CN1721493A - 用于化学机械平坦化的多步抛光液 - Google Patents

用于化学机械平坦化的多步抛光液 Download PDF

Info

Publication number
CN1721493A
CN1721493A CNA2005100717960A CN200510071796A CN1721493A CN 1721493 A CN1721493 A CN 1721493A CN A2005100717960 A CNA2005100717960 A CN A2005100717960A CN 200510071796 A CN200510071796 A CN 200510071796A CN 1721493 A CN1721493 A CN 1721493A
Authority
CN
China
Prior art keywords
acid
sulfate
melamine
phosphonic acids
melem
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2005100717960A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1324105C (zh
Inventor
刘振东
J·匡西
R·E·施密特
T·M·托马斯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Original Assignee
Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm and Haas Electronic Materials LLC filed Critical Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Publication of CN1721493A publication Critical patent/CN1721493A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1324105C publication Critical patent/CN1324105C/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F3/00—Brightening metals by chemical means
    • C23F3/04—Heavy metals
    • C23F3/06—Heavy metals with acidic solutions
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V1/00—Shades for light sources, i.e. lampshades for table, floor, wall or ceiling lamps
    • F21V1/12—Composite shades, i.e. shades being made of distinct parts
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V1/00—Shades for light sources, i.e. lampshades for table, floor, wall or ceiling lamps
    • F21V1/14—Covers for frames; Frameless shades
    • F21V1/16—Covers for frames; Frameless shades characterised by the material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/32115—Planarisation
    • H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/7684—Smoothing; Planarisation

Abstract

本发明提供了一种用于从半导体晶片上抛光钽阻挡层材料和铜的多步水性组合物，该组合物含有0.1－30wt％的氧化剂，0.01－3wt％的无机盐或酸，0.01－4wt％的抑制剂，0.1－30wt％的研磨剂，0－15wt％的配位剂和余量的水，其中该含水组合物具有1.5－6的pH值。

