CN1652666A - 制造布线衬底的方法及制造电子装置的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供制造布线衬底的方法，包括以下步骤：(a)在衬底(10)的第一区域(12)及第二区域(14)上设置表面活性剂(18)；(b)通过向衬底(10)的第二区域(14)照射真空紫外线(22)，使衬底(10)的第二区域(14)的原子键断裂；(c)通过清洗衬底(10)，除去设在第二区域(14)上的表面活性剂(18)部分；(d)在残留在第一区域(12)上的表面活性剂(18)部分上设置催化剂(30)；(e)通过在催化剂(30)上沉积金属层(34)，沿着第一区域(12)形成由金属层(34)构成的布线。根据本发明，能只在需要的部分上沉积金属层，同时以精简的制造步骤形成布线。

Description

制造布线衬底的方法及制造电子装置的方法
技术领域
本发明涉及制造布线衬底的方法及制造电子装置的方法。
背景技术
众所周知，作为在柔性衬底上形成布线的方法包括减去法和添加法。在减去法中，在柔性衬底的整个表面上形成金属层，在金属层上布图形成光敏抗蚀层，并隔离开光敏抗蚀层刻蚀金属层。在添加法中，在柔性衬底上布图形成光敏抗蚀层，在从光敏抗蚀层开口的部位上通过镀金工艺使金属层沉积。
根据这些方法，在最后去除光敏抗蚀层方面、以及在减去法中去除部分金属层方面，带来资源及材料的耗费的问题。另外，因为需要光敏抗蚀层的形成及去除步骤，所以，带来制造步骤较多的问题。再者，布线的尺寸精度依赖于光敏抗蚀层的清晰度，由此，对于形成更高精度的布线存在一定的界限限制。
(专利文献1)日本特开平10-65315号公报
发明内容
本发明目的在于只在需要的部分上沉积金属层，同时以精简的制造步骤形成布线。
本发明涉及的布线衬底的制造方法包括以下步骤：
(a)在衬底的第一区域和第二区域上设置表面活性剂；
(b)向所述衬底的所述第二区域照射真空紫外线，使所述衬底的所述第二区域的原子键断裂；
(c)清洗所述衬底，除去设置在所述第二区域上的所述表面活性剂；
(d)在残留在所述第一区域上的所述表面活性剂上设置催化剂；以及
(e)在所述催化剂上沉积金属层，沿着所述第一区域形成由所述金属层构成的布线。
根据本发明，通过照射真空紫外线来布图表面活性剂，并在表面活性剂上设置催化剂。由此，能以沿着规定的图案形状只在需要的部分上沉积金属层。因此，不需要用例如抗蚀层等形成掩模，从而能以精简且较短时间的制造步骤形成高精度的布线，减少了材料的浪费，实现了低成本。
本发明涉及的布线衬底的制造方法包括以下步骤：
(a)在衬底的第一区域和第二区域上设置表面活性剂；
(b)向所述衬底的所述第二区域照射真空紫外线，使所述衬底的所述第二区域的原子键断裂；
(c)清洗所述衬底，除去设置在所述第二区域上的所述表面活性剂；
(d)在所述衬底的所述第二区域上设置催化剂；以及
(e)在所述催化剂上沉积金属层，沿着所述第二区域形成由所述金属层构成的布线。
根据本发明，通过照射真空紫外线来布图表面活性剂，并在表面活性剂上设置催化剂。由此，能以沿着规定的图案形状只在需要的部分上沉积金属层。因此，不需要用例如抗蚀层等来形成掩模，从而能以精简且较短时间的制造步骤形成高精度的布线，减少了材料的浪费，实现了低成本。
在该布线衬底的制造方法中，所述衬底具有C-C、C＝C、C-F、C-H、C-CI、C-N、C-O、N-H、O-H键中的至少一种。
在该布线衬底的制造方法中，所述衬底至少具有C＝C键，所述真空紫外线具有至少能使C＝C键断裂的性质。
在该布线衬底的制造方法中，所述真空紫外线的光源是充入Xe气的激发态紫外灯。
本发明涉及的布线衬底的制造方法包括以下步骤：
(a)在包括第一区域和第二区域的衬底的所述第一区域上，用喷液法设置表面活性剂；
(b)在所述表面活性剂上设置催化剂；以及
(c)在所述催化剂上沉积金属层，沿着所述第一区域形成由所述金属层构成的布线。
根据本实施例，使用喷液法来布图表面活性剂，并在表面活性剂上设置催化剂。由此，能以沿着规定的图案形状只在需要的部分上沉积金属层。因此，不需要用例如抗蚀层等来形成掩模，从而能以精简且较短时间的制造步骤形成高精度的布线，减少了材料的浪费，实现了低成本。
