CN1683608A - 一种蓝宝石(Al2O3单晶)生长技术 - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 title claims description 16
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 title claims description 16
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 title claims description 8
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract 4
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 title 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 50
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 15
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 12
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 11
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 229910000575 Ir alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 abstract description 13
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 3
- 230000004083 survival effect Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000010437 gem Substances 0.000 description 1
- 229910001751 gemstone Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明公开了一种Al2O3单晶体生长方法。其生长出的Al2O3单晶体质量好、成品率高、适用于工业化生产。本发明是在坩埚下降法或热交换法的基础上，增加了一个搅拌器，加热使坩埚内的Al2O3原料全部熔化，籽晶与熔体之间形成一个“固－液”界面后，搅拌器进入熔体“固－液”界面上方位置，开始转动，搅拌器的搅拌作用在熔体中形成强迫对流，排出熔体内残存气体形成的气泡，从而达到提高单晶体质量的目的。
Description
技术领域：
本发明涉及一种晶体生长技术，更具体的是一种蓝宝石(Al2O3单晶)生长技术。
技术背景：
蓝宝石(sapphire)即Al2O3单晶体，具有熔点高(2050℃左右)、硬度高、导热性好、透过光波段宽、电绝缘性好、耐强酸、强碱腐蚀等特点。由于Al2O3为同成份熔化的化合物，因此可用“熔融-凝固”的方法来生长Al2O3单晶。目前生长Al2O3单晶的方法主要有提拉法、导模法、下降法、平移法、热交换法等，这些方法各有其特点。其中下降法及热交换法两种方法的基本原理及装置都比较接近，可以生长较大的Al2O3单晶、成本低而被广泛采用。
目前通用的Al2O3单晶生长装置，如图1所示，主要包括坩埚(4)、加热器(5)、反射绝热屏(9)、带水冷夹层的真空室(10)、内电极(11)、水冷电极结头(12)等。常用感应加热或电阻加热的方法使原料熔化。
下降法：在坩埚圆锥底部的圆管中放入籽晶，坩埚中装入Al2O3原料，放置到坩埚杆上(7)的坩埚托上(6)，整个系统抽真空后，充入保护气体。加热使坩埚中的Al2O3原料全部熔化并与籽晶形成一个“固-液”界面后，下降坩埚杆及坩埚，随着坩埚进入保温区，坩埚内的熔体将自下而上缓慢结晶(即“固-液”界面在坩埚中上移)，直到坩埚中的熔体全部结晶完毕。
热交换法：在坩埚圆锥底部的圆管中放入籽晶，坩埚中装入Al2O3原料，放置到坩埚杆上(7)的坩埚托上(6)，整个系统抽真空后，充入保护气体。加热使坩埚中的Al2O3原料全部熔化并与籽晶形成一个“固-液”界面后，通过加热器(5)、反射绝热屏(9)和籽晶冷却装置造成一个上高下低的温度分布状态，通过降温使“固-液”界面逐步上移，从而达到全部结晶的目的。
目前常用的这些生长蓝宝石单晶的技术普遍碰到的一个主要难题是所生长的蓝宝石晶体中极易产生气泡。大的气泡会形成毫米量级的空洞，小的气泡则表现为大量云雾状的散射颗粒，严重影响蓝宝石单晶的质量和成品率。虽然下降法或热交换法比提拉法的气泡问题少些，但生产出来的晶体仍存在质量不高、成品率低等问题。
发明内容：
本发明克服了现有方法的不足，提供了一种方法简单、晶体质量好、成品率高、适用于工业化生产蓝宝石的方法。
本发明是在上述常规的下降法或热交换法的基础上增加一个搅拌器。在晶体结晶过程中，用机械方式不断搅拌结晶前阵上方的熔体。搅拌器由搅拌杆(1)、搅拌头(2)及搅拌叶片(3)构成，搅拌头(2)及搅拌叶片(3)由熔点高于2050℃的金属或合金制成，所以可用金属钼或钼合金或金属铱或铱合金来制作。搅拌器通过密封结(8)、电动机、减速箱、直线导轨、系盖及电器控制装置等使搅拌器能上下移动和转动，从而达到能在晶体结晶的不同阶段，按需要调整搅拌器位置。在原料熔化阶段搅拌器置于坩埚上方，加热使坩埚中的原料全部熔化并与籽晶形成一个“固-液”界面后，下移搅拌器直到搅拌叶片(3)进入熔体到“固-液”界面上方位置，开始转动。搅拌器的搅拌作用在熔体中形成强迫对流，排出熔体内残存气体形成的气泡。
对于下降法：加热使坩埚中的原料全部熔化并与籽晶形成一个“固-液”界面后，下移搅拌器直到搅拌叶片(3)进入熔体到“固-液”界面上方位置。转动搅拌器进行搅拌，搅拌器一直维持在固定位置不动，通过坩埚不断下移，搅拌叶片(3)始终维持在“固-液”界面上方，直到全部熔体结晶，搅拌叶片(3)移出熔体。
对于热交换法：加热使坩埚中的原料全部熔化并与籽晶形成一个“固-液”界面后，下移搅拌器直到搅拌叶片(3)进入熔体到“固-液”界面上方位置。转动搅拌器进行搅拌，随着“固-液”界面上移，同步向上移动搅拌器，使搅拌叶片(3)始终处在“固-液”界面上方位置，直到结晶过程完成。
