CN1801459A - 用于制造基于氮化镓的单晶衬底的方法和装置 - Google Patents

用于制造基于氮化镓的单晶衬底的方法和装置 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种用于制造基于氮化物的单晶衬底的方法和装置。该方法包括：将预备衬底放置在反应室中所安装的基座上；在预备衬底上生长氮化物单晶层；以及进行激光束照射，以在将预备衬底放入反应室的条件下，将氮化物单晶层与预备衬底分离。

Description

用于制造基于氮化镓的单晶衬底的方法和装置
相关申请
本发明基于并且要求2005年1月3日提交的韩国专利申请第2005-000265号的优先权，其内容全部结合于此作为参考。
技术领域
本发明涉及用于制造基于氮化物的单晶衬底的方法和装置，其中，消除了由于激光剥离处理(laser lift off process)所产生的裂缝而造成的成品率降低。
背景技术
近来，在新一代光照领域以及要求高密度且高分辨率地记录/复制数据的光盘领域中，已经开发了低波长带发光的半导体元件。由GaN制成的基于氮化物的单晶衬底广泛地用于形成以该低波长带发光的半导体元件。例如，氮化镓(GaN)单晶具有3.39eV的能带隙，因此，适于发出具有低波长带的蓝光。
通常地，通过汽相生长(例如，有机金属化学汽相沉积(MOCVD)或氢化物汽相外延(HVPE))、或分子束外延(MBE)制造氮化镓单晶。此处，蓝宝石(α-Al2O3)衬底或SiC衬底用作由不同于GaN的材料制成的衬底。例如，由于蓝宝石和氮化镓之间的晶格常数的差约为13％并且蓝宝石和氮化镓之间热膨胀系数的差为-34％，所以在蓝宝石衬底和氮化镓单晶之间的分界面中产生应力，由此造成晶体中的晶格缺陷和裂缝。这些缺陷和裂缝造成难以生长高质量的氮化物晶体，因此，降低了由氮化镓单晶制成的半导体元件的可靠性，并且缩短了半导体元件的寿命。
为了解决上述问题，已经提出了一种技术，其中直接在基于氮化物的单晶衬底上生长基于氮化物的半导体元件。此处，要求独立式的(freestanding)基于氮化物的单晶衬底。
通过在预备衬底(preliminary substrate)(例如，蓝宝石衬底)上生长氮化物单晶块(crystal bulk)，并且从氮化物单晶块上移除预备衬底来得到这种独立式的基于氮化物的单晶衬底。此处，激光剥离处理用于从氮化物单晶块上移除预备衬底。
在激光剥离处理中，进行激光束照射，从而，通过将在蓝宝石衬底和基于GaN的单晶块之间的分界面上的基于GaN的单晶块分解成镓(Ga)和氮(1/2N2)，来将蓝宝石衬底与基于GaN的单晶块分离。
当在直径小于2英寸的晶片上生长小厚度的晶体时，实施常规激光剥离处理，不会造成化学变形或裂缝。然而，由于预备衬底由不同于氮化物单晶的材料制成，所以如图1所示，当晶片的直径大于2英寸或在晶片上生长指定厚度或更厚的晶体时，并且由于预备衬底和基于GaN的单晶块之间晶格常数的差异以及预备衬底和基于GaN的单晶块之间热膨胀系数的差异，所以预备衬底和晶体严重地翘曲，并从预备衬底和晶体之间的分界面中产生裂缝(C)。
特别地，在以用于执行激光剥离处理的正常温度执行的冷却步骤中，由热膨胀系数的差异造成的热应力使以高温(900～1,200℃)生长的氮化物晶体过度聚集。
因此，需要一种用于制造高质量的基于氮化物的单晶衬底的方法，防止在氮化物单晶块和生长衬底(例如，蓝宝石衬底)之间产生应力，并特别地，解决由氮化物单晶块和生长衬底之间热膨胀系数的差异导致的应力问题，以及需要一种使用该方法的装置。
发明内容
因此，本发明已经考虑到上述问题，并且本发明的目的在于提供一种用于制造基于氮化物的单晶衬底的方法，其中，当在预备衬底(例如，蓝宝石衬底或SiC衬底)上生长氮化物单晶时或在此之后，在维持相同温度的室中持续地执行激光剥离处理，从而避免了由于氮化物单晶和预备衬底之间热膨胀系数的差异而产生应力。
