CN1768999A - 切割基板的装置及其使用方法 - Google Patents

切割基板的装置及其使用方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1768999A
CN1768999A CNA2005100801246A CN200510080124A CN1768999A CN 1768999 A CN1768999 A CN 1768999A CN A2005100801246 A CNA2005100801246 A CN A2005100801246A CN 200510080124 A CN200510080124 A CN 200510080124A CN 1768999 A CN1768999 A CN 1768999A
Authority
CN
China
Prior art keywords
femtosecond laser
laser beam
substrate
cutting
femtosecond
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2005100801246A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100540201C (zh
Inventor
朴正权
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Philips LCD Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Philips LCD Co Ltd filed Critical LG Philips LCD Co Ltd
Publication of CN1768999A publication Critical patent/CN1768999A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100540201C publication Critical patent/CN100540201C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/067—Dividing the beam into multiple beams, e.g. multifocusing
    • B23K26/0676—Dividing the beam into multiple beams, e.g. multifocusing into dependently operating sub-beams, e.g. an array of spots with fixed spatial relationship or for performing simultaneously identical operations
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/03—Observing, e.g. monitoring, the workpiece
    • B23K26/032—Observing, e.g. monitoring, the workpiece using optical means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/0604—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams
    • B23K26/0613—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams having a common axis
    • B23K26/0617—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams having a common axis and with spots spaced along the common axis
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
    • B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
    • B23K26/0624—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses using ultrashort pulses, i.e. pulses of 1ns or less
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B23K26/0643—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms comprising mirrors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/0869—Devices involving movement of the laser head in at least one axial direction
    • B23K26/0876—Devices involving movement of the laser head in at least one axial direction in at least two axial directions
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00—Severing cooled glass
    • C03B33/02—Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor
    • C03B33/0222—Scoring using a focussed radiation beam, e.g. laser
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133351—Manufacturing of individual cells out of a plurality of cells, e.g. by dicing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/40—Semiconductor devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/52—Ceramics
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P40/00—Technologies relating to the processing of minerals
    • Y02P40/50—Glass production, e.g. reusing waste heat during processing or shaping
    • Y02P40/57—Improving the yield, e-g- reduction of reject rates
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T83/00—Cutting
    • Y10T83/04—Processes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)

Abstract

本发明公开了一种用来切割基板的装置，包括产生飞秒激光束的激光振荡器，将飞秒激光束分离成第一和第二飞秒激光束的第一分束器；接收第一飞秒激光束并汇聚第一飞秒激光束达到第一聚焦深度的第一聚光透镜，接收第二飞秒激光束并汇聚第二飞秒激光束达到不同于第一聚焦深度的第二聚焦深度的第二聚光透镜，以及第二分束器，用来接收并且分离通过第一聚光透镜汇聚的第一飞秒激光束和通过第二聚光透镜汇聚的第二飞秒激光束，并将分离的第一和第二飞秒激光束照射在待切割基板上的不同位置。

