CN1782911A - 电光学装置的制造方法及图像形成装置 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 61
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 45
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 32
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 14
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 11
- 208000034189 Sclerosis Diseases 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 5
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 75
- 239000010408 film Substances 0.000 description 22
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 20
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 15
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 6
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 3
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXDJCCTWPBKUKL-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-aminophenyl)-(4-imino-3-methylcyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)methyl]aniline;hydron;chloride Chemical compound Cl.C1=CC(=N)C(C)=CC1=C(C=1C=CC(N)=CC=1)C1=CC=C(N)C=C1 AXDJCCTWPBKUKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical class F* 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
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- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/435—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
- B41J2/447—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources
- B41J2/45—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources using light-emitting diode [LED] or laser arrays
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G15/00—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
- G03G15/04—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for exposing, i.e. imagewise exposure by optically projecting the original image on a photoconductive recording material
- G03G15/04036—Details of illuminating systems, e.g. lamps, reflectors
- G03G15/04045—Details of illuminating systems, e.g. lamps, reflectors for exposing image information provided otherwise than by directly projecting the original image onto the photoconductive recording material, e.g. digital copiers
- G03G15/04072—Details of illuminating systems, e.g. lamps, reflectors for exposing image information provided otherwise than by directly projecting the original image onto the photoconductive recording material, e.g. digital copiers by laser
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G15/00—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
- G03G15/22—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern involving the combination of more than one step according to groups G03G13/02 - G03G13/20
- G03G15/32—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern involving the combination of more than one step according to groups G03G13/02 - G03G13/20 in which the charge pattern is formed dotwise, e.g. by a thermal head
- G03G15/326—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern involving the combination of more than one step according to groups G03G13/02 - G03G13/20 in which the charge pattern is formed dotwise, e.g. by a thermal head by application of light, e.g. using a LED array
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G2215/00—Apparatus for electrophotographic processes
- G03G2215/04—Arrangements for exposing and producing an image
- G03G2215/0402—Exposure devices
- G03G2215/0407—Light-emitting array or panel
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
本发明提供提高了从发光元件中发出的光的输出效率的电光学装置的制造方法及图像形成装置。在元件基板(30)的发光元件形成面上形成象素(34)(步骤S11)，在该象素(34)上形成粘接层(La)而将支撑基板(38)贴附在元件基板(30)上(步骤S12)。接下来，研削元件基板(30)而形成光输出面，将发光元件形成面和光输出面之间的距离设为研削后厚度(T1)(步骤S13)。此后，向光输出面喷出微小液滴(Ds)而在光输出面上形成液滴(Dm)(步骤S14)，通过使该液滴(Dm)硬化而形成了微透镜(步骤S15)。
Description
技术领域
本发明涉及电光学装置的制造方法及图像形成装置。
背景技术
