WO2012124583A1 - 表示パネル用基板の製造装置 - Google Patents

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WO2012124583A1
WO2012124583A1 PCT/JP2012/055904 JP2012055904W WO2012124583A1 WO 2012124583 A1 WO2012124583 A1 WO 2012124583A1 JP 2012055904 W JP2012055904 W JP 2012055904W WO 2012124583 A1 WO2012124583 A1 WO 2012124583A1
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WO
WIPO (PCT)
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unit
display panel
panel substrate
ultrasonic wave
glass substrate
Prior art date
Application number
PCT/JP2012/055904
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English (en)
French (fr)
Inventor
健太朗 吉安
昌隆 池田
Original Assignee
シャープ株式会社
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Application filed by シャープ株式会社 filed Critical シャープ株式会社
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/001—General methods for coating; Devices therefor
    • C03C17/002—General methods for coating; Devices therefor for flat glass, e.g. float glass
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs

Definitions

  • the present invention relates to a display panel substrate manufacturing apparatus.
  • the present invention has been completed based on the above-described circumstances, and aims to improve the processing capability.
  • the display panel substrate manufacturing apparatus of the present invention includes a transport unit that transports the display panel substrate, a processing liquid supply unit that supplies a processing liquid onto the plate surface of the display panel substrate transported by the transport unit, and And an ultrasonic wave application unit that applies ultrasonic vibration to the transport unit.
  • the processing liquid is supplied from the processing liquid supply unit onto the plate surface of the display panel substrate while the display panel substrate is transferred by the transfer unit.
  • ultrasonic vibration to the conveyance unit by the ultrasonic wave application unit, it is possible to apply ultrasonic vibration to the display panel substrate to be conveyed, and through the display panel substrate Cavitation by ultrasonic vibration can be applied to the processing liquid on the plate surface.
  • the display panel substrate since the display panel substrate ultrasonically vibrates the processing liquid at the “surface”, it is supplied to the display panel substrate as compared with the conventional case where the processing liquid supply unit is provided with the ultrasonic wave application unit. Cavitation or the like by ultrasonic vibration can be applied over a wide range to the processing liquid spreading on the plate surface.
  • action by ultrasonic vibration can be efficiently provided with respect to a process liquid, and the processing capability of the board
  • the present invention is useful when the display panel substrate is enlarged.
  • the following configuration is preferable as an embodiment of the present invention.
  • the said ultrasonic wave provision part is provided in the said conveyance part integrally. If it does in this way, compared with the case where these are made into a different body, an ultrasonic vibration can be efficiently provided with respect to a conveyance part from an ultrasonic application part.
  • the transport unit is disposed on the opposite side of the processing liquid supply unit with the display panel substrate interposed therebetween. In this way, the ultrasonic vibration from the ultrasonic wave application unit can be applied to the display panel substrate from the side opposite to the processing liquid supply unit side via the transport unit.
  • the transport unit includes a unit transport unit including a shaft unit serving as a rotation axis and a roller unit that is provided around the shaft unit and is in contact with the display panel substrate, in the transport direction of the display panel substrate.
  • a plurality of intermittently arranged in parallel, and the ultrasonic wave application portion is provided integrally with the shaft portion.
  • the display panel substrate placed on each roller unit is rotated by rotating the shaft portions of the plurality of unit transport units arranged in parallel intermittently in the transport direction of the display panel substrate. Be transported. And an ultrasonic vibration can be efficiently provided with respect to the board
  • the unit conveying portion is configured such that the roller portion is provided in a region of the shaft portion excluding both end portions in the axial direction, and the ultrasonic wave applying portion is a shaft in the shaft portion. Arranged at the end of the direction. If it does in this way, an ultrasonic vibration can be provided with respect to the whole from the edge part of a shaft part.
  • the transport unit includes a unit transport unit including a shaft unit serving as a rotation shaft and a roller unit that is provided around the shaft unit and is in contact with the display panel substrate, in the transport direction of the display panel substrate.
  • a plurality of intermittently arranged in parallel, and the ultrasonic wave imparting section is disposed in a formation area of the roller section in the unit transport section.
  • the display panel substrate placed on each roller unit is rotated by rotating the shaft portions of the plurality of unit transport units arranged in parallel intermittently in the transport direction of the display panel substrate. Be transported. Then, ultrasonic vibration can be efficiently applied to the display panel substrate by the ultrasonic wave application unit disposed in the roller forming region of the unit transport unit.
  • the ultrasonic wave imparting unit is arranged at a position of the unit transport unit that overlaps the transported display panel substrate in a plan view. In this way, ultrasonic vibration can be more efficiently applied to the display panel substrate.
  • the processing liquid supply unit supplies a cleaning liquid as the processing liquid. In this way, the display panel substrate can be efficiently cleaned.
  • the processing liquid supply unit supplies an etching liquid as the processing liquid.
  • the structure formed on the display panel substrate can be efficiently etched.
  • the ultrasonic vibration that is efficiently applied tends to cause a straight flow in the etching solution, the etching accuracy can be increased.
  • the processing liquid supply unit supplies a resist stripping liquid as the processing liquid. In this way, the resist formed on the display panel substrate can be efficiently peeled off.
  • the processing liquid supply unit supplies a developing solution as the processing liquid. In this way, the resist formed on the display panel substrate can be efficiently developed.
  • the processing capability can be improved.
  • FIG. 1 is an exploded perspective view showing a schematic configuration of a television receiver according to Embodiment 1 of the present invention.
  • the exploded perspective view which shows schematic structure of the liquid crystal display device with which a television receiver is equipped
  • Sectional drawing which shows schematically the cross-sectional structure of a liquid crystal display device
  • Sectional drawing which shows the cross-sectional structure of a liquid crystal panel roughly
  • the top view which shows the plane structure of the display area in the array substrate which comprises a liquid crystal panel
  • the top view which shows the plane structure of the display area in CF substrate which comprises a liquid crystal panel
  • Block diagram for explaining a processing procedure by each manufacturing apparatus for a glass substrate Side view showing a schematic configuration of a manufacturing apparatus that supplies a processing liquid onto a glass substrate and performs processing.
  • the top view which shows schematic structure in the manufacturing apparatus which supplies a process liquid on a glass substrate and processes it
  • Perspective view of a unit conveyor provided with an ultrasonic wave application unit The perspective view of a unit conveyor provided with the ultrasonic wave provision part which concerns on Embodiment 2 of this invention.
  • Side sectional view showing the cross-sectional configuration of the unit conveyor Xiv-xiv sectional view of FIG.
  • the side view which shows schematic structure in the manufacturing apparatus which supplies a process liquid on the glass substrate which concerns on Embodiment 3 of this invention, and processes it.
  • FIGS. 1 A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
  • the manufacturing apparatuses 40 to 46 for the substrates 20 and 21 in the liquid crystal panel (display panel) 11 constituting the liquid crystal display device 10 are illustrated.
  • a part of each drawing shows an X axis, a Y axis, and a Z axis, and each axis direction is drawn to be a direction shown in each drawing.
  • FIG. 1 is used as a reference, and the upper side of the figure is the front side and the lower side of the figure is the back side.
  • the television receiver TV includes a liquid crystal display device (display device) 10, front and back cabinets Ca and Cb that are accommodated so as to sandwich the liquid crystal display device 10, a power supply P, A tuner T and a stand S are provided.
  • the liquid crystal display device 10 has a horizontally long rectangular shape as a whole, and includes a liquid crystal panel 11 as a display panel and a backlight device (illumination device) 12 as an external light source, as shown in FIGS. Is integrally held by the bezel 13 or the like.
  • the backlight device 12 is a so-called direct type in which a light source is disposed directly under the back surface of the liquid crystal panel 11.
  • the backlight device 12 includes a chassis 14 opened on the front side (light emission side, liquid crystal panel 11 side), a reflective sheet (reflective member) 15 laid in the chassis 14, and an optical member attached to an opening portion of the chassis 14. 16, a frame 17 for fixing the optical member 16, a plurality of cold cathode tubes (light sources) 18 accommodated in parallel in the chassis 14, and an end portion of the cold cathode tube 18 while shielding light And a lamp holder 19 having light reflectivity.
  • the liquid crystal panel 11 includes a liquid crystal material, which is a substance whose optical characteristics change with application of an electric field, between a pair of transparent (translucent) glass substrates 20 and 21.
  • the liquid crystal layer 22 is enclosed.
  • the one disposed on the back side (backlight device 12 side) is the array substrate (substrate, active matrix substrate) 20, and is disposed on the front side (light emitting side).
  • the substrate is a CF substrate (counter substrate) 21.
  • a pair of front and back polarizing plates 23 are respectively attached to the outer surface sides of both the substrates 20 and 21.
  • a TFT Thin Film Transistor
  • a gate wiring 26 and a source wiring 27 forming a lattice shape are disposed so as to surround them.
  • the pixel electrode 25 is made of a transparent conductive film such as ITO (Indium Tin Oxide). Both the gate wiring 26 and the source wiring 27 are made of a conductive material.
  • the gate wiring 26 and the source wiring 27 are connected to the gate electrode 24a and the source electrode 24b of the TFT 24, respectively, and the pixel electrode 25 is connected to the drain electrode 24c of the TFT 24 via the drain wiring (not shown).
  • the array substrate 20 is provided with a capacitor wiring (auxiliary capacitor wiring, storage capacitor wiring, Cs wiring) 33 that is parallel to the gate wiring 26 and overlaps the pixel electrode 25 in a plan view.
  • the capacitor wiring 33 is arranged alternately with the gate wiring 26 in the Y-axis direction.
  • the gate wiring 26 is disposed between the pixel electrodes 25 adjacent to each other in the Y-axis direction, whereas the capacitor wiring 33 is disposed at a position that substantially crosses the central portion of each pixel electrode 25 in the Y-axis direction.
  • the end portion of the array substrate 20 is provided with a terminal portion routed from the gate wiring 26 and the capacitor wiring 33 and a terminal portion routed from the source wiring 27.
  • Each signal or reference potential is input from an external circuit that is not to be operated, and the drive of the TFT 24 is thereby controlled.
  • An alignment film 28 for aligning liquid crystal molecules contained in the liquid crystal layer 22 is formed on the inner surface side of the array substrate 20 (FIG. 4).
  • each colored portion 29 has a vertically long rectangular shape in plan view following the outer shape of the pixel electrode 25.
  • each coloring part 29 which comprises a color filter
  • the light-shielding part (black matrix) 30 which makes the grid
  • the light shielding portion 30 is disposed so as to overlap with the gate wiring 26, the source wiring 27, and the capacitor wiring 33 on the array substrate 20 in plan view.
  • a counter electrode 31 is provided on the surface of each colored portion 29 and the light shielding portion 30 so as to face the pixel electrode 25 on the array substrate 20 side.
  • An alignment film 32 for aligning liquid crystal molecules contained in the liquid crystal layer 22 is formed on the inner surface side of the CF substrate 21.
  • the TFT 24 which is a switching element in the array substrate 20 will be described in detail.
  • the TFT 24 has a structure in which a plurality of films are stacked on the array substrate 20.
  • the TFT 24 is connected to the gate wiring 26 in order from the lower layer side (array substrate 20 side).
  • the gate electrode 24a, the gate insulating film 35, the semiconductor film 36, the source electrode 24b connected to the source wiring 27, the drain electrode 24c connected to the pixel electrode 25, an interlayer insulating film (passivation film) 37, and a protective film 38 are formed. Are stacked.
  • the gate electrode 24a is made of the same material as the gate wiring 26 and is patterned on the array substrate 20 in the same process as the gate wiring 26.
  • the gate wiring 26 For example, in addition to aluminum (Al), chromium (Cr), tantalum (Ta), It can be formed of a metal film such as titanium (Ti) or copper (Cu) alone or a laminated film of these metal nitrides.
  • the gate insulating film 35 is made of, for example, a silicon oxide film (SiOx), and keeps the gate electrode 24a and the semiconductor film 36 in an insulating state.