本发明的另一目的在于提供一种用于制造基于氮化物的单晶衬底的装置，其通过上述方法来正确使用。
根据本发明的一个方面，可通过提供一种用于制造基于氮化物的单晶衬底的方法来实现上述和其它目的，该方法包括：将预备衬底放置在安装在反应室中的基座上；在预备衬底上生长氮化物单晶层；以及进行激光束照射，以在预备衬底位于反应室中的条件下，将氮化物单晶层与预备衬底分离。
优选地，可在现场执行激光束照射，因此，该照射以氮化物单晶层所生长的800～1,200℃范围内的温度执行。更优选地，可以与氮化物单晶层所生长的温度基本上相同的温度执行激光束照射。由此，可使由于氮化物单晶层和预备衬底之间热膨胀系数的差异所产生的应力最小化，从而避免了在激光束照射过程中导致衬底和氮化物单晶层的裂缝或翘曲。
氮化物单晶层可为满足AlxInyGa1-x-yN(其中，0≤x≤1，0≤y≤1，并且0≤x+y≤1)这样的组成的单晶层。预备衬底可由从包括蓝宝石、SiC、Si、MgAl2O4、MgO、LiAlO2、以及LiGaO2的组中所选的任一种制成。
当预备衬底为硅衬底时，优选地，为了减少预备衬底和氮化物单晶层之间晶格常数的差异，该方法还可包括在生长氮化物单晶层之前，在预备衬底上生长满足AlxInyGa1-x-yN(其中，0≤x≤1，0≤y≤1，并且0≤x+y≤1)这样的组成的低温缓冲层。
优选地，可穿透反应室的上表面而形成透明窗，用于将激光束照射到放置在基座上的预备衬底上。
这样，当预备衬底由能带隙比氮化物单晶层的能带隙宽的材料(例如蓝宝石)制成时，激光束照射包括：移动预备衬底，以使激光束照射到预备衬底的下表面上，氮化物单晶层在该预备衬底上形成；以及将激光束照射到预备衬底的下表面上。
当预备衬底由能带隙比氮化物单晶层的能带隙窄的材料(例如硅)制成时，激光束照射包括：将激光束照射到形成在预备衬底的上表面上的氮化物单晶层上。
优选地，氮化物单晶层的生长可包括：初次生长具有指定厚度的氮化物单晶膜；以及，在初次生长的氮化物单晶膜上二次生长氮化物单晶；以及，可在初次生长和二次生长之间执行激光束照射。
可选地，优选地，该方法还可包括在初次生长和二次生长之间进行激光束照射，用于将氮化物单晶层与预备衬底部分地分离；以及可在二次生长之后，执行激光束照射，用于将氮化物单晶层与预备衬底完全分离。
在初次生长和二次生长之间应用的激光束照射消除了由预备衬底和氮化物单晶层之间晶格常数的差异造成的应力的产生。即，为了消除随着生长的氮化物单晶层厚度的增加而增加的应力的产生，进行激光束照射，以在初次生长具有指定厚度的氮化物单晶膜之后，将氮化物单晶层与预备衬底部分地或完全地分离。
当在氮化物单晶膜的初次生长和氮化物单晶的二次生长之间，应用了用于将氮化物单晶层与预备衬底部分地或完全地分离的激光束照射的情况下，当预备衬底为硅衬底时，优选地，初次生长的氮化物单晶膜的厚度可为0.1～1μm。
另一方面，当预备衬底为蓝宝石衬底时，优选地，初次生长的氮化物单晶膜的厚度可为5～100μm。
在用于将氮化物单晶层与预备衬底部分地分离的激光束照射中，可进行激光束照射，以将激光束照射区域彼此分离指定间距。
可通过氢化物汽相外延(HVPE)、有机金属化学汽相沉积(MOCVD)、或分子束外延(MBE)来执行氮化物单晶层的生长。
根据本发明的另一方面，提供了一种用于制造氮化物单晶层的装置，包括：反应室，用于在该反应室中生长氮化物单晶；基座，安装在反应室中，用于固定预备衬底；以及透明窗，穿透反应室的上表面而形成，用于将激光束照射到固定到基座的预备衬底的上表面上。
