CN1196956C - 电光学装置以及液晶屏的制造方法及制造装置 - Google Patents

电光学装置以及液晶屏的制造方法及制造装置 Download PDF

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Abstract

提供可均匀形成绝缘膜和定向膜的电光学装置的制造方法及制造装置,以及可高效洗净定向膜的液晶屏制造方法及制造装置。作为在衬底表面形成绝缘膜或定向膜的电光学装置的制造方法,其特征为,包含在衬底表面照射紫外线的工序(紫外线照射工序),和在照射紫外线的衬底表面形成绝缘膜或定向膜的工序(绝缘材料涂布工序或定向膜涂布工序)。

Description

电光学装置以及液晶屏的制 造方法及制造装置
技术领域
本发明涉及在衬底上形成绝缘膜或定向膜的电光学装置的制造方法及制造装置,以及液晶屏的制造方法及制造装置。更详言之,涉及可以均匀形成绝缘膜或定向膜的电光学装置的制造方法及制造装置,以及可以有效清洗定向膜的液晶屏制造方法及制造装置。
背景技术
现在在便携电话机,便携电子终端机等电子设备,广泛应用用于显示文字、数字、图样等信息的液晶器件。这样的液晶器件具有的构成为,一般包含在内面形成电极的一对液晶衬底之间封入液晶的液晶屏,通过控制和施加封入该液晶屏内的液晶上的电压控制其液晶定向,对入射液晶的光进行调制。
在这样的液晶器件,在液晶衬底的内外面(表面),除了用于在液晶上施加电压的上述电极外,以确保二层间的绝缘作为目的形成绝缘膜以及以形成液晶定向(使液晶按预定方向取向)作为目的形成定向膜。作为绝缘膜的材料和作为定向膜的材料通常分别为氧化金属等的无机材料,和聚酰亚胺等的有机材料。
在上述定向膜的表面进行所谓的研磨处理(例如,用布等磨擦处理)。考虑通过研摩处理在定向膜表面形成微细的沟,通过液晶沿沟方向取向,形成预定的定向。
不过,在玻璃制的衬底表面直接形成绝缘膜或定向膜时,存在的问题是:作为绝缘膜材料的氧化金属等的无机材料或作为定向膜材料的聚酰亚胺等的有机材料对玻璃衬底的浸润性低,在玻璃衬底表面难以均匀形成绝缘膜或定向膜。
此外,在研磨处理期间在定向膜表面上往往附着布纤维等的异物,定向膜表面这样的异物是在研磨处理后,通过纯水的超声波清洗除去的,但由于定向膜是疏水性的,容易不沾水。异物往往聚集在定向膜上的气泡上未除去,残留在液晶屏内,起因于这样残留的异物,会产生参与液晶定向性的废品。
发明内容
本发明的目的是提供在衬底表面可以均匀形成绝缘膜或定向膜的电光学装置的制造方法及制造装置,以及有效洗净定向膜的液晶屏的制造方法及制造装置。
本发明的电光学装置的制造方法是在衬底表面形成绝缘膜或定向膜的电光学装置的制造方法,其特征为,包含在衬底表面照射紫外线的工序,和在照射紫外线的前述衬底表面形成绝缘膜或定向膜的工序。
根据该电光学装置的制造方法,因为在衬底表面形成绝缘膜或定向膜前在衬底表面照射紫外线,所以可以提高绝缘膜材料或定向膜材料对衬底的浸润性。从而可以提高衬底表面形成的绝缘膜或定向膜的均匀性。
这时,在前述衬底表面照射紫外线的工序前,也可以包含洗净前述衬底表面的清洗工序。
这样,在照射紫外线前,因为可以通过洗净衬底表面,在紧临洗净后的衬底表面上形成绝缘膜或定向膜,所以可以提高紫外线的照射效果。
本发明的电光学装置的制造方法,其特征为,包含以下工序,即:在衬底表面上形成耦合层工序,和在形成的前述耦合层表面照射紫外线的工序,和在照射紫外线的前述耦合层之上形成绝缘膜或定向膜的工序。
根据该电光学装置的制造方法,在形成绝缘膜或定向膜前,在衬底表面形成的耦合层表面上照射紫外线,所以可以提高绝缘膜材料或定向膜材料对耦合层的浸润性。从而,可以提高在衬底表面形成的绝缘膜或定向膜的均匀性。
在前述衬底表面上形成耦层之前,可以包含洗净前述衬底表面的工序。
这样,在衬底洗净后形成耦合膜,再照射紫外线,因此可以在紧临紫外线照射耦合膜后形成绝缘膜或定向膜,从而可以提高紫外线的照射效果。
作为前述衬底的材质,最好用比较能承受紫外线照射的玻璃,此外,作为其上形成的绝缘膜最好是无机氧化膜。
同样,最好前述衬底是玻璃,而且前述定向膜是聚酰亚胺。这时原来定向膜材料对衬底的浸润性低,不过,由于通过紫外线的照射可以提高浸润性,所以可以有效地提高定向膜的均匀性。
本发明的电光学装置的制造装置,其特征为,包含:用超声波洗净衬底表面的清洗部,和在用前述清洗部超声波洗净的前述衬底表面用紫外线照射的紫外线照射部,和传送前述衬底,以便顺序通过前述清洗部及前述紫外线照射部的传送装置。
根据该电光学装置的制造装置,因为不会阻碍通过传送装置传送的衬底清洗及向衬底连续进行紫外线照射的衬底流动,所以可以提高制造效率。由于通过紫外线照射使衬底表面活化,所以在后续工序可以提高衬底表面形成的层材料对衬底的浸润性。从而,可以提高在后续工序形成的层的均匀性。
这时,也可以在前述紫外线照射部照射紫外线的前述衬底表面形成绝缘膜或定向膜的绝缘膜或定向膜形成部。
通过这样的构成,因为可以通过紫外线照射提高绝缘膜材料或定向膜材料对衬底的浸润性,所以可以提高绝缘膜或定向膜的均匀性。
最好前述衬底是玻璃,而且前述绝缘膜是无机氧化膜,最好前述衬底是玻璃,而且前述定向膜是聚酰亚胺,这与前述电光学装置的制造方法的情况相同。
本发明的液晶屏制造方法是在一对衬底间封入液晶的同时,在前述衬底上形成定向膜的液晶屏的制造方法,其特征为,包含以下工序,对衬底上形成的定向膜进行研磨的工序,和对前述研磨处理过的前述定向膜照射紫外线的紫外线照射工序,和对照射过前述紫外线的前述定向膜洗净的清洗工序。
根据该液晶屏的制造方法,因为在定向膜的清洗工序前在定向膜上照射紫外线,可以改善清洗工序的定向膜的浸润性,所以可以抑制清洗工序中的气泡发生,有效地洗净定向膜。
这时,前述紫外线照射工序的紫外线波长取254nm,而且其照射量取大于900mJ/cm2,或者前述紫外线照射工序的紫外线波长取365nm,而且其照射量取大于3000mJ/cm2,同时,从前述紫外线照射工序的紫外线照射到前述清洗工序的洗净的时间也可以取60分钟以内。
通过这样的构成,可以充分发挥紫外线照射对清洗的效果。
此外,前述紫外线照射工序的紫外线波长取254nm,而且其照射量取大于150mJ/cm2,或者前述紫外线照射工序的紫外线波长取365nm,而且其照射量大于500mJ/cm2,同时从前述紫外线照射工序的紫外线照射到前述清洗工序的洗净的时间也可以取5分钟以内。
通过这样的构成,可以充分发挥紫外线照射对清洗的效果。
