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Gebiet der Technik
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Die Erfindung betrifft eine Gasaustrittsfläche eines Gaseinlassorgans für einen CVD-Reaktor oder einer Schirmplatte für ein Gaseinlassorgan, die eine Vielzahl von um ein Zentrum angeordnete Gasaustrittsöffnungen aufweist, wobei die Mittelpunkte der Gasaustrittsöffnungen auf den Eckpunkten polygonaler, gleichgestalteter und einen geometrischen Mittelpunkt aufweisenden Zellen liegen, wobei die Ränder der Zellen von sich kreuzenden Bezugslinien definiert sind, die Bezugslinien zumindest zwei Linienscharen zugeordnet sind, und die Bezugslinien jeweils einer Linienschar über die gesamte Gasaustrittsfläche gradlinig und parallel zueinander verlaufen.
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Die Erfindung betrifft darüber hinaus ein Gaseinlassorgan, das eine derartige Gasaustrittsfläche aufweist, eine Schirmplatte, die an einer Gasaustrittsfläche eines Gaseinlassorganes befestigt ist, und einen CVD Reaktor mit einem derartigen Gaseinlassorgan bzw. einer derartigen Schirmplatte.
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Stand der Technik
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Ein CVD-Reaktor besitzt ein Gaseinlassorgan, mit dem Prozessgase in eine beheizbare Prozesskammer eingespeist werden können. In der Prozesskammer sind Substrate angeordnet, die im CVD Reaktor thermisch behandelt werden, beispielsweise dadurch, dass auf der Substratoberfläche eine Schicht abgeschieden wird.
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Derartige Gaseinlassorgane werden in den
DE 10 2011 051 778 A1 ,
EP 1 842 938 A2 ,
DE 10 2009 043 840 A1 und
US 2017/0167024 A1 beschrieben. Die DE' 778 beschreibt ein als Showerhead ausgebildetes Gaseinlassorgan. Die Gasaustrittsöffnungen besitzen eine hexagonale Anordnung. Die Mittelpunkte der Gasaustrittsöffnungen liegen auf den Eckpunkten gleichseitiger Dreiecke. Die Ränder der von den gleichseitigen Dreiecken gebildeten Zellen werden jeweils von Bezugslinien gebildet. Die Bezugslinien werden von Linienscharen gebildet. Jede Linienschar besitzt eine Vielzahl gleich beabstandeter und parallel zueinander verlaufender Bezugslinien. Die Bezugslinien der verschiedenen Linienscharen sind um 120° gegeneinander geneigt.
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Die US' 024 beschreibt einen Showerhead, bei dem die Mittelpunkte der Gasaustrittsöffnungen auf Kreuzungspunkten von Bezugslinien liegen, die von FERMAT sehen Spiralen gebildet sind.
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Zusammenfassung der Erfindung
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Die Verwendung eines derartigen Gaseinlassorganes findet in CVD-Reaktoren statt, bei denen zwischen Gaseinlassorgan bzw. Gasaustrittsfläche und Suszeptor eine Relativdrehung stattfindet. Der Suszeptor wird gegenüber dem ortsfesten Gaseinlassorgan um eine Drehachse gedreht. Diese Drehachse definiert ein Zentrum. Gaseinlassorgane können eine kreisförmige Gasaustrittsfläche aufweisen. Eine derartige kreisförmige Gasaustrittsfläche besitzt ein Zentrum. eine kreisförmige, eine Gasaustrittsfläche ausbildende Gasaustrittsplatte besitzt ein Zentrum. Ein kreiszylinderförmiges Gaseinlassorgan besitzt eine eine Gasaustrittsfläche ausbildende Stirnfläche, die ein Zentrum aufweist. Gegenüber einem derartigen Zentrum besitzen die Gasaustrittsöffnungen eine definierte Lage.