Description

切割基板的装置及其使用方法
本申请要求享有2004年11月5日在韩国递交的韩国专利申请P2004-89703号的权益，该申请可供参考。
技术领域
本发明涉及一种液晶显示(LCD)器件，具体涉及一种切割基板的装置及其使用方法。尽管本发明适合的应用范围很宽，但特别适合提供制造液晶显示器件的产量。
背景技术
随着信息通信领域的迅猛发展，与适合显示所需信息的显示器有关的工业越来越重要。在各种信息显示器当中，阴极射线管(CRT)因其再现各种色彩和优良的屏幕亮度等优点一直受到关注。然而，由于近来对大尺寸、便携和高分辨率显示器的需求，为了替代笨重的CRT，对平板显示器的开发有巨大需求。
平板显示器的用途广泛并适合诸如计算机监视器和航空、航天用监视器等不同领域。目前已研发成功或市场化的平板显示器有LCD、电致发光显示(ELD)器件，场发射型显示器(FED)和等离子体显示面板(PDP)等等。
制造这种平板显示器的工艺通常包括用切割工艺将易碎的母基板分离成多个单位LCD。在母基板上按矩阵形式形成许多单位元件例如是半导体芯片而制成大规模集成电路。
分离由玻璃、硅片或陶瓷等制成的易碎的母基板有两种基本切割工艺。第一种工艺是采用50-200μm厚度的金刚石刀片的切片方法，刀片高速旋转在基板上形成切割槽。第二种工艺是采用0.6-2mm厚度的金刚石划线轮的划线方法，在基板表面上形成切割槽，从而在基板的厚度方向上形成裂纹。
与划线方法相比，切片方法因为使用很薄的刀片更适合切割在表面上具有薄膜或突起的基板。然而，按照切片方法，在叶片执行切割工序的区域会摩擦发热。另外，由于这种切割工艺是在对切割区域提供冷却水的条件下执行的，切片方法对包括诸如金属电极层或金属端子等金属部件的平板显示器不是一种理想的方法。
换句话说，按照切片方法，在切割工艺之后难以完全去除冷却水。如果因不能完全去除冷却水而留下湿气，平板显示器的金属部件就可能受到腐蚀。另外，切片方法存在切割时间延长的问题，与划线方法相比会降低产量。
另一方面，划线方法不需要使用冷却水。因此，划线方法与切片方法相比具有优质的产量。另外，由于划线方法所需的切割时间比切片方法要短，划线方法有助于提高产量。
图1是现有技术LCD器件的截面图。该LCD器件是按以下方法制造。为了简便，仅仅结合一个像素区来说明。
如图1所示，在第一透明基板10的预定区域上淀积诸如金属的导电材料的栅极11。然后在包括栅极11的第一基板10的整个表面上淀积一层氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiO2)的栅绝缘膜12。
然后，在栅绝缘膜12上对应于栅极11的区域上形成非晶硅的有源层13。在有源层13上对应于有源层13的各侧边边缘部分的区域上形成欧姆接触层14。
在欧姆接触层14上依次形成诸如金属的导电材料的源极和漏极15和16。源极和漏极15和16连同栅极11构成薄膜晶体管T。同时，尽管图中没有示出，栅极11连接到栅线，源极15连接到数据线。栅线和数据线彼此交叉以限定像素区。
然后在包括源极和漏极15和16的第一基板10的整个上表面上形成保护膜17。保护膜17由氮化硅、氧化硅或有机绝缘材料形成。保护膜17具有接触孔18，通过该接触孔暴露出漏极16表面的预定部分。然后在像素区内的保护膜17上形成透明导电材料的像素电极19。像素电极19通过接触孔18连接到漏极16。
随后，在包括像素电极19的第一基板10的整个表面上方形成第一定向膜20。第一定向膜20为聚酰亚胺，并具有在其上按预定方向取向第一定向膜20的分子的表面。同时，在第一基板10上方设置第二透明基板31，其与第一基板10垂直相隔预定距离。
在对应于第一基板10的薄膜晶体管T的第二基板31的下表面上形成黑矩阵32。尽管图中没有示出，黑矩阵32还覆盖除像素电极19以外的区域。
然后在第二基板32上的黑矩阵32下方形成滤色片33。具体的，滤色片按红(R)、绿(G)和蓝(B)重复的滤色片图案的形式设置，其中各滤色片图案对应着一个像素区。
随后，在第二基板31上的滤色片33下方形成透明导电材料的公共电极34。然后在第二基板32上的公共电极34下方形成第二定向膜35。第二定向膜35为聚酰亚胺，并具有在其上按预定方向取向有第二定向膜35的分子的表面。然后，在第一定向膜20和第二定向膜35之间形成液晶层40。
制造上述LCD器件采用的步骤有：包括在基板上形成薄膜晶体管和像素电极以制成阵列基板的阵列基板制造工艺，包括在另一基板上形成滤色片和公共电极以制成滤色片基板的滤色片基板制造工艺，以及包括排列制造的基板、注入并且密封液晶材料以及粘结偏振板以制成液晶显示面板的液晶面板制造工艺。
图2表示现有技术LCD制造方法的流程图。
按照这种方法，首先如图2所示，制备包括TFT的薄膜晶体管(TFT)阵列基板和包括滤色片的滤色片基板(S1)。反复执行沉积薄膜并对沉积的薄膜构图的工艺制成TFT阵列基板。在这种情况下，在制造TFT阵列基板中用于对薄膜构图的掩模数量代表着制造TFT阵列基板所使用的工序数量。当前正在积极研究如何减少掩模数量来降低制造成本。
滤色片基板的制造是在除像素区，诸如R、G和B滤色片和公共电极之外的区域依次形成防止漏光的黑矩阵。可以用染色方法、印刷方法、色素分配方法和电沉积方法等等形成滤色片。当前最多采用色素分配方法。
然后，在各基板上方形成定向膜来确定液晶分子的初始排列方向(S2)。形成定向膜的方法是采用涂覆聚合物薄膜并且处理聚合物薄膜的表面使经过处理的表面上的聚合物薄膜的分子按预定方向取向的工艺。定向膜主要采用聚酰亚胺基有机材料。最广泛采用的取向方法是研磨方法。
按照研磨方法，用摩擦布在预定方向上摩擦定向膜。这种研磨方法因易于实现取向处理而适合大批量生产。研磨方法的优点还有取向稳定并易于控制预倾角。近来已经开发并用于实际的光学取向方法，其通过使用偏振光束实现取向。
接着，在两个基板之一上形成密封图案(S3)。密封图案围绕着显示图像的区域设置。密封图案有用来注入液晶材料的入口，并用来防止注入的液晶材料泄漏。
按预定图案形成热凝树脂层来形成密封图案。为了形成密封图案可以利用采用丝网掩模的丝网印刷方法和采用分配器的密封剂分配方法。
当前大多采用丝网印刷方法是因为其工艺更加简便。然而，丝网印刷方法的缺点是可能生产出劣质产品，因为丝网掩模可能会接触到定向膜。另外，丝网掩模不容易适应大尺寸基板。因此，密封剂分配方法正在逐渐替代丝网印刷方法。
接着，在TFT阵列基板和滤色片基板之一的表面上喷射具有预定尺寸的衬垫料，以在两基板之间维持精确和均匀的空间(S4)。对于喷射衬垫料的方法，有将衬垫料与酒精混合在一起然后喷射的湿法喷射方法，还有只喷射衬垫料的干法喷射方法。对于干法喷射方法，有利用静电的静电喷射方法和利用加压气体的离子喷射方法。由于LCD易受静电损害，所以主要采用离子喷射方法。
然后，设置LCD的两基板(即TFT阵列基板和滤色片基板)以将密封图案夹在基板之间。在这种状态下，在施压状态下固化密封图案以粘接基板(S5)。在这种情况下，基板的定向膜彼此面对，并且像素电极与滤色片一对一地对应。
接着，将粘接的基板分离为多个单位液晶面板(S6)。通常，各自作为一个LCD器件的多个液晶面板在一个基板片上形成，然后将其分离为多个独立单元，以便提高制造效率并降低制造成本。
液晶面板切割工艺包括划线工艺，在基板表面上用硬度大于诸如玻璃基板的金刚石划线轮在各基板的表面上形成裂纹。液晶面板切割工艺还包括断裂工艺，其将断裂棒定位在基板上要形成裂纹的部分。接着对断裂棒施加预定的压力以沿着裂纹的延伸方向切割基板。
接着，在各液晶面板的两个基板之间注入液晶(S7)。为了注入液晶，主要采用真空注入方法，其利用液晶面板内外之间的压力差。在注入液晶面板内部的液晶分子当中可能存在气泡，气泡可能出现在液晶面板内部，造成液晶面板质量下降。为了防止这一问题，需要有去气泡工艺，其将液晶长时间维持在真空状态下以去除气泡。
在完成液晶注入之后将注入口封闭以防液晶泄漏到注入口外边。通过在注入口上涂敷紫外线定型树脂来实现注入口的密封，并且用紫外线照射涂覆的树脂使涂覆的树脂定型。
接着，按照上述方法将偏振板粘结于液晶面板的外表面，并将驱动电路连接到液晶面板。这样就制成了LCD器件(S8)。以下要参照附图描述现有技术的基板切割装置和使用其的现有技术基板切割方法。
