JP5114457B2 - 触媒cvd装置 - Google Patents
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Description
〈参考形態1〉
図1は、参考形態1に係る触媒CVD装置を示す概略断面図である。この触媒CVD装置1の反応容器2内の中央部には、反応容器2の底面に対して垂直方向に触媒体3が設けられている。触媒体3は、複数のタングステン細線などの触媒線が触媒フレームに張架されて構成されており、図の手前から奥方向に沿って所定間隔で垂直方向に設置されている。各触媒体3の周囲には、各触媒体3を囲むようにして耐熱金属部材(例えばSUS材)からなる薄板状のガス流れ制御板4が設置されている。このガス流れ制御板4は、後述する成膜時に生成される堆積種が反応容器2の内壁面などに付着するのを防止するための防着板としての機能も有している。触媒体3の触媒線には電源(不図示)が接続されている。
両者の測定結果から明らかなように、参考形態1に係る触媒CVD装置1を用いることにより、基板面内の膜厚分布が大幅に改善されたことを確認した。
〈参考形態2〉
次に、上記した本実施形態に係る触媒CVD装置による成膜方法について説明する。
〈実施形態3〉
次に、上記した触媒CVD装置20による成膜方法について説明する。
2、21 反応容器
3 触媒体
4、4a、4b、4c、4d ガス流れ制御板
5a、5b、25 基板ホルダー
6、24 基板
7、17、26 ガス噴出孔
8a、8b、27 反応ガス溜め込み容器
10、30 排気管
11a、11b、11a1、11a2、11a3、11a4 反応ガス導入管
12、29 触媒線
23 ガス導入ヘッド
Claims (2)
- 排気系の稼動により圧力調整可能な反応容器と、前記反応容器内で基板を保持する基板ホルダーと、前記反応容器内に反応ガスを導入するガス導入系と、前記基板ホルダーの基板保持面側と対向するようにして設けた触媒体とを備え、前記ガス導入系から前記反応容器内に導入される反応ガスを通電により高温に加熱された前記触媒体により活性化あるいは分解して生成された堆積種を、前記基板ホルダーに保持された基板に堆積して成膜を行なう触媒CVD装置において、
前記基板ホルダーの基板保持面側と逆側の背面に反応ガス溜め込み容器を設けて、前記基板ホルダーの背面と基板保持面との間を貫通するようにして複数のガス噴出し孔を形成し、前記ガス導入系から前記反応ガス溜め込み容器内に反応ガスを導入して、前記反応ガス溜め込み容器内に溜め込んだ反応ガスを前記ガス噴出し孔から前記触媒体に向かって噴出することにより堆積種とし、前記基板ホルダー上に設けられた前記基板に堆積させるように構成し、
前記反応ガス溜め込み容器の容積を可変とした
ことを特徴とする触媒CVD装置。 - 排気系の稼動により圧力調整可能な反応容器と、前記反応容器内で水平方向に基板を保持する基板ホルダーと、前記反応容器内に反応ガスを導入するガス導入系と、前記基板ホルダーの基板保持面側の上方に前記基板保持面と対向して設けられた触媒体とを備え、前記ガス導入系から前記反応容器内に導入される反応ガスを通電により高温に加熱された前記触媒体により活性化あるいは分解して生成された堆積種を、前記基板ホルダーに保持された基板に堆積して成膜を行なう触媒CVD装置において、
前記基板ホルダーの基板保持面側と逆側の背面に反応ガス溜め込み容器を設けて、前記基板ホルダーの背面と基板保持面との間を貫通するようにして複数のガス噴出し孔を形成し、前記ガス導入系から前記反応ガス溜め込み容器内に反応ガスを導入して、前記反応ガス溜め込み容器内に溜め込んだ反応ガスを前記ガス噴出し孔から前記触媒体に向かって噴出することにより堆積種とし、前記基板ホルダー上に設けられた前記基板に堆積させるように構成し、
前記反応ガス溜め込み容器の容積を可変とした
ことを特徴とする触媒CVD装置。
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