本发明涉及的布线衬底的制造方法包括以下步骤：
(a)在包括第一区域和第二区域的衬底的所述第一区域上，用喷液法设置表面活性剂；
(b)在所述衬底的所述第二区域上设置催化剂；以及
(c)在所述催化剂上沉积金属层，沿着所述第二区域形成由所述金属层构成的布线。
根据本实施例，使用液喷法来布图表面活性剂，并避开表面活性剂设置催化剂。由此，能以沿着规定的图案形状只在需要的部分上沉积金属层。因此，不需要用例如抗蚀层等来形成掩模，从而能以精简且较短时间的制造步骤形成高精度的布线，减少了材料的浪费，实现了低成本。
在该布线衬底的制造方法中，所述喷液法是喷墨法。由此，通过使用在喷墨打印机用途中实用化的技术，能高速度地完成设置，避免了油墨的浪费，实现了经济化。
在该布线衬底的制造方法中，所述衬底的所述第一区域和第二区域的表面电位是负电位。
在该布线衬底的制造方法中，在所述步骤(a)之前，还包括碱洗所述衬底的步骤。由此，通过碱洗所述衬底，能使衬底表面上的不均匀电位得以均匀，所以，能以精简的制造步骤使表面电位稳定化。
在该布线衬底的制造方法中，在所述步骤(a)中，所述表面活性剂是阳离子表面活性剂。
在该布线衬底的制造方法中，在设置所述催化剂的步骤中，将所述衬底浸渍在含氯化锡的溶液中，接着浸渍在含氯化钯的催化剂液中，沉积用作所述催化剂的钯。
在该布线衬底的制造方法中，在设置所述催化剂的步骤中，将所述衬底浸渍在含锡-钯的催化剂液中，再从所述衬底上除去锡，沉积用作所述催化剂的钯。
本发明涉及的电子装置的制造方法，其包括根据权利要求1至13中任一项所述的用于制造布线衬底的方法；将具有集成电路的半导体芯片安装到所述布线衬底上的步骤；以及将所述布线衬底与所述电路板电连接的步骤。
根据本发明，能以精简且较短时间的制造步骤形成高精度的布线，减少了材料的浪费，实现了低成本。
附图说明
图1(A)～图1(C)是本发明第一实施例的第一个例子的说明图。
图2(A)及图2(B)是本发明第一实施例的第一个例子的说明图。
图3(A)～图3(D)是本发明第一实施例的第一个例子的说明图。
图4(A)及图4(B)是本发明第一实施例的第一个例子的说明图。
图5(A)及图5(B)是本发明第一实施例的第二个例子的说明图。
图6(A)及图6(B)是本发明第二实施例的第一个例子的说明图。
图7(A)及图7(B)是本发明第二实施例的第一个例子的说明图。
图8(A)～图8(C)是本发明第二实施例的第一个例子的说明图。
图9(A)及图9(B)是本发明第二实施例的第一个例子的说明图。
图10(A)及图10(B)是本发明第二实施例的第二个例子的说明图。
图11是本发明的第三实施例的示意图。
具体实施方式
下面，参照附图对本发明的实施例进行说明。
第一实施例
图1(A)～图5(B)是本发明的第一实施例涉及的布线衬底的制造方法的说明图。在本实施例中，适用化学镀金工艺来制造布线衬底。
第一例
图1(A)～图4(B)是本实施例的第一例的说明图。图1(A)～图2(B)是化学镀金工艺的各个步骤的说明图，图3(A)～图4(B)是化学镀金工艺的各个步骤中的衬底的示意图。
衬底(薄板)10可以是柔性衬底。作为柔性衬底可以使用FPC(Flexible Printed Circuit)、及COF(Chip On Film)用衬底或者TAB(Tape Automated Bonding)用衬底。衬底10可以用有机材料(例如树脂)形成。作为衬底10，可以使用聚酰亚胺衬底或者聚酯衬底。衬底10包括有机的原子键。衬底10可以包括C-C、C＝C、C-F、C-H、C-CI、C-N、C-O、N-H、O-H键中的至少一个。衬底10也可以至少包括C＝C键。在本实施例中，是在衬底10的一个表面形成布线。或者也可以在衬底10的两个表面都形成布线。衬底10包括第一区域12及第二区域14(参照图1(C)及图3(D))。第一区域12及第二区域14是衬底10上的布线形成面的区域。
如图3(A)所示，作为衬底10，可以使用其表面电位(溶液中表面电位)是负电位的材料。在使用有机系材料时，衬底10的表面电位是负电位的情况较多。
