具体实施方式
下文中将参考示出了本发明示例性实施例的附图而更全面地描述本发明。但是,本发明可以以许多不同的形式实施并且不应解释为限于这里所阐述的示例性实施例。
在这些附图中,为清楚起见放大了层和区域的厚度。类似的标号始终表示类似的元件。应该理解,当提到诸如层、膜、区域、衬底、或面板的元件在另一元件“上”时,其可以直接在另一元件上或者也可能存在居间元件。相反,当提到元件“直接在另一元件之上”时,则不存在居间元件。
现在将参考附图描述根据本发明示例性实施例的电平移动器及包括其的显示设备。
图1是根据本发明的显示设备的实施例的框图,图2图示了根据本发明的LCD的像素的示例性实施例的结构和等价电路图,而图3是根据本发明的显示设备的示例性实施例的示意图。
参考图1和图2,根据本发明示例性实施例的显示设备包括面板组件300以及与其相连的选通驱动器400和数据驱动器500。显示设备还包括连接到数据驱动器500的灰度电压生成器800、提供预定放大电压给选通驱动器400和数据驱动器500的电平移动器700、以及控制上述元件的信号控制器600。
面板组件300包括多个显示信号线G1-Gn和D1-Dm、以及多个连接到显示信号线G1-Gn和D1-Dm的像素。这些像素可以基本上以矩阵结构排列。面板组件300包括下面板100和上面板200。
显示信号线G1-Gn和D1-Dm在下面板100上提供,并且包括传送选通信号(也称作扫描信号)的选通线G1-Gn和传送数据信号的数据线D1-Dm。选通线G1-Gn基本上沿行方向延伸并且基本上彼此平行,而数据线D1-Dm基本上沿列方向延伸并且基本上彼此平行。
每个像素包括连接到选通线G1-Gn之一和数据线D1-Dm之一的开关元件Q、以及连接到该开关元件Q的像素电路PX。开关元件Q在下面板100上提供,并且包括三个端子:连接到选通线G1-Gn之一的控制端、连接到数据线D1-Dm之一的输入端、和连接到像素电路PX的输出端。
在作为平板显示设备的示例的有源矩阵LCD设备中,面板组件300包括下面板100、上面板200、和置于下面板100和上面板200之间的液晶(LC)层3。此外,在下面板100上提供了显示信号线G1-Gn和D1-Dm以及开关元件Q。每个像素电路PX包括与开关元件Q并联的LC电容器CLC和存储电容器CST。在替代性实施例中,如果不需要存储电容器CST,则可以省略存储电容器CST。
LC电容器CLC包括下面板100上的像素电极190、上面板200上的公共电极270、以及像素电极190和公共电极270之间的作为电介质的LC层3。像素电极190连接到开关元件Q,而公共电极270可以覆盖上面板200的整个表面并且被供以公共电压。在替代性示例实施例中,像素电极190和公共电极270都可以为条形或带形等并且都可以提供在下面板100上。
存储电容器CST是LC电容器CLC的辅助电容器。存储电容器CST包括像素电极190和单独的信号线(未示出),其在下面板100上提供并且与像素电极190交迭。可以在像素电极190和单独的信号线之间放置绝缘体。为存储电容器CST提供预定电压诸如公共电压。存储电容器CST包括像素电极190和与像素电极190交迭的称作先前选通线的邻近选通线,并且在像素电极190和先前选通线之间放置了绝缘体。
在一个实施例中,关于颜色显示,每个像素可以唯一地表示三原色诸如红、绿、蓝色中的一种,这称作空间分割(spatial division)。在另一实施例中,每个像素可以按时间而顺序表示三原色,这称作时间分割(temporal division)。图2示出了空间分割的示例性实施例,其中每个像素在面对像素电极190的上面板200的区域中包括表示三原色之一的滤色镜230。在替代性实施例中,可以在下面板100上的像素电极190的上面或下面提供滤色镜230。