  • the semiconductor film 36 is made of, for example, amorphous silicon (a-Si) or a transparent amorphous oxide semiconductor (IGZO: InGaZnOx), and has one end connected to the drain electrode 24c and the other end connected to the source electrode 24b. Thus, it can function as a channel region for conducting electrical conduction between them.
  • a-Si amorphous silicon
  • IGZO transparent amorphous oxide semiconductor
  • the source electrode 24 b and the drain electrode 24 c include the same material as the source wiring 27 and are patterned on the array substrate 20 in the same process as the source wiring 27.
  • the source electrode 24b and the drain electrode 24c are formed by laminating first conductive films 24b1 and 24c1 on the lower layer side (semiconductor film 36 side) and second conductive films 24b2 and 24c2 on the upper layer side (interlayer insulating film 37 side). Is done.
  • the first conductive films 24b1 and 24c1 on the lower layer side are made of amorphous silicon (n + Si) doped with an n-type impurity such as phosphorus (P) at a high concentration, and function as an ohmic contact layer.
  • the upper-layer-side second conductive films 24b2 and 24c2 have a two-layer structure formed by laminating different metal films, of which the lower-layer metal film is made of titanium (Ti), whereas the upper-layer-side metal film Is made of aluminum (Al).
  • the above-described source electrode 24b and drain electrode 24c are arranged opposite to each other with a predetermined interval (opening region) therebetween, and thus are not directly electrically connected to each other.
  • the source electrode 24b and the drain electrode 24c are indirectly electrically connected via the semiconductor film 36 on the lower layer side, and the bridge portion between the electrodes 24b and 24c in the semiconductor film 36 has a drain current. Functions as a flowing channel region.
  • the interlayer insulating film 37 is made of, for example, a silicon oxide film (SiOx), and is made of the same material as the gate insulating film 35 described above.
  • the protective film 38 is made of an acrylic resin (for example, polymethyl methacrylate resin (PMMA)) or a polyimide resin, which is an organic material. Therefore, the protective film 38 is thicker than the gate insulating film 35 and the interlayer insulating film 37 made of other inorganic materials and functions as a planarizing film.
  • Each insulating film (gate insulating film 35, interlayer insulating film 37, and protective film 38) related to the TFT 24 is formed with a uniform film thickness over almost the entire area including the area other than the area where the TFT 24 is formed on the array substrate 20. Has been.
  • the structure (thin film) such as the TFT 24, the pixel electrode 25, and the wirings 26, 27, and 33 is formed on the array substrate 20
  • a known photolithography method is used.
  • 40 to 46 are used. Specifically, as the manufacturing apparatuses 40 to 46, as shown in FIG. 8, a cleaning apparatus 40, a film forming apparatus 41, a resist coating apparatus 42, an exposure apparatus 43, a developing apparatus 44, an etching apparatus 45, and a resist stripping apparatus. 46 is used.
  • the glass substrate GS constituting the array substrate 20 is subjected to a cleaning process by the cleaning apparatus 40, a film forming process by the film forming apparatus 41, a resist coating process by the resist coating apparatus 42, an exposure process by the exposure apparatus 43, and a developing apparatus 44.
  • the target structure is formed in a predetermined pattern through the development process, the etching process by the etching apparatus 45, and the resist peeling process by the resist stripping apparatus 46. By repeating this procedure for each structure, each structure Objects are sequential
  • the glass substrate GS is cleaned by supplying the cleaning liquid as the processing liquid L onto the plate surface of the glass substrate GS before forming each structure (thin film) by the cleaning device 40, Remove dust.
  • the film forming apparatus 41 forms the material of the structure to be formed so as to have a uniform film thickness with respect to the plate surface of the glass substrate GS.
  • a CVD apparatus, a sputtering apparatus, a vacuum evaporation apparatus, or the like is used.
  • a photoresist is laminated on the material film formed by the film forming apparatus 41 by the resist coating apparatus 42 so as to have a uniform film thickness.
  • the exposure device 43 irradiates the photoresist applied by the resist coating device 42 with UV light or the like through a photomask having a predetermined pattern, thereby providing a range corresponding to the pattern of the photomask. To expose.
  • the developing device 44 supplies the developing solution as the processing solution L onto the plate surface of the glass substrate GS, thereby developing the photoresist, and exposing either the exposed region or the non-exposed region (specifically, positive type). In the case of the photoresist, the exposed area is removed, and in the case of the negative type photoresist, the non-exposed area is removed).
  • the material film is patterned by etching and removing a region of the material film that is not covered with the remaining photoresist by the etching apparatus 45.
  • the etching apparatus 45 includes a dry etching apparatus that etches a material film with a reactive gas (etching gas), ions, and radicals, a wet etching apparatus that etches a material film with a reactive liquid (etching solution), and the like. Is used.
  • the material film is etched by supplying the etching liquid as the processing liquid L onto the plate surface of the glass substrate GS.
  • the resist stripping device 46 supplies the resist stripping solution as the processing liquid L onto the plate surface of the glass substrate GS, thereby removing the remaining photoresist.
  • the cleaning apparatus 40 may be used after the processes by the other manufacturing apparatuses 41 to 46 in addition to the cleaning process before film formation. Specifically, after the film forming process by the film forming apparatus 41, a cleaning process may be performed to remove residual substances and dust accompanying the film formation, and the above-described cleaning apparatus 40 is used in the cleaning process. In addition to this, for example, when a dry etching apparatus is used as the etching apparatus 45, a cleaning process may be performed after the etching process in order to remove residues by dry etching, and the above-described cleaning apparatus 40 is also used in the cleaning process. Is used.
  • a cleaning process may be performed in order to remove residual substances and dust accompanying the resist stripping, and the above-described cleaning apparatus 40 is also used in the cleaning process.
  • a step of pre-baking the resist with a pre-baking device may be performed between the resist coating step with the resist coating device 42 and the exposure step with the exposure device 43.
  • a step of post-baking the resist by a post-baking device may be performed.
  • the processing liquid L is supplied onto the plate surface of the glass substrate GS for processing, specifically, the cleaning apparatus 40, the developing apparatus 44, and the etching apparatus for performing wet etching.
  • the (wet etching apparatus) 45 and the resist stripping apparatus 46 employ a common configuration, and the common configuration will be described in detail below. 9 to 11, the X-axis direction coincides with the long side direction of the glass substrate GS to be conveyed, and the Y-axis direction coincides with the short side direction of the glass substrate GS.
  • the cleaning device 40, the developing device 44, the etching device 45 that performs wet etching, and the resist stripping device 46 include a roller conveyor (transport unit) 50 that transports the glass substrate GS and a roller conveyor 50.
  • a nozzle (processing liquid supply unit) 51 for supplying a processing liquid (cleaning liquid, developer, etching liquid, resist stripping liquid) L is provided on the surface of the glass substrate GS to be conveyed.
  • the roller conveyor 50 supports the glass substrate GS from the lower side in the vertical direction, and extends from the left side to the right side (upper side to lower side in FIG. 10) shown in FIG. ). Therefore, the left side (upper side shown in FIG. 10) shown in FIG.
  • the glass substrate GS is supported by the roller conveyor 50 in a posture in which the formation surface of the structure (thin film) or the formation formation surface faces upward in the vertical direction, that is, the plate surface opposite to the formation surface of the structure or the formation formation surface. It is put into the manufacturing apparatuses 40, 44, 45, and 46 in such a posture.
  • the nozzle 51 is arranged on the upper side in the vertical direction with respect to the glass substrate GS, that is, a position where the glass substrate GS is sandwiched between the nozzle 51 and the roller conveyor 50 (a position opposite to the roller conveyor 50 with the glass substrate GS sandwiched).
  • the processing liquid cleaning liquid, developing liquid, etching liquid, resist stripping liquid
  • the processing liquid L with respect to the plate surface facing the upper side in the vertical direction of the transported glass substrate GS, that is, the surface on which the structure (thin film) is formed or the surface to be formed
  • the roller conveyor 50 conveys while supporting the plate surface opposite to the surface to be processed that is processed by the processing liquid L, of both the plate surfaces of the glass substrate GS.
  • a tank for storing the processing liquid L is connected to the nozzle 51 via a pump (both tanks are not shown). By driving the pump, the cleaning liquid L is supplied from the tank to the nozzle 51 at a predetermined pressure. It is possible to supply. Further, as shown in FIG. 10, a plurality of nozzles 51 (specifically, for example, four) are arranged at substantially equal intervals in the short side direction (Y-axis direction) of the glass substrate GS.
  • the roller conveyor 50 includes a pair of frames 52 fixed at a predetermined height position, and a plurality of unit conveyors (unit conveyances) that are spanned between the pair of frames 52 and can be rotated. Part) 53.
  • the pair of frames 52 are configured to extend along the conveyance direction (X-axis direction) of the glass substrate GS, and have a plurality of concave portions 52 a corresponding to the mounting positions of the unit conveyors 53.
  • a plurality of unit conveyors 53 are intermittently arranged in parallel along the conveyance direction of the glass substrate GS (the extending direction of the frame 52), thereby conveying the glass substrate GS while continuously supporting it. Is possible.
  • the unit conveyor 53 includes a shaft portion 54 serving as a rotation axis, and a roller portion 55 that is provided around the shaft portion 54 and directly contacts the glass substrate GS.
  • the shaft portion 54 is made of metal and has a hollow circular rod shape in which the axial direction coincides with the short side direction of the glass substrate GS (the Y-axis direction, the direction along the plate surface of the glass substrate GS and perpendicular to the transport direction). (Elongated cylindrical shape).
  • the shaft portion 54 is pivotally supported so that a portion slightly inward from both ends thereof is attached to the concave portion 52a of the frame 52 via a bearing (not shown).
  • the roller portion 55 is made of a synthetic resin, has a shaft hole 55a through which the shaft portion 54 passes in the center, and has a hollow circle whose axial direction coincides with the shaft portion 54 and whose outer diameter is larger than that of the shaft portion 54. It has a rod shape.
  • the roller portion 55 has a length that extends substantially over the entire length in a portion of the shaft portion 54 that is inward of each of the portions to be attached to the pair of frames 52 (portions that enter the concave portions 52 a).
  • the roller portion 55 has a length dimension that is larger than the short side dimension of the glass substrate GS, whereby the glass substrate GS can be stably supported over the entire width (see FIG. 10). ).
  • the ultrasonic wave which provides an ultrasonic vibration with respect to the roller conveyor 50 which conveys the glass substrate GS.
  • An imparting unit 56 is provided.
  • the ultrasonic vibration is applied to the roller conveyor 50 by the ultrasonic wave applying unit 56, the ultrasonic vibration is also applied to the glass substrate GS conveyed by the roller conveyor 50, and is supplied onto the plate surface of the glass substrate GS. It is assumed that cavitation by ultrasonic vibration can be applied to the processing liquid L. That is, the glass substrate GS that is the object to be processed can be used as a diaphragm.
  • This cavitation is a physical phenomenon (cavity phenomenon) in which bubbles are generated and disappeared in a liquid in a short time.
  • cavitation occurs in the processing liquid L by ultrasonic vibration, a strong shock wave is generated at the moment when a minute cavity is crushed.
  • the processing cleaning processing, developing processing, etching processing, resist stripping processing
  • the action imparted to the treatment liquid L by ultrasonic vibration is an action that imparts a large acceleration to the particles contained in the treatment liquid L to promote treatment (particle acceleration enhancement action).
  • Chemical reaction by synergizing the chemical or physical action by generating a straight flow in the liquid L to promote processing (straight flow action), local high temperature and high pressure by cavitation, and stirring action by vibration. There is an action that promotes (physicochemical reaction promoting action).
  • the ultrasonic wave application unit 56 is provided in one of a plurality of unit conveyors 53 constituting the roller conveyor 50 as shown in FIGS. 9 and 10. Specifically, among the plurality of unit conveyors 53, an ultrasonic wave application unit 56 is provided for the unit conveyor 53 that overlaps the nozzle 51 in a plan view. Thereby, ultrasonic vibration can be applied to the processing liquid L just after being supplied onto the plate surface of the glass substrate GS from the nozzle 51 via the glass substrate GS from the unit conveyer 53 located immediately below the processing liquid L. . As shown in FIGS. 10 and 11, the ultrasonic wave application unit 56 is provided integrally with the shaft unit 54 of the unit conveyor 53.