如图1(A)及图3(B)所示，可以碱洗衬底10。这样一来，能使衬底10的第一区域12及第二区域14表面的不均匀电位统一为负电位。具体来说，可以在室温下将衬底10浸渍在碱液(例如，1wt％～10wt％浓度的氢氧化钠)16中10～60分钟左右，然后，进行水洗。通过碱洗，衬底10的表层部被水解，这时，表层部形成水解层，该表层部也是负电位，电位比清洗前更加均匀化。
另外，通过上述的碱洗，衬底10能同时进行清洗及表面糙化处理。由此，能提高金属层(布线)的粘附性。
如图1(B)及图3(C)所示，在衬底10的第一区域12及第二区域14上设置表面活性剂18。可以在衬底10的一个面的整个范围内设置表面活性剂18。在本例子中，表面活性剂18具有阳离子化的性质。作为表面活性剂18，可以使用阳离子系表面活性剂(阳离子表面活性剂及与其性质等同的物质)。在本例子中，因为衬底10的第一区域12及第二区域14的表面电位是负电位，所以，一旦使用阳离子系表面活性剂，就能使衬底10的负电位中和或者转变为正电位。另外，通过使用表面活性剂18，可以不依赖衬底10的性质，自由地调整表面电位，另外，还能形成表面电位均匀、稳定的电位面。
在图1(B)所示的例子中，将衬底10浸渍在表面活性剂溶液20中。具体地，在室温下将衬底10浸渍在氯化烷基铵系的阳离子表面活性剂溶液中1～10分钟左右后，再用纯水清洗。然后，在室温氛围下充分干燥衬底10。
如图1(C)及图3(D)所示，除去设置在第一区域12及第二区域14上的表面活性剂18中的、设置在第二区域14上的部分。也就是说，以沿着第一区域12留下表面活性剂18的方式形成图案。
在本例子中，对衬底10的第二区域14照射真空紫外线(VUV：vacuum ultraviolet radiation)22。具体而言，在光源24和衬底10之间配置掩模26，通过掩模26，向衬底10照射真空紫外线22。真空紫外线22被掩模26的图案28遮掩，在图案28以外的区域透过。一旦照射真空紫外线22，衬底10的第二区域14的原子键被(化学地)断裂。在本例子中，衬底10的第二区域14并不是被机械地挖掉。由此，真空紫外线22的主要作用是使衬底10的原子键断裂，与挖掉衬底10的情况相比，可大大地节约能量。由此，例如，能防止衬底10发生热应变。另外，能防止衬底10的部分飞散并附着到其他部分上。
在这里，在本例子中，第一区域12是形成金属层(布线)的区域，并形成规定的图案形状。第二区域14形成衬底10表面上的第一区域12的反转形状。
真空紫外线22的波长可以是100nm～200nm(例如，100nm～180nm)。真空紫外线22具有能使有机原子键断裂的性质(例如，波长)。真空紫外线22也可以具有能使衬底10的至少C＝C键断裂的性质(例如，波长)。真空紫外线22也可以具有能使衬底10的原子键(C-C、C＝C、C-F、C-H、C-CI、C-N、C-O、N-H、O-H键中的至少一个)全部断裂的性质(例如，波长)。作为光源24可以是充入Xe气的激发态紫外灯(波长为172nm)。如果使用紫外灯，不再需要用于生成激光的聚光透镜及由激光器进行扫描的时间，所以，能够实现制造步骤的简略化。
具体地，如图1(C)所示，在衬底10的布线形成面上配置掩模26。掩模26既可以是光学掩模，也可以是金属掩模。例如，作为掩模26，使用在真空紫外线用的高纯度石英玻璃(真空紫外线的透过率是80％以上)上由铬形成图案的掩模。在图1(C)中，掩模26隔开一定间隔配置在衬底10的上方，但是，实际上，掩模26与衬底10接触地配置。光源24、掩模26及衬底10在氮气氛围中配置。如果是氮气氛围，真空紫外线22就不会衰减，能照射到10mm左右的距离。利用衬底10自身具有的弹性力及挠性，在衬底10和掩模26没有均匀接触时，用支撑物按压掩模26的外周，并且，也可以用与掩模26尺寸相同的面积将衬底10的内面压到掩模26侧。使光源24尽量地靠近衬底10(例如，10mm以下)。作为光源24使用例如，激发VUV/03清洗装置(制造商：日本USHIO电机株式会社，型号：UER20-172A/B，灯规格：充入Xe气的铁电体阻挡放电激发态紫外灯)。衬底10的材料为聚酰亚胺时，以10mW左右的输出功率照射10分钟左右。在本例子中，对衬底10的一个表面照射真空紫外线22，但是，在衬底10的两个表面上形成布线时，只要依次或同时对衬底10的各个表面照射真空紫外线22即可。
