CN1734792A - 分子光电系统、其制造方法以及由它们制得的制品 - Google Patents
分子光电系统、其制造方法以及由它们制得的制品 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1734792A CN1734792A CNA2005100879715A CN200510087971A CN1734792A CN 1734792 A CN1734792 A CN 1734792A CN A2005100879715 A CNA2005100879715 A CN A2005100879715A CN 200510087971 A CN200510087971 A CN 200510087971A CN 1734792 A CN1734792 A CN 1734792A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- poly
- agent
- electronics
- derivative
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 110
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 174
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 72
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 57
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 48
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 claims description 44
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 claims description 44
- -1 hydrazone compound Chemical class 0.000 claims description 40
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 39
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 31
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 31
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 22
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 19
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 claims description 15
- 241000790917 Dioxys <bee> Species 0.000 claims description 10
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 claims description 10
- 125000002573 ethenylidene group Chemical group [*]=C=C([H])[H] 0.000 claims description 10
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 claims description 9
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 claims description 9
- 150000003233 pyrroles Chemical class 0.000 claims description 8
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 claims description 7
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 claims description 6
- 150000002240 furans Chemical class 0.000 claims description 6
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 1H-pyrrole Natural products C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 claims description 4
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 4
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N anhydrous quinoline Natural products N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 4
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 claims description 4
- ZTKPNSXSOUTJFJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diphenylprop-2-en-1-one Chemical group C=1C=CC=CC=1C(=C)C(=O)C1=CC=CC=C1 ZTKPNSXSOUTJFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims description 3
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000001484 phenothiazinyl group Chemical group C1(=CC=CC=2SC3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 claims description 3
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 3
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WFLOTYSKFUPZQB-UHFFFAOYSA-N 1,2-difluoroethene Chemical group FC=CF WFLOTYSKFUPZQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 claims description 2
- OHZAHWOAMVVGEL-UHFFFAOYSA-N 2,2'-bithiophene Chemical compound C1=CSC(C=2SC=CC=2)=C1 OHZAHWOAMVVGEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QTFBPMJATBTHSY-UHFFFAOYSA-N 2h-furo[3,2-b]pyrrole Chemical class C1=NC2=CCOC2=C1 QTFBPMJATBTHSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- IIOVDFBFSVJXIW-UHFFFAOYSA-N 9,10-dihexylanthracene Chemical compound C1=CC=C2C(CCCCCC)=C(C=CC=C3)C3=C(CCCCCC)C2=C1 IIOVDFBFSVJXIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 9-phenylcarbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CUFNKYGDVFVPHO-UHFFFAOYSA-N Azulene Natural products C1=CC=CC2=CC=CC2=C1 CUFNKYGDVFVPHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- SZVKJTDZEOTYCX-UHFFFAOYSA-N CN(C1=CC(=C(C=C1)CC1=CC=CC=C1)CN)C Chemical class CN(C1=CC(=C(C=C1)CC1=CC=CC=C1)CN)C SZVKJTDZEOTYCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 claims description 2
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920000000 Poly(isothianaphthene) Polymers 0.000 claims description 2
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Natural products C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- IANQTJSKSUMEQM-UHFFFAOYSA-N benzofuran Natural products C1=CC=C2OC=CC2=C1 IANQTJSKSUMEQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 2
- RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N diazene Chemical compound N=N RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000071 diazene Inorganic materials 0.000 claims description 2
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N dodecane Chemical group CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000002081 enamines Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000003205 fragrance Substances 0.000 claims description 2
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000002541 furyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 claims description 2
- UBEMYRQUSQCJGU-UHFFFAOYSA-N n,n-dinaphthalen-1-ylnaphthalen-2-amine Chemical class C1=CC=C2C(N(C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=CC2=C1 UBEMYRQUSQCJGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 claims description 2
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UEXCJVNBTNXOEH-UHFFFAOYSA-N phenyl acethylene Natural products C#CC1=CC=CC=C1 UEXCJVNBTNXOEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XQZYPMVTSDWCCE-UHFFFAOYSA-N phthalonitrile Chemical compound N#CC1=CC=CC=C1C#N XQZYPMVTSDWCCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920006391 phthalonitrile polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002805 poly(2,2'-bithiophene-5,5'-diyl) polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 claims description 2
- RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N pyrrolo[3,2-b]pyrrole Chemical class C1=NC2=CC=NC2=C1 RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 claims description 2
- FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N thianaphthalene Natural products C1=CC=C2SC=CC2=C1 FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 claims description 2
- FRASJONUBLZVQX-UHFFFAOYSA-N 1,4-naphthoquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C=CC(=O)C2=C1 FRASJONUBLZVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 claims 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 26
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 24
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 18
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 15
- 235000017166 Bambusa arundinacea Nutrition 0.000 description 14
- 235000017491 Bambusa tulda Nutrition 0.000 description 14
- 241001330002 Bambuseae Species 0.000 description 14
- 235000015334 Phyllostachys viridis Nutrition 0.000 description 14
- 239000011425 bamboo Substances 0.000 description 14
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 11