  • the ultrasonic applicator 56 is disposed at one end of the shaft portion 54 in the axial direction, and is disposed outside the frame 52 (on the side opposite to the roller portion 55 side). That is, it can be said that the ultrasonic wave imparting unit 56 is arranged in the unit conveyor 53 at a position away from the forming region of the roller unit 55 and the glass substrate GS to be transported.
  • the ultrasonic wave application unit 56 includes, for example, a piezoelectric ceramic capable of converting an electric signal into ultrasonic vibration as an ultrasonic oscillation element that oscillates ultrasonic vibration.
  • the ultrasonic oscillating element (piezoelectric ceramic) provided in the ultrasonic wave applying unit 56 can oscillate ultrasonic waves having a frequency included in the range of 28 KHz to 950 KHz, for example.
  • an external control circuit is connected to the ultrasonic oscillating element via a wiring (not shown), and the driving of the ultrasonic oscillating element can be controlled by supplying an electric signal for oscillating the ultrasonic wave. ing.
  • the ultrasonic oscillating element provided in the ultrasonic wave application unit 56 oscillates, for example, an ultrasonic wave having a vibration direction in a direction parallel to a radial direction around the shaft portion 54 (a direction orthogonal to the axial direction of the shaft portion 54).
  • the vibration direction of the ultrasonic wave oscillated by the ultrasonic oscillation element may be a direction parallel to the axial direction of the shaft portion 54. In that case, the plate surface (short side direction) with respect to the glass substrate GS. ) In the direction parallel to ().
  • This embodiment has the structure as described above, and its operation will be described next.
  • various processes cleaning process, film forming process, resist coating process, exposure
  • processing development processing, etching processing, resist stripping processing
  • the structure is formed in a predetermined pattern, and by repeating this procedure, the respective structures are sequentially stacked.
  • the gate as the second layer is formed.
  • the insulating film 35 is formed through the cleaning apparatus 40 and the film forming apparatus 41 among the manufacturing apparatuses 40 to 46 described above, and the semiconductor film 36 as the third layer is patterned through the manufacturing apparatuses 40 to 46 described above.
  • the source electrode 24b, the drain electrode 24c, the source wiring 27, the drain wiring, and the contact portion, which are the fourth layer are patterned through the manufacturing apparatuses 40 to 46, and the interlayer insulating film 37, which is the fifth layer, and the first layer are patterned.
  • the protective film 38 as the sixth layer is formed through the cleaning device 40 and the film forming device 41 among the manufacturing apparatuses 40 to 46 described above, and the pixel electrode 25 as the seventh layer is formed as described above. Patterning is performed through .about.46.
  • the array substrate 20 is manufactured through the above procedure.
  • the processing liquid (cleaning liquid, developing liquid, etching liquid, resist stripping liquid) L is supplied onto the plate surface of the glass substrate GS to perform the processing (cleaning processing, development processing, etching).
  • Processing, resist stripping processing specifically, operations related to the cleaning device 40, the developing device 44, the etching device (wet etching device) 45 for performing wet etching, and the resist stripping device 46 will be described in detail.
  • the glass substrate GS is transported while being supported by the roller conveyor 50 from below in the vertical direction, and is perpendicular to the glass substrate GS.
  • the structure (thin film) formation surface or the formation scheduled surface on the glass substrate GS is processed.
  • the ultrasonic applicator 56 Since the unit conveyor 53 constituting the roller conveyor 50 includes an ultrasonic applicator 56, the ultrasonic applicator 56 is operated to be conveyed from the unit conveyor 53. Ultrasonic vibration can be applied to the glass substrate GS. At this time, the unit conveyor 53 including the ultrasonic wave application unit 56 is entirely ultrasonically vibrated by the ultrasonic wave application unit 56 provided at the end of the shaft portion 54, and thus the glass substrate GS is shown in FIGS. As shown in FIG.
  • a planar region over a predetermined length of the entire area vibrates ultrasonically.
  • the roller conveyor 50 that conveys the glass substrate GS is ultrasonically vibrated, the glass substrate GS that is the object to be conveyed and the object to be processed can be used as a “planar diaphragm”.
  • the treatment liquid L can be ultrasonically vibrated on the “surface”. Therefore, as compared with the conventional case where an ultrasonic wave application unit is provided in the nozzle and ultrasonic vibration is applied to the processing liquid only at the injection point, the process which is supplied from the nozzle 51 and spreads on the plate surface of the glass substrate GS. Cavitation caused by ultrasonic vibration can be applied to the liquid L over a wide range.
  • the process with respect to the glass substrate GS can be performed efficiently and uniformly in the surface of the glass substrate GS, and the processing capability can be improved.
  • the glass substrate GS is increased in size, it is required to perform the process more efficiently, and processing unevenness tends to occur within the surface, and thus this embodiment is useful for increasing the size of the glass substrate GS. It has become.
  • the action obtained by the ultrasonic wave application unit 56 may vary depending on the manufacturing apparatuses 40, 44, 45, and 46, and will be described below for each of the manufacturing apparatuses 40, 44, 45, and 46.
  • ultrasonic vibration by the ultrasonic wave application unit 56 is applied to the cleaning liquid that is the processing liquid L via the unit conveyor 53 and the glass substrate GS, so that cavitation, particle acceleration enhancement, and straight travel are performed in the cleaning liquid.
  • a flow action or the like can be obtained, thereby obtaining a high cleaning treatment capacity.
  • ultrasonic vibration by the ultrasonic wave application unit 56 is applied to the etching liquid that is the processing liquid L via the unit conveyor 53 and the glass substrate GS, so that cavitation and particles are generated in the etching liquid.
  • An acceleration enhancement effect, a straight flow effect, a physicochemical reaction promotion effect, and the like can be obtained, thereby obtaining a high etching processing capability.
  • the ultrasonic vibration generated by the ultrasonic wave applying unit 56 is applied to the developing solution as the processing solution L via the unit conveyor 53 and the glass substrate GS, so that cavitation, particle acceleration enhancement action, A straight flow action, a physicochemical reaction promoting action, and the like can be obtained, and thereby high development processing ability can be obtained.
  • the resist stripping device 46 ultrasonic vibration by the ultrasonic wave imparting unit 56 is imparted to the resist stripping liquid as the processing liquid L via the unit conveyor 53 and the glass substrate GS, so that cavitation and particle acceleration in the resist stripping liquid are performed. An enhancement action, a straight flow action, and the like can be obtained, whereby a high resist stripping capability can be obtained.
  • the manufacturing apparatus 40, 44, 45, 46 for the array substrate 20 for the liquid crystal panel 11 has the roller conveyor (the display panel substrate) GS that forms the array substrate 20. (Conveying section) 50, a nozzle (processing liquid supply section) 51 for supplying the processing liquid L onto the plate surface of the glass substrate GS conveyed by the roller conveyor 50, and an ultrasonic wave for applying ultrasonic vibration to the roller conveyor 50. And a sound wave applying unit 56.
  • the processing liquid L is supplied from the nozzle 51 onto the plate surface of the glass substrate GS while the glass substrate GS is conveyed by the roller conveyor 50.
  • the ultrasonic vibration to the roller conveyor 50 by the ultrasonic applying unit 56, it is possible to apply ultrasonic vibration to the glass substrate GS being conveyed, and through the glass substrate GS. Cavitation by ultrasonic vibration can be applied to the processing liquid L on the plate surface. That is, since the glass substrate GS ultrasonically vibrates the processing liquid L on the “surface”, compared with the conventional case where the nozzle is provided with the ultrasonic wave imparting portion, the glass substrate GS is supplied to the glass substrate GS on the plate surface.
  • Cavitation caused by ultrasonic vibration can be applied to the treatment liquid L spreading over a wide range. Thereby, the effect
  • this embodiment is useful when the glass substrate GS is enlarged. According to this embodiment, the processing capability can be improved.
  • the ultrasonic wave application unit 56 is provided integrally with the roller conveyor 50. If it does in this way, compared with the case where these are made into a different body, an ultrasonic vibration can be efficiently provided with respect to the roller conveyor 50 from the ultrasonic application part 56.
  • FIG. 1 A block diagram illustrating an ultrasonic vibration according to the roller conveyor 50.
  • the roller conveyor 50 is disposed on the opposite side of the nozzle 51 with the glass substrate GS interposed therebetween. If it does in this way, the ultrasonic vibration from the ultrasonic provision part 56 can be provided to the glass substrate GS via the roller conveyor 50 from the opposite side to the nozzle 51 side.
  • the roller conveyor 50 includes a unit conveyor (unit transport unit) 53 including a shaft portion 54 serving as a rotation axis and a roller portion 55 provided around the shaft portion 54 and in contact with the glass substrate GS.
  • a plurality of intermittently arranged parallel arrangements in the conveyance direction, and the ultrasonic wave application unit 56 is provided integrally with the shaft unit 54. If it does in this way, the glass part GS mounted on each roller part 55 will be carried out by rotating the shaft part 54 of the several unit conveyor 53 distribute
  • the unit conveyor 53 is configured such that the roller portion 55 is provided in an area of the shaft portion 54 excluding both end portions in the axial direction, and the ultrasonic wave applying portion 56 is arranged in the axial direction of the shaft portion 54. It is arranged at the end. If it does in this way, ultrasonic vibration can be given to the whole from the end of shaft part 54.
  • the nozzle 51 supplies a cleaning liquid as the processing liquid L. In this way, the glass substrate GS can be efficiently cleaned.
  • the nozzle 51 supplies an etching solution as the processing solution L.
  • the structure formed on the glass substrate GS can be efficiently etched.
  • the ultrasonic vibration that is efficiently applied tends to cause a straight flow in the etching solution, the etching accuracy can be increased.
  • the nozzle 51 supplies a resist stripping solution as the processing solution L. In this way, the resist formed on the glass substrate GS can be efficiently peeled off.
  • the nozzle 51 supplies a developing solution as the processing solution L. In this way, the resist formed on the glass substrate GS can be developed efficiently.
  • Embodiment 2 A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In this Embodiment 2, what changed arrangement
  • the ultrasonic wave application unit 156 is arranged in the formation region of the roller unit 155 in the unit conveyor 153.
  • the ultrasonic wave applying portion 156 is integrally provided in the central portion of the shaft portion 154 excluding both end portions, that is, in the region where the roller portion 155 is formed.
  • a plurality of ultrasonic wave imparting portions 156 are intermittently arranged in the shaft portion 154 in the length direction (axial direction) (shown as four in FIG. 14). All of these ultrasonic wave imparting portions 156 are arranged at positions that are superimposed on the glass substrate GS being transported in a plan view. Therefore, the ultrasonic vibration generated in each ultrasonic wave application unit 156 can be efficiently transmitted to the glass substrate GS, thereby improving the transmission efficiency to the processing liquid L and further improving the processing capability. be able to.
  • the roller conveyor 150 includes the unit conveyor 153 including the shaft portion 154 serving as the rotation shaft and the roller portion 155 provided around the shaft portion 154 and in contact with the glass substrate GS.
  • a plurality of intermittently arranged in parallel in the conveyance direction of the glass substrate GS, and the ultrasonic wave application unit 156 is arranged in the formation region of the roller unit 155 in the unit conveyor 153. If it does in this way, the glass part GS mounted on each roller part 155 will be carried out by rotating the shaft part 154 of the several unit conveyor 153 arrange
  • the ultrasonic wave imparting unit 156 is disposed at a position of the unit conveyor 153 that overlaps with the glass substrate GS being transported when viewed in plan. In this way, ultrasonic vibration can be more efficiently applied to the glass substrate GS.
  • Embodiment 3 of the present invention will be described with reference to FIG.
  • a plurality of unit conveyors 253 each including an ultrasonic wave applying unit 256 are shown.
  • action, and effect as above-mentioned Embodiment 1 is abbreviate
  • each of the three unit conveyors 253 near the nozzle 251 is super A sound wave applying unit 256 is provided.