在使用了电子照片方式的图像形成装置中，使用作为如下的电光学装置的曝光头，即，将作为像担载体的感光鼓曝光而形成潜像。近年来，为了实现该曝光头的薄型化和轻量化，提出了使用有机电致发光元件(有机EL元件)作为曝光头的发光源的方案。
其中，在该种曝光头中，从可以拓宽构成材料的选择范围的便利性考虑，采用如下的所谓底发射构造，即，在透明基板的一侧面(发光元件形成面)上形成有机EL元件，将有机EL元件所发出的光从与发光元件形成面相面对的另一侧面(光输出面)输出。
但是，在底发射构造中，在光输出面和有机EL元件之间，形成有用于使该有机EL元件发光的各种配线或电容等。由此，有机EL元件的开口率降低，从而有使光的输出效率降低的问题。
所以，该种曝光头中，为了提高光的输出效率，提出了如下的方案，即，在光输出面上设置将从有机EL元件发出的光聚光的透镜，即所谓的微透镜(例如专利文献1)。专利文献1中，向与有机EL元件相面对的光输出面喷出硬化性树脂，通过使该喷出的树脂硬化而形成微透镜。
[专利文献1]特开2003-291404号公报
但是，所述的曝光头中，微透镜与有机EL元件相距发光元件形成面和光输出面之间的距离，即透明基板的厚度。由此，微透镜相对于有机EL元件的开口角(从有机EL元件的中心位置相对于微透镜的直径所张开的角度)因透明基板的厚度而变小，由此就会导致损害从有机EL元件中发出的光的输出效率的问题。
这样的问题被认为可以通过减薄透明基板的厚度，在该透明基板上形成有机EL元件和微透镜来减轻。但是，当减薄透明基板的厚度时，其机械强度就会不足，在形成有机EL元件或微透镜时，有可能使透明基板破损。
发明内容
本发明是为了解决所述问题而完成的，其目的在于，提供提高了从发光元件中发出的光的输出效率的电光学装置的制造方法及图像形成装置。
本发明的电光学装置的制造方法，是在透明基板的发光元件形成面上形成发光元件，并在所述透明基板的光输出面上形成射出从所述发光元件中发出的光的微透镜的电光学装置的制造方法，其特征是，在所述透明基板的所述发光元件形成面侧贴附了支撑基板后，通过将与所述发光元件形成面相面对的所述透明基板的一侧面向所述发光元件形成面侧切削而形成所述光输出面。
根据本发明的电光学装置的制造方法，通过贴附支撑基板，就可以在利用该支撑基板支撑的同时，将与发光元件形成面相面对的透明基板的一侧面向发光元件形成面侧切削。这样，因切削这一侧面，就可以使光输出面靠近发光元件形成面，从而可以缩短发光元件和微透镜之间的距离。其结果是，可以增大微透镜相对于发光元件的开口角，从而可以制造提高了从发光元件中发出的光的输出效率的电光学装置。
该电光学装置的制造方法是通过研削所述透明基板的所述一侧面而形成所述光输出面的。
根据该电光学装置的制造方法，因研削透明基板的一侧面，就可以缩短发光元件形成面和光输出面之间的距离，从而可以制造提高了从发光元件中发出的光的输出效率的电光学装置。
该电光学装置的制造方法是通过蚀刻所述透明基板的所述一侧面而形成所述光输出面的。
根据该电光学装置的制造方法，因蚀刻透明基板的一侧面，就可以缩短发光元件形成面和光输出面之间的距离，从而可以制造提高了从发光元件中发出的光的输出效率的电光学装置。
该电光学装置的制造方法是利用从液滴喷出装置喷出的功能液在所述光输出面上形成液滴，通过使所述液滴硬化而形成所述微透镜的。
根据该电光学装置的制造方法，由于利用液滴喷出装置所喷出的功能液形成微透镜，因而可以不受透明基板的厚度的制约地形成微透镜，从而可以制造提高了光的输出效率的电光学装置。
该电光学装置的制造方法是在所述光输出面上的在与所述发光元件对峙的位置上形成半球面状的所述液滴，通过使所述液滴硬化而形成凸形的所述微透镜。
根据该电光学装置的制造方法，由于微透镜由凸形的透镜形成，因此就可以提高利用微透镜将从发光元件发出的光聚光的效率。其结果是，可以更为简便地制造提高了将光输出而聚光的效率的电光学装置。
在该电光学装置的制造方法中，所述发光元件是具备了形成于所述光输出面侧的透明电极、与所述透明电极相面对地形成的背面电极、形成于所述透明电极和所述背面电极之间的发光层的电致发光元件。
根据该电光学装置的制造方法，可以制造提高了从电致发光元件中发出的光的输出效率的电光学装置。
在该电光学装置的制造方法中，所述发光层由有机材料制成，所述电致发光元件为有机电致发光元件。
根据该电光学装置的制造方法，可以制造提高了从有机电致发光元件中发出的光的输出效率的电光学装置。
