LLO)层；
在第一半导体层上形成有源层和第二半导体层；
在第二半导体层上形成载体；
进行激光剥离工艺，其中将激光束经由氮化物半导体衬底照射到LLO层上，以分离氮化物半导体衬底；
移除在第二半导体层上形成的载体；和
在第二半导体层上形成电极。
9.根据权利要求8的方法，还包括在激光剥离步骤和载体移除步骤之间，在第一半导体层上形成金属支撑。
10.根据权利要求4至8中任一项的方法，其中，在氮化物半导体层上形成激光剥离(LLO)层和第一半导体层的步骤之间，在LLO层的顶部和底部之外的至少一个或多个表面上形成未掺杂的半导体层。
11.根据权利要求1、4和9中任一项的方法，其中LLO层具有范围为1～3μm的厚度。
12.根据权利要求4或8的方法，其中，LLO层的能带带隙小于氮化物半导体衬底的能带带隙但大于有源层的能带带隙。
13.根据权利要求4或8的方法，其中，激光束具有比对应于LLO层的能带带隙的波长更短但比对应于氮化物半导体衬底的能带带隙的波长更长的波长。
14.根据权利要求4或8的方法，其中，第一和第二半导体层由GaN形成。
15.根据权利要求6的方法，其中，在第一电极上形成UBM层的步骤还包括在第一电极和UBM层之间形成反射层，且反射层由选自Ag、Al、Pt、Au、Ni、Ti和透射氧化物或其组合中选出的至少一种形成。
16.根据权利要求4或8的方法，其中氮化物半导体衬底是GaN、InGaN、AlGaN或AlInGaN衬底中的一种，或是其中GaN、InGaN、AlGaN和AlInGaN的至少一种叠置在蓝宝石衬底、硅衬底、ZnO衬底和氮化物半导体衬底中任一个上的样板衬底。
17.根据权利要求16中的方法，其中叠置在样板衬底上的GaN、InGaN、AlGaN和AlInGaN的任一厚度具有0.001～100μm的厚度。
18.根据权利要求6的方法，还包括将基台接合至UBM层，其中基台是通过在导电衬底的顶部和底部表面上形成欧姆接触材料和在导电衬底的顶部表面上形成的欧姆接触材料上形成焊料来制造的。
19.根据权利要求18的方法，其中导电衬底包括Si、AlN、SiC、GaAs、Cu、W和Mo中的至少任一种。
20.根据权利要求8的方法，其中金属支撑通过电镀方法、非电解电镀方法、CVD方法、溅射方法和蒸镀方法中的任一种方法来形成。
21.根据权利要求8的方法，其中载体包括玻璃衬底、蓝宝石衬底、硅衬底、ZnO衬底和氮化物半导体衬底中的任一种；在其中将GaN、InGaN、AlGaN和AlInGaN中的至少一种叠置在玻璃衬底、蓝宝石衬底、硅衬底、ZnO衬底和氮化物半导体衬底中的任一个上的样板衬底；或者是金属衬底和不锈钢衬底中的的任一种。
22.根据权利要求8的方法，其中在第二半导体层的顶部上形成载体的步骤包括：在第二半导体层的顶部上形成金属支撑；和在金属支撑的顶部上形成载体。
23.根据权利要求22的方法，其中金属支撑具有范围为10～400μm的厚度。
24.根据权利要求22的方法，其中金属支撑由从由Cu、W、Au、Ni、Mo、Pt、Al、Co、Pd、Ag和Ti构成的组选出的至少一种形成。
25.根据权利要求10的方法，其中，如果在LLO层的顶部和底部上均形成未掺杂的半导体层，则LLO层和氮化物半导体衬底之间的间距的范围为1～10μm。
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