  • the ultrasonic wave imparting unit 256 is individually provided on three unit conveyors 253 that are adjacent (continuously arranged in parallel) in the transport direction of the glass substrate GS.
  • the three unit conveyors 253 provided with the ultrasonic wave application unit 256 overlap with the nozzles 251 in a plan view, and the two unit conveyors 253 are arranged downstream of the nozzles 251 in the conveyance direction of the glass substrate GS. And are included.
  • each ultrasonic wave application unit 256 included in these three unit conveyors 253 When ultrasonic vibration is generated in each ultrasonic wave application unit 256 included in these three unit conveyors 253, ultrasonic vibration is applied to the glass substrate GS from the three unit conveyors 253 continuous in the transport direction. Each action by ultrasonic vibration is given to the treatment liquid L supplied from the nozzle 251 and spread on the plate surface of the glass substrate GS over a wider range. Thereby, it becomes possible to further improve the processing capability.
  • the present invention is not limited to the embodiments described with reference to the above description and drawings.
  • the following embodiments are also included in the technical scope of the present invention.
  • only one ultrasonic wave imparting portion is arranged in the circumferential direction in the shaft portion constituting the unit conveyor.
  • two ultrasonic wave applying portions 56-1 may be provided in the circumferential direction.
  • the two ultrasonic wave applying units 56-1 are arranged at equal intervals with an angular interval of about 180 degrees. If it does in this way, ultrasonic vibration can be efficiently given to glass substrate GS from unit conveyor 53-1 which rotates with conveyance of glass substrate GS with a short time interval.
  • the shaft portion 54-2 in the shaft portion 54-2, four ultrasonic wave applying portions 56-2 may be provided in the circumferential direction.
  • the four ultrasonic wave application units 56-2 are arranged at equal intervals with an angular interval of about 90 degrees. If it does in this way, ultrasonic vibration can be efficiently given to a glass substrate GS from a unit conveyor 53-2 which rotates with conveyance of glass substrate GS with a shorter time interval.
  • positioned in the circumferential direction of a shaft part may be three, and may be five or more.
  • the ultrasonic wave application portions are arranged at equal intervals in the circumferential direction of the shaft portion.
  • the ultrasonic wave application portions do not necessarily need to be arranged at equal intervals, and can be arranged at unequal pitches in the circumferential direction of the shaft portion.
  • the ultrasonic wave application unit has a dotted shape in the circumferential direction of the shaft unit.
  • the ultrasonic wave application unit 56-3 includes the shaft unit 54. It is also possible to form an annular shape along the circumferential direction of -3.
  • the ultrasonic wave applying portion is provided only on one end side of the both end portions of the shaft portion. For example, as shown in FIG. You may make it provide the ultrasonic provision part 56-4 with respect to each of the both ends in 54-4.
  • the color filters of the color filter included in the liquid crystal panel are exemplified by three colors of R, G, and B.
  • the color parts can be four or more colors.
  • Y yellow
  • R, G, and B which are the three primary colors of light, as shown in FIG.
  • the manufacturing apparatus used when manufacturing the array substrate has been described.
  • the present invention is also applicable to a manufacturing apparatus used when manufacturing the CF substrate. Specifically, when manufacturing a CF substrate, a processing liquid is supplied onto the plate surface of the glass substrate in a manufacturing apparatus used for patterning a color filter and a light-shielding portion on the glass substrate by photolithography. By applying the present invention to what performs processing, the same operation and effect as the above-described embodiments can be obtained.
  • a plurality of ultrasonic wave imparting portions arranged in the roller portion forming region of the unit conveyor may be provided in parallel in the circumferential direction of the shaft portion, or may be annular in the circumferential direction of the shaft portion.
  • the ultrasonic wave applying unit is provided only on one unit conveyor that overlaps the nozzle and the plane, but for example, the nozzle does not overlap the nozzle when viewed from the plane 1 You may make it provide an ultrasonic provision part only in one unit conveyor.
  • the unit conveyor provided with the ultrasonic wave imparting unit may be disposed on the downstream side with respect to the nozzle in the conveyance direction of the glass substrate or may be disposed on the upstream side.
  • the ultrasonic wave imparting units are provided in the three unit conveyors adjacent in the conveyance direction of the glass substrate, but the specific number of unit conveyors provided with the ultrasonic wave imparting units is as follows. Other than three, it can change suitably.
  • the ultrasonic wave imparting unit can be provided on two unit conveyors or four or more unit conveyors adjacent in the conveyance direction of the glass substrate.
  • the ultrasonic wave imparting units are provided in the three unit conveyors adjacent to each other in the conveyance direction of the glass substrate, but the plurality of unit conveyors that are not adjacent to each other in the conveyance direction of the glass substrate. You may make it provide an ultrasonic provision part.
  • the unit conveyor provided with the ultrasonic wave application unit and the unit conveyor provided with the ultrasonic wave application unit, and the unit conveyor provided with the ultrasonic wave application unit, such as a unit conveyor not provided with the ultrasonic wave application unit are alternately arranged in the conveying direction of the glass substrate.
  • the arrangement (order) with the unit conveyor that does not include the sonic wave imparting unit can be changed as appropriate.
  • the ultrasonic applicator is provided on the shaft portion constituting the unit conveyor.