本发明的图像形成装置是具备：使像担载体的外周面带电的带电机构、将带电了的所述像担载体的外周面曝光而形成潜像的曝光机构、向所述潜像供给着色粒子而显影出显像的显影机构、将所述显像转印到转印介质上的转印机构的图像形成装置，所述曝光机构具备了利用所述电光学装置的制造方法制造的电光学装置。
根据本发明的图像形成装置，将带电了的像担载体曝光的曝光机构具备所述电光学装置。所以，就可以提高图像形成装置的曝光中的光输出效率。
附图说明
图1是表示将本发明具体化了的图像形成装置的概略侧剖面图。
图2是表示相同的曝光头的概略前视剖面图。
图3是表示相同的曝光头的概略俯视图。
图4是表示相同的曝光头的放大剖面图。
图5是说明相同的曝光头的制造方法的流程图。
图6是说明相同的曝光头的制造工序的说明图。
图7是说明相同的曝光头的制造工序的说明图。
图8是说明相同的曝光头的制造工序的说明图。
其中，10…作为图像形成装置的打印机，15…作为转印介质的中间转印皮带，16…作为像担载体的感光鼓，19…作为带电机构的带电辊，20…作为构成曝光机构的电光学装置的有机电致发光阵列曝光头，21…作为显影机构的色调剂卡盒，22…构成转印机构的一次转印辊，26…构成转印机构的二次转印辊，30…作为透明基板的元件基板，30a…发光元件形成面，30b…光输出面，30c…研削面，33…作为发光元件的有机电致发光元件，40…微透镜，45…构成液滴喷出装置的液滴喷头，OEL…作为发光层的有机电致发光层，Pa…作为背面电极的阴极，Pc…作为透明电极的阳极，T…作为着色粒子的色调剂。
具体实施方式
下面将依照图1～图8对将本发明具体化了的一个实施方式进行说明。图1是表示作为图像形成装置的电子照片方式打印机的概略侧剖面图。
(电子照片方式打印机)
如图1所示，电子照片方式打印机10(以下简称为打印机10。)具备被制成箱体状的筐体11。在该筐体11内，设有驱动辊12、从动辊13及张紧辊14，在各辊12～14上张设有作为转印介质的中间转印皮带15。这样，利用驱动辊12的旋转，中间转印皮带15就可以沿图1的箭头方向循环驱动。
在中间转印皮带15的上方，可以沿中间转印皮带15的张设方向(副扫描方向Y)旋转地并排设有4个作为像担载体的感光鼓16。在该感光鼓16的外周面，形成有具有光导电性的感光层16a(参照图4)。感光层16a在黑暗中带正或负的电荷，当照射来自给定的波长区域的光时，就会使所照射的部位的电荷消失。即，电子照片方式打印机10是由这4个感光鼓16构成的串联式的打印机。
在各感光鼓16的周围，分别配设有作为带电机构的带电辊19、作为构成曝光机构的电光学装置的有机电致发光曝光头20(以下简称为曝光头20。)、作为显影机构的色调剂卡盒21、构成转印机构的一次转印辊22及清洁机构23。
带电辊19是与感光鼓16密接的半导电性的橡胶辊。当向该带电辊19施加直流电压而使感光鼓16旋转时，则感光鼓16的感光层16a就会遍及全部圆周面地带有给定的带电电位。
曝光头20是射出给定的波长区域的光的光源，如图2所示，被制成长方形板状。该曝光头20使其长边方向与感光鼓16的轴向(图1中与纸面正交的方向：主扫描方向X)平行，被定位于离开感光层16a给定的距离的位置上。这样，当曝光头20将基于印刷数据的光沿垂直方向Z(参照图1)射出而使感光鼓16沿旋转方向Ro旋转时，感光层16a就被给定的波长区域的光曝光。这时，感光层16a的被曝光的部位(曝光点)的电荷消失，在其外周面形成静电的图像(静电潜像)。而且，该曝光头20所曝光的光的波长区域是与感光层16a的光谱灵敏度整合了的波长区域。即，曝光头20所曝光的发光能量的峰值波长与所述感光层16a的光谱灵敏度的峰值波长大致一致。
色调剂卡盒21被制成箱体形状，在其内部收容有直径10μm左右的作为着色粒子的色调剂T。而且，在本实施方式的4个色调剂卡盒21中，分别收容有对应的4色(黑、蓝绿色、洋红及黄色)的色调剂。在该色调剂卡盒21中，从感光鼓16侧开始依次设有显影辊21a和供给辊21b。供给辊21b通过旋转将色调剂搬送至显影辊21a。显影辊21a利用与供给辊21的摩擦等，使相同的供给辊21b所搬送的色调剂带电，并且将带电了的色调剂均一地附着在相同的显影辊21a的外周面上。
这样，在向感光鼓16施加了与所述带电电位大致相等的偏压电位的状态下，使供给辊21b及显影辊21a旋转。这时，感光鼓16就向所述曝光点和显影辊21a(色调剂T)之间，赋予与所述偏压电位相对应的静电吸附力。受到了静电吸附力的色调剂T从该显影辊21a的外周面向所述曝光点移动而吸附。这样，在各感光鼓16(各感光层16a)的外周面上，就形成(显影出)分别与静电潜像对应了的单色的可视图像(显像)。