图3的示意图表示现有技术的划线装置。如图3所示，现有技术的划线装置包括在其上安置有基板G的台架51，用于将基板G固定在台架51上的真空卡盘单元(未表示)，以及按悬挂状态枢轴支撑台架51并允许台架51沿Y-轴方向移动的一对平行导轨52。划线装置还包括用于沿导轨52移动台架51的滚珠螺旋53，安装在台架51上方的导向棒54，使得该导向棒54沿X-轴方向延伸，以及安装在导向棒54上的划线头55，使得该划线头55沿着导向棒54在X-轴方向上滑动。划线装置还包括用来滑动划线头55的电机56，安装在划线头55下端的尖头支架57，使得该尖头支架57能在旋转的同时垂直移动，以及旋转安装在尖头支架57下端的划线轮1。
按照采用所述划线装置的现有技术基板切割方法，随着划线轮1的转动在需要切割的基板中形成具有一定深度的裂纹。然后将形成裂纹的基板送入断裂装置，其中用断裂棒沿着裂纹对基板施压来切割基板。
图4和5的示意图分别表示现有技术基板切割方法中包括的划线和断裂工艺。在划线工艺中，如图4所示，划线轮或切割轮82与基板81的表面接触。在这种状态下，在对基板81施加约2.40Kgf/cm2压力的同时沿着基板81转动划线轮82。结果就会沿着划线轮82的轨迹在基板81的表面中形成具有一定深度的裂纹83。
然后，在基板81的表面中沿着裂纹83执行断裂工艺，以切割基板81。即，如图5所示，将断裂棒84设置在划线工艺中已经形成裂纹83的基板81上。直接接触到基板81表面的断裂棒84，即断裂棒84的部位A由具有足够硬度的材料制成，但是不会在基板81表面上形成划痕，例如是氨基甲酸酯橡胶。
接着，在断裂棒84精确对准裂纹83的条件下用断裂棒84对基板81瞬时施加压力。结果就会使裂纹延伸，从而对基板81进行切割。
然后，用具有预定筛号的旋转磨石执行研磨工艺，以对划线和断裂工艺之后形成的基板切割面和边角进行研磨。
如此，按照现有技术的基板切割方法，形成在基板上的多个液晶面板按照所述划线和断裂工艺被分离为多个单位LCD器件。然而，所述现有技术的基板切割方法存在各种问题。例如，在切割基板的划线工艺中使用的划线轮价格昂贵并且使用寿命短，必须周期性更换。因此会增加制造成本。
发明内容
为此，本发明涉及一种用来切割基板的装置及其使用方法，能够基本上消除因现有技术的局限和缺点造成的这些问题。
本发明的目的是提供一种用来切割基板的装置，在采用飞秒激光器切割基板的过程中使用具有不同聚焦深度的聚光透镜，从而减小了切割表面的尖角。
以下要说明本发明的附加特征和优点，对于本领域的普通技术人员，一部分可以从说明书中看出，或者是通过对本发明的实践来学习。采用说明书及其权利要求书和附图中具体描述的结构就能实现并达到本发明的目的和其他优点。
为了按照本发明的意图实现上述目的和其他优点，以下要具体和广泛地说明，用来切割基板的一种装置包括产生飞秒激光束的激光振荡器，将飞秒激光束分离成第一和第二飞秒激光束的第一分束器，接收第一飞秒激光束并会聚第一飞秒激光束达到第一聚焦深度的第一聚光透镜，接收第二飞秒激光束并会聚第二飞秒激光束达到不同于第一聚焦深度的第二聚焦深度的第二聚光透镜，以及第二分束器，用来接收并且分离通过第一聚光透镜会聚的第一飞秒激光束和通过第二聚光透镜会聚的第二飞秒激光束，并将分离的第一和第二飞秒激光束照射在待切割基板上的不同位置。
按照本发明的另一方面，用来切割基板的一种装置包括至少产生第一和第二飞秒激光束的多个激光振荡器，多个聚光透镜，用来至少接收第一和第二飞秒激光束，并将接收到的至少第一和第二飞秒激光束分别会聚在彼此不同的第一和第二聚焦深度，反射第一会聚飞秒激光束的一个反射器，以及一个分束器，它接收并且分离会聚的至少第一和第二飞秒激光束，并将分离的第一和第二飞秒激光束照射在待切割基板上的不同位置。
按照本发明的再一方面，一种切割基板的方法包括将基板布置在一个台架上并由一个飞秒激光器产生飞秒激光束，将飞秒激光束至少分离成第一和第二飞秒激光束并将至少第一和第二飞秒激光束会聚在不同的聚焦深度，并将会聚的至少第一和第二飞秒激光束照射在基板的不同位置上对基板进行切割。
应该意识到以上的概述和下文的详细说明都是解释性的描述，都是为了进一步解释所要求保护的发明。
附图说明
所包括的用来便于进一步理解本发明并且作为说明书一个组成部分的附图表示了本发明的实施例，连同说明书一起可用来解释本发明的原理。
在附图中：
图1是现有技术LCD器件的截面图；
图2表示现有技术LCD制造方法的流程图；
图3的示意图表示现有技术的划线装置；
图4和5的示意图分别表示现有技术基板切割方法中包括的划线和断裂工艺；
图6的示意图用来解释用按照本发明实施方式的飞秒激光束切割基板的一种方法；
图7的放大图对应图6中的部位“A”，表示按照本发明的实施例用具有不同聚焦深度的飞秒激光束执行基板切割工艺之后的基板截面图；以及
图8的示意图表示按照本发明另一实施方式的飞秒激光发生装置。
具体实施方式
以下要具体描述在附图中例举的本发明最佳实施方式。在所有附图中尽可能用相同的标号代表相同或类似的部件。
用激光执行的烧蚀(ablation)主要用来制造高精密元件。采用高速激光脉冲的优点是有可能减少在基板上激光脉冲照射区域周围的损伤。为此一般是采用这样的激光器，其使用脉冲速度在毫微秒量级例如是10-9m/s的YAG激光或准分子激光。这种激光器通常称为“毫微妙激光器”。
然而，使氧化铝人工结晶产生激光的YAG激光器有一个问题，那就是用YAG激光加工的侧壁容易粗糙。如果是红外基激光的CO2激光，则存在的问题是，在加工区可能会产生凹痕。因此，这种激光不能用于需要精确到微米级以上的微加工设备。
因此可以将所述加工称为“热激光加工”，因为该加工是用光能转换而来的热能执行的。因此，采用这种加工方法难以实现精密加工，因为这种加工的结构容易崩溃。
另一方面，对于准分子激光的情况，其按照使碳原子共价键断开的光化学反应来执行精密蚀刻。这样就能实现精密加工。在准分子激光照射到被加工物体表面时，物体被照射的表面部位随等离子体和震动噪声消散分解。如此执行烧蚀光分解，以获得能够提供高加工精度的吸热蒸发加工。
准分子激光的能量不仅仅用来断开碳原子的共价键。换句话说，一部分准分子激光能量被转换为热能。由于准分子激光具有高密度，热能转换的效率很高。因此，用准分子激光难以加工诸如金属，陶瓷和硅等矿物质材料以及具有低光吸收率的石英或玻璃。在这种情况下产生的热变型对加工产品的寿命有不利影响，即使热变型是由低于后一种情况的热能造成的。
另一方面，脉冲速度约为10-15m/s的飞秒激光对解决上述问题具有优良的特性。这是因为在采用1×10-12m/s的1皮秒或以下超短脉冲照射周期的激光振荡时能够获得很高振荡密度的激光能量。如果激光的光能为1mJ，而脉冲照射周期在100飞秒或以下，则激光的能量密度能达到约10千兆瓦的等级。在这种情况下能够加工任何材料。
在用飞秒激光这样的超短脉冲激光照射被加工物体的同时，在物体材料的晶格中会产生多光子现象，从而激发材料的原子。然而，入射激光脉冲的持续时间比原子激发过程中由光子将热能传输到光子周围的晶格所需的时间要短。这样就能解决机加工精度下降，材料特性的物理和化学变化，以及机物体加工部位局部熔化等问题，这些问题都是因物体机加工过程中发生的热扩散造成的。由此就能实现高精度加工。
另外，在飞秒激光加工的过程中不会发生颗粒积聚的现象。也不会形成微小的凹痕等副产品。这样就不需要采用现有技术方法中需要的诸如超声波清洗工艺等副产品去除工艺。还有可能加工具有高热传导系数或低光吸收率的材料。另外还有可能用单一工艺加工两种以上不同的材料或是具有多层结构的复合材料。
以下要参照附图描述按照本发明实施方式的飞秒激光发生装置和采用该飞秒激光发生装置切割基板的一种方法。
图6的示意图表示按照本发明实施方式的飞秒激光发生装置。如图6所示，飞秒激光发生装置包括用来产生飞秒激光束201的飞秒激光振荡器200，以及用来将飞秒激光振荡器200产生的飞秒激光束201分离成第一飞秒激光束201a和第二飞秒激光束201b的第一分束器210。飞秒激光发生装置还包括用来反射第一分束器210发出的第一飞秒激光束201a的第一镜片220，接收被第一镜片220反射的第一飞秒激光束201a并将第一飞秒激光束201a汇聚为第一飞秒激光束201a具有f1聚焦深度的第一聚光透镜230，以及接收由第一分束器210发出的第二飞秒激光束201b并将第二飞秒激光束201b汇聚为第二飞秒激光束201b具有不同于f1聚焦深度的f2聚焦深度的第二聚光透镜250。