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 10
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 10
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 6
- 241000894007 species Species 0.000 description 6
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 5
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 5
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 5
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 4
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 4
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BVGQGPWKBMTPNM-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2-propyl-1h-imidazole Chemical class CCCC1=NC=C(C)N1 BVGQGPWKBMTPNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 3
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 3
- 239000002608 ionic liquid Substances 0.000 description 3
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 3
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 3
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N Piperazine Chemical compound C1CNCCN1 GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002396 Polyurea Polymers 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 2
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N anthrone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3CC2=C1 RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 125000003636 chemical group Chemical group 0.000 description 2
- 239000002322 conducting polymer Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- GWVMLCQWXVFZCN-UHFFFAOYSA-N isoindoline Chemical compound C1=CC=C2CNCC2=C1 GWVMLCQWXVFZCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000002060 nanoflake Substances 0.000 description 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 2
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 2
- XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N quinoxaline Chemical compound N1=CC=NC2=CC=CC=C21 XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005295 random walk Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHFAEUICJHBVHB-UHFFFAOYSA-N 1h-indol-2-ol Chemical compound C1=CC=C2NC(O)=CC2=C1 JHFAEUICJHBVHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGIJRRREJXSQJR-UHFFFAOYSA-N 2h-thiazine Chemical compound N1SC=CC=C1 AGIJRRREJXSQJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003184 C60 fullerene group Chemical group 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000035126 Facies Diseases 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000000177 Indigofera tinctoria Nutrition 0.000 description 1
- 241001465754 Metazoa Species 0.000 description 1
- 229920000784 Nomex Polymers 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- 241000425573 Talanes Species 0.000 description 1
- 241000534944 Thia Species 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003087 TiOx Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYQHAXROJBXMOB-UHFFFAOYSA-N [Cr].[In] Chemical compound [Cr].[In] ZYQHAXROJBXMOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCLSJBCAXDSCPG-UHFFFAOYSA-N [O+]1=C(C=CC2=C1C=CC=C2)C=O Chemical class [O+]1=C(C=CC2=C1C=CC=C2)C=O BCLSJBCAXDSCPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- JXLHNMVSKXFWAO-UHFFFAOYSA-N azane;7-fluoro-2,1,3-benzoxadiazole-4-sulfonic acid Chemical compound N.OS(=O)(=O)C1=CC=C(F)C2=NON=C12 JXLHNMVSKXFWAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYONAGGJKCJOBT-UHFFFAOYSA-N benzimidazol-2-one Chemical compound C1=CC=CC2=NC(=O)N=C21 MYONAGGJKCJOBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002619 bicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000975 bioactive effect Effects 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000007385 chemical modification Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 1
- RBSLJAJQOVYTRQ-UHFFFAOYSA-N croconic acid Chemical compound OC1=C(O)C(=O)C(=O)C1=O RBSLJAJQOVYTRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 description 1
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000004826 dibenzofurans Chemical class 0.000 description 1
- IYYZUPMFVPLQIF-UHFFFAOYSA-N dibenzothiophene Chemical group C1=CC=C2C3=CC=CC=C3SC2=C1 IYYZUPMFVPLQIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 1
- PPSZHCXTGRHULJ-UHFFFAOYSA-N dioxazine Chemical compound O1ON=CC=C1 PPSZHCXTGRHULJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZZYITDELCSZES-UHFFFAOYSA-N diphenylmethane Chemical compound C=1C=CC=CC=1CC1=CC=CC=C1 CZZYITDELCSZES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229920000578 graft copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009815 homocoupling reaction Methods 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 235000019239 indanthrene blue RS Nutrition 0.000 description 1
- UHOKSCJSTAHBSO-UHFFFAOYSA-N indanthrone blue Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=C4NC5=C6C(=O)C7=CC=CC=C7C(=O)C6=CC=C5NC4=C3C(=O)C2=C1 UHOKSCJSTAHBSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940097275 indigo Drugs 0.000 description 1
- COHYTHOBJLSHDF-UHFFFAOYSA-N indigo powder Natural products N1C2=CC=CC=C2C(=O)C1=C1C(=O)C2=CC=CC=C2N1 COHYTHOBJLSHDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 229920000554 ionomer Polymers 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- PXZQEOJJUGGUIB-UHFFFAOYSA-N isoindolin-1-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)NCC2=C1 PXZQEOJJUGGUIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- NYGZLYXAPMMJTE-UHFFFAOYSA-M metanil yellow Chemical group [Na+].[O-]S(=O)(=O)C1=CC=CC(N=NC=2C=CC(NC=3C=CC=CC=3)=CC=2)=C1 NYGZLYXAPMMJTE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000001434 methanylylidene group Chemical group [H]C#[*] 0.000 description 1
- 238000004776 molecular orbital Methods 0.000 description 1
- GVHNYXVWQNZEGS-UHFFFAOYSA-N n-naphthalen-1-yl-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=CC2=CC=CC=C12 GVHNYXVWQNZEGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 150000004780 naphthols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- YCWSUKQGVSGXJO-NTUHNPAUSA-N nifuroxazide Chemical group C1=CC(O)=CC=C1C(=O)N\N=C\C1=CC=C([N+]([O-])=O)O1 YCWSUKQGVSGXJO-NTUHNPAUSA-N 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 239000004763 nomex Substances 0.000 description 1
- ZCYXXKJEDCHMGH-UHFFFAOYSA-N nonane Chemical compound CCCC[CH]CCCC ZCYXXKJEDCHMGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIKNJXKGJWUCNN-XGXHKTLJSA-N norethisterone Chemical compound O=C1CC[C@@H]2[C@H]3CC[C@](C)([C@](CC4)(O)C#C)[C@@H]4[C@@H]3CCC2=C1 VIKNJXKGJWUCNN-XGXHKTLJSA-N 0.000 description 1
- BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N normal nonane Natural products CCCCCCCCC BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005486 organic electrolyte Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical group C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N phenylbenzene Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- FFZANLXOAFSSGC-UHFFFAOYSA-N phosphide(1-) Chemical compound [P-] FFZANLXOAFSSGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- INAAIJLSXJJHOZ-UHFFFAOYSA-N pibenzimol Chemical compound C1CN(C)CCN1C1=CC=C(N=C(N2)C=3C=C4NC(=NC4=CC=3)C=3C=CC(O)=CC=3)C2=C1 INAAIJLSXJJHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003053 piperidines Chemical class 0.000 description 1
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 1
- 229920001652 poly(etherketoneketone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002627 poly(phosphazenes) Polymers 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920002480 polybenzimidazole Polymers 0.000 description 1
- 229920002577 polybenzoxazole Polymers 0.000 description 1
- 150000004291 polyenes Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920006389 polyphenyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229920001290 polyvinyl ester Polymers 0.000 description 1
- 229920001291 polyvinyl halide Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- LLBIOIRWAYBCKK-UHFFFAOYSA-N pyranthrene-8,16-dione Chemical compound C12=CC=CC=C2C(=O)C2=CC=C3C=C4C5=CC=CC=C5C(=O)C5=C4C4=C3C2=C1C=C4C=C5 LLBIOIRWAYBCKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003217 pyrazoles Chemical class 0.000 description 1
- PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N pyridazine Chemical compound C1=CC=NN=C1 PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- VACCAVUAMIDAGB-UHFFFAOYSA-N sulfamethizole Chemical compound S1C(C)=NN=C1NS(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=C1 VACCAVUAMIDAGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFTQLBVSSQWOKD-UHFFFAOYSA-N tellanylidenecalcium Chemical compound [Te]=[Ca] UFTQLBVSSQWOKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004634 thermosetting polymer Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N tioxidazole Chemical compound CCCOC1=CC=C2N=C(NC(=O)OC)SC2=C1 HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium(II) oxide Chemical compound [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- WRTMQOHKMFDUKX-UHFFFAOYSA-N triiodide Chemical compound I[I-]I WRTMQOHKMFDUKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 229910000832 white gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010938 white gold Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/701—Organic molecular electronic devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
- H10K30/35—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains comprising inorganic nanostructures, e.g. CdSe nanoparticles
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/451—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising a metal-semiconductor-metal [m-s-m] structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2059—Light-sensitive devices comprising an organic dye as the active light absorbing material, e.g. adsorbed on an electrode or dissolved in solution
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Hybrid Cells (AREA)
Abstract
公开了光电池,所述光电池包括:能够吸收电磁辐射的吸收剂;包括第一导电表面的第一基底;包括第二导电表面的第二基底,第二导电表面和第一导电表面相对,并且面对着第一基底的第一导电表面;电子传送剂,它和第二基底的第二导电表面进行电传递,但是和第一基底是电绝缘的;空穴传送剂,它和第一基底的第一导电表面进行电传递,但是和第二基底是电绝缘的;其中空穴传送剂和/或电子传送剂化学键合到电绝缘壳层上,并且空穴传送剂和/或电子传送剂化学键合到吸收剂上。
Description
发明的背景
本公开涉及分子光电系统、其制造方法以及由它们制得的制品。
光电系统包括将光转化为电的各种应用,公知的光电系统是“太阳能电池”,其名称就是指它能够将太阳光转化为电,光电系统产生的电能与其它的发电系统相比有许多优点,所述的优点是低的操作成本、高的可靠性、模件性、低的建设成本和环境利益。
太阳能电池通过利用存在于半导体结中的光电效应将光转化为电,因此太阳能电池通常包括产生电流的半导体层,半导体层吸收进来的光产生激发电子,除了半导体层以外,太阳能电池通常包括玻璃罩或其它密封剂、抗反射层、允许电子进入回路的前接触基底以及当由于暴露于光激发的电子射入半导体层时使电子完成回路的后接触基底。
近年来在开发有机和无机-有机混合太阳能电池方面有很大进步,这种类型的太阳能电池的优点是制造成本相对低,一种低成本的太阳能电池是染料敏化的太阳能电池。染料敏化的太阳能电池通常使用有机染料吸收进来的光线产生激发电子,染料敏化的太阳能电池通常包括以夹层结构排列的两个平面的导电基底,涂覆了染料的半导体膜分开两个基底,半导体膜是多孔的,具有足够的表面积,因此能够使足够的染料在其表面贴附形成分子单层,有利于有效地吸收光线。半导体膜(其作用像海绵)中基底和孔度之间的其余空间用含有氧化/还原对如三碘化物/碘化物的有机电解质溶液填充。
但是染料敏化的膜存在某些技术缺陷,其一是大的迁移距离产生电子的实质性的重新结合或逆反应,这是由于光产生的电子必须以“随机走动”的方式通过半导体膜迁移,通过膜的临近颗粒达到一个基底。当射入空穴传送剂的空穴接触已经射入空穴传送剂的电子时会发生逆反应,当已经从染料射出的电子和氧化的吸收剂再结合时会发生再结合反应。
而且通过射出电子形成的氧化的染料通常通过来自光电池的还原物种的电子转移被还原,还原物种通常存在于电解质中,又会转变为电解质中的氧化物种(在放弃电子以后)。氧化物种必须通过相同长且曲折的扩散路径迁移到对面的基底,氧化物种通过接收来自基底的电子被还原,由此完成电流回路。
在电子向基底随机走动期间,电子可能移动很长的距离,而且由于和电解质溶液的成分结合电子会损失,这被称为“再结合”。在阳光照射的情况下,半导体中的电子密度可能会很高,以至上述损失严重地降低了最高电压,因此降低了太阳能电池的效率。减少电子迁移距离的一个技术措施是减少半导体膜的厚度,因此可以减少电子移动达到基底的距离,但不利的是减少半导体膜的厚度会由于减少染料的涂覆量而减少光的吸收,因此降低了太阳能电池的效率。
目前的染料敏化的太阳能电池的另一技术缺陷是由随机掺入的纳米颗粒组成的TiO2膜的低的导电性,TiO2膜通常在太阳能电池中作为电子传送剂,另外在太阳能电池(光电电池)中很难将TiO2电子传送剂的内表面面积最大化,以便大量涂覆染料。
通过缩短电子迁移路径和由此减少电子扩散到基底的时间,同时在同样时间减少空穴到另一基底的转移距离来减少再结合或逆反应是有利的,因此希望开发减少电荷转移距离和降低或防止再结合或逆反应的太阳能电池或光电池,并且希望能够容易地大量生产。
发明概述
本发明公开的光电池包括:能够吸收电磁辐射吸收剂;包括第一导电表面的第一基底;包括第二导电表面的第二基底,第二导电表面和第一导电表面相对,并且面对着第一基底的第一导电表面;电子传送剂,它和第二基底的第二导电表面进行电传递,但是和第一基底是电绝缘的;空穴传送剂,它和第一基底的第一导电表面进行电传递,但是和第二基底是绝缘的,其中空穴传送剂和/或电子传送剂化学键合到电绝缘壳层上,并且空穴传送剂和/或电子传送剂化学键合到吸收剂上。
本发明公开的光电池包括:包括第一模型化的导电表面的第一基底;包括第二模型化的导电表面的第二基底,第二导电表面和第一导电表面相对,并且面对着第一基底的第一导电表面;电子传送剂,它和第二基底的第二导电表面进行电传递,但是和第一基底是电绝缘的;空穴传送剂,它和第一基底的第一导电表面进行电传递,但是和第二基底是绝缘的;以及位于电子传送剂和空穴传送剂之间的吸收剂,其中的吸收剂能够吸收电磁辐射。
本发明公开的光电池包括:包括能够将电子传送到第二基底的第一固有导电聚合物的圆柱体;能够将导电空穴传送到第一基底的基体,其中基体是光学透明的,并且围绕着圆柱体,但是不和它电连通;位于圆柱体和基体之间并且与圆柱体和基体紧密接触的壳层,其中壳层包括电绝缘分子,并且至少为单层厚;化学键合到第一固有导电聚合物上的吸收剂,并且以能够和圆柱体电连通的方式处于圆柱体和基体之间,但是对基体是电绝缘的;并且其中吸收剂能够吸收波长约300到约1100波长的电磁辐射,以及其中的第一基底和第二基底彼此之间电连通的。
本发明公开的光电组合物包括:非强制地与电绝缘分子键合的电子传送分子、非强制地与电绝缘分子键合的空穴传送分子、能够吸收电磁辐射的吸收剂,其中吸收剂化学键合到电子传送分子和空穴传送分子。
本发明还公开了制造光电池的方法,包括:混合含有能够吸收电磁辐射的吸收剂、电子传送剂和/或空穴传送剂以及电绝缘分子的组合物,并且在基底上沉积所述的组合物。
附图的简要说明
图1是光电池的一个实施方案的图解描述,其中电磁能入射到结合到电子传送剂和空穴传送剂的吸收分子上,转变为电能。
图2是光电池的一个实施方案的图解描述,其中电子传送剂和空穴传送剂形成互相贯通的结构。
图3是光电池的一个实施方案的图解描述,其中自装配的方法促进了电子传送剂和空穴传送剂的相分离,分离为至少具有一个分子数量级尺寸的多个相。
图4是光电池的一个实施方案的图解描述,其中电子传送聚合物的端基基团被设计成结合每个基底,并且其中的电子传送聚合物被包封为纤维形式。
发明的详细说明
应该注意本发明使用的术语“第一”,“第二”等不是指任何顺序或并不重要,而是用于元件之间彼此区别;术语“一”和“一个”不是限制数量,而宁愿指示至少一个相关元件的存在,而且本发明公开的所有范围包括边界点并且是可独立结合的。
参照图1中的示例性的实施方案,光电池10至少包括一对叉指式指状物12和14,它们分别包括空穴传送剂和电子传送剂,电绝缘壳层16和空穴传送指状物12及电子传送指状物14彼此绝缘。吸收剂18化学键合到电子传送指状物和空穴传送指状物,两个基底和任何一个叉指式指状物进行电传递,每个基底至少有一个和叉指式指状进行电传递的导电表面,基底的导电表面作为电极。第一基底20包括和空穴传送指状物12进行电传递的第一表面,而第二基底22包括和电子传送指状物14进行电传递的第二表面,每个基底的第一和第二表面彼此相对并且面对面,空穴传送指状物12及电子传送指状物14,电绝缘壳层16和吸收分子18处于第一基底20的第一表面和第二基底22的第二表面之间。
在一个实施方案中,空穴传送指状物12、电子传送指状物14和/或电绝缘壳层16至少有分子大小的一个尺寸。通过使用分子尺寸的电绝缘壳层及空穴传送剂和电子传送指状物,电子的重新结合和逆反应可以降低,因此提高了光电池的效率。另外通过自装配制造的光电池是随机或有序的纳米结构,自装配提供了高的内表面及最小的电荷传递距离以及最小的结合或逆反应。
在一个实施方案中,光电池通过自装配光电池组合物而形成。光电池组合物包括电子传送剂、空穴传送剂和吸收剂,它们全都彼此化学键合。在另一实施方案中,光电池组合物包括电子传送剂、空穴传送剂、绝缘分子和吸收剂,它们全都彼此化学键合。光电池组合物自装配成叉指式指状物,然后形成光电池。
叉指式指状物12和14包括:包括电子传送剂或空穴传送剂交替的相,包括电子传送剂的相通过电绝缘壳层16与包括空穴传送剂的相分离。两个叉指式指状物都有第一端点和第二端点,仅仅任何叉指式指状物的一个端点(第一端点或第二端点)在任何给定时间与基底的导电表面进行电传递。例如当包括电子传送剂的叉指式指状物的第一端点和第二基底进行电传递时,第二端点和第一基底是电绝缘的。类似地在同一时间,当包括空穴传送剂的叉指式指状物的第一端点和第一基底进行电传递时,第二端点和第二基底是电绝缘的。在一个实施方案中,叉指式指状物能够化学键合到基底上,在另一实施方案中,叉指式指状物处于基底上,没有和它们化学键合。
叉指式指状物可以形成有序的或随机的结构,随机结构的实例包括互相贯通的结构,例如互相贯通的网、双连续的结构等,或包括至少一个上述结构的组合;随机结构的实例包括薄片结构、层结构、封闭的填充结构等,或包括至少一个上述结构的组合。
图2表示包括电子传送剂和空穴传送剂形成互相贯通结构的叉指式指状物。在图2中电子传送指状物14和第二基底22进行电传递,而空穴传送指状物12和第一基底20进行电传递;电子传送指状物14不和第一基底20进行电传递,而空穴传送指状物12不和第二基底22进行电传递。电子传送指状物14和/或空穴传送指状物12和壳层16是电绝缘的。吸收剂18化学键合到电子传送指状物14和/或空穴传送指状物12,吸收剂通常化学键合到电子传送剂和空穴传送剂。
再参照图1的光电池10,当光冲击吸收剂分子18时,它吸收短波或长波红外辐射,并且射出电子。如图1所示,电子射入到电子传送指状物14,并且迁移到第二基底22;同时空穴射入到空穴传送指状物12,并且迁移到第一基底20。然后电子通过外电路24迁移,并且和空穴再结合产生电流。外电路24与和基底进行电传递的元件有关,但是所述元件不和光电池的内部成分进行电传递,这些成分例如是吸收剂分子、电子和空穴传送剂、绝缘分子、电荷分离剂或掺杂物。
在图3的光电池10的另一实施方案中,叉指式指状物(例如空穴传送指状物12或电子传送指状物14)的第一端点和第一基底20和/或第二基底22接触,而第二端点(它对着第一端点)通过自装配单层阻止与基底进行电传递。如图3所示,空穴传送指状物12有处在绝缘自装配单层28(SAM)的第一端点26,自装配单层28排列在二基底22的第二表面上,并且和它紧密接触,空穴传送指状物12的第二端点30处于第一端点26的对面,第二端点30排列在第一基底20的第一表面上,并且和它进行电传递。
以类似的方式,电子传送指状物14具有和第二基底22的第二表面进行电传递的第一端点32,第一端点34有自装配单层36,防止电子传送指状物14和第一基底20进行电传递,自装配单层26和36通常是电绝缘的,第一基底20和/或第二基底22的导电表面可以从导电纳米金属线制造。在另一实施方案中,自装配单层可以在第一基底20和第二基底22上化学键合到纳米金属线。在另一实施方案中,第一基底和第二基底的第一和第二导电表面可以从导电金属、半导体或固有的导电聚合物制造。
在如图4的另一实施方案中,光电池10包括至少一个互相贯通的纤维形式的相,如图4所示,电子传送指状物14由纤维形成,纤维包括活性基团38,它以共价键结合到第二基底22上,化学基团38促进了将指状物14定位在第二基底22上。光电池的这些基底因为第一基底20或第二基底22,或者它们两者是被模型化而存在,以便仅仅能够接触化学键合到电子传送剂或空穴传送剂上的化学基团38。作为这种模型化的结果,第一批选择反应出现在电子传送剂和第二基底之间,而第二批选择反应可能出现在空穴传送剂和第一基底之间。这些选择反应允许纤维上所需的位点和一个基底上所需的位点之间接触,而阻止纤维的其余位点和对面的基底上的位点接触。
如上所述光电池有利地通过光电组合物的自装配形成。光电组合物有利地包括利用过程的分子,包括自装配-自装配到具有几何形状的层中,并且其厚度有效地足以吸收光线,同时将激发子传递的距离缩短到小于或等于约100纳米(nm),并且促进了电荷转移。自装配过程产生相分离,产生至少一个叉指式指状物。叉指式指状物有大于或等于约1的形状比例,并且沿着其表面的任何点和另一指状物直接或间接地有实实在在的接触。直接的接触是其中一个叉指式指状物沿着其表面的任何点实实在在地接触另一叉指式指状物。例如电子传送指状物可以在空穴传送指状物表面上的任何点直接接触空穴传送指状物;间接接触是其中一个叉指式指状物接触另一物质或层,其中物质或层和另一叉指式指状物接触,例如电子传送指状物可以通过电绝缘壳层间接地接触空穴传送指状物。
在一个实施方案中,叉指式指状物包括交替的相,后者包括电子传送剂或空穴传送剂。叉指式指状物通常有大于其它尺寸的长度,叉指式指状物可以有具有任何几何形状的横截面的面积。在一个实施方案中,叉指式指状物有具有长方形和/或方形的横截面的面积,并且指状物以层的形式被排列。这种层通常是所谓的薄片。在另一实施方案中,至少一个叉指式指状物有园形的截面。在这种情况下自装配过程可以产生包括封闭填充的圆柱体的排列,圆柱体的叉指式指状物被基体围绕。假如圆柱体指状物包括电子传送剂,则基体包括空穴传送剂,或者相反。叉指式指状物的一个合适的截面的几何形状是三角形、多边形、管形(同轴回路)等,或者至少是上述之一的组合。
如上所述,叉指式指状物至少有一个分子尺寸,通过减少相对于分子尺寸的相的大小,提高了光电池的效率,减少了电子与外回路24外的空穴的再结合或逆反应,对于空穴传送指状物或电子传送指状物来说,希望有至少有一个大于或等于约2纳米的尺寸。在一个实施方案中,对于空穴传送指状物或电子传送指状物来说,希望有至少一个大于或等于约3纳米的尺寸。在另一实施方案中,对于空穴传送指状物或电子传送指状物,希望有至少一个大于或等于约5纳米的尺寸。对于空穴传送指状物或电子传送指状物,通常希望有至少一个小于或等于约100纳米的尺寸。在一个实施方案中,对于空穴传送指状物或电子传送剂指状物,通常希望有至少一个小于或等于约75纳米的尺寸。在另一实施方案中,对于空穴传送指状物或电子传送剂指状物,通常希望有至少一个小于或等于约50纳米的尺寸。
光电池组合物包括吸收剂,后者化学键合到电子传送剂和/或空穴传送剂,吸收剂可以是极化的分子,即它能够从任何波长的电磁波谱中吸收电磁能,并且射出电子。射出的电子迁移到电子传送剂。化学键合可以是共价键结合、离子键结合、氢键结合或任何其它形式的结合。吸收剂包括吸收分子和电荷隔离剂。电荷隔离剂的作用是减少电子从电子传送剂到吸收剂返回的速度。
电荷隔离剂是键合到吸收剂的分子部分,有以下特征:电荷隔离剂是还原剂,在吸收剂射出电子进入到电子传送剂以后,它能够将电子提供给氧化的吸收剂,因此电荷隔离剂的最高占有轨道(HOMO)的能量比吸收剂的HOMO更高,高出约100毫电子伏特(meV)或更高。电荷隔离剂能够迅速传递电子,致使氧化的染料分子没有时间和电子传送剂中的电子再结合,在电子从电荷隔离剂转移到吸收剂以后,电荷隔离剂处于氧化状态,该氧化状态能够从空穴传送剂的还原剂中接受电子,其速度比可能发生的其它反应快。为了从空穴传送剂接收电子,电荷隔离剂的HOMO必须比空穴传送剂的HOMO能量低,换句话说,电荷隔离剂的还原潜能可能比空穴传送剂的更大,在某些情况下约为100meV或更大。
在一个实施方案中,吸收分子在吸收全部电磁辐射谱以后可以发射电子。在另一实施方案中,吸收分子包括化学键合于吸收长波红外的分子的低波长红外吸收分子,低波长红外吸收分子吸收波长约300纳米到约700纳米的辐射,而长波长吸收分子吸收约700到约1100波长的辐射。
吸收分子和电子传送剂及空穴传送剂在化学上不相容是理想的,这样从溶液铸出或从熔化状态冷却时,吸收分子从与电子传送剂及空穴传送剂相同的相被排除出来。对于自装配吸收分子处于包括电子传送剂或空穴传送剂的相的外表面是理想的,这样可以促进长波或短波波长的红外辐射的吸收,对于短波波长和长波波长的吸收分子彼此在化学上相容,使得它们能够共同存在于单一相中是理想的。
吸收分子由于吸收能量能够射出电子,理想的是吸收分子能够迅速地将电子和空穴射出,吸收分子应该能够防止或减少在外电路24外的再结合或逆反应。另外吸收电子应该能够减少任何副反应。
吸收分子可以是有机物、无机-有机物、金属有机物。在一个实施方案中,吸收分子可以是有机物、无机-有机物、金属有机物、无机纳米物(如光量子,由传统无机半导体得到的纳米颗粒,例如硅氧烷、钙碲化物(CdTe)、砷化镓(GaAs))等。有机吸收分子可以是染料或颜料。能够用于吸收红外辐射的合适的染料的实例是蒽酮及其衍生物,蒽醌及其衍生物,克酮酸(croconines)及其衍生物,单偶氮,二偶氮,三偶氮及其衍生物,例如有三苯基胺结构的偶氮颜料,有咔唑结构的偶氮颜料,有芴结构的偶氮颜料,有噁二唑结构的偶氮颜料,有双芪结构的偶氮颜料,有二苯并噻吩结构的偶氮颜料,有二苯乙烯基苯结构的偶氮颜料,有二苯乙烯基咔唑结构的偶氮颜料,有二苯乙烯基噁二唑结构的偶氮颜料,有芪结构的偶氮颜料,有咔唑结构的三偶氮颜料,有蒽酮结构的偶氮颜料,有二苯基多烯结构的二偶氮颜料;苯并咪唑酮及其衍生物;二酮吡咯及其衍生物,二噁嗪及其衍生物,二芳基化物及其衍生物,阴丹酮及其衍生物;异吲哚啉及其衍生物,异吲哚啉酮及其衍生物,萘酚及其衍生物,苝及其衍生物,苝酮及其衍生物如苝酸酐,苝酸酰亚胺;ansanthrones及其衍生物;二苯并芘醌酮及其衍生物,皮蒽酮染料及其衍生物,bioranthorones及其衍生物,异bioranthorones及其衍生物,二苯基甲烷和三苯基甲烷类型的颜料,花箐和二氮甲碱类型的颜料,靛篮类型的颜料,二苯并咪唑类型的颜料,奥盐(azulenium),吡喃鎓盐,硫杂吡喃鎓盐,苯并吡喃鎓盐,酞箐及其衍生物,pryanthorones及其衍生物,喹吖啶酮及其衍生物,quinophthalones及其衍生物,squaraines及其衍生物,squarilyiums及其衍生物等,或至少上述一种染料的结合。
能够吸收红外辐射的合适的有机金属络合物的实例是结晶钛氧基酞箐,铜酞箐,铝酞箐,锌酞箐,α型,β型或Y型氧钛酞箐,镍酞箐,铅酞箐,钯酞箐,钴酞箐,羟基镓酞箐,铬酞箐,铬铟酞箐等,或至少一种上述络合物的结合。
理想的是上述吸收分子具有官能团,通过官能团它能够反应和结合到电子传送剂或空穴传送剂,吸收分子在吸收分子和空穴传送剂之间有隔离剂是理想的。因为射出的电子能够直接迁移到氧化的吸收分子(它表示为电子传送剂表面的一个空穴),理想的是吸收分子有化学键合到吸收分子上的电荷隔离剂,以便防止电子和氧化吸收剂直接再结合。吸收分子也可以化学键合到电绝缘分子上,以便减少不希望的电子转移,如和空穴传送剂直接反应。绝缘分子防止和/或减少电子和所需电路外的空穴的再结合,形成绝缘壳层16的绝缘分子防止电子和电路外的空穴的再结合。
如上所述,理想的是电荷隔离剂促进电子比出现电子和氧化吸收剂再结合更迅速地从空穴传送剂流动到吸收剂。电荷隔离剂可以包括电子给予体部分,合适的隔离剂的实例包括取代的酚噻嗪部分,取代的咔唑部分,取代的二苯并苯基烯丙酰苯(chalcophene)部分,取代的三芳基胺,噻吩等。
如上所述,电绝缘分子可以化学键合到吸收分子和/或电子传送剂和/或空穴传送剂,以便减少或防止电子和空穴再结合。这些电绝缘分子通常包括单体,二聚体,三聚体,齐聚物和/或没有共轭骨架的聚合物,因此它们没有固有的电导性能。在一个实施方案中,这些电绝缘分子可以是热塑性聚合物或热固性聚合物,热塑性聚合物包括树枝状的聚合物、离子聚合物、共聚物如嵌段共聚物、接枝共聚物、随机共聚物、星型嵌段共聚物等。单体和/或齐聚物对于作为绝缘分子是理想的,电绝缘分子形成电绝缘的壳层,它减少了空穴传送剂和电子传送剂之间的电传递。绝缘壳层包括部分单层、单层或多层体系。合适的电绝缘分子的实例是非导电无机化合物、无机化合物、非共轭单体、非导电齐聚物和聚合物等。或者至少上述一种电绝缘分子的组合。电绝缘分子可以形成纳米结构如纳米颗粒、纳米薄片、纳米棒等。
可以用作绝缘分子的合适的齐聚物和/或聚合物的实例是聚缩醛,聚脲烷,聚烯烃,聚丙烯酸,聚碳酸酯,聚烷(polyalkyds),聚苯乙烯,聚酯,聚酰胺,聚芳酰胺,聚酰胺亚胺,聚芳基化合物,聚芳砜,聚醚砜,聚苯硫醚,聚砜,聚酰亚胺,聚醚酰亚胺,聚四氟乙烯,聚醚酮,聚醚醚酮,聚醚酮酮,聚苯并噁唑,聚噁二唑,聚苯并噻唑噻嗪,聚苯并噻唑,聚哌嗪喹喔啉,聚苯四酸酰亚胺,聚喹喔啉,聚苯并咪唑,聚羟吲哚,聚氧异吲哚啉,聚二氧异吲哚啉,聚三嗪,聚哒嗪,聚哌嗪,聚吡啶,聚哌啶,聚三唑,聚吡唑,聚碳硼烷,聚氧杂双环壬烷,聚二苯并呋喃,聚酞,聚缩醛,聚酸酐,聚乙烯基醚,聚乙烯基硫醚,聚乙烯醇,聚乙烯酮,聚卤乙烯,聚乙烯基腈,聚乙烯基酯,聚磺酸酯,聚硫醚,聚硫酯,聚砜,聚砜酰胺,聚脲,聚磷腈,聚硅氮烷,或至少上述一种有机聚合物的结合。用于制备这些聚合物的单体也用于制备电绝缘壳层。电绝缘纳米颗粒也用于电绝缘壳层。
如上所述,用作制备上述聚合物的单体也可以用于绝缘分子。形成绝缘壳层16的绝缘分子在自装配期间和/或之后处于电子传送指状物14上通常是理想的。壳层紧密和电子传送剂16接触,并且防止或减少电子和外电路24外的空穴再结合,理想的是绝缘壳层厚度大于或等于约0.2纳米;在一个实施方案中,绝缘壳层厚度大于或等于约0.4纳米是理想的;在另一实施方案中,绝缘壳层厚度大于或等于约1.0纳米是理想的。
空穴传送指状物或空穴传送剂基体12包括提供高空穴迁移性的空穴传送剂。在一个实施方案中,理想的是填充空隙的透明的空穴传送剂作为液体是可加工的,但是在光电池操作条件下可以转化为固体状态。另外理想的是空穴传送剂是透明的,可以透过波长约300-1100纳米的光;在一个实施方案中,空穴传送剂对光的投射比大于或等于约10%;在另一实施方案中,空穴传送剂对光的投射比大于或等于约20%;在另一实施方案中,空穴传送剂对光的投射比大于或等于约40%。
理想的是空穴传送剂有最高占有分子轨道(HOMO)能量水平,它紧密地和吸收剂的HOMO匹配,以便促进吸收剂和空穴传送剂之间空穴的传递。
合适的空穴传送剂用以下结构(I)-(VIII)表示:
其中R是氢或烷基,合适的烷基是甲基。
和
其中R是氢和/或烷基,合适的烷基是甲基。
合适的空穴传送剂的另一实例包括腙化合物,苯乙烯基化合物,二胺化合物,芳香叔胺化合物,丁二烯化合物,吲哚化合物,咔唑衍生物,三唑衍生物,咪唑衍生物,有氨基的噁唑衍生物等,或者是至少一种上述物质的结合。
合适的空穴传送剂的其它实例是三苯基甲烷,双(4-二乙基胺-2-甲基苯基)苯基甲烷,芪,腙,芳香胺,包括三(甲苯基)胺,芳基胺,烯胺,菲二胺,N,N’-双-(3,4-二甲基苯基)-4-联苯胺;N,N’-双-(4-甲基苯基)-N,N’-双(4-乙基苯基)-1,1’-3,3’-二甲基联苯基)-4,4’-二胺;4,4’-双(二乙基氨基)-2,2’-二甲基三苯基甲烷;N,N’-二苯基-N,N’-双-(3-甲基苯基)-[1,1’-联苯基]-4,4’二胺;N,N’-二苯基-N,N’-双-(4-甲基苯基)-1,1’-联苯基-4,4’二胺;N,N’-二苯基-N,N’-双-(烷基苯基)-1,1’-联苯基-4,4’二胺和N,N’-二苯基-N,N’-双-(氯苯基)-1,1’-联苯基-4,4’二胺;1,1’-双(4-二-对-甲苯基氨基苯基)环己烷;1,1’-双(4-二-(对-甲苯基)氨基苯基)-4-苯基环己烷;4,4’-双(二苯基氨基)四联苯基;双(4-二甲基氨基-2-甲基苯基)-苯基甲烷;N,N,N-三(对-甲苯基)胺;4-(二-(对-甲苯基)氨基)-4’-[4(二-(对-甲苯基)氨基)-苯乙烯基]芪;N,N,N’,N’-四-对-甲苯基-4,4’二氨基联苯基;N,N,N’,N’-四苯基-4,4’-二氨基联苯基;N,N,N’,N’-四-1-萘基-4,4’二氨基联苯基;N,N,N’,N’-四-2-萘基-4,4’二氨基联苯基;N-苯基咔唑;4,4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯基;4,4’-双[N-(1-萘基)-N-(2-萘基)-氨基]联苯基;4,4”-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]对-三联苯基;4,4’-双[N-(2-萘基)-N-苯基氨基]联苯基;4,4’-双[N-(3-苊基)-N-苯基氨基]联苯基;1,5-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]萘;4,4’-双[N-(9-蒽基)-N-苯基氨基]联苯基;4,4”-双[N-(1-蒽基)-N-苯基氨基]-对-三联苯基;4,4’-双[N-(2-菲基)-N-苯基氨基]联苯基;4,4’-双[N-(8-荧蒽基)-N-苯基氨基]联苯基;4,4’-双[N-(2-芘基)-N-苯基氨基]联苯基;4,4’-双[N-(2-并四苯)-N-苯基氨基]联苯基;4,4’-双[N-(2-苝基)-N-苯基氨基]联苯基;4,4’-双[N-(1-蔻基)-N-苯基氨基]联苯基;2,6-双(二-对-甲苯基氨基)萘;2,6-双[二(1-萘基)氨基]萘;2,6-双[N-(1-萘基)-N-(2-萘基)氨基]萘;N,N,N’N’-四(2-萘基)-4,4’-二氨基-对-三联苯基;4,4’-双{N-苯基-N-[4-(1-苯基)-苯基]氨基}联苯基;4,4’-双[N-苯基-N-(2-芘基)-氨基]联苯基;2,6-双[N,N-双(2-萘基)氨基]氟;1,5-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]萘等,或至少一个上述化合物的组合。
空穴传送剂可以是固有的导电的聚合物,合适的固有导电聚合物的实例是聚乙炔及其衍生物,聚噻吩及其衍生物,聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)和聚(3,4-亚乙基二硫基噻吩)及其衍生物,聚(异硫茚),聚(吡啶并噻吩),聚(吡嗪并噻吩)及其衍生物,聚(吡咯)及其衍生物,聚(3,4-亚乙基二氧基吡咯)及其衍生物,聚(苯胺)及其衍生物,聚(亚苯基亚乙烯)及其衍生物,聚(对-亚苯基)及其衍生物,聚(硫茚),聚(苯并呋喃),聚(吲哚)及其衍生物,聚(二苯并噻吩),聚(二苯并呋喃),聚(咔唑)及其衍生物,聚(联噻吩),聚(联呋喃),聚(联吡咯)及其衍生物,聚(噻吩并噻吩),聚(噻吩并呋喃),聚(噻吩并吡咯),聚(呋喃并吡咯),聚(呋喃并呋喃),聚(吡咯并吡咯)及其衍生物,聚(三联噻吩),聚(三联呋喃),聚(三联吡咯)及其衍生物,聚(二噻吩并噻吩),聚(二吡咯并呋喃),聚(二吡咯并吡咯)及其衍生物,聚(苯乙炔)及其衍生物,聚(联吲哚)及其衍生物,聚(二噻吩亚乙烯基),聚(二呋喃基亚乙烯基),聚(二吡咯基亚乙烯基)及其衍生物,聚(1,2-反(3,4-亚乙基二氧基噻吩基)亚乙烯),聚(1,2-反(3,4-亚乙基二氧基呋喃基)亚乙烯基),聚(1,2-反(3,4-亚乙基二氧基吡咯基)亚乙烯基)及其衍生物,聚(双-噻吩基亚芳基)和聚(双吡咯基亚芳基)及其衍生物,聚(二噻吩基环戊烯酮),聚(喹啉),聚(噻唑),聚(芴),聚(薁)等,或者至少一种上述固有导电聚合物的结合。
空穴传送剂也可以是离子液体或电解质,能够用作空穴传送剂的离子液体的合适的实例是甲基丙基咪唑鎓三氟甲磺酸盐,甲基丙基咪唑鎓双三氟甲磺酸盐,甲基丙基咪唑鎓壬基甲磺酸盐(nanoflate),甲基丙基咪唑鎓乙醚磺酸盐,甲基丙基咪唑鎓碘化物,甲基丙基咪唑鎓三碘化物,甲基丙基咪唑鎓拟卤化物(pseohallides),和磷鎓阴离子形成的金属络合物等,或者至少一种上述空穴传送剂的组合。
电子传送剂通常和空穴传送剂有相同的一般性质,即能够容纳或转移电荷。理想的是电子传送剂有最低未占有分子轨道(LUMO)的能量水平,能够紧密地和吸收剂的LUMO匹配,因此能够促进电子在吸收剂和电子传送剂之间传送。
在一个实施方案中,电子传送剂包括纳米结构如纳米金属丝、纳米棒、纳米薄片,包括金属、半导体、固有导电聚合物,或至少一种上述物质的组合。电子传送剂的实例是氧化钛纳米金属丝,它含有吸收剂和/或化学键合到其外表面上的绝缘分子。在另一实施方案中,纳米金属丝可以调整为一束,以便形成电子传送指状物。
合适的电子传送剂的实例是络合物,如反-8-羟基喹啉铝(AlQ3),氰基-多亚苯基亚乙烯基(CN-PPV),齐聚物,聚合物和其它含有缺电子杂环部分的分子物种,如2,5-二芳基噁二唑,二芳基噻唑,二芳基三唑,三嗪,吡啶,喹啉,苯并噁唑,苯并噻唑等。其它电子传送剂的实例是特殊官能化的富勒烯(例如6,6-苯基C61丁基酸-甲酯),二氟乙烯基-(杂)亚芳基,3-(1,1-二氟烷基)噻吩基团,并五苯,聚(3-己基噻吩),α,ω-取代的六噻吩,正-十五氟庚基甲基萘-1,4,5,8-四羧酸二酰亚胺,二己基-五噻吩,聚(3-己基噻吩),聚(3-烷基噻吩),二己基六噻吩,二己基蒽二噻吩,酞腈,C60富勒烯等,或者至少一种上述电子传送剂的组合。
合适的电子传送剂的实例(不是空穴嵌段物)是以下结构(IX)-(XIII):
理想的是电子传送指状物和/或空穴传送指状物有大于或等于约2平方米/克(m2/gm)的表面积;在一个实施方案中,电子传送指状物和/或空穴传送指状物有大于或等于约10平方米/克(m2/gm)的表面积;在另一实施方案中,电子传送指状物和/或空穴传送指状物有大于或等于约20平方米/克(m2/gm)的表面积;在另一实施方案中,电子传送指状物和/或空穴传送指状物有大于或等于约50平方米/克(m2/gm)的表面积;在另一实施方案中,电子传送指状物和/或空穴传送指状物有大于或等于约100平方米/克(m2/gm)的表面积。
光电池的第一和第二基底的导电表面可以包括导电材料,理想的是基底可以透过电磁波谱的光,理想的是可以透过约300-1100纳米波长的光。基底的导电表面通常能够被模型化,以便选择性地和电子传送剂或空穴传送剂化学键合。模型化通过使用模板、掩模、化学方法如疏水-亲水相互作用、电场、磁场方法完成。模型化通常允许基底与电子传送剂或空穴传送剂之一但不是两者化学键合。在一个实施方案中,电子传送剂包括仅仅允许和第二基底化学键合的活性基团;在另一实施方案中,空穴传送剂包括仅仅允许和第二基底化学键合的活性基团,如果需要,导电表面可以包括单层或多层。
可以用于基底的合适的导电材料是金属、半导体、固有导电聚合物等,或者至少一种上述材料的结合。金属的实例是白金、银、铜或金的薄膜,或者至少一种上述金属薄膜的结合。合适的半导体的实例是导电金属氧化物,如铟锡氧化物、涂铟的氧化锡等,或者至少一种上述半导体的结合。固有导电氧化物的实例已经在上述电子传送剂和空穴传送剂的实施方案中详细记载了。
能够用于基底表面的导电或半导体材料也可以是纳米结构形式的,例如纳米金属丝、纳米薄膜、纳米棒等。导电纳米薄膜可以沉积在基底上形成导电表面。沉积纳米薄膜使用的方法是扩展热等离子体(EYP),离子电镀,等离子体增强化学蒸汽沉积(PECVD),金属有机化学蒸汽沉积(MOCVD)(也称为有机金属化学蒸汽沉积,MOCVD)),金属有机相外延(MOVPE),物理蒸汽沉积方法如喷镀,反应电子束(e-beam)沉积和等离子体喷雾。如上所述,模板,掩模等在上述过程中能够用于模型化的导电表面。
纳米金属丝是实心或中空的,并且能够用于制造导电表面。使用纳米金属丝作为导电表面可以促进由于颗粒边界引起的电阻降低。在一个实施方案中,纳米金属丝导电是理想的。在另一实施方案中,纳米金属丝是半导电的。纳米金属丝可以包括金属和导电金属氧化物,纳米金属丝在表面可以有活性分子,以便选择性地化学键合电子传送剂或空穴传送剂。在一个实施方案中,纳米金属丝直径为约2-200纳米;在另一实施方案中,纳米金属丝直径为约5-50纳米;在另一实施方案中,纳米金属丝直径为约10-30纳米。
在一个实施方案中,制造光电池的一个方法是将吸收分子和固有导电聚合物、电荷隔离剂化学键合,形成光电池组合物。在另一实施方案中,制造光电池的一个方法是将吸收分子和固有导电聚合物、绝缘分子及电荷隔离剂化学键合,形成光电池组合物。然后将组合物溶解在合适的溶剂中,从溶剂中铸型。另外可以将组合物熔融混合,然后进行挤压或滚磨,铸型或滚磨以后组合物开始自装配过程。自装配通过使用模板、掩模、电场、磁场、切变场、特定的化学相互作用如疏水-亲水相互作用的方法进行。
自装配方法促进电子传送剂和空穴传送剂进行相分离为具有几何形状和有效厚度的相,允许吸收剂有效地吸收光。理想的是,作为电子传送剂的相是圆柱体形式,并且以类似某些嵌段共聚物的方式被压紧。在一个实施方案中,圆柱体主要包括作为电子传送剂的固有聚合物,而基体基本上包括作为空穴传送剂的固有导电聚合物;在另一实施方案中,圆柱体包括作为空穴传送剂的导电聚合物,而基体包括作为电子传送剂的固有导电聚合物。
圆柱体有大于或等于约2的纵横比是理想的,在一个实施方案中,纵横比大于或等于约5,在另一实施方案中,纵横比大于或等于约10。当相是圆柱体时,圆柱体有大于或等于约1微米的长度是理想的,在一个实施方案中,圆柱体的长度大于或等于约10微米,在另一实施方案中,圆柱体的长度大于或等于约50微米。圆柱体的直径大于或等于约2纳米是理想的,在一个实施方案中,圆柱体的直径大于或等于约5纳米,在另一实施方案中,圆柱体的直径大于或等于约10纳米。
在一个实施方案中,自装配以后可以将用于提供电子传送剂和/空穴传送剂的材料交联,以便有利于电荷的传递。交联将在每一层或使圆柱体中的电子传送剂嵌段物熔合到单一的电子传送剂分子的路径中,因此能够改进传送,并且能够机械地稳定其完整性,提供牢固的结构。
在一个图3中的涉及光电池10的另一实施方案中,制造光电池的另一方法是自装配方法,包括将电子导电聚合物纳纤维束的自-聚集体移动到空穴传送剂中,为此使用两种类型的电子传送聚合物。第一种电子传送聚合物没有外壳层,第二种电子传送聚合物化学键合到吸收分子,并且有外壳层。吸收分子和在第二电子传送聚合物上的壳层不覆盖第二电子传送聚合物的整个表面,剩余的一部分聚合物是没有壳层的。假如需要,两种形式的没有壳层的表面可以彼此作用结合。例如这可以通过将两者的氢结合到所述电子传送剂聚合表面的给体和受体基团来完成。当两种形式在疏水离子液体中被加热时,它们会同时形成纳米直径的纤维,它在核心中含有无壳层的聚合物和在纤维的外部有壳层的聚合物。如上所述电子传送剂聚合物和空穴传送剂聚合物的端基基团被设计为结合到各自的基底上,通过交联溶解的空穴传送剂聚合物,离子液体在装配以后能够被固化。
在关于制造光电池的另一实施方案中,电子传送剂嵌段物由假核心-壳层结构组成,其中核心和壳层分别构成电子传送剂和电绝缘壳层材料。空穴传送嵌段物也由假核心-壳层结构组成,其中核心和壳层分别构成空穴传送剂和电绝缘壳层材料。核心-壳层嵌段共聚物和光吸收材料混合,其可以是来自溶液相或熔融相的纳米颗粒,然后混合物沉积在模型化(电极)的基底上,可以分别沉积在第一或第二基底上。沉积通过涉及旋转涂覆、溶液铸型等的方法进行。嵌段共聚物/光吸收剂混合物沉积以后,没有涂覆的预-模型化基底和沉积在另一基底上的嵌段共聚物表面紧密接触。
为了预-模型化电极基底,将自装配单层(SAM)或聚合物刷子首先用于至少一个基底,然后用例如电子束(e-beam)石版印刷、纳米印刷、超UV石版印刷或嵌段共聚物石版印刷等技术模型化。使用上述模型化方法,电极基底以化学方式和拓扑学方式地被模型化。使用具有不同化学性质的SAM(或聚合物刷子)将第一和第二基底模型化,更具体地说,模型化的电极之一的化学性质将仅仅和形成电的嵌段物匹配,和嵌段共聚物的形成空穴的嵌段物不匹配。同样,其它模型化的电极将仅仅和嵌段共聚物的形成空穴的嵌段物匹配。这些要求保证了嵌段共聚物的每一嵌段和相应的电极表面之间的适当的电接触,因此可以防止短路。
不同的SAM(聚合物刷子)可以用于每一电极基底,在另一实施方案中,同样的SAM(聚合物刷子)可以用于两个电极,随后通过将仅仅一个SAM-电极进行地毯式的在UV下曝光、或暴露于臭氧或加热处理而对它进行化学修饰。
自装配嵌段共聚物/光吸收剂混合物能够使用各种方法产生,例如在溶剂或蒸汽存在下或在外场存在下热处理或加压,外场例如是电场,磁场或切变场,或者上述方法的结合。在共聚物嵌段物的相分离中产生周期性的或很确定的区域。这些区域的面积和形态受分子量、体积分数和嵌段组分及光吸收材料的反应程度的控制。面积是几纳米到几百纳米数量级,形态是球形、圆柱形、薄片、双螺旋和其它穿插形的,对于所述的应用,优选的形态是薄片和圆柱形。
在一个实施方案中,根据自装配将光吸收物质(吸收剂)选择为分隔成形成空穴的嵌段物和形成假核心-壳层电子嵌段物之间的界面,光吸收物质的表面功能化对于本发明的目的是可有可无的。嵌段共聚物/光吸收混合物在预-模型化电极基底上的自组装提供了达到嵌段共聚物结构域(相)的垂直定向的手段,特别是对于圆柱体或薄片形成嵌段共聚物/光吸收剂混合物来说。
上述方法制造的光电池的优点是它们能够提供大于或等于约10%能量转化效率,在另一实施方案中,本发明的光电池够提供大于或等于约20%的能量转化效率,在另一实施方案中,本发明的光电池够提供大于或等于约30%的能量转化效率。另外所述方法制造的光电池是通用的和灵活的,重量轻,能够用多种方法如滚磨方法等制造。
虽然通过参照列举的实施方案描述了本发明,但是对于本领域的技术人员应该理解可以有各种变化,只要不脱离本发明的范围,允许作出等同替代。另外,只要不脱离本发明技术的基本内容,可以作出许多改进以适合特殊的情况或材料,因此本发明不限于作为完成本发明的最好模式的具体公开的实施方案,而且本发明还包括落入其后的权利要求书范围的所有实施方案。
Claims (22)
1.一种光电池,包括:
能够吸收电磁辐射的吸收剂;
包括第一导电表面的第一基底;
包括第二导电表面的第二基底,第二导电表面和第一导电表面相对,并且面对着第一基底的第一导电表面;
电子传送剂,它和第二基底的第二导电表面进行电传递,但是和第一基底是电绝缘的;
空穴传送剂,它和第一基底的第一导电表面进行电传递,但是和第二基底是电绝缘的;其中空穴传送剂和/或电子传送剂化学键合到电绝缘壳层上,并且其中空穴传送剂和/或电子传送剂化学键合到吸收剂上。
2.权利要求1的光电池,其中第一基底和/或第二基底能够透过波长约300-1100纳米的光。
3.权利要求1的光电池,其中第一基底的导电表面和第二基底的导电表面通过光电池的外部的电路进行电传递。
4.权利要求1的光电池,其中第一基底和/或第二基底的导电表面包括一个或多个导电物质层,后者可以包括金属、半导体、掺杂半导体、固有导电性聚合物,或者包含至少一种上述物质的组合。
5.权利要求1的光电池,其中所述的电子传送剂和空穴传送剂是叉指式指状物形式,具有大于或等于约2纳米的特征尺寸。
6.权利要求1的光电池,其中的空穴传送剂和电子传送剂包括固有导电性聚合物。
7.权利要求1的光电池,其中所述的空穴传送剂和/或电子传送剂包括腙化合物,苯乙烯基化合物,二胺化合物,芳香叔胺化合物,丁二烯化合物,吲哚化合物,咔唑衍生物,三唑衍生物,咪唑衍生物,带有氨基的噁唑衍生物,三苯基甲烷,双(4-二乙基胺-2-甲基苯基)苯基甲烷,芪,腙,芳香胺,包括三(甲苯基)胺,芳基胺,烯胺,菲二胺,N,N’-双-(3,4-二甲基苯基)-4-联苯胺;N,N’-双-(4-甲基苯基)-N,N’-双(4-乙基苯基)-1,1’-3,3’-二甲基联苯基)-4,4’-二胺;4,4’-双(二乙基氨基)-2,2’-二甲基三苯基甲烷;N,N’-二苯基-N,N’-双-(3-甲基苯基)-[1,1’-联苯基]-4,4’二胺;N,N’-二苯基-N,N’-双-(4-甲基苯基)-1,1’-联苯基-4,4’二胺;N,N’-二苯基-N,N’-双-(烷基苯基)-1,1’-联苯基-4,4’二胺和N,N’-二苯基-N,N’-双-(氯苯基)-1,1’-联苯基-4,4’二胺;1,1’-双(4-二-(对-甲苯基)氨基苯基)环己烷;1,1’-双(4-二-(对-甲苯基)氨基苯基)-4-苯基环己烷;4,4’-双(二苯基氨基)四联苯基;双(4-二甲基氨基-2-甲基苯基)-苯基甲烷;N,N,N-三(对-甲苯基)胺;4-(二-对-甲苯基氨基)-4’-[4(二-(对-甲苯基)氨基)-苯乙烯基]芪;N,N,N’,N’-四-对-甲苯基-4,4’二氨基联苯基;N,N,N’,N’-四苯基-4,4’-二氨基联苯基;N,N,N’,N’-四-1-萘基-4,4’二氨基联苯基;N,N,N’,N’-四-2-萘基-4,4’二氨基联苯基;N-苯基咔唑;4,4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯基;4,4’-双[N-(1-萘基)-N-(2-萘基)-氨基]联苯基;4,4”-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]对-三联苯基;4,4’-双[N-(2-萘基)-N-苯基氨基]联苯基;4,4’-双[N-(3-苊基)-N-苯基氨基]联苯基;1,5-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]萘;4,4’-双[N-(9-蒽基)-N-苯基氨基]联苯基;4,4”-双[N-(1-蒽基)-N-苯基氨基]-对-三联苯基;4,4’-双[N-(2-菲基)-N-苯基氨基]联苯基;4,4’-双[N-(8-荧蒽基)-N-苯基氨基]联苯基;4,4’-双[N-(2-芘基)-N-苯基氨基]联苯基;4,4’-双[N-(2-并四苯)-N-苯基氨基]联苯基;4,4’-双[N-(2-苝基)-N-苯基氨基]联苯基;4,4’-双[N-(1-蔻基)-N-苯基氨基]联苯基;2,6-双(二-(对-甲苯基)氨基)萘;2,6-双[二(1-萘基)氨基]萘;2,6-双[N-(1-萘基)-N-(2-萘基)氨基]萘;N,N,N’N’-四(2-萘基)-4,4’-二氨基-对-三联苯基;4,4’-双{N-苯基-N-[4-(1-苯基)-苯基]氨基}联苯基;4,4’-双[N-苯基-N-(2-芘基)-氨基]联苯基;2,6-双[N,N-双(2-萘基)氨基]氟;1,5-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]萘,或者包含至少一种上述物质的组合。
8.权利要求6的光电池,其中固有导电性聚合物是聚乙炔及其衍生物,聚噻吩及其衍生物,聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)和聚(3,4-亚乙基二硫基噻吩)及其衍生物,聚(异硫茚),聚(吡啶并噻吩),聚(吡嗪并噻吩)及其衍生物,聚(吡咯)及其衍生物,聚(3,4-亚乙基二氧基吡咯)及其衍生物,聚(苯胺)及其衍生物,聚(亚苯基亚乙烯基)及其衍生物,聚(对-亚苯基)及其衍生物,聚(硫茚),聚(苯并呋喃),聚(吲哚)及其衍生物,聚(二苯并噻吩),聚(二苯并呋喃),聚(咔唑)及其衍生物,聚(联噻吩),聚(联呋喃),聚(联吡咯)及其衍生物,聚(噻吩并噻吩),聚(噻吩并呋喃),聚(噻吩并吡咯),聚(呋喃并吡咯),聚(呋喃并呋喃),聚(吡咯并吡咯)及其衍生物,聚(三联噻吩),聚(三联呋喃),聚(三联吡咯)及其衍生物,聚(二噻吩并噻吩),聚(二吡咯并呋喃),聚(二吡咯并吡咯)及其衍生物,聚(苯乙炔)及其衍生物,聚(联吲哚)及其衍生物,聚(二噻吩亚乙烯基),聚(二呋喃基亚乙烯基),聚(二吡咯基亚乙烯基)及其衍生物,聚(1,2-反式(3,4-亚乙基二氧基噻吩基)亚乙烯基),聚(1,2-反式(3,4-亚乙基二氧基呋喃基)亚乙烯基),聚(1,2-反式(3,4-亚乙基二氧基吡咯基)亚乙烯基)及其衍生物,聚(双-噻吩基亚芳基)和聚(双吡咯基亚芳基)及其衍生物,聚(二噻吩基环戊烯酮),聚(喹啉),聚(噻唑),聚(芴),聚(薁),或者包含至少一种上述固有导电性聚合物的组合。
9.权利要求1的光电池,其中电子传送剂是官能化的富勒烯(例如6,6-苯基-C61丁基酸-甲酯),二氟乙烯基-(杂)亚芳基,3-(1,1-二氟烷基)噻吩基团,并五苯,聚(3-己基噻吩),α,ω-取代的六噻吩,正-十五氟庚基甲基萘-1,4,5,8-四羧酸二酰亚胺,二己基-五噻吩,聚(3-己基噻吩),聚(3-烷基噻吩),二己基六噻吩,二己基蒽二噻吩,酞腈,C60富勒烯,或者包含至少一种上述电子传送剂的组合。
10.权利要求1的光电池,其中电绝缘壳层键合到电子传送剂和/或空穴传送剂并且防止电子和空穴再结合;其中的电绝缘壳层有大于或等于0.2纳米的特征尺寸。
11.权利要求10的光电池,其中电绝缘壳层包括部分单层或多层电绝缘物质。
12.权利要求1的光电池,其中吸收剂包括吸收分子和化学键合到吸收分子上的电荷隔离剂。
13.权利要求12的光电池,其中吸收分子包括至少一种能够吸收约700-1100纳米波长的电磁辐射的长波吸收分子和至少一种能够吸收约300-700纳米波长的电磁辐射的短波吸收分子,并且其中的短波吸收分子和长波吸收分子化学上相容,能够存在于单个相中。
14.权利要求12的光电池,其中电荷隔离剂是取代的酚噻嗪部分,取代的咔唑部分,取代的二苯并苯基烯丙酰苯部分,或至少一种上述电荷隔离剂的组合。
15.权利要求12的光电池,其中的电荷隔离剂包括电子给体部分和/或还原剂。
16.权利要求1的光电池,其中的吸收剂具有能够有效地将电子直接发射到电子传送剂的导电带中的LUMO能级,并且具有,能够有效地将空穴直接发射到空穴传送剂的导电带中的HOMO能级。
17.一种光电池组合物,包括:
非强制地结合到电绝缘分子上的电子传送剂,
非强制地结合到电绝缘分子上的空穴传送剂,
能够吸收电磁辐射的吸收剂,其中吸收剂化学键合到电子传送剂和空穴传送剂上。
18.权利要求17的光电池组合物,其中吸收剂包括吸收分子和一种或多种电荷隔离剂,其中电荷隔离剂化学键合于吸收分子,并且其中电荷隔离剂是取代的酚噻嗪部分,取代的咔唑部分,取代的二苯并苯基烯丙酰苯部分,或至少一种上述电荷隔离剂的组合。
19.权利要求18的光电池组合物,其中所述的吸收分子包括至少一种能够吸收约700-1100纳米波长的电磁辐射的长波吸收分子和至少一种能够吸收约300-700纳米波长的电磁辐射的短波吸收分子。
20.包括权利要求17的组合物的装置。
21.制造光电池的方法,包括:
混合包括能够吸收电磁辐射的吸收剂、电子传送剂和/或空穴传送剂和/或电绝缘分子的组合物,并且将该组合物沉积在基底上。
22.通过权利要求21的方法制造的光电池。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/900624 | 2004-07-28 | ||
US10/900,624 US20060021647A1 (en) | 2004-07-28 | 2004-07-28 | Molecular photovoltaics, method of manufacture and articles derived therefrom |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1734792A true CN1734792A (zh) | 2006-02-15 |
CN100539201C CN100539201C (zh) | 2009-09-09 |
Family
ID=35148797
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2005100879715A Expired - Fee Related CN100539201C (zh) | 2004-07-28 | 2005-07-28 | 分子光电系统、其制造方法以及由它们制得的制品 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20060021647A1 (zh) |
EP (1) | EP1630883A3 (zh) |
JP (1) | JP2006049890A (zh) |
CN (1) | CN100539201C (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102473773A (zh) * | 2009-07-27 | 2012-05-23 | 犹他大学研究基金会 | 平行的同轴分子叠片阵列 |
CN102496470A (zh) * | 2011-11-14 | 2012-06-13 | 清华大学 | 基于mems技术的非对称微型超级电容及其制作方法 |
CN102099918B (zh) * | 2008-07-09 | 2013-03-13 | 昆南诺股份有限公司 | 光电子半导体器件 |
CN101803035B (zh) * | 2007-06-19 | 2016-08-24 | 昆南诺股份有限公司 | 基于纳米线的太阳能电池结构 |
Families Citing this family (62)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006096964A (ja) * | 2003-11-07 | 2006-04-13 | Sony Corp | 有機発光材料および有機材料の製造方法 |
GB2432722A (en) * | 2005-11-25 | 2007-05-30 | Seiko Epson Corp | Electrochemical cell and method of manufacture |
GB2432721B (en) * | 2005-11-25 | 2011-06-22 | Seiko Epson Corp | Electrochemical cell structure and method of fabrication |
GB2432723B (en) * | 2005-11-25 | 2010-12-08 | Seiko Epson Corp | Electrochemical cell and method of manufacture |
KR101212198B1 (ko) * | 2006-04-06 | 2012-12-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 태양 전지 |
ES2327446T3 (es) * | 2006-05-01 | 2009-10-29 | Wake Forest University | Dispositivos optoelectronicos organicos y aplicaciones de los mismos. |
WO2007130972A2 (en) | 2006-05-01 | 2007-11-15 | Wake Forest University | Fiber photovoltaic devices and applications thereof |
KR20090023411A (ko) * | 2006-06-27 | 2009-03-04 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 방향족 아민 유도체 및 그들을 이용한 유기 전기발광 소자 |
US20080149178A1 (en) * | 2006-06-27 | 2008-06-26 | Marisol Reyes-Reyes | Composite organic materials and applications thereof |
WO2008097272A2 (en) | 2006-08-07 | 2008-08-14 | Wake Forest University | Composite organic materials and applications thereof |
US7892355B2 (en) | 2006-08-21 | 2011-02-22 | Postech Foundation | Preparation of single-crystalline polyalkylthiophene structures by surface-induced self-assembly |
KR100840499B1 (ko) | 2006-08-21 | 2008-06-23 | 학교법인 포항공과대학교 | 표면유도 자기조립에 의한 단결정 공액고분자 나노구조체의 제조 방법 |
US20080092955A1 (en) * | 2006-10-16 | 2008-04-24 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Solar cell structures using porous column TiO2 films deposited by CVD |
US7608905B2 (en) * | 2006-10-17 | 2009-10-27 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Independently addressable interdigitated nanowires |
US8343578B2 (en) * | 2006-10-30 | 2013-01-01 | International Business Machines Corporation | Self-assembled lamellar microdomains and method of alignment |
US8026514B2 (en) * | 2007-04-26 | 2011-09-27 | Lg Chem, Ltd. | Diamine derivatives and organic electronic device using the same |
US20100275985A1 (en) * | 2009-04-30 | 2010-11-04 | Honeywell International Inc. | Electron collector and its application in photovoltaics |
US20110139233A1 (en) * | 2009-12-11 | 2011-06-16 | Honeywell International Inc. | Quantum dot solar cell |
US20110174364A1 (en) * | 2007-06-26 | 2011-07-21 | Honeywell International Inc. | nanostructured solar cell |
US7872442B2 (en) * | 2007-09-27 | 2011-01-18 | Motorola Mobility, Inc. | Apparatus for charging a battery of a portable electronic device |
CA2704554A1 (en) * | 2007-11-01 | 2009-05-07 | Wake Forest University | Lateral organic optoelectronic devices and applications thereof |
US8710354B2 (en) * | 2007-12-19 | 2014-04-29 | Honeywell International Inc. | Solar cell with hyperpolarizable absorber |
US8089063B2 (en) * | 2007-12-19 | 2012-01-03 | Honeywell International Inc. | Quantum dot solar cell with electron rich anchor group |
US8067763B2 (en) * | 2007-12-19 | 2011-11-29 | Honeywell International Inc. | Quantum dot solar cell with conjugated bridge molecule |
US8106388B2 (en) * | 2007-12-19 | 2012-01-31 | Honeywell International Inc. | Quantum dot solar cell with rigid bridge molecule |
US8288649B2 (en) * | 2008-02-26 | 2012-10-16 | Honeywell International Inc. | Quantum dot solar cell |
US20090217963A1 (en) * | 2008-02-29 | 2009-09-03 | Motorola, Inc. | Photovoltaic apparatus for charging a portable electronic device and method for making |
US8373063B2 (en) * | 2008-04-22 | 2013-02-12 | Honeywell International Inc. | Quantum dot solar cell |
US8299355B2 (en) * | 2008-04-22 | 2012-10-30 | Honeywell International Inc. | Quantum dot solar cell |
US8283561B2 (en) * | 2008-05-13 | 2012-10-09 | Honeywell International Inc. | Quantum dot solar cell |
US20100006148A1 (en) * | 2008-07-08 | 2010-01-14 | Honeywell International Inc. | Solar cell with porous insulating layer |
US8138493B2 (en) * | 2008-07-09 | 2012-03-20 | Qunano Ab | Optoelectronic semiconductor device |
US8148632B2 (en) * | 2008-07-15 | 2012-04-03 | Honeywell International Inc. | Quantum dot solar cell |
US20100012168A1 (en) * | 2008-07-18 | 2010-01-21 | Honeywell International | Quantum dot solar cell |
KR101005803B1 (ko) * | 2008-08-11 | 2011-01-05 | 한국표준과학연구원 | 양자점나노선 어레이 태양광 소자 및 그 제조 방법 |
US8455757B2 (en) | 2008-08-20 | 2013-06-04 | Honeywell International Inc. | Solar cell with electron inhibiting layer |
US9136404B2 (en) * | 2008-12-10 | 2015-09-15 | Iucf-Hyu (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | Solar cell capable of recycling a substrate and method for manufacturing the same |
US8227686B2 (en) * | 2009-02-04 | 2012-07-24 | Honeywell International Inc. | Quantum dot solar cell |
US8227687B2 (en) * | 2009-02-04 | 2012-07-24 | Honeywell International Inc. | Quantum dot solar cell |
KR20120011871A (ko) * | 2009-04-09 | 2012-02-08 | 더 리젠츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 | 나노스케일 아키텍쳐를 가지는 3차원 염료 감응 태양 전지 |
US20100258163A1 (en) * | 2009-04-14 | 2010-10-14 | Honeywell International Inc. | Thin-film photovoltaics |
US20100294367A1 (en) * | 2009-05-19 | 2010-11-25 | Honeywell International Inc. | Solar cell with enhanced efficiency |
US8426728B2 (en) * | 2009-06-12 | 2013-04-23 | Honeywell International Inc. | Quantum dot solar cells |
US20100326499A1 (en) * | 2009-06-30 | 2010-12-30 | Honeywell International Inc. | Solar cell with enhanced efficiency |
KR101564330B1 (ko) | 2009-10-15 | 2015-10-29 | 삼성전자주식회사 | 유기 나노와이어를 포함하는 태양전지 |
US20110108102A1 (en) * | 2009-11-06 | 2011-05-12 | Honeywell International Inc. | Solar cell with enhanced efficiency |
US20110139248A1 (en) * | 2009-12-11 | 2011-06-16 | Honeywell International Inc. | Quantum dot solar cells and methods for manufacturing solar cells |
US8372678B2 (en) * | 2009-12-21 | 2013-02-12 | Honeywell International Inc. | Counter electrode for solar cell |
US20120097238A1 (en) * | 2010-10-25 | 2012-04-26 | Isaacs-Sodeye Akinbode I | Graphene-based solar cell |
JP6002158B2 (ja) * | 2011-02-19 | 2016-10-05 | ユナイテッド アラブ エミレーツ ユニバーシティUnited Arab Emirates University | 半導体材料とストレージデバイス |
US20120211065A1 (en) * | 2011-02-21 | 2012-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device |
FR2977080B1 (fr) * | 2011-06-22 | 2014-01-10 | Commissariat Energie Atomique | Photodiode organique dotee d'une zone active comportant des moyens pour favoriser la collecte et la conduction des porteurs de charge |
CN103828485B (zh) * | 2011-09-12 | 2016-06-01 | 保土谷化学工业株式会社 | 有机电致发光器件 |
JP2015501505A (ja) * | 2011-09-13 | 2015-01-15 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 改良ナノワイヤ電極の溶液処理方法および該電極を用いた装置 |
WO2013188966A1 (en) * | 2012-06-21 | 2013-12-27 | Chemgreen Innovation Inc. | Cellulose-polymer composites for solar cells |
EP3127123B1 (en) | 2014-03-31 | 2018-12-12 | Medtronic, Inc. | Nuclear radiation particle power converter |
US10290757B2 (en) | 2015-09-09 | 2019-05-14 | Medtronic, Inc. | Power source and method of forming same |
SE540184C2 (en) * | 2016-07-29 | 2018-04-24 | Exeger Operations Ab | A light absorbing layer and a photovoltaic device including a light absorbing layer |
KR102433073B1 (ko) * | 2016-12-14 | 2022-08-16 | 동우 화인켐 주식회사 | 황색 경화성 수지 조성물, 이를 이용하여 제조된 컬러필터 및 화상표시장치 |
US11322632B2 (en) | 2017-03-31 | 2022-05-03 | Peafowl Solar Power Ab | Ultra-thin plasmonic solar cells, methods for their manufacture and use |
JP7516094B2 (ja) | 2020-04-07 | 2024-07-16 | キヤノン株式会社 | 光電変換素子 |
CN111848930B (zh) * | 2020-07-30 | 2021-07-13 | 清华大学 | 可溶性聚苯并呋喃及其制备方法与在合成5-取代苯并呋喃的应用 |
Family Cites Families (55)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4428110A (en) * | 1981-09-29 | 1984-01-31 | Rca Corporation | Method of making an array of series connected solar cells on a single substrate |
JPS5942352A (ja) * | 1982-09-01 | 1984-03-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | ジスアゾ化合物、それを含む光導電性組成物及び電子写真感光体 |
JPS5945444A (ja) * | 1982-09-08 | 1984-03-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電子写真感光体 |
JPS59223433A (ja) * | 1983-06-03 | 1984-12-15 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光導電性組成物及びそれを用いた電子写真感光体 |
JPS6083035A (ja) * | 1983-10-13 | 1985-05-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光導電性組成物 |
US4568409A (en) * | 1983-11-17 | 1986-02-04 | Chronar Corp. | Precision marking of layers |
EP0146123B1 (en) * | 1983-12-16 | 1987-09-09 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Novel squarylium compound and photoreceptor containing same |
US4700001A (en) * | 1983-12-16 | 1987-10-13 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Novel squarylium compound and photoreceptor containing same |
JPS6235365A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電子写真感光体 |
JPS6348551A (ja) * | 1986-08-18 | 1988-03-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電子写真感光体 |
JP2678311B2 (ja) * | 1989-04-05 | 1997-11-17 | 富士写真フイルム株式会社 | 電子写真感光体 |
JPH02300756A (ja) * | 1989-05-15 | 1990-12-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電子写真感光体 |
US5073465A (en) * | 1989-05-18 | 1991-12-17 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Electrophotographic photoreceptor comprising a trisazo charge generating compound |
US5106712A (en) * | 1989-07-07 | 1992-04-21 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Electrophotographic photoreceptor containing bisazo compound |
AU650878B2 (en) * | 1990-04-17 | 1994-07-07 | Ecole Polytechnique Federale De Lausanne | Photovoltaic cells |
JPH0413152A (ja) * | 1990-05-02 | 1992-01-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電子写真感光体および電子写真式製版用印刷版 |
GB9217811D0 (en) * | 1992-08-21 | 1992-10-07 | Graetzel Michael | Organic compounds |
JP3783872B2 (ja) * | 1994-05-02 | 2006-06-07 | エコール ポリテクニーク フェデラル ドゥ ローザンヌ(エーペーエフエル) | ホスホン酸化ポリピリジル化合物及びその錯体 |
US6344272B1 (en) * | 1997-03-12 | 2002-02-05 | Wm. Marsh Rice University | Metal nanoshells |
DE69819712T2 (de) * | 1997-05-07 | 2004-09-23 | Ecole polytechnique fédérale de Lausanne (EPFL) | Fotoempfindlicher metallkomplex und fotovoltaische zelle |
US6051702A (en) * | 1997-05-08 | 2000-04-18 | Rutgers, The University Of New Jersey | Organic dyes for photovoltaic cells and for photoconductive electrophotography systems |
GB9722883D0 (en) * | 1997-10-30 | 1998-01-07 | Secr Defence | Phthalocyanine analogs |
US6075203A (en) * | 1998-05-18 | 2000-06-13 | E. I. Du Pont Nemours And Company | Photovoltaic cells |
US6444189B1 (en) * | 1998-05-18 | 2002-09-03 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for making and using titanium oxide particles |
JP2997773B1 (ja) * | 1998-07-15 | 2000-01-11 | 工業技術院長 | 増感剤として有用な金属錯体、酸化物半導体電極及び太陽電池 |
AU4970500A (en) * | 1999-02-25 | 2000-09-14 | Regents Of The University Of California, The | Photoluminescent metal-(bis)ligand complexes having different ligands |
US6359211B1 (en) * | 1999-06-17 | 2002-03-19 | Chemmotif, Inc. | Spectral sensitization of nanocrystalline solar cells |
NL1016815C2 (nl) * | 1999-12-15 | 2002-05-14 | Ciba Sc Holding Ag | Oximester-fotoinitiatoren. |
