CN1702959A - 具有高功率附加效率的射频功率放大器 - Google Patents

具有高功率附加效率的射频功率放大器 Download PDF

Info

Publication number
CN1702959A
CN1702959A CNA200510055750XA CN200510055750A CN1702959A CN 1702959 A CN1702959 A CN 1702959A CN A200510055750X A CNA200510055750X A CN A200510055750XA CN 200510055750 A CN200510055750 A CN 200510055750A CN 1702959 A CN1702959 A CN 1702959A
Authority
CN
China
Prior art keywords
amplifier
stage
power
amplifier stage
network
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA200510055750XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN100472944C (zh
Inventor
R·A·梅克
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Intel Corp
Original Assignee
Tropian Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tropian Inc filed Critical Tropian Inc
Publication of CN1702959A publication Critical patent/CN1702959A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100472944C publication Critical patent/CN100472944C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/217Class D power amplifiers; Switching amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/193High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03CMODULATION
    • H03C5/00Amplitude modulation and angle modulation produced simultaneously or at will by the same modulating signal
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0211Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the supply voltage or current
    • H03F1/0216Continuous control
    • H03F1/0222Continuous control by using a signal derived from the input signal
    • H03F1/0227Continuous control by using a signal derived from the input signal using supply converters
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0211Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the supply voltage or current
    • H03F1/0244Stepped control
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0261Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the polarisation voltage or current, e.g. gliding Class A
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03GCONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G3/00Gain control in amplifiers or frequency changers
    • H03G3/004Control by varying the supply voltage
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/168Two amplifying stages are coupled by means of a filter circuit
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/18Indexing scheme relating to amplifiers the bias of the gate of a FET being controlled by a control signal
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/504Indexing scheme relating to amplifiers the supply voltage or current being continuously controlled by a controlling signal, e.g. the controlling signal of a transistor implemented as variable resistor in a supply path for, an IC-block showed amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/75Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier stage being a common source configuration MOSFET

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

概括地说,本发明提供了一种在高输出功率下显示出高功率附加效率的射频(RF)功率放大器。该功率放大器的设计基于开关晶体管或受电压控制(对应于场效应晶体管,即FET)或受电流控制(对应于双极晶体管)而不受两者同时控制这一观察结果。因此,激励放大器不需产生功率使末级以开关方式动作。这一观点同传统知识,即高效率功率放大器级间阻抗匹配设计概念正好相反。在电压和电流必然同时存在的通带(谐振)网络(例如RF功率放大器)中,不可能仅产生电压波形或电流波形。本发明的一个特点是,电压(或电流)波形幅值保持不变时,功率传递非但未最大化,功耗反而降低了。本发明的另一个特点是,激励级同末级均设计为开关操作方式。在此情况下,级间网络设计与E类输出级设计相似。然而,级间网络的目的不是在负载两端产生最大功率(如同E类输出级),而是在激励级负载(即开关输入)两端产生最大电压。在该方案中,开关的输入激励应足够高,以降低激励级的工作电压。激励级工作电压的降低进一步降低了激励级的DC电源功率,从而提高了PAE。