随着从前述紫外线照射工序的紫外线的照射到前述清洗工序的洗净的时间增长,也可以增大前述紫外线照射工序的紫外线的照射量。
通过这样的构成,因为可以根据从紫外线照射到洗净的时间,对紫外线的照射量取合适的值,所以不必无益地提高紫外线的照射量,可以高效地发挥紫外线照射对洗净的效果。
本发明的液晶屏的制造装置,是在一对衬底间封入液晶的同时,在前述衬底上形成定向膜的液晶屏的制造装置,其特征为,包含:在前述衬底上形成的前述定向膜进行研磨处理的研磨部,和在前述研磨部研磨处理过的前述定向膜上照射紫外线的紫外线照射部,和从前述研磨部到前述紫外线照射部传送形成的前述定向膜的衬底(定向膜形成衬底),同时,用于洗净在前述紫外线照射部照射紫外线的前述定向膜形成衬底的排出的传送装置。
根据该液晶屏制造装置,因为在清洗形成定向膜的衬底(定向膜形成衬底)前,在定向膜上照射紫外线,可以改善洗净时的定向膜的浸润性,所以可以抑制清洗时气泡的发生,有效地洗净定向膜。此外,通过研磨部和紫外线照射部串接,可以不阻碍衬底流动地照射紫外线。由于从照射紫外线到洗净的时间越短,则紫外线照射的效果越显著,所以从紫外线照射到洗净的时间最好取60分钟以内。
这时,还包含对经由前述紫外线照射部,照射过紫外线的前述定向膜形衬底进行洗净的清洗部,同时,前述传送装置沿着从前述研磨部到前述清洗部的传送路径传送前述定向膜形成衬底的同时,也可以具有排出前述定向膜形成衬底的排出构成。
通过这样地构成,因为在紧临清洗部洗净前在定向膜照射紫外线,所以改善了在清洗部的定向膜的浸润性,抑制在清洗部的气泡的发生,可以有效地洗净定向膜。此外,通过研磨部、紫外线照射部及清洗部串接,可以不阻碍衬底流动地进行紫外线照射及衬底的洗净。
前述紫外线照射部的紫外线波长为254nm,而且其照射量大于900mJ/cm2,或者前述紫外线照射部的紫外线波长为365nm,而且其照射量大于3000mJ/cm2,同时从前述紫外线照射部的紫外线照射到前述清洗部的洗净的时间最好在60分钟以内。
通过这样的构成,可以充分发挥紫外线照射对洗净的效果。
此外,前述紫外线照射部的紫外线波长为254nm,而且其照射量大于150mJ/cm2,或者前述紫外线照射部的紫外线波长为365nm,而且其照射量大于500mJ/cm2,从前述紫外线照射部的紫外线照射到前述清洗部的洗净的时间最好在5分钟以内。
通过这样的构成,可以充分发挥紫外线照射对洗净的效果。
随着从前述紫外线照射部的紫外线照射到前述清洗部的洗净的时间变长,最好还包含增大前述紫外线照射部的紫外线照射量的控制部。
通过这样的构成,由于可以根据从紫外线照射到洗净的时间合适地控制紫外线照射量,所以可以不无益地提高紫外线照射量,高效充分发挥紫外线照射对洗净的效果。
附图说明:
图1是概略地示出本发明的电光学装置的制造装置的说明图。
图2是概略地示出本发明的电光学装置制造方法的一实施形态的工序图。
图3是概略地示出本发明的电光学装置制造方法的另一实施形态的工序图。
图4是概略地示出本发明的液晶屏制造装置的一实施形态的说明图。
图5是概略地示出本发明液晶屏制造装置的一实施形态的UV照射部一例的说明图。
图6是概略地示出在本发明的液晶屏制造装置的一实施形态,经由研磨部的衬底搬向UV照射部的同时,在UV照射部内传送衬底的传送装置的说明图。
图7是概略地示出在本发明的液晶屏制造装置的一实施形态,排出在UV照射部照射过紫外线衬底的传送装置的说明图。
图8是概略地示出本发明液晶屏制造方法的一实施形态的制造工序。
发明的具体实施形态
以下参照图1~图3,具体说明本发明的电光学装置制造方法的一实施形态。
图1是概略地示出本发明电光学装置的制造装置的一实施形态的图。如图1所示,本实施形态应用的电光学装置的制造装置100包含用超声波洗净液晶衬底10表面的清洗部1和在清洗部1用超声波或纯水洗净的液晶衬底10的表面照射紫外线22的紫外线照射部2,和传送液晶衬底10的传送装置,以便顺序通过清洗部1及紫外线照射部2。
在清洗部1设置向通过传送装置3传送的液晶衬底10喷射纯水的多个喷咀11和向液晶衬底10吹拂空气的气刀喷咀12。喷咀11上设置产生超声波振动的振动板(未图示),通过边使振动板振动边从喷咀11喷出纯水,可以使混合纯水和空气的超声波激励振动水从喷咀11以更高势能吹拂液晶衬底。从气刀喷咀12向液晶衬底以高速吹拂空气。由此可以吹飞附着在液晶衬底上的纯水并除去。
在紫外线照明部2上设置紫外灯21,该灯向着由传送装置3传送的液晶衬底照射紫外线。通过在液晶衬底10上照射紫外线22,可以提高定向膜材料或绝缘膜材料对液晶衬底10表面的浸润性。
作为传送装置3,在本实施形态,如图1所示,示出用皮带传送带式的传送装置情况,此外,也可以用辊柱式传送带的传送装置或用机械手传送液晶衬底10的装置等。
图2是概略地示出本发明的电光学装置制造方法的一实施形态的工序图。在本实施形态,作为电光学装置用无源矩阵方式的液晶器件的情形。
参照图1,如图2所示,在电光学装置的制造装置100洗净衬底前(衬底清洗工序前),在液晶衬底10上形成ITO电极图形(ITO图形形成工序)。
其次,液晶衬底10搬入电光学装置的制造装置100内,通过传送装置3传送的液晶衬底10顺序通过清洗部1和紫外线照射部2(衬底清洗工序及紫外线照射工序)。从电光学装置的制造装置100搬出的液晶衬底10的表面通过洗净及紫外线的照射,提高对绝缘膜材料的浸润性。
其次,在液晶衬底10的表面涂布绝缘材料(绝缘材料涂布工序)。作为绝缘材料可以用SiO2,ZnO,ZnO2,TiO2和Sb2O5等无机氧化膜。作为绝缘材料的涂布方法,可以用丝网印刷,凸板印刷等通常的方法。
绝缘膜形成后,在绝缘膜上涂布定向膜(定向膜涂布工序)。作为定向膜材料,可以用聚酰亚胺等。其次,对定向膜进行研磨处理(研磨处理工序)。研磨处理是通过用棉布等从一方向摩擦定向膜表面,形成微细沟的工序。由此可以控制封入液晶器件(屏)的液晶取向。
其次,印刷用于粘接构成液晶器件(屏)的一对衬底的密封材料。
其次,通过密封材料粘接一对衬底,同时在一对衬底间注入液晶,完成液晶屏(装配工序)。
在上述实施形态,示出紫外线照射工序后配置绝缘膜材料的涂布工序例,但即便在紫外线照射工序后配置定向膜涂布工序也可以获得同样效果。
图3是概略地示出本发明的电光学装置制造方法的其它实施形态的工序图。示出在本实施形态作为电光学装置也用无源矩阵式液晶器件的情形。
在本实施形态,在紫外线照射工序后不经绝缘膜材料涂布工序,配置定向膜涂布工序。这样,通过形成定向膜前照射紫外线,可以均匀形成定向膜。