根据本发明，激光束照射在反应室中执行，用于将氮化物单晶层与预备衬底分离，氮化物单晶层的生长在该反应室中执行，从而，使由于氮化物单晶层和预备衬底之间热膨胀系数的差异导致的应力最小化。预备衬底由蓝宝石、SiC、Si、MgAl2O4、MgO、LiAlO2、以及LiGaO2制成。激光束的照射方向根据预备衬底的能带隙而改变。例如，当预备衬底由能带隙比氮化物单晶层的能带隙宽的材料(例如蓝宝石)制成时，将具有中等波长(例如，266nm或355nm)的激光束照射到预备衬底的下表面上。另一方面，当预备衬底由能带隙比氮化物单晶层的能带隙窄的材料(例如硅)制成时，将具有中等波长(例如，532nm或1，064nm)的激光束照射到氮化物单晶层的上表面上。
附图说明
后面的详细描述结合附图一起使本发明的上述和其它目的、特征和其它优点更易于理解，附图中：
图1是示出将氮化物单晶与蓝宝石衬底分离的步骤的剖视图；
图2A至图2D是示出根据本发明的一个实施例的用于制造基于氮化物的单晶衬底的方法的剖视图；
图3A至图3D是示出根据本发明的另一实施例的用于制造基于氮化物的单晶衬底的方法的剖视图；
图4A和图4B是示出本发明所采用的激光束照射轨迹的示意图；
图5A至图5E是示出根据本发明的又一实施例的用于制造基于氮化物的单晶衬底的方法的剖视图；以及
图6A和图6B是本发明的用于制造基于氮化物的单晶衬底的装置的剖视图。
具体实施方式
接下来，将参照附图对本发明的优选实施例进行详细地描述。
图2A至图2D是示出根据本发明的一个实施例的用于制造基于氮化物的单晶衬底的方法的剖视图。在该实施例中，使用能带隙大于要生长的氮化物单晶层的能带隙的蓝宝石衬底。
如图2A所示，本发明的该实施例的方法首先是准备用作预备衬底的蓝宝石衬底20。将蓝宝石衬底20放入反应室中，用于执行HVPE、MOCVD、或MBE。为了在蓝宝石衬底20上生长高质量的氮化物单晶，可预先以低温(低于900℃)在蓝宝石衬底20上形成缓冲层(未示出)。
其后，如图2B所示，在蓝宝石衬底20上生长氮化物单晶层25。氮化物单晶层25满足AlxInyGa1-x-yN(其中，0≤x≤1，0≤y≤1，并且0≤x+y≤1)这样的组成。使用HVPE、MOCVD、或MBE来生长氮化物单晶层25，但要求为800～1,200℃的高温。此处，生长的氮化物单晶层25的厚度大于400μm。
如图2C所示，在反应室中将激光束持续照射到蓝宝石衬底20的下表面上。由于该激光束照射在现场，即在反应室中执行，所以可使温度变化引起的热应力最小化。优选地，以800～1,200℃的温度，并且更优选地，以与氮化物单晶层25所生长的温度相同的温度执行激光束照射。当将激光束照射到蓝宝石衬底20的下表面上时，氮化物单晶层25分解成氮气和V族金属26。例如，当在蓝宝石衬底20上生长基于GaN的单晶层时，基于GaN的单晶层在氮气和Ga可分离的条件下分解成氮气和Ga。
随后，通过将激光束照射到蓝宝石衬底20的整个表面上来将氮化物单晶层25和蓝宝石衬底20之间的分界面转化成V族金属26。其后，如图2D所示，通过熔化得到的V族金属26将氮化物单晶层25与蓝宝石衬底20分离。
通过准备穿透反应室的上部而形成的用于将激光束射向氮化物单晶层的上表面的透明窗，并且通过利用衬底定位调整臂(substrate position adjusting arm)移动蓝宝石衬底以使将激光束照射到蓝宝石衬底的其上形成有氮化物单晶层的下表面上，来实现根据本实施例的通过激光束照射来将氮化物单晶层与蓝宝石衬底分离。
本发明可提供一种用于制造基于氮化物的单晶衬底的方法，其使用能带隙小于氮化物单晶层的能带隙的预备衬底。图3A至图3D是示出根据本发明的另一实施例的用于制造基于氮化物的单晶衬底的方法的剖视图，其中，使用硅衬底作为预备衬底。
如图3A所示，本发明的该实施例的方法首先是将硅衬底30放置在反应室中。其后，如图3B所示，在硅衬底30上形成缓冲层31，并随后，在硅衬底30的缓冲层上生长氮化物单晶层35。缓冲层31为满足AlxInyGa1-x-yN(其中，0≤x≤1，0≤y≤1，并且0≤x+y≤1)这样的组成的低温缓冲层，并且氮化物单晶层35由满足AlxInyGa1-x-yN(其中，0≤x≤1，0≤y≤1，并且0≤x+y≤1)这样的组成的单晶制成。