Description

用于化学机械平坦化的多步抛光液
技术领域
本发明涉及半导体晶片材料的化学机械平坦化(CMP)，尤其是用于去除半导体晶片上的铜和阻挡层材料(barrier materials)的CMP组合物和方法。
背景技术
典型地，半导体晶片具有硅晶片和电介质层，该电介质层中含有的多个沟槽排列形成电路互连图案。图案的排列通常为金属镶钳结构或双重金属镶钳结构。阻挡层覆盖于具有图案化的电介质层上，而金属层覆盖在该阻挡层上。该金属层至少具有足够的厚度以便用金属填充图案化的沟槽从而构成电路互连。
CMP处理常常包括多个抛光阶段。例如，“第一步”从下层阻挡层上除去金属层。该第一步抛光除去了金属层，同时在晶片上留下光滑的平坦表面，填充金属的沟槽在该表面上形成平行于抛光表面的电路互连。第一步抛光以初始的高速率除去过量的互连金属，例如铜。第一步去除后，“第二步”抛光可除去残留在半导体晶片上的阻挡层。该第二步抛光从半导体晶片下层的电介质层除去阻挡层，从而在电介质层上提供平坦的抛光表面。典型地，第一和第二步抛光可提供分别为约2000/min或更大和约1000/min或更小的去除速率。
不幸的是，这些多个抛光阶段花费非常昂贵且耗费时间。特别的，所述的多个抛光阶段利用不同的浆料或抛光溶液选择性除去不需要的部分。也就是说，一种浆料可能用于“第一步”，而第二种浆料可能用于“第二步”。此外，典型在多个工作台上进行第一和第二步，在接下来的抛光步骤中就需要将工作件或晶片从一个工作台移到另一个，不适当的增加了总的处理时间。
Holland等人在美国专利6261158中公开了一种用于抛光金属和阻挡层材料的多步CMP体系。Holland尝试通过在一个单一的、组合工作台上进行抛光来最小化处理时间。然而，Holland的体系中利用“第一浆料”和“第二浆料”用于除去相应的材料(也就是金属和阻挡层材料)。因此，Holland的体系仍然存在现有技术中的缺陷。
因此，需要的是可以选择性除去铜和钽阻挡层材料的改良CMP组合物和方法。特别地存在对可选择性除去铜和钽阻挡层材料的CMP组合物和方法的需求，该组合物和方法成本低便于利用并可减少总的处理时间。
发明内容
第一个方面，本发明提供了用于从半导体晶片上抛光钽阻挡层材料和铜的多步水性组合物，该组合物含有按wt％计，0.1-30％的氧化剂，0.01-3％的无机盐或酸，0.01-4％的抑制剂，0.1-30％的研磨剂，0-15％的配位剂和余量的水，其中该水性组合物具有1.5-6的pH值。
第二方面，本发明提供了用于从半导体晶片上抛光钽阻挡层材料和铜的多步水性组合物，该组合物含有按wt％计，0.1-30％的过氧化氢，0.01-3％的无机盐或酸，0.01-4％的抑制剂，0.1-30％的研磨剂，0-15％的配位剂和余量的水，该水性组合物的pH值为1.5-6，其中所述无机盐选自磷酸锌、焦磷酸锌、多磷酸锌、膦酸锌、磷酸铵、焦磷酸铵、多磷酸铵、膦酸铵、磷酸二铵、焦磷酸二铵、多磷酸二铵、膦酸二铵、磷酸胍、焦磷酸胍、多磷酸胍、膦酸胍、磷酸铁、焦磷酸铁、多磷酸铁、膦酸铁、磷酸铈、焦磷酸铈、多磷酸铈、膦酸铈、磷酸乙二胺、磷酸哌嗪、焦磷酸哌嗪、膦酸哌嗪、磷酸蜜胺、磷酸二蜜胺、焦磷酸蜜胺、多磷酸蜜胺、膦酸蜜胺、磷酸蜜白胺、焦磷酸蜜白胺、多磷酸蜜白胺、膦酸蜜白胺、磷酸蜜勒胺、焦磷酸蜜勒胺、多磷酸蜜勒胺、膦酸蜜勒胺、磷酸双氰胺(dicyanodiamide)、磷酸脲、硫酸锌、焦硫酸锌、多硫酸锌、磺酸锌、硫酸铵、焦硫酸铵、多硫酸铵、磺酸铵、硫酸二铵、焦硫酸二铵、多硫酸二铵、磺酸二铵、硫酸胍、焦硫酸胍、多硫酸胍、磺酸胍、硫酸铁、焦硫酸铁、多硫酸铁、磺酸铁、硫酸铈、焦硫酸铈、多硫酸铈、磺酸铈、硫酸乙二胺、硫酸哌嗪、焦硫酸哌嗪、磺酸哌嗪、硫酸蜜胺、硫酸二蜜胺、焦硫酸蜜胺、多硫酸蜜胺、磺酸蜜胺、硫酸蜜白胺、焦硫酸蜜白胺、多硫酸蜜白胺、磺酸蜜白胺、硫酸蜜勒胺、焦硫酸蜜勒胺、多硫酸蜜勒胺、磺酸蜜勒胺、硫酸双氰胺、硫酸脲、和它们的酸、盐、混合的酸盐、酯、偏酯、混合酯以及它们的混合物。
第三方面，本发明提供了一种从半导体晶片上抛光钽阻挡层材料和铜的方法，该方法包括：使晶片接触抛光组合物，该晶片含有钽阻挡层材料和铜，该抛光组合物含有按wt％计0.1-30％的氧化剂，0.01-3％的无机盐或酸，0.01-4％的抑制剂，0.1-30％的研磨剂，0-15％的配位剂和余量的水，其中该水性组合物的pH值为1.5-6；和使用抛光垫抛光该晶片。
具体实施方式
该溶液和方法对于铜和钽阻挡层材料两者都提供了意想不到的去除速率。该溶液依靠无机盐或酸和氧化剂选择性除去铜和钽阻挡层材料。该溶液成本低便于利用并减少了总的处理时间。
对于本说明书，钽阻挡层指钽、含钽合金、钽基合金和钽金属间化合物。该溶液对于钽、钽基合金和钽金属间化合物例如钽的碳化物、氮化物和氧化物具有特别的效力。另外，虽然本发明对于铜互连具有特别的有效性，但该水性抛光组合物也可以对其它的金属互连提供增强的抛光，例如铝、镍、银、金、铂、钯、铍、锌、钛、钨、铬等。此外，对于本说明书，术语电介质是指介电常数为k的半导电材料，包括低-k和超低-k介电材料。例如多孔和非多孔的低-k电介质、有机和无机低-k电介质、有机硅酸盐玻璃(OSG)、氟硅酸盐玻璃(FSG)、碳掺杂氧化物(CDO)、正硅酸四乙脂(TEOS)和衍生自TEOS的氧化硅。
同样的，对于本说明书，尽管可以选用其它的化合物，但“无机盐或酸”优选为任何含有磷原子或硫原子的化合物。优选的含磷或含硫化合物为，例如磷酸盐、焦磷酸盐、多磷酸盐、膦酸盐、硫酸盐、焦硫酸盐、多硫酸盐、磺酸盐和它们的酸、盐、混合酸盐、酯、偏酯、混合酯以及它们的混合物，例如磷酸。
特别地，可以使用下列含磷或含硫化合物配制优选的水性抛光组合物：磷酸锌、焦磷酸锌、多磷酸锌、膦酸锌、磷酸铵、焦磷酸铵、多磷酸铵、膦酸铵、磷酸二铵、焦磷酸二铵、多磷酸二铵、膦酸二铵、磷酸胍、焦磷酸胍、多磷酸胍、膦酸胍、磷酸铁、焦磷酸铁、多磷酸铁、膦酸铁、磷酸铈、焦磷酸铈、多磷酸铈、膦酸铈、磷酸乙二胺、磷酸哌嗪、焦磷酸哌嗪、膦酸哌嗪、磷酸蜜胺、磷酸二蜜胺、焦磷酸蜜胺、多磷酸蜜胺、膦酸蜜胺、磷酸蜜白胺、焦磷酸蜜白胺、多磷酸蜜白胺、膦酸蜜白胺、磷酸蜜勒胺、焦磷酸蜜勒胺、多磷酸蜜勒胺、膦酸蜜勒胺、磷酸双氰胺、磷酸脲、硫酸锌、焦硫酸锌、多硫酸锌、磺酸锌、硫酸铵、焦硫酸铵、多硫酸铵、磺酸铵、硫酸二铵、焦硫酸二铵、多硫酸二铵、磺酸二铵、硫酸胍、焦硫酸胍、多硫酸胍、磺酸胍、硫酸铁、焦硫酸铁、多硫酸铁、磺酸铁、硫酸铈、焦硫酸铈、多硫酸铈、磺酸铈、硫酸乙二胺、硫酸哌嗪、焦硫酸哌嗪、磺酸哌嗪、硫酸蜜胺、硫酸二蜜胺、焦硫酸蜜胺、多硫酸蜜胺、磺酸蜜胺、硫酸蜜白胺、焦硫酸蜜白胺、多硫酸蜜白胺、磺酸蜜白胺、硫酸蜜勒胺、焦硫酸蜜勒胺、多硫酸蜜勒胺、磺酸蜜勒胺、硫酸双氰胺、硫酸脲、和它们的酸、盐、混合的酸盐、酯、偏酯、混合酯和它们的混合物。优选的含磷化合物是磷酸铵。
优选地，本发明的抛光组合物中的无机盐或酸以能够有效抛光铜和钽阻挡层材料的量存在。据认为即使抛光组合物中痕量的无机盐或酸也可以有效抛光铜和阻挡层材料。使用占组合物0.01-3wt％的无机盐或酸可以在容许的抛光下压力下获得满意的抛光速率。无机盐或酸的优选范围是占组合物的0.1-1wt％。最优选的，无机盐或酸占组合物的0.3-0.6wt％。