这时,作为定向膜材料可以使用有机高分子系定向膜材料(其中有聚酰亚胺系漆)。
玻璃衬底原来对聚酰亚胺等的定向膜材料浸润性差,然而,如上所述,由于在本实施形态通过紫外线照射提高了对液晶衬底表面绝缘材料的浸润性,所以可以均匀形成定向膜。
在本实施形态,一旦从照射紫外线到涂布定向膜的时间变长,则由于紫外线照射效果减少,所以作为其时间,30分钟以内是合适的。作为紫外线强度在254nm波长,取大于200mJ/cm2最合适的。
在上述实施形态,举例示出使用电光学装置的制造装置100制造液晶器件的情形,而本发明的电光学装置的制造方法并不限于使用上述装置。本发明的电光学装置的制造方法不限于应用无源矩形方式的液晶器件,也可以用于制造除了包含有源矩阵方式的液晶器件的所有液晶器件外,还包含有等离子显示器件,电发光显示器件等所有电光学装置的情形。
以下,参照图4~图7说明本发明液晶屏制造装置的一实施例。
图4是概略地示出本发明的液晶屏制造装置的一实施形态。在图4,作为液晶屏制造装置200示出单衬底式液晶屏制造装置。
图5是概略地示出本发明液晶屏制造装置的一实施形态中的UV照射部一例的说明图。
如图4所示,液晶屏的制造装置200包含用于在配置多块屏衬底的衬底(主衬底)10上形成的定向膜上进行研磨处理的研磨部30,和经由研磨部30的、已形成衬底10的定向膜的面上照射紫外线的UV照射部40。在挨近研磨部30一侧上设置接受衬底的搬入部50。此外,符号6表示清洗部。
如图5所示,UV照射部40包含UV灯21,用于以一定间隔向配置状态下传送的衬底10照射紫外线。
图6是概略地示出传送装置的说明图(参照图4),该传送装置用于把经由研磨部30的衬底10搬向UV照射部40,同时在照射部40内传送衬底10,图6(a)示出传送带式传送装置4,图6(b)示出棍柱式传送装置4A。
如图6(a)所示,在传送带式传送装置4,在UV灯21的下方,在皮带上装载并传送衬底10。衬底10使形成定向膜的面向上传送。皮带41通过驱动机构(未图示)驱动。
如图6(b)所示,在棍柱传送带式搬动装置4A,多只棍柱42沿衬底10的传送路径设置,通过由驱动机构(未图示)使棍柱42旋转,装载在棍柱42上的衬底在10UV灯21的下方传送。衬底10其形成定向膜的面向上地传送。
图6(c)示出,作为传送装置用有自控装装置的单衬底照射炉的情形,在该传送装置4B通过机械手43在一载物台44上各装载衬底10,在载物台44上对衬底10照射紫外线22。衬底10的形成定向膜的面向上装载。紫外线照射后,通过机械手45从载物台44搬出衬底10。设置升降销44a,用于上下方向驱动在载物台44上的衬底10,通过在升降销44上升衬底10,可以确保在衬底10搬出入时插入机械手43的手43a以及机械手45的手45a的间隙。
图7是概略地示出在UV照射部40排出照射过紫外线的衬底的传送装置(参照图4),图7(a)示出用机械手的传送装置5,图7(b)示出棍柱传送式传送装置5A。在图7(a)所示的传送装置5,用机械手51在支架上顺序收容衬底10。在支架52上收容的衬底10以支架52单位移运到清洗部6,并且以支架52单位汇集洗净(分批式)。在图7(b)所示的传送装置5A,通过沿着衬底10的传送方向排列的棍柱53,衬底10向清洗部6传送,顺序清洗。这时,每次一枚衬底向清洗部6内传送,顺序洗净。如图7(b)所示,每次一枚衬底10向清洗部6传送时,可以把清洗部作为液晶屏制造装置的一部分组合一体。
如图4所示,放在搬入部50上的液晶屏10是这样构成的,以便通过传送装置(未图示)导入研磨部30。作为传送装置可以用与图6(a)~(c)所示的传送装置相同的。
该传送装置也可以与在研磨部30内传送衬底的装置(未图示)公共化,也可以从传送部50到UV照射部40或洗净部6的传送路径上对传送装置公共化。
其次,参照图8说明本发明的液晶屏制造方法的一实施形态。
图8是概略地示出本发明液晶屏制造方法的一实施形态中的制造工序。
如图8所示,在衬底10(参照图4)的表面形成ITO电极(ITO的图形工序)后,用丝网印刷,凸板印刷等在ITO电极图形上形成定向膜(定向膜形成工序)。作业定向膜材料可以用聚酰亚胺等。ITO电极图形形成后在ITO电极图形上形成绝缘膜,在该绝缘膜上也可以形成定向膜。
随后,参照图4,如图8所示,把形成定同膜的衬底10装载在图4所示的液晶屏制造装置200的搬入部50上。把放在搬入部50上的衬底通过上述传送装置导入研磨部30。在研磨部30对衬底10的定向膜进行研磨处理(研磨工序)。由此可以控制在液晶屏内封着的液晶取向。作为研磨处理可以用通用的处理方法。
接着,把衬底传送到UV照射部40,在定向膜用紫外线照射(UV照射工序)。其后把衬底10顺序收纳在支架52上,或每次一枚搬入清洗部(参照图7)。
接着,衬底10在清洗部6用纯水超声波洗净(研磨后清洗工序)。通过该工序除去在研磨工序附着的布纤维等的定向膜表面异物。在本实施形态,因为在定向膜照射紫外线后进行定向膜的超声波清洗,改善了定向膜的浸润性,可以提高清洗效果。关于紫外线照射效果,后述。
对洗净定向膜的衬底10进行干燥后,进行密封印刷(密封印刷工序)。在密封印刷,把密封材料在衬底10或与衬底10组合的衬底(主衬底)上与各个液晶屏形状配合一致地涂布。
接着,对上述衬底(主衬底)的一对通过密封材料密封后,切割成条状。其次,在这一对衬底间注入液晶,密封后,可以通过切成单个液晶屏,制造液晶屏。(组装工序)。
表1(紫外线波长为254nm)及(表2紫外线波长为365nm)分别示出研磨处理后的紫外线照射量和从紫外线照射到洗净的放置时间之间对通过紫外线照射产生的效果的关系。
                                      表1
照射量(mJ/cm2)
  放置时间   75   150   300   450   600   900   1050
  5分   ○   ◎   ◎   ◎   ◎   ◎   ◎
  10分   △   ○   ◎   ◎   ◎   ◎   ◎
  20分   ×   △   ○   ◎   ◎   ◎   ◎
  30分   ×   ×   ○   ○   ◎   ◎   ◎
  45分   ×   ×   △   ○   ○   ◎   ◎
60分 × × ×
  90分   ×   ×   ×   ×   △   ○   ○
  120分   ×   ×   ×   ×   ×   ○   ○
  240分   ×   ×   ×   ×   ×   ×   ×