在示例性实施例中,将用于使光偏振的一对偏光镜(未示出)附着在面板组件300的下面板100和上面板200的外表面上。
返回参考图1,灰度电压生成器800生成与像素的透射率相关的一组或两组灰度电压。当生成两组灰度电压时,一组灰度电压可以相对于公共电压具有正极性,而另一组灰度电压可以相对于公共电压具有负极性。当生成一组灰度电压时,该灰度电压可以相对于公共电压具有正极性或负极性。
选通驱动器400连接到面板组件300的选通线G1-Gn,并且其合成来自外部设备的选通开(gate-on)电压Von和选通关(gate-off)电压Voff,以生成用于施加给选通线G1-Gn的选通信号。选通驱动器400可以是包括排成一行的多级的移位寄存器。选通驱动器400可以集成在面板组件300上或者可以是连接到面板组件300的分立设备。
数据驱动器500连接到面板组件300的数据线D1-Dm,并且将从灰度电压生成器800提供的灰度电压中选择的数据电压施加给数据线D1-Dm。数据驱动器500可以集成在面板组件300上或者可以是连接到面板组件300的分立设备。
电平移动器700将来自信号控制器600或者外部设备的预定逻辑电压VIN转换成放大的逻辑电压VLOG,并且将VLOG传送到选通驱动器400和数据驱动器500。电平移动器700可以集成在面板组件300上或者可以是连接到面板组件300的分立设备。
信号控制器600控制选通驱动器400和数据驱动器500。信号控制器600可以集成在面板组件300上或者可以是连接到面板组件300的分立设备。
现在,将参考图1详细描述显示设备的操作。
将图像信号R、G和B以及用于控制图像信号R、G和B的显示的输入控制信号提供给信号控制器600。输入控制信号包括但不限于垂直同步信号Vsync、水平同步信号Hsync、主时钟MCLK、和数据使能信号DE。输入控制信号可以是从外部图形控制器(未示出)接收的。信号控制器600生成选通控制信号CONT1和数据控制信号CONT2,并且响应于输入控制信号而处理图像信号R、G、B以使之适于面板组件300的操作。此外,信号控制器600将选通控制信号CONT1传送到选通驱动器400,以及将处理后的图像信号DAT和数据控制信号CONT2传送到数据驱动器500。
选通控制信号CONT1可以包括但不限于:用于向选通驱动器通知帧开始的垂直同步开始信号STV、用于控制选通开电压Von的输出时间的选通时钟信号CPV、和用于定义选通开电压Von的宽度的输出使能信号OE。
数据控制信号CONT2可以包括但不限于:用于向数据驱动器500通知水平周期开始的水平同步开始信号STH、用于命令数据驱动器500施加适当数据电压给数据线D1-Dm的负载信号LOAD或TP、和数据时钟信号HCLK。数据控制信号CONT2还可以包括用于(相对于公共电压)反转数据电压的极性的反转控制信号RVS。
数据驱动器500从信号控制器600接收用于像素行的处理后的图像信号DAT,并且将处理后的图像信号DAT转换成模拟数据电压。可以响应于来自信号控制器600的数据控制信号CONT2而从灰度电压生成器800所提供的灰度电压中选择该模拟数据电压。
响应于来自信号控制器600的选通控制信号CONT1,选通驱动器400施加选通开电压Von给选通线G1-Gn,由此导通连接到选通线G1-Gn的开关元件Q。
数据驱动器500可以在开关元件Q的导通时间(其也称作“一个水平周期”或“1H”,并且等于水平同步信号Hsync、数据使能信号DE、和选通时钟信号CPV的一个周期)内一直施加数据电压给对应的数据线D1-Dm。接着数据电压经由导通的开关元件Q被提供给对应的像素。