在中间转印皮带15的内侧面15a，并在与所述各感光鼓16对峙的位置上，分别设有一次转印辊22。一次转印辊22是导电性辊，在其外周面与中间转印皮带15的内侧面15a密接的同时旋转。当向该一次转印辊22施加直流电压而使感光鼓16及中间转印皮带15旋转时，则吸附于感光层16a上的色调剂T就会因朝向一次转印辊22侧的静电吸附力而向中间转印皮带15的外侧面15b依次移动而吸附。即，一次转印辊22将形成于感光鼓16上的显像一次转印到中间转印皮带15的外侧面15b上。这样，中间转印皮带15的外侧面15b就利用各感光鼓16的一次转印辊22，反复进行4次由单色构成的显像的一次转印，通过使这些显像重合，就获得全色的图像(色调剂图像)。
清洁机构23具备未图示的LED等光源和橡胶刀片，从而对因向所述一次转印后的感光层16a照射光而带电了的感光层16a进行静电消除。此外，清洁机构23将消除静电后的感光层16a上所残留的色调剂T利用橡胶刀片机械地除去。
在中间转印皮带15的下侧，配设有收容了记录用纸P的记录用纸盒24。在该记录用纸盒24的上侧，配设于将记录用纸P向中间转印皮带15侧供给的供纸辊25。在该供纸辊25的上侧，并在与驱动辊12相面对的位置上，配设有构成转印机构的二次转印辊26。二次转印辊26是与所述各一次转印辊22相同的导电性辊，推压记录用纸P的背面，使相同记录用纸P的表面与中间转印皮带15的外侧面15b接触。这样，当向该二次转印辊26施加直流电压而使中间转印皮带15旋转时，吸附于中间转印皮带15的外侧面15b上的色调剂T就向记录用纸P的表面上依次移动而吸附。即，二次转印辊26将形成于中间转印皮带15的外侧面15b上的色调剂图像二次转印到记录用纸P的表面上。
在二次转印辊26的上侧，配设有内置热源的加热辊27a和推压相同加热辊27a的推压辊27b。这样，当二次转印后的记录用纸P被向加热辊27a和推压辊27b之间搬送时，转印到记录用纸P上的色调剂T就因加热而软化，向记录用纸P内浸透而硬化。这样，色调剂图像就定影在记录用纸P的表面。将色调剂图像定影后的记录用纸P被排纸辊28向筐体11的外侧排出。
所以，打印机10利用曝光头20将带电了的感光层16a曝光，在相同感光层16a上形成静电潜像。然后，打印机10将感光层16a的静电潜像显影而在相同感光层16a上形成单色的显像。接下来，打印机10将感光层16a的显像向中间转印皮带15上依次地进行一次转印，在相同中间转印皮带15上形成全色的色调剂图像。此后，打印机10将中间转印皮带15上的色调剂图像向记录用纸P上二次转印，利用加热加压使色调剂图像定影，结束印刷。
下面，将对设于所述打印机10上的作为电光学装置的曝光头20说明如下。图2是表示曝光头20的前视剖面图。
如图2所示，在曝光头20上，设有作为透明基板的元件基板30。元件基板30是被制成长方形形状的无色透明的无碱玻璃基板，其长边方向(图2的左右方向：主扫描方向X)的宽度被制成与感光鼓16的轴向的宽度大致相同的大小。
该元件基板30的厚度被制成可以利用后述的研削工序获得均一的厚度的基板的厚度(研削后厚度T1)。本实施方式中，虽然将该研削后厚度T1设为50μm，但是并不限定于此。
此外，本实施方式中，对于该元件基板30，将上面(与感光鼓16侧相反一侧的面)设为发光元件形成面30a，将利用后述的研削工序形成的下面(感光鼓16侧的面)设为光输出面30b。
首先，对元件基板30的发光元件形成面30a侧说明如下。图3是从光输出面30b侧看到的曝光头20的俯视图。图4是沿着图3所示的单点划线A-A的概略剖面图。
如图2所示，在元件基板30的发光元件形成面30a上，形成有多个象素形成区域31。各象素形成区域31如图3所示，被以锯齿格子状2维地排列，分别具有由薄膜晶体管32(以下简称为TFT32。)和作为发光元件的有机电致发光元件(有机EL元件)33构成的象素34。TFT32利用基于印刷数据生成的数据信号变为ON状态，基于该ON状态，使得有机EL元件33发光。
如图4所示，TFT32在其最下层具备通道膜BC。通道膜BC是形成于发光元件形成面30a上的岛状的p型多晶硅膜，在其左右两侧，形成有未图示的活性化了的n型区域(源区域及漏区域)。即，TFT32为所谓的多晶硅型TFT。