*照射量以254nm波长为代表
◎当研磨后洗净的衬底用某种方法确认时,在衬底表面没有点状浸润性缺陷的状态(状态1)
○当研磨后洗净的衬底用某种方法确认时,在衬底表面上的点状浸润性缺陷未满10处(状态2)
△确认上述缺陷在10个以上的状态,但是在形成屏时不产生故障(失效)的状态(状态3)
×成为屏点亮时的缺陷的状态(状态4)
                                        表2
照射量(mJ/cm2)
  放置时间   250     500     1000     1500     2000     3000     3500
  5分   ○     ◎     ◎     ◎     ◎     ◎     ◎
  10分   △     ○     ◎     ◎     ◎     ◎     ◎
  20分   ×     △     ○     ◎     ◎     ◎     ◎
  30分   ×     ×     ○     ○     ◎     ◎     ◎
  45分   ×     ×     △     ○     ○     ◎     ◎
  60分   ×     ×     ×     △     ○     ◎     ◎
  90分   ×     ×     ×     ×     △     ○     ○
  120分   ×     ×     ×     ×     ×     ○     ○
  240分   ×     ×     ×     ×     ×     ×     ×
*照射量以365nm波长为代表
◎当研磨后洗净的衬底用某种方法确认时,在衬底表面没有点状浸润性缺陷的状态(状态1)
○当研磨后洗净的衬底用某种方法确认时,在衬底表面上的点状浸润性缺陷未满10处(状态2)
△确认上述缺陷在10个以上的状态,但是在形成屏时不产生故障(失效)的状态(状态3)
×成为屏点亮时的缺陷的状态(状态4)
分4级评价由紫外线照射产生的清洗效果,最良好的状态是研磨后洗净的衬底表面没有点状浸润性缺陷的状态(状态1:表中用◎表示),次好的状态是研磨后在洗净的衬底表面产生的点状浸润性缺陷少于10处的状态(状态2:表中用○表示),再其次的良好状态是确认点状浸性缺陷在10处以上,但不成为在屏点亮时的缺陷的状态(状态3:表中用△表示),最差的状态是产生在屏点亮时的缺陷状态(状态4:表中用×表示)。
如表1所示,紫外线波长为254nm时,放置时间取5分钟时,照射量75mJ/cm2,成为状态2;而照射量大于150mJ/cm2,成为状态1。放置时间取10分钟时,照射量75mJ/cm2,成为状态3;照射量150mJ/cm2,成为状态2,照射量大于300mJ/cm2以上,成为状态1。放置时间取20分钟时,照射量75mJ/cm2,成为状态4;照射量150mJ/cm2,成为状态3;照射量300mJ/cm2,成为状态2;照射量大于450mJ/cm2,成为状态1。放置时间取30分钟时,照射量小于150mJ/cm2,成为状态4;照射量300mJ/cm2及450mJ/cm2,成为状态2;照射量大于600mJ/cm2,成为状态1。放置时间取45分钟时,照射量小于150mJ/cm2成为状态4;照射量为300mJ/cm2为状态3;照射量450mJ/cm2及600mJ/cm2,成为状态2;照射量大于900mJ/cm2,成为状态1。放置时间取60分钟时,照射量小于300mJ/cm2,成为状态4;照射量450mJ/cm2,成为状态3;照射量600mJ/cm2,成为状态2;照射量大于900mJ/cm2,成为状态1。放置时间取90分钟时,照射量小于450mJ/cm2,成为状态4;照射量600mJ/cm2,成为状态3;照射量大于900mJ/cm2,成为状态2。放置时间取120分钟时,照射量小于600mJ/cm2,成为状态4;照射量大于900mJ/cm2,成为状态3;放置时间取240分钟,一切照射量,成为状态4。
这样,在放置时间短时,即使紫外线照射量小也可以获得充分的清洗效果,而随着放置时间增长,必须增大紫外线照射量。在放置时间取90分钟以上时,即使增加紫外线的照射量也不能成为状态1,不能获得充分的清洗效果。从而,最好放置时间在60分钟以内。
例如,根据把研磨后的清洗工序作为分批处理时发生的额外时间,必须大约30~45分钟的放置时间时,如果取900mJ/cm2的照射量,则清洗状态始终为状态1。作为使清洗工序和紫外线照射工序同步联动组合成顺序的单衬底流水线时,假设放置时间在例如5分钟内,则即使用150mJ/cm2的照射量,也可以使清洗状态始终处在状态1。
如表2所示,紫外线波长为365nm时,放置时间取5分钟时,照射量250mJ/cm2,成为状态2;而照射量大于500mJ/cm2,成为状态1。放置时间取10分钟时,照射量250mJ/cm2,成为状态3;照射量500mJ/cm2,成为状态2;照射量大于1000mJ/cm2,成为状态1。放置时间取20分钟时,照射量250mJ/cm2,成为状态4;照射量500mJ/cm2,成为状态3;照射量1000mJ/cm2,成为状态2;照射量大于1500mJ/cm2,成为状态1。放置时间取30分钟时,照射量小于500mJ/cm2,成为状态4;照射量1000mJ/cm2及1500mJ/cm2,成为状态2;照射量大于2000mJ/cm2,成为状态1。放置时间取45分钟时,照射量小于500mJ/cm2,成为状态4;照射量1000mJ/cm2,成为状态3;照射量1500mJ/cm2及2000mJ/cm2,成为状态2;照射量大于3000mJ/cm2,成为状态1。放置时间取60分钟时,照射量小于1000mJ/cm2,成为状态4;照射量1500mJ/cm2,成为状态3;照射量2000mJ/cm2,成为状态2;照射量3000mJ/cm2,成为状态1;放置时间取90分钟时,照射量小于1500mJ/cm2,成为状态4;照射量2000mJ/cm2,成为状态3;照射量大于3000mJ/cm2,成为状态2;放置时间取120分钟时,照射量小于2000mJ/cm2,成为状态4,照射量大于3000mJ/cm2,成为状态3。放置时间取240分钟时,一切照射量成为状态4。
这样,在放置时间短时,即使紫外线照射量小也可以获得充分的洗净效果,而随着放置时间增长,有必要增大紫外线照射量。在放置时间取大于90分钟,即使增加紫外线放射量,也不成为状态1,不能获得充分的清洗效果。从而,最好放置时间在60分钟以内。