Description

具有高功率附加效率的射频功率放大器
技术领域
本发明涉及射频(RF)功率放大器;并且本申请是基于2002年12月31日提交的、发明名称为“具有高功率附加效率的射频功率放大器”,其国际申请号为PCT/US01/14258,国家申请号为01812177.2的分案申请。
背景技术
对于无线电通信装置如蜂窝电话、寻呼机、无线调制解调器等,电池寿命是一个重要的问题。射频传输尤其会消耗相当大的功率。造成如此大功耗的一个原因是功率放大器工作效率低。典型的无线通信用RF功率放大器的工作效率仅约为10%。显然,能够显著提高放大器效率的低成本技术可以满足这一迫切的需求。
功率放大器通常包含多级,例如一个输出末级以及一个或多个前置放大级或激励级。在输出末级的效率最大化方面,人们已经做了大量工作。如以引用方式并入本文的美国专利3,919,656所述,随着E类功率放大器的出现,输出末级的效率得到了显著的提高。在E类放大器中,开关的电流及电压波形被定相为在切换时上述两个参量中的一个位于或接近零,从而使功耗最小化。
E类放大器确定了以开关方式操作的功率放大器末级的操作及设计方法。因此,不言而谕,在RF功率放大器技术中,若要提高直流电源功率至输出功率的转换效率,放大器必须以非线性方式操作——而放大元件(例如晶体管)可能的最非线性操作方式为开关方式。的确,报道的开关方式RF功率放大器(例如E类)的输出效率(例如80%)显著高于AB类等适度非线性放大器(例如45%)。
要使RF功率放大器以开关方式操作,必须以重复方式激励输出晶体管在截止、全导通和再次截止之间快速切换。实现这种快速切换所需方法取决于选作开关的晶体管类型:对于场效应晶体管,控制参数为栅极源电压,而对于双极晶体管(BJT,HBT),控制参数为基极-发射极电流。
为了改善基本E类放大器的不同特性,曾尝试了多种设计。其中的一种设计在1999年9月IEEE微波原理与技术会刊第9期第47卷中Chio等人合著的“场效应晶体管E类放大器物理分析模型-PAE最大化设计”(A Physically Based Analytic Model of PET Class-E PowerAmplifiers--Designing for Maximum PAE)一文中进行了说明,该文以引用方式并入本文参考。该文献模造了各种非理想FET开关模型,根据该模型可以得出较佳E类放大器设计的结论。根据所选方案,最大功率附加效率(PAE)(约55%)出现在0.5W或更低的功率级。在更高功率级,PAE急剧降低,例如在2W功率级,PAE不到30%。
功率放大器的PAE取决于实现末级输出功率所需最后26dB增益的直流电源功率值(在该增益等级上,通过激励信号输入至放大器的功率因不易测量而忽略)。就目前所知,尚没有能够在射频上产生1W或更高的输出功率同时又能够提供最小为26dB的功率增益的放大装置。因此,在末级之前必须设置一个或多个放大器,并且确定总PAE时须将上述功率放大器所耗DC功率包含在内。
传统设计方法要求放大器的设计者对激励电路输出阻抗和末级开关晶体管输入阻抗进行阻抗匹配。因此,激励级的实际输出功率要求取决于开关元件有效输入阻抗(通常较低)的工作电压(或电流)要求。由于阻抗的概念需要线性操作,而开关是极端非线性的,因此具体的开关晶体管输入阻抗是无法定义的。
图1给出了一个采用上述方法的RF放大器电路的实例。其中级间“L段”由电感器L1、分路电容器C及电感器L2组成,用于使激励级与假定的50ohm负载(即末级)相匹配。
上述传统方法将激励级与末级之间的非线性中间级作为线性网络对待。另外,传统方法使激励级与末级之间的功率传递最大化(阻抗匹配的期望结果)。因此,为产生FET(用作开关晶体管)所需的激励电压,激励器还须产生同相电流以提供阻抗匹配功率。
图2给出了另一个传统RF功率放大器电路的实例。该电路采用“谐振级间匹配”,其中激励级与末级通过一个耦合电容Ccpl耦联。
如上所述,传统的设计方法在高输出功率(例如2W,蜂窝电话的操作通常在该功率等级上进行)不能获得高PAE。因此,需要一种能在较高输出功率显示出高PAE的RF功率放大器。
发明内容
概括地说,本发明提供了一种可在高输出功率显示出高PAE的RF功率放大器。该功率放大器的设计基于开关晶体管或受电压控制(对应于场效应晶体管,即FET)或受电流控制(对应于双极晶体管)而不同时受二者控制这一观察结果,因此激励放大器不需产生功率以使末级以开关方式操作。这一观点同传统知识,即高效率功率放大器间级阻抗匹配设计概念正好相反。在电压和电流必然同时存在的通带(谐振)网络(例如RF功率放大器)中不可能仅产生电压波形或电流波形。本发明的一个特点是,电压(或电流)波形幅值保持不变时,功率传递非但未最大化,功耗却降低了。本发明的另一个特点是,激励级同末级均设计为开关方式,即级间网络的设计与E类输出级设计相似。但是级间网络的目的不是在负载两端产生最大功率(如同E类输出级),而是在激励器负载两端产生最大电压(即开关输入)。在该方案中,开关的输入激励应足够高,以降低激励级的工作电压。激励级工作电压的降低进一步降低了激励器的DC电源功率,从而提高了PAE。