照射真空紫外线22后，清洗衬底10(例如，湿法清洗)。由此除去衬底10的原子键断裂的部分。也就是说，通过清洗，除去第二区域14上的表面活性剂18。作为清洗方式，可以将衬底10浸渍在清洗液中，也可以对衬底10进行喷淋。作为清洗液，可以使用碱溶液(强碱溶液或者弱碱溶液)或者纯水。作为喷淋方式，可以使用纯水喷淋清洗或者高压喷气纯水清洗。在清洗时，可以施加超音波振动。通过进行清洗，在第一区域12上留下表面活性剂18，在第二区域14上，表面活性剂18被除去而露出衬底10的表面。
如图2(A)及图4(A)所示，在残留在第一区域12上的表面活性剂18上设置催化剂(镀金催化剂)30。催化剂30用于在化学镀金溶液中诱发金属层(镀层)的沉积，例如，可以是钯。催化剂30可以不包括粘结用的树脂。在本例子中，在第二区域14上没有设置催化剂30。
在图2(A)的示例中，将衬底10浸渍在含锡-钯的催化剂液32中。具体地，在室温下，将衬底10在PH值大约为1的锡-钯催化剂液32中浸泡30秒～3分钟，进行充分水洗。锡-钯胶体微粒带有负电荷，吸附在表面活性剂18(阳离子系表面活性剂)上。然后，为了使催化剂活化，在室温下，将衬底10在含硼氟酸的溶液中浸泡30秒～3分钟后，进行水洗。由此，能除去锡胶体微粒，只使钯在表面活性剂18(阳离子系表面活性剂)上沉积。
如图2(B)及图4(B)所示，在催化剂30上沉积金属层34。催化剂30设置在表面活性剂18上，因为表面活性剂18沿着第一区域12露出，所以，以沿着第一区域12的图案形状形成金属层34。金属层34可以是一层，也可以是多层。金属层34的材料不受限定，例如，可以是Ni、Au、Ni+Au、Cu、Ni+Cu、Ni+Au+Cu中的任一种。只要根据沉积的金属层34的材料选择催化剂即可。
在图2(B)所示的例子中，将衬底10在六水合硫酸镍为主体的镀液(温度为80℃)中浸泡1～3分钟左右，形成0.1～0.2μm左右厚度的镍层。或者，也可以将衬底10在六水合氯化镍为主体的镀液(温度为60℃)中浸泡3～10分钟左右，形成0.1～0.2μm左右厚度的镍层。根据本例子，因为沿着第一区域12设置催化剂30，所以，即使不使用抗蚀层等来形成掩模，也能沿着衬底10的第一区域12有选择地形成金属层34。
根据本例子，通过照射真空紫外线22使表面活性剂18形成图案，并在表面活性剂18上设置催化剂30。由此，能沿着规定的图案形状只在需要的部分上沉积金属层34。因此，不需要用例如抗蚀层等来形成掩模，从而能以精简且较短时间的制造步骤形成高精度的布线，减少了材料的浪费，实现了低成本。
第二例
图5(A)及图5(B)是本实施例的第二例说明图。在本例子中，在如图3(A)～图3(D)所示那样在第一区域12上设置表面活性剂18后，在衬底10的第二区域14上设置催化剂38。也就是说，在衬底10的表面中的、从表面活性剂18露出的第二区域14上设置催化剂38。在本例子中，第二区域14是形成金属层(布线)的区域，形成规定的图案形状。
例如，将衬底10浸渍在带正电荷的氯化锡溶液中，接着浸渍在含氯化钯的催化剂液中，由此，能在衬底10的第二区域14(负电位部分)上沉积钯。另外，可以将衬底10浸渍在该催化剂液中1～5分钟之后，再用纯水水洗。
然后，如图5(B)所示，在催化剂38上沉积金属层40。因为催化剂38设置在第二区域14上，所以，以沿着第二区域14的图案形状形成金属层40。
另外，本例子的其他详细说明可以适用上述例子中说明的内容。
第二实施例
图6(A)～图10(B)是本发明的第二实施例涉及的布线衬底的制造方法的说明图。在本实施例中，通过使用喷液法来布图表面活性剂。
第一例
图6(A)～图7(B)是化学镀金工艺的各步骤的说明图。图8(A)～图9(B)是化学镀金工艺的各步骤中的衬底的示意图。
如图8(A)所示，作为衬底10，预先使其表面电位形成负电位。如图6(A)所示，可以通过将衬底10浸渍在碱液(例如，无机碱液)62中进行碱洗。由此，如图8(B)所示，能使衬底10的第一区域12及第二区域14表面的不均匀电位变为均匀的负电位。碱洗的详细步骤按照第一实施例的第一例中说明的进行。