施加给像素的公共电压与数据电压之间的差被表达为LC电容器CLC的充电电压,即像素电压。液晶分子的方向取决于像素电压的幅度,并且液晶分子的方向决定了通过LC电容器CLC的光的偏振。偏光器将光的偏振转换成透光率。
通过重复上述过程,在一帧期间所有选通线G1-Gn被顺序供以选通开电压Von,由此施加数据电压给所有像素。在图1所示的LCD的情况下,当在结束一帧之后下一帧开始时,控制施加给数据驱动器500的反转控制信号RVS,从而反转数据电压的极性(“帧反转”)。可以控制反转控制信号RVS使得一帧中数据线中流动的数据电压的极性被反转(例如:“行反转”,“点反转”)、或者一个分组中的数据电压的极性被反转(例如:“列反转”,“点反转”)。
现在将参考图3-7描述根据本发明实施例的电平移动器。
图3是根据本发明示例性实施例的电平移动器的电路图,图4A和图4B示出了图3中所示的电平移动器的信号波形。
参考图3,根据本发明示例性实施例的电平移动器350包括分压单元10、反相单元20、和输出单元30。
在示例性实施例中,分压单元10包括连接在电源电压VDD和输入电压VIN之间的晶体管MP11和MN11。晶体管MP11为PMOS型并且其栅极连接到地电压,晶体管MN11为NMOS型并且其栅极连接到电源电压VDD,以及两个晶体管MP11和MN11的漏极连接到触点N10。然而,也预期该分压单元10可以为任何其他合适的用于分压的电路。
在示例性实施例中,反相单元20包括连接在电源电压VDD和地电压GND之间的晶体管MP21和MN21。晶体管MP21为PMOS型而晶体管MN21为NMOS型,以及两个晶体管MP21和MN21的栅极连接到触点N10而它们的漏极连接到触点N20。但是,也预期反相单元20可以是用于反转电压的任何其它适当的电路。
输出单元30包括分别连接在电源电压VDD、触点N30和输出端OUT之间的晶体管MP31和MP32。输出单元31包括连接在触点N30和触点N10之间的晶体管MN31以及连接在输出端OUT和触点N20之间的晶体管MN32。但是,也预期输出单元30可以是用于输出电压的任何其它适当的电路。
分压单元10提供电源电压VDD和输入电压VIN的中间电压,反相单元20接收该中间电压以提供中间电压的反相电压,以及输出单元30比较中间电压和中间电压的反相电压的幅度,以根据其结果而输出电源电压VDD或地电压GND。
分压单元10将两个晶体管MP11和MN11导通时的阻抗决定的电压输出到触点N10。在示例性实施例中,当输入具有低值的输入电压VIN时,分压单元10输出能够使晶体管MP21导通的低电压,以及当输入具有高值的输入电压VIN时,分压单元10输出能够使晶体管MN21导通的高电压。
在图4A中,当输入具有低电压例如0V的输入电压VIN时,触点N10的电压V10是作为低压示例示出的4.5V,以及当输入具有高电压例如3.3V的输入电压VIN时,电压V10是作为高压示例示出的8V。
反相单元20接收高压和低压的中间电压,并且输出该中间电压的反相电压到触点N20。
如图4B所示,当将作为低压的中间电压传送到反相单元20时,晶体管MP21导通,从而将接近于电源电压VDD的电压传送到触点N20,以及当将作为高压的中间电压传送到反相单元20时,晶体管MN21导通,从而将接近于地电压GND的电压传送到触点N20。
在示例性实施例中,如果作为高压的中间电压大于具有高值的输入电压VIN,则晶体管MN21导通,即使晶体管MN21的阈值或者该阈值的摆幅较高或者迁移率(mobility)较低时也如此。这样,即使具有高值的输入电压VIN变低,也足以使晶体管MN21导通,并且将中间电压的反相电压传送到反相单元20的触点N20。此外,即使晶体管NM21的阈值电压、或者其阈值的摆幅、或者迁移率的变化可能存在,也足以使晶体管MN21导通。
输出单元30被供以触点N20处的电压并且输出电源电压VDD或地电压GND。在示例性实施例中,两个晶体管MP31和MP32具有彼此连接的源极和栅极以形成电流反射镜(current mirror)。
在示例性实施例中,当触点N20的输出接近电源电压VDD时,晶体管MN31导通并且传送作为低压的中间电压(其是触点N10处的电压)到触点N30,由此使晶体管MP32导通。从而,输出电压VLOG变为电源电压VDD。
在替代性示例实施例中,当触点N20的输出接近地电压GND时,晶体管MN31截止,以及作为高电压的中间电压(其是触点N10处的电压)被输入到晶体管MN32的栅极。地电压GND(其是触点N20处的电压)被传送到输出端OUT。
如图4A所示,当输入电压VIN具有低值时,输出电压VLOG变为电源电压VDD,以及当输入电压VIN具有高值时,输出电压VLOG变为地电压VDD。
在示例性实施例中,多个晶体管MP11、MN11、MP21、MN21、MP31、MN31、MP32、和MN32可以包含低温多晶硅。在替代性示例性实施例中,多个晶体管MP11、MN11、MP21、MN21、MP31、MN31、MP32、和MN32可以包含非晶硅。
在另一示例性实施例中,电平移动器700并不需要输入电压VIN的单独反相信号,从而其信号线不是必要的。这样,减少了电平移动器700占据的面积。此外,由于也不需要单独的参考电压,所以这防止了由传送参考电压的信号线和传送其它信号的信号线的耦接而导致的劣质操作。
现在将参考图5-7详细描述根据本发明的电平移动器700的另一示例性实施例。
图5是根据本发明的电平移动器700的另一示例性实施例的电路图,图6示出了图5中所示的电平移动器700的信号波形,以及图7是图示包括图5中所示的电平移动器700的反相器的传输特性的图。
参考图5,根据本发明的电平移动器700的另一示例性实施例包括分压单元12、第一和第二电压补偿单元22和32、以及输出单元40。
在示例性实施例中,如图5所示,分压单元12包括连接在电源电压VDD和输入电压VIN之间的两个不同类型的晶体管MP11和MN11,并且分压单元12向触点N1输出电源电压VDD和输入电压VIN的中间电压。晶体管MP11的栅极连接到触点N3,晶体管MN11的栅极连接到触点N2。
第一电压补偿单元22包括连接在电源电压VDD和地电压GND之间的两个不同类型晶体管MP21和MN21。晶体管MP21的漏极和栅极分别连接到触点N2和地电压GND,晶体管MN21的漏极和栅极共同连接到触点N2。
第二电压补偿单元32包括连接在电源电压VDD和地电压GND之间的两个不同类型晶体管MP31和MN31,晶体管MP31的栅极和漏极共同连接到触点N3,晶体管MN31的栅极连接到电源电压VDD。
输出单元40包括串联到触点N1的反相器INV1和INV2。反相器INV1和INV2可由图3中所示的反相单元20组成。
现在将参考图6和图7更详细地描述电平移动器700的操作。
在示例性实施例中,如图5所示选择性地输入输入电压VIN的低值0V和高值3.3V,以及输出单元40选择性地输出0V和5V的输出电压VLOG。
在该实施例中,两个晶体管MP11和MN11将导通时的阻抗所分割的电压输出到触点N1。如图6所示,对于具有低值的输入电压VIN,触点N1处的电压是2V,以及对于具有高值的输入电压VIN,触点N1处的电压是4V。当触点N1的电压是2V时,反相器INV1的输出电压约为5V,并且当其被输入到反相器INV2时,输出电压VLOG变为约0V。此外,当触点N1的电压是4V时,反相器INV1的输出电压约为0V,并且当其被输入到反相器INV2时,输出电压VLOG变为约5V。
