CN1263091C - 微细构造物的制造方法、光学元件、集成电路和电子仪器 - Google Patents

微细构造物的制造方法、光学元件、集成电路和电子仪器 Download PDF

Info

Publication number
CN1263091C
CN1263091C CNB2003101007122A CN200310100712A CN1263091C CN 1263091 C CN1263091 C CN 1263091C CN B2003101007122 A CNB2003101007122 A CN B2003101007122A CN 200310100712 A CN200310100712 A CN 200310100712A CN 1263091 C CN1263091 C CN 1263091C
Authority
CN
China
Prior art keywords
film
liquid film
scolding
pattern
manufacture method
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB2003101007122A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1497663A (zh
Inventor
高木宪一
十河智彦
齐藤祐司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Publication of CN1497663A publication Critical patent/CN1497663A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1263091C publication Critical patent/CN1263091C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/201—Filters in the form of arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514—Colour filters
    • G02F1/133516—Methods for their manufacture, e.g. printing, electro-deposition or photolithography
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Abstract

本发明为一种微细构造物的制造方法，其特征是：在要形成所需图案的基板(10)的被处理面上设置亲液膜(11)，在亲液膜(11)的上表面上，设置对成为形成所述图案的部件的液体材料具有斥液性的斥液膜(12)，除去斥液膜(12)中位于要形成所述图案的区域上的部分。从而可在使用液体材料形成所需图案时，高速并且良好地形成所需图案。另外，本发明还提供一种采用该微细构造物的制造方法制造的光学元件、集成电路和电子仪器。

Description

微细构造物的制造方法、光学元件、集成电路和电子仪器
技术领域
本发明涉及适合于采用液体材料形成所需图案的微细构造物的制造方法、光学元件、集成电路和电子仪器。
背景技术
以往，作为形成滤色器等光学元件的像素或半导体集成电路的布线图案等微细图案的方法，存在向基板上的所需图案内填充液体材料，然后进行干燥和烧结的方法。而且，作为向所需图案内填充液体材料的方法，提出了以下描述的方法。即，首先，通过对所需图案的内侧区域进行亲液处理而形成亲液区域，并通过对所需图案的外侧区域进行斥液处理而形成斥液区域。然后，通过向被斥液区域所包围的亲液区域中填充液体材料，来实现向所需图案内的液体材料的填充。
发明内容
可是，在以往的微细图案的形成方法中，由于是通过对硅基板等被处理面全体实施形成氟膜的斥液处理，然后，只对进行了斥液处理的被处理面的所需图案区域照射紫外线等，去掉该图案区域的氟膜，再分解去掉附着在该区域中的有机物等，来进行亲液化处理，所以存在着亲液化处理耗费时间长的问题。
其理由在于：硅和氟一旦结合，就变为稳定状态，其结合力变得非常强，即使要通过紫外线照射分解氟的结合，该分解也要花费长的时间。
此外，在所述以往的微细图案的形成方法中，当在透明基板上形成滤色器等光学元件时，通过紫外线照射进行亲液处理，有时会使该透明基板的光学特性恶化。
此外，在所述以往的微细图案的形成方法中，因为有时基板上的被处理面被污染，所以存在着形成在基板上的图案和该基板的紧贴性不好的问题。
本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于：提供一种在使用液体材料形成所需图案时，能高速并且良好地形成所需图案的微细构造物的制造方法、光学元件、集成电路和电子仪器。
为了实现所述目的，本发明的微细构造物的制造方法的征在于：包括：对于形成图案的部件，使用液体材料，在要形成所需形状的图案的所述部件的被处理面上设置第一膜的步骤；在所述第一膜的上表面上设置对所述液体材料具有斥液性的斥液膜的步骤；除去所述斥液膜中与要形成所述图案的区域对应的部分的所述斥液膜的步骤；所述第一膜，具有在通过对所述斥液膜照射紫外光或激光而将所述斥液膜除去时，作为促进该斥液膜的分解的分解促进层的功能。
根据本发明，因为在被处理面和斥液膜之间设置第一膜，所以被处理面和斥液膜不结合，能容易并且高速除去斥液膜。因此，根据本发明，能以高速形成所需形状的图案。
此外，根据本发明，通过在被处理面上设置第一膜，例如，由于还能够清洗被处理面，防止其污染，所以能良好地形成所需图案。
此外，根据本发明，在分解除去斥液膜的处理中，第一膜能防止对被处理面带来损伤。
此外，本发明的微细构造物的制造方法希望所述第一膜是对所述液体材料具有亲液性的亲液膜。
根据本发明，在被处理面和斥液膜之间设置了第一膜，所以能高速分解除去斥液膜，此外，能防止的被处理面的污染，能防止对被处理面带来损伤。
此外，本发明的微细构造物的制造方法希望所述第一膜是当进行除去所述斥液膜的处理时，作为抑制对所述被处理面造成损伤的牺牲层而起作用，所述牺牲层采用聚乙烯、聚丙烯、抗蚀剂中任意一个构成。
根据本发明，通过在被处理面和斥液膜之间设置的牺牲层，例如在分解除去斥液膜的处理中，能防止对被处理面造成损伤。因此，例如把透明基板的一面作为被处理面，设置滤色器等光学元件时，能防止该光学元件的光学特性在制造步骤中恶化。