如图6(B)及图8(C)所示，通过使用喷液法，在衬底10的第一区域12上设置表面活性剂64。也就是说，将液滴(表面活性剂64)从液滴喷出部66直接喷到衬底10的表面上，并形成规定的图案形状。由此，能有选择地设置表面活性剂64，不需要用抗蚀层等形成掩模，所以，制造步骤得以简化。液滴至少部分包括表面活性剂64，例如，可以以表面活性剂64为核心，其表面用树脂(粘结材料)等涂覆。或者，液滴也可以只由表面活性剂64构成。喷液法既可以是喷墨方式，也可以是分配器涂布方式，液滴喷出的方式并不受限定。如果采用喷墨方式，通过使用在喷墨打印机中实用化的技术，能够实现高速并且控制了油墨(表面活性剂64)的浪费，实现了经济化。作为喷墨头，可以使用压电元件的压电喷射型，或者采用能量产生元件，其可以是使用电热转换体的真空喷射(注册商标)型等。
在本例子中，表面活性剂64具有阳离子化的性质。作为表面活性剂64可以使用阳离子系表面活性剂。在本例子中，因为衬底10的第一区域12及第二区域14的表面电位是负电位，所以，一旦使用阳离子系表面活性剂，在衬底10的表面电位中，第一区域12成为中和状态或者正电位，第二区域14成为负电位。
如图7(A)及图9(A)所示，在衬底10的第二区域14上设置催化剂68。也就是说，在衬底10中的、从表面活性剂64露出的第二区域14上设置催化剂68。在第一区域12上不设置催化剂68。在本例子中第二区域14是形成金属层(布线)的区域，形成规定的图案形状。为了得到催化剂，可以将衬底10浸渍在含氯化锡的溶液中，接着浸渍在含氯化钯的催化剂液70中。具体地，按照第一实施例的第二例中的说明进行。
然后，如图7(B)及图9(B)所示，在催化剂68上沉积金属层72。因为催化剂68设置在第二区域14上，所以，能以沿着第二区域14的图案形状形成金属层72。另外，如图7(B)所示，金属层的沉积可以通过将衬底10浸渍在规定的化学镀液74中进行，具体地，按照第一实施例的第一例中的说明进行。
根据本例子，使用喷液法来布图表面活性剂64，并且避开表面活性剂64设置催化剂68。由此，能沿着规定的图案形状只在规定的部分上沉积金属层72。因此，不需要用例如抗蚀层等形成掩模，从而能以精简且较短时间的制造步骤形成高精度的布线，减少了材料的浪费，实现了低成本。
另外，本例子的其他详细说明可以适用上述例子中说明的内容。
第二例
图10(A)及图10(B)是本实施例的第二例子的说明图。在本例子中，如图8(A)～图8(C)所示，通过喷液法喷出表面活性剂64后，在表面活性剂64上设置催化剂76。因为表面活性剂64设置在第一区域12上，所以，催化剂68也设置在第一区域12上。在第二区域14上不设置催化剂68。在本例子中，第一区域12是形成金属层(布线)的区域，形成规定的图案形状。在本例子中，在衬底10的表面电位中，第一区域12通过(阳离子系)表面活性剂64成为中和或者正电位，第二区域14由于从衬底10的表面露出而成为负电位。为了得到催化剂，将衬底10浸渍在含锡-钯的催化剂液中。具体地，按照第一实施例的第一例的说明进行。
然后，如图10(B)所示，在催化剂76上沉积金属层78。因为催化剂76设置在第一区域12上，所以，能以沿着第一区域12的图案形状形成金属层78。
另外，本例子的其他详细说明可以适用上述例子中的说明内容。
第三实施例
图11是用于说明本发明的第三实施例的电子装置的制造方法的示意图，具体地显示了具有布线衬底的电子装置的一个例子。
在布线衬底1上形成规定的图案形状的金属层(在图11中省略)。可以将具有集成电路的半导体芯片80(例如，倒装)安装到布线衬底1上。半导体芯片80(集成电路)电连接于金属层。这样，可以制造出包括半导体芯片80和布线衬底1的半导体装置3。然后，将布线衬底1(或者半导体装置3)与电路板82电连接。由此，能制造出电子装置。另外，布线衬底1也可以如图11的箭头所示那样进行弯曲。