  • the ultrasonic applicator may be provided integrally with the roller unit. I do not care.
  • a cleaning device, a developing device, an etching device, and a resist stripping device are exemplified as a manufacturing device including an ultrasonic wave application unit.
  • the present invention can also be applied to other manufacturing apparatuses that perform processing by supplying the above.
  • an apparatus for manufacturing an array substrate or a CF substrate for a liquid crystal panel used in a liquid crystal display device including a direct type backlight device is exemplified, but a liquid crystal including an edge light type backlight device is exemplified.
  • the present invention can also be applied to an apparatus for manufacturing an array substrate of a liquid crystal panel or a CF substrate used in a display device.
  • an example of an apparatus for manufacturing an array substrate or a CF substrate of a liquid crystal display device using a TFT as a switching element is illustrated, but a switching element other than a TFT (for example, a thin film diode (TFD)) is used.
  • the present invention can also be applied to an apparatus for manufacturing an array substrate of a liquid crystal panel or a CF substrate used in a liquid crystal display device.
  • the present invention can also be applied to an apparatus for manufacturing an array substrate or a CF substrate for a liquid crystal panel used in a liquid crystal display device for monochrome display.
  • SYMBOLS 11 Liquid crystal panel (display panel), 20 ... Array substrate (display panel substrate), 21 ... CF substrate (display panel substrate), 40 ... Cleaning device (manufacturing device), 44 ... Developing device (manufacturing device), 45 ... Etching apparatus (manufacturing apparatus), 46 ... Resist stripping apparatus (manufacturing apparatus), 50 ... Roller conveyor (conveyance section), 51, 251 ... Nozzle (treatment liquid supply section), 53, 153, 253 ... Unit conveyor (unit conveyance) Part), 54,154 ... shaft part, 55,155 ... roller part, 56,156,256 ... ultrasonic wave application part, GS ... glass substrate (substrate for display panel), L ... treatment liquid

Abstract

液晶パネル（１１）用のアレイ基板（２０）の製造装置である洗浄装置（４０）、現像装置（４４）、エッチング装置（４５）、レジスト剥離装置（４６）は、アレイ基板（２０）をなすガラス基板（表示パネル用基板）（ＧＳ）を搬送するローラコンベア（搬送部）（５０）と、ローラコンベア（５０）によって搬送されるガラス基板（ＧＳ）の板面上に処理液（Ｌ）を供給するノズル（処理液供給部）（５１）と、ローラコンベア（５０）に対して超音波振動を付与する超音波付与部（５６）とを備える。

Description

表示パネル用基板の製造装置
　本発明は、表示パネル用基板の製造装置に関する。
　従来、液晶表示装置の主要構成部品である液晶パネルを製造する際には、ガラス基板の表面にフォトリソグラフィ法により各種処理（レジスト塗布処理、レジスト剥離処理、エッチング処理、洗浄処理など）を施すべく、各種処理装置が用いられる。例えば、洗浄処理工程において用いられる洗浄装置では、ガラス基板を搬送しつつその表面に対してノズルから洗浄液を噴射するようにしている。この洗浄装置において洗浄性能を向上させるため、ノズルに超音波発振器を内蔵させ、噴射する洗浄液に超音波振動を印加するようにしたものが知られており、その一例が特許文献１に記載されている。
特開２００７－２１６２０９号公報
（発明が解決しようとする課題）
　ところが、洗浄液は、ノズルから噴射される際には超音波振動が付与されているものの、噴射後にガラス基板の板面上に広がった状態では超音波振動が付与されることがない。つまり、洗浄液には、ノズルの噴射ポイントでのみ超音波振動が付与されるため、超音波振動による作用がガラス基板の全体において十分に得られないといった問題があった。これらの原因により、洗浄装置における洗浄能力が不十分なものとなったり、洗浄ムラが生じるおそれがあった。上記した問題は、処理対象であるガラス基板が大型化すると一層顕著なものとなる傾向にある。
　本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、処理能力を向上させることを目的とする。
（課題を解決するための手段）
　本発明の表示パネル用基板の製造装置は、表示パネル用基板を搬送する搬送部と、前記搬送部によって搬送される前記表示パネル用基板の板面上に処理液を供給する処理液供給部と、前記搬送部に対して超音波振動を付与する超音波付与部とを備える。
　このような構成によれば、搬送部により表示パネル用基板を搬送しつつ、表示パネル用基板の板面上に処理液供給部から処理液を供給する。ここで、超音波付与部により搬送部に対して超音波振動を付与することで、搬送される表示パネル用基板に対して超音波振動を付与することができ、その表示パネル用基板を介して板面上の処理液に超音波振動によるキャビテーションなどを作用させることができる。つまり、表示パネル用基板が処理液をいわば「面」で超音波振動させるので、従来のように処理液供給部に超音波付与部を設けた場合に比べると、表示パネル用基板に供給されてその板面上に広がった処理液に対して広範囲にわたって超音波振動によるキャビテーションなどを作用させることができる。これにより、処理液に対して超音波振動による作用を効率的に且つムラなく付与することができ、もって表示パネル用基板の処理能力を向上させることができる。特に、本発明は表示パネル用基板が大型化された場合に有用となる。
　本発明の実施態様として、次の構成が好ましい。
（１）前記超音波付与部は、前記搬送部に一体に設けられている。このようにすれば、仮にこれらを別体とした場合に比べると、超音波付与部から搬送部に対して超音波振動を効率的に付与することができる。
（２）前記搬送部は、前記処理液供給部に対して前記表示パネル用基板を挟んだ反対側に配されている。このようにすれば、超音波付与部からの超音波振動を、搬送部を介して表示パネル用基板に対して処理液供給部側とは反対側から付与することができる。
（３）前記搬送部は、回転軸となるシャフト部と、前記シャフト部に周設されるとともに前記表示パネル用基板に接するローラ部とからなる単位搬送部を、前記表示パネル用基板の搬送方向について複数間欠的に並列して配した構成とされており、前記超音波付与部は、前記シャフト部に一体に設けられている。このようにすれば、表示パネル用基板の搬送方向について間欠的に並列して配された複数の単位搬送部のシャフト部が回転されることで、各ローラ部に載せられた表示パネル用基板が搬送される。そして、シャフト部に一体に設けられた超音波付与部により表示パネル用基板に対して超音波振動を効率的に付与することができる。
（４）前記単位搬送部は、前記シャフト部のうちその軸方向について両端部を除いた領域に前記ローラ部が設けられた構成とされており、前記超音波付与部は、前記シャフト部における軸方向の端部に配されている。このようにすれば、シャフト部の端部からその全体に対して超音波振動を付与することができる。
（５）前記搬送部は、回転軸となるシャフト部と、前記シャフト部に周設されるとともに前記表示パネル用基板に接するローラ部とからなる単位搬送部を、前記表示パネル用基板の搬送方向について複数間欠的に並列して配した構成とされており、前記超音波付与部は、前記単位搬送部における前記ローラ部の形成領域に配されている。このようにすれば、表示パネル用基板の搬送方向について間欠的に並列して配された複数の単位搬送部のシャフト部が回転されることで、各ローラ部に載せられた表示パネル用基板が搬送される。そして、単位搬送部におけるローラ部の形成領域に配された超音波付与部により表示パネル用基板に対して超音波振動を効率的に付与することができる。
（６）前記超音波付与部は、前記単位搬送部のうち、搬送される前記表示パネル用基板と平面に視て重畳する位置に配されている。このようにすれば、表示パネル用基板に対して超音波振動をより効率的に付与することができる。
（７）前記処理液供給部は、前記処理液として洗浄液を供給する。このようにすれば、表示パネル用基板を効率的に洗浄することができる。
（８）前記処理液供給部は、前記処理液としてエッチング液を供給する。このようにすれば、表示用パネル基板上に形成された構造物を効率的にエッチングすることができる。しかも、効率的に付与される超音波振動によりエッチング液に直進流が生じ易くなるので、エッチング精度を高いものとすることができる。
（９）前記処理液供給部は、前記処理液としてレジスト剥離液を供給する。このようにすれば、表示パネル用基板上に形成されたレジストを効率的に剥離することができる。
（１０）前記処理液供給部は、前記処理液として現像液を供給する。このようにすれば、表示パネル用基板上に形成されたレジストを効率的に現像することができる。
（発明の効果）
　本発明によれば、処理能力を向上させることができる。
本発明の実施形態１に係るテレビ受信装置の概略構成を示す分解斜視図 テレビ受信装置が備える液晶表示装置の概略構成を示す分解斜視図 液晶表示装置の断面構成を概略的に示す断面図 液晶パネルの断面構成を概略的に示す断面図 液晶パネルを構成するアレイ基板における表示領域の平面構成を示す平面図 液晶パネルを構成するＣＦ基板における表示領域の平面構成を示す平面図 図６のvii-vii線に沿った拡大断面図 ガラス基板に対する各製造装置による処理手順を説明するためのブロック図 ガラス基板上に処理液を供給して処理を行う製造装置における概略構成を示す側面図 ガラス基板上に処理液を供給して処理を行う製造装置における概略構成を示す平面図 超音波付与部を備える単位コンベアの斜視図 本発明の実施形態２に係る超音波付与部を備える単位コンベアの斜視図 単位コンベアの断面構成を示す側断面図 図１３のxiv-xiv線断面図 本発明の実施形態３に係るガラス基板上に処理液を供給して処理を行う製造装置における概略構成を示す側面図 本発明の他の実施形態（１）に係る超音波付与部を備える単位コンベアの側面図 本発明の他の実施形態（２）に係る超音波付与部を備える単位コンベアの側面図 本発明の他の実施形態（３）に係る超音波付与部を備える単位コンベアの側面図 本発明の他の実施形態（４）に係る超音波付与部を備える単位コンベアの斜視図 本発明の他の実施形態（５）に係るＣＦ基板の平面構成を示す拡大平面図
　＜実施形態１＞
　本発明の実施形態１を図１から図１１によって説明する。本実施形態では、液晶表示装置１０を構成する液晶パネル（表示パネル）１１における基板２０，２１の製造装置４０～４６について例示する。なお、各図面の一部にはＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を示しており、各軸方向が各図面で示した方向となるように描かれている。また、上下方向については、図１を基準とし、且つ同図上側を表側とするとともに同図下側を裏側とする。
　本実施形態に係るテレビ受信装置ＴＶは、図１に示すように、液晶表示装置（表示装置）１０と、当該液晶表示装置１０を挟むようにして収容する表裏両キャビネットＣａ，Ｃｂと、電源Ｐと、チューナーＴと、スタンドＳとを備えて構成される。液晶表示装置１０は、全体として横長の方形をなし、図２及び図３に示すように、表示パネルである液晶パネル１１と、外部光源であるバックライト装置（照明装置）１２とを備え、これらがベゼル１３などにより一体的に保持されるようになっている。
　先にバックライト装置１２の構成の概略について説明する。バックライト装置１２は、液晶パネル１１の背面直下に光源を配置してなる、いわゆる直下型とされる。バックライト装置１２は、表側（光出射側、液晶パネル１１側）に開口したシャーシ１４と、シャーシ１４内に敷設される反射シート（反射部材）１５と、シャーシ１４の開口部分に取り付けられる光学部材１６と、光学部材１６を固定するためのフレーム１７と、シャーシ１４内に並列した状態で収容される複数本の冷陰極管（光源）１８と、冷陰極管１８の端部を遮光するとともに自身が光反射性を備えてなるランプホルダ１９と、を有して構成されている。