飞秒激光发生装置包括第二镜片240，用来反射通过第一聚光透镜230汇聚的第一飞秒激光束201a，以及第二分束器260，用来接收并分离由第二镜片240反射的第一飞秒激光束201a和通过第二聚光透镜250汇聚的第二飞秒激光束201b，并将分离的第一和第二飞秒激光束201a和201b分别以不同深度照射在基板100上。
在所述情况下，尽管由飞秒激光振荡器200产生的振荡的飞秒激光束201被分离成两个飞秒激光束即第一和第二飞秒激光束201a和201b，还能进一步将飞秒激光束201分离成三个或三个以上飞秒激光束，采用分别具有不同聚焦深度的多个聚光透镜照射在被切割基板的不同位置。
为了按照被切割基板的类型(即，基板的材料和厚度)调节飞秒激光束的能量，还可以在第一镜片220和第一聚光透镜230之间设置光学衰减器(未表示)。光学衰减器可以是盘形的，其随着光学衰减器的旋转实现衰减作用。然而，在这种情况下，如果光束的直径很大，光束在其截面的不同部位上产生不同的衰减等级。因此，为了最多能衰减99％的激光束强度，最佳的光学衰减器包括随驱动电机旋转的λ/2板、线性偏振器和λ/4板。
可以在适合按预定角度反射大部分飞秒激光束同时使飞秒激光束的剩余部分透射，从而使得透射的飞秒激光束通过用于测量飞秒激光束能量的光电二极管(未示出)的条件，用涂层形成各第一和第二镜片220和240。在这种情况下，可以按照测得的飞秒激光束强度来控制光学衰减器，实现精度的提高。
同时，如果用飞秒激光振荡器200产生飞秒激光束201，可以用与产生的飞秒激光束201设置在同一轴线上的CCD照相机(未示出)来识别基板100上的切割位置。还能通过显示设备280显示基板100的图像，以便精确切割基板100上的理想部位。
由于按照本发明实施方式用来将具有许多液晶面板的母基板切割成多个单位液晶面板的飞秒激光具有短脉冲宽度(约150fs)和各脉冲的高峰值功率，在切割过程中不会在基板100的被切割部位周围产生热膨胀和超声波。
同时，飞秒激光束具有不同于其它一般激光束的特性。也就是“单色性”，其是一种飞秒激光束中不存在的激光特性。与一般激光不同，飞秒激光具有宽得多的频谱范围。通过聚光透镜放大的具有不同聚焦深度的飞秒激光束还具有比一般激光束更高的峰值功率，峰值功率例如可达到太瓦特(1012瓦特)的量级。近来，这种放大的飞秒激光所具有的峰值功率已提高到拍瓦特(1015瓦特)。
这样的飞秒激光可以被称为“T3激光(Table Top Terawatt Laser)”。通过聚光透镜直接汇聚激光就能大大提高激光密度。当激光束聚焦在物体上时，物体中焦点周围的材料会立即变成等离子体状态。
作为某些例外，飞秒激光器能量一般能达到每脉冲微焦耳(μJ)的量级。在某些情况下，飞秒激光器具有每脉冲毫焦耳的强大脉冲能量，其对应于大约1瓦特的平均能量。
由一般激光器产生的等离子体与激光发生反应以吸收激光，或是使被加工材料发热。这种等离子体会造成热作用增大，加工不稳定和效率低下等各种问题。然而飞秒激光器能改变等离子体造成的这种环境。
在被激光加工材料的一侧接收激光能量的受主是电子。对于金属的情况，受主是出现在导带中的自由电子或受光激发进入导带的电子。激光的振动电场引起电子(电子系统)振动。即，电子接收来自激光的能量。振动的电子撞击材料晶格(晶格系统)内的原子或离子，从而为原子或离子提供动能(致使材料温度上升)。由此造成材料发生相变(熔化或蒸发)，以对材料进行加工。
能量从电子系统传送到晶格系统所需的时间是飞秒量级。因此，按照飞秒激光加工，激光能量的吸收和被加工材料随着激光能量吸收的变化在瞬间可以暂时彼此分开。
例如，被照射材料的原子被离子化而产生等离子体所需的时间比飞秒激光的脉冲宽度要长。因此可以预料等离子体不会与激光发生反应。另外，被照射区域上产生的热量扩散到被照射区域周围所需的时间比飞秒激光的脉冲宽度要短。激光能量被局限在照射区域内，仅有被照射区域的材料会发生相变。因此，在采用本发明实施方式的飞秒激光切割基板时，切割不会在执行切割的区域周围形成受热影响的地带。
以下要具体描述采用来自本发明实施方式的飞秒激光发生装置的飞秒激光的基板切割方法。
按照这种基板切割方法，作为有许多液晶面板的母基板的基板100需要进行切割，以将母基板分离成多个单位液晶面板，首先将基板100设置在可移动台架(未表示)上。然后用飞秒激光振荡器200产生飞秒激光束201。
在飞秒激光振荡器200产生飞秒激光束201的同时用与所产生的飞秒激光束201设置在同一轴线上的CCD照相机(未示出)识别基板100上的切割位置。为了精确切割基板100上的理想位置，还要显示出基板100的图像。
接着，对飞秒激光振荡器200产生的飞秒激光束201的强度和密度进行调节。调节后的飞秒激光束201通过第一分束器210被分离成第一飞秒激光束201a和第二飞秒激光束201b。从第一分束器210发出的飞秒激光束201a被第一镜片220反射。
通过具有第一聚焦深度f1的第一聚光透镜230汇聚被第一镜片220反射的第一飞秒激光束201a。通过具有第一聚焦深度f1的第一聚光透镜230会聚的第一飞秒激光束201a被第二镜片240反射。
接着，通过具有不同于第一聚焦深度f1的第二聚焦深度f2的第二聚光透镜250汇聚由第一分束器210发出的第二飞秒激光束201b。第二分束器260接收并分离由第二镜片240反射的第一飞秒激光束201a和通过第二聚光透镜250汇聚的第二飞秒激光束201b，并将分离的第一和第二飞秒激光束201a和201b照射在被切割基板100上的不同位置。在这种状态下，沿一个方向移动台架的同时切割基板。
可以在台架处于固定状态时移动飞秒激光振荡器200进行基板100的切割。为了使操作人员能够检查切割工艺中的切割状态，可以通过作为监视器的显示设备280显示由CCD照相机270拍摄的相应图像。
图7的放大图对应于图6中的部位“A”，表示按照本发明的实施方式用具有不同聚焦深度的飞秒激光执行基板切割工艺之后的基板截面图。
基板100是有许多液晶面板的母基板，需要将母基板分离成单位液晶面板，在需要切割基板100时，如图7所示，用具有不同聚焦深度f1和f2的飞秒激光束分别照射在不同位置f1’和f2’，以对基板100进行切割。
如果按大约40μm的切割宽度执行切割工艺，在执行切割的区域周围不会发生热膨胀，也不会产生超声波。在这种条件下就能沿理想的切割方向均匀并精确地切割基板100。
如果采用在不同位置上具有不同聚焦深度的多个飞秒激光束照射基板进行切割，有可能使基板上被切割区域的尖角最小。这样就能精确并清洁地切割基板，不会在基板被切割部位的边沿和侧面上形成填充物(padding)或沉积。
图8的示意图表示按照本发明另一实施方式的飞秒激光发生装置。如图8所示，飞秒激光发生装置包括分别产生飞秒激光束301和401的第一飞秒激光振荡器300和第二飞秒激光振荡器400，以及第一聚光透镜310和第二聚光透镜410，其分别从第一和第二飞秒激光振荡器300和400接收第一和第二飞秒激光束301和401，并且汇聚第一和第二飞秒激光束301和401，使得第一和第二飞秒激光束301和401分别具有不同的聚焦深度f1和f2。
该飞秒激光发生装置还包括镜片320，用来反射通过第一聚光透镜310汇聚的第一飞秒激光束301，以及分束器420，用来接收并分离被镜片320反射的第一飞秒激光束301和通过第二聚光透镜410汇聚的第二飞秒激光束401，并且将分离的第一和第二飞秒激光束301和401照射在基板500的不同位置。
尽管在这种情况下使用了两个飞秒激光振荡器300和400，可以使用三个或三个以上飞秒激光振荡器产生三个或三个以上具有不同聚焦深度的飞秒激光束来切割基板。另外，用于具有不同聚焦深度的三个或三个以上飞秒激光振荡器的镜片数量可以小于飞秒激光振荡器的数量。
如上所述，按照本发明实施方式的飞秒激光发生装置和使用这种装置的基板切割方法具有各种效果。例如，由于具有不同聚焦深度的多个飞秒激光分别照射在被切割基板的不同位置以对基板进行切割，有可能减小切割后形成的尖角。
本领域的技术人员能够看出，无需脱离本发明的原理和范围还能对本发明的基板切割装置及其使用方法做出各种各样的修改和变更。因此，本发明应该覆盖属于本发明权利要求书及其等效物范围内的修改和变更。