优选地，该溶液含有0.1-30wt％的氧化剂。优选的，该氧化剂的范围是0.5-10wt％。该氧化剂可以是多种氧化性化合物中的至少一种，例如过氧化氢(H2O2)、单过硫酸盐、碘酸盐、过邻苯二甲酸镁、过乙酸和其它过酸、过硫酸盐、溴酸盐、高碘酸盐、硝酸盐、铁盐、铈盐、Mn(III)、Mn(IV)和Mn(VI)盐、银盐、铜盐、铬盐、钴盐、卤素，次氯酸盐以及它们的混合物。而且，通常优选使用氧化剂化合物的混合物。当抛光浆料含有不稳定氧化剂例如过氧化氢时，在使用时将该氧化剂加入浆料最为有利。
该抛光组合物中含有0.1-30wt％的研磨剂以促进铜和阻挡层的去除。在这个范围内，希望研磨剂的含量大于或等于0.3wt％，且优选大于或等于0.5wt％。同样的，在这个范围内，希望小于或等于10wt％，优选小于或等于8wt％。最优选地，该研磨剂的浓度为2-5wt％。
为了防止形成过多的金属凹陷和电介质侵蚀，研磨剂的平均颗粒尺寸应小于或等于100纳米(nm)。对于本说明书，颗粒尺寸是指研磨剂的平均颗粒尺寸。更优选的，希望使用具有小于或等于50nm的平均颗粒尺寸的胶态研磨剂。而且，使用具有小于或等于30nm的平均颗粒尺寸的胶态氧化硅可获得最低的电介质侵蚀和金属凹陷。将胶态研磨剂的颗粒尺寸减小到小于或等于30nm时，倾向于提高抛光组合物的选择性，但是它同时倾向于降低阻挡层的去除速率。另外，优选的胶态研磨剂可包含添加剂，例如分散剂，表面活性剂，缓冲剂以便提高该胶态研磨剂的稳定性。一种这样的胶态研磨剂是法国Puteaux的Clariant S.A.生产的胶态氧化硅。
该抛光组合物中含有用于“机械”去除铜和阻挡层的研磨剂。研磨剂的实例包括无机氧化物，具有氢氧化物覆层的无机氧化物、金属硼化物、金属碳化物、金属氮化物、聚合物颗粒和包含前述至少一种的混合物。合适的无机氧化物包括，例如氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化锆(ZrO2)、氧化铈(CeO2)、氧化锰(MnO2)、具有铝的水合氧化物覆层的氧化硅颗粒、具有氧化硅覆层的各种不等轴椭球形颗粒、具有氢氧化铈颗粒覆层的氧化硅颗粒或包含至少一种前述氧化物的组合。如果需要也可以使用这些无机氧化物的改性形式，例如聚合物包覆的无机氧化物颗粒和无机物涂覆的颗粒。合适的金属碳化物、硼化物和氮化物包括，例如碳化硅、氮化硅、碳氮化硅(SiCN)、碳化硼、碳化钨、碳化锆、硼化铝、碳化钽、碳化钛或包含至少一种前述金属碳化物、硼化物和氮化物的组合。如果需要金刚石也可以用作研磨剂。供选择的研磨剂还包括聚合物颗粒和包覆的聚合物颗粒。优选的研磨剂为氧化硅。
此外，该溶液包含0.01-4wt％的抑制剂以控制静态腐蚀或其它去除机制产生的互连去除速率(interconnect removal rate)。调整抑制剂浓度可通过保护金属不受静态蚀刻调节互连金属去除速率。优选地，溶液中含有0.1-3wt％的抑制剂以抑制例如铜互连的静态腐蚀。该抑制剂可以由抑制剂的混合物组成。唑类(azole)抑制剂对于铜和银互连特别有效。典型的唑类抑制剂包括苯并三唑(BTA)、巯基苯并噻唑(MBT)、甲苯基三唑(tolytriazole)和咪唑。BTA对于铜和银是特别有效的抑制剂。
该无机盐和氧化剂可以在含余量水的溶液中在宽的pH范围上提供效力。该溶液有效的pH值范围为至少1.5-6。另外，该溶液优选依靠余量的去离子水限制附带的杂质。本发明抛光液的pH值优选为1.8-4，更优选的pH值为2-3。用于调节本发明浆料pH值的pH值调节剂可以是含铵离子的碱例如氢氧化铵、含烷基取代的铵离子的碱、含碱金属离子的碱、含碱土金属离子的碱、含IIIB族金属离子的碱、含IVB族金属离子的碱、含VB族金属离子的碱和含过渡金属离子的盐。设定pH值为酸性范围不但可以去除铜和阻挡层表面，而且有助于稳定本发明的浆料。可用已知的技术对该抛光液的pH值进行调节。例如，可以将碱直接加入分散有二氧化硅研磨剂和溶解有有机酸的浆料中。作为选择，可以将有待加入的碱的部分或全部以有机碱盐的形式加入。可使用的碱的例子包括碱金属的氢氧化物例如氢氧化钾、碱金属的碳酸盐例如碳酸钾、氨水和胺。有利的，无机盐或酸的加入为本组合物提供了更好的稳定性和耐用性(robustness)。特别地，无机盐或酸的加入使本组合物可以提供有效的抛光速率，而基本上不受影响或依赖于pH值。
该溶液为互连金属和阻挡层材料提供了优异的去除速率。特别地，使用多步抛光液以单一、组合步骤去除互连处金属和阻挡层材料上的不需要部分。也就是说，本发明的一种抛光液既可用于“第一步”又可用于“第二步”的处理，因此消除了额外的成本并减少了处理时间。另外，如果需要本发明的组合物可单独用作第二步的浆料。该溶液依靠无机盐或酸和氧化剂选择性除去铜和钽阻挡层材料。在一个实施例中，本发明提供了一种用于从半导体晶片上抛光钽阻挡层材料和铜的多步水性组合物，该组合物含有按重量计，0.1-30％的氧化剂，0.01-3％的无机盐或酸，0.01-4％的抑制剂，0.1-30％的研磨剂，0-15％的配位剂和余量的水，其中该含水组合物具有1.5-3.5的pH值。
可选地，该溶液可包含0-15wt％的非铁金属的配位剂。当存在时，配位剂可防止由溶解非铁金属互连形成的金属离子的析出。更有利地，该溶液含有0-10wt％的非铁金属的配位剂。配位剂的例子包括乙酸、柠檬酸、乙酰乙酸乙酯、羟基乙酸、乳酸、苹果酸、草酸、水杨酸、二乙基二硫代氨基甲酸钠、丁二酸、酒石酸、巯基乙酸、甘氨酸、丙氨酸、天冬氨酸、乙二胺、三甲基二胺、丙二酸、戊二酸(gluteric acid)、3-羟基丁酸、丙酸、邻苯二甲酸、间苯二甲酸、3-羟基水杨酸、3，5-二羟基水杨酸、棓酸、葡萄糖酸、邻苯二酚、连苯三酚、丹宁酸，包括它们的盐和混合物。有利的，该配位剂选自乙酸、柠檬酸、乙酰乙酸乙酯、羟基乙酸、乳酸、苹果酸、草酸和它们的混合物。最有利的，该配位剂为柠檬酸。
抛光液也可含有均平剂例如氯化铵，用于控制互连金属表面的光洁度。此外，该溶液中可选包含杀菌剂用于限制生物污染。例如在水中的KordekMLX(Rohm and Haas Company)杀菌剂2-甲基-4-异噻唑啉-3-酮可以在许多应用中提供有效的杀菌作用。典型以供应商规定的浓度使用该杀菌剂。
该溶液提供了优异的互连处金属和阻挡层材料的去除速率。特别的，利用多步抛光液以单一、组合步骤除去互连金属和阻挡层材料中不需要的部分。也就是说，本发明的一种抛光液既可用于“第一步”又可用于“第二步”的处理，从而，消除了额外的成本并减少了处理时间。另外，如果需要，本发明的组合物可单独用作第二步浆料。一种适用于测定去除速率的特殊抛光垫是IC1010聚氨酯抛光垫(Rohm and Haas Electronic Materials CMP Technologies)。调节无机盐或酸和氧化剂的含量可以调节互连金属和阻挡层材料的去除速率。
实施例
在实施例中，数字表示本发明的实施例，字母表示对照实施例。另外，所有实施中的浆料含有0.6wt％的苯并三唑。
实施例1