电路板82是电光面板时，电子装置为电光装置，电光装置可以是液晶装置、等离子体显示装置、场致发光显示装置等。根据本实施例，能以精简和短时间的制造步骤形成高精度的布线，减少了材料的浪费，实现了低成本。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，本发明可以有各种更改和变化。例如，本发明包括与实施例中说明的结构实质相同的结构(例如，功能、方法及效果相同的结构、或者目的及效果相同的结构)。另外，本发明还包括与实施例中说明的结构起到同样作用的效果的结构、或者可实现同样目的的结构。另外，本发明还包括在实施例中说明的结构中附加公开技术的结构。
符号说明
1：布线衬底                   3：半导体装置
10：衬底                      11：表层部
12：第一区域                  14：第二区域
16：碱液                      18：表面活性剂
20：表面活性剂溶液            22：真空紫外线
24：光源                      26：掩模
28：图案                      30：催化剂
32：催化剂溶液                34：金属层
38：催化剂                    40：金属层
64：表面活性剂                66：喷液部
68：催化剂                    70：催化剂溶液
72：金属层                    76：催化剂
78：金属层                    80：半导体芯片
82：电路板

Claims (14)

1.一种用于制造布线衬底的方法，其特征在于，包括如下步骤：
(a)在衬底的第一区域和第二区域上设置表面活性剂；
(b)向所述衬底的所述第二区域照射真空紫外线，使所述衬底的所述第二区域的原子键断裂；
(c)清洗所述衬底，除去设置在所述第二区域上的所述表面活性剂；
(d)在残留在所述第一区域上的所述表面活性剂上设置催化剂；以及
(e)在所述催化剂上沉积金属层，沿着所述第一区域形成由所述金属层构成的布线。
2.一种用于制造布线衬底的方法，其特征在于，包括如下步骤：
(a)在衬底的第一区域和第二区域上设置表面活性剂；
(b)向所述衬底的所述第二区域照射真空紫外线，使所述衬底的所述第二区域的原子键断裂；
(c)清洗所述衬底，除去设置在所述第二区域上的所述表面活性剂；
(d)在所述衬底的所述第二区域上设置催化剂；以及
(e)在所述催化剂上沉积金属层，沿着所述第二区域形成由所述金属层构成的布线。
3.根据权利要求1或2所述的用于制造布线衬底的方法，其特征在于，所述衬底具有C-C、C＝C、C-F、C-H、C-CI、C-N、C-O、N-H、O-H键中的至少一种。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的用于制造布线衬底的方法，其特征在于，所述衬底至少具有C＝C键，所述真空紫外线具有至少能使C＝C键断裂的性质。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的用于制造布线衬底的方法，其特征在于，所述真空紫外线的光源是充入Xe气的激发态紫外灯。
6.一种用于制造布线衬底的方法，其特征在于，包括如下步骤：
(a)在包括第一区域和第二区域的衬底的所述第一区域上，用喷液法设置表面活性剂；
(b)在所述表面活性剂上设置催化剂；以及
(c)在所述催化剂上沉积金属层，沿着所述第一区域形成由所述金属层构成的布线。
7.一种用于制造布线衬底的方法，其特征在于，包括如下步骤：
(a)在包括第一区域和第二区域的衬底的所述第一区域上，用喷液法设置表面活性剂；
(b)在所述衬底的所述第二区域上设置催化剂；以及
(c)在所述催化剂上沉积金属层，沿着所述第二区域形成由所述金属层构成的布线。