Claims (15)

1、一种用来切割基板的装置，包括：
产生飞秒激光束的激光振荡器；
将飞秒激光束分离成第一和第二飞秒激光束的第一分束器；
接收第一飞秒激光束并汇聚第一飞秒激光束达到第一聚焦深度的第一聚光透镜；
接收第二飞秒激光束并汇聚第二飞秒激光束达到不同于第一聚焦深度的第二聚焦深度的第二聚光透镜；以及
第二分束器，用来接收并且分离通过第一聚光透镜汇聚的第一飞秒激光束和通过第二聚光透镜汇聚的第二飞秒激光束，并将分离的第一和第二飞秒激光束照射在待切割基板上的不同位置。
2、按照权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括：
第一反射器，将第一分束器发出的第一飞秒激光束反射到第一聚光透镜；以及
第二反射器，将通过第一聚光透镜汇聚的第一飞秒激光束反射到第二分束器。
3、按照权利要求2所述的装置，其特征在于，还包括：
在第一反射器和第一聚光透镜之间用来调节飞秒激光束能量的光学衰减器。
4、按照权利要求3所述的装置，其特征在于，所述光学衰减器为盘形。
5、按照权利要求3所述的装置，其特征在于，所述光学衰减器包括λ/2板、线性偏振器和λ/4板。
6、按照权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括：
监视基板切割部位图像的电荷耦合器件照相机；以及
显示受电荷耦合器件照相机监视的图像的显示设备。
7、按照权利要求1所述的装置，其特征在于，所述基板为在其上面形成有多个液晶面板的母基板。
8、一种用来切割基板的装置，包括：
产生至少第一和第二飞秒激光束的多个激光振荡器；
多个聚光透镜，用来接收至少第一和第二飞秒激光束，并将接收到的至少第一和第二飞秒激光束分别汇聚以具有彼此不同的第一和第二聚焦深度；
反射第一汇聚的飞秒激光束的反射器；以及
分束器，其接收并且分离汇聚的至少第一和第二飞秒激光束，并将分离的第一和第二飞秒激光束照射在待切割基板上的不同位置。
9、一种切割基板的方法，包括以下步骤：
将基板设置在台架上并由飞秒激光振荡器产生飞秒激光束；
将飞秒激光束分离成至少第一和第二飞秒激光束并将至少第一和第二飞秒激光束汇聚以具有不同的聚焦深度；以及
将汇聚的至少第一和第二飞秒激光束照射在基板的不同位置上以对基板进行切割。
10、按照权利要求9所述的方法，其特征在于，所述台架是移动台架。
11、按照权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括用电荷耦合器件照相机识别基板上对应于至少第一和第二飞秒激光束照射位置的切割部位。
12、按照权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括对飞秒激光振荡器产生的飞秒激光进行强度和密度调节。
13、按照权利要求9所述的方法，其特征在于，所述基板的切割是随着台架沿一个方向的移动且飞秒激光振荡器处于固定状态下执行的。
14、按照权利要求9所述的方法，其特征在于，所述基板的切割是随着飞秒激光振荡器的移动且台架处于固定状态下执行的。
15、按照权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括在切割基板时监视其切割状态，以使操作人员能够识别切割状态。
CNB2005100801246A 2004-11-05 2005-06-29 切割基板的装置及其使用方法 Expired - Fee Related CN100540201C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040089703 2004-11-05
KR1020040089703A KR101074408B1 (ko) 2004-11-05 2004-11-05 펨토초 레이저 발생장치 및 이를 이용한 기판의 절단방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1768999A true CN1768999A (zh) 2006-05-10
CN100540201C CN100540201C (zh) 2009-09-16