其后，如图3C所示，在反应室中将激光束照射到硅衬底30的上表面上。此处，将激光束照射到氮化物单晶层35的上表面上，由此，蒸发或熔化位于硅衬底30和氮化物单晶层35之间分界面处的硅。类似于上述实施例，由于本实施例的激光束照射在现场，即，在反应室中执行，所以可使温度变化引起的热应力最小化。优选地，以800～1,200℃的温度，并且更优选地，以与氮化物单晶层35所生长的温度相同的温度执行激光束照射。
随后，通过将激光束照射到硅衬底30的整个表面上来蒸发或熔化位于氮化物单晶层35和硅衬底30之间分界面处的硅。由此，如图3D所示，将氮化物单晶层35与硅衬底30分离。
用于将氮化物单晶层与预备衬底分离的激光束照射可通过各种方法实现。例如，激光束照射轨迹具有各种形状。
此外，尽管上述实施例描述了激光束照射用来将氮化物单晶层与预备衬底完全分离，但通过使激光束照射轨迹变形，激光束照射可用来将氮化物单晶层与预备衬底部分地分离。由此，可提供更优选的实施例，其中，消除了在氮化物单晶层生长期间由预备衬底和氮化物单晶层之间晶格常数的差异造成的应力。下面将参照图5A至图5E详细描述该实施例。
本发明采用激光束照射，其中，进行激光束照射，以使激光束照射轨迹从预备衬底的一个边缘点开始，终止于预备衬底的另一个边缘点。从预备衬底的一个边缘点开始激光束照射轨迹有助于释放当氮化物分解时所产生的氮。由此，提出两种激光束照射方法。在下文中，参照图4A和图4B，将描述根据这些方法的两种激光束照射轨迹。
图4A和图4B示出在用作预备衬底的晶片40上的激光束照射轨迹。
首先，如图4A所示，将激光束照射到晶片40的整个表面上，以使激光束照射轨迹为从晶片40的一个边缘点到晶片40的另一个边缘点的之字形。图4B示出不同于上述激光束照射轨迹的轨迹，可将激光束照射到晶片40的整个表面上，以使激光束照射轨迹为从晶片40的一个边缘点到晶片40的另一内部点(例如，中心点)的螺旋形。
此处，当用G表示在具有指定线宽(W)的相邻轨迹线之间的间距时，间距(G)被设置成几十或几百μm，由此，将氮化物单晶层与预备衬底部分地分离。考虑到照射的激光束的分辨率(resolution)，将间距(G)设置成接近0或小于0的值(即，相邻轨迹线彼此重叠)，由此，将氮化物单晶层与预备衬底完全分离。
图5A至图5E是示出根据本发明的另一实施例的用于制造基于氮化物的单晶衬底的方法的剖视图。
如图5A所示，本发明的该实施例的方法首先是将作为预备衬底的蓝宝石衬底50放置在反应室中，用于执行HVPE、MOCVD、或MBE。如上所述，为了在蓝宝石衬底50上生长高质量的氮化物单晶，可预先在蓝宝石衬底50上以低温(小于900℃)形成缓冲层(未示出)。
其后，如图5B所示，在蓝宝石衬底50上初次生长具有指定厚度(t1)的氮化物单晶膜55。氮化物单晶膜55由单晶制成，该单晶满足AlxInyGa1-x-yN(其中，0≤x≤1，0≤y≤1，并且0≤x+y≤1)这样的组成。优选地，初次生长的氮化物单晶膜55厚度为5～100μm。当初次生长的氮化物单晶膜55的厚度不大于5μm时，由于蓝宝石衬底50和初次生长的氮化物单晶膜55之间晶格常数的差异所产生的应力过低，并且当初次生长的氮化物单晶膜55的厚度不小于100μm时，所产生的应力较严重。由此，初次生成的氮化物单晶膜55的上述厚度范围是适当的。
其后，如图5C所示，将激光束持续地照射到反应室中蓝宝石衬底50的下表面上。在反应室中执行激光束照射，从而，不产生热应力。在本实施例中，执行部分分离步骤并且在氮化物单晶膜55和蓝宝石衬底50之间分界面的局部区域上形成III族金属区域，以将氮化物单晶膜55与蓝宝石衬底50部分地分离。由此，消除由于蓝宝石衬底50和氮化物单晶膜55之间晶格常数的差异所产生的应力。此外，通过附加的氮化物生长步骤，增加高质量的氮化物单晶层的厚度。通过将轨迹线之间的间距(G)设定成大于0的值，并且优选地，如图4A和4B所示的几十或几百μm，则可容易地执行部分分离步骤。