本实验测试了从半导体晶片上去除氮化钽阻挡层和铜的速率。特别的，该试验测定了改变用于第一和第二步抛光过程中的无机盐即磷酸二氢铵和氧化剂即过氧化氢的浓度的效果。Strausbaugh抛光机使用IC1010聚氨酯抛光垫在大约1.5psi(10.3kPa)的下压力条件和200ml/min的抛光液流速，93RPM的工作台转速和87RPM的托架转速下平坦化该样品。使用KOH和HNO3将该抛光液的pH值调节到2.5。所有的浆料都含有去离子水。另外，抛光液包含4wt％平均颗粒尺寸为25nm的氧化硅研磨剂。
表1抛光结果
  试验   (NH4)H2PO4(wt％)   H2O2(wt％)   TaN/min   Cu/min
  A   -   9   243   258
  1   0.1   9   131   1229
  2   0.2   9   297   1723
  3   0.3   9   533   2434
  4   0.4   9   802   2634
  5   0.5   9   913   3124
  6   0.5   1   1072   194
  7   0.5   2   1116   248
  8   0.5   3   1134   434
  9   0.5   5   1117   1515
  10   0.5   7   989   2269
如表1中所示，通过使用本发明的组合物，氮化钽阻挡层膜和铜的去除速率高度可调，且该去除速率强烈依赖于无机盐和氧化剂的相对浓度。特别地，当维持过氧化氢的含量在9wt％时，将磷酸二氢铵的浓度从0.1增加至0.5wt％通常可以使氧化钽膜的去除速率从131/min增加至913/min。同样地，当维持磷酸二氢铵的用量在0.5wt％时，将过氧化氢的浓度从1增加至7wt％可以将铜膜的去除速率从194/min增至2269/min。不含磷酸二氢铵的组合物(试验A)对于氮化钽和铜两者都提供了微不足道的去除速率。试验2将氮化钽的去除速率减少至最小，同时提供良好的铜去除速率。也就是在试验2中，该抛光液将氮化钽的去除速率减少至297/min的同时提供1723/min的铜膜去除速率。试验6将铜的去除速率减少至最小的同时提供了良好的氮化钽去除速率。也就是在试验6中，该抛光液将铜的去除速率减少至194/min的同时提供了1072/min的氮化钽膜去除速率。试验9和10对于氮化钽和铜两者都提供优异的去除速率。特别地，试验9提供了1117/min的氮化钽去除速率和1515/min的铜去除速率。类似地，试验10提供了989/min的氮化钽去除速率和2269/min的铜去除速率。注意，所讨论的去除速率为上述实施例的试验条件下。去除速率会随试验参数的变化而变化。
表1所示结果显示本发明的抛光液可以理想的用于第一和第二步的抛光。可利用无机盐即磷酸二氢铵和氧化剂即过氧化氢的相对浓度，对氮化钽阻挡层和铜的去除速率进行非常大的调节或调整。例如，测试样品9和10都非常适合用作第一和第二步的抛光液，并对铜和氮化钽阻挡层两者都可提供优异的去除速率。特别地，试验9提供了1515/min的铜去除速率和1117/min的氮化钽去除速率。类似地，试验10提供了2269/min的铜去除速率和989/min的氮化钽去除速率。作为选择，本发明的组合物可以仅用作第二步浆料。例如，试验样品6将铜的去除速率减少至最小(194/min)的同时提供了优异的钽去除速率(1072/min)。
实施例2
本试验测试半导体晶片上氮化钽阻挡层和铜的去除速率。特别地，本试验测定了改变用于第一和第二步抛光过程中的无机酸即硫酸和氧化剂即过氧化氢的用量的效果。试验条件与上述的实施例1相同。
表2
抛光结果
  试验   H2SO4(wt％)   H2O2(wt％)   TaN/min   Cu/min
  B   -   9   340   219
  11   0.13   9   768   1253
  12   0.23   9   1322   1874
  13   0.43   9   1405   2127
  14   0.63   9   1365   2349
  15   0.83   9   1385   3107
  16   1.00   9   1313   3439
  17   0.63   1   1501   156
  18   0.63   2   1486   292
  19   0.63   3   1368   305
  20   0.63   5   1334   1298
  21   0.63   7   1447   1446
如表2中所示，通过使用本发明的组合物氮化钽阻挡层膜和铜的去除速率高度可调，且该去除速率强烈依赖于无机酸和氧化剂的相对浓度。特别地，当维持过氧化氢的含量在9wt％时，将硫酸的浓度从0.13增加至1wt％，通常可以使氮化钽膜的去除速率从768/min增加至1313/min。同样地，当维持硫酸的用量为0.63wt％时，将过氧化氢的浓度从1增加至7wt％，可以使铜膜的去除速率从156/min增至1446/min。不含硫酸的组合物(试验B)对氮化钽和铜两者都提供了微不足道的去除速率。试验11将氮化钽的去除速率减少至最小的同时提供了良好的铜去除速率。也就是试验11中，该抛光液将氮化钽的去除速率减少至768/min的同时提供了1253/min的铜膜去除速率。试验17将铜的去除速率减少至最小的同时提供了良好的氮化钽去除速率。也就是在试验17中，该抛光液将铜的去除了减少至156/min的同时提供了1501/min的氮化钽去除速率。试验13和14对氮化钽和铜两者都提供了优异的去除速率。特别地，试验13提供了1405/min的氮化钽去除速率和2127/min的铜去除速率。类似地，试验14提供了1365/min的氮化钽去除速率和2349/min的铜去除速率。注意，所讨论的去除速率为上述实施例的试验条件下。去除速率会随试验参数的变化而变化。
表2所示结果显示本发明的抛光液可以理想地用于第一和第二步的抛光。可利用无机酸即硫酸和氧化剂即过氧化氢的相对浓度对氮化钽阻挡层膜和铜的去除速率进行非常大的调节或调整。例如，测试样品13和14都非常适合用作第一和第二步的抛光液，并对铜和氮化钽阻挡层两者都提供了优异的去除速率。作为选择，本发明的组合物可以仅用作第二步的浆料。例如，试验样品17将铜的去除速率减小至最小(156/min)的同时提供了优异的钽去除速率(1501/min)。
因此，该溶液对于互连金属和阻挡层材料提供了优异的去除速率。特别地，利用多步抛光液以单一、组合步骤除去互连金属和阻挡层材料中不需要的部分。也就是说本发明的一种抛光液既可用于“第一步”又可用于“第二步”的处理，因此，消除了额外的成本和减少了处理时间。另外，如果需要，本发明的组合物可只用作第二步浆料。该浆料依靠无机盐或酸和氧化剂选择性去除铜和钽阻挡层材料。在一个实施方案中，本发明提供了一种可以适用于从半导体晶片上抛光钽阻挡层材料和铜的多步水性组合物，该组合物含有按wt％计0.1-30％的氧化剂，0.01-3％的无机盐或酸，0.01-4％的抑制剂，0.1-30％的研磨剂，0-15％的配位剂和余量的水，其中该水性组合物具有1.5-6的pH值。