Family

ID=36313919

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2005100801246A Expired - Fee Related CN100540201C (zh) 2004-11-05 2005-06-29 切割基板的装置及其使用方法

Country Status (6)

Country Link
US (2) US7638729B2 (zh)
JP (1) JP4295252B2 (zh)
KR (1) KR101074408B1 (zh)
CN (1) CN100540201C (zh)
DE (1) DE102005030670B4 (zh)
TW (1) TWI325505B (zh)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100446909C (zh) * 2006-12-08 2008-12-31 华中科技大学 不锈钢悬臂梁的飞秒激光加工方法
CN102974936A (zh) * 2012-11-02 2013-03-20 中国人民解放军国防科学技术大学 激光焦点定位系统及将材料定位于激光焦点处的方法
CN103212786A (zh) * 2012-01-20 2013-07-24 灿美工程股份有限公司 激光加工装置及其方法
TWI574767B (zh) * 2014-07-29 2017-03-21 Improved laser structure
CN107026078A (zh) * 2016-02-01 2017-08-08 三星电子株式会社 图案结构、制造其的方法和使用印模形成格栅的方法
CN107107267A (zh) * 2014-11-10 2017-08-29 康宁股份有限公司 使用多个焦点来进行对透明制品的激光加工
CN107745188A (zh) * 2017-09-30 2018-03-02 深圳信息职业技术学院 一种皮秒激光加工设备
CN109352170A (zh) * 2018-12-25 2019-02-19 珠海光库科技股份有限公司 调焦装置、激光设备及其使用方法
CN110091075A (zh) * 2019-05-31 2019-08-06 大族激光科技产业集团股份有限公司 晶圆开槽方法及装置
CN111971145A (zh) * 2018-11-27 2020-11-20 21世纪株式会社 使用飞秒激光的超精密刀刃加工方法
CN112536835A (zh) * 2019-09-23 2021-03-23 Scm集团公司 用于切割面板的改进方法和用于执行该方法的机器
CN113203960A (zh) * 2021-04-26 2021-08-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 开路短路测试装置及方法

Families Citing this family (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8208505B2 (en) * 2001-01-30 2012-06-26 Board Of Trustees Of Michigan State University Laser system employing harmonic generation
US7567596B2 (en) * 2001-01-30 2009-07-28 Board Of Trustees Of Michigan State University Control system and apparatus for use with ultra-fast laser
US7450618B2 (en) * 2001-01-30 2008-11-11 Board Of Trustees Operating Michigan State University Laser system using ultrashort laser pulses
US7583710B2 (en) * 2001-01-30 2009-09-01 Board Of Trustees Operating Michigan State University Laser and environmental monitoring system
US7973936B2 (en) * 2001-01-30 2011-07-05 Board Of Trustees Of Michigan State University Control system and apparatus for use with ultra-fast laser
US8921733B2 (en) 2003-08-11 2014-12-30 Raydiance, Inc. Methods and systems for trimming circuits
US8093530B2 (en) * 2004-11-19 2012-01-10 Canon Kabushiki Kaisha Laser cutting apparatus and laser cutting method
US8633437B2 (en) 2005-02-14 2014-01-21 Board Of Trustees Of Michigan State University Ultra-fast laser system
US8618470B2 (en) * 2005-11-30 2013-12-31 Board Of Trustees Of Michigan State University Laser based identification of molecular characteristics
WO2007145702A2 (en) * 2006-04-10 2007-12-21 Board Of Trustees Of Michigan State University Laser material processing systems and methods with, in particular, use of a hollow waveguide for broadening the bandwidth of the pulse above 20 nm
WO2008011059A1 (en) * 2006-07-20 2008-01-24 Board Of Trustees Of Michigan State University Laser plasmonic system
KR100804425B1 (ko) * 2006-10-02 2008-02-20 (주)미래컴퍼니 레이저 펄스 조절장치 및 방법
KR100824962B1 (ko) * 2006-10-25 2008-04-28 주식회사 코윈디에스티 극초단파 레이저를 이용한 기판의 절단 장치 및 방법
KR100862522B1 (ko) * 2007-04-16 2008-10-08 삼성전기주식회사 레이저가공 장치 및 기판 절단 방법
KR100921662B1 (ko) * 2007-07-13 2009-10-14 주식회사 코윈디에스티 Ｕｖ 레이저를 이용한 기판의 절단 장치 및 방법
US8311069B2 (en) 2007-12-21 2012-11-13 Board Of Trustees Of Michigan State University Direct ultrashort laser system
JP5379384B2 (ja) * 2008-02-15 2013-12-25 サイバーレーザー株式会社 レーザによる透明基板の加工方法および装置
KR101011482B1 (ko) * 2008-07-12 2011-01-31 주식회사 에이원마이크로 디스플레이 패널의 인라인 컷팅 시스템 및 이를 이용한디스플레이 패널 제조방법
KR101036879B1 (ko) * 2008-08-27 2011-05-25 주식회사 이오테크닉스 드릴링 장치 및 드릴링 방법
US8675699B2 (en) * 2009-01-23 2014-03-18 Board Of Trustees Of Michigan State University Laser pulse synthesis system
WO2010141128A2 (en) 2009-03-05 2010-12-09 Board Of Trustees Of Michigan State University Laser amplification system
KR101041137B1 (ko) * 2009-03-25 2011-06-13 삼성모바일디스플레이주식회사 기판 절단 장치 및 이를 이용한 기판 절단 방법
KR20100107253A (ko) * 2009-03-25 2010-10-05 삼성모바일디스플레이주식회사 기판 절단 장치 및 이를 이용한 기판 절단 방법
WO2011025908A1 (en) * 2009-08-28 2011-03-03 Corning Incorporated Methods for laser cutting articles from chemically strengthened glass substrates
US8630322B2 (en) * 2010-03-01 2014-01-14 Board Of Trustees Of Michigan State University Laser system for output manipulation
WO2011158617A1 (ja) * 2010-06-14 2011-12-22 三菱電機株式会社 レーザ加工装置、及びレーザ加工方法
JP5089735B2 (ja) * 2010-07-15 2012-12-05 株式会社レーザーシステム レーザ加工装置
JP5518612B2 (ja) * 2010-07-20 2014-06-11 株式会社ディスコ 光学装置およびこれを備えるレーザー加工装置
WO2012021748A1 (en) 2010-08-12 2012-02-16 Raydiance, Inc. Polymer tubing laser micromachining
US9114482B2 (en) 2010-09-16 2015-08-25 Raydiance, Inc. Laser based processing of layered materials
KR101708503B1 (ko) * 2010-10-27 2017-02-20 동우 화인켐 주식회사 필름 절단을 위한 레이저 절단 장치 및 이를 이용한 필름 절단 방법
US10239160B2 (en) 2011-09-21 2019-03-26 Coherent, Inc. Systems and processes that singulate materials
KR101299234B1 (ko) 2011-11-01 2013-08-22 주식회사 이오테크닉스 2빔 가공이 가능한 레이저 가공 장치 및 방법
TWI476064B (zh) * 2011-11-07 2015-03-11 Metal Ind Res & Dev Ct 硬脆材料切割方法
JP2013188785A (ja) 2012-03-15 2013-09-26 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd 被加工物の加工方法および分割方法
JP5966468B2 (ja) * 2012-03-15 2016-08-10 三星ダイヤモンド工業株式会社 レーザー加工装置
TW201417928A (zh) * 2012-07-30 2014-05-16 Raydiance Inc 具訂製邊形及粗糙度之脆性材料切割
JP5965239B2 (ja) * 2012-07-31 2016-08-03 三星ダイヤモンド工業株式会社 貼り合わせ基板の加工方法並びに加工装置
TW201411232A (zh) * 2012-09-06 2014-03-16 Gao-Ming Ye 液晶模組之製作方法
US9919380B2 (en) 2013-02-23 2018-03-20 Coherent, Inc. Shaping of brittle materials with controlled surface and bulk properties
US11186399B2 (en) 2013-03-12 2021-11-30 Robotica, Inc. Automated container cutting apparatus
EP2972775A1 (en) * 2013-03-12 2016-01-20 Robotica, Inc. Photonic box opening system
DE102013209526B4 (de) * 2013-05-23 2015-04-30 Trumpf Werkzeugmaschinen Gmbh + Co. Kg Verfahren, Computerprogrammprodukt und Vorrichtung zum Erkennen eines Schnittabrisses
KR102037259B1 (ko) * 2013-07-05 2019-10-29 삼성디스플레이 주식회사 기판 분리 장치 및 이를 이용한 기판 분리 방법
WO2015066500A2 (en) * 2013-11-01 2015-05-07 Accel Performance Group Llc Modular flexplate
RU2661977C1 (ru) * 2014-07-03 2018-07-23 Ниппон Стил Энд Сумитомо Метал Корпорейшн Устройство лазерной обработки
DE102014015951A1 (de) * 2014-10-20 2016-04-21 4Jet Technologies Gmbh Verfahren zum Bearbeiten eines elektrisch nicht leitenden oder halbleitenden Materials
JP5902281B2 (ja) * 2014-11-19 2016-04-13 三星ダイヤモンド工業株式会社 レーザー加工装置
US9988218B2 (en) 2015-08-26 2018-06-05 Robotica, Inc. Modular handling system with multi-level sorter and method of using same
CN105436710B (zh) * 2015-12-30 2019-03-05 大族激光科技产业集团股份有限公司 一种硅晶圆的激光剥离方法
CN108213697A (zh) * 2016-12-14 2018-06-29 上海新昇半导体科技有限公司 SiC晶体切片设备及切片方法
TWI648524B (zh) * 2017-10-03 2019-01-21 財團法人工業技術研究院 多層材料加工裝置及其方法
CN109909601A (zh) * 2017-12-13 2019-06-21 京东方科技集团股份有限公司 一种激光加工系统及方法
US10843876B2 (en) 2018-08-27 2020-11-24 Robotica, Inc. Hybrid diverter with multi-action transfer bar and method of using same
CN110303243A (zh) * 2019-08-15 2019-10-08 北京理工大学 一种光场动态可调的多激光焦点切割脆性材料装置及方法
CN110539070A (zh) * 2019-10-14 2019-12-06 颀中科技（苏州）有限公司 激光加工方法及激光加工装置
US11981023B2 (en) 2020-01-17 2024-05-14 Robotica, Inc. Tote handling system with integrated hand and method of using same
US11981507B2 (en) 2020-06-03 2024-05-14 Robotica, Inc. Tote handling system with tote handler and method of using same
KR102405460B1 (ko) * 2020-06-26 2022-06-07 매그나칩 반도체 유한회사 초단파 펄스 레이저 미세 가공을 이용한 반도체 다이 형성 방법 및 패키징 방법
US20220326539A1 (en) * 2021-04-08 2022-10-13 Corning Incorporated Real-time modification of line focus intensity distribution