其后，如图5D所示，执行附加的氮化物生长步骤，由此，在使应力影响最小化的条件下，形成厚度(t2)较大的氮化物单晶层55’。如上所述，通过初次和二次氮化物生长步骤实现氮化物的生长，并且在初次和二次氮化物生长步骤之间执行激光照射步骤，从而可形成厚度约大于400μm的氮化物单晶层55’。
最后，如图5E所示，再又进行激光束照射，由此，将氮化物单晶层55’与蓝宝石衬底50完全分离。优选地，为了使热应力最小化，完全分离步骤在反应室中执行。然而，由于当与蓝宝石衬底50部分地分离的氮化物单晶膜55的区域很大时，热应力减小，所以可在反应室的外部，即，可以常温执行完全分离步骤。
尽管，本实施例描述了应用激光束将氮化物单晶层与蓝宝石衬底部分分离，但是，可执行氮化物单晶层与蓝宝石衬底完全分离，这是因为，在蓝宝石衬底上初次生长的氮化物单晶层具有经得起激光束冲击的厚度。
此外，尽管本实施例使用蓝宝石衬底作为预备衬底，但也可使用硅衬底。预备衬底和氮化物单晶层之间晶格常数的差异对硅衬底的影响很大，并且大于蓝宝石衬底。因此，当使用硅衬底时，优选地，初次生长的氮化物单晶层厚度为0.1～1μm。这样，通过将初次生长的氮化物单晶层与硅衬底部分地分离，可在硅衬底上生长厚度约3～4μm的氮化物单晶层。
图6A和图6B是本发明的用于制造基于氮化物的单晶衬底的装置的剖视图。
参照图6A，装置100包括：反应室101，氮化物单晶在该反应室中生长；基座103，安装在反应室100中，用于固定预备衬底61；以及透明窗110，通过该透明窗，将激光束照射到反应室101。通过加热单元109(例如，线圈)将反应室101保持在高温。当从源气(source gas)供应单元105和107中供应用于生长氮化物的源时，在预备衬底61上生长氮化物单晶层65。
透明窗110穿透反应室101的上表面而形成，以将激光束照射到要固定到基座103的预备衬底61的上表面上。透明窗110的直径足够将激光束照射到氮化物单晶层65的整个上表面上(D)。当氮化物的生长完成或正在进行时，通过透明窗110将激光束供应给预备衬底61。可选地，如图6B所示，另一装置100包括多个透明窗。该多个透明窗包括透明窗110a，用于通过激光束照射来将氮化物单晶层65与预备衬底61分离，以及透明窗110c，用于测量在预备衬底61上生长的氮化物单晶层65的厚度。透明窗还包括透明窗110b，形成在与透明窗110a相对的位置。透明窗110a和110b用作光学地面模拟器(pots)，用于测量氮化物单晶层65的翘曲。
当将蓝宝石衬底用作预备衬底61时，装置100还包括衬底定位调整臂120，用于移动预备衬底61，从而，将激光束照射到预备衬底61的下表面上。衬底定位调整臂120设置有真空抽吸单元125。
从上述描述中明显地看出，本发明提供了用于制造基于氮化物的单晶衬底的方法和装置，其中，通过激光束照射导致的氮化物单晶层与预备衬底的分离在反应室中连续执行，以使热应力最小化，由此，生长高厚度的高质量氮化物单晶层。此外，本发明的方法和装置采用了在氮化物单晶层生长过程中将氮化物晶体层与预备衬底部分地分离，由此，消除由于氮化物单晶层和预备衬底之间晶格常数的差异所产生的应力，从而，提供高质量的晶体生长条件。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (17)

1.一种用于制造基于氮化物的单晶衬底的方法，包括：
将预备衬底放置在反应室中安装的基座上；
