CN1789489A - 基板处理装置 - Google Patents

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绀谷忠司
丰田一行
佐藤武敏
加贺谷徹
嶋信人
石丸信雄
境正宪
奥田和幸
八木泰志
渡边诚治
国井泰夫
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101660138A (zh) * 2008-08-29 2010-03-03 东京毅力科创株式会社 活化气体注入装置、成膜装置和成膜方法
CN101403090B (zh) * 2007-10-05 2011-08-24 韩国原子力研究院 利用多层基板固定器结构的装载锁定腔室的薄膜蒸镀装置
CN101403091B (zh) * 2007-10-05 2012-04-18 韩国原子力研究院 利用大量基板安装及卸载系统的批量生产型薄膜蒸镀装置
CN103818861A (zh) * 2014-03-12 2014-05-28 合肥彩虹蓝光科技有限公司 一种反应室腔体上盖起降系统

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100829327B1 (ko) 2002-04-05 2008-05-13 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치 및 반응 용기
JP4204840B2 (ja) * 2002-10-08 2009-01-07 株式会社日立国際電気 基板処埋装置
JP3973567B2 (ja) * 2003-01-17 2007-09-12 東京エレクトロン株式会社 薄膜の形成方法及び薄膜の形成装置
JP4329403B2 (ja) * 2003-05-19 2009-09-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US7958842B2 (en) 2004-02-27 2011-06-14 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus
US20050287806A1 (en) 2004-06-24 2005-12-29 Hiroyuki Matsuura Vertical CVD apparatus and CVD method using the same
US7966969B2 (en) * 2004-09-22 2011-06-28 Asm International N.V. Deposition of TiN films in a batch reactor
JP4634155B2 (ja) * 2005-01-07 2011-02-16 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び成膜方法
JP4426518B2 (ja) 2005-10-11 2010-03-03 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US20070259111A1 (en) * 2006-05-05 2007-11-08 Singh Kaushal K Method and apparatus for photo-excitation of chemicals for atomic layer deposition of dielectric film
KR100807216B1 (ko) 2006-09-29 2008-02-28 삼성전자주식회사 두께 균일성을 향상할 수 있는 박막 형성 장치 및 방법
JP4746581B2 (ja) * 2007-04-12 2011-08-10 株式会社日立国際電気 基板処理装置
JP5137462B2 (ja) * 2007-05-21 2013-02-06 株式会社日立国際電気 基板処理装置、ガス供給部および薄膜形成方法
KR101101164B1 (ko) * 2008-04-01 2011-12-30 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치
JP5198299B2 (ja) 2008-04-01 2013-05-15 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法
JP5549754B2 (ja) * 2008-08-29 2014-07-16 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP4938805B2 (ja) * 2009-01-13 2012-05-23 株式会社日立国際電気 基板処理装置
JP5114457B2 (ja) * 2009-07-10 2013-01-09 株式会社アルバック 触媒ｃｖｄ装置
KR101205242B1 (ko) * 2010-04-30 2012-11-27 주식회사 테라세미콘 플라즈마 처리 장치
TWI520177B (zh) 2010-10-26 2016-02-01 日立國際電氣股份有限公司 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及電腦可讀取的記錄媒體
JP5718031B2 (ja) * 2010-11-26 2015-05-13 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2012248779A (ja) * 2011-05-31 2012-12-13 Spp Technologies Co Ltd 酸化シリコンのエッチング装置、そのエッチング方法、及びそのエッチングプログラム
US20130068161A1 (en) * 2011-09-15 2013-03-21 Applied Materials, Inc. Gas delivery and distribution for uniform process in linear-type large-area plasma reactor
JP5598728B2 (ja) * 2011-12-22 2014-10-01 株式会社ダイフク 不活性ガス注入装置
DE102012024340A1 (de) * 2012-12-13 2014-06-18 Oerlikon Trading Ag, Trübbach Plasmaquelle
JP5792215B2 (ja) * 2013-03-08 2015-10-07 国立大学法人東北大学 ホットワイヤ式処理装置
CN103646902A (zh) * 2013-11-26 2014-03-19 上海华力微电子有限公司 一种用于优化半导体工艺条件的气体注入管
JP6320903B2 (ja) * 2014-11-19 2018-05-09 東京エレクトロン株式会社 ノズル及びこれを用いた基板処理装置
CN105142324A (zh) * 2015-08-17 2015-12-09 深圳市华鼎星科技有限公司 一种线性等离子发生器
KR101760316B1 (ko) 2015-09-11 2017-07-21 주식회사 유진테크 기판처리장치
JP6737139B2 (ja) * 2016-11-14 2020-08-05 東京エレクトロン株式会社 ガスインジェクタ、及び縦型熱処理装置
JP6647260B2 (ja) * 2017-09-25 2020-02-14 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム
JP6820816B2 (ja) * 2017-09-26 2021-01-27 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、反応管、半導体装置の製造方法、及びプログラム
CN114402421A (zh) 2019-09-27 2022-04-26 株式会社国际电气 基板处理装置、升降机构、半导体器件的制造方法及程序
WO2021181450A1 (ja) * 2020-03-09 2021-09-16 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
CN111681977B (zh) * 2020-07-15 2024-01-05 北京北方华创微电子装备有限公司 储片盒吹扫组件和储片盒装置
KR102915671B1 (ko) 2021-03-19 2026-01-20 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 보지구, 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램
KR20240118816A (ko) * 2022-01-07 2024-08-05 시바우라 기카이 가부시키가이샤 표면 처리 장치
CN115125523B (zh) * 2022-06-28 2023-09-08 北京北方华创微电子装备有限公司 反应腔室及半导体设备

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5383984A (en) * 1992-06-17 1995-01-24 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus etching tunnel-type
DE69929271T2 (de) * 1998-10-26 2006-09-21 Matsushita Electric Works, Ltd., Kadoma Apparat und Verfahren zur Plasmabehandlung
TW452635B (en) * 1999-05-21 2001-09-01 Silicon Valley Group Thermal Gas delivery metering tube and gas delivery metering device using the same

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101403090B (zh) * 2007-10-05 2011-08-24 韩国原子力研究院 利用多层基板固定器结构的装载锁定腔室的薄膜蒸镀装置
CN101403091B (zh) * 2007-10-05 2012-04-18 韩国原子力研究院 利用大量基板安装及卸载系统的批量生产型薄膜蒸镀装置
CN101660138A (zh) * 2008-08-29 2010-03-03 东京毅力科创株式会社 活化气体注入装置、成膜装置和成膜方法
CN103088319A (zh) * 2008-08-29 2013-05-08 东京毅力科创株式会社 成膜装置和成膜方法
CN103088319B (zh) * 2008-08-29 2015-05-13 东京毅力科创株式会社 成膜装置和成膜方法
CN103818861A (zh) * 2014-03-12 2014-05-28 合肥彩虹蓝光科技有限公司 一种反应室腔体上盖起降系统

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PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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