8.根据权利要求6或7所述的用于制造布线衬底的方法，其特征在于，所述喷液法是喷墨法。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的用于制造布线衬底的方法，其特征在于，所述衬底的所述第一区域和第二区域的表面电位是负电位。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的用于制造布线衬底的方法，其特征在于，在所述步骤(a)之前，还包括碱洗所述衬底的步骤。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的用于制造布线衬底的方法，其特征在于，在所述步骤(a)中，所述表面活性剂是阳离子系表面活性剂。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的用于制造布线衬底的方法，其特征在于，在设置所述催化剂的步骤中，将所述衬底浸渍在含氯化锡的溶液中，接着浸渍在含氯化钯的催化剂液中，沉积用作所述催化剂的钯。
13.根据权利要求1至11中任一项所述的用于制造布线衬底的方法，其特征在于，在设置所述催化剂的步骤中，将所述衬底浸渍在含锡-钯的催化剂液中，再从所述衬底上除去锡，沉积用作所述催化剂的钯。
14.一种用于制造电子装置的方法，包括：
根据权利要求1至13中任一项所述的用于制造布线衬底的方法；
将具有集成电路的半导体芯片安装到所述布线衬底上的步骤；以及
将所述布线衬底与所述电路板电连接的步骤。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI269450B (en) * 2005-12-20 2006-12-21 Taiwan Tft Lcd Ass A direct patterned method for manufacturing a metal layer of a semiconductor device
JP2007243031A (ja) 2006-03-10 2007-09-20 Seiko Epson Corp 配線基板の製造方法
JP2007243034A (ja) 2006-03-10 2007-09-20 Seiko Epson Corp 配線基板の製造方法
JP2007243037A (ja) * 2006-03-10 2007-09-20 Seiko Epson Corp 配線基板の製造方法
JP6130332B2 (ja) * 2014-06-30 2017-05-17 キヤノン・コンポーネンツ株式会社 金属皮膜付樹脂製品の製造方法

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3563784A (en) * 1968-09-09 1971-02-16 Macdermid Inc Pre-activation treatment in the electroless plating of synthetic resin substrates
US3632388A (en) * 1969-04-14 1972-01-04 Macdermid Inc Preactivation conditioner for electroless metal plating system
US3776770A (en) * 1971-10-08 1973-12-04 Western Electric Co Method of selectively depositing a metal on a surface of a substrate
US3982045A (en) * 1974-10-11 1976-09-21 Macdermid Incorporated Method of manufacture of additive printed circuitboards using permanent resist mask
US4617204A (en) * 1983-01-04 1986-10-14 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Chemical synthesis of thin films and supported crystals by oxidation of zintl anions
DE3770896D1 (de) * 1986-09-15 1991-07-25 Gen Electric Verfahren zur photoselektiven metallisierung.