　次に液晶パネル１１について説明する。液晶パネル１１は、図４に示すように、一対の透明な（透光性を有する）ガラス製の基板２０，２１間に、電界印加に伴って光学特性が変化する物質である液晶材料を含む液晶層２２を封入してなる。液晶パネル１１を構成する両基板２０，２１のうち裏側（バックライト装置１２側）に配されるものが、アレイ基板（基板、アクティブマトリクス基板）２０とされ、表側（光出射側）に配されるものが、ＣＦ基板（対向基板）２１とされている。なお、両基板２０，２１の外面側には、表裏一対の偏光板２３がそれぞれ貼り付けられている。
　アレイ基板２０における内面側（液晶層２２側、ＣＦ基板２１との対向面側）には、図５に示すように、３つの電極２４ａ～２４ｃを有するスイッチング素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor）２４及び画素電極２５が多数個並んで設けられるとともに、これらＴＦＴ２４及び画素電極２５の周りには、格子状をなすゲート配線２６及びソース配線２７が取り囲むようにして配設されている。画素電極２５は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなる。ゲート配線２６及びソース配線２７は、共に導電材料からなる。ゲート配線２６とソース配線２７とがそれぞれＴＦＴ２４のゲート電極２４ａとソース電極２４ｂとに接続され、画素電極２５がドレイン配線（図示せず）を介してＴＦＴ２４のドレイン電極２４ｃに接続されている。アレイ基板２０には、ゲート配線２６に並行するとともに画素電極２５に対して平面に視て重畳する容量配線（補助容量配線、蓄積容量配線、Ｃｓ配線）３３が設けられている。容量配線３３は、Ｙ軸方向についてゲート配線２６と交互に配されている。ゲート配線２６がＹ軸方向に隣り合う画素電極２５の間に配されているのに対し、容量配線３３は、各画素電極２５におけるＹ軸方向のほぼ中央部を横切る位置に配されている。このアレイ基板２０の端部には、ゲート配線２６及び容量配線３３から引き回された端子部及びソース配線２７から引き回された端子部が設けられており、これらの各端子部には、図示しない外部回路から各信号または基準電位が入力されるようになっており、それによりＴＦＴ２４の駆動が制御される。また、アレイ基板２０の内面側には、液晶層２２に含まれる液晶分子を配向させるための配向膜２８が形成されている（図４）。
　一方、ＣＦ基板２１における内面側（液晶層２２側、アレイ基板２０との対向面側）には、図４及び図６に示すように、アレイ基板２０側の各画素電極２５と平面に視て重畳する位置に多数個のカラーフィルタが並んで設けられている。カラーフィルタは、Ｒ（赤色），Ｇ（緑色），Ｂ（青色）を呈する各着色部２９がＸ軸方向に沿って交互に並ぶ配置とされる。また、各着色部２９の外形は、画素電極２５の外形に倣って平面に視て縦長の方形状をなしている。カラーフィルタを構成する各着色部２９間には、混色を防ぐための格子状をなす遮光部（ブラックマトリクス）３０が形成されている。遮光部３０は、アレイ基板２０側のゲート配線２６、ソース配線２７及び容量配線３３に対して平面視重畳する配置とされる。また、各着色部２９及び遮光部３０の表面には、アレイ基板２０側の画素電極２５と対向する対向電極３１が設けられている。また、ＣＦ基板２１の内面側には、液晶層２２に含まれる液晶分子を配向させるための配向膜３２がそれぞれ形成されている。
　ここで、アレイ基板２０のうち特にスイッチング素子であるＴＦＴ２４に関して詳しく説明する。ＴＦＴ２４は、図５及び図７に示すように、アレイ基板２０上に複数の膜を積層した構成とされており、具体的には下層側（アレイ基板２０側）から順に、ゲート配線２６に接続されたゲート電極２４ａ、ゲート絶縁膜３５、半導体膜３６、ソース配線２７に接続されたソース電極２４ｂ及び画素電極２５に接続されたドレイン電極２４ｃ、層間絶縁膜（パッシベーション膜）３７、保護膜３８が積層されている。
　ゲート電極２４ａは、ゲート配線２６と同一材料からなるとともにゲート配線２６と同一工程にてアレイ基板２０上にパターニングされており、例えばアルミニウム（Ａｌ）の他、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）等の金属膜単体又はこれらの金属窒化物との積層膜で形成することができる。ゲート絶縁膜３５は、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）からなり、ゲート電極２４ａと半導体膜３６とを絶縁状態に保つものとされる。半導体膜３６は、例えばアモルファスシリコン（ａ‐Ｓｉ）または透明なアモルファス酸化物半導体（ＩＧＺＯ：ＩｎＧａＺｎＯｘ）からなるものとされ、一端側がドレイン電極２４ｃに、他端側がソース電極２４ｂにそれぞれ接続されることで、相互間の導通を図るチャネル領域として機能し得るものとされる。
　ソース電極２４ｂ及びドレイン電極２４ｃは、ソース配線２７と同一材料を含むとともにソース配線２７と同一工程にてアレイ基板２０上にパターニングされている。ソース電極２４ｂ及びドレイン電極２４ｃは、下層側（半導体膜３６側）の第１導電膜２４ｂ１，２４ｃ１と、上層側（層間絶縁膜３７側）の第２導電膜２４ｂ２，２４ｃ２とを積層した構成とされる。下層側の第１導電膜２４ｂ１，２４ｃ１は、例えばリン（Ｐ）等のｎ型不純物を高濃度にドーピングしたアモルファスシリコン（ｎ＋Ｓｉ）からなり、オーミックコンタクト層として機能するものである。上層側の第２導電膜２４ｂ２，２４ｃ２は、異なる金属膜を積層してなる２層構造とされており、そのうち下層側の金属膜がチタン（Ｔｉ）からなるのに対し、上層側の金属膜がアルミニウム（Ａｌ）からなる。
　上記したソース電極２４ｂ及びドレイン電極２４ｃは、所定の間隔（開口領域）を挟んで対向状に配されているため、相互が直接的には電気的に接続されていない。しかし、ソース電極２４ｂ及びドレイン電極２４ｃは、その下層側の半導体膜３６を介して間接的に電気的に接続されており、この半導体膜３６における両電極２４ｂ，２４ｃ間のブリッジ部分がドレイン電流が流れるチャネル領域として機能する。
　層間絶縁膜３７は、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）からなり、上記したゲート絶縁膜３５と同一材料とされる。保護膜３８は、有機材料であるアクリル樹脂（例えばポリメタクリル酸メチル樹脂（ＰＭＭＡ））やポリイミド樹脂からなる。従って、この保護膜３８は、他の無機材料からなるゲート絶縁膜３５、層間絶縁膜３７に比べて膜厚が厚いものとされるとともに、平坦化膜として機能するものである。なお、ＴＦＴ２４に係る各絶縁膜（ゲート絶縁膜３５、層間絶縁膜３７及び保護膜３８）は、それぞれアレイ基板２０においてＴＦＴ２４の形成領域以外の領域を含みつつ概ね全域にわたって均一な膜厚でもって形成されている。
　上記したＴＦＴ２４、画素電極２５、及び各配線２６，２７，３３などの構造物（薄膜）をアレイ基板２０上に形成するに際しては、既知のフォトリソグラフィ法が用いられており、そのために各種製造装置４０～４６が用いられている。具体的には、製造装置４０～４６としては、図８に示すように、洗浄装置４０、成膜装置４１、レジスト塗布装置４２、露光装置４３、現像装置４４、エッチング装置４５、及びレジスト剥離装置４６が用いられる。そして、アレイ基板２０を構成するガラス基板ＧＳには、洗浄装置４０による洗浄工程、成膜装置４１による成膜工程、レジスト塗布装置４２によるレジスト塗布工程、露光装置４３による露光工程、現像装置４４による現像工程、エッチング装置４５によるエッチング工程、レジスト剥離装置４６によるレジスト剥離工程を経ることで目的の構造物が所定のパターンにて形成され、この手順を各構造物毎に繰り返し行うことで、各構造物が順次に積層形成される。
　具体的には、洗浄工程では、洗浄装置４０により、各構造物（薄膜）を形成する前のガラス基板ＧＳの板面上に処理液Ｌとして洗浄液を供給することでガラス基板ＧＳを洗浄し、塵埃などを除去する。成膜工程では、成膜装置４１により、形成する構造物の材料をガラス基板ＧＳの板面に対して均一な膜厚となるよう成膜する。この成膜装置４１としては、具体的にはＣＶＤ装置、スパッタ装置、真空蒸着装置などが用いられる。レジスト塗布工程では、レジスト塗布装置４２により、成膜装置４１により成膜された材料膜に対してフォトレジストを均一な膜厚となるよう積層形成する。このとき、フォトレジストとしては、ポジ型またはネガ型のものが用いられる。露光工程では、露光装置４３により、レジスト塗布装置４２により塗布されたフォトレジストに対して、所定のパターンを有するフォトマスクを介してＵＶ光などを照射することで、フォトマスクのパターンに応じた範囲を露光する。
　現像工程では、現像装置４４により、ガラス基板ＧＳの板面上に処理液Ｌとして現像液を供給することで、フォトレジストを現像し、露光領域または非露光領域のいずれかを（詳しくはポジ型のフォトレジストの場合は露光領域を、ネガ型のフォトレジストの場合は非露光領域を）除去する。エッチング工程では、エッチング装置４５により、材料膜のうち残されたフォトレジストによって覆われていない領域をエッチングして除去することで、材料膜をパターニングする。エッチング装置４５としては、具体的には反応性の気体（エッチングガス）やイオン、ラジカルによって材料膜をエッチングするドライエッチング装置や反応性の液体（エッチング液）によって材料膜をエッチングするウェットエッチング装置などが用いられる。このうちウェットエッチング装置では、ガラス基板ＧＳの板面上に処理液Ｌとしてエッチング液を供給することで、材料膜をエッチングする。なお、エッチング工程では、ドライエッチング装置とウェットエッチング装置とのうちのいずれか一方のみを使用する場合もあれば、両方を時間を前後して使用する場合もある。レジスト剥離工程では、レジスト剥離装置４６により、ガラス基板ＧＳの板面上に処理液Ｌとしてレジスト剥離液を供給することで、残されたフォトレジストを除去する。
　上記した各製造装置４０～４６のうち、洗浄装置４０は、上記した成膜前の洗浄工程以外にも、他の製造装置４１～４６による工程の後で使用される場合がある。具体的には、成膜装置４１による成膜工程後に、成膜に伴う残余物質やゴミを除去するために洗浄工程を行う場合があり、その洗浄工程において上記した洗浄装置４０が用いられる。これ以外にも、例えばエッチング装置４５としてドライエッチング装置を用いた場合、そのエッチング工程後にドライエッチングによる残渣物を除去するために洗浄工程を行う場合があり、その洗浄工程においても上記した洗浄装置４０が用いられる。また、レジスト剥離装置４６によるレジスト剥離工程後に、レジスト剥離に伴う残余物質やゴミを除去するために洗浄工程を行う場合があり、その洗浄工程においても上記した洗浄装置４０が用いられる。なお、図８では図示を省略しているが、レジスト塗布装置４２によるレジスト塗布工程と露光装置４３による露光工程との間には、プリベーク装置によりレジストをプリベークする工程が行われる場合があり、また現像装置４４による現像工程と、エッチング装置４５によるエッチング工程との間には、ポストベーク装置によりレジストをポストベークする工程が行われる場合がある。
　さて、上記した製造装置４０～４６のうち、ガラス基板ＧＳの板面上に処理液Ｌを供給して処理を行うもの、具体的には洗浄装置４０、現像装置４４、ウェットエッチングを行うエッチング装置（ウェットエッチング装置）４５、及びレジスト剥離装置４６には、共通の構成が採用されており、以下その共通の構成について詳しく説明する。なお、図９から図１１では、Ｘ軸方向が搬送するガラス基板ＧＳの長辺方向と一致し、Ｙ軸方向が同ガラス基板ＧＳの短辺方向と一致するものとされる。
　洗浄装置４０、現像装置４４、ウェットエッチングを行うエッチング装置４５、及びレジスト剥離装置４６には、図９に示すように、ガラス基板ＧＳを搬送するローラコンベア（搬送部）５０と、ローラコンベア５０によって搬送されるガラス基板ＧＳの板面上に処理液（洗浄液、現像液、エッチング液、レジスト剥離液）Ｌを供給するノズル（処理液供給部）５１とが備えられている。ローラコンベア５０は、ガラス基板ＧＳを鉛直方向の下側から支持するとともに、図９に示す左側から右側（図１０に示す上側から下側）へ向けてガラス基板ＧＳの長辺方向（Ｘ軸方向）に沿って搬送するものとされる。従って、図９に示す左側（図１０に示す上側）が搬送方向の上流側であり、図９に示す右側（図１０に示す下側）が搬送方向の下流側である。ガラス基板ＧＳは、構造物（薄膜）の形成面または形成予定面が鉛直方向の上側を向く姿勢、つまり構造物の形成面または形成予定面とは反対側の板面がローラコンベア５０によって支持される姿勢でもって製造装置４０，４４，４５，４６内に投入されている。
　ノズル５１は、ガラス基板ＧＳに対して鉛直方向の上側、つまりローラコンベア５０との間でガラス基板ＧＳを挟み込む位置（ローラコンベア５０とはガラス基板ＧＳを挟んで反対側の位置）に配されており、搬送されるガラス基板ＧＳのうち鉛直方向の上側を向いた板面、つまり構造物（薄膜）の形成面または形成予定面に対して処理液（洗浄液、現像液、エッチング液、レジスト剥離液）Ｌを供給することが可能とされている。言い換えると、ローラコンベア５０は、ガラス基板ＧＳの両板面のうち、処理液Ｌによって処理される被処理面とは反対側の板面を支持しつつ搬送していると言える。ノズル５１には、処理液Ｌを貯留するタンクがポンプ（タンク共々図示は省略する）を介して接続されており、ポンプを駆動させることでタンクからノズル５１に対して洗浄液Ｌを所定の圧力でもって供給することが可能とされている。また、ノズル５１は、図１０に示すように、ガラス基板ＧＳの短辺方向（Ｙ軸方向）について複数（具体的には例えば４つ）ほぼ等間隔に並んで配されている。
　ローラコンベア５０について詳しく説明する。ローラコンベア５０は、図９及び図１０に示すように、所定の高さ位置に固定される一対のフレーム５２と、一対のフレーム５２間に架け渡されるとともに回転可能な複数の単位コンベア（単位搬送部）５３とからなる。このうち一対のフレーム５２は、ガラス基板ＧＳの搬送方向（Ｘ軸方向）に沿って延在する形態とされており、各単位コンベア５３の取付位置に対応して複数の凹状部５２ａを有している。単位コンベア５３は、ガラス基板ＧＳの搬送方向（フレーム５２の延在方向）に沿って複数が間欠的に並列して配されており、それによりガラス基板ＧＳを継続的に支持しつつ搬送することが可能とされている。