Claims (10)

1、用于从半导体晶片上抛光钽阻挡层材料和铜的多步水性组合物，该组合物含有按wt％计0.1-30％的氧化剂，0.01-3％的无机盐或酸，0.01-4％的抑制剂，0.1-30％的研磨剂，0-15％的配位剂和余量的水，其中该水性组合物具有1.5-6的pH值。
2、如权利要求1所述的组合物，其中该组合物含有0.1-1wt％的无机盐。
3、如权利要求1所述的组合物，其中该水性组合物具有2-3的pH值。
4、如权利要求1所述的组合物，其中该无机盐选自磷酸盐、焦磷酸盐、多磷酸盐、膦酸盐、硫酸盐、焦硫酸盐、多硫酸盐、磺酸盐和它们的酸、盐、混合酸盐、酯、偏酯、混合酯以及它们的混合物。
5、如权利要求1所述的组合物，其中无机盐选自磷酸锌、焦磷酸锌、多磷酸锌、膦酸锌、磷酸铵、焦磷酸铵、多磷酸铵、膦酸铵、磷酸二铵、焦磷酸二铵、多磷酸二铵、膦酸二铵、磷酸胍、焦磷酸胍、多磷酸胍、膦酸胍、磷酸铁、焦磷酸铁、多磷酸铁、膦酸铁、磷酸铈、焦磷酸铈、多磷酸铈、膦酸铈、磷酸乙二胺、磷酸哌嗪、焦磷酸哌嗪、膦酸哌嗪、磷酸蜜胺、磷酸二蜜胺、焦磷酸蜜胺、多磷酸蜜胺、膦酸蜜胺、磷酸蜜白胺、焦磷酸蜜白胺、多磷酸蜜白胺、膦酸蜜白胺、磷酸蜜勒胺、焦磷酸蜜勒胺、多磷酸蜜勒胺、膦酸蜜勒胺、磷酸双氰胺、磷酸脲、硫酸锌、焦硫酸锌、多硫酸锌、磺酸锌、硫酸铵、焦硫酸铵、多硫酸铵、磺酸铵、硫酸二铵、焦硫酸二铵、多硫酸二铵、磺酸二铵、硫酸胍、焦硫酸胍、多硫酸胍、磺酸胍、硫酸铁、焦硫酸铁、多硫酸铁、磺酸铁、硫酸铈、焦硫酸铈、多硫酸铈、磺酸铈、硫酸乙二胺、硫酸哌嗪、焦硫酸哌嗪、磺酸哌嗪、硫酸蜜胺、硫酸二蜜胺、焦硫酸蜜胺、多硫酸蜜胺、磺酸蜜胺、硫酸蜜白胺、焦硫酸蜜白胺、多硫酸蜜白胺、磺酸蜜白胺、硫酸蜜勒胺、焦硫酸蜜勒胺、多硫酸蜜勒胺、磺酸蜜勒胺、硫酸双氰胺、硫酸脲、和它们的酸、盐、混合酸盐、酯、偏酯、混合酯以及它们的混合物。
6、如权利要求1所述的组合物，其中该氧化剂选自过氧化氢、单过硫酸盐、碘酸盐、过邻苯二甲酸镁、过乙酸、过硫酸盐、溴酸盐、高碘酸盐、硝酸盐、铁盐、铈盐、Mn(III)、Mn(IV)和Mn(VI)盐、银盐、铜盐、铬盐、钴盐、卤素、次氯酸盐和它们的混合物。
7、用于从半导体晶片上抛光钽阻挡层材料和铜的多步水性组合物，该组合物含有按wt％计0.1-30％的过氧化氢，0.01-3％的无机盐或酸，0.01-4％的抑制剂，0.1-30％的研磨剂，0-15％的配位剂和余量的水，该水性组合物具有1.5-6的pH值，其中该无机盐选自磷酸锌、焦磷酸锌、多磷酸锌、膦酸锌、磷酸铵、焦磷酸铵、多磷酸铵、膦酸铵、磷酸二铵、焦磷酸二铵、多磷酸二铵、膦酸二铵、磷酸胍、焦磷酸胍、多磷酸胍、膦酸胍、磷酸铁、焦磷酸铁、多磷酸铁、膦酸铁、磷酸铈、焦磷酸铈、多磷酸铈、膦酸铈、磷酸乙二胺、磷酸哌嗪、焦磷酸哌嗪、膦酸哌嗪、磷酸蜜胺、磷酸二蜜胺、焦磷酸蜜胺、多磷酸蜜胺、膦酸蜜胺、磷酸蜜白胺、焦磷酸蜜白胺、多磷酸蜜白胺、膦酸蜜白胺、磷酸蜜勒胺、焦磷酸蜜勒胺、多磷酸蜜勒胺、膦酸蜜勒胺、磷酸双氰胺、磷酸脲、硫酸锌、焦硫酸锌、多硫酸锌、磺酸锌、硫酸铵、焦硫酸铵、多硫酸铵、磺酸铵、硫酸二铵、焦硫酸二铵、多硫酸二铵、磺酸二铵、硫酸胍、焦硫酸胍、多硫酸胍、磺酸胍、硫酸铁、焦硫酸铁、多硫酸铁、磺酸铁、硫酸铈、焦硫酸铈、多硫酸铈、磺酸铈、硫酸乙二胺、硫酸哌嗪、焦硫酸哌嗪、磺酸哌嗪、硫酸蜜胺、硫酸二蜜胺、焦硫酸蜜胺、多硫酸蜜胺、磺酸蜜胺、硫酸蜜白胺、焦硫酸蜜白胺、多硫酸蜜白胺、磺酸蜜白胺、硫酸蜜勒胺、焦硫酸蜜勒胺、多硫酸蜜勒胺、磺酸蜜勒胺、硫酸双氰胺、硫酸脲、和它们的酸、盐、混合的酸盐、酯、偏酯、混合酯以及它们的混合物。
8、从半导体晶片上抛光钽阻挡层材料和铜的方法，该方法包括：
使晶片接触抛光组合物，该晶片含有钽阻挡层材料和铜，该抛光组合物含有按wt％计0.1-30％的氧化剂，0.01-3％的无机盐或酸，0.01-4％的抑制剂，0.1-30％的研磨剂，0-15％的配位剂和余量的水，其中该水性组合物的pH值为1.5-6；和
使用抛光垫抛光该晶片。
9、如权利要求8所述的方法，其中该无机盐选自磷酸锌、焦磷酸锌、多磷酸锌、膦酸锌、磷酸铵、焦磷酸铵、多磷酸铵、膦酸铵、磷酸二铵、焦磷酸二铵、多磷酸二铵、膦酸二铵、磷酸胍、焦磷酸胍、多磷酸胍、膦酸胍、磷酸铁、焦磷酸铁、多磷酸铁、膦酸铁、磷酸铈、焦磷酸铈、多磷酸铈、膦酸铈、磷酸乙二胺、磷酸哌嗪、焦磷酸哌嗪、膦酸哌嗪、磷酸蜜胺、磷酸二蜜胺、焦磷酸蜜胺、多磷酸蜜胺、膦酸蜜胺、磷酸蜜白胺、焦磷酸蜜白胺、多磷酸蜜白胺、膦酸蜜白胺、磷酸蜜勒胺、焦磷酸蜜勒胺、多磷酸蜜勒胺、膦酸蜜勒胺、磷酸双氰胺、磷酸脲、硫酸锌、焦硫酸锌、多硫酸锌、磺酸锌、硫酸铵、焦硫酸铵、多硫酸铵、磺酸铵、硫酸二铵、焦硫酸二铵、多硫酸二铵、磺酸二铵、硫酸胍、焦硫酸胍、多硫酸胍、磺酸胍、硫酸铁、焦硫酸铁、多硫酸铁、磺酸铁、硫酸铈、焦硫酸铈、多硫酸铈、磺酸铈、硫酸乙二胺、硫酸哌嗪、焦硫酸哌嗪、磺酸哌嗪、硫酸蜜胺、硫酸二蜜胺、焦硫酸蜜胺、多硫酸蜜胺、磺酸蜜胺、硫酸蜜白胺、焦硫酸蜜白胺、多硫酸蜜白胺、磺酸蜜白胺、硫酸蜜勒胺、焦硫酸蜜勒胺、多硫酸蜜勒胺、磺酸蜜勒胺、硫酸双氰胺、硫酸脲、和它们的酸、盐、混合酸盐、酯、偏酯、混合酯以及它们的混合物。
10、如权利要求8所述的方法，其中氧化剂选自过氧化氢、单过硫酸盐、碘酸盐、过邻苯二甲酸镁、过乙酸、过硫酸盐、溴酸盐、高碘酸盐、硝酸盐、铁盐、铈盐、Mn(III)、Mn(IV)和Mn(VI)盐、银盐、铜盐、铬盐、钴盐、卤素、次氯酸盐和它们的混合物。
CNB2005100717960A 2004-02-23 2005-02-22 用于化学机械平坦化的多步抛光液 Active CN1324105C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/785,362 US6971945B2 (en) 2004-02-23 2004-02-23 Multi-step polishing solution for chemical mechanical planarization
US10/785,362 2004-02-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1721493A true CN1721493A (zh) 2006-01-18
CN1324105C CN1324105C (zh) 2007-07-04