换言之,为达到本发明的目的,本发明提供一种一种多级放大器,其包含:一第一放大器级;一第二放大器级,所述第二放大器配置为用于开关方式操作;以及,一级间网络,其将所述第一放大器级耦合到所述第二放大器级,所述级间网络在重要的频带具有一阻抗,所述阻抗增加所述多级放大器的功率附加效率,通过使用阻抗匹配的级间网络可获得多级放大器内的功率附加效率。
另外,本发明提供一种增加多级放大器的功率效率的方法,所述方法包含:提供第一放大器级;提供第二放大器级;配置所述第二放大器级以开关方式放大器工作;以及在所述第一放大器的输出和所述第二放大器级的输入之间耦合一级间网络,所述级间网络具有一阻抗,当由所述第一放大器级产生的驱动信号被发送到所述第二放大器级的输入时,所述阻抗使得所述驱动信号的幅值基本保持不变。
本发明还提供一多级放大器,所述多级放大器包含:一第一放大器级;耦合到所述第一放大器级的输入的谐振电路;耦合到所述第一放大器级的第二放大器级,所述第二放大器级配置为工作在开关方式。
附图说明
结合附图阅读下述说明可以更好地理解本发明。在附图中:
图1为一个传统RF功率放大器电路示意图;
图2为另一个传统RF功率放大器电路示意图;
图3为一个本发明功率放大器电路示意图;
图4为图3所示放大器电路的特定节点波形图。
具体实施方式
请参阅图3,该图为一个示范性实施例的RF功率放大器电路示意图。其中一个包含耦合电容器C1、电容器C2及电感器L1的输入匹配电路被用于设定电路的输入阻抗。虽然在其它实施例中激励级M1及末级M2可能采用双极晶体管,但该图中显示为FET。FET M1的漏极通过一个包含RF扼流圈L3及电容C5的漏极偏压网络耦联至电源电压Vd1。同样,FET M2的漏极通过一个包含RF扼流圈L7及电容C10的漏极偏压网络耦联至电源电压Vd2
级M1及M2分别配有相应的栅极偏压网络。就级M1来说,栅极偏压网络包含通过一个公用节点连接至电压Vg1的电感器L1、电容C3和电容C4。就级M2来说,栅极偏压网络包含通过一个公用节点连接至电压Vg2的电感器L6、电容C8及电容C9
激励级与末级通过级间网络耦联,此处所示级间网络为一包含电感器L4和电容C6的串联LC组合,其参数的选择使得其可与末级M2的输入阻抗产生谐振。末级M2耦联至一传统负载网络,其在本实例中为一包含电容C11、电感器L8及电容C12的CLC Pi网络,其参数应根据末级M2的特性确定。
在一个示范性实施例中,元件的参数(电容单位为皮法,电感单位为那亨)如下:
                       表1
  电容   pf   电感   nh   电压   V
  电容   pf   电感   nh   电压   V
  C1   27   L1   8.2   Vd1   3.3
  C2   10   L2   33   Vd2   3.2
  C3   0.01   L3   33   Vg1   -1.53
  C4   27   L4   4.7   Vg2   -1.27
  C5   27   L5   NA
  C6   27   L6   39
  C7   NA   L7   15
  C8   27   L8   2.7
  C9   0.01
  C10   27
  C11   1.5
  C12   5.6
在图3的实例中,激励级即级M1以开关方式操作。参见图4,其中波形图显示了节点A处级M2的输入电压、节点B处级M1的漏极电压、节点C处级M2的漏极电压、节点D处级M1的漏极电流及节点E处级M2的漏极电流。请注意,末级即级M2的栅极电压(波形A)的峰值明显大于传统设计。
在该方案中,开关的输入激励应足够高,以降低激励级的工作电压。激励级工作电压的降低进一步降低了激励器的DC电源功率,从而提高了PAE。
采用上述电路,2W输出功率时测得的PAE为72%。
应了解,所属领域的技术人员可以在不违背其精神及本质特征的前提下以其它具体形式实施本发明。此处所揭示的实施例应视为说明性而非限制性实施例。本发明的范围为随附权利要求所述范围,而不是上述说明,并且其等效意义和范围内的所有改进均包含在本发明范围之内。