　単位コンベア５３は、回転軸となるシャフト部５４と、シャフト部５４に周設されるとともにガラス基板ＧＳに直接接するローラ部５５とから構成されている。シャフト部５４は、金属製とされており、軸方向がガラス基板ＧＳの短辺方向（Ｙ軸方向、ガラス基板ＧＳの板面に沿い且つ搬送方向と直交する方向）と一致した中空の円棒状（細長い円筒状）をなしている。シャフト部５４は、その両端部よりも少し内寄りの部分がフレーム５２の凹状部５２ａに対して図示しないベアリングを介して取り付けられることで、回転可能に軸支されている。ローラ部５５は、合成樹脂製とされており、中心にシャフト部５４を通すためのシャフト孔５５ａを有するとともに軸方向がシャフト部５４と一致し且つ外径がシャフト部５４よりも大きな中空の円棒状をなしている。ローラ部５５は、シャフト部５４のうち一対のフレーム５２に対する各被着部位（各凹状部５２ａに入る部位）よりも内寄りの部分において、概ね全長にわたる長さを有している。ローラ部５５は、その長さ寸法がガラス基板ＧＳの短辺寸法よりも大きなものとされており、それによりガラス基板ＧＳを全幅にわたって安定的に支持することが可能とされている（図１０参照）。
　そして、本実施形態に係る各製造装置４０，４４，４５，４６には、図９及び図１０に示すように、ガラス基板ＧＳを搬送するローラコンベア５０に対して超音波振動を付与する超音波付与部５６が備えられている。超音波付与部５６によりローラコンベア５０に超音波振動が付与されると、ローラコンベア５０により搬送されるガラス基板ＧＳにも超音波振動が付与され、そのガラス基板ＧＳの板面上に供給される処理液Ｌに対して超音波振動によるキャビテーションなどを作用させることができるものとされる。つまり、被処理物であるガラス基板ＧＳをいわば振動板として利用することができるのである。このキャビテーションとは、液体中に短時間に泡の発生と消滅が起きる物理現象（空洞現象）であり、超音波振動によって処理液Ｌにキャビテーションが生じると、微小な空洞がつぶれる瞬間に強力な衝撃波が発生するので、それにより処理液Ｌによる処理（洗浄処理、現像処理、エッチング処理、レジスト剥離処理）を促進させることができる。なお、超音波振動によって処理液Ｌに付与される作用としては、キャビテーションの他には、処理液Ｌに含まれる粒子に大きな加速度を付与して処理を促進させる作用（粒子加速度増進作用）、処理液Ｌ中に直進流を生じさせて処理を促進させる作用（直進流作用）、キャビテーションによる局部的な高温高圧の発生や振動による撹拌作用などによって化学的または物理的作用が相乗することで化学反応を促進させる作用（物理化学的反応促進作用）などがある。
　具体的には、超音波付与部５６は、図９及び図１０に示すように、ローラコンベア５０を構成する複数の単位コンベア５３のうちの１つに設けられている。詳しくは、複数の単位コンベア５３のうち、ノズル５１に対して平面に視て重畳する単位コンベア５３に対して超音波付与部５６が設けられている。これにより、ノズル５１からガラス基板ＧＳの板面上に供給された直後の処理液Ｌに対して、その真下に位置する単位コンベア５３からガラス基板ＧＳを介して超音波振動を付与することができる。超音波付与部５６は、図１０及び図１１に示すように、単位コンベア５３のうちのシャフト部５４に一体に設けられている。超音波付与部５６は、シャフト部５４のうち軸方向についての一方の端部に配されており、フレーム５２よりも外側（ローラ部５５側とは反対側）に配されている。つまり、超音波付与部５６は、単位コンベア５３のうちローラ部５５の形成領域及び搬送されるガラス基板ＧＳから外れた位置に配されていると言える。
　超音波付与部５６は、超音波振動を発振する超音波発振素子として、例えば電気信号を超音波振動に変換可能な圧電セラミックを備えている。この超音波付与部５６が備える超音波発振素子（圧電セラミック）は、例えば２８ＫＨｚ～９５０ＫＨｚの範囲に含まれる周波数の超音波を発振することが可能とされている。なお、超音波発振素子には、図示しない配線を介して外部の制御回路が接続されており、超音波を発振させるための電気信号を供給することで、その駆動を制御することが可能とされている。この超音波付与部５６に備えられる超音波発振素子は、例えばシャフト部５４を中心とした放射方向（シャフト部５４の軸方向と直交する方向）に並行する方向を振動方向とする超音波を発振することが可能とされ、それによりガラス基板ＧＳにはその板面に対して直交する方向の超音波振動が付与される。なお、この超音波発振素子によって発振される超音波の振動方向は、シャフト部５４の軸方向に並行する方向であってもよく、その場合はガラス基板ＧＳに対してその板面（短辺方向）に並行する方向の超音波振動が付与されることになる。
　本実施形態は以上のような構造であり、続いてその作用を説明する。アレイ基板２０を製造するに際しては、図８に示すように、各種製造装置４０～４６の全てまたは一部を経てガラス基板ＧＳに対して各種処理（洗浄処理、成膜処理、レジスト塗布処理、露光処理、現像処理、エッチング処理、レジスト剥離処理）を行うことで、構造物を所定のパターンにて形成し、この手順を繰り返し行うことで、各構造物を順次に積層形成していく。
　具体的には、図７に示すように、第１の層であるゲート電極２４ａ、ゲート配線２６及び容量配線３３を上記した製造装置４０～４６を経てパターニングした後に、第２の層であるゲート絶縁膜３５を上記した製造装置４０～４６のうち洗浄装置４０及び成膜装置４１を経て成膜し、さらに第３の層である半導体膜３６を上記した製造装置４０～４６を経てパターニングする。その後、第４の層であるソース電極２４ｂ、ドレイン電極２４ｃ、ソース配線２７、ドレイン配線及びコンタクト部を上記した製造装置４０～４６を経てパターニングし、第５の層である層間絶縁膜３７及び第６の層である保護膜３８をそれぞれ上記した製造装置４０～４６のうち洗浄装置４０及び成膜装置４１を経て成膜し、さらには第７の層である画素電極２５を上記した製造装置４０～４６を経てパターニングする。以上の手順を経てアレイ基板２０が製造される。
　ここで、上記した製造装置４０～４６のうち、ガラス基板ＧＳの板面上に処理液（洗浄液、現像液、エッチング液、レジスト剥離液）Ｌを供給して処理（洗浄処理、現像処理、エッチング処理、レジスト剥離処理）を行うもの、具体的には洗浄装置４０、現像装置４４、ウェットエッチングを行うエッチング装置（ウェットエッチング装置）４５、及びレジスト剥離装置４６に係る作用について詳しく説明する。これらの各製造装置４０，４４，４５，４６内では、図９に示すように、ローラコンベア５０によってガラス基板ＧＳを鉛直方向の下側から支持しつつ搬送するとともに、ガラス基板ＧＳに対して鉛直方向の上側に配したノズル５１からガラス基板ＧＳの板面上に処理液Ｌを供給することで、ガラス基板ＧＳにおける構造物（薄膜）の形成面または形成予定面を処理する。
　そして、このローラコンベア５０を構成する単位コンベア５３には、超音波付与部５６を備えたものが含まれているので、超音波付与部５６を作動させることで、その単位コンベア５３から搬送されるガラス基板ＧＳに対して超音波振動を付与することができる。このとき、超音波付与部５６を備える単位コンベア５３は、シャフト部５４の端部に設けられた超音波付与部５６によってその全体が超音波振動されるので、ガラス基板ＧＳは、図９及び図１０に示すように、超音波付与部５６を備える単位コンベア５３と平面視重畳する線状の部分を中心にした帯状の領域、つまりガラス基板ＧＳのうち短辺方向のほぼ全幅にわたり且つ長辺方向について所定長さにわたる面状の領域が全体的に超音波振動することになる。これにより、ノズル５１から供給されてガラス基板ＧＳの板面上に広がった処理液Ｌのうち、ガラス基板ＧＳにおける超音波振動する面状の領域上に載ったもの全体に対して超音波振動による作用が付与されることになる。このように、ガラス基板ＧＳを搬送するローラコンベア５０を超音波振動させることで、被搬送物であり且つ被処理物であるガラス基板ＧＳを「面状の振動板」として利用することができるので、処理液Ｌを「面」で超音波振動させることができる。従って、従来のようにノズルに超音波付与部を設けて噴射ポイントでのみ処理液に超音波振動を付与した場合に比べると、ノズル５１から供給されてガラス基板ＧＳの板面上に広がった処理液Ｌに対して広範囲にわたって超音波振動によるキャビテーションなどを作用させることができる。これにより、ガラス基板ＧＳに対する処理を、効率的に且つガラス基板ＧＳの面内においてムラ無く行うことができ、処理能力の向上を図ることができる。ガラス基板ＧＳが大型化すると、処理を一層効率的に行うことが求められるとともに、その面内において処理ムラが生じ易くなる傾向にあることから、本実施形態はガラス基板ＧＳの大型化に有用となっている。
　上記した超音波付与部５６によって得られる作用は製造装置４０，４４，４５，４６によって異なる場合があり、以下各製造装置４０，４４，４５，４６毎に説明する。洗浄装置４０においては、超音波付与部５６による超音波振動が単位コンベア５３及びガラス基板ＧＳを介して処理液Ｌである洗浄液に付与されることで、洗浄液においてキャビテーション、粒子加速度増進作用、及び直進流作用などを得ることができ、それにより高い洗浄処理能力を得ることができる。特に、ガラス基板ＧＳ上に広がった洗浄液に対して広範囲にわたって超音波振動が付与されることで、ガラス基板ＧＳの板面から一旦剥がれた塵埃や汚れが再付着するのを効果的に防ぐことができる。ウェットエッチングを行うエッチング装置４４においては、超音波付与部５６による超音波振動が単位コンベア５３及びガラス基板ＧＳを介して処理液Ｌであるエッチング液に付与されることで、エッチング液においてキャビテーション、粒子加速度増進作用、直進流作用、及び物理化学的反応促進作用などを得ることができ、それにより高いエッチング処理能力を得ることができる。
　現像装置４５においては、超音波付与部５６による超音波振動が単位コンベア５３及びガラス基板ＧＳを介して処理液Ｌである現像液に付与されることで、現像液においてキャビテーション、粒子加速度増進作用、直進流作用、及び物理化学的反応促進作用などを得ることができ、それにより高い現像処理能力を得ることができる。レジスト剥離装置４６においては、超音波付与部５６による超音波振動が単位コンベア５３及びガラス基板ＧＳを介して処理液Ｌであるレジスト剥離液に付与されることで、レジスト剥離液においてキャビテーション、粒子加速度増進作用、及び直進流作用などを得ることができ、それにより高いレジスト剥離処理能力を得ることができる。
　以上説明したように本実施形態に係る液晶パネル１１用のアレイ基板２０の製造装置４０，４４，４５，４６は、アレイ基板２０をなすガラス基板（表示パネル用基板）ＧＳを搬送するローラコンベア（搬送部）５０と、ローラコンベア５０によって搬送されるガラス基板ＧＳの板面上に処理液Ｌを供給するノズル（処理液供給部）５１と、ローラコンベア５０に対して超音波振動を付与する超音波付与部５６とを備える。
　このような構成によれば、ローラコンベア５０によりガラス基板ＧＳを搬送しつつ、ガラス基板ＧＳの板面上にノズル５１から処理液Ｌを供給する。ここで、超音波付与部５６によりローラコンベア５０に対して超音波振動を付与することで、搬送されるガラス基板ＧＳに対して超音波振動を付与することができ、そのガラス基板ＧＳを介して板面上の処理液Ｌに超音波振動によるキャビテーションなどを作用させることができる。つまり、ガラス基板ＧＳが処理液Ｌをいわば「面」で超音波振動させるので、従来のようにノズルに超音波付与部を設けた場合に比べると、ガラス基板ＧＳに供給されてその板面上に広がった処理液Ｌに対して広範囲にわたって超音波振動によるキャビテーションなどを作用させることができる。これにより、処理液Ｌに対して超音波振動による作用を効率的に且つムラなく付与することができ、もってガラス基板ＧＳの処理能力を向上させることができる。特に、本実施形態はガラス基板ＧＳが大型化された場合に有用となる。本実施形態によれば、処理能力を向上させることができる。
　また、超音波付与部５６は、ローラコンベア５０に一体に設けられている。このようにすれば、仮にこれらを別体とした場合に比べると、超音波付与部５６からローラコンベア５０に対して超音波振動を効率的に付与することができる。
　また、ローラコンベア５０は、ノズル５１に対してガラス基板ＧＳを挟んだ反対側に配されている。このようにすれば、超音波付与部５６からの超音波振動を、ローラコンベア５０を介してガラス基板ＧＳに対してノズル５１側とは反対側から付与することができる。
　また、ローラコンベア５０は、回転軸となるシャフト部５４と、シャフト部５４に周設されるとともにガラス基板ＧＳに接するローラ部５５とからなる単位コンベア（単位搬送部）５３を、ガラス基板ＧＳの搬送方向について複数間欠的に並列して配した構成とされており、超音波付与部５６は、シャフト部５４に一体に設けられている。このようにすれば、ガラス基板ＧＳの搬送方向について間欠的に並列して配された複数の単位コンベア５３のシャフト部５４が回転されることで、各ローラ部５５に載せられたガラス基板ＧＳが搬送される。そして、シャフト部５４に一体に設けられた超音波付与部５６によりガラス基板ＧＳに対して超音波振動を効率的に付与することができる。
　また、単位コンベア５３は、シャフト部５４のうちその軸方向について両端部を除いた領域にローラ部５５が設けられた構成とされており、超音波付与部５６は、シャフト部５４における軸方向の端部に配されている。このようにすれば、シャフト部５４の端部からその全体に対して超音波振動を付与することができる。
　また、ノズル５１は、処理液Ｌとして洗浄液を供給する。このようにすれば、ガラス基板ＧＳを効率的に洗浄することができる。
　また、ノズル５１は、処理液Ｌとしてエッチング液を供給する。このようにすれば、ガラス基板ＧＳ上に形成された構造物を効率的にエッチングすることができる。しかも、効率的に付与される超音波振動によりエッチング液に直進流が生じ易くなるので、エッチング精度を高いものとすることができる。
　また、ノズル５１は、処理液Ｌとしてレジスト剥離液を供給する。このようにすれば、ガラス基板ＧＳ上に形成されたレジストを効率的に剥離することができる。
　また、ノズル５１は、処理液Ｌとして現像液を供給する。このようにすれば、ガラス基板ＧＳ上に形成されたレジストを効率的に現像することができる。