例如,根据把研磨后的清洗工序作为分批处理时发生的额外时间,必须大约30~45分钟的放置时间时,如果取大于3000mJ/cm2的照射量,则清洗状态成为状态1。作为使清洗工序和紫外线照射工序同步联动组合成顺序的单衬底流水线时,假设放置时间在例如5分钟以内,即使用500mJ/cm2的照射量也可以使清洗状态为状态1。
如上说明所示,根据本发明,可以提供均匀形成绝缘膜和定向膜的电光学器的制造方法及制造装置,以及可以有效洗净定向膜的液晶屏的制造方法及制造装置。

Claims (6)

1.一种液晶屏的制造方法,在一对衬底间封入液晶的同时,在前述衬底上形成定向膜,其特征为,包含:
在前述衬底上形成的前述定向膜上进行研磨处理的研磨工序;
在进行了前述研磨处理的前述定向膜上照射紫外线的紫外线照射工序;和
对照射过紫外线的前述定向膜进行洗净的清洗工序,
将前述紫外线波长取254nm,并且将其照射量取900mJ/cm2以上、1050mJ/cm2以下的同时,把从前述紫外线照射到前述清洗工序的洗净为至的放置时间取60分钟以内。
2.一种液晶屏的制造方法,所述液晶屏在一对衬底间封入液晶的同时,在前述衬底上形成定向膜,其特征为,包含:
在前述衬底上形成的前述定向膜上进行研磨处理的研磨工序;
在进行了前述研磨处理的前述定向膜上照射紫外线的紫外线照射工序;和
对照射过紫外线的前述定向膜进行洗净的清洗工序,
将前述紫外线波长取为365nm,并且将其照射量取为3000mJ/cm2以上、3500mJ/cm2以下的同时,把从前述紫外线的照射到基于前述清洗工序的洗净为至的放置时间取为60分钟以内。
3.根据权利要求1或2所述的液晶屏的制造方法,其特征为,
基于从前述紫外线照射工序中的紫外线照射到前述清洗工序中的洗净为止的放置时间变长,使前述紫外线照射工序中的紫外线照射量增加。
4.一种液晶屏的制造装置,用于制造在一对衬底间封入液晶的同时,在前述衬底上形成定向膜的液晶屏,其特征为,包含:
在前述衬底上形成的前述定向膜上进行研磨处理的研磨部;
向前述研磨部研磨处理过的前述定向膜上照射紫外线的紫外线照射部;
对经由前述紫外线照射部照射过紫外线,并形成了前述定向膜的前述衬底进行洗净的清洗部;以及
在从前述研磨部向前述紫外线照射部传送形成前述定向膜的前述衬底的同时,为了洗净由前述紫外线照射部照射过紫外线,并形成了前述定向膜的前述衬底,而用于排出所述衬底的传送装置,
同时,将前述紫外线波长取为254nm,并且将其照射量取为900mJ/cm2以上、1050mJ/cm2以下的同时,把从前述紫外线的照射到基于前述清洗工序的洗净为至的放置时间取为60分钟以内。
5.一种液晶屏的制造装置,用于制造在一对衬底间封入液晶的同时,在前述衬底上形成定向膜的液晶屏,其特征为,包含:
在前述衬底上形成的前述定向膜上进行研磨处理的研磨部;
向前述研磨部研磨处理过的前述定向膜上照射紫外线的紫外线照射部;
对经由前述紫外线照射部照射过紫外线,并形成了前述定向膜的前述衬底进行洗净的清洗部;以及
在从前述研磨部向前述紫外线照射部传送形成前述定向膜的前述衬底的同时,为了洗净由前述紫外线照射部照射过前述紫外线,并形成了前述定向膜的前述衬底,而用于排出所述衬底的传送装置,
同时,将前述紫外线波长取为365nm,并且将其照射量取为3000mJ/cm2以上、3500mJ/cm2以下的同时,把从前述紫外线的照射到基于前述清洗工序的洗净为至的放置时间取为60分钟以内。
6.根据权利要求4或5所述的液晶屏制造装置,其特征为,还包含:
控制部,该控制部基于从前述紫外线照射部的前述紫外线照射到前述清洗部的洗净为止的放置时间变长,使前述紫外线照射部的前述紫外线照射量增加。
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Families Citing this family (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003270652A (ja) * 2002-03-08 2003-09-25 Lg Phillips Lcd Co Ltd 液晶拡散制御装置及び液晶表示装置の製造方法
KR20050005880A (ko) * 2003-07-07 2005-01-15 삼성전자주식회사 액정 배향 설비
KR100646981B1 (ko) * 2004-12-27 2006-11-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치의 배향막 형성 방법
US20060266793A1 (en) * 2005-05-24 2006-11-30 Caterpillar Inc. Purging system having workpiece movement device
US8017860B2 (en) 2006-05-15 2011-09-13 Stion Corporation Method and structure for thin film photovoltaic materials using bulk semiconductor materials
KR101267528B1 (ko) * 2007-03-21 2013-05-23 엘지디스플레이 주식회사 배향막 형성방법
US20080300918A1 (en) * 2007-05-29 2008-12-04 Commercenet Consortium, Inc. System and method for facilitating hospital scheduling and support
US8071179B2 (en) 2007-06-29 2011-12-06 Stion Corporation Methods for infusing one or more materials into nano-voids if nanoporous or nanostructured materials
US8759671B2 (en) * 2007-09-28 2014-06-24 Stion Corporation Thin film metal oxide bearing semiconductor material for single junction solar cell devices