EP1249021A4 (en) * | 2000-01-14 | 2007-03-28 | Univ North Carolina State | SUBSTRATES WITH NETWORKED SNOWWORK COORDINATION COMPOUND POLYMERS AND METHOD FOR THEIR APPLICATION |
JP3849005B2 (ja) * | 2000-03-08 | 2006-11-22 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 増感剤として有用な白金錯体 |
JP3430254B2 (ja) * | 2000-03-13 | 2003-07-28 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | β−ジケトナートを有する金属錯体及びその製法、光電変換素子並びに、光化学電池 |
US7414188B2 (en) * | 2002-01-25 | 2008-08-19 | Konarka Technologies, Inc. | Co-sensitizers for dye sensitized solar cells |
JP4335416B2 (ja) * | 2000-06-06 | 2009-09-30 | 富士フイルム株式会社 | 画像形成材料及び赤外線吸収色素 |
CA2414541A1 (en) * | 2000-06-29 | 2002-12-27 | Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha | Dye-sensitized photoelectric conversion device |
US6559374B2 (en) * | 2000-07-21 | 2003-05-06 | North Carolina State University | Trans beta substituted chlorins and methods of making and using the same |
US6420648B1 (en) * | 2000-07-21 | 2002-07-16 | North Carolina State University | Light harvesting arrays |
US6407330B1 (en) * | 2000-07-21 | 2002-06-18 | North Carolina State University | Solar cells incorporating light harvesting arrays |
CA2417502C (en) * | 2000-07-27 | 2012-01-10 | Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha | Dye-sensitized photoelectric conversion device |
US6348592B1 (en) * | 2000-09-21 | 2002-02-19 | Eastman Kodak Company | Method of making dihydroperimidine squaraine compounds |
JP5142307B2 (ja) * | 2000-11-28 | 2013-02-13 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 有機色素を光増感剤とする半導体薄膜電極、光電変換素子 |
JP4461656B2 (ja) * | 2000-12-07 | 2010-05-12 | セイコーエプソン株式会社 | 光電変換素子 |
DE10065482A1 (de) * | 2000-12-28 | 2002-07-04 | Council Scient Ind Res | Mit schwereren Halogenatomen substituierte Farbstoffe auf Squarain-Basis, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung als Sensibilisatoren für photodynamische, therapeutische und industrielle Anwendungen |
US7157788B2 (en) * | 2001-02-21 | 2007-01-02 | Showa Denko K.K. | Metal oxide dispersion for dye-sensitized solar cells, photoactive electrode and dye-sensitized solar cell |
US6774300B2 (en) * | 2001-04-27 | 2004-08-10 | Adrena, Inc. | Apparatus and method for photovoltaic energy production based on internal charge emission in a solid-state heterostructure |
US6397776B1 (en) * | 2001-06-11 | 2002-06-04 | General Electric Company | Apparatus for large area chemical vapor deposition using multiple expanding thermal plasma generators |
US7118936B2 (en) * | 2001-10-11 | 2006-10-10 | Bridgestone Corporation | Organic dye-sensitized metal oxide semiconductor electrode and its manufacturing method, and organic dye-sensitized solar cell |
JP3985040B2 (ja) * | 2002-01-22 | 2007-10-03 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 増感剤として有用なルテニウム錯体、酸化物半導体電極及びそれを用いた太陽電池 |
US6946597B2 (en) * | 2002-06-22 | 2005-09-20 | Nanosular, Inc. | Photovoltaic devices fabricated by growth from porous template |
WO2004023527A2 (en) * | 2002-09-05 | 2004-03-18 | Nanosys, Inc. | Nanostructure and nanocomposite based compositions and photovoltaic devices |
AU2003287659A1 (en) * | 2002-11-14 | 2004-06-15 | Sam-Shajing Sun | Photovoltaic devices based on a novel block copolymer |
US7019209B2 (en) * | 2002-12-11 | 2006-03-28 | General Electric Company | Structured dye sensitized solar cell |
US7179988B2 (en) * | 2002-12-11 | 2007-02-20 | General Electric Company | Dye sensitized solar cells having foil electrodes |
US7078613B2 (en) * | 2002-12-11 | 2006-07-18 | General Electric Company | Structured micro-channel semiconductor electrode for photovoltaic cells |
US7145071B2 (en) * | 2002-12-11 | 2006-12-05 | General Electric Company | Dye sensitized solar cell having finger electrodes |
US7462774B2 (en) * | 2003-05-21 | 2008-12-09 | Nanosolar, Inc. | Photovoltaic devices fabricated from insulating nanostructured template |
-
2004
- 2004-07-28 US US10/900,624 patent/US20060021647A1/en not_active Abandoned
-
2005
- 2005-07-07 EP EP05254258A patent/EP1630883A3/en not_active Withdrawn
- 2005-07-27 JP JP2005216748A patent/JP2006049890A/ja not_active Withdrawn
- 2005-07-28 CN CNB2005100879715A patent/CN100539201C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101803035B (zh) * | 2007-06-19 | 2016-08-24 | 昆南诺股份有限公司 | 基于纳米线的太阳能电池结构 |
CN102099918B (zh) * | 2008-07-09 | 2013-03-13 | 昆南诺股份有限公司 | 光电子半导体器件 |
CN102473773A (zh) * | 2009-07-27 | 2012-05-23 | 犹他大学研究基金会 | 平行的同轴分子叠片阵列 |
CN102496470A (zh) * | 2011-11-14 | 2012-06-13 | 清华大学 | 基于mems技术的非对称微型超级电容及其制作方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100539201C (zh) | 2009-09-09 |
EP1630883A2 (en) | 2006-03-01 |
US20060021647A1 (en) | 2006-02-02 |
JP2006049890A (ja) | 2006-02-16 |
EP1630883A3 (en) | 2010-02-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN100539201C (zh) | 分子光电系统、其制造方法以及由它们制得的制品 | |
Chen et al. | Molecule‐doped nickel oxide: verified charge transfer and planar inverted mixed cation perovskite solar cell | |
Heremans et al. | Strategies for increasing the efficiency of heterojunction organic solar cells: material selection and device architecture | |
CN102576746B (zh) | 纳米粒子材料和光电转换器件 | |
EP2174329B1 (de) | Photovoltaische tandem-zelle | |
Günes et al. | Conjugated polymer-based organic solar cells | |
Matsuo et al. | Columnar structure in bulk heterojunction in solution-processable three-layered pin organic photovoltaic devices using tetrabenzoporphyrin precursor and silylmethyl [60] fullerene | |
Rand et al. | Solar cells utilizing small molecular weight organic semiconductors | |
Guo et al. | Charge generation and recombination dynamics in poly (3-hexylthiophene)/fullerene blend films with different regioregularities and morphologies | |
Ravi et al. | Emerging role of the band‐structure approach in biohybrid photovoltaics: a path beyond bioelectrochemistry | |
Schumann et al. | Organic photovoltaic devices based on water-soluble copper phthalocyanine | |
Li et al. | Polymer–metal-oxide hybrid solar cells | |
KR102134928B1 (ko) | 풀러렌 작용기화 입자, 그 제조 방법 및 벌크 헤테로정션 유기 광기전 디바이스에서의 그 용도 | |
TWI709249B (zh) | 具有激子障蔽性電荷載體濾波器之有機光敏性裝置 | |
US9040817B2 (en) | Organic thin film solar cell | |
Jinnai et al. | Electron-accepting π-conjugated systems for organic photovoltaics: influence of structural modification on molecular orientation at donor–acceptor interfaces | |
KR102242602B1 (ko) | 금속산화물 나노 입자 잉크 및 이의 제조방법, 이로부터 제조된 금속산화물 나노 입자 박막, 이를 이용한 광전 소자 | |
Li et al. | 24.64%‐efficiency ma‐free perovskite solar cell with Voc of 1.19 V enabled by a hinge‐type fluorine‐rich complex | |
KR20140035284A (ko) | 광흡수 구조체가 구비된 태양전지 | |
DE102005010979A1 (de) | Photoaktives Bauelement mit organischen Schichten | |
CN112289934A (zh) | 多层钙钛矿结构体的制备方法、由此制备的多层钙钛矿结构体及太阳能电池 | |
KR20140037764A (ko) | 형상 및 다공성이 제어된 상부 광활성 층을 가진 무/유기 하이브리드 태양전지 제조방법 | |
KR20140035285A (ko) | 광흡수 구조체가 구비된 태양전지의 제조방법 | |
Halls et al. | Organic photovoltaic devices | |
CN101924184A (zh) | 一种有机薄膜太阳能电池及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20090909 Termination date: 20160728 |