本发明在生长晶体过程中，由于搅拌器的作用，在熔体中产生强迫对流，有利于熔体中气体排出，从而达到排出气泡、提高单晶体质量、提高成品率的目的。对于各种掺入少量掺杂离子的掺杂宝石晶体如Ti3+:Al2O3、Cr3+:Al2O3等晶体生长，由于搅拌器产生的熔体强迫对
流有助于更快地带走结晶面上因排杂作用而聚集的掺杂离子，因而可起到使掺杂更加均匀，容许生长速度更快的作用。
附图说明：
图1是蓝宝石生长装置的示意图。
图2是坩埚下降法蓝宝石生长过程示意图。
图3是热交换法蓝宝石生长过程示意图。
具体实施方式：
对于下降法：
①如图2(a)所示，搅拌器先置于坩埚上方。在坩埚圆锥底部的圆管中放入籽晶，坩埚中装入Al2O3原料，放置到坩埚杆上的坩埚托上，整个系统抽真空后，充入保护气体。加热使坩埚中的Al2O3原料全部熔化，并使底部的籽晶保持结晶状态。
②如图2(b)所示，籽晶与熔体之间形成一个“固-液”界面后，下移搅拌器直到搅拌叶片进入熔体到“固-液”界面上方位置。
③如图2(c)所示，转动搅拌器，下移坩埚杆及坩埚进入保温区，随着坩埚进入保温区，坩埚内的熔体将自下而上缓慢结晶，“固-液”界面相对坩埚上移，晶体逐步长大，搅拌叶片在搅拌过程中保持在“固-液”界面上方。搅拌器的搅拌作用在熔体中形成强迫对流，排出熔体内残存气体形成的气泡。
④如图2(d)所示，随着坩埚移出加热区，搅拌叶片也离开熔体，全部结晶完毕，生长过程结束。
对于热交换法：
①如图3(a)所示，搅拌器先置于坩埚上方。在坩埚圆锥底部的圆管中放入籽晶，坩埚中装入Al2O3原料，放置到坩埚杆上的坩埚托上，整个系统抽真空后，充入保护气体。加热使坩埚中的Al2O3原料全部熔化，并使底部的籽晶保持结晶状态。
②如图3(b)所示，籽晶与熔体之间形成一个“固-液”界面后，下移搅拌器直到搅拌叶片进入熔体到“固-液”界面上方位置。
③如图3(c)所示，搅拌器开始转动，在高温熔体中形成强迫对流，排出熔体内残存气体形成的气泡。随着温度降低“固-液”界面逐步上移，“固-液”界面由下而上移动时，搅拌器同步地向上移动，搅拌叶片始终保持在高温熔体“固-液”界面上方位置。
④如图3(d)所示，晶体结晶过程完成，搅拌叶片离开熔体，生长过程结束，达到全部结晶的目的。
Claims (6)
1、一种蓝宝石(Al2O3单晶)生长技术，其特征在于，在下降法或热交换法生长Al2O3单晶的方法的基础上，添加一个搅拌器对熔体进行搅拌，Al2O3单晶结晶过程中利用搅拌器的转动对熔体进行搅拌。
2、根据权利要求1所述的一种蓝宝石(Al2O3单晶)生长技术，其特征在于，用下降法生产Al2O3单晶的过程中，搅拌器先置于坩埚上方，加热使坩埚中的原料全部熔化并与籽晶形成一个“固—液”界面后，下移搅拌器直到搅拌叶片(3)进入熔体到“固—液”界面上方位置，转动搅拌器，进行搅拌，随着坩埚下降，晶体长大，直到全部熔体结晶，搅拌叶片(3)移出熔体。
3、根据权利要求1一种蓝宝石(Al2O3单晶)生长技术，其特征在于，用热交换法生产Al2O3单晶的过程中，搅拌器先置于坩埚上方，加热使坩埚中的原料全部熔化并与籽晶形成一个“固—液”界面后，下移搅拌器直到搅拌叶片(3)进入熔体到“固—液”界面上方位置，转动搅拌器，进行搅拌，随着温度降低，“固—液”界面上移，同步向上移动搅拌器，使搅拌叶片(3)始终处在“固—液”界面上方位置，直到结晶过程完成，搅拌叶片(3)移出熔体。
4、根据权利要求1所述的一种蓝宝石(Al2O3单晶)生长技术，其特征在于，搅拌器由搅拌杆(1)、搅拌头(2)及搅拌叶片(3)构成。
5、根据权利要求4中所述的搅拌头(2)及搅拌叶片(3)，其特征在于，搅拌头(2)及搅拌叶片(3)由熔点高于2050℃的金属或合金制造。
6、根据权利要求5中所述的熔点高于2050℃的金属或合金，其特征在于，熔点高以2050℃的金属或合金是金属钼或钼合金或金属铱或铱合金。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2004100085932A CN100497756C (zh) | 2004-04-16 | 2004-04-16 | 一种蓝宝石Al2O3单晶的生长方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2004100085932A CN100497756C (zh) | 2004-04-16 | 2004-04-16 | 一种蓝宝石Al2O3单晶的生长方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1683608A true CN1683608A (zh) | 2005-10-19 |
| CN100497756C CN100497756C (zh) | 2009-06-10 |
Family
ID=35263096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2004100085932A Expired - Lifetime CN100497756C (zh) | 2004-04-16 | 2004-04-16 | 一种蓝宝石Al2O3单晶的生长方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN100497756C (zh) |
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-
2004
- 2004-04-16 CN CNB2004100085932A patent/CN100497756C/zh not_active Expired - Lifetime
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|---|---|
| CN100497756C (zh) | 2009-06-10 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C56 | Change in the name or address of the patentee |
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|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
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Granted publication date: 20090610 |
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