US8287942B1 (en) 2007-09-28 2012-10-16 Stion Corporation Method for manufacture of semiconductor bearing thin film material
US8187434B1 (en) 2007-11-14 2012-05-29 Stion Corporation Method and system for large scale manufacture of thin film photovoltaic devices using single-chamber configuration
US8642138B2 (en) 2008-06-11 2014-02-04 Stion Corporation Processing method for cleaning sulfur entities of contact regions
US9087943B2 (en) * 2008-06-25 2015-07-21 Stion Corporation High efficiency photovoltaic cell and manufacturing method free of metal disulfide barrier material
US8003432B2 (en) 2008-06-25 2011-08-23 Stion Corporation Consumable adhesive layer for thin film photovoltaic material
US7855089B2 (en) * 2008-09-10 2010-12-21 Stion Corporation Application specific solar cell and method for manufacture using thin film photovoltaic materials
US8008112B1 (en) 2008-09-29 2011-08-30 Stion Corporation Bulk chloride species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8026122B1 (en) 2008-09-29 2011-09-27 Stion Corporation Metal species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8236597B1 (en) 2008-09-29 2012-08-07 Stion Corporation Bulk metal species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8501521B1 (en) 2008-09-29 2013-08-06 Stion Corporation Copper species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8008110B1 (en) 2008-09-29 2011-08-30 Stion Corporation Bulk sodium species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8394662B1 (en) 2008-09-29 2013-03-12 Stion Corporation Chloride species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8476104B1 (en) 2008-09-29 2013-07-02 Stion Corporation Sodium species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US7947524B2 (en) 2008-09-30 2011-05-24 Stion Corporation Humidity control and method for thin film photovoltaic materials
US8383450B2 (en) 2008-09-30 2013-02-26 Stion Corporation Large scale chemical bath system and method for cadmium sulfide processing of thin film photovoltaic materials
US7910399B1 (en) * 2008-09-30 2011-03-22 Stion Corporation Thermal management and method for large scale processing of CIS and/or CIGS based thin films overlying glass substrates
US8425739B1 (en) 2008-09-30 2013-04-23 Stion Corporation In chamber sodium doping process and system for large scale cigs based thin film photovoltaic materials
US7863074B2 (en) * 2008-09-30 2011-01-04 Stion Corporation Patterning electrode materials free from berm structures for thin film photovoltaic cells
US8741689B2 (en) * 2008-10-01 2014-06-03 Stion Corporation Thermal pre-treatment process for soda lime glass substrate for thin film photovoltaic materials
US20110018103A1 (en) 2008-10-02 2011-01-27 Stion Corporation System and method for transferring substrates in large scale processing of cigs and/or cis devices