在通道膜BC的上侧中央位置，从发光元件形成面30a侧开始，依次形成有栅绝缘膜D0、栅电极Pg及栅配线M1。栅绝缘膜D0是硅氧化膜等具有光透过性的绝缘膜，被堆积于通道膜BC的上侧及发光元件形成面30a的近似全面上。栅电极Pg是钽等低电阻金属膜，被形成于与通道膜BC的大致中央位置相面对的位置上。栅配线M1是ITO等具有光透过性的透明导电膜，将栅电极Pg和未图示的数据线驱动电路电连接。这样，当数据线驱动电路经过栅配线M1向栅电极Pg输入数据信号时，TFT32就成为基于该数据信号的ON状态。
在通道膜BC的所述源区域及漏区域的上侧，形成有向上方延伸的源触点Sc及漏触点Dc。各触点Sc、Dc由降低与通道膜BC的接触电阻的金属膜制成。此外，这些触点Sc、Dc及栅电极Pg(栅配线M1)就被由硅氧化膜等构成的第1层间绝缘膜D1电绝缘。
在各触点Sc、触点Dc的上侧，分别形成有由铝等低电阻金属膜制成的电源线M2s及阳极线M2d。电源线M2s将源触点Sc和未图示的驱动电源电连接。阳极线M2d将漏触点Dc和有机EL元件33电连接。这些电源线M2s及阳极线M2d被由硅氧化膜等构成的第2层间绝缘膜D2电绝缘。这样，当TFT32变为基于数据信号的ON状态时，与该数据信号对应了的驱动电流就被从电源线M2s(驱动电源)向阳极线M2d(有机EL元件33)供给。
如图4所示，在第2层间绝缘膜D2的上侧，形成有机EL元件33。在该有机EL元件33的最下层，形成有作为透明电极的阳极Pc。阳极Pc是ITO等具有光透过性的透明导电膜，其一端被与阳极线M2d连接。
在该阳极Pc的上侧，堆积有将各阳极Pc相互电绝缘的硅氧化膜等的第3层间绝缘膜D3。在该第3层间绝缘膜D3上，形成有将阳极Pc的大致中央位置向上侧开口的圆形孔(位置整合孔D3h)。而且，本实施方式中，虽然将该位置整合孔D3h的直径作为整合径R1设为50μm，但是并不限定于此。
在该第3层间绝缘膜D3的上侧，堆积有由感光性聚酰亚胺等树脂形成的隔壁层DB。在该隔壁层DB上，形成有将与位置整合孔D3h相面对的位置朝向上侧成锥面状地开口的圆锥孔DBh。这样，由该圆锥孔DBh的内周面就形成隔壁DBw。
在阳极Pc的上侧并位于位置整合孔D3h的内侧，形成有由高分子类的有机材料制成的有机电致发光层(有机EL层)OEL。即，有机EL层OEL被以与位置整合孔D3h的直径(整合径R1)相同的外径形成。
有机EL层OEL是由空穴输送层和发光层这2层构成的有机化合物层，在其上侧，形成有由铝等具有光反射性的金属膜制成的作为背面电极的阴极Pa。阴极Pa被按照覆盖发光元件形成面30a侧的近似全面的方式形成，因各象素34所共有而向各有机EL元件33供给共同的电位。
即，有机EL元件33是由这些阳极Pc、有机EL层OEL及阴极Pa形成的有机电致发光元件(有机EL元件)，将其所发出的光射出的有机EL层OEL的直径被以位置整合孔D3h的内径，即整合径R1(50μm)形成。
在阴极Pa的上侧，配设有被利用粘接层La1与阴极Pa(元件基板30)粘接的支撑基板38。支撑基板38是从俯视方向看被制成与元件基板30相同尺寸的无色透明的无碱玻璃基板，其厚度如图2所示，被以足以获得曝光头20的机械的强度的厚度(支撑厚度T2)形成。而且，本实施方式中，虽然将该支撑基板38的支撑厚度T2设为500μm，但是并不限定于此。
这样，当将与数据信号对应的驱动电流向阳极线M2d供给时，有机EL层OEL就以与该驱动电流对应的亮度发光。此时，从有机EL层OEL向阴极Pa侧(图4的上侧)发出的光被相同阴极Pa反射。由此，由有机EL层OEL发出的光的大部分就透过阳极Pc、第2层间绝缘膜D2、第1层间绝缘膜D1、栅绝缘膜D0及元件基板30而被向光输出面30b侧(感光鼓16侧)照射。
下面，对元件基板30的光输出面30b侧说明如下。
如图2所示，在元件基板30的光输出面30b上，并在与各有机EL元件33对峙的位置上，分别形成有微透镜40。微透镜40是具备相对于由所述有机EL层OEL发出的光的波长具有足够的透过率的半球面状的光学面的凸形的透镜，如图4所示，被按照使有机EL元件33(有机EL层OEL)的中心位置位于其光轴A上的方式形成。
而且，本实施方式中，微透镜40的直径(开口径R2)被以有机EL层OEL的直径(整合径R1)的2倍的大小，即以100μm来形成。这样，微透镜40就可以将由有机EL层OEL发出的光向光输出面30b侧射出，而不使其周边部的成像性能变差。