Family

ID=34911447

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2005100717960A Active CN1324105C (zh) 2004-02-23 2005-02-22 用于化学机械平坦化的多步抛光液

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6971945B2 (zh)
JP (1) JP4774219B2 (zh)
KR (1) KR101095399B1 (zh)
CN (1) CN1324105C (zh)
TW (1) TWI369386B (zh)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008040183A1 (fr) * 2006-09-29 2008-04-10 Anji Microelectronics (Shanghai) Co., Ltd. Liquide de polissage chimico-mécanique pour matériau à faible coefficient diélectrique
CN102051129A (zh) * 2009-11-06 2011-05-11 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液
WO2012009959A1 (zh) * 2010-07-21 2012-01-26 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液
CN102358824A (zh) * 2011-07-29 2012-02-22 清华大学 一种用于硬盘盘基片超精密表面制造的抛光组合物
CN102477258A (zh) * 2010-11-26 2012-05-30 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液
CN102533121A (zh) * 2010-12-27 2012-07-04 安集微电子（上海）有限公司 一种抛光钨的化学机械抛光液
CN101418191B (zh) * 2007-10-26 2013-10-02 安集微电子（上海）有限公司 一种金属铜的抛光液
CN101418190B (zh) * 2007-10-26 2013-10-02 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液
CN101684392B (zh) * 2008-09-26 2015-01-28 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液
CN109623581A (zh) * 2019-01-04 2019-04-16 芜湖启迪半导体有限公司 一种硬质材料的表面抛光方法
CN111826089A (zh) * 2020-07-28 2020-10-27 河北工业大学 Glsi多层布线高价金属在cmp中的应用
CN112210779A (zh) * 2020-09-29 2021-01-12 九牧厨卫股份有限公司 一种双梯度抛光方法及其应用