在所述预备衬底上生长氮化物单晶层；以及进行激光束照射，以在将所述预备衬底放入所述反应室的条件下，将所述氮化物单晶层与所述预备衬底分离。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，以800～1,200℃范围内的温度执行所述激光束照射。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，以与所述氮化物单晶层所生长的温度相同的温度执行所述激光束照射。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述氮化物单晶层为满足AlxInyGa1-x-yN的组成的单晶层，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，并且0≤x+y≤1。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述预备衬底由从包括蓝宝石、SiC、Si、MgAl2O4、MgO、LiAlO2、以及LiGaO2的组中所选的任一种制成。
6.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述氮化物单晶层的所述生长之前，在所述预备衬底上生长满足AlxInyGa1-x-yN的组成的低温缓冲层，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，并且0≤x+y≤1，其中，所述预备衬底是硅衬底。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，穿透所述反应室的上表面而形成透明窗，用于将所述激光束照射到放置在所述基座上的所述预备衬底上。
8.根据权利要求7所述的方法，其中：
所述预备衬底由能带隙比所述氮化物单晶层的能带隙宽的材料制成；以及
所述激光束照射包括：
移动所述预备衬底，以将所述激光束照射到所述预备衬底的下表面上，所述氮化物单晶层在所述预备衬底上形成；以及
将所述激光束照射到所述预备衬底的所述下表面上。
9.根据权利要求1所述的方法，其中：
所述预备衬底由能带隙比所述氮化物单晶层的能带隙窄的材料制成；以及
所述激光束照射包括：将所述激光束照射到在所述预备衬底的上表面上形成的所述氮化物单晶层上。
10.根据权利要求1所述的方法，其中：
所述氮化物单晶层的所述生长包括：
初次生长具有指定厚度的氮化物单晶膜；以及在所述初次生长的氮化物单晶膜上二次生长氮化物单晶；以及
在所述初次生长和所述二次生长之间执行所述激光束照射。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述氮化物单晶层的所述生长包括：
初次生长具有指定厚度的氮化物单晶膜；以及
在所述初次生长的氮化物单晶膜上二次生长氮化物单晶，
还包括在所述初次生长和所述二次生长之间进行所述激光束照射，用于将所述氮化物单晶层与所述预备衬底部分地分离。
12.根据权利要求11所述的方法，其中：
所述预备衬底是硅衬底；以及
所述初次生长的氮化物单晶膜的厚度为0.1～1μm。
13.根据权利要求11所述的方法，其中：
所述预备衬底是蓝宝石衬底；以及
所述初次生长的氮化物单晶膜的厚度为5～100μm。
14.根据权利要求11所述的方法，其中，在用于将所述氮化物单晶层与所述预备衬底部分地分离的所述激光束照射中，以将激光束照射区域彼此分开指定间距的方式进行所述激光束照射。
15.根据权利要求1所述的方法，其中，通过氢化物汽相外延、有机金属化学汽相沉积、或分子束外延来执行所述氮化物单晶层的生长。
16.一种用于制造氮化物单晶层的装置，包括：
反应室，用于在其中生长氮化物单晶；
基座，安装在所述反应室中，用于固定预备衬底；以及透明窗，穿透所述反应室的上表面而形成，用于将激光束照射到所述基座所固定的所述预备衬底的上表面上。
17.根据权利要求16所述的装置，还包括衬底定位调整臂，用于移动所述预备衬底，以将所述激光束照射到固定至所述基座的所述预备衬底的下表面上。
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