US4865873A (en) * 1986-09-15 1989-09-12 General Electric Company Electroless deposition employing laser-patterned masking layer
US5071517A (en) * 1989-11-21 1991-12-10 Solution Technology Systems Method for directly electroplating a dielectric substrate and plated substrate so produced
US5376248A (en) * 1991-10-15 1994-12-27 Enthone-Omi, Inc. Direct metallization process
BE1007610A3 (nl) * 1993-10-11 1995-08-22 Philips Electronics Nv Werkwijze voor het stroomloos aanbrengen van een metaalpatroon op een elektrisch isolerend substraat.
JPH0978250A (ja) * 1995-09-11 1997-03-25 Kao Corp 導電性パターンの形成方法
WO1998020528A1 (en) * 1996-11-08 1998-05-14 W.L. Gore & Associates, Inc. METHOD FOR IMPROVING RELIABILITY OF THIN CIRCUIT SUBSTRATES BY INCREASING THE Tg OF THE SUBSTRATE
JPH10209609A (ja) * 1997-01-17 1998-08-07 Totoku Electric Co Ltd フレキシブルプリント回路の製造方法および該方法により得られたフレキシブルプリント回路
DE69842001D1 (de) * 1997-04-04 2010-12-30 Univ Southern California Galvanisches verfahren zur herstellung einer mehrlagenstruktur
US6096404A (en) * 1997-12-05 2000-08-01 Applied Materials, Inc. Full face mask for capacitance-voltage measurements
SG78324A1 (en) * 1998-12-17 2001-02-20 Eriston Technologies Pte Ltd Bumpless flip chip assembly with strips-in-via and plating
US6900253B2 (en) * 2000-03-29 2005-05-31 Hitachi Maxell, Ltd. Ink for ink jet printer
US6674533B2 (en) * 2000-12-21 2004-01-06 Joseph K. Price Anodizing system with a coating thickness monitor and an anodized product
US6588099B2 (en) * 2001-01-22 2003-07-08 Sankyo Kasei Kabushiki Kaisha Process for manufacturing molded circuit board
US20020110673A1 (en) * 2001-02-14 2002-08-15 Ramin Heydarpour Multilayered electrode/substrate structures and display devices incorporating the same
JP3530149B2 (ja) * 2001-05-21 2004-05-24 新光電気工業株式会社 配線基板の製造方法及び半導体装置
JP2002348680A (ja) * 2001-05-22 2002-12-04 Sharp Corp 金属膜パターンおよびその製造方法
EP1293544B1 (en) * 2001-09-17 2005-02-16 Konica Corporation Colored fine particle dispersion and a water-based ink for an ink-jet system
JP3857564B2 (ja) * 2001-10-22 2006-12-13 積水化学工業株式会社 樹脂表面への導電性被膜及び導電性回路パターンの形成方法
TW501248B (en) * 2001-11-01 2002-09-01 Taiwan Electronic Packaging Co Chip package structure
US6762489B2 (en) * 2001-11-20 2004-07-13 International Business Machines Corporation Jogging structure for wiring translation between grids with non-integral pitch ratios in chip carrier modules
JP2003337432A (ja) * 2002-05-20 2003-11-28 Tsukuba Semi Technology:Kk 機能水を使ったレジスト除去方法、およびその装置
JP2004064039A (ja) * 2002-06-07 2004-02-26 Fuji Photo Film Co Ltd パターン形成方法及びパターン形成装置

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