JP2007277723A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2007277723A5
JP2007277723A5 JP2007099449A JP2007099449A JP2007277723A5 JP 2007277723 A5 JP2007277723 A5 JP 2007277723A5 JP 2007099449 A JP2007099449 A JP 2007099449A JP 2007099449 A JP2007099449 A JP 2007099449A JP 2007277723 A5 JP2007277723 A5 JP 2007277723A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
gas source
reactor
source orifice
orifice array
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007099449A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007277723A (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from US11/278,700 external-priority patent/US20070234956A1/en
Application filed filed Critical
Publication of JP2007277723A publication Critical patent/JP2007277723A/ja
Publication of JP2007277723A5 publication Critical patent/JP2007277723A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Claims (15)

  1. 第１の期間中に、第１の気体源オリフィス列からワークピースの表面に流れる気体流によって決定される軸に沿って、反応炉内のワークピースの表面から第１の距離に配置された第１の気体源オリフィス列から反応炉内にパージガスを流す一方で、前記第１の気体源オリフィス列から離れ、かつワークピースの前記表面から前記第１の距離より短い第２の距離に配置された第２の気体源オリフィス列から、前記第１の気体源オリフィス列から前記ワークピースの表面に流れる気体流によって決まる軸に沿って前記反応炉内に第１の反応前駆物質を流すステップと、
    第２の期間中に、前記反応炉内を排出しながら、前記第１の気体源オリフィス列と前記第２の気体源オリフィス列の両方から前記反応炉内に前記パージガスを流すステップと、
    第３の期間中に、前記第１の気体源オリフィス列を介して前記第２の反応前駆物質を前記反応炉内に流し、前記第２の気体源オリフィス列を介して前記パージガスを前記反応炉内に流すステップと、
    第４の期間中に、前記反応炉内を排出しながら、前記第１の気体源オリフィス列と前記第２の気体源オリフィス列の両方から前記パージガスを前記反応炉内に流すステップと、
    から成ることを特徴とする反応炉内に気体を導入する方法。
  2. 前記第２の反応前駆物質は弱い飽和の原子層蒸着中間反応に関連し、前記第１の反応前駆物質は強い飽和の原子層蒸着中間反応に関連することを特徴とする請求項１記載の方法。
  3. 前記第１の気体源オリフィス列は比較的平らな気体オリフィス列であることを特徴とする請求項１記載の方法。
  4. 前記第１の反応前駆物質は、前記第２の気体源オリフィス列を介して前記反応炉内に導入される際、キャリアガスを伴うことを特徴とする請求項１記載の方法。
  5. 前記第２の反応前駆物質は、前記第１の気体源オリフィス列を介して前記反応炉内に導入される際、キャリアガスを伴うことを特徴とする請求項１記載の方法。
  6. 前記第１の反応前駆物質と前記第２の反応前駆物質は、それぞれ前記第２の気体源オリフィス列と前記第１の気体源オリフィス列を介して前記反応炉内に導入される際、キャリアガスを伴うことを特徴とする請求項１記載の方法。
  7. 第１の期間中に、第１の気体源オリフィス列からワークピースの表面に流れる気体流によって決まる軸に沿って、前記ワークピースの表面から第１の距離に配置された前記第１の気体源オリフィス列から第１の反応前駆物質を反応炉内に流す一方で、第１の気体源オリフィス列からワークピースの表面に流れる気体流によって決まる軸に沿って、前記ワークピースの表面から第２の距離に配置され、且つ前記第１の気体源オリフィス列から離れた第２の気体源オリフィス列から前記反応炉内に第２の反応前駆物質を流すステップと、
    第２の期間中に、前記第１の気体源オリフィス列と前記第２の気体源オリフィス列の両方から前記反応炉内にパージガスを流すステップと、
    から成ることを特徴とする反応炉内に気体を導入する方法。
  8. 前記第２の反応前駆物質は、前記第２の気体源オリフィス列を介してパルス状に前記反応炉内に流されることを特徴とする請求項７に記載の方法。
  9. 前記第１の気体源オリフィス列は比較的平らな気体オリフィス列であることを特徴とする請求項７記載の方法。
  10. 前記第１の反応前駆物質は、前記第１の気体源オリフィス列を介して前記反応炉内に導入される際、キャリアガスを伴うことを特徴とする請求項７記載の方法。
  11. 前記第２の反応前駆物質は、前記第２の気体源オリフィス列を介して前記反応炉内に導入される際、キャリアガスを伴うことを特徴とする請求項７記載の方法。
  12. 前記第１の反応前駆物質と前記第２の反応前駆物質は、それぞれ前記第２の気体源オリフィス列と前記第１の気体源オリフィス列を介して前記反応炉内に導入される際、キャリアガスを伴うことを特徴とする請求項１記載の方法。
  13. 気体分配システム内の２つのマニホールドを介して化学蒸着処理システムの反応炉内に反応前駆物質を流すステップであって、前記２つのマニホールドは相互に異なり、かつ離れて配置されており、一方のマニホールドは前記反応炉内の基板表面に対し、前記２つのマニホールドから流れてくる気体の流れ方向軸に沿って、もう一方のマニホールドより高い位置に配置されるステップと、
    前記基板表面上に所望の蒸着が達成されると、前記反応前駆物質の流れを止めるステップと、
    引き続き、残った前駆物質を前記反応炉から取り除くのアシストするため、前記１つまたは２つのマニホールドを介してパージガスを流すステップと、
    を有し、
    第１の反応前駆物質は前記２つのマニホールドのうち、上側の位置にあるマニホールドを介して継続的に導入され、第２の反応前駆物質は下側のマニホールドを介してパルス状に導入されることを特徴とする化学蒸着（ＣＶＤ）プロセス。
  14. 前記下側のマニホールドを介して導入される前記第２の前駆物質は、前記第１の前駆物質と比較すると、前記ＣＶＤプロセス中の主要な表面反応を有する前駆物質であることを特徴とする請求項１３記載のプロセス。
  15. 前記第１および第２の前駆物質のうち少なくとも１つは、キャリアガスとともにチャンバに導入されることを特徴とする請求項１４記載のプロセス。
JP2007099449A 2006-04-05 2007-04-05 反応炉に均一な気体運搬を行う方法および装置 Pending JP2007277723A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/278,700 US20070234956A1 (en) 2006-04-05 2006-04-05 Method and apparatus for providing uniform gas delivery to a reactor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007277723A JP2007277723A (ja) 2007-10-25
JP2007277723A5 true JP2007277723A5 (ja) 2010-05-20

Family

ID=38254883

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007099449A Pending JP2007277723A (ja) 2006-04-05 2007-04-05 反応炉に均一な気体運搬を行う方法および装置

Country Status (5)

Country Link
US (3) US20070234956A1 (ja)
EP (1) EP1842938A3 (ja)
JP (1) JP2007277723A (ja)
KR (1) KR101373828B1 (ja)
CN (1) CN101050524A (ja)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100037820A1 (en) * 2008-08-13 2010-02-18 Synos Technology, Inc. Vapor Deposition Reactor
CN105420688B (zh) * 2008-12-04 2019-01-22 威科仪器有限公司 用于化学气相沉积的进气口元件及其制造方法
WO2010095901A2 (en) 2009-02-23 2010-08-26 Synos Technology, Inc. Method for forming thin film using radicals generated by plasma
US8758512B2 (en) 2009-06-08 2014-06-24 Veeco Ald Inc. Vapor deposition reactor and method for forming thin film
FI124113B (fi) * 2010-08-30 2014-03-31 Beneq Oy Laitteisto ja menetelmä substraatin pinnan muokkaamiseksi
EP2481833A1 (en) * 2011-01-31 2012-08-01 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Apparatus for atomic layer deposition
US8840958B2 (en) 2011-02-14 2014-09-23 Veeco Ald Inc. Combined injection module for sequentially injecting source precursor and reactant precursor
US8877300B2 (en) 2011-02-16 2014-11-04 Veeco Ald Inc. Atomic layer deposition using radicals of gas mixture
US9163310B2 (en) 2011-02-18 2015-10-20 Veeco Ald Inc. Enhanced deposition of layer on substrate using radicals
US11326255B2 (en) 2013-02-07 2022-05-10 Uchicago Argonne, Llc ALD reactor for coating porous substrates
US9334566B2 (en) * 2013-11-25 2016-05-10 Lam Research Corporation Multi-tray ballast vapor draw systems
US10082461B2 (en) * 2014-07-29 2018-09-25 Nanometrics Incorporated Optical metrology with purged reference chip
US10451542B2 (en) 2017-12-05 2019-10-22 Nanometrics Incorporated Local purge within metrology and inspection systems
JP6637095B2 (ja) * 2018-03-22 2020-01-29 プラサド ナーハー ガジル セラミック薄膜の低温堆積方法
FI128427B (en) * 2018-04-12 2020-05-15 Beneq Oy Nozzle head and device
FI129731B (en) * 2018-04-16 2022-08-15 Beneq Oy Nozzle head, apparatus and procedure
CN108950546B (zh) * 2018-10-08 2023-06-02 福建工程学院 一种预置激光熔覆保护气充盈装置
DE102019119019A1 (de) 2019-07-12 2021-01-14 Aixtron Se Gaseinlassorgan für einen CVD-Reaktor
US11111578B1 (en) 2020-02-13 2021-09-07 Uchicago Argonne, Llc Atomic layer deposition of fluoride thin films
US11901169B2 (en) 2022-02-14 2024-02-13 Uchicago Argonne, Llc Barrier coatings

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6179773A (ja) * 1984-09-27 1986-04-23 Fujitsu Ltd Ｃｖｄ装置
JPS6345374A (ja) * 1986-08-12 1988-02-26 Canon Inc 機能性堆積膜形成装置
US4829021A (en) * 1986-12-12 1989-05-09 Daido Sanso K.K. Process for vacuum chemical epitaxy
DE3721637A1 (de) * 1987-06-30 1989-01-12 Aixtron Gmbh Gaseinlass fuer eine mehrzahl verschiedener reaktionsgase in reaktionsgefaesse
JPH02114530A (ja) * 1988-10-25 1990-04-26 Mitsubishi Electric Corp 薄膜形成装置
US5387289A (en) * 1992-09-22 1995-02-07 Genus, Inc. Film uniformity by selective pressure gradient control
DE4326697C2 (de) 1993-08-09 2002-12-05 Aixtron Gmbh Vorrichtung zum Einlassen wenigstens eines Gases und deren Verwendung
GB9411911D0 (en) * 1994-06-14 1994-08-03 Swan Thomas & Co Ltd Improvements in or relating to chemical vapour deposition
DE19540771A1 (de) * 1995-11-02 1997-05-07 Hertz Inst Heinrich Gaseinlaßvorrichtung für eine Beschichtungsanlage
US6013155A (en) * 1996-06-28 2000-01-11 Lam Research Corporation Gas injection system for plasma processing
DE59907788D1 (de) * 1998-09-23 2003-12-24 3S Systemtechnik Ag Remigen Arbeitsverfahren und Reinigungsgerät zum Reinigen eines Schwimmbeckens
KR100331544B1 (ko) * 1999-01-18 2002-04-06 윤종용 반응챔버에 가스를 유입하는 방법 및 이에 사용되는 샤워헤드
US6309465B1 (en) * 1999-02-18 2001-10-30 Aixtron Ag. CVD reactor
US6540838B2 (en) * 2000-11-29 2003-04-01 Genus, Inc. Apparatus and concept for minimizing parasitic chemical vapor deposition during atomic layer deposition
US6206972B1 (en) * 1999-07-08 2001-03-27 Genus, Inc. Method and apparatus for providing uniform gas delivery to substrates in CVD and PECVD processes
JP4487338B2 (ja) * 1999-08-31 2010-06-23 東京エレクトロン株式会社 成膜処理装置及び成膜処理方法
TW514996B (en) * 1999-12-10 2002-12-21 Tokyo Electron Ltd Processing apparatus with a chamber having therein a high-corrosion-resistant sprayed film
US6576062B2 (en) * 2000-01-06 2003-06-10 Tokyo Electron Limited Film forming apparatus and film forming method
JP4817210B2 (ja) * 2000-01-06 2011-11-16 東京エレクトロン株式会社 成膜装置および成膜方法
WO2001057289A1 (de) * 2000-02-04 2001-08-09 Aixtron Ag Vorrichtung und verfahren zum abscheiden einer oder mehrerer schichten auf ein substrat
KR100363088B1 (ko) * 2000-04-20 2002-12-02 삼성전자 주식회사 원자층 증착방법을 이용한 장벽 금속막의 제조방법
KR100444149B1 (ko) * 2000-07-22 2004-08-09 주식회사 아이피에스 Ald 박막증착설비용 클리닝방법
KR100458982B1 (ko) * 2000-08-09 2004-12-03 주성엔지니어링(주) 회전형 가스분사기를 가지는 반도체소자 제조장치 및 이를이용한 박막증착방법
WO2002024985A1 (de) * 2000-09-22 2002-03-28 Aixtron Ag Gaseinlassorgan für cvd-verfahren und vorrichtung
DE10064944A1 (de) * 2000-09-22 2002-04-11 Aixtron Ag Verfahren zum Abscheiden von insbesondere kristallinen Schichten, Gaseinlassorgan sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
US7780785B2 (en) * 2001-10-26 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus for atomic layer deposition
US6821891B2 (en) * 2001-11-16 2004-11-23 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of copper using a reducing gas and non-fluorinated copper precursors
US6773507B2 (en) * 2001-12-06 2004-08-10 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for fast-cycle atomic layer deposition
JP2003188104A (ja) * 2001-12-14 2003-07-04 Fuji Xerox Co Ltd 窒化物半導体の製造装置、窒化物半導体の製造方法、及びリモートプラズマ装置
US6911391B2 (en) * 2002-01-26 2005-06-28 Applied Materials, Inc. Integration of titanium and titanium nitride layers
US20050081788A1 (en) * 2002-03-15 2005-04-21 Holger Jurgensen Device for depositing thin layers on a substrate
US6846516B2 (en) * 2002-04-08 2005-01-25 Applied Materials, Inc. Multiple precursor cyclical deposition system
US7264846B2 (en) * 2002-06-04 2007-09-04 Applied Materials, Inc. Ruthenium layer formation for copper film deposition
KR100515052B1 (ko) * 2002-07-18 2005-09-14 삼성전자주식회사 반도체 기판상에 소정의 물질을 증착하는 반도체 제조 장비
US6884296B2 (en) * 2002-08-23 2005-04-26 Micron Technology, Inc. Reactors having gas distributors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces
US20040065256A1 (en) * 2002-10-03 2004-04-08 Kim Gi Youl Systems and methods for improved gas delivery
US7018940B2 (en) * 2002-12-30 2006-03-28 Genus, Inc. Method and apparatus for providing uniform gas delivery to substrates in CVD and PECVD processes
US20050106864A1 (en) * 2003-02-15 2005-05-19 Holger Jurgensen Process and device for depositing semiconductor layers
JP2005175242A (ja) * 2003-12-12 2005-06-30 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 薄膜作製装置及び薄膜作製方法
DE102004009130A1 (de) 2004-02-25 2005-09-15 Aixtron Ag Einlasssystem für einen MOCVD-Reaktor
US7431772B2 (en) * 2004-03-09 2008-10-07 Applied Materials, Inc. Gas distributor having directed gas flow and cleaning method
JP4659377B2 (ja) * 2004-03-19 2011-03-30 株式会社 液晶先端技術開発センター 絶縁膜の形成方法
KR100574569B1 (ko) * 2004-04-30 2006-05-03 주성엔지니어링(주) 박막 증착방법 및 분리된 퍼지가스 분사구를 구비하는박막 증착장치
US20060021703A1 (en) * 2004-07-29 2006-02-02 Applied Materials, Inc. Dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007277723A5 (ja)
TW201348504A (zh) 沉積反應器之方法及裝置
JP2009144242A5 (ja) タングステン膜の製造方法および装置
CN100419971C (zh) 衬底处理装置以及半导体器件的制造方法
CA2754093C (en) Apparatus and process for atomic or molecular layer deposition onto particles during pneumatic transport
CN103510067A (zh) 具有多级净化结构的沉积设备中的反应器
TWI555874B (zh) 批量處理技術
JP2017226919A (ja) 回転式基板処理システム
WO2010062582A3 (en) Vapor deposition method for ternary compounds
JP2009531549A5 (ja)
JP2011523444A (ja) 堆積反応炉のための方法および装置
JP2009054988A5 (ja)
JP2011508426A5 (ja)
TW201207976A (en) Method of improving film non-uniformity and throughput
JP2005539146A (ja) 原子層蒸着方法及び原子層蒸着装置
CN103866288A (zh) 一种用于原子层薄膜沉积的反应装置及方法
JP2012175055A (ja) 原子層堆積装置
US20160138157A1 (en) Thin film deposition apparatus
US20090205570A1 (en) Gas supply unit and chemical vapor deposition apparatus
JP4794942B2 (ja) 原子層堆積装置
CN203794984U (zh) 用于原子层薄膜沉积的反应装置
KR20170100441A (ko) 성막 방법 및 성막 시스템
JP2010232376A (ja) 気相成長装置の原料ガス供給ノズル
KR20140081067A (ko) 웨이퍼 처리 장치 및 웨이퍼 처리 방법
JP6243526B2 (ja) 原子層堆積反応器における基板ウェブトラックの形成