Claims (14)

1.一种多级放大器,其包含:
一第一放大器级;
一第二放大器级,所述第二放大器配置为用于开关方式操作;以及,
一级间网络,其将所述第一放大器级耦合到所述第二放大器级,所述级间网络在重要的频带具有一阻抗,所述阻抗增加所述多级放大器的功率附加效率,通过使用阻抗匹配的级间网络可获得多级放大器内的功率附加效率。
2、根据权利要求1的多级放大器,其中所述重要的频带包括UHF频带。
3.根据权利要求1的多级放大器,其中配置所述第一放大器级以开关方式工作
4、根据权利要求1的多级放大器,其中所述级间网络包含LC电路。
5、根据权利要求4的多级放大器,其中所述级间网络包含所述第二放大器级的寄生输入电容。
6、一种增加多级放大器的功率效率的方法,所述方法包含:
提供第一放大器级;
提供第二放大器级;
配置所述第二放大器级以开关方式放大器工作;以及
在所述第一放大器的输出和所述第二放大器级的输入之间耦合一级间网络,所述级间网络具有一阻抗,当由所述第一放大器级产生的驱动信号被发送到所述第二放大器级的输入时,所述阻抗使得所述驱动信号的幅值基本保持不变。
7.根据权利要求6的方法,其中所述驱动信号是电压信号或者是电流信号。
8.根据权利要求6的方法,其中所述级间网络包含串联LC电路。
9.根据权利要求6的方法,其中所述LC电路包括所述第二放大器级的寄生输入电容。
10.根据权利要求6的方法,其中所述第一放大器级配置为以开关方式放大器工作。
11、根据权利要求6的方法,其中所述重要的频带是UHF频带。
12、一多级放大器,所述多级放大器包含:
一第一放大器级;
耦合到所述第一放大器级的输入的谐振电路;
耦合到所述第一放大器级的第二放大器级,所述第二放大器级配置为工作在开关方式。
13、根据权利要求12的所述多级放大器级,进一步包含在所述第一和第二放大器级之间的级间网络,所述级间网络包含串联谐振电路。
14、根据权利要求12的多级放大器级,其中所述第一放大器级配置为以开关方式工作。
CNB200510055750XA 2000-05-04 2001-05-02 多级放大器和增加多级放大器的功率效率的方法 Expired - Fee Related CN100472944C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/564,548 US7265618B1 (en) 2000-05-04 2000-05-04 RF power amplifier having high power-added efficiency
US09/564,548 2000-05-04

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB018121772A Division CN1201482C (zh) 2000-05-04 2001-05-02 具有高功率附加效率的射频功率放大器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1702959A true CN1702959A (zh) 2005-11-30
CN100472944C CN100472944C (zh) 2009-03-25

Family

ID=24254917

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB200510055750XA Expired - Fee Related CN100472944C (zh) 2000-05-04 2001-05-02 多级放大器和增加多级放大器的功率效率的方法
CNB018121772A Expired - Fee Related CN1201482C (zh) 2000-05-04 2001-05-02 具有高功率附加效率的射频功率放大器

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB018121772A Expired - Fee Related CN1201482C (zh) 2000-05-04 2001-05-02 具有高功率附加效率的射频功率放大器

Country Status (8)

Country Link
US (1) US7265618B1 (zh)
EP (1) EP1282939A2 (zh)
JP (1) JP2004518311A (zh)
KR (1) KR100831144B1 (zh)
CN (2) CN100472944C (zh)
AU (1) AU2001259408A1 (zh)
TW (1) TW511330B (zh)
WO (1) WO2001084704A2 (zh)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101435856B (zh) * 2007-11-15 2013-09-25 通用电气公司 用于并激的超低输出阻抗射频功率放大器
CN103988424A (zh) * 2011-11-11 2014-08-13 天工方案公司 具有高功率附加效率的倒装芯片线性功率放大器
US9374045B2 (en) 2011-07-08 2016-06-21 Skyworks Solutions, Inc. Signal path termination
US9571049B2 (en) 2011-11-04 2017-02-14 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for power amplifiers
US9692357B2 (en) 2012-06-14 2017-06-27 Skyworks Solutions, Inc. Power amplifier modules with bifet and harmonic termination and related systems, devices, and methods
US9876478B2 (en) 2011-11-04 2018-01-23 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for wide local area network power amplifiers
CN108512514A (zh) * 2017-02-27 2018-09-07 恩智浦美国有限公司 多级rf放大器装置
CN109245737A (zh) * 2018-10-22 2019-01-18 东南大学 一种动态体偏置e类功率放大器
CN109756200A (zh) * 2017-11-06 2019-05-14 恩智浦美国有限公司 以多种半导体技术实施的多级功率放大器
CN109756199A (zh) * 2017-11-06 2019-05-14 恩智浦美国有限公司 采用多种半导体技术实施的多级功率放大器
CN113792512A (zh) * 2021-08-24 2021-12-14 天津大学 一种复合型分立半导体晶体管
US11984423B2 (en) 2011-09-02 2024-05-14 Skyworks Solutions, Inc. Radio frequency transmission line with finish plating on conductive layer

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002171138A (ja) 2000-12-01 2002-06-14 Nec Corp マイクロ波電力増幅器
DE10161743B4 (de) 2001-12-15 2004-08-05 Hüttinger Elektronik GmbH & Co. KG Hochfrequenzanregungsanordnung
US7236053B2 (en) * 2004-12-31 2007-06-26 Cree, Inc. High efficiency switch-mode power amplifier
US7199658B2 (en) * 2005-05-18 2007-04-03 International Business Machines Corporation Circuits and methods for implementing power amplifiers for millimeter wave applications
US7265619B2 (en) * 2005-07-06 2007-09-04 Raytheon Company Two stage microwave Class E power amplifier
US7583150B2 (en) 2007-03-20 2009-09-01 Viasat, Inc. Power efficient multistage amplifier and design method
JP2009094805A (ja) * 2007-10-09 2009-04-30 Sumitomo Electric Ind Ltd 増幅器
US7760018B2 (en) * 2007-12-31 2010-07-20 Tialinx, Inc. High-efficiency switching power amplifiers with low harmonic distortion
EP2164170A1 (en) * 2008-09-15 2010-03-17 Forschungsverbund Berlin E.V. Self-adjusting gate bias network for field effect transistors
KR101102128B1 (ko) * 2009-12-15 2012-01-02 서울대학교산학협력단 E 급 전력 증폭기
US8823343B2 (en) * 2009-12-22 2014-09-02 Yamaha Corporation Power amplifying circuit, DC-DC converter, peak holding circuit, and output voltage control circuit including the peak holding circuit
US8519791B1 (en) * 2012-03-09 2013-08-27 Texas Instruments Incorporated Free-fly class D power amplifier
US9367114B2 (en) 2013-03-11 2016-06-14 Intel Corporation Controlling operating voltage of a processor
JP6187444B2 (ja) * 2014-03-20 2017-08-30 株式会社村田製作所 電力増幅モジュール
US20160036392A1 (en) * 2014-07-30 2016-02-04 Qualcomm Incorporated Dual-band amplifier
JP2016163282A (ja) * 2015-03-05 2016-09-05 三菱電機株式会社 多段低雑音増幅器
US10050591B2 (en) * 2016-03-23 2018-08-14 Cree, Inc. LC network for a power amplifier with selectable impedance
US10855235B2 (en) * 2017-12-27 2020-12-01 Murata Manufacturing Co., Ltd. Power amplifier circuit
CN110708025B (zh) * 2019-09-30 2024-01-16 西安电子科技大学 利用二极管补偿电容的功率放大器

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3794920A (en) * 1971-09-15 1974-02-26 Westinghouse Air Brake Co Fail-safe code keying transmitter
US3919656A (en) 1973-04-23 1975-11-11 Nathan O Sokal High-efficiency tuned switching power amplifier
US4771247A (en) * 1987-09-24 1988-09-13 General Electric Company MMIC (monolithic microwave integrated circuit) low noise amplifier
US4967109A (en) * 1989-12-08 1990-10-30 General Electric Company High efficiency gate driver circuit for a high frequency converter
US5023566A (en) * 1989-12-21 1991-06-11 General Electric Company Driver for a high efficiency, high frequency Class-D power amplifier
US5818880A (en) * 1990-03-30 1998-10-06 Honeywell Inc. MMIC telemetry transmitter
JPH0454006A (ja) 1990-06-22 1992-02-21 Fujitsu Ltd 増幅装置
US5151852A (en) * 1991-03-08 1992-09-29 Raytheon Company Class E power amplifier
US5179511A (en) * 1991-10-16 1993-01-12 Illinois Institute Of Technology Self-regulating class E resonant power converter maintaining operation in a minimal loss region
US6229392B1 (en) * 1992-01-30 2001-05-08 Advanced Energy Industries, Inc. High power switch-mode radio frequency amplifier method and apparatus
JPH06260864A (ja) * 1993-03-08 1994-09-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 送信出力増幅器
JPH0851327A (ja) * 1994-08-08 1996-02-20 Hitachi Ltd 高周波増幅装置
KR0129844B1 (ko) * 1994-12-21 1998-10-01 양승택 아날로그 및 디지털 휴대용 전화기 겸용 전력증폭기
JP2994231B2 (ja) * 1995-06-30 1999-12-27 日本電気株式会社 半導体装置
CN1081850C (zh) 1995-09-29 2002-03-27 松下电器产业株式会社 功率放大器和通信单元
EP0854569B1 (en) * 1997-01-21 2003-04-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. High-frequency power amplifier
FR2763183A1 (fr) * 1997-05-07 1998-11-13 Philips Electronics Nv Dispositif incluant un circuit amplificateur large-bande
US6052029A (en) * 1997-06-25 2000-04-18 Sanyo Electric Co., Ltd. Stabilizing circuit and amplifier
US5939941A (en) * 1997-09-25 1999-08-17 Motorola, Inc. High efficiency power amplifier using HITFET driver circuit
US5942946A (en) * 1997-10-10 1999-08-24 Industrial Technology Research Institute RF power amplifier with high efficiency and a wide range of gain control
US6313706B1 (en) * 1997-11-27 2001-11-06 Nec Corporation Semiconductor circuit with a stabilized gain slope

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101435856B (zh) * 2007-11-15 2013-09-25 通用电气公司 用于并激的超低输出阻抗射频功率放大器
US9374045B2 (en) 2011-07-08 2016-06-21 Skyworks Solutions, Inc. Signal path termination
US11984423B2 (en) 2011-09-02 2024-05-14 Skyworks Solutions, Inc. Radio frequency transmission line with finish plating on conductive layer
US9571049B2 (en) 2011-11-04 2017-02-14 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for power amplifiers
US9876478B2 (en) 2011-11-04 2018-01-23 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for wide local area network power amplifiers
CN103988424A (zh) * 2011-11-11 2014-08-13 天工方案公司 具有高功率附加效率的倒装芯片线性功率放大器
US9467940B2 (en) 2011-11-11 2016-10-11 Skyworks Solutions, Inc. Flip-chip linear power amplifier with high power added efficiency
US10141901B2 (en) 2011-11-11 2018-11-27 Skyworks Solutions, Inc. Flip-chip amplifier with termination circuit
US9692357B2 (en) 2012-06-14 2017-06-27 Skyworks Solutions, Inc. Power amplifier modules with bifet and harmonic termination and related systems, devices, and methods
US9755592B2 (en) 2012-06-14 2017-09-05 Skyworks Solutions, Inc. Power amplifier modules including tantalum nitride terminated through wafer via and related systems, devices, and methods
US9847755B2 (en) 2012-06-14 2017-12-19 Skyworks Solutions, Inc. Power amplifier modules with harmonic termination circuit and related systems, devices, and methods
US9887668B2 (en) 2012-06-14 2018-02-06 Skyworks Solutions, Inc. Power amplifier modules with power amplifier and transmission line and related systems, devices, and methods
CN108512514A (zh) * 2017-02-27 2018-09-07 恩智浦美国有限公司 多级rf放大器装置
CN108512514B (zh) * 2017-02-27 2024-04-09 恩智浦美国有限公司 多级rf放大器装置
CN109756200A (zh) * 2017-11-06 2019-05-14 恩智浦美国有限公司 以多种半导体技术实施的多级功率放大器
CN109756199A (zh) * 2017-11-06 2019-05-14 恩智浦美国有限公司 采用多种半导体技术实施的多级功率放大器
CN109756200B (zh) * 2017-11-06 2023-11-17 恩智浦美国有限公司 以多种半导体技术实施的多级功率放大器
CN109245737A (zh) * 2018-10-22 2019-01-18 东南大学 一种动态体偏置e类功率放大器
CN109245737B (zh) * 2018-10-22 2024-05-14 东南大学 一种动态体偏置e类功率放大器
CN113792512A (zh) * 2021-08-24 2021-12-14 天津大学 一种复合型分立半导体晶体管
CN113792512B (zh) * 2021-08-24 2024-04-05 天津大学 一种复合型分立半导体晶体管