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006093792A1 (en) * 2005-02-25 2006-09-08 Solutions Biomed, Llc Aqueous disinfectants and sterilants
US7553805B2 (en) * 2005-02-25 2009-06-30 Solutions Biomed, Llc Methods and compositions for treating viral, fungal, and bacterial infections
US7507701B2 (en) 2005-02-25 2009-03-24 Solutions Biomed, Llc Aqueous disinfectants and sterilants including transition metals
US7504369B2 (en) * 2005-02-25 2009-03-17 Solutions Biomed, Llc Methods and compositions for decontaminating surfaces exposed to chemical and/or biological warfare compounds
US7473675B2 (en) * 2005-02-25 2009-01-06 Solutions Biomed, Llc Disinfectant systems and methods comprising a peracid, alcohol, and transition metal
US7534756B2 (en) * 2005-02-25 2009-05-19 Solutions Biomed, Llc Devices, systems, and methods for dispensing disinfectant solutions comprising a peroxygen and transition metal
US7462590B2 (en) * 2005-02-25 2008-12-09 Solutions Biomed, Llc Aqueous disinfectants and sterilants comprising a peroxide/peracid/transition metal mixture
US7511007B2 (en) * 2005-02-25 2009-03-31 Solutions Biomed, Llc Aqueous sanitizers, disinfectants, and/or sterilants with low peroxygen content
KR100712879B1 (ko) 2005-04-06 2007-04-30 주식회사 잉크테크 에칭액 조성물
US20090042763A1 (en) * 2005-04-19 2009-02-12 Lyle Carman Aqueous cleaning composition
JP5133874B2 (ja) * 2005-04-28 2013-01-30 テクノ セミケム シーオー．， エルティーディー． 高段差酸化膜の平坦化のための自動研磨停止機能を有する化学機械的研磨組成物
KR20080015027A (ko) * 2005-06-13 2008-02-15 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 금속 규화물 형성 후 금속 또는 금속 합금의 선택적인제거를 위한 조성물 및 방법
TWI385226B (zh) * 2005-09-08 2013-02-11 羅門哈斯電子材料Ｃｍｐ控股公司 用於移除聚合物阻障之研磨漿液
JP2013214786A (ja) * 2005-11-01 2013-10-17 Hitachi Chemical Co Ltd 銅膜及び絶縁材料膜用研磨材及び研磨方法
JP5412706B2 (ja) * 2005-11-01 2014-02-12 日立化成株式会社 銅膜及び絶縁材料膜用研磨材及び研磨方法
JP4920272B2 (ja) * 2006-03-06 2012-04-18 富士フイルム株式会社 金属用研磨液、及び化学的機械的研磨方法
JP5030431B2 (ja) * 2006-02-08 2012-09-19 富士フイルム株式会社 研磨用組成物
JP2007208216A (ja) * 2006-02-06 2007-08-16 Fujifilm Corp 金属用研磨液及びそれを用いた研磨方法
US7842192B2 (en) * 2006-02-08 2010-11-30 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Multi-component barrier polishing solution
JP2007220759A (ja) * 2006-02-14 2007-08-30 Fujifilm Corp 金属用研磨液及びそれを用いた化学的機械的研磨方法
US20070209287A1 (en) * 2006-03-13 2007-09-13 Cabot Microelectronics Corporation Composition and method to polish silicon nitride
US8759216B2 (en) * 2006-06-07 2014-06-24 Cabot Microelectronics Corporation Compositions and methods for polishing silicon nitride materials
US7538969B2 (en) * 2006-08-23 2009-05-26 Imation Corp. Servo pattern with encoded data
DE102006061891A1 (de) * 2006-12-28 2008-07-03 Basf Se Zusammensetzung zum Polieren von Oberflächen aus Siliziumdioxid
JP4614981B2 (ja) * 2007-03-22 2011-01-19 Ｊｓｒ株式会社 化学機械研磨用水系分散体および半導体装置の化学機械研磨方法
US20090001339A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-01 Tae Young Lee Chemical Mechanical Polishing Slurry Composition for Polishing Phase-Change Memory Device and Method for Polishing Phase-Change Memory Device Using the Same
WO2009032203A1 (en) * 2007-08-30 2009-03-12 Solutions Biomed, Llc Colloidal metal-containing skin sanitizer
US8464910B2 (en) * 2008-03-14 2013-06-18 Solutions Biomed, Llc Multi-chamber container system for storing and mixing fluids
US8900473B2 (en) * 2008-08-06 2014-12-02 Hitachi Chemical Company, Ltd. Polishing solution for CMP, and method for polishing substrate using the polishing solution for CMP
US20100120913A1 (en) * 2008-11-12 2010-05-13 Larson Brian G Resin catalyzed and stabilized peracid compositions and associated methods
WO2010056871A2 (en) * 2008-11-12 2010-05-20 Solutions Biomed, Llc Two-part disinfectant system and related methods
US8789716B2 (en) * 2008-11-12 2014-07-29 Solutions Biomed, Llc Multi-chamber container system for storing and mixing liquids
KR101279962B1 (ko) * 2008-12-18 2013-07-05 제일모직주식회사 금속 배선 연마용 ｃｍｐ 슬러리 조성물
JP5640977B2 (ja) 2009-07-16 2014-12-17 日立化成株式会社 パラジウム研磨用ｃｍｐ研磨液及び研磨方法
JP5953762B2 (ja) * 2011-01-25 2016-07-20 日立化成株式会社 Ｃｍｐ研磨液及びその製造方法、並びに基体の研磨方法
JP6093846B2 (ja) 2013-02-28 2017-03-08 株式会社フジミインコーポレーテッド コバルト除去のための研磨スラリー
US10745589B2 (en) * 2016-06-16 2020-08-18 Versum Materials Us, Llc Chemical mechanical polishing (CMP) of cobalt-containing substrate
US10853814B2 (en) * 2017-04-03 2020-12-01 Mastercard International Incorporated Systems and methods for monitoring attendance of persons via payment networks
KR102611598B1 (ko) * 2017-04-27 2023-12-08 주식회사 동진쎄미켐 화학-기계적 연마용 슬러리 조성물
CN107286908A (zh) * 2017-06-22 2017-10-24 合肥汇之新机械科技有限公司 一种工业机器人用的耐高温研磨剂及其制备方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4674236A (en) * 1985-05-13 1987-06-23 Toshiba Machine Co., Ltd. Polishing machine and method of attaching emery cloth to the polishing machine
US4910155A (en) * 1988-10-28 1990-03-20 International Business Machines Corporation Wafer flood polishing
US4954142A (en) * 1989-03-07 1990-09-04 International Business Machines Corporation Method of chemical-mechanical polishing an electronic component substrate and polishing slurry therefor
US5244534A (en) * 1992-01-24 1993-09-14 Micron Technology, Inc. Two-step chemical mechanical polishing process for producing flush and protruding tungsten plugs
US5340370A (en) * 1993-11-03 1994-08-23 Intel Corporation Slurries for chemical mechanical polishing
JP2850803B2 (ja) * 1995-08-01 1999-01-27 信越半導体株式会社 ウエーハ研磨方法
US5780358A (en) * 1996-04-08 1998-07-14 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Method for chemical-mechanical polish (CMP) planarizing of cooper containing conductor layers
US6063306A (en) 1998-06-26 2000-05-16 Cabot Corporation Chemical mechanical polishing slurry useful for copper/tantalum substrate
KR100473442B1 (ko) 1998-10-23 2005-03-08 아치 스페셜티 케미칼즈, 인코포레이티드 금속층의 화학적 기계적 연마를 위한 활성제, 활성제 용액, 슬러리 시스템 및 연마방법
US6261158B1 (en) * 1998-12-16 2001-07-17 Speedfam-Ipec Multi-step chemical mechanical polishing
US6630433B2 (en) * 1999-07-19 2003-10-07 Honeywell International Inc. Composition for chemical mechanical planarization of copper, tantalum and tantalum nitride
TW499471B (en) * 1999-09-01 2002-08-21 Eternal Chemical Co Ltd Chemical mechanical/abrasive composition for semiconductor processing
JP4500429B2 (ja) * 1999-12-24 2010-07-14 株式会社トクヤマ バリア膜用研磨剤
JP2001187876A (ja) * 1999-12-28 2001-07-10 Nec Corp 化学的機械的研磨用スラリー
US6355075B1 (en) * 2000-02-11 2002-03-12 Fujimi Incorporated Polishing composition
US6602117B1 (en) * 2000-08-30 2003-08-05 Micron Technology, Inc. Slurry for use with fixed-abrasive polishing pads in polishing semiconductor device conductive structures that include copper and tungsten and polishing methods
KR100398141B1 (ko) 2000-10-12 2003-09-13 아남반도체 주식회사 화학적 기계적 연마 슬러리 조성물 및 이를 이용한반도체소자의 제조방법
US6899804B2 (en) * 2001-12-21 2005-05-31 Applied Materials, Inc. Electrolyte composition and treatment for electrolytic chemical mechanical polishing
JP2003286477A (ja) * 2002-03-28 2003-10-10 Sumitomo Bakelite Co Ltd 研磨用組成物並びに研磨方法
US7300602B2 (en) * 2003-01-23 2007-11-27 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Selective barrier metal polishing solution
US7300603B2 (en) * 2003-08-05 2007-11-27 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical planarization compositions for reducing erosion in semiconductor wafers
US7018560B2 (en) * 2003-08-05 2006-03-28 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Composition for polishing semiconductor layers
US7300480B2 (en) * 2003-09-25 2007-11-27 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. High-rate barrier polishing composition