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01186293A (ja) 1988-01-22 1989-07-25 Nec Corp レーザ溶接方法
EP0429012B1 (en) * 1989-11-17 1995-02-01 Kabushiki Kaisha TOPCON Laser beam controller for surveying equipment
JP2664625B2 (ja) 1993-09-10 1997-10-15 川崎重工業株式会社 レーザ切断方法および装置
DE19619339B4 (de) * 1995-05-26 2005-02-24 BLZ Bayerisches Laserzentrum Gemeinnützige Forschungsgesellschaft mbH Laserstrahl-Bearbeitungsvorrichtung mit zwei Teilstrahlen
DE19616327C2 (de) * 1996-04-24 1999-07-22 Schott Rohrglas Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Trennen von dünnwandigen Glasrohren
JP2003517931A (ja) 1999-11-29 2003-06-03 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト サブストレートを加工する装置および当該装置を用いてサブストレートを加工する方法
JP4124396B2 (ja) 1999-12-17 2008-07-23 独立行政法人科学技術振興機構 ホログラムの製造方法および装置
FR2803549B1 (fr) * 2000-01-10 2002-03-29 Air Liquide Procede et installation de coupage laser d'acier doux ou de construction avec optique multifocale
US7671295B2 (en) * 2000-01-10 2010-03-02 Electro Scientific Industries, Inc. Processing a memory link with a set of at least two laser pulses
JP4659300B2 (ja) * 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
JP3626442B2 (ja) * 2000-09-13 2005-03-09 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP2002131587A (ja) 2000-10-24 2002-05-09 Mitsubishi Electric Corp レーザダイオードモジュール
JP4519352B2 (ja) 2001-04-12 2010-08-04 財団法人神奈川科学技術アカデミー 微細加工装置
JP2003154517A (ja) 2001-11-21 2003-05-27 Seiko Epson Corp 脆性材料の割断加工方法およびその装置、並びに電子部品の製造方法
US6951627B2 (en) * 2002-04-26 2005-10-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of drilling holes with precision laser micromachining
US6951327B1 (en) * 2003-04-01 2005-10-04 Northpole Limited Detent-releasing device
GB2402230B (en) * 2003-05-30 2006-05-03 Xsil Technology Ltd Focusing an optical beam to two foci
JP2005028438A (ja) * 2003-07-11 2005-02-03 Disco Abrasive Syst Ltd レーザ光線を利用する加工装置
US7804043B2 (en) * 2004-06-15 2010-09-28 Laserfacturing Inc. Method and apparatus for dicing of thin and ultra thin semiconductor wafer using ultrafast pulse laser
JP4354376B2 (ja) * 2004-09-28 2009-10-28 株式会社ディスコ レーザ加工装置

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100446909C (zh) * 2006-12-08 2008-12-31 华中科技大学 不锈钢悬臂梁的飞秒激光加工方法
CN103212786A (zh) * 2012-01-20 2013-07-24 灿美工程股份有限公司 激光加工装置及其方法
CN103212786B (zh) * 2012-01-20 2016-08-10 灿美工程股份有限公司 激光加工装置及其方法
CN102974936A (zh) * 2012-11-02 2013-03-20 中国人民解放军国防科学技术大学 激光焦点定位系统及将材料定位于激光焦点处的方法
CN102974936B (zh) * 2012-11-02 2015-04-22 中国人民解放军国防科学技术大学 激光焦点定位系统及将材料定位于激光焦点处的方法
TWI574767B (zh) * 2014-07-29 2017-03-21 Improved laser structure
CN111843191A (zh) * 2014-11-10 2020-10-30 康宁股份有限公司 使用多个焦点来进行对透明制品的激光加工
CN107107267A (zh) * 2014-11-10 2017-08-29 康宁股份有限公司 使用多个焦点来进行对透明制品的激光加工
TWI674939B (zh) * 2014-11-10 2019-10-21 美商康寧公司 使用多焦點雷射處理透明物品的方法及系統及由此方法及系統處理的透明物品
CN107026078A (zh) * 2016-02-01 2017-08-08 三星电子株式会社 图案结构、制造其的方法和使用印模形成格栅的方法
CN107745188A (zh) * 2017-09-30 2018-03-02 深圳信息职业技术学院 一种皮秒激光加工设备
CN111971145A (zh) * 2018-11-27 2020-11-20 21世纪株式会社 使用飞秒激光的超精密刀刃加工方法
CN111971145B (zh) * 2018-11-27 2022-04-12 21世纪株式会社 使用飞秒激光的超精密刀刃加工方法
CN109352170A (zh) * 2018-12-25 2019-02-19 珠海光库科技股份有限公司 调焦装置、激光设备及其使用方法
CN110091075A (zh) * 2019-05-31 2019-08-06 大族激光科技产业集团股份有限公司 晶圆开槽方法及装置
CN112536835A (zh) * 2019-09-23 2021-03-23 Scm集团公司 用于切割面板的改进方法和用于执行该方法的机器
CN113203960A (zh) * 2021-04-26 2021-08-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 开路短路测试装置及方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP4295252B2 (ja) 2009-07-15
US20100072183A1 (en) 2010-03-25
US7638729B2 (en) 2009-12-29
CN100540201C (zh) 2009-09-16
DE102005030670A1 (de) 2006-05-24
JP2006130556A (ja) 2006-05-25
TW200615615A (en) 2006-05-16
US20060096426A1 (en) 2006-05-11
KR101074408B1 (ko) 2011-10-17
KR20060040278A (ko) 2006-05-10
US8173930B2 (en) 2012-05-08
DE102005030670B4 (de) 2008-08-28
TWI325505B (en) 2010-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1768999A (zh) 切割基板的装置及其使用方法
CN1768998A (zh) 使用飞秒激光切割基板的方法和装置
CN100557513C (zh) 薄膜蚀刻方法以及使用该方法制造液晶显示器件的方法
CN1314995C (zh) 连续横向固化装置
CN1211862C (zh) 衬底薄膜烧蚀方法及其设备
EP2394775B1 (en) Workpiece cutting method
CN100347814C (zh) 激光退火方法及激光退火装置
CN102658424B (zh) 激光加工led衬底的系统及方法
CN101046591A (zh) 激光切割方法、显示设备制造方法和显示设备
CN101391860A (zh) 利用超短脉冲激光束的基板切割装置及其切割方法
TW200848190A (en) Laser processing method and cutting method, method of dividing a structured body with multiple substrates
TW200932461A (en) Working object cutting method
CN1871104A (zh) 脆性材料基板的划线方法和划线设备
CN1716544A (zh) 晶片处理方法
CN1817603A (zh) 晶片的分割方法
CN1700444A (zh) 晶片分割方法
CN1683995A (zh) 激光掩模以及使用该激光掩模的结晶方法
CN1739903A (zh) 基板加工装置及基板加工方法
KR101345229B1 (ko) 기판의 절단장치
CN1675022A (zh) 用于去除薄膜的方法和装置
CN1665656A (zh) 脆性材料衬底的划线装置以及划线方法
CN1287442C (zh) 利用固态uv激光器对蓝宝石衬底划线
CN1637484A (zh) 连续横向结晶装置和使用它结晶硅的方法
KR20050070251A (ko) 유연한 디스플레이 장치의 제조 방법
KR20170078363A (ko) 레이저 절단장치 및 절단방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20090916

Termination date: 20210629