如图7所示,对于具有低值的输入电压VIN,输出电压VLOG是0V,以及对于具有高值的输入电压VIN,输出电压VLOG是5V。
当晶体管MN11的阈值电压被改变时,第一和第二电压补偿单元22和32将晶体管MN11的栅-源(gate-source)电压Vgs改变其阈值电压所改变的那么多,将对此进行详述。
在示例性实施例中,假定NMOS型晶体管MN11、MN21、和MN31的每个都具有1V的阈值电压,以及PMOS型晶体管MP11、MP21、和MP31的每个都具有-IV的阈值电压,
当栅-源电压Vgs大于阈值电压时,晶体管MN11导通,以及当栅-源电压Vgs小于阈值电压时,晶体管MP11导通。在这种情况下,当绝对值更低时,基本不存在问题,但是当绝对值更高时,栅-源电压Vgs的绝对值也必须高那么多,以便使晶体管MN11和MP11导通。如图3所示,分压单元10的晶体管MN11和MP11分别连接到恒定的电源电压VDD和恒定的地电压GND,这样当阈值电压的绝对值更高时,它们可能不导通。
晶体管MP21工作在欧姆状态,而晶体管MN21工作在晶体管范围内的饱和状态。此外,晶体管MP31工作在饱和状态,而晶体管MN31工作在欧姆状态。
流到工作在饱和状态下的两个晶体管MN21和MP31的电流可以表示为公式1。
IN21=k(Vgs-Vt)2/2
IP31=k(Vgs-Vt)2/2 (1)
其中,IN21是流到晶体管MN21中的电流,IP31是流到晶体管MP31中的电流,k是跨导,Vt是阈值电压,而Vgs是晶体管MN21和MP31的每个的栅-源电压。
此外,当漏-源电压非常小时,工作在欧姆状态下的两个晶体管MP21和MN31的阻抗和电流可以如下线性化,
RP21,N31=1/[k(Vgs-Vt)] (2)
IP21=Vds/RP21
IN3i=Vds/RN31 (3)
其中,RP21,N31表示工作在欧姆状态下的两个晶体管MP21和MN31的各自电阻RP21和RN31,而IP21和IN31是分别流到两个晶体管MP21和MN31中的电流。
在示例性实施例中,当晶体管MN11的阈值电压从1V变为2V时,由与晶体管M11同样的制造工艺形成的其它晶体管(例如,MN21)的阈值电压也变为2V。第一电压补偿单元22的两个晶体管MP21和MN21彼此串联,并且来自晶体管MN21的电流被输入到晶体管MN21。这样,流到两个晶体管MP21和MN21的电流相等并且可以表示为:
IP21=IN21=k(Vgs-Vt)2/2 (4)
由于阈值电压从1V变为2V,所以要求栅-源电压也变大该增量那么多,以便输出与先前相同的电压。晶体管MN21的栅极连接到晶体管MN11的栅极,以及晶体管MN21的源极连接到0V的地电压GND,从而晶体管MN11的栅极电压变大了该增量。例如,当晶体管MN11的栅极电压以前是5V时,其现在变为6V。
类似地,当晶体管MP11的阈值电压从-1V变为-2V时,栅-源电压的绝对值变大,即,晶体管MP11的栅极电压变低。例如,当其栅极电压过去是-5V时,其现在变为-6V。
如上所述,在本发明的实施例中,不需要传送输入电压VIN的反相信号的单独的信号线,由此减少了由电平移动器占据的面积。
此外,当晶体管MP11和MN11的阈值电压变化时,在分压单元12的两侧提供了电压补偿单元22和32,以与上述变化同步地改变晶体管MP11和MN11的栅极电压,由此防止其低劣操作。这样,可以提供可靠的电平移动器。
虽然已经参考优选实施例详细描述了本发明,但是应该理解,本发明并不限于这里所公开的实施例,而是相反,本发明意欲覆盖所附权利要求的精神和范围内包括的各种修改和等价配置。