US8003430B1 (en) 2008-10-06 2011-08-23 Stion Corporation Sulfide species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8435826B1 (en) 2008-10-06 2013-05-07 Stion Corporation Bulk sulfide species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8168463B2 (en) 2008-10-17 2012-05-01 Stion Corporation Zinc oxide film method and structure for CIGS cell
US8344243B2 (en) * 2008-11-20 2013-01-01 Stion Corporation Method and structure for thin film photovoltaic cell using similar material junction
KR101298358B1 (ko) * 2008-12-19 2013-08-20 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 제조용 연마장치 및 연마방법
US8241943B1 (en) 2009-05-08 2012-08-14 Stion Corporation Sodium doping method and system for shaped CIGS/CIS based thin film solar cells
US8372684B1 (en) 2009-05-14 2013-02-12 Stion Corporation Method and system for selenization in fabricating CIGS/CIS solar cells
US8507786B1 (en) 2009-06-27 2013-08-13 Stion Corporation Manufacturing method for patterning CIGS/CIS solar cells
US8398772B1 (en) 2009-08-18 2013-03-19 Stion Corporation Method and structure for processing thin film PV cells with improved temperature uniformity
US8809096B1 (en) 2009-10-22 2014-08-19 Stion Corporation Bell jar extraction tool method and apparatus for thin film photovoltaic materials
US8859880B2 (en) * 2010-01-22 2014-10-14 Stion Corporation Method and structure for tiling industrial thin-film solar devices
US8263494B2 (en) 2010-01-25 2012-09-11 Stion Corporation Method for improved patterning accuracy for thin film photovoltaic panels
US8142521B2 (en) * 2010-03-29 2012-03-27 Stion Corporation Large scale MOCVD system for thin film photovoltaic devices
US9096930B2 (en) 2010-03-29 2015-08-04 Stion Corporation Apparatus for manufacturing thin film photovoltaic devices
US8461061B2 (en) 2010-07-23 2013-06-11 Stion Corporation Quartz boat method and apparatus for thin film thermal treatment
US8628997B2 (en) 2010-10-01 2014-01-14 Stion Corporation Method and device for cadmium-free solar cells
US8998606B2 (en) 2011-01-14 2015-04-07 Stion Corporation Apparatus and method utilizing forced convection for uniform thermal treatment of thin film devices
US8728200B1 (en) 2011-01-14 2014-05-20 Stion Corporation Method and system for recycling processing gas for selenization of thin film photovoltaic materials
TWI459072B (zh) * 2011-01-25 2014-11-01 Chimei Innolux Corp 液晶面板製程設備
JP5429375B2 (ja) * 2011-04-15 2014-02-26 東洋紡株式会社 積層体とその製造方法および、この積層体を用いたデバイス構造体の作成方法
US8436445B2 (en) 2011-08-15 2013-05-07 Stion Corporation Method of manufacture of sodium doped CIGS/CIGSS absorber layers for high efficiency photovoltaic devices
CN103018814B (zh) * 2012-12-13 2016-03-30 京东方科技集团股份有限公司 偏光片及其制备方法、3d显示装置
JP6329380B2 (ja) * 2014-02-07 2018-05-23 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置の製造方法および製造装置
CN104570496B (zh) * 2015-02-04 2017-05-10 京东方科技集团股份有限公司 一种形成有取向膜的基板的清洗方法
CN104950522B (zh) * 2015-06-24 2019-04-19 合肥鑫晟光电科技有限公司 摩擦配向方法及其装置
CN108766666B (zh) * 2018-06-07 2021-10-15 乐凯华光印刷科技有限公司 一种低阻值、高透光率的纳米银线透明导电膜及其制备方法
CN110109293A (zh) * 2019-04-04 2019-08-09 深圳市华星光电技术有限公司 液晶无机配向薄膜的制造方法

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6145224A (ja) 1984-08-10 1986-03-05 Alps Electric Co Ltd 液晶表示素子の製造方法
DE3669079D1 (de) * 1985-07-10 1990-03-29 Hitachi Ltd Ferroelektrisches fluessigkristallelement und verfahren zu dessen herstellung.
JPH03215829A (ja) 1990-01-19 1991-09-20 Canon Inc 液晶素子の製造方法
JPH03254874A (ja) 1990-03-05 1991-11-13 Hitachi Ltd 洗浄装置
US5200238A (en) 1990-06-22 1993-04-06 Loctite (Ireland) Limited Liquid crystal display devices and method of manufacture
KR930003683B1 (ko) * 1990-11-29 1993-05-08 주식회사 금성사 액정표시소자 및 그 제조방법
JPH04221925A (ja) 1990-12-25 1992-08-12 Fujitsu Ltd 液晶表示パネル用基板の製造方法および製造装置
JP3050957B2 (ja) 1991-07-26 2000-06-12 株式会社東芝 液晶表示素子製造方法
JPH0545645U (ja) * 1991-11-27 1993-06-18 シヤープ株式会社 プラスチツク液晶表示素子
US6753044B2 (en) * 1991-11-27 2004-06-22 Reveo, Inc. Coloring media having improved brightness and color characteristics
JPH05182945A (ja) 1991-12-27 1993-07-23 Hitachi Ltd 洗浄装置
JP2727481B2 (ja) 1992-02-07 1998-03-11 キヤノン株式会社 液晶素子用ガラス基板の洗浄方法
JPH05271973A (ja) * 1992-03-25 1993-10-19 Orc Mfg Co Ltd 紫外線洗浄方法
KR950011956B1 (ko) * 1992-12-28 1995-10-12 엘지전자주식회사 액정표시소자의 러빙 방법 및 장치
US5673127A (en) * 1993-12-01 1997-09-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Display panel and display device using a display panel
JPH08101393A (ja) 1994-09-30 1996-04-16 Nissan Chem Ind Ltd 液晶配向処理方法及び液晶表示素子
US5907382A (en) * 1994-12-20 1999-05-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Transparent conductive substrate and display apparatus
US5786041A (en) 1995-06-07 1998-07-28 International Business Machines Corporation Alignment film, a method for producing the alignment film and a liquid crystal display device using the alignment film
JP3458562B2 (ja) * 1995-10-12 2003-10-20 株式会社日立製作所 液晶表示装置及びその製造方法
US6154265A (en) * 1996-06-18 2000-11-28 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal device and production process thereof
JPH1192179A (ja) 1997-09-19 1999-04-06 Sharp Corp 表面改質方法およびこれを用いた液晶表示装置の製造方法
US6281952B1 (en) * 1997-12-26 2001-08-28 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display
JP3517585B2 (ja) * 1998-04-23 2004-04-12 株式会社アドバンスト・ディスプレイ 液晶表示パネルの製造方法およびこれに用いられる洗浄装置
KR100279043B1 (ko) * 1998-07-15 2001-01-15 윤종용 액정디스플레이용폴리말레이미드및폴리이미드광배향재
JP2000147507A (ja) * 1998-11-09 2000-05-26 Canon Inc 液晶表示素子及びその製造方法
JP2000147511A (ja) * 1998-11-13 2000-05-26 Fujitsu Ltd 液晶表示装置およびその製造方法

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