此外，本发明的微细构造物的制造方法希望所述第一膜是当在所述被处理面上形成了图案时，作为抑制该图案的特性劣化、该图案与该被处理面间的紧贴性劣化中的至少一方的牺牲层而起作用，所述牺牲层采用聚乙烯、聚丙烯、抗蚀剂中任意一个构成。
根据本发明，通过在被处理面和斥液膜之间设置牺牲层，能防止设置在该牺牲层上的图案的特性恶化，并且能抑制该图案和被处理面的紧贴性恶化，能在构造和化学上形成良好的图案。
此外，本发明的微细构造物的制造方法希望所述斥液膜是通过照射紫外光或激光而活性化或挥发化的活性膜。
根据本发明，例如通过向斥液膜照射电磁波之一的紫外线，分解除去该斥液膜，能形成所需的亲液区域。
此外，本发明的微细构造物的制造方法希望还具有：对位于所述第一膜的要形成所述图案的区域上的部分，在除去了所述斥液膜后，除去所述第一膜的步骤。
根据本发明，不仅形成图案的区域的斥液膜，而且除去第一膜，所以当向除去的区域填充液体材料时，能提高抑制液体材料从该区域溢出的力即保持力。
此外，本发明的微细构造物的制造方法希望通过照射紫外光或激光，进行所述第一膜的除去。
根据本发明，例如通过向第一膜照射电磁波之一的紫外线，分解除去第一膜，能简易形成保持力高的所需图案。
此外，本发明的微细构造物的制造方法希望在要形成所需形状的图案的被处理面上设置第一膜的步骤；在所述第一膜的上表面上设置对成为形成所述图案的部件的液体材料具有斥液性的斥液膜的步骤；对所述斥液膜中要形成所述图案的区域的边界部分，除去所述斥液膜的步骤，所述第一膜，具有在通过对所述斥液膜照射紫外光或激光而将所述斥液膜除去时，作为促进该斥液膜的分解的分解促进层的功能。
根据本发明，除去斥液膜的图案的边界部分，不除去该图案的边界部分内侧的斥液膜，所以能缩短除去时间，能提高图案内的液体材料的保持力。
此外，本发明的微细构造物的制造方法希望还具有：除去要形成所述图案的区域的边界部分的所述第一膜的步骤。
根据本发明，因为关于图案的边界部分除去斥液膜和第一膜，所以能进一步提高图案内的液体材料的保持力。
根据本发明，能容易并且高速分解除去斥液膜，能实现制造时间的缩短和制造成本的降低。
此外，本发明的微细构造物的制造方法包括：在要形成所需形状的图案的被处理面上设置对用于形成该图案的液体材料具有亲液性的亲液膜的步骤；在所述亲液膜的上表面上设置促进对所述液体材料具有斥液性的斥液膜的分解的分解促进层的步骤；在所述分解促进层的上表面上设置对所述液体材料具有斥液性的斥液膜的步骤；对位于所述斥液膜中的要形成所述图案的区域上的部分，除去所述斥液膜的步骤。
根据本发明，在被处理面(基板面)上设置亲液膜，在亲液膜上设置分解促进层，所以使斥液膜的分解除去高速化，能提高图案区域内的亲液性，能精密地进行构图。
此外，本发明的微细构造物的制造方法希望通过对所述斥液膜中的要形成所述图案的区域照射紫外光或激光，进行所述斥液膜的除去。
根据本发明，通过对斥液膜的所需图案区域照射紫外光或激光，能分解除去该部分的斥液膜，能比以往更高速地分解除去斥液膜。
此外，本发明的微细构造物的制造方法希望向除去了所述斥液膜的区域填充所述液体材料，通过对该液体材料至少进行干燥或烧结，在填充了该液体材料的区域形成图案。
根据本发明，向除去了斥液膜的区域填充液体材料，通过干燥或烧结，能简单并且迅速设置所需的图案。
此外，本发明的器件的特征在于：使用所述的微细构造物的制造方法制造。
根据本发明，能迅速并且以低成本提供光学特性良好的光学元件等器件。
此外，本发明的电子仪器的特征在于：具有所述的器件。
根据本发明，能以低成本并且迅速提供故障发生概率比以往低，具有高性能的器件的电子仪器。
附图说明
图1是表示本发明实施例的微细构造物的制造方法的模式剖视图。
图2是表示通过以上的制造方法，斥液膜的除去速度提高的实验结果的图。
图3是表示亲液膜形成装置的一例的概念图。
图4是表示斥液膜形成装置的一例的概念图。
图5是表示构图装置的一例的概念图。
图6是表示罩镀膜方式的涂敷方法的模式剖视图。
图7是表示本发明实施例的滤色器制造方法的图。
图8是表示基板和基板上的滤色器区域的一部分的图。
图9是具有使用本发明制造的滤色器的液晶板的剖视图。
图10(a)～(i)是表示制造滤色器的一例的图。
图11是应用了本发明制造方法的有机EL装置的剖视图。
图12是表示具有本实施例的光学元件的电子仪器一例的图。
图13是表示具有本实施例的光学元件的电子仪器一例的图。
图14是表示具有本实施例的光学元件的电子仪器一例的图。
具体实施方式
(实施例1)
下面，参照附图说明本发明微细构造物的制造方法。在本实施例中，作为微细构造物的一例，说明滤色器的像素。
图1是表示本发明实施例的微细构造物的制造方法的模式剖视图。在图1中，表示在被处理面的基板10的表面，使用液体材料形成所需图案时的主要步骤。基板10例如是由硅或塑料构成的基板。而且，首先，如图1(a)所示，在基板10的上表面全体形成亲液膜(第一膜)11。
亲液膜11的形成是在基板10的上表面形成聚乙烯层。此外，也可以例如通过向基板10照射紫外线，进行亲液膜11的形成。由此，通过分解除去附着在基板10表面上的有机物等，清洗基板10。此外，向配置了基板10的室内导入氧气，通过紫外线使氧气活性化，与有机物反应，能促进有机物的除去。此外，通过紫外线的照射，基板10表面的水分蒸发，所以关于基板10整个面同时进行了亲液处理。此外，可以用有机膜形成亲液膜11。
接着，在亲液膜11的上表面全体形成斥液膜12。例如通过在亲液膜11的上表面全体形成氟树脂聚合膜，进行斥液膜12的形成。此外，斥液膜12可以由有机膜形成。此外，可以用含有氟的有机膜形成斥液膜12。通过使用了等离子体或光等电磁波的聚合，能形成这些有机膜。
此外，通过暴露在含氟的等离子体等的惰性气体或液体中，对表面改质，由此形成斥液膜12。
接着，如图1(b)所示，除去斥液膜12中要形成所需图案的部分。即在斥液膜12中除去的区域是形成图案的区域。通过向所需图案照射电磁波，进行该斥液膜12的除去。作为照射的电磁波，希望是紫外线或激光光线。例如，通过隔着规定的掩模向要除去的部分的氟树脂聚合膜照射紫外线，除去斥液膜12的氟树脂聚合膜。
接着，如图1(c)所示，除去亲液膜11中要形成所需图案的部分。此外，在亲液膜11中除去的区域变为与斥液膜12中除去的区域相同的区域。亲液膜11的除去与所述斥液膜12的除去方法同样，例如通过隔着规定的掩模向要除去的部分的亲液膜11照射紫外线，进行除去。
这里，也可以不进行图1(c)所示的亲液膜11的除去，而保持图1(b)所示的状态。
然后，向除去了斥液膜12(亲液膜11)的区域涂敷(填充)液体材料。液体材料例如为包含由于形成滤色器像素的颜料的溶剂。此外，颜料包含R(红)、G(绿)、B(蓝)或C(青色)、M(洋红色)、Y(黄色)的任意色素。例如通过从喷墨喷嘴等喷出液体材料，该液体材料向除去了斥液膜12的区域滴下，进行液体材料的填充。这里，滴下液体材料的位置希望为除去了斥液膜12的区域(所需的图案)的中心。
此外，本发明的微细构造物的制造方法希望使用液滴喷出方式、像LSMCD那样供给雾状液体材料的方式或直接涂敷方式(CapCoat)，进行液体材料20的涂敷。
根据本发明，不但能减少液体材料的必要量，而且能简化制造步骤。
然后，关于基板10，通过干燥和烧结，使液体材料的水分蒸发，形成只使R、G、B或C、M、Y中的任意颜色的光透射的滤色器的一个像素(图案)。
由此，根据本发明，除去形成在亲液区域12上的斥液区域11的所需图案部分，所以与除去直接形成在基板10上的斥液区域时相比，能更高速地除去斥液区域，能缩短制造时间。此外，根据本实施例，在基板10的被处理面全体上首先设置亲液膜11，所以通过设置该亲液膜11的处理，清洗基板10全体，能防止基板10的污染。
下面，参照图2说明表示通过本实施例的制造方法，除去斥液膜的速度提高的实验结果。图2是表示向用本实施例的制造方法和以往的制造方法形成的斥液膜照射了紫外线(UV)的时间和它的被照射面的斥液性(或亲液型)的关系的曲线图。
在图2中，横轴表示向被照射面的紫外线照射时间(sec)，纵轴表示被照射面上对于墨水(液体材料)的接触角(deg)。该接触角越大，斥液性越高，斥液膜的除去量越小。相反，接触角越小，斥液性越低，亲液性越高，斥液膜的除去量越多。例如，接触角在5(deg)以下，变为基本除去了斥液膜的状态。
此外，图2中的两条特性曲线中的上方曲线(菱形点的曲线)表示在基板10的上表面直接形成了斥液膜12的以往制造方法(单层膜)的特性，下方的曲线(四边形点的曲线)表示在基板10的上表面形成亲液膜11，在亲液膜11之上形成了斥液膜12的本实施例的制造方法(2层膜)的特性。
达到所需接触角例如5(deg)以下所需要的紫外线照射时间明显是本实施例的制造方法的特性曲线比以往的制造方法的特性曲线短。因此，根据图2的实验结果，根据本实施例的制造方法，能比以往的制造方法更迅速地除去斥液膜。
下面，就本实施例产生所述效果的理由加以说明。例如，基板10为硅基板。而且，如果在该硅上直接形成由氟等构成的斥液膜12，则硅和氟牢固地结合，成为化学上稳定的状态。即使照射紫外线，该化学上稳定的状态也很难分解。因此，在以往的制造方法中，用紫外线除去在硅基板上直接形成的斥液膜，所以该斥液膜的除去需要长时间。
而在本实施例的制造方法中，在硅等的基板10上设置亲液膜11，在该基板10上设置斥液膜12。由此，斥液膜12的氟和硅不结合，此外，斥液膜12的氟和亲液膜11的聚乙烯的结合弱，所以通过向斥液膜12照射紫外线，能比较高速地分解斥液膜12，并除去。
因此，根据本实施例的制造方法，与以往的制造方法相比，能更高速地除去斥液膜，能缩短构图时间。
在所述实施例中，也可以代替亲液膜11，通过设置具有促进斥液层12分解的功能的分解促进层，缩短斥液层12的分解除去时间来缩短构图时间。换言之，在基板10的上表面设置分解促进层，在分解促进层的上表面设置斥液层12。而且，向斥液膜12的所需图案部位照射紫外线等的光，除去该图案部位的斥液层12。作为分解促进层，例如由包含在通过使用光的曝光进行构图时，为光活性(通过接收光而挥发)的TiO2的材料形成。此外，图1所示的所述实施例的亲液膜11也具有作为分解促进层的功能。
此外，在图1所示的所述实施例中，也可以代替亲液膜11，通过设置牺牲层，在进行除去斥液膜12的处理时，抑制对基板10的表面造成损伤。换言之，在基板10的上表面设置牺牲层，在牺牲层的上表面设置斥液膜12。
例如，基板10是硅基板或塑料基板，该基板10的表面为被处理面。而且，代替亲液膜11的牺牲层由聚乙烯、聚丙烯、抗蚀剂中的任意一个构成。
接着，通过例如激光光线或电子束等物理方法，进行斥液膜12的构图(分解除去)。由此，例如，当基板10具有透明的光学特性时，牺牲层遮挡了对于该基板10照射激光光线或电子束，所以能防止对基板10噪声损伤，能保持基板10的光学特性。而且，关于斥液膜12形成了所需图案后，通过化学方法(例如，湿蚀刻)除去牺牲层。
此外，所述牺牲层在斥液膜12和基板10间发生物理上或化学上的反应时，可以作为具有防止由于基板10的污染而导致成膜层(使液体材料干燥烧结而设置的层)的恶化、成膜层和基板10间的紧贴性恶化的功能的层。例如，当基板10为硅或塑料时，在该基板10上直接设置斥液膜12，把该斥液膜12构图(除去)，如果向该构图部填充用于形成滤色器的材料，就发生基板的硅和斥液膜的氟的结合。因此，通过在基板10和斥液膜12之间设置牺牲层，能防止相关的硅和氟的结合，能防止成膜层的特性恶化，此外，能防止基板和成膜层的紧贴性恶化。
下面，参照图3，说明所述实施例中的亲液膜11的形成方法的一例。图3是表示亲液膜形成装置的一例的概念图。本亲液膜形成装置把包含正癸烷的氦(He)气在大气压下等离子体化，通过向基板10照射该等离子体，在基板10的表面形成亲液膜。在本亲液膜形成装置中，把流量100[sccm]的氦31加入容器32中存在的正癸烷溶液中。通过起泡，包含正癸烷的氦气从容器32送入第一电极34。此外，流量10[slm]的氦气33输送到第一电极34。
进一步，从高频电源36向第一电极34外加频率13.56[MHz]的高频电压。这里，从高频电源36提供给第一电极34的电力例如为400[W]。在与第一电极34相对的位置，配置有作为第二电极起作用的载物台38。
载物台38与第一电极34的下端保持规定的间隔，能在水平方向移动。第一电极34和载物台38(第二电极)的间隔(间隔)例如为1[mm]。载物台38的移动速度即基板10的输送速度例如为0.46[mm/sec]。而且，被处理物的基板10放置在载物台38上。
进入第一电极34的包含正癸烷的氦气35从外加了高频电压的电极34等离子体化，被放出，照射到基板10的上表面。由此，在基板10的上表面形成亲液膜。而且，因为基板10与载物台38一起在水平方向移动，所以在基板10的上表面全体上形成了亲液膜。
下面，参照图4具体说明所述实施例的斥液膜12的形成方法的一例。图4是表示形成斥液膜的聚合膜的斥液处理装置一例的概念图。
斥液处理装置130具有处理室131，在设置在处理室131内的处理台132上配置硅片等被处置物的基板10。而且，在处理室131的上下配置高频电极134，高频电极134连接在高频电源135上。
此外，通过具有流量控制阀112的供给配管102，处理气体供给部104连接在处理室131上。处理气体供给部104具有贮存由C4F10或C8F18等直链PFC构成的液体有机物106的容器108。而且，在容器108中设置成为加热部的加热器110，加热液体有机物106，使之气化。此外，在供给配管102的流量控制阀112的下游一侧，通过具有流量控制阀114的载体配管116连接着载体气体供给部118。对载体气体使用氮或氩等惰性气体。
此外，如图4的虚线所示，在供给配管102上，通过具有流量控制阀120的配管122，能连接第二处理气体供给部124。这时，从第二处理气体供给部124作为第二处理气体向液体有机物106的蒸汽中添加CF4。在处理室31中，使该有机物蒸汽与CF4的混合气体离子化。于是，活性化的氟与液体有机物106的蒸汽发生反应，被吸收到基板10的表面上聚合的膜中的氟脱离部分中，由此能提高聚合膜的斥液性。
作为所述实施例中的斥液膜12，能使用含氟的有机物作为形成部件。具体而言，作为形成聚合膜的材料，能使用C8F18、C7F16、C6D14、C5F12等作为斥液膜12的形成部件。此外，能使用RFC气体的C4F8作为斥液膜12的形成部件。此外，可以使用界面活性剂(例如DynaSylan-F-8263或DynaSylan-F-8261等)作为斥液膜12的形成部件。
下面，参照图5说明所述实施例的斥液膜12的构图(分解除去)方法的一例。图5是表示对斥液膜12构图时使用的构图装置一例的概念剖视图。
本构图装置具有：覆盖该装置全体而设置的局部排气罩151、配置在局部排气罩151的上方的光源152、配置在光源152内的受激准分子UV光源153、配置在光源152的底面上的合成石英(石英玻璃)154。
在局部排气罩151内，在合成石英154的下方配置有支架156。在支架156上放置被处理物的基板10。这里，在支架156的上表面和合成石英154之间设置有空间，氮N2从该空间的入口161进入，从该空间(或局部排气罩151)的出口162排气。
从受激准分子UV光源153发射的紫外线的波长例如为172[nm]。此外，受激准分子UV光源153的类型例如为Xe2类型。而且，紫外线的照射时间例如为15分钟。而在基板10的上表面放置金属掩模155。该金属掩模155只在所需形状的图案部分开孔。
因此，从受激准分子UV光源153发射的紫外线透射合成石英154，照射在金属掩模155。照射的紫外线中通过金属掩模155的孔的紫外线到达基板10上表面的斥液膜。这里，向基板10上表面的紫外线照射在氮气气氛中进行。这样，被照射了紫外线的斥液膜被分解除去，从出口162作为排气放出。
在所述实施例中，作为亲液膜11或斥液膜12的形成、或液体材料的涂敷方法，可以使用利用了毛细管现像的涂敷方法的罩镀膜(Cap Coat)方式。图6是表示罩镀膜方式的涂敷方法的模式剖视图。如图6(a)所示，在容器21中放入涂敷部件的液体材料(抗蚀剂)22和毛细管(罩镀膜)23。此外，容器21通常由盖子24密闭。而且，被涂敷部件的基板10由可平行移动的支撑部件30下表面一侧支撑。
为了进行涂敷处理，首先，如图6(b)所示，使盖子24向箭头方向滑动打开，并且支撑部件30也向箭头方向(盖子24方向)滑动。如果打开盖子24，则毛细管23向上方移动，毛细管23的上端超出液体材料的液面。由此，液体材料22被提升到毛细管23的上端。
接着，如图6(c)所示，使支撑部件30再向箭头方向滑动，使基板10的被涂敷面接近毛细管23的上端。由此，在基板10的被涂敷面涂敷通过毛细管23吸起的液体材料22。
接着，如图6(d)所示，通过使支撑部件30再向箭头方向滑动，在基板10的被涂敷面的全体上涂敷由毛细管23吸起的液体材料22。
接着，如图6(e)所示，如果基板10向被涂敷面全体的涂敷结束，则使毛细管23向下方移动。这里，基板10的涂敷面从毛细管23的上端离开，所以由毛细管23的液体材料22的吸起停止。
接着，如图6(f)所示，使毛细管23再向下方移动，使毛细管23埋没在液体材料22中。与此同时，使盖子24向箭头方向移动关闭。由此，液体材料22向基板10的被涂敷面全体的涂敷结束。
这里，对于基板10的被涂敷面，预先对所需图案区域进行亲液处理，在该图案区域以外进行斥液处理，用所述罩镀膜方式等对该处理面全体涂敷液体材料，能只向图案区域填充液体材料。
(滤色器的制造工序)
下面，参照图7～图10说明使用所述实施例的微细构造物的制造方法制造滤色器的例子。
图7的基板200是透明基板，使用具有适度的机械强度并且光透射性高的材料。作为基板200，例如能应用透明玻璃基板、丙烯酸玻璃、塑料基板、塑料薄膜和它们的表面处理品。
例如，如图8所示，在长方形形状的基板200上，从提高生产升的观点出发，把多个滤色器区域205形成矩阵状。以后通过切断玻璃200，能把这些滤色器区域205作为适合于液晶显示设备的滤色器使用。
如图8所示，在滤色器区域205中，配置R的液体和G的液体和B的液体，使其形成规定的图案。作为该形成图案，如图所示，除了以往公开的带型，还有镶嵌型或三角型或正方型等。
图7表示在基板200上形成滤色器区域205的步骤的一例。
在图7(a)中，在透明基板200的一方的面上形成了黑矩阵210。在成为滤色器的基础的基板200上，用旋转镀膜等方法，把没有光透射性的树脂(希望是黑色)涂敷为规定的厚度(例如2μm)左右，用光刻法等方法，把黑矩阵210设置为矩阵状。用黑矩阵210的格子包围的最小显示要素称作滤色元件212，例如是X轴方向的宽度30μm，Y轴方向的宽度100μm作为大小的窗口。
形成了黑矩阵210后，例如通过加热器提供热能，烧结基板200上的树脂。
接着，在包含黑矩阵210和滤色元件212的基板200的上表面全体(被处理面)设置亲液膜(未图示)。接着，在该亲液膜的上表面设置斥液膜(未图示)。接着，除去该斥液膜在滤色元件212上的斥液膜。
如图7(b)所示，液滴99落在滤色元件212上。液滴99的量是充分考虑了加热步骤中的液体的体积减少的量。
在图7(c)的加热步骤中，如果对于滤色器上的全部滤色元件212填充了液滴99，就使用加热器进行加热处理。基板200加热到规定的温度(例如70℃左右)。如果液体的溶剂蒸发，则液体的体积减少。当体积减少很多时，重复液体喷出步骤和加热步骤，直到作为滤色器取得充分的液体膜。通过该处理，液体的溶剂蒸发，最终只有液体的固态部分残留而形成膜。
在图7(d)的保护膜形成步骤中，为了使液滴99完全干燥，在规定的温度下进行规定的时间的加热。干燥结束后，为了形成液体膜的滤色器的基板200的保护和滤色器表面的平坦化，形成保护膜220。在该保护膜220的形成中，能采用旋转镀膜法、辊涂法、裁边(ripping)法等方法。
在图7(e)的透明电极形成步骤中，使用溅射法或真空吸附法等方法，跨保护膜220的整个面形成透明电极230。
在图7(f)的构图步骤中，透明电极230构图为与滤色元件212的开口部对应的像素电极。
此外，当在液晶显示面板的驱动中使用TFT(Thin Film Transistor)等时，不需要该构图。图9表示具有使用本发明而制造的滤色器和对置基板等的液晶面板的例子。在该图中，在上下的偏振片462、467之间组合滤色器400和对置基板466，通过在两者之间密封液晶组成物465，构成了液晶面板450。此外，在滤色器400和对置基板466之间构成定向膜461、464，在一方的对置基板466的内侧的面上，把TFT(薄膜晶体管)元件(未图示)和像素电极463形成矩阵状。在该液晶面板中，作为滤色器400，使用了通过上述的制造方法制造的滤色器。
如上所述，在本实施例中，在包含黑矩阵210和滤色元件212的基板200的上表面(被处理面)全体上设置亲液膜，接着在该亲液膜的上表面上设置斥液膜，接着除去该斥液膜中的滤色元件212上的斥液膜，接着对滤色元件212充满液滴99。由此，不使被处理面和斥液膜结合，也能容易并且高速分解除去斥液膜。因此，根据本实施例，在滤色器的制造工序中，能以高速形成所需形状的图案。
此外，根据本实施例，通过对被处理面设置亲液膜，能清洗被处理面，防止它的污染，所以能良好地形成滤色器的图案。
此外，根据本实施例，在分解除去斥液膜时的处理中，通过亲液膜能防止对被处理面造成损伤，所以能制造光学特性良好的滤色器。
此外，作为滤色器的制造方法，并不局限于所述图7的方法，能采用各种方法。图10表示了其他形态的制造方法。例如，用在热硫酸中添加了1重量％的过氧化氢水的清洗液清洗由无碱玻璃构成的透明基板200，用纯水洗涤后，进行空气干燥，取得洁净表面。然后，通过溅射法，在该表面上以规定的膜厚形成铬膜，取得了金属层201(参照图10(a))。在该金属层201的表面上旋转涂敷光致抗蚀剂。把基板200在加热板上以80℃干燥5分钟，形成了光致抗蚀剂层(参照图10(b))。使描画了所需矩阵图案形状的掩模薄膜紧贴在该基板表面上，用紫外线进行曝光。接着，把它浸渍在含氢氧化钾的碱性显影液中，除去未曝光部分的抗蚀剂，对抗蚀剂层202进行了构图(参照图10(c))。接着，用以盐酸为主成分的蚀刻液蚀刻除去露出的金属层201(参照图10(d))，并且除去铬上的抗蚀剂。这样，取得了具有规定的矩阵图案的遮光层(黑矩阵210)(参照图10(e))。
在该基板200上的整个表面用旋转镀膜法涂敷了负片型的透明丙烯酸类感光性树脂组成物203(参照图10(f))。在预烘焙后，使用描画了规定的矩阵图案形状的掩模薄膜进行了紫外线曝光。用显影液对未曝光的部分进行显影，用纯水洗涤后，进行了旋转干燥。进行作为最终干燥的后烘焙，使树脂部充分固化，形成了隔壁204(参照图10(g))。
接着，在包含隔壁204和遮光层(黑矩阵)210的基板200的上表面全体(被处理面)设置亲液膜(未图示)。接着，在隔壁204上设置斥液膜(未图示)。最好使用与所述实施例中说明的另外的掩模形成该斥液膜。
然后，使用液滴喷出装置向隔壁204内喷出成为R、G、B各色滤色器的材料。然后，加热基板200，进行滤色材料的固化处理，取得滤色器层(参照图10(h))。然后，在这样制造的滤色器基板上涂敷透明丙烯酸树脂涂料，形成保护层220(overcoat)，能取得滤色器(参照图10(i))。
(实施例2：EL显示器件的制造工序)
下面，参照图11说明使用所述实施例的微细构造物的制造方法制造EL(电致发光)显示器件的例子。EL显示器件具有用阴极和阳极夹着包含荧光性无机和有机化合物的薄膜的结构，是通过向所述薄膜注入电子和空穴(hole)，使它们再结合，生成电子空穴对(exciton)，利用该电子空穴对失去活性时的光的放出(荧光和磷光)而发光的元件。通过使用本发明的器件制造装置，向TFT等的元件基板上喷出这样的EL显示元件中使用的荧光性材料中的呈现红、绿、蓝的发光颜色的材料液滴，进行构图，能制造自发光彩色EL显示器件。在本发明的器件的范围中包含这样的EL显示器件的基板。
图11是表示作为应用了所述本实施例的制造方法的器件一例的有机EL装置的剖视图。
如图11所示，该有机EL装置301是在由基板311、电路元件部321、像素电极331、隔壁部341、发光元件351、阴极361(对置电极)和密封基板371构成的有机EL元件302上连接了柔性基板(省略图示)的布线和驱动IC(省略图示)。电路元件部321形成在基板311上，多个像素电极331排列在电路元件部321上。而且，在各像素电极331之间，隔壁部341形成格子状，在通过隔壁部341生成的凹部开口形成了发光元件351。阴极361形成在隔壁部341和发光元件351的上部全面，在阴极361上层叠密封用基板371。
包含有机EL元件的有机EL装置301的制造工序具有：形成隔壁部341的隔壁部形成步骤、用于恰当形成发光元件351的发光元件形成步骤、形成阴极361的对置电极形成步骤、在阴极361上层叠密封用基板进行密封的步骤。
发光元件形成步骤通过在凹部开口344即像素电极331上形成空穴注入/输送层352和发光层353，形成发光元件351，具有空穴注入/输送层形成步骤和发光层形成步骤。而且，空穴注入/输送层形成步骤具有向各像素电极331上喷出用于形成空穴注入/输送层352的第一组成物(功能液)的第一液滴喷出步骤；使喷出的第一组成物干燥，形成空穴注入/输送层352的第一干燥步骤。发光层形成步骤具有向空穴注入/输送层352上喷出用于形成发光层353的第二组成物(功能液)的第二液滴喷出步骤；使喷出的第二组成物干燥，形成发光层353的第二干燥步骤。在该发光层形成步骤中，例如使用液滴喷出装置，形成所述发光元件。
这时，在本实施例的微细构造物的制造方法中，为了使EL材料容易附着在所需图案上，可以具有对于树脂保护层、像素电极和成为下层的层的表面(被处理面)设置亲液膜和斥液膜的步骤。即对被处理面全体设置亲液膜，结合在该亲液膜的上表面上设置斥液膜。接着，除去斥液膜中的所需图案上的部分(斥液膜)。接着，在除去了斥液膜的部分的所需图案上涂敷(填充)EL材料。这样，使用本实施例的微细构造物的制造方法而制造的EL显示器件能应用于分段显示或全面同时发光的静止画面显示例如图画、文字、标签等行信息领域，或者作为具有点、线、面形状的光源使用。以无源驱动的显示元件为首，通过在驱动中使用TFT等有源元件，能取得高亮度、响应性优异的彩色显示器件。如果向本实施例的微细构造物的制造方法提供金属材料或绝缘材料，则金属布线或绝缘膜的直接微细构图成为可能，此外，也能应用于利用了该金属布线形成技术的PDP(等离子体现十面板)的制造或无线标签的天线等高新功能器件的制造。
(实施例3：电子仪器)
下面，说明具有所述实施例的光学元件(滤色器)的电子仪器的例子。
图12是表示移动电话的一例的立体图。在图12中，符号1000表示移动电话主体，符号1001表示使用了所述滤色器的显示部。
图14是表示字处理器、个人电脑等便携式信息处理装置的一例的立体图。在图14中，符号1200表示信息处理装置，符号1202表示键盘等的输入部，符号1204表示信息处理装置主体，符号1206表示使用了所述滤色器的显示部。
图12～图14所示的电子仪器具有所述实施例的滤色器，所以能良好地进行图像显示，能降低制造成本，并且能缩短制造期间。
此外，本发明的技术范围并不局限于所述实施例，在不脱离本发明的技术构思的范围内，能进行各种变更，实施例中列举的具体材料和层结构只不过是一个例子，能适当变更。
例如，在所述实施例中，说明了光学元件之一的滤色器的制造方法，但是本发明的微细构造物的制造方法在形成其他光学零件或集成电路等的布线时也能使用。此外，也可以使用本发明制造集成电路中的电阻、电容器、晶体管、二极管、半导体激光等电子元件。
此外，在所述实施例中，除去斥液膜12中要形成图案的区域全部，但是也可以除去所述斥液膜中要形成所述图案的区域的边界部分。这时，可以对要形成所述图案的区域的边界部分除去亲液膜11。然后，对除去了斥液膜(以及亲液膜)的区域和该区域包围的区域填充液体材料，形成所需图案。由此，能进一步提高液体材料的保持力。
此外，本发明能应用于在部件表面涂敷含有金属微粒的液体，形成金属布线时的金属布线图案的形成中。
从以上的说明可知，根据本发明，在第一膜上设置斥液膜，除去该斥液膜中的所需图案部分，所以当使用液体材料形成所需图案时，能高速并且良好地形成所需图案。

Claims (17)

1.一种微细构造物的制造方法，其特征在于：包括：
对于形成图案的部件，使用液体材料，在要形成所需形状的图案的所述部件的被处理面上设置第一膜的步骤；
在所述第一膜的上表面上设置对所述液体材料具有斥液性的斥液膜的步骤；
除去所述斥液膜中与要形成所述图案的区域对应的部分的所述斥液膜的步骤；
所述第一膜，具有在通过对所述斥液膜照射紫外光或激光而将所述斥液膜除去时，作为促进该斥液膜的分解的分解促进层的功能。
2.根据权利要求1所述的微细构造物的制造方法，其特征在于：
所述第一膜还具有当进行除去所述斥液膜的处理时，作为抑制对所述被处理面造成损伤的牺牲层的功能，所述牺牲层采用聚乙烯、聚丙烯、抗蚀剂中任意一个构成。
3.根据权利要求1所述的微细构造物的制造方法，其特征在于：
所述第一膜还具有当在所述被处理面上形成了图案时，作为抑制该图案的特性劣化、该图案与该被处理面间的紧贴性劣化中的至少一方的牺牲层的功能，所述牺牲层采用聚乙烯、聚丙烯、抗蚀剂中任意一个构成。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的微细构造物的制造方法，其特征在于：
所述斥液膜是通过被照射紫外光或激光而变为活性化或挥发化的活性膜。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的微细构造物的制造方法，其特征在于：
还具有：对于位于所述第一膜的要形成所述图案的区域上的部分，在除去了所述斥液膜后，除去所述第一膜的步骤。
6.根据权利要求5所述的微细构造物的制造方法，其特征在于：
通过照射紫外光或激光，进行所述第一膜的除去。
7.根据权利要求4所述的微细构造物的制造方法，其特征在于：
还具有：对于位于所述第一膜的要形成所述图案的区域上的部分，在除去了所述斥液膜后，除去所述第一膜的步骤。
8.根据权利要求7所述的微细构造物的制造方法，其特征在于：
通过照射紫外光或激光，进行所述第一膜的除去。
9.根据权利要求1所述的微细构造物的制造方法，其特征在于：
通过向除去了所述斥液膜的区域中填充所述液体材料，对该液体材料至少进行干燥或烧结，在填充了该液体材料的区域形成图案。
10.一种器件，其特征在于：
使用权利要求1所述的微细构造物的制造方法制造。
11.一种微细构造物的制造方法，其特征在于：包括：
在要形成所需形状的图案的被处理面上设置第一膜的步骤；
在所述第一膜的上表面上设置对成为形成所述图案的部件的液体材料具有斥液性的斥液膜的步骤；
对于所述斥液膜中要形成所述图案的区域的边界部分，除去所述斥液膜的步骤；
所述第一膜，具有在通过对所述斥液膜照射紫外光或激光而将所述斥液膜除去时，作为促进该斥液膜的分解的分解促进层的功能。
12.根据权利要求11所述的微细构造物的制造方法，其特征在于：
还具有：除去要形成所述图案的区域的边界部分的所述第一膜的步骤。
13.一种微细构造物的制造方法，其特征在于：包括：
在要形成所需形状的图案的被处理面上设置对用于形成该图案的液体材料具有亲液性的亲液膜的步骤；
在所述亲液膜的上表面上设置促进对所述液体材料具有斥液性的斥液膜的分解的分解促进层的步骤；
在所述分解促进层的上表面上设置对所述液体材料具有斥液性的斥液膜的步骤；
对于位于所述斥液膜中的要形成所述图案的区域上的部分，除去所述斥液膜的步骤。
14.根据权利要求13所述的微细构造物的制造方法，其特征在于：
通过对所述斥液膜中的要形成所述图案的区域照射紫外光或激光，进行所述斥液膜的除去。
15.根据权利要求14所述的微细构造物的制造方法，其特征在于：
通过向除去了所述斥液膜的区域填充所述液体材料，对该液体材料至少进行干燥或烧结，在填充了该液体材料的区域形成图案。
16.一种器件，其特征在于：
使用权利要求14所述的微细构造物的制造方法制造的。
17.一种电子仪器，其特征在于：
具有权利要求16所述的器件。
CNB2003101007122A 2002-10-08 2003-10-08 微细构造物的制造方法、光学元件、集成电路和电子仪器 Expired - Fee Related CN1263091C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002294878 2002-10-08
JP2002294878A JP3584933B2 (ja) 2002-10-08 2002-10-08 微細構造物の製造方法、光学素子、集積回路および電子機器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1497663A CN1497663A (zh) 2004-05-19
CN1263091C true CN1263091C (zh) 2006-07-05

Family

ID=32285292

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2003101007122A Expired - Fee Related CN1263091C (zh) 2002-10-08 2003-10-08 微细构造物的制造方法、光学元件、集成电路和电子仪器

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7070701B2 (zh)
JP (1) JP3584933B2 (zh)
KR (1) KR100562593B1 (zh)
CN (1) CN1263091C (zh)
TW (1) TWI235867B (zh)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1571698A4 (en) * 2002-12-10 2006-06-21 Nikon Corp EXPOSURE APPARATUS, EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
WO2004096483A1 (ja) * 2003-04-25 2004-11-11 Nitto Denko Corporation レーザー加工品の製造方法、およびそれに用いるレーザー加工用粘着シート
US7868957B2 (en) * 2003-12-02 2011-01-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, display device and liquid crystal display device and method for manufacturing the same
US20060114197A1 (en) * 2004-04-29 2006-06-01 Gary Sibbett Lighted display and method
JP4059231B2 (ja) * 2004-07-07 2008-03-12 セイコーエプソン株式会社 カラーフィルタとその製造方法及び電気光学装置並びに電子機器
JP2006147827A (ja) * 2004-11-19 2006-06-08 Seiko Epson Corp 配線パターンの形成方法、デバイスの製造方法、デバイス、及び電気光学装置、並びに電子機器
JP2006179213A (ja) * 2004-12-21 2006-07-06 Seiko Epson Corp パターン形成基板、電気光学装置及び電気光学装置の製造方法
JP4854061B2 (ja) * 2005-01-14 2012-01-11 日東電工株式会社 レーザー加工品の製造方法及びレーザー加工用保護シート
JP2006201538A (ja) * 2005-01-21 2006-08-03 Seiko Epson Corp マスク、マスクの製造方法、パターン形成方法、配線パターン形成方法
JP4480740B2 (ja) * 2007-07-03 2010-06-16 シャープ株式会社 固体撮像素子およびその製造方法、電子情報機器
CN102709243B (zh) * 2012-05-18 2015-04-29 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管显示面板及其制造方法
CN107092402A (zh) * 2017-04-19 2017-08-25 维沃移动通信有限公司 一种显示屏及电子设备
JP7022589B2 (ja) * 2018-01-05 2022-02-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体
DE102019106546A1 (de) * 2019-03-14 2020-09-17 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauteilen und optoelektronisches halbleiterbauteil

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3843485B2 (ja) * 1996-06-13 2006-11-08 セイコーエプソン株式会社 カラーフィルター、カラー表示装置、カラー液晶装置
JP3996979B2 (ja) * 1996-08-08 2007-10-24 キヤノン株式会社 カラーフィルターの製造方法、カラーフィルター及び液晶表示装置
JPH10123500A (ja) * 1996-10-24 1998-05-15 Canon Inc 液晶用カラーフィルターの製造方法、該方法による液晶用カラーフィルターおよび該フィルターを有する液晶パネル
US5888679A (en) * 1997-03-27 1999-03-30 Canon Kabushiki Kaisha Production process of color filter, color filter produced thereby and liquid crystal display device using such color filter
WO1999048339A1 (fr) 1998-03-17 1999-09-23 Seiko Epson Corporation Substrat de formation de motifs sur film mince et son traitement de surface
JP4590663B2 (ja) * 1999-10-29 2010-12-01 セイコーエプソン株式会社 カラーフィルタの製造方法
JP3679668B2 (ja) * 1999-12-20 2005-08-03 キヤノン株式会社 インクジェット記録ヘッドの製造方法
JP3475890B2 (ja) * 2000-02-10 2003-12-10 Ｔｄｋ株式会社 パターニング方法、薄膜デバイスの製造方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法
JP3921917B2 (ja) 2000-03-31 2007-05-30 セイコーエプソン株式会社 微細構造体の製造方法
JP3897145B2 (ja) * 2000-03-31 2007-03-22 セイコーエプソン株式会社 カラーフィルターを形成するための基板、カラーフィルター、微細構造体、及びそれらの製造方法
JP3865106B2 (ja) 2000-03-31 2007-01-10 セイコーエプソン株式会社 シリコン膜パターンの形成方法
JP3899879B2 (ja) * 2000-11-21 2007-03-28 セイコーエプソン株式会社 カラーフィルタの製造方法及び製造装置、液晶装置の製造方法及び製造装置、ｅｌ装置の製造方法及び製造装置、インクジェットヘッドの制御装置、材料の吐出方法及び材料の吐出装置、並びに電子機器
JP3491155B2 (ja) * 2000-11-21 2004-01-26 セイコーエプソン株式会社 材料の吐出方法、及び吐出装置、カラーフィルタの製造方法及び製造装置、液晶装置の製造方法及び製造装置、ｅｌ装置の製造方法及び製造装置
JP2002221616A (ja) * 2000-11-21 2002-08-09 Seiko Epson Corp カラーフィルタの製造方法及び製造装置、液晶装置の製造方法及び製造装置、ｅｌ装置の製造方法及び製造装置、インクジェットヘッドの制御装置、材料の吐出方法及び材料の吐出装置、並びに電子機器
JP3876684B2 (ja) * 2000-12-21 2007-02-07 セイコーエプソン株式会社 カラーフィルタの製造方法、カラーフィルタの製造装置、液晶装置の製造方法、液晶装置の製造装置、ｅｌ装置の製造方法、ｅｌ装置の製造装置、材料の吐出方法、ヘッドの制御装置、電子機器
JP2002273869A (ja) * 2001-01-15 2002-09-25 Seiko Epson Corp 吐出方法およびその装置、電気光学装置、その製造方法およびその製造装置、カラーフィルタ、その製造方法およびその製造装置、ならびに基材を有するデバイス、その製造方法およびその製造装置
JP2002319787A (ja) * 2001-02-15 2002-10-31 Sumitomo Electric Ind Ltd 電磁波吸収材料
US6817293B2 (en) 2001-03-28 2004-11-16 Dainippon Printing Co., Ltd. Patterning method with micro-contact printing and its printed product
AU2002365249A1 (en) 2001-08-15 2003-09-02 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Elastomeric stencils for micropatterning cells
JP4014901B2 (ja) * 2002-03-14 2007-11-28 セイコーエプソン株式会社 液滴吐出による材料の配置方法および表示装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US7070701B2 (en) 2006-07-04
KR100562593B1 (ko) 2006-03-17
US20040132294A1 (en) 2004-07-08
CN1497663A (zh) 2004-05-19
TW200405950A (en) 2004-04-16
JP3584933B2 (ja) 2004-11-04
TWI235867B (en) 2005-07-11
JP2004133031A (ja) 2004-04-30
KR20040032067A (ko) 2004-04-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1263091C (zh) 微细构造物的制造方法、光学元件、集成电路和电子仪器
CN1212931C (zh) 气密室连接管线的贯通结构、有该结构的装置及其制法
CN1591108A (zh) 成膜方法、配线图案的形成方法、半导体装置的制造方法
CN1459824A (zh) 表面处理方法及膜图案的形成方法
CN1596063A (zh) 图案形成方法、导电性薄膜、电光学装置、电子机器
CN1575104A (zh) 薄膜图案形成方法及器件的制造方法、电光学装置和电子仪器
CN1956167A (zh) 显示装置及其制造方法
CN1638607A (zh) 图案的形成装置及方法、导电膜布线、器件的制造方法
TW200425814A (en) Pattern and fabricating method therefor, device and fabricating method therefor, electro-optical apparatus, electronic apparatus, and method for fabricating active matrix
CN1582094A (zh) 图形的形成方法以及布线图形的形成方法、电光装置
CN1252520C (zh) 器件及其制造方法、具有该器件的电子仪器
CN1777349A (zh) 配线图案的形成方法、器件的制造方法、器件和电子设备
CN1769988A (zh) 薄膜图案基板、器件的制造方法、电光学装置及电子设备
JP2006313652A (ja) 表示装置の製造方法
CN1700818A (zh) 有机el元件的制造方法及其制造系统以及电子机器
CN101043776A (zh) 显示装置及其制造方法
CN1571117A (zh) 表面处理方法、表面处理装置、表面处理基板及光电装置
CN1531389A (zh) 图形的形成方法和图形形成装置、器件的制造方法、导电膜布线、光电装置及电子机器
CN1764352A (zh) 薄膜图案形成方法、半导体器件、电光学装置、电子仪器
CN1581436A (zh) 抗蚀剂图案及配线图案的形成方法、半导体装置的制造法
CN1286082C (zh) 电光学装置、其制造方法及电子仪器
CN1740886A (zh) 有源矩阵基板及制造方法、电光学装置及电子机器
CN1816254A (zh) 膜图案的形成法、器件及其制法、电光学装置和电子仪器
CN1741272A (zh) 有源矩阵基板及其制造方法、电光装置以及电子机器
CN1780530A (zh) 配线图案的形成方法、设备制造方法、设备及电光学装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20060705

Termination date: 20181008