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008040183A1 (fr) * 2006-09-29 2008-04-10 Anji Microelectronics (Shanghai) Co., Ltd. Liquide de polissage chimico-mécanique pour matériau à faible coefficient diélectrique
CN101418191B (zh) * 2007-10-26 2013-10-02 安集微电子（上海）有限公司 一种金属铜的抛光液
CN101418190B (zh) * 2007-10-26 2013-10-02 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液
CN101684392B (zh) * 2008-09-26 2015-01-28 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液
CN102051129A (zh) * 2009-11-06 2011-05-11 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液
CN102051129B (zh) * 2009-11-06 2014-09-24 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液
WO2012009959A1 (zh) * 2010-07-21 2012-01-26 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液
CN102477258A (zh) * 2010-11-26 2012-05-30 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液
CN102477258B (zh) * 2010-11-26 2015-05-27 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液
WO2012088756A1 (zh) * 2010-12-27 2012-07-05 安集微电子（上海）有限公司 一种抛光钨的化学机械抛光液
CN102533121A (zh) * 2010-12-27 2012-07-04 安集微电子（上海）有限公司 一种抛光钨的化学机械抛光液
CN102533121B (zh) * 2010-12-27 2016-01-27 安集微电子（上海）有限公司 一种抛光钨的化学机械抛光液
CN102358824A (zh) * 2011-07-29 2012-02-22 清华大学 一种用于硬盘盘基片超精密表面制造的抛光组合物
CN109623581A (zh) * 2019-01-04 2019-04-16 芜湖启迪半导体有限公司 一种硬质材料的表面抛光方法
CN111826089A (zh) * 2020-07-28 2020-10-27 河北工业大学 Glsi多层布线高价金属在cmp中的应用
CN111826089B (zh) * 2020-07-28 2021-09-28 河北工业大学 Glsi多层布线高价金属在cmp中的应用
WO2022022147A1 (zh) * 2020-07-28 2022-02-03 河北工业大学 Glsi多层布线高价金属在cmp中的应用
CN112210779A (zh) * 2020-09-29 2021-01-12 九牧厨卫股份有限公司 一种双梯度抛光方法及其应用
CN112210779B (zh) * 2020-09-29 2022-10-11 九牧厨卫股份有限公司 一种双梯度抛光方法及其应用

Also Published As

Publication number Publication date
JP4774219B2 (ja) 2011-09-14
TW200532000A (en) 2005-10-01
US6971945B2 (en) 2005-12-06
JP2005277399A (ja) 2005-10-06
US20050194357A1 (en) 2005-09-08
KR101095399B1 (ko) 2011-12-16
KR20060043069A (ko) 2006-05-15
CN1324105C (zh) 2007-07-04
TWI369386B (en) 2012-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1324105C (zh) 用于化学机械平坦化的多步抛光液
CN101016440B (zh) 多组分阻挡层抛光液
EP1152046B1 (en) Polishing composition and polishing method employing it
CN100341966C (zh) 用于半导体晶片的抛光组合物
CN1319132C (zh) 钽阻挡层去除溶液
CN1696235B (zh) 阻挡层抛光溶液
US7790618B2 (en) Selective slurry for chemical mechanical polishing
US8540893B2 (en) Chemical mechanical polishing composition and methods relating thereto
CN1644640A (zh) 用于铜的受控抛光的组合物和方法
CN1629238A (zh) 用于抛光铜的组合物和方法
CN1301288A (zh) 用于铜基材的化学机械抛光浆料
CN101525522B (zh) 低污染抛光组合物
CN1715310A (zh) 化学机械抛光组合物及有关的方法
CN1644644A (zh) 用于铜的低下压力抛光的组合物和方法
JP6118501B2 (ja) 安定した濃縮可能な水溶性セルロースフリーのケミカルメカニカル研磨組成物
JP6041095B2 (ja) 銅をケミカルメカニカルポリッシングするための方法
CN1630045A (zh) 用于去除阻挡层的组合物和方法
CN101515546B (zh) 一种抛光包含铜互连金属的图案化半导体晶片的方法
US20080029126A1 (en) Compositions and methods for improved planarization of copper utilizing inorganic oxide abrasive
JP3857474B2 (ja) 化学機械研磨用水系分散体
KR100442549B1 (ko) 연마성능이 우수하고 안정성이 향상된, 금속 연마를 위한ｃｍｐ용 슬러리 조성물 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant