KR20020020222A - 전기 광학 장치의 제조 방법 및 제조 장치와 액정 패널의제조 방법 및 제조 장치 - Google Patents

전기 광학 장치의 제조 방법 및 제조 장치와 액정 패널의제조 방법 및 제조 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 절연막이나 배향막을 균일하게 형성할 수 있는 전기 광학 장치의 제조 방법 및 제조 장치, 배향막을 효율적으로 세정할 수 있는 액정 패널의 제조 방법 및 제조 장치를 제공한다. 이를 위해, 기판의 표면에 절연막 또는 배향막이 형성된 전기 광학 장치를 제조하는 방법에 있어서, 기판의 표면에 자외선을 조사하는 공정(자외선 조사 공정)과, 자외선이 조사된 기판의 표면에 절연막 또는 배향막을 형성하는 공정(절연 재료 도포 공정 또는 배향막 도포 공정)을 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

전기 광학 장치의 제조 방법 및 제조 장치와 액정 패널의 제조 방법 및 제조 장치{METHOD AND APPARATUS FOR FABRICATING ELECTRO-OPTICAL DEVICE AND METHOD AND APPARATUS FOR FABRICATING LIQUID CRYSTAL PANEL}
본 발명은 기판에 절연막 또는 배향막이 형성된 전기 광학 장치의 제조 방법 및 제조 장치, 및 액정 패널의 제조 방법 및 제조 장치에 관한 것이다. 더욱 자세하게는, 절연막이나 배향막을 균일하게 형성할 수 있는 전기 광학 장치의 제조 방법 및 제조 장치, 및 배향막을 효율적으로 세정할 수 있는 액정 패널의 제조 방법 및 제조 장치에 관한 것이다.
현재, 휴대 전화기, 휴대 전자 단말기 등의 전자기기에 있어서, 문자, 숫자, 아이콘 등의 정보를 표시하기 위해서 액정 장치가 널리 이용되고 있다. 이러한 액정 장치는, 일반적으로, 내면에 전극이 형성된 한 쌍의 액정 기판 사이에 액정을 봉입한 액정 패널을 구비하여, 이 액정 패널에 봉입된 액정에 전압을 제어하면서 인가함으로써 그 액정의 배향을 제어하여, 액정에 입사되는 광을 변조시키는 구성을 갖고 있다.
이러한 액정 장치에 있어서, 액정 기판의 내외면(표면)에는, 액정에 전압을 인가하기 위한 상기 전극 외에, 두층 사이의 절연을 확보하는 것 등을 목적으로 한 절연막 및 액정의 배향을 형성(액정을 소정의 방향으로 배향시킴)하는 것을 목적으로 한 배향막이 각각 형성된다. 절연막 재료로서 산화 금속 등의 무기 재료가 일반적으로 이용되고 있고, 또한, 배향막으로서 폴리이미드 등의 유기 재료가 각각 일반적으로 이용되고 있다.
또한, 상술한 배향막의 표면에는, 소위 러빙 처리(예컨대, 천(cloth) 등으로 문지르는 처리)가 실시된다. 러빙 처리로 배향막의 표면에 미세한 홈이 형성되어, 액정이 홈의 방향을 따라 배열되는 것에 의해 소정의 배향이 형성된다고 생각되고있다.
그러나, 유리제 기판의 표면에 직접 절연막이나 배향막을 형성하는 경우, 절연막 재료인 산화 금속 등의 무기 재료와 배향막 재료인 폴리이미드 등의 유기 재료는 유리 기판에 대한 습윤성이 낮아, 유리 기판의 표면 상에 절연막이나 배향막을 균일하게 형성하기 어렵다고 하는 문제가 있었다.
또한, 러빙 처리 시, 배향막의 표면에 천의 섬유 등과 같은 이물질이 부착되는 경우가 있고, 이와 같은 배향막 표면의 이물질은, 러빙 처리 후, 순수한 물에 의한 초음파 세정에 의해서 제거할 수 있지만, 배향막은 소수성(hydrophobic property)이기 때문에 물을 반발하기 쉽고, 이물질이 배향막 상의 기포에 모여 제거되지 않고서 액정 패널 내에 잔류하는 경우가 있어, 이와 같이 잔류된 이물질로 인하여 액정의 배향성에 관계된 불량이 발생한다고 하는 문제가 있었다.
본 발명은 절연막이나 배향막을 기판의 표면 상에 균일하게 형성할 수 있는 전기 광학 장치의 제조 방법 및 제조 장치, 및 배향막을 효율적으로 세정할 수 있는 액정 패널의 제조 방법 및 제조 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 상기 및 그 밖의 목적, 특징, 국면 및 이익 등은 첨부 도면을 참조로 하여 설명하는 이하의 상세한 실시예로부터 더욱 명백해질 것이다.
도 1은 본 발명의 전기 광학 장치의 제조 장치에 따른 일 실시예를 모식적으로 나타내는 설명도,
도 2는 본 발명의 전기 광학 장치의 제조 방법에 따른 일 실시예를 모식적으로 나타내는 공정도,
도 3은 본 발명의 전기 광학 장치의 제조 방법에 따른 다른 실시예를 모식적으로 나타내는 공정도,
도 4는 본 발명의 액정 패널 제조 장치에 따른 일 실시예를 모식적으로 나타내는 설명도,
도 5는 본 발명의 액정 패널 제조 장치에 다른 일 실시예에서의 UV 조사부의 일례를 모식적으로 나타내는 설명도,
도 6은 본 발명의 액정 패널 제조 장치에 따른 일 실시예에서의, 러빙부(rubbing part)를 경유한 기판을 UV 조사부를 향해서 반입하고, 또한 UV 조사부 내에서 기판을 반송하는 반송 수단을 모식적으로 나타내는 설명도,
도 7은 본 발명의 액정 패널 제조 장치에 따른 일 실시예에서의, UV 조사부에서 자외선이 조사된 기판을 배출하는 반송 수단을 모식적으로 나타내는 설명도,
도 8은 본 발명의 액정 패널의 제조 방법에 따른 일 실시예에서의 제조 공정을 모식적으로 나타내는 공정도.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1 : 세정부 2 : 자외선 조사부
3 : 반송 수단
4 : 벨트 컨베이어 방식(belt conveyer type)의 반송 수단
4A : 롤러 컨베이어 방식(roller conveyer type)의 반송 수단
4B : 로봇을 이용한 낱장식 조사로(single-substrate furnace) 등을 이용한 반송 수단
10 : 액정 기판(기판) 21 : UV 램프
22 : 자외선 30 : 러빙부
40 : UV 조사부 50 : 반입부
100 : 전기 광학 장치의 제조 장치 200 : 액정 패널 제조 장치
본 발명의 전기 광학 장치의 제조 방법은 기판의 표면에 절연막 또는 배향막이 형성된 전기 광학 장치를 제조하는 방법으로서, 기판의 표면에 자외선을 조사하는 공정과, 자외선이 조사된 상기 기판의 표면에 절연막 또는 배향막을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
이 전기 광학 장치의 제조 방법에 따르면, 기판의 표면에 절연막 또는 배향막을 형성하기 전에 기판의 표면에 자외선을 조사하기 때문에, 기판에 대한 절연막 재료 또는 배향막 재료의 습윤성을 높일 수 있다. 따라서, 기판 표면에 형성되는 절연막 또는 배향막의 균일성을 향상시킬 수 있다.
이 경우, 상기 기판의 표면에 자외선을 조사하는 공정 전에, 상기 기판의 표면을 세정하는 공정을 포함하는 것이어도 무방하다.
이와 같이, 자외선을 조사하기 전에, 기판의 표면을 세정함으로써, 세정한 직후의 기판 표면에 절연막 또는 배향막을 형성할 수 있기 때문에, 자외선 조사의 효과를 높일 수 있다.
본 발명의 전기 광학 장치의 제조 방법은 기판의 표면에 커플링 층을 형성하는 공정과, 형성된 상기 커플링 층의 표면에 자외선을 조사하는 공정과, 자외선이 조사된 상기 커플링 층의 위에 절연막 또는 배향막을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 것이어도 무방하다.
이 전기 광학 장치의 제조 방법에 따르면, 절연막 또는 배향막을 형성하기 전에, 기판의 표면에 형성한 커플링 층의 표면에 자외선을 조사하기 때문에, 커플링 층에 대한 절연막 재료 또는 배향막 재료의 습윤성을 높일 수 있다. 따라서, 기판 표면에 형성되는 절연막 또는 배향막의 균일성을 향상시킬 수 있다.
상기 기판의 표면에 커플링 층을 형성하는 공정 전에, 상기 기판의 표면을 세정하는 공정을 포함시키는 것이어도 무방하다.
이와 같이, 기판의 세정 후에 커플링 층을 형성하고, 또한 자외선을 조사하기 때문에, 커플링 층에 자외선을 조사한 직후에 절연막 또는 배향막을 형성할 수 있다. 따라서, 자외선 조사의 효과를 높일 수 있다.
상기 기판의 재질로서는, 자외선 조사에 대하여 비교적 내성이 있는 유리가 바람직하고, 또한 그 위에 형성되는 절연막으로서는 무기 산화막인 것이 바람직하다.
마찬가지로, 상기 기판이 유리이며, 또한 상기 배향막이 폴리이미드막인 것이 바람직하다. 이 경우도, 본래, 기판에 대한 배향막 재료의 습윤성은 낮지만, 자외선 조사에 의해 습윤성을 높일 수 있기 때문에, 배향막의 균일성을 효과적으로 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 전기 광학 장치의 제조 장치는 기판의 표면을 초음파로 세정하는 세정부와, 상기 세정부에서 초음파 세정된 상기 기판의 표면에, 자외선을 조사하는 자외선 조사부와, 상기 세정부 및 상기 자외선 조사부를 순차적으로 통과하도록 상기 기판을 반송하는 반송 수단을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이 전기 광학 장치의 제조 장치에 따르면, 반송 수단에 의해서 반송되는 기판의 세정 및 기판으로의 자외선 조사를 연속적으로 실행하여 기판의 흐름을 저해하지 않기 때문에, 제조 효율을 높일 수 있다. 또한, 자외선 조사에 의해서 기판 표면이 활성화되기 때문에, 후(後) 공정에서 기판 표면에 형성되는 층의 재료의 기판에 대한 습윤성을 높일 수 있다. 따라서, 후 공정에서 형성되는 층의 균일성을 향상시킬 수 있다.
이 경우, 상기 자외선 조사부에 의해 자외선이 조사된 상기 기판의 표면에, 절연막 또는 배향막을 형성하는 절연막 또는 배향막 형성부를 더 구비하여 이루어지는 것이어도 무방하다.
이와 같이 구성함으로써, 자외선 조사에 의해서 기판에 대한 절연막 재료 또는 배향막 재료의 습윤성을 높일 수 있기 때문에, 절연막 또는 배향막의 균일성을 향상시킬 수 있다.
상기 기판이 유리이며, 또한 상기 절연막이 무기 산화막인 것이 바람직하고, 또한 상기 기판이 유리이며, 또한 상기 배향막이 폴리이미드막인 것이 바람직한 것은 전술한 전기 광학 장치의 제조 방법의 경우와 마찬가지다.
본 발명의 액정 패널의 제조 방법은 한 쌍의 기판 사이에 액정이 봉입되고, 또한 상기 기판 상에 배향막이 형성된 액정 패널을 제조하는 방법으로서, 기판 상에 형성된 배향막에 러빙 처리를 실시하는 러빙 공정과, 상기 러빙 처리를 실시한 상기 배향막에 자외선을 조사하는 자외선 조사 공정과, 상기 자외선이 조사된 상기 배향막을 세정하는 세정 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
이 액정 패널의 제조 방법에 따르면, 배향막의 세정 공정 전에 배향막에 자외선을 조사하기 때문에, 세정 공정에서의 배향막의 습윤성을 개선할 수 있으므로, 세정 공정에서의 기포 발생을 억제하여 배향막을 효율적으로 세정할 수 있다.
이 경우, 상기 자외선 조사 공정에서의 자외선 파장을 254㎚, 그 조사량을 900mJ/㎠ 이상으로 하거나, 상기 자외선 조사 공정에서의 자외선 파장을 365㎚, 그 조사량을 3000mJ/㎠ 이상으로 하고, 또한 상기 자외선 조사 공정에서의 자외선 조사로부터 상기 세정 공정에서의 세정까지의 시간을 60분 이내로 하여도 좋다.
이와 같이 구성함으로써, 세정에 대한 자외선 조사의 효과를 충분히 발휘시킬 수 있다.
또한, 상기 자외선 조사 공정에서의 자외선 파장을 254㎚, 그 조사량을 150mJ/㎠ 이상으로 하거나, 상기 자외선 조사 공정에서의 자외선 파장을 365㎚, 그 조사량을 500mJ/㎠ 이상으로 하고, 또한 상기 자외선 조사 공정에서의 자외선 조사로부터 상기 세정 공정에서의 세정까지의 시간을 5분 이내로 하여도 좋다.
이와 같이 구성함으로써, 세정에 대한 자외선 조사의 효과를 충분히 발휘시킬 수 있다.
또한, 상기 자외선 조사 공정에서의 자외선 조사로부터 상기 세정 공정에서의 세정까지의 시간을 길게 함에 따라서, 상기 자외선 조사 공정에서의 자외선 조사량을 증대시켜도 좋다.
이와 같이 구성함으로써, 자외선 조사로부터 세정까지의 시간에 따라 자외선 조사량을 적절한 값으로 할 수 있기 때문에, 불필요하게 자외선 조사량을 높이지 않고, 세정에 대한 자외선 조사의 효과를 효율적으로 발휘시킬 수 있다.
본 발명의 액정 패널 제조 장치는 한 쌍의 기판 사이에 액정이 봉입되고, 또한 상기 기판 상에 배향막이 형성된 액정 패널을 제조하는 장치로서, 상기 기판 상에 형성한 상기 배향막에 러빙 처리를 실시하는 러빙부와, 상기 러빙부에서 러빙 처리된 상기 배향막에 자외선을 조사하는 자외선 조사부와, 상기 러빙부로부터 상기 자외선 조사부에 상기 배향막이 형성된 기판(배향막 형성 기판)을 반송하고, 또한 상기 자외선 조사부에서 자외선이 조사된 상기 배향막 형성 기판을 세정하기 위해서 배출하는 반송 수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.
이 액정 패널 제조 장치에 따르면, 배향막이 형성된 기판(배향막 형성 기판)을 세정하기 전에 배향막에 자외선을 조사하기 때문에, 세정 시의 배향막의 습윤성을 개선할 수 있으므로, 세정 시의 기포 발생을 억제하여 배향막을 효율적으로 세정할 수 있다. 또한, 러빙부와 자외선 조사부를 직렬로 접속함으로써, 기판의 흐름을 저해하는 일없이 자외선을 조사할 수 있다. 또, 자외선을 조사하고 나서 세정하기까지의 시간이 짧을수록 자외선을 조사하는 것에 의한 효과가 현저하기 때문에, 자외선 조사로부터 세정까지의 시간은 60분 이내로 하는 것이 바람직하다.
이 경우, 상기 자외선 조사부를 경유하여 자외선이 조사된 상기 배향막 형성 기판을 세정하는 세정부를 더 구비하고, 또한 상기 반송 수단이 상기 러빙부로부터 상기 세정부에 이르는 반송 경로를 따라, 상기 배향막 형성 기판을 반송함과 동시에, 상기 배향막 형성 기판을 배출하는 구성을 갖는 것이어도 무방하다.
이와 같이 구성함으로써, 세정부에서 세정하기 직전에 배향막에 자외선을 조사하기 때문에, 세정부에서의 배향막의 습윤성을 개선하여, 세정부에서의 기포의발생을 억제함으로써 배향막을 효율적으로 세정할 수 있다. 또한, 러빙부, 자외선 조사부 및 세정부를 직렬로 접속함으로써, 기판의 흐름을 저해하는 일없이 자외선 조사 및 기판의 세정을 할 수 있다.
또한, 상기 자외선 조사부에서의 자외선 파장이 254㎚, 그 조사량이 900mJ/㎠ 이상이거나, 상기 자외선 조사부에서의 자외선 파장이 365㎚, 그 조사량이 3000mJ/㎠이상이고, 또한, 상기 자외선 조사부에서의 자외선 조사로부터 상기 세정부에서의 세정까지의 시간이 60분 이내인 것이 바람직하다.
이와 같이 구성함으로써, 세정에 대한 자외선 조사의 효과를 충분히 발휘시킬 수 있다.
또한, 상기 자외선 조사부에서의 자외선 파장이 254㎚, 그 조사량이 150mJ/㎠ 이상이거나, 상기 자외선 조사부에서의 자외선 파장이 365㎚, 그 조사량이 500mJ/㎠ 이상이고, 또한 상기 자외선 조사부에서의 자외선 조사로부터 상기 세정부에서의 세정까지의 시간이 5분 이내인 것이 바람직하다.
이와 같이 구성함으로써, 세정에 대한 자외선 조사의 효과를 충분히 발휘시킬 수 있다.
또한, 상기 자외선 조사부에서의 자외선 조사로부터 상기 세정부에서의 세정까지의 시간이 길어짐에 따라서, 상기 자외선 조사부에서의 자외선 조사량을 증대시키는 제어부를 더 구비한 것이 더욱 바람직하다.
이와 같이 구성함으로써, 자외선 조사로부터 세정까지의 시간에 따라 자외선 조사량을 적절히 제어할 수 있기 때문에, 자외선 조사량을 불필요하게 높이지 않고, 세정에 대한 자외선 조사의 효과를 효율적으로 발휘시킬 수 있다.
이하, 도 1 내지 도 3을 참조하면서, 본 발명의 전기 광학 장치의 제조 방법에 따른 일 실시예에 대하여 구체적으로 설명한다.
도 1은 본 발명의 전기 광학 장치의 제조 장치의 일 실시예를 모식적으로 나타내는 설명도이다. 도 1에 도시하는 바와 같이, 본 실시예에 이용되는 전기 광학 장치의 제조 장치(100)는 액정 기판(10)의 표면을 초음파로 세정하는 세정부(1)와, 세정부(1)에서 초음파 또는 순수한 물로 세정된 액정 기판(10)의 표면에 자외선(22)을 조사하는 자외선 조사부(2)와, 세정부(1) 및 자외선 조사부(2)를 순차적으로 통과하도록 액정 기판(10)을 반송하는 반송 수단(3)을 구비하여 이루어지는 것이다.
세정부(1)에는, 반송 수단(3)에 의해서 반송되는 액정 기판(10)을 향해서 순수한 물을 분사하는 복수의 노즐(11)과, 액정 기판(10)을 향해서 공기를 분사하는 에어 나이프 노즐(Air knife nozzle)(12)이 마련되어 있다. 노즐(11)에는 순수한 물에 초음파 진동을 부여하는 진동판(도시하지 않음)이 마련되어, 진동판을 진동시키면서 노즐(11)로부터 순수한 물을 분출시킴으로써, 순수한 물과 공기가 혼합된 초음파 여진수(ultrasonic-vibrated water)를 노즐(11)로부터 액정 기판(10)으로 분사할 수 있다. 에어 나이프 노즐(12)로부터는 액정 기판(10)을 향해서 고속으로 공기가 분사된다. 이것에 의해, 액정 기판(10)에 부착된 순수한 물을 불어 날려 제거할 수 있다.
자외선 조사부(2)에는, 반송 수단(3)에 의해서 반송되는 액정 기판(10)을 향해서 자외선(22)을 조사하는 자외선 램프(21)가 마련되어 있다. 액정 기판(10)에 자외선(22)을 조사함으로써, 액정 기판(10)의 표면에 대한 배향막 재료 또는 절연막 재료에 대한 습윤성을 향상시킬 수 있다.
반송 수단(3)으로서, 본 실시예에서는, 도 1에 도시하는 바와 같이, 벨트 컨베이어 방식의 반송 수단을 이용한 경우를 나타내지만, 그 외에, 롤러 컨베이어 방식의 반송 수단, 또는 로봇을 이용하여 액정 기판(10)을 반송하는 장치 등을 이용하더라도 좋다.
도 2는 본 발명의 전기 광학 장치의 제조 방법의 일 실시예를 모식적으로 나타내는 공정도이다. 또, 본 실시예에서는 전기 광학 장치로서 수동 매트릭스 방식의 액정 장치를 이용한 경우를 나타낸다.
도 1을 참조하면서, 도 2에 도시하는 바와 같이, 전기 광학 장치의 제조 장치(100)에서 기판을 세정하기 전(기판 세정 공정의 전)에, 액정 기판(10)에 ITO 전극 패턴을 형성한다(ITO의 패턴 형성 공정).
다음에, 액정 기판(10)은 전기 광학 장치의 제조 장치(100)에 반입되고, 반송 수단(3)에 의해 반송되는 액정 기판(10)은, 순차적으로, 세정부(1)와 자외선 조사부(2)를 통과한다(기판 세정 공정 및 자외선 조사 공정). 전기 광학 장치의 제조 장치(100)로부터 반출된 액정 기판(10)의 표면은 세정 및 자외선 조사에 의해, 절연막 재료에 대한 습윤성이 향상되고 있다.
다음에, 액정 기판(10)의 표면에 절연 재료를 도포한다(절연 재료 도포 공정). 절연 재료로서는, SiO2, ZnO, ZrO2, TiO2, Sb2O5등의 무기 산화막을 이용할 수 있다. 절연 재료의 도포 방법으로는, 스크린 인쇄, 볼록판 인쇄 등의 통상의 방법을 이용할 수 있다.
절연막의 형성 후, 절연막 상에 배향막을 도포한다(배향막 도포 공정). 배향막 재료로는, 폴리이미드 등을 이용할 수 있다. 다음에, 배향막에 대하여 러빙 처리를 실시한다(러빙 처리 공정). 러빙 처리는 배향막의 표면을 무명천(cotton cloth) 등으로 한 방향으로 문지르는 것에 의해, 미세한 홈을 형성하는 공정이다. 이것에 의해 액정 장치(패널)에 봉입되는 액정의 배향 방향을 제어할 수 있다.
다음에, 액정 장치(패널)를 구성하는 한 쌍의 기판을 접착하기 위한 밀봉재(seal material)를 인쇄한다(밀봉재 인쇄 공정).
다음에, 밀봉재에 의해 한 쌍의 기판을 접착하고, 또한 한 쌍의 기판 사이에 액정을 주입하여 액정 패널을 완성시킨다(조립 공정).
상기 실시예에서는, 자외선 조사 공정 후에 절연막 재료 도포 공정을 배치하는 예를 나타내었지만, 자외선 조사 공정 후에 배향막 도포 공정을 배치하는 경우에 대해서도, 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다.
도 3은 본 발명의 전기 광학 장치의 제조 방법에 따른 다른 실시예를 모식적으로 나타내는 공정도이다. 또, 본 실시예에서도 전기 광학 장치로서 수동 매트릭스 방식의 액정 장치를 이용한 경우를 나타낸다.
본 실시예에서는, 자외선 조사 공정 후에, 절연막 재료 도포 공정을 거치지않고, 배향막 도포 공정을 배치하고 있다. 이와 같이, 배향막을 형성하기 전에 자외선을 조사함으로써, 배향막을 균일하게 형성할 수 있다.
이 경우, 배향막 재료로서는, 유기 고분자계 배향막 재료(그 중에서도, 폴리이미드계 바니시(varnish)가 바람직함) 등을 사용할 수 있다.
유리 기판은, 본래, 폴리이미드 등의 배향막 재료에 대한 습윤성이 나쁘지만, 상기한 바와 같이, 본 실시예에서는 자외선 조사에 의해서 액정 기판 표면의 절연 재료에 대한 습윤성을 향상시키기 때문에, 배향막을 균일하게 형성할 수 있다.
본 실시예에서는, 자외선을 조사하고 나서 배향막을 도포하기까지의 시간이 길어지면, 자외선 조사의 효과가 약해지기 때문에, 그 시간으로서는 30분 이내가 바람직하다. 또한, 자외선의 강도로서는 254㎚의 파장으로 200mJ/㎠ 이상으로 하는 것이 바람직하다.
상기 실시예에서는, 전기 광학 장치의 제조 장치(100)를 사용하여 액정 장치를 제조하는 경우에 대하여 예시했지만, 본 발명의 전기 광학 장치의 제조 방법은 상기한 바와 같은 장치를 사용하는 경우에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 전기 광학 장치의 제조 방법은 수동 매트릭스 방식의 액정 장치에 한정되어 적용되는 것은 아니고, 능동 매트릭스 방식의 액정 장치를 포함하는 모든 액정 장치 외에, 플라즈마 디스플레이 장치, EL 표시 장치(electroluminescence display device) 등의 모든 전기 광학 장치를 제조하는 경우에 적용할 수 있다.
이하, 도 4 내지 도 7을 참조하면서, 본 발명의 액정 패널 제조 장치의 일실시예에 대하여 설명한다.
도 4는 본 발명의 액정 패널 제조 장치의 일 실시예를 모식적으로 나타내는 설명도이다. 또, 도 4에서는, 액정 패널 제조 장치(200)로서, 낱장식의 액정 패널을 제조하는 장치를 나타낸다.
도 5는 본 발명의 액정 패널 제조 장치의 일 실시예에서의 UV 조사부의 일례를 모식적으로 나타내는 설명도이다.
도 4에 도시하는 바와 같이, 액정 패널 제조 장치(200)는 복수의 패널 기판이 배치된 기판(본체 기판)(10) 상에 형성된 배향막에 러빙 처리를 실시하기 위한 러빙부(30)와, 러빙부(30)를 경유한 기판(10)의 배향막이 형성된 면에 자외선을 조사하는 UV 조사부(40)를 구비하고 있다. 또한, 러빙부(30)의 앞쪽에는, 기판(10)을 받아들이는 반입부(50)가 마련되어 있다. 또, 참조 부호 6은 세정부를 나타낸다.
도 5에 도시하는 바와 같이, UV 조사부(40)는 일정 간격으로 배치된 상태로 반송되는 기판(10)을 향해서 자외선(22)을 조사하는 UV 램프(21)를 구비하고 있다.
도 6은 러빙부(30)를 경유한 기판(10)을 UV 조사부(40)를 향해서 반입하고, 또한 UV 조사부(40) 내에서 기판(10)을 반송하는 반송 수단을 모식적으로 나타내는 설명도이며(도 4참조), 도 6(a)는 벨트 컨베이어 방식의 반송 수단(4)을, 도 6(b)은 롤러 컨베이어 방식의 반송 수단(4A)을 각각 나타낸다.
도 6(a)에 도시하는 바와 같이, 벨트 컨베이어 방식의 반송 수단(4)에서는, UV 램프(21)의 아래쪽에서 기판(10)이 벨트(41)에 실어져 반송된다. 기판(10)은배향막이 형성된 면을 위쪽으로 향하도록 반송된다. 벨트(41)는 구동 기구(도시하지 않음)에 의해 구동된다.
도 6(b)에 도시하는 바와 같이, 롤러 컨베이어 방식의 반송 수단(4A)에서는, 복수의 롤러(42)가 기판(10)의 반송 경로를 따라 마련되어, 구동 기구(도시하지 않음)에 의해서 롤러(42)가 회전됨으로써 롤러(42)에 실어진 기판(10)이 UV 램프(21)의 아래쪽을 반송시킨다. 기판(10)은 배향막이 형성된 면이 위쪽을 향하도록 반송된다.
도 6(c)는 반송 수단으로서, 로봇을 이용한 낱장식 조사로 등을 이용한 경우를 나타내고 있고, 이 반송 수단(4B)에서는 로봇(43)에 의해 기판(10)을 1장씩 스테이지(44)에 탑재하여, 스테이지(44) 위에서 기판(10)에 대하여 자외선(22)을 조사하고 있다. 기판(10)은 배향막이 형성된 면이 위쪽을 향하도록 탑재된다. 자외선 조사 후, 로봇(45)에 의해 기판(10)은 스테이지(44)로부터 반출된다. 스테이지(44)에는 기판(10)을 상하 방향으로 구동하는 승강핀(44a)이 마련되고, 승강핀(44a)에서 기판(10)을 상승시키는 것에 의해, 기판(10)의 반출입 시에 로봇(43)의 손(43a) 및 로봇(45)의 손(45a)이 삽입되는 간격을 확보할 수 있다.
도 7은 UV 조사부(40)에서 자외선이 조사된 기판(10)을 배출하는 반송 수단을 모식적으로 나타내는 설명도이며(도 4참조), 도 7(a)는 로봇을 이용한 반송 수단(5), 도 7(b)은 롤러 컨베이어 방식의 반송 수단(5A)을 각각 나타낸다. 도 7(a)에 나타내는 반송 수단(5)에서는, 로봇(51)을 이용하여 기판(10)을 랙(rack)(52)에 순차적으로 수납하고 있다. 랙(52)에 수납된 기판(10)은 랙(52) 단위로 세정부(6)로 이동되어, 랙(52) 단위로 정리(배치식 : batch type)하여 세정된다. 도 7(b)에 나타내는 반송 수단(5A)에서는, 기판(10)의 반송 방향을 따라 배열된 롤러(53)에 의해서 기판(10)이 순차적으로 세정부(6)를 향해서 반송된다. 이 경우에는, 기판(10)이 1장씩 세정부(6) 내로 반송되어 순차적으로 세정된다. 도 7(b)에 도시하는 바와 같이, 기판(10)을 1장씩 세정부(6)로 반송하는 경우에는, 액정 패널 제조 장치의 일부로서 세정부(6)를 일체화할 수 있다.
도 4에 도시하는 바와 같이, 반입부(50)에 위치된 액정 패널(10)은 반송 수단(도시하지 않음)에 의해 러빙부(30)로 유도되도록 구성되어 있다. 반송 수단으로서, 도 6(a) 내지 도 6(c)에 나타내는 것과 마찬가지의 반송 수단을 이용할 수 있다.
이 반송 수단은 러빙부(30) 내에서 기판을 반송하는 장치(도시하지 않음)와 공통화하거나, 반입부(50)로부터 UV 조사부(40) 또는 세정부(6)에 이르는 반송 경로에서 반송 수단을 공통화하여도 좋다.
다음에, 본 발명의 액정 패널의 제조 방법에 따른 일 실시예에 대하여, 도 8을 참조하면서 설명한다.
도 8은 본 발명의 액정 패널의 제조 방법에 따른 일 실시예에서의 제조 공정을 모식적으로 나타내는 공정도이다.
도 8에 도시하는 바와 같이, 기판(10)(도 4참조)의 표면에 ITO 전극 패턴을 형성한(ITO의 패턴 형성 공정) 후, 스크린 인쇄, 볼록판 인쇄 등을 이용하여 ITO 전극 패턴 상에 배향막을 형성한다(배향막 형성 공정). 배향막 재료로서는, 폴리이미드 등을 이용할 수 있다. 또, ITO 전극 패턴의 형성 후, 절연막을 ITO 전극 패턴 상에 형성하여, 이 절연막 상에 배향막을 형성하여도 좋다.
다음에, 도 4를 참조하면서 도 8에 도시하는 바와 같이, 배향막이 형성된 기판(10)을 도 4에 나타내는 액정 패널 제조 장치(200)의 반입부(50)에 탑재한다. 반입부(50)에 위치된 기판(10)을 상기 반송 수단에 의해 러빙부(30)로 도입한다. 러빙부(30)에서는 기판(10)의 배향막에 대하여 러빙 처리를 행한다(러빙 공정). 이것에 의해, 액정 패널 내에 봉입되는 액정의 배향 방향을 제어할 수 있다. 또, 러빙 처리로는, 범용되고 있는 처리 방법을 이용할 수 있다.
다음에, 기판(10)을 UV 조사부(40)로 반송하여 배향막에 자외선을 조사한다(UV 조사 공정). 그 후, 기판(10)을 순차적으로 랙(52)에 수납하거나, 또는 1장씩 세정부(6)에 반입한다(도 7참조).
다음에, 기판(10)을 세정부(6)에서 순수한 물에 의해 초음파 세정한다(러빙 후 세정 공정). 이 공정에 의해서 러빙 공정에서 부착된 천의 섬유 등의 배향막 표면의 이물질을 제거한다. 본 실시예에서는 배향막에 자외선을 조사한 후, 배향막의 초음파 세정을 행하고 있으므로 배향막의 습윤성이 개선되어, 세정 효과를 향상시킬 수 있다. 자외선 조사의 효과에 대해서는 후술한다.
배향막을 세정하여 기판(10)을 건조시킨 후, 밀봉 인쇄를 행한다(밀봉 인쇄 공정). 밀봉 인쇄에서는 밀봉재를 기판(10) 또는 기판(10)과 조합될 기판(본체 기판)에, 개개의 액정 패널의 형상에 맞춘 형상으로 도포한다.
다음에, 상기 기판(본체 기판)의 한 쌍을 밀봉재에 의해 접착한 후, 직사각형으로 절단한다. 다음에, 이 한 쌍의 기판 사이에 액정을 주입, 밀봉한 후, 개개의 액정 패널마다 절단함으로써, 액정 패널을 제조할 수 있다(조립 공정).
러빙 처리 후의 자외선 조사량과, 자외선 조사로부터 세정까지의 방치 시간간의, 자외선 조사에 따른 세정 효과에 대한 상관 관계를 표 1(자외선 파장이 254㎚의 경우) 및 표 2(자외선 파장이 365㎚의 경우)에 각각 나타낸다.
자외선 조사에 의한 세정 결과는 4단계로 평가하고 있고, 가장 양호한 상태는 러빙 후에 세정한 기판 표면에 점형상 습윤성 결함이 없는 상태(상태1 : 표 중 ◎으로 나타냄), 이어서 양호한 상태는 러빙 후에 세정한 기판 표면에 점형상 습윤성 결함이 10개소 미만인 상태(상태2 : 표 중 ○으로 나타냄), 그 다음에 양호한 상태는 점형상 습윤성 결함이 10개소 이상 확인되지만, 패널 점등 시의 결함이 되지 않는 상태(상태3 : 표 중 △으로 나타냄), 가장 나쁜 상태는 패널 점등 시의 결함을 생성하는 상태(상태4 : 표 중 ×로 나타냄)이다.
표 1로부터 알 수 있듯이, 자외선 파장이 254㎚일 때, 방치 시간을 5분으로 한 경우에는 조사량 75mJ/㎠에서는 상태2가 되지만, 조사량 150mJ/㎠ 이상에서는 상태1이 된다. 방치 시간을 10분으로 한 경우에는 조사량 75mJ/㎠에서는 상태3이 되고, 조사량 150mJ/㎠에서는 상태2가 되며, 조사량 300mJ/㎠ 이상에서는 상태1이 된다. 방치 시간을 20분으로 한 경우에는 조사량 75mJ/㎠에서는 상태4가 되고, 조사량 150mJ/㎠에서는 상태3이 되고, 조사량 300mJ/㎠에서는 상태2가 되고, 조사량 450mJ/㎠ 이상에서는 상태1이 된다. 방치 시간을 30분으로 한 경우에는 조사량 150mJ/㎠ 이하에서는 상태4가 되고, 조사량 300mJ/㎠ 및 450mJ/㎠에서는 상태2가 되며, 조사량 600mJ/㎠ 이상에서는 상태1이 된다. 방치 시간을 45분으로 한 경우에는 조사량 150mJ/㎠ 이하에서는 상태4가 되고, 조사량 300mJ/㎠에서는 상태3이 되고, 조사량 450mJ/㎠ 및 600mJ/㎠에서는 상태2가 되며, 조사량 900mJ/㎠ 이상에서는 상태1이 된다. 방치 시간을 60분으로 한 경우에는 조사량 300mJ/㎠ 이하에서는 상태4가 되고, 조사량 450mJ/㎠에서는 상태3이 되고, 조사량 600mJ/㎠에서는 상태2가 되며, 조사량 900mJ/㎠ 이상에서는 상태1이 된다. 방치 시간을 90분으로 한 경우에는 조사량 450mJ/㎠ 이하에서는 상태4가 되고, 조사량 600mJ/㎠에서는 상태3이 되며, 조사량 900mJ/㎠ 이상에서는 상태2가 된다. 방치 시간을 120분으로 한 경우에는 조사량 600mJ/㎠ 이하에서는 상태4가 되고, 조사량 900mJ/㎠ 이상에서는 상태3이 된다. 방치 시간을 240분으로 한 경우에는 모든 조사량에서 상태4가 된다.
이와 같이, 방치 시간을 짧게 한 경우에는 자외선 조사량이 적어도 충분한 세정 효과를 얻을 수 있지만, 방치 시간을 길게 함에 따라서 자외선 조사량을 증대시킬 필요가 있다. 또한, 방치 시간을 90분 이상으로 한 경우에는, 자외선 조사량을 증가시켜도 상태1로는 되지 않아, 충분한 세정 효과를 얻을 수 없다. 따라서, 방치 시간은 60분 이내로 하는 것이 바람직하다.
예컨대, 러빙 후 세정 공정을 배치 처리(batch processing)로 했을 때에 발생하는 부대 시간에 의해 약 30∼45분의 방치 시간을 필요로 하는 경우에는, 조사량이 900mJ/㎠이라고 하면 세정 상태가 항상 상태1이 된다. 또한, 세정 공정을 자외선 조사 공정과 연계한 일련의 낱장식 라인으로서 조립한 경우에, 예컨대, 방치 시간을 5분 이내로 할 수 있으면 조사량이 150mJ/㎠라도 세정 상태를 항상 상태1로 할 수 있다.
표 2로부터 알 수 있듯이, 자외선 파장이 365㎚일 때, 방치 시간을 5분으로 한 경우에는 조사량 250mJ/㎠에서는 상태2가 되지만, 조사량 500mJ/㎠ 이상에서는 상태1이 된다. 방치 시간을 10분으로 한 경우에는 조사량 250mJ/㎠에서는 상태3이되고, 조사량 500mJ/㎠에서는 상태2가 되며, 조사량 1000mJ/㎠ 이상에서는 상태1이 된다. 방치 시간을 20분으로 한 경우에는 조사량 250mJ/㎠에서는 상태4가 되고, 조사량 500mJ/㎠에서는 상태3이 되고, 조사량 1000mJ/㎠에서는 상태2가 되며, 조사량 1500mJ/㎠ 이상에서는 상태1이 된다. 방치 시간을 30분으로 한 경우에는, 조사량 500mJ/㎠ 이하에서는 상태4가 되고, 조사량 1000mJ/㎠ 및 1500mJ/㎠에서는 상태2가 되며, 조사량 2000mJ/㎠ 이상에서는 상태1이 된다. 방치 시간을 45분으로 한 경우에는, 조사량 500mJ/㎠ 이하에서는 상태4가 되고, 조사량 1000mJ/㎠에서는 상태3이 되고, 조사량 1500mJ/㎠ 및 2000mJ/㎠에서는 상태2가 되며, 조사량 3000mJ/㎠ 이상에서는 상태1이 된다. 방치 시간을 60분으로 한 경우에는, 조사량 1000mJ/㎠ 이하에서는 상태4가 되고, 조사량 1500mJ/㎠에서는 상태3이 되고, 조사량 2000mJ/㎠에서는 상태2가 되며, 조사량 3000mJ/㎠ 이상에서는 상태1이 된다. 방치 시간을 90분으로 한 경우에는, 조사량 1500mJ/㎠ 이하에서는 상태4가 되고, 조사량 2000mJ/㎠에서는 상태3이 되며, 조사량 3000mJ/㎠ 이상에서는 상태2가 된다. 방치 시간을 120분으로 한 경우에는 조사량 2000mJ/㎠ 이하에서는 상태4가 되고, 조사량 3000mJ/㎠ 이상에서는 상태3이 된다. 방치 시간을 240분으로 한 경우에는 모든 조사량에서 상태4가 된다.
이와 같이, 방치 시간을 짧게 한 경우에는 자외선 조사량이 적어도 충분한 세정 효과를 얻을 수 있지만, 방치 시간을 길게 함에 따라서 자외선 조사량을 증대시킬 필요가 있다. 또한, 방치 시간을 90분 이상으로 한 경우에는, 자외선 조사량을 증가시키더라도 상태1로는 되지 않아 충분한 세정 효과를 얻을 수 없다. 따라서, 방치 시간은 60분 이내로 하는 것이 바람직하다.
예컨대, 러빙 후 세정 공정을 배치(batch) 처리로 했을 때에 발생하는 부대 시간에 의해 약 30∼45분의 방치 시간을 필요로 하는 경우에는, 3000mJ/㎠ 이상의 조사량으로 하면 세정 상태가 상태1이 된다. 또한, 세정 공정을 자외선 조사 공정과 연계한 일련의 낱장식 라인으로서 조립한 경우에, 예컨대, 방치 시간을 5분 이내로 할 수 있으면 500mJ/㎠의 조사량에서도 세정 상태를 상태1로 할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의해서, 절연막이나 배향막을 균일하게 형성할 수 있는 전기 광학 장치의 제조 방법 및 제조 장치, 및 배향막을 효율적으로 세정할 수 있는 액정 패널의 제조 방법 및 제조 장치를 제공할 수 있다.
이상 본 발명자에 의해서 이루어진 발명을 상기 실시예에 따라 구체적으로 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것이 아니고, 그 요지를 이탈하지 않는 범위에서 여러 가지로 변경 가능한 것은 물론이다.

Claims (19)

  1. 기판의 표면에 절연막 또는 배향막이 형성된 전기 광학 장치를 제조하는 방법으로서,
    상기 기판의 표면에 자외선을 조사하는 공정과,
    자외선이 조사된 상기 기판의 표면에 절연막 또는 배향막을 형성하는 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판의 표면에 자외선을 조사하는 공정 전에, 상기 기판의 표면을 세정하는 공정을 포함하는 전기 광학 장치의 제조 방법.
  3. 기판의 표면에 커플링층을 형성하는 공정과,
    형성된 상기 커플링층의 표면에 자외선을 조사하는 공정과,
    자외선이 조사된 상기 커플링층 상에 절연막 또는 배향막을 형성하는 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 제조 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 기판의 표면에 커플링층을 형성하는 공정 전에, 상기 기판의 표면을 세정하는 공정을 포함하는 전기 광학 장치의 제조 방법.
  5. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 기판은 유리이며, 또한 상기 절연막은 무기 산화막인 전기 광학 장치의 제조 방법.
  6. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 기판은 유리이며, 또한 상기 배향막은 폴리이미드막인 전기 광학 장치의 제조 방법.
  7. 기판의 표면에 절연막 또는 배향막이 형성된 전기 광학 장치를 제조하는 장치로서,
    상기 기판의 표면을 초음파로 세정하는 세정부와,
    상기 세정부에서 초음파 세정된 상기 기판의 표면에 자외선을 조사하는 자외선 조사부와,
    상기 세정부 및 상기 자외선 조사부를 순차적으로 통과하도록 상기 기판을 반송하는 반송 수단
    을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 제조 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 자외선 조사부에 의해 자외선이 조사된 상기 기판의 표면에, 절연막 또는 배향막을 형성하는 절연막 또는 배향막 형성부를 더 구비하여 이루어지는 전기 광학 장치의 제조 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 기판은 유리이며, 또한 상기 절연막은 무기 산화막인 전기 광학 장치의 제조 장치.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 기판은 유리이며, 또한 상기 배향막은 폴리이미드막인 전기 광학 장치의 제조 장치.
  11. 한 쌍의 기판 사이에 액정이 봉입되어 이루어지고, 또한, 상기 기판 상에 배향막이 형성된 액정 패널을 제조하는 방법으로서,
    상기 기판 상에 형성한 상기 배향막에 러빙 처리를 실시하는 러빙 공정과,
    상기 러빙 처리를 실시한 상기 배향막에 자외선을 조사하는 자외선 조사 공정과,
    상기 자외선이 조사된 상기 배향막을 세정하는 세정 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 패널의 제조 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 자외선 조사 공정에서의 자외선의 파장을 254㎚로 하고, 그 조사량을 900mJ/㎠ 이상으로 하거나, 또는 상기 자외선 조사 공정에서의 자외선의 파장을 365㎚로 하고, 그 조사량을 3000mJ/㎠ 이상이라고 하고, 또한 상기 자외선 조사 공정에서의 자외선의 조사로부터 상기 세정 공정에서의 세정까지의 시간을 60분 이내로 하는 액정 패널의 제조 방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 자외선 조사 공정에서의 자외선의 파장을 254㎚로 하고, 그 조사량을150mJ/㎠ 이상으로 하거나, 또는 상기 자외선 조사 공정에서의 자외선의 파장을 365㎚로 하고, 그 조사량을 500mJ/㎠ 이상이라고 하고 또한, 상기 자외선 조사 공정에서의 자외선의 조사로부터 상기 세정 공정에서의 세정까지의 시간을 5분 이내로 하는 액정 패널의 제조 방법.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 자외선 조사 공정에서의 자외선의 조사로부터 상기 세정 공정에서의 세정까지의 시간을 길게 함에 따라서, 상기 자외선 조사 공정에서의 자외선 조사량을 증대시키는 액정 패널의 제조 방법.
  15. 한 쌍의 기판 사이에 액정이 봉입되어 이루어지고, 또한, 상기 기판 상에 배향막이 형성된 액정 패널을 제조하는 장치로서,
    상기 기판 상에 형성된 상기 배향막에 러빙 처리를 실시하는 러빙부와,
    상기 러빙부에서 러빙 처리가 실시된 상기 배향막에 자외선을 조사하는 자외선 조사부와,
    상기 러빙부로부터 상기 자외선 조사부로 상기 배향막이 형성된 기판(배향막 형성 기판)을 반송하고, 또한, 상기 자외선 조사부에 의해 자외선이 조사된 상기 배향막 형성 기판을 세정하기 위해 배출하는 반송 수단
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 패널의 제조 장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 자외선 조사부를 경유하여 자외선이 조사된 상기 배향막 형성 기판을 세정하는 세정부를 더 구비하되,
    상기 반송 수단이 상기 러빙부로부터 상기 세정부에 이르는 반송 경로를 따라, 상기 배향막 형성 기판을 반송하고, 또한, 상기 배향막 형성 기판을 배출하는 구성을 갖는 것을 특징으로 하는 액정 패널의 제조 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 자외선 조사부에서의 자외선 파장이 254㎚이며, 그 조사량이 900mJ/㎠ 이상이거나, 상기 자외선 조사부에서의 자외선 파장이 365㎚이며, 그 조사량이 3000mJ/㎠ 이상이고, 또한, 상기 자외선 조사부에서의 자외선 조사로부터 상기 세정부에서의 세정까지의 시간이 60분 이내인 액정 패널의 제조 장치.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 자외선 조사부에서의 자외선 파장이 254㎚이며, 그 조사량이 150mJ/㎠이상이거나, 상기 자외선 조사부에서의 자외선의 파장이 365㎚이며, 그 조사량이 500mJ/㎠ 이상이고, 또한, 상기 자외선 조사부에서의 자외선의 조사로부터 상기 세정부에서의 세정까지의 시간이 5분 이내인 액정 패널의 제조 장치.
  19. 제 16 항에 있어서,
    상기 자외선 조사부에서의 자외선 조사로부터 상기 세정부에서의 세정까지의 시간이 길어짐에 따라서, 상기 자외선 조사부에서의 자외선 조사량을 증대시키는 제어부를 더 구비한 액정 패널의 제조 장치.
KR10-2001-0054667A 2000-09-06 2001-09-06 전기 광학 장치의 제조 방법 및 제조 장치와 액정 패널의제조 방법 및 제조 장치 KR100454514B1 (ko)

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Families Citing this family (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003270652A (ja) * 2002-03-08 2003-09-25 Lg Phillips Lcd Co Ltd 液晶拡散制御装置及び液晶表示装置の製造方法
KR20050005880A (ko) * 2003-07-07 2005-01-15 삼성전자주식회사 액정 배향 설비
KR100646981B1 (ko) * 2004-12-27 2006-11-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치의 배향막 형성 방법
US20060266793A1 (en) * 2005-05-24 2006-11-30 Caterpillar Inc. Purging system having workpiece movement device
US8017860B2 (en) 2006-05-15 2011-09-13 Stion Corporation Method and structure for thin film photovoltaic materials using bulk semiconductor materials
KR101267528B1 (ko) * 2007-03-21 2013-05-23 엘지디스플레이 주식회사 배향막 형성방법
US20080300918A1 (en) * 2007-05-29 2008-12-04 Commercenet Consortium, Inc. System and method for facilitating hospital scheduling and support
US8071179B2 (en) 2007-06-29 2011-12-06 Stion Corporation Methods for infusing one or more materials into nano-voids if nanoporous or nanostructured materials
US8287942B1 (en) 2007-09-28 2012-10-16 Stion Corporation Method for manufacture of semiconductor bearing thin film material
US8759671B2 (en) * 2007-09-28 2014-06-24 Stion Corporation Thin film metal oxide bearing semiconductor material for single junction solar cell devices
US7998762B1 (en) 2007-11-14 2011-08-16 Stion Corporation Method and system for large scale manufacture of thin film photovoltaic devices using multi-chamber configuration
US8642138B2 (en) 2008-06-11 2014-02-04 Stion Corporation Processing method for cleaning sulfur entities of contact regions
US9087943B2 (en) * 2008-06-25 2015-07-21 Stion Corporation High efficiency photovoltaic cell and manufacturing method free of metal disulfide barrier material
US8003432B2 (en) 2008-06-25 2011-08-23 Stion Corporation Consumable adhesive layer for thin film photovoltaic material
US7855089B2 (en) * 2008-09-10 2010-12-21 Stion Corporation Application specific solar cell and method for manufacture using thin film photovoltaic materials
US8008112B1 (en) 2008-09-29 2011-08-30 Stion Corporation Bulk chloride species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8394662B1 (en) 2008-09-29 2013-03-12 Stion Corporation Chloride species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8008110B1 (en) 2008-09-29 2011-08-30 Stion Corporation Bulk sodium species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8476104B1 (en) 2008-09-29 2013-07-02 Stion Corporation Sodium species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8026122B1 (en) 2008-09-29 2011-09-27 Stion Corporation Metal species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8501521B1 (en) 2008-09-29 2013-08-06 Stion Corporation Copper species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8236597B1 (en) 2008-09-29 2012-08-07 Stion Corporation Bulk metal species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US7910399B1 (en) * 2008-09-30 2011-03-22 Stion Corporation Thermal management and method for large scale processing of CIS and/or CIGS based thin films overlying glass substrates
US7947524B2 (en) 2008-09-30 2011-05-24 Stion Corporation Humidity control and method for thin film photovoltaic materials
US7863074B2 (en) * 2008-09-30 2011-01-04 Stion Corporation Patterning electrode materials free from berm structures for thin film photovoltaic cells
US8383450B2 (en) 2008-09-30 2013-02-26 Stion Corporation Large scale chemical bath system and method for cadmium sulfide processing of thin film photovoltaic materials
US8425739B1 (en) 2008-09-30 2013-04-23 Stion Corporation In chamber sodium doping process and system for large scale cigs based thin film photovoltaic materials
US8741689B2 (en) * 2008-10-01 2014-06-03 Stion Corporation Thermal pre-treatment process for soda lime glass substrate for thin film photovoltaic materials
US20110018103A1 (en) * 2008-10-02 2011-01-27 Stion Corporation System and method for transferring substrates in large scale processing of cigs and/or cis devices
US8435826B1 (en) 2008-10-06 2013-05-07 Stion Corporation Bulk sulfide species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8003430B1 (en) 2008-10-06 2011-08-23 Stion Corporation Sulfide species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8168463B2 (en) 2008-10-17 2012-05-01 Stion Corporation Zinc oxide film method and structure for CIGS cell
US8344243B2 (en) * 2008-11-20 2013-01-01 Stion Corporation Method and structure for thin film photovoltaic cell using similar material junction
KR101298358B1 (ko) * 2008-12-19 2013-08-20 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 제조용 연마장치 및 연마방법
US8241943B1 (en) 2009-05-08 2012-08-14 Stion Corporation Sodium doping method and system for shaped CIGS/CIS based thin film solar cells
US8372684B1 (en) 2009-05-14 2013-02-12 Stion Corporation Method and system for selenization in fabricating CIGS/CIS solar cells
US8507786B1 (en) 2009-06-27 2013-08-13 Stion Corporation Manufacturing method for patterning CIGS/CIS solar cells
US8398772B1 (en) 2009-08-18 2013-03-19 Stion Corporation Method and structure for processing thin film PV cells with improved temperature uniformity
US8809096B1 (en) 2009-10-22 2014-08-19 Stion Corporation Bell jar extraction tool method and apparatus for thin film photovoltaic materials
US8859880B2 (en) * 2010-01-22 2014-10-14 Stion Corporation Method and structure for tiling industrial thin-film solar devices
US8263494B2 (en) 2010-01-25 2012-09-11 Stion Corporation Method for improved patterning accuracy for thin film photovoltaic panels
US8142521B2 (en) * 2010-03-29 2012-03-27 Stion Corporation Large scale MOCVD system for thin film photovoltaic devices
US9096930B2 (en) 2010-03-29 2015-08-04 Stion Corporation Apparatus for manufacturing thin film photovoltaic devices
US8461061B2 (en) 2010-07-23 2013-06-11 Stion Corporation Quartz boat method and apparatus for thin film thermal treatment
US8628997B2 (en) 2010-10-01 2014-01-14 Stion Corporation Method and device for cadmium-free solar cells
US8998606B2 (en) 2011-01-14 2015-04-07 Stion Corporation Apparatus and method utilizing forced convection for uniform thermal treatment of thin film devices
US8728200B1 (en) 2011-01-14 2014-05-20 Stion Corporation Method and system for recycling processing gas for selenization of thin film photovoltaic materials
TWI459072B (zh) * 2011-01-25 2014-11-01 Chimei Innolux Corp 液晶面板製程設備
JP5429375B2 (ja) * 2011-04-15 2014-02-26 東洋紡株式会社 積層体とその製造方法および、この積層体を用いたデバイス構造体の作成方法
US8436445B2 (en) 2011-08-15 2013-05-07 Stion Corporation Method of manufacture of sodium doped CIGS/CIGSS absorber layers for high efficiency photovoltaic devices
CN103018814B (zh) * 2012-12-13 2016-03-30 京东方科技集团股份有限公司 偏光片及其制备方法、3d显示装置
JP6329380B2 (ja) * 2014-02-07 2018-05-23 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置の製造方法および製造装置
CN104570496B (zh) * 2015-02-04 2017-05-10 京东方科技集团股份有限公司 一种形成有取向膜的基板的清洗方法
CN104950522B (zh) * 2015-06-24 2019-04-19 合肥鑫晟光电科技有限公司 摩擦配向方法及其装置
CN108766666B (zh) * 2018-06-07 2021-10-15 乐凯华光印刷科技有限公司 一种低阻值、高透光率的纳米银线透明导电膜及其制备方法
CN110109293A (zh) * 2019-04-04 2019-08-09 深圳市华星光电技术有限公司 液晶无机配向薄膜的制造方法

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6145224A (ja) 1984-08-10 1986-03-05 Alps Electric Co Ltd 液晶表示素子の製造方法
DE3669079D1 (de) * 1985-07-10 1990-03-29 Hitachi Ltd Ferroelektrisches fluessigkristallelement und verfahren zu dessen herstellung.
JPH03215829A (ja) 1990-01-19 1991-09-20 Canon Inc 液晶素子の製造方法
JPH03254874A (ja) 1990-03-05 1991-11-13 Hitachi Ltd 洗浄装置
US5200238A (en) 1990-06-22 1993-04-06 Loctite (Ireland) Limited Liquid crystal display devices and method of manufacture
KR930003683B1 (ko) * 1990-11-29 1993-05-08 주식회사 금성사 액정표시소자 및 그 제조방법
JPH04221925A (ja) 1990-12-25 1992-08-12 Fujitsu Ltd 液晶表示パネル用基板の製造方法および製造装置
JP3050957B2 (ja) 1991-07-26 2000-06-12 株式会社東芝 液晶表示素子製造方法
JPH0545645U (ja) * 1991-11-27 1993-06-18 シヤープ株式会社 プラスチツク液晶表示素子
US6753044B2 (en) * 1991-11-27 2004-06-22 Reveo, Inc. Coloring media having improved brightness and color characteristics
JPH05182945A (ja) 1991-12-27 1993-07-23 Hitachi Ltd 洗浄装置
JP2727481B2 (ja) 1992-02-07 1998-03-11 キヤノン株式会社 液晶素子用ガラス基板の洗浄方法
JPH05271973A (ja) * 1992-03-25 1993-10-19 Orc Mfg Co Ltd 紫外線洗浄方法
KR950011956B1 (ko) * 1992-12-28 1995-10-12 엘지전자주식회사 액정표시소자의 러빙 방법 및 장치
US5673127A (en) * 1993-12-01 1997-09-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Display panel and display device using a display panel
JPH08101393A (ja) 1994-09-30 1996-04-16 Nissan Chem Ind Ltd 液晶配向処理方法及び液晶表示素子
US5907382A (en) * 1994-12-20 1999-05-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Transparent conductive substrate and display apparatus
US5786041A (en) 1995-06-07 1998-07-28 International Business Machines Corporation Alignment film, a method for producing the alignment film and a liquid crystal display device using the alignment film
JP3458562B2 (ja) * 1995-10-12 2003-10-20 株式会社日立製作所 液晶表示装置及びその製造方法
US6154265A (en) * 1996-06-18 2000-11-28 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal device and production process thereof
JPH1192179A (ja) 1997-09-19 1999-04-06 Sharp Corp 表面改質方法およびこれを用いた液晶表示装置の製造方法
JP3380482B2 (ja) * 1997-12-26 2003-02-24 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP3517585B2 (ja) 1998-04-23 2004-04-12 株式会社アドバンスト・ディスプレイ 液晶表示パネルの製造方法およびこれに用いられる洗浄装置
KR100279043B1 (ko) 1998-07-15 2001-01-15 윤종용 액정디스플레이용폴리말레이미드및폴리이미드광배향재
JP2000147507A (ja) * 1998-11-09 2000-05-26 Canon Inc 液晶表示素子及びその製造方法
JP2000147511A (ja) * 1998-11-13 2000-05-26 Fujitsu Ltd 液晶表示装置およびその製造方法

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Publication number Publication date
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