Also Published As

Publication number Publication date
JP2004518311A (ja) 2004-06-17
TW511330B (en) 2002-11-21
CN1440589A (zh) 2003-09-03
US7265618B1 (en) 2007-09-04
WO2001084704A3 (en) 2002-10-03
KR20030014213A (ko) 2003-02-15
CN100472944C (zh) 2009-03-25
WO2001084704A2 (en) 2001-11-08
CN1201482C (zh) 2005-05-11
KR100831144B1 (ko) 2008-05-20
EP1282939A2 (en) 2003-02-12
AU2001259408A1 (en) 2001-11-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1201482C (zh) 具有高功率附加效率的射频功率放大器
CN1160850C (zh) 用于开关式射频功率放大器的激励电路
EP2274829B1 (en) Efficient linear linc power amplifier
EP1344315B1 (en) Class e/f switching power amplifiers
CN1216457C (zh) 功率放大电路
USRE42612E1 (en) Switched-mode power amplifier using lumped element impedance inverter for parallel combining
US7199658B2 (en) Circuits and methods for implementing power amplifiers for millimeter wave applications
EP2321901B1 (en) Hybrid class amplifier
US7714649B1 (en) High-efficiency linear amplifier using non linear circuits
CN1561572A (zh) 用于功率放大器的自增压电路
CN107306118B (zh) 功率放大模块
CN1221072C (zh) 具有动态偏压的线性化的c类放大器
CN1158754C (zh) 用于场效应晶体管的偏置装置
CN112821871A (zh) 一种基于电流复用驱动电路的Doherty功放芯片
Kim et al. Parasitic capacitance optimization of GaAs HBT Class E power amplifier for high efficiency CDMA EER transmitter
CN1329452A (zh) 采用反馈电容补偿改善线性的功率放大器
CN219247807U (zh) 一种改善功率放大器效率及双音互调的功放模块
Gao et al. A CMOS class-E power amplifiers with power control
Cantrell Circuit to aid tuning of class-E amplifier
Kim et al. Efficiency improvement of HBT class E power amplifier by tuning-out input capacitance
Hajimiri et al. Class E/F switching power amplifiers
Acar et al. Advances in Analog and RF IC Design for Wireless Communication Systems: Chapter 4. High-Efficiency Power Amplifiers for Wireless Infrastructure

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: PANASONIC ELECTRIC EQUIPMENT INDUSTRIAL CO.,LTD.

Free format text: FORMER OWNER: TROPIAN INC.

Effective date: 20070119

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20070119

Address after: Osaka

Applicant after: Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.

Address before: The United States California

Applicant before: Tropian Inc.

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20160912

Address after: American California

Patentee after: Intel Corporation

Address before: Osaka

Patentee before: Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20090325

Termination date: 20190502