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Bei einer Relativdrehung überstreicht gewissermaßen jede Gasaustrittsöffnung eine kreisringförmige Fläche des Suszeptors, deren Mittelpunkt das Zentrum, also die Drehachse ist. Liegt das Zentrum im Mittelpunkt einer zentralen Gasaustrittsöffnung, so verbleibt um diese kreisförmige Fläche eine ringförmige Fläche, über die sich bei der Drehung keine Gasaustrittsöffnung bewegt. Eine ähnliche Situation entsteht, wenn das Zentrum mit dem Mittelpunkt einer Zelle zusammenfällt, deren Eckpunkte von den Mittelpunkten benachbarter Gasaustrittsöffnungen gebildet ist. Auch bei einer derartigen Anordnung verläuft nicht jede um das Zentrum gelegte Kreisbogenlinie durch zumindest eine Gasaustrittsöffnungen. Es gibt somit im Zentralbereich der Gasaustrittsfläche beispielsweise kreisförmige „Lücken“, die zu einer Minderversorgung der Prozesskammer mit Prozessgas führen können.
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Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Einspeisung von Prozessgasen insbesondere im Zentralbereich der Prozesskammer prozesstechnisch zu verbessern.
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Gelöst wird die Aufgabe durch die in den Ansprüchen angegebene Erfindung, wobei die Unteransprüche nicht nur vorteilhafte Weiterbildungen der in den nebengeordneten Ansprüchen beanspruchten Erfindung darstellen, sondern auch eigenständige Lösungen.
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Erfindungsgemäß wird die Lage zumindest einer zentralen Gasaustrittsöffnung in Bezug auf das Zentrum eines rotationssymmetrischen Körper, beispielsweise einer Gasaustrittsfläche, einer Gasaustrittsplatte, einer Schirmplatte, eines Gaseinlassorganes oder dergleichen definiert. Zunächst und im Wesentlichen wird vorgeschlagen, dass bei einer Anordnung von Gasaustrittsöffnungen auf den Ecken gleichgestalteter Zellen das Zentrum, also beispielsweise der Mittelpunkt einer kreisförmigen Gasaustrittsfläche oder die Drehachse eines Suszeptors versetzt zu den Eckpunkten und auch versetzt zum Mittelpunkt der Fläche der Zelle liegt. In einer Alternative, die aber auch in Kombination mit der zuvor genannten technischen Lösung realisierbar ist, schlägt die Erfindung vor, dass eine der bevorzugt gleichgestalteten Austrittsöffnungen eine zentrale Austrittsöffnung ausbildet, wobei das Zentrum in der Querschnittsfläche der Gasaustrittsöffnung angeordnet ist und zwar versetzt zum Mittelpunkt der bevorzugt kreisförmigen Gasaustrittsöffnung. Dabei kann insbesondere vorgesehen sein, dass das Zentrum etwa auf dem Rand der Gasaustrittsöffnung liegt, sodass sich bei der Relativdrehung die zentrale Gasaustrittsöffnung gewissermaßen um das Zentrum herum dreht. Es kann ferner vorgesehen sein, dass der Abstand der zentralen Gasaustrittsöffnung zu einer ihr am nächsten liegenden Gasaustrittsöffnung kleiner ist, als der doppelte Durchmesser einer Gasaustrittsöffnung. Es ist von Vorteil, wenn der Abstand der Ränder zweier benachbarter Gasaustrittsöffnungen kleiner ist, als der Durchmesser der Gasaustrittsöffnung, insbesondere der zentralen Gasaustrittsöffnung. Bei einer erfindungsgemäßen Anordnung der Gasaustrittsöffnungen bilden sich keine der eingangs beschriebenen kreisringförmigen „Lücken“ aus. Vielmehr sind die Gasaustrittsöffnungen derart auf der Gasaustrittsfläche angeordnet, dass insbesondere im zentralen Bereich der Gasaustrittsfläche jede beliebige Kreisbogenlinie, die um das Zentrum gezogen wird, zumindest eine Gasaustrittsöffnung schneidet. Die Bezugslinien der Linienscharen, deren Kreuzungspunkte die Lage der Mittelpunkte der Gasaustrittsöffnungen definieren, können über die gesamte Gasaustrittsfläche geradlinig und parallel zueinander verlaufen, sodass sich eine Vielzahl von regelmäßigen Mehrkanten bildet. Es können sich dreieckige oder viereckige Mehrkante bilden, die bevorzugt regelmäßig gestaltet sind. Die Zellen, die auf diese Weise von den Eckpunkten der Bezugslinien definiert werden und deren Ränder Abschnitte der Bezugslinien sind, besitzen geometrische Mittelpunkte. Die Mittelpunkte können die Flächenschwerpunkte der Zellen sein. Die Zellen bilden eine zentrale Zelle aus. Das Zentrum ist gegenüber jedem der Eckpunkte und gegenüber dem Mittelpunkt der Fläche versetzt. Die Zellen können gleich lange Ränder besitzen. Das Zentrum kann um etwa 1/3 ± 10 % der Länge des Randes von einem Eckpunkt entfernt liegen. Das Zentrum kann in einer Richtung einer Winkelhalbierenden zweier sich in einem Eckpunkt kreuzenden Linien vom Eckpunkt beabstandet sein. Es kann ferner vorgesehen sein, dass die Länge eines Randes etwa 7,07 mm ± 10 % beträgt. Die Gasaustrittsöffnungen können einen Durchmesser von 4 mm ± 10 % aufweisen. Das Zentrum kann 2 mm ±10 % von einem Eckpunkt entfernt liegen. Die erfindungsgemäße Anordnung der Gasaustrittsöffnungen auf einer Gasaustrittsfläche kann an einer Gasaustrittsplatte eines Gaseinlassorgans verwirklicht sein. Die Gasaustrittsplatte begrenzt ein Volumen, durch welches eine Kühlflüssigkeit fließen kann, durch welches eine Kühlflüssigkeit fließen kann und/oder in welches ein Prozessgas eingespeist wird, welches durch die Gasaustrittsöffnungen in eine Prozesskammer eintreten kann. Es ist aber auch vorgesehen, dass die Anordnung der Gasaustrittsöffnungen an einer Schirmplatte verwirklicht ist. Eine derartige Schirmplatte ist angrenzend an die Gasaustrittsplatte an dem Gaseinlassorgan befestigt. Dabei fluchten Gasaustrittsöffnungen der Schirmplatte mit Gasaustrittsöffnungen der Gasaustrittsplatte des Gaseinlassorgans. Die Gasaustrittsplatte kann aus Metall, Edelstahl, Aluminium oder dergleichen bestehen. Die Schirmplatte kann aus einem keramischen Material, beschichtetem Graphit oder aber auch aus Metall bestehen. Die Schirmplatte kann aus einem porösen Material bestehen. Sie kann eine raue Oberfläche aufweisen.
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Die Erfindung betrifft darüber hinaus einen CVD-Reaktor mit einem aus Metall bestehenden gas- und druckfesten Gehäuse. Innerhalb des Gehäuses befindet sich ein Gaseinlassorgan, das die oben beschriebenen Eigenschaften aufweist und insbesondere die Form eines Showerhead besitzt. Die Gasaustrittsfläche erstreckt sich in einer Drehebene einer Drehachse, mit der ein Suszeptor drehangetriebenen wird. Eine Oberseite des Suszeptors bildet eine Bodenfläche einer Prozesskammer. Die Gasaustrittsfläche des Gaseinlassorgans bildet die Oberseite einer Prozesskammer. Die Drehachse des Suszeptors definiert das Zentrum des Gaseinlassorgans, welches wie oben beschrieben sowohl versetzt zum Mittelpunkt einer zentralen Gasaustrittsöffnung als auch versetzt zum Mittelpunkt einer zentralen Zelle einer Anordnung von Gasaustrittsöffnungen angeordnet ist. Es kann vorgesehen sein, dass zwischen Gasaustrittsplatte des Gaseinlassorganes und Suszeptor eine Schirmplatte angeordnet ist, die die zuvor beschriebenen Eigenschaften aufweist. Die Schirmplatte kann berührend an der zum Suszeptor weisenden Unterseite der Gasaustrittsplatte anliegen. Die Schirmplatte kann aber auch von der Unterseite der Gasaustrittsplatte beabstandet sein. Es kann eine Temperiereinrichtung vorgesehen sein. Mit der Temperiereinrichtung kann der Suszeptor temperiert werden. Beispielsweise kann die Temperiereinrichtung einer Heizeinrichtung sein. Das Gaseinlassorgan kann ebenfalls eine Temperiereinrichtung aufweisen, um die Gasaustrittsfläche zu kühlen oder zu heizen.
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Die Gasaustrittsplatte und / oder die Schirmplatte kann aus Graphit oder aus einem mit SiC-beschichteten oder einem mit TaC-beschichteten Graphit bestehen. Bevorzugt sind die Oberflächen des Gaseinlassorgans aber Edelstahloberflächen. Die Wände und die Gasaustrittsplatte des Gaseinlassorgans können somit aus Edelstahl bestehen. Die Gasaustrittsöffnungen der Schirmplatte können mit dem Gasaustrittsöffnungen der Gasaustrittsplatte des Gaseinlassorganes fluchten. Sie können aber auch versetzt dazu angeordnet sein.
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Die Erfindung betrifft darüber hinaus ein Verfahren zum Betrieb eines zuvor beschriebenen CVD-Reaktors, bei dem der Suszeptor um eine Drehachse drehangetriebenen wird, die ein Zentrum definiert, welches sowohl versetzt zu den Eckpunkten als auch versetzt zum Mittelpunkt der Fläche einer zentralen Zelle liegt.
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Figurenliste
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Im Folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen:
- 1 schematisch im Schnitt einen CVD-Reaktor eines ersten Ausführungsbeispiels,
- 2 2 die Unteransicht einer Gasaustrittsfläche 16 eines Gaseinlassorgans 2 gemäß der Linie II-II in 1,
- 3 vergrößert den Ausschnitt III in 2,
- 4 vergrößert den Ausschnitt IV in 3 und
- 5 eine Darstellung gemäß 1 eines zweiten Ausführungsbeispiels.
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Beschreibung der Ausführungsformen
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Die 1 und 5 zeigen schematisch den Aufbau eines CVD-Reaktors, bei dem es sich bevorzugt um einen MOCVD-Reaktor handelt, in dem ein Beschichtungsverfahren durchgeführt wird, bei dem III-V-Substrate oder IV-Substrate, beispielsweise Silizium-Substrate oder dergleichen, mit III-V-Schichten beschichtet werden. Bei den Schichten kann es sich um beispielsweise um Galliumarsenid-, Galliumphosphid- oder Galliumnitrid- Schichten handeln. Hierzu wird durch eine Gaszuleitung 19 ein Prozessgas, welches insbesondere eine Gasmischung ist, in ein Gasverteilvolumen 6 eines als Showerhead ausgebildeten Gaseinlassorgans 2 eingespeist. Das Gaseinlassorgan kann mehrere Gasverteilvolumina 6 besitzen, die voneinander getrennt sind und jeweils ihnen zugeordnete Gasaustrittsöffnungen 7 besitzen. In jedes dieser Gasverteilvolumina 6 wird ein Gas des Prozessgases eingespeist, beispielsweise ein Hydrid eines Elementes der V. Hauptgruppe oder eine metallorganische Verbindung eines Elementes der III. Hauptgruppe.
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Unterhalb des Gaseinlassorganes 6 befindet sich ein Suszeptor 3, der von einer beschichteten Graphitplatte gebildet ist. Es ist eine Drehachse 18 vorgesehen, um die der Suszeptor 3 in einer Drehebene drehangetrieben werden kann. Unterhalb des Suszeptors 3 befindet sich eine Heizeinrichtung 4, um den Suszeptor 3 auf eine Prozesstemperatur aufzuheizen. Mit einem nicht dargestellten Gasauslass angeschlossenen Pumpe kann der CVD-Reaktor 1 evakuiert werden.
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Die zum Suszeptor 3 weisende Unterseite einer die Gasaustrittsöffnungen 7 aufweisenden Gasaustrittsplatte 15 bildet eine Gasaustrittsfläche 16. Diese ist in der 2 dargestellt. Der in der 3 vergrößert dargestellte Ausschnitt der Gasaustrittsfläche 16 zeigt, dass die Gasaustrittsöffnungen 7 jeweils einen kreisförmigen Grundriss besitzen. Beim Ausführungsbeispiel besitzen alle Gasaustrittsöffnungen 7 denselben kreisförmigen Grundriss und einen Durchmesser D von etwa 4 mm. Die Ränder zweier am nächsten zueinander liegenden Gasaustrittsöffnungen 7 sind geringer voneinander beabstandet als der Durchmesser einer Gasaustrittsöffnung 7.
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Die Gasaustrittsöffnungen 7 sind in einer hexagonalen Anordnung gleichmäßig über die Gasaustrittsfläche 16 verteilt. Die Beschreibung der Anordnung der Gasaustrittsöffnungen 7 erfolgt in dieser Offenbarung mittels Bezugslinien 13, 13', 13''. Es gibt drei Scharen von Bezugslinien 13, 13', 13'', wobei die Bezugslinien 13, 13', 13'' jeweils parallel zueinander verlaufen und gleich beabstandet sind. Die Bezugslinien der voneinander verschiedenen Linienscharen sind um einen Winkel von 120° zueinander geneigt. An allen Kreuzungspunkten der Bezugslinien 13,13', 13'' ist eine Gasaustrittsöffnung 7 angeordnet. Die Bezugslinien 13, 13', 13'' definieren somit eine Vielzahl von gleichgestalteten Zellen 8, die jeweils die Form eines gleichseitigen Dreiecks besitzen. In nicht dargestellten Ausführungsbeispielen können zwei Linienscharen um 90° zueinander versetzte Bezugslinien besitzen, sodass die Zellen 8 die Form von Rechtecken oder Quadraten besitzen.
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Die Eckpunkte 8' der Zellen 8 sind im Ausführungsbeispiel um einen Abstand a von 7,07 mm voneinander beabstandet. Die Gasaustrittsöffnungen 7 besitzen einen mit den Eckpunkten 8' zusammenfallenden Mittelpunkt und einen Durchmesser D von etwa 4 mm. Die 4 zeigt ein Zentrum 10, welches der geometrische Mittelpunkt der Gasaustrittsfläche 16 sein kann, der im Verwendungsfall mit dem Zentrum der Drehachse 18 zusammenfällt. Erfindungsgemäß liegt das Zentrum 10 weder in einem geometrischen Mittelpunkt 9 der Zelle 8 noch in einem Eckpunkt 8' der Zelle 8. Beim Ausführungsbeispiel ist das Zentrum 10 gegenüber dem Eckpunkt 8' etwa um 2 mm versetzt. Das Zentrum 10 liegt hier auf dem Rand einer zentralen Gasaustrittsöffnung 7. Es kann sich auf einer Winkelhalbierenden 9, also auf einer Linie befinden, die durch den Eckpunkt 8' und den Mittelpunkt 9 verläuft. Das Zentrum 10 kann zwischen Mittelpunkt 9 der Zelle 8 und Mittelpunkt der zentralen Gasaustrittsöffnung 7 liegen. Das Zentrum 10, welches auch der geometrische Mittelpunkt einer Gasaustrittsplatte 15 oder das Zentrum einer Stirnfläche eines Gaseinlassorganes 2 sein kann, kann aber auch an irgendeiner anderen Stelle innerhalb der Querschnittsfläche der zentralen Gasaustrittsöffnung 7 angeordnet sein, jedoch nicht im Mittelpunkt der Querschnittsfläche.
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Die beiden Gasaustrittsöffnungen 7 und 7.3 sind bei dieser Anordnung gleich weit von der zentralen Gasaustrittsöffnung 7 beabstandet. Der Abstand b der beiden Ränder der zentralen Gasaustrittsöffnung 7 von der benachbarten Gasaustrittsöffnung 7 bzw. 7.3 ist kleiner, als der Durchmesser D, sodass die Fläche der Gasaustrittsöffnung 7 bei einer Relativdrehung um das Zentrum 10 eine Kreisfläche überstreicht, die geringfügig größer ist, als die ringförmige Abstandsfläche zwischen Zentrum 10 und Rand der benachbarten Gasaustrittsöffnungen 7, 7.3.
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Es bilden sich somit keine ringförmigen Flächen aus, die bei einer Relativdrehung von Suszeptor 3 zu Gasaustrittsfläche 16 nicht von zumindest einer Gasaustrittsöffnung 7 überstrichen wird.
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Das in der 5 dargestellte Ausführungsbeispiel unterscheidet sich von dem in der 1 dargestellten Ausführungsbeispiel im Wesentlichen nur dadurch, dass an der zur Prozesskammer weisenden Fläche der Gasaustrittsplatte 15 eine Schirmplatte 14 angeordnet ist, deren Gasaustrittsöffnungen 17 mit den Gasaustrittsöffnungen 7 fluchten. Die Anordnung der Gasaustrittsöffnungen 17 entspricht derjenigen, die die 2, 3 und 4 zeigen.
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Die Schirmplatte 14 ist hier so angeordnet, dass ihre Gasaustrittsöffnungen 17 mit den Gasaustrittsöffnungen 7 der Gasaustrittsplatte 15 fluchten. In einem nicht dargestellten Ausführungsbeispiel, bei dem die Schirmplatte 14 von der Gasaustrittsplatte 15 beabstandet ist, können die Gasaustrittsöffnungen 17 aber auch versetzt zu den Gasaustrittsöffnungen 7 angeordnet sein. In dem Fall ist jedoch vorgesehen, dass die zentrale Gasaustrittsöffnung 17 der Schirmplatte 14 die zuvor beschriebene Lage besitzt.
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Die vorstehenden Ausführungen dienen der Erläuterung der von der Anmeldung insgesamt erfassten Erfindungen, die den Stand der Technik zumindest durch die folgenden Merkmalskombinationen jeweils auch eigenständig weiterbilden, wobei zwei, mehrere oder alle dieser Merkmalskombinationen auch kombiniert sein können, nämlich:
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Eine Gasaustrittsfläche, die dadurch gekennzeichnet ist, dass das Zentrum 10 sowohl versetzt zu den Eckpunkten 8' als auch versetzt zum Mittelpunkt 9 in der Fläche einer der Zellen 8 liegt.
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Eine Gasaustrittsfläche, die dadurch gekennzeichnet ist, dass der erste Abstand maximal dem Radius der Gasaustrittsöffnung 7, 17 entspricht und ein zweiter Abstand des Mittelpunktes 8' der zentralen Gasaustrittsöffnung 7, 17 zum Mittelpunkt 8' einer der zentralen Gasaustrittsöffnung 7, 17 am nächsten liegende Gasaustrittsöffnung 7, 17 kleiner ist als die Summe der Durchmesser D der beiden Gasaustrittsöffnungen 7, 17.
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Eine Gasaustrittsfläche, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die Zellen 8 regelmäßige Mehrkante und/oder Dreiecke oder Vierecke sind.
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Eine Gasaustrittsfläche, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die Zellen 8 gleichlange Ränder 8' besitzen und das Zentrum 10 um 1/3± 10 % der Länge des Randes 8" von einem Eckpunkt 8' entfernt liegt.
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Eine Gasaustrittsfläche, die dadurch gekennzeichnet ist, dass das Zentrum 10 in einer Richtung einer Winkelhalbierenden 12 zweier sich in einem Eckpunkt 8' kreuzenden Bezugslinien 13, 13', 13" von dem Eckpunkt 8' beabstandet ist und/ oder dass die Länge eines Randes 8" 7,07 mm ± 10 % beträgt und/oder dass die untereinander gleichgestalteten Gasaustrittsöffnungen 7, 17 einen kreisrunden Grundriss aufweisen und/oder dass die Länge des Randes 8" kleiner ist als der doppelte Durchmesser der Gasaustrittsöffnungen 7, 17 und/oder dass die Gasaustrittsöffnungen 7, 17 einen Durchmesser von 4 mm ± 10 % aufweisen und/oder dass das Zentrum 10 auf dem Rand einer Gasaustrittsöffnung 7, 17 liegt und/oder dass das Zentrum 10 2 mm ± 10 % versetzt zum Eckpunkt 8' liegt.
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Eine Gasaustrittsfläche, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die Gasaustrittsöffnungen 7, 17 derartig angeordnet sind, dass jede beliebige, um das Zentrum 10 gezogene Kreisbogenlinie zumindest eine Gasaustrittsöffnung 7, 17 schneidet.
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Ein Gaseinlassorgan mit einem Gasverteilvolumen 6, einer Gasaustrittsplatte 15, die Gasaustrittsöffnungen 7 aufweist, die gleichmäßig über eine Gasaustrittsfläche 16 gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche verteilt sind.
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Ein Gaseinlassorgan, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die Gasaustrittsfläche 16 von einer Schirmplatte 14 ausgebildet ist, die an der Gasaustrittsplatte 15 mit einer identischen Anordnung von Gasaustrittsöffnungen 7 angeordnet ist.
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Ein CVD-Reaktor, der dadurch gekennzeichnet ist, dass das Gaseinlassorgan 2 und/oder eine Schirmplatte 14 gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche ausgebildet ist, wobei das Zentrum 10 koaxial zur Drehachse 18 angeordnet ist.
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Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass der Suszeptor 3 um eine Drehachse 18 relativ gegenüber dem gehäusefesten Gaseinlassorgan 2 gedreht wird, wobei das Zentrum 10 der Gasaustrittsfläche 16 in der Drehachse 18 und sowohl versetzt zu den Eckpunkten 8' als auch versetzt zum Mittelpunkt 9 in der Fläche einer der Zellen liegt.
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Eine Gasaustrittsfläche, ein Gaseinlassorgan, ein CVD Reaktor oder ein Verfahren, die gekennzeichnet sind durch eines oder mehrere der kennzeichnenden Merkmale eines der vorhergehenden Ansprüche.
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Alle offenbarten Merkmale sind (für sich, aber auch in Kombination untereinander) erfindungswesentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/beigefügten Prioritätsunterlagen (Abschrift der Voranmeldung) vollinhaltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender Anmeldung mit aufzunehmen. Die Unteransprüche charakterisieren, auch ohne die Merkmale eines in Bezug genommenen Anspruchs, mit ihren Merkmalen eigenständige erfinderische Weiterbildungen des Standes der Technik, insbesondere um auf Basis dieser Ansprüche Teilanmeldungen vorzunehmen. Die in jedem Anspruch angegebene Erfindung kann zusätzlich ein oder mehrere der in der vorstehenden Beschreibung, insbesondere mit Bezugsziffern versehene und/oder in der Bezugsziffernliste angegebene Merkmale aufweisen. Die Erfindung betrifft auch Gestaltungsformen, bei denen einzelne der in der vorstehenden Beschreibung genannten Merkmale nicht verwirklicht sind, insbesondere soweit sie erkennbar für den jeweiligen Verwendungszweck entbehrlich sind oder durch andere technisch gleichwirkende Mittel ersetzt werden können.
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Bezugszeichenliste
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- 1
- CVD-Reaktor
- 2
- Gaseinlassorgan
- 3
- Suszeptor
- 4
- Temperiereinrichtung
- 5
- Substrat
- 6
- Gasverteilvolumen
- 7
- Gasaustrittsöffnung
- 8
- Zelle
- 8'
- Eckpunkt
- 8"
- Rand
- 9
- Mittelpunkt
- 10
- Zentrum
- 11
- Mehrkantfläche
- 12
- Winkelhalbierende
- 13
- Gerade
- 14
- Schirmplatte
- 15
- Gasaustrittsplatte
- 16
- Gasaustrittsfläche
- 17
- Gasaustrittsöffnung
- 18
- Drehachse
- 19
- Gaszuleitung
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
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Zitierte Patentliteratur
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- DE 102011051778 A1 [0004]
- EP 1842938 A2 [0004]
- DE 102009043840 A1 [0004]
- US 2017/0167024 A1 [0004]