另外，微透镜40将其下侧曲面(射出面40a)的顶点与感光层16a之间的距离设为图像侧焦点距离Hf，使得从有机EL元件33中沿着光轴A发出的光线(平行光线束L1)的与光轴A的交点(图像侧焦点F)位于感光层16a上。这样，从微透镜40中射出的光就可以在感光层16a上形成所需的尺寸的曝光点。
此外，本实施方式中，将从有机EL层OEL的中心位置相对于微透镜40的直径张开的角度设为微透镜40的开口角θ1。
(曝光头的制造方法)
下面，对曝光头20的制造方法说明如下。图5是说明曝光头20的制造方法的流程图，图6～图8是说明相同曝光头20的制造方法的说明图。
如图5所示，最先进行在元件基板30的发光元件形成面30a上形成象素34的象素形成工序(步骤S11)。
此时，元件基板30的厚度被以对于后述的图像形成工序的热处理或等离子体处理等具有足够的机械强度的厚度，并以大于研削后厚度T1的研削前厚度T0形成。而且，本实施方式中，虽然将该研削前厚度T0设为500μm，但是并不限定于此。
如图6所示，象素形成工序中，首先，在发光元件形成面30a全面上利用准分子激光器等形成结晶化了的多晶硅膜，对该多晶硅膜进行图案处理，在各象素形成区域31内形成通道膜BC。当形成通道膜BC时，即在该通道膜BC及发光元件形成面30a的上侧全面形成由硅氧化膜等构成的栅绝缘膜D0，在该栅绝缘膜D0的上侧全面堆积钽等低电阻金属膜。然后，对该低电阻金属膜进行图案处理，在栅绝缘膜D0的上侧形成栅电极Pg。当形成栅电极Pg时，即利用将该栅电极Pg遮蔽了的离子掺杂法，在通道膜BC上形成n型区域(源区域及漏区域)。
当在通道膜BC上形成源区域及漏区域时，即在栅电极Pg及栅绝缘膜D0的上侧全面堆积ITO等具有光透过性的透明导电膜，通过对相同透明导电膜进行图案处理，在栅电极Pg的上侧形成栅配线M1。当形成栅配线M1时，利用等离子体CVD法等，在栅配线M1及栅绝缘膜D0的上侧全面形成由硅氧化膜等构成的第1层间绝缘膜D1，在该第1层间绝缘膜D1的与源区域及漏区域相面对的位置上，图案处理出一对接触孔。这样，通过将接触孔内用金属膜填埋，就形成源触点Sc及漏触点Dc。
当形成各触点Sc、Dc时，在各触点Sc、Dc及第1层间绝缘膜D1的上侧全面堆积铝等金属膜，通过对该金属膜进行图案处理，形成与各触点Sc、Dc连接的电源线M2s及阳极线M2d。然后，在这些电源线M2s、阳极线M2d及第1层间绝缘膜D1的上侧全面堆积由硅氧化膜等构成的第2层间绝缘膜D2，在该第2层间绝缘膜D2的与阳极线M2d的一部分相面对的位置上形成穿透孔。接下来，在该穿透孔内和第2层间绝缘膜D2的上侧全面，堆积ITO等具有光透过性的透明导电膜，通过对该透明导电膜进行图案处理，形成与阳极线M2d连接的阳极Pc。
当形成阳极Pc时，即在该阳极Pc及第2层间绝缘膜D2的上侧全面堆积由硅氧化膜等构成的第3层间绝缘膜D3，通过对该第3层间绝缘膜D3进行图案处理，形成具有整合径R1的位置整合孔D3h。当形成位置整合孔D3h时，即在该位置整合孔D3h内及第3层间绝缘膜D3的上侧全面涂布光硬化性树脂，通过对该光硬化性树脂进行图案处理，形成具有隔壁DBw(圆锥孔DBh)的隔壁层DB。
此后，利用喷墨法等向位置整合孔D3h(圆锥孔DBh)内喷出空穴输送层的构成材料，通过将该构成材料干燥及硬化，形成空穴输送层。继而，利用喷墨法等，向该空穴输送层上喷出发光层的构成材料，通过将该构成材料干燥及硬化，形成发光层。即，形成将直径设为整合径R1的有机EL层OEL。当形成有机EL层OEL时，即在该有机EL层OEL及第3层间绝缘膜D3的上侧全面堆积由铝等金属膜构成的阴极Pa，形成由阳极Pc、有机EL层OEL及阴极Pa构成的有机EL元件33。这样，就形成具备了TFT32及有机EL元件33的象素34。
其间，元件基板30因各种热处理或等离子体处理等而承受到机械的载荷，由于其厚度被以研削前厚度T0形成，因此就可以避免它的机械的破损。
如图5所示，当在发光元件形成面30a上形成象素34时，即进行在元件基板30上贴附支撑基板38的支撑基板贴附工序(步骤S12)。即，在象素34(阴极Pa)的上侧全面涂布由环氧树脂等构成的粘结剂，形成粘接层La，借助该粘接层La，如图7所示，将厚度被制成支撑厚度T2(500μm)的支撑基板38贴附在元件基板30上。
如图5所示，当在元件基板30上贴附了支撑基板38时，即进行研削元件基板30的研削工序(步骤S13)。即，将支撑基板38用未图示的研削装置的支撑台等支撑，如图7所示，对作为元件基板30的一侧面并与发光元件形成面30a相面对的一侧的面(研削面30c)用旋转砂轮等研削。
此后，将元件基板