　＜実施形態２＞
　本発明の実施形態２を図１２から図１４によって説明する。この実施形態２では、超音波付与部１５６の配置などを変更したものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
　本実施形態に係る超音波付与部１５６は、図１２及び図１３に示すように、単位コンベア１５３のうちローラ部１５５の形成領域に配されている。詳しくは、超音波付与部１５６は、シャフト部１５４のうち、両端部を除いた中央側部分、つまりローラ部１５５の形成領域に一体に設けられている。超音波付与部１５６は、図１４に示すように、シャフト部１５４においてその長さ方向（軸方向）について間欠的に複数（図１４では４つとしたものを示す）並んで配されている。これらの超音波付与部１５６は、いずれも搬送されるガラス基板ＧＳに対して平面に視て重畳する位置に配されている。従って、各超音波付与部１５６にて発生する超音波振動をガラス基板ＧＳに対して効率的に伝達することができ、もって処理液Ｌへの伝達効率も向上するとともに処理能力のさらなる向上を図ることができる。
　以上説明したように本実施形態によれば、ローラコンベア１５０は、回転軸となるシャフト部１５４と、シャフト部１５４に周設されるとともにガラス基板ＧＳに接するローラ部１５５とからなる単位コンベア１５３を、ガラス基板ＧＳの搬送方向について複数間欠的に並列して配した構成とされており、超音波付与部１５６は、単位コンベア１５３におけるローラ部１５５の形成領域に配されている。このようにすれば、ガラス基板ＧＳの搬送方向について間欠的に並列して配された複数の単位コンベア１５３のシャフト部１５４が回転されることで、各ローラ部１５５に載せられたガラス基板ＧＳが搬送される。そして、単位コンベア１５３におけるローラ部１５５の形成領域に配された超音波付与部１５６によりガラス基板ＧＳに対して超音波振動を効率的に付与することができる。
　また、超音波付与部１５６は、単位コンベア１５３のうち、搬送されるガラス基板ＧＳと平面に視て重畳する位置に配されている。このようにすれば、ガラス基板ＧＳに対して超音波振動をより効率的に付与することができる。
　＜実施形態３＞
　本発明の実施形態３を図１５によって説明する。この実施形態３では、超音波付与部２５６を備える単位コンベア２５３を複数としたものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
　本実施形態に係るローラコンベア２５０では、図１５に示すように、ガラス基板ＧＳの搬送方向に沿って並列する複数の単位コンベア２５３のうち、ノズル２５１の近傍の３つの単位コンベア２５３に、それぞれ超音波付与部２５６を設けるようにしている。詳しくは、超音波付与部２５６は、ガラス基板ＧＳの搬送方向について隣り合う（連続して並列する）３つの単位コンベア２５３に個別に設けられている。超音波付与部２５６を備える３つの単位コンベア２５３には、ノズル２５１に対して平面に視て重畳するものと、ノズル２５１に対してガラス基板ＧＳの搬送方向について下流側に配される２つのものとが含まれている。これら３つの単位コンベア２５３が有する各超音波付与部２５６にて超音波振動を発生させると、ガラス基板ＧＳには、搬送方向について連続する３つの単位コンベア２５３から超音波振動が付与されるので、ノズル２５１から供給されてガラス基板ＧＳの板面上に広がった処理液Ｌに対してより広範囲にわたって超音波振動による各作用が付与される。これにより、処理能力をより一層向上させることが可能となる。
　＜他の実施形態＞
　本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
　（１）上記した各実施形態では、単位コンベアをなすシャフト部においてその周方向について超音波付与部が１つのみ配されるものを示したが、例えば図１６に示すように、シャフト部５４‐１においてその周方向について２つの超音波付与部５６‐１を設けるようにしてもよい。この場合、２つの超音波付与部５６‐１は、約１８０度の角度間隔を空けて等間隔で配するのが好ましい。このようにすれば、ガラス基板ＧＳの搬送に伴って回転する単位コンベア５３‐１からガラス基板ＧＳに対して短い時間的間隔でもって超音波振動を効率的に付与することができる。
　（２）上記した（１）のさらなる変形例として、例えば図１７に示すように、シャフト部５４‐２においてその周方向について４つの超音波付与部５６‐２を設けるようにしてもよい。この場合、４つの超音波付与部５６‐２は、約９０度の角度間隔を空けて等間隔で配するのが好ましい。このようにすれば、ガラス基板ＧＳの搬送に伴って回転する単位コンベア５３‐２からガラス基板ＧＳに対してより短い時間的間隔でもって間断なく超音波振動を効率的に付与することができる。なお、シャフト部の周方向に配置する超音波付与部の数は、３つでもよく、また５つ以上であっても構わない。その場合でも、シャフト部の周方向について超音波付与部を等間隔に配するのが好ましい。なお、超音波付与部は必ずしも等間隔に配置する必要はなく、シャフト部の周方向について不等ピッチ配列することも可能である。
　（３）上記した各実施形態では、超音波付与部がシャフト部の周方向について点状をなすものを示したが、例えば図１８に示すように、超音波付与部５６‐３がシャフト部５４‐３の周方向に沿う環状をなす形態とすることも可能である。
　（４）上記した実施形態１では、シャフト部の両端部のうちの一方の端部側にのみ超音波付与部を設けるようにしたものを示したが、例えば図１９に示すように、シャフト部５４‐４における両端部のそれぞれに対して超音波付与部５６‐４を設けるようにしても構わない。
　（５）上記した各実施形態では、液晶パネルが有するカラーフィルタの着色部をＲ，Ｇ，Ｂの３色としたものを例示したが、着色部を４色以上とすることも可能である。例えば、カラーフィルタの着直部を４色にする場合には、図２０に示すように、光の三原色であるＲ，Ｇ，ＢにＹ（黄色）を加える構成とするのが好ましい。
　（６）上記した各実施形態では、アレイ基板を製造する際に用いる製造装置について説明したが、本発明はＣＦ基板を製造する際に用いる製造装置についても同様に適用可能である。具体的には、ＣＦ基板の製造に際して、ガラス基板に対してカラーフィルタや遮光部をフォトリソグラフィ法によりパターニングするために使用する製造装置のうち、ガラス基板の板面上に処理液を供給して処理を行うものに本発明を適用することで、上記した各実施形態と同様の作用及び効果を得ることができる。
　（７）上記した（１）～（３）に記載した超音波付与部の配置構成について、それぞれ実施形態２に記載したものに適用することが可能である。具体的には、単位コンベアのうちローラ部の形成領域に配した超音波付与部を、シャフト部の周方向について複数並列して設けたり、またシャフト部の周方向に沿う環状としても構わない。
　（８）上記した実施形態１では、ノズルと平面に視て重畳する１つの単位コンベアにのみ超音波付与部を設けた構成のものを示したが、例えばノズルとは平面に視て重畳しない１つの単位コンベアのみに超音波付与部を設けるようにしてもよい。その場合、超音波付与部を設ける単位コンベアは、ガラス基板の搬送方向についてノズルに対して下流側に配されるものであっても、上流側に配されるものであっても構わない。
　（９）上記した実施形態２では、単位コンベアのうちローラ部の形成領域において、シャフト部の軸方向について４つの超音波付与部を並べて配したものを示したが、シャフト部の軸方向についての超音波付与部の設置数や設置間隔などは適宜に変更可能である。具体的には、シャフト部の軸方向に並列する超音波付与部の数を３つ以下としたり、５つ以上とすることも可能である。また、シャフト部の軸方向について超音波付与部を不等ピッチ配列することも可能である。
　（１０）上記した実施形態２では、単位コンベアのうちローラ部の形成領域において、シャフト部の軸方向について４つの超音波付与部を並べて配したものを示したが、ローラ部の形成領域において超音波付与部を１つのみ設けるようにしたものも本発明に含まれる。
　（１１）上記した実施形態３では、ガラス基板の搬送方向に隣り合う３つの単位コンベアに超音波付与部を設けた場合を示したが、超音波付与部を設ける単位コンベアの具体的な数は３つ以外にも適宜に変更可能である。例えば、ガラス基板の搬送方向に隣り合う２つの単位コンベアまたは４つ以上の単位コンベアに超音波付与部を設けるようにすることができる。
　（１２）上記した実施形態３では、ガラス基板の搬送方向に隣り合う３つの単位コンベアに超音波付与部を設けた場合を示したが、ガラス基板の搬送方向について隣り合わない複数の単位コンベアに超音波付与部を設けるようにしても構わない。具体的には、超音波付与部を備える単位コンベアと、超音波付与部を備えない単位コンベアとがガラス基板の搬送方向について交互に並ぶ配列とするなど、超音波付与部を備える単位コンベアと超音波付与部を備えない単位コンベアとの配列（順番）は適宜に変更可能である。
　（１３）上記した各実施形態では、ローラコンベアが有する複数の単位コンベアのうちの一部（１つまたは複数）に超音波付与部を設けた場合を示したが、ローラコンベアが有する全ての単位コンベアに超音波付与部を設けるようにしても構わない。
　（１４）上記した各実施形態では、単位コンベアを構成するシャフト部に超音波付与部を設けるようにしたものを示したが、ローラ部に対して超音波付与部を一体に設けるようにしても構わない。
　（１５）上記した各実施形態では、超音波付与部に用いる超音波発振素子として圧電セラミックを用いた場合を示したが、それ以外にも例えば圧電高分子膜や圧電薄膜を超音波発振素子として用いることも可能である。
　（１６）上記した各実施形態では、超音波付与部を備える製造装置として、洗浄装置、現像装置、エッチング装置、レジスト剥離装置を例示したが、ガラス基板を搬送しつつその板面上に処理液を供給して処理を行う他の製造装置にも本発明は適用可能である。
　（１７）上記した各実施形態では、直下型のバックライト装置を備える液晶表示装置に用いられる液晶パネルのアレイ基板またはＣＦ基板の製造装置を例示したが、エッジライト型のバックライト装置を備える液晶表示装置に用いられる液晶パネルのアレイ基板またはＣＦ基板の製造装置にも本発明は適用可能である。
　（１８）上記した各実施形態では、スイッチング素子としてＴＦＴを用いた液晶表示装置のアレイ基板またはＣＦ基板の製造装置を例示したが、ＴＦＴ以外のスイッチング素子（例えば薄膜ダイオード（ＴＦＤ））を用いた液晶表示装置に用いられる液晶パネルのアレイ基板またはＣＦ基板の製造装置にも本発明は適用可能である。また、カラー表示する液晶表示装置以外にも、白黒表示する液晶表示装置に用いられる液晶パネルのアレイ基板またはＣＦ基板の製造装置にも本発明は適用可能である。
　（１９）上記した各実施形態では、液晶パネルを構成するアレイ基板またはＣＦ基板の製造装置を例示したが、他の種類の表示パネル（ＰＤＰや有機ＥＬパネルなど）を構成する基板の製造装置にも本発明は適用可能である。
　１１…液晶パネル（表示パネル）、２０…アレイ基板（表示パネル用基板）、２１…ＣＦ基板（表示パネル用基板）、４０…洗浄装置（製造装置）、４４…現像装置（製造装置）、４５…エッチング装置（製造装置）、４６…レジスト剥離装置（製造装置）、５０…ローラコンベア（搬送部）、５１，２５１…ノズル（処理液供給部）、５３，１５３，２５３…単位コンベア（単位搬送部）、５４，１５４…シャフト部、５５，１５５…ローラ部、５６，１５６，２５６…超音波付与部、ＧＳ…ガラス基板（表示パネル用基板）、Ｌ…処理液

Claims (11)

  1. 　表示パネル用基板を搬送する搬送部と、
    　前記搬送部によって搬送される前記表示パネル用基板の板面上に処理液を供給する処理液供給部と、
    　前記搬送部に対して超音波振動を付与する超音波付与部とを備える表示パネル用基板の製造装置。
  2. 　前記超音波付与部は、前記搬送部に一体に設けられている請求項１記載の表示パネル用基板の製造装置。
  3. 　前記搬送部は、前記処理液供給部に対して前記表示パネル用基板を挟んだ反対側に配されている請求項１または請求項２記載の表示パネル用基板の製造装置。
  4. 　前記搬送部は、回転軸となるシャフト部と、前記シャフト部に周設されるとともに前記表示パネル用基板に接するローラ部とからなる単位搬送部を、前記表示パネル用基板の搬送方向について複数間欠的に並列して配した構成とされており、
    　前記超音波付与部は、前記シャフト部に一体に設けられている請求項３記載の表示パネル用基板の製造装置。
  5. 　前記単位搬送部は、前記シャフト部のうちその軸方向について両端部を除いた領域に前記ローラ部が設けられた構成とされており、
    　前記超音波付与部は、前記シャフト部における軸方向の端部に配されている請求項４記載の表示パネル用基板の製造装置。
  6. 　前記搬送部は、回転軸となるシャフト部と、前記シャフト部に周設されるとともに前記表示パネル用基板に接するローラ部とからなる単位搬送部を、前記表示パネル用基板の搬送方向について複数間欠的に並列して配した構成とされており、
    　前記超音波付与部は、前記単位搬送部における前記ローラ部の形成領域に配されている請求項３または請求項４記載の表示パネル用基板の製造装置。
  7. 　前記超音波付与部は、前記単位搬送部のうち、搬送される前記表示パネル用基板と平面に視て重畳する位置に配されている請求項６記載の表示パネル用基板の製造装置。
  8. 　前記処理液供給部は、前記処理液として洗浄液を供給する請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の表示パネル用基板の製造装置。
  9. 　前記処理液供給部は、前記処理液としてエッチング液を供給する請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の表示パネル用基板の製造装置。
  10. 　前記処理液供給部は、前記処理液としてレジスト剥離液を供給する請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の表示パネル用基板の製造装置。
  11. 　前記処理液供給部は、前記処理液として現像液を供給する請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の表示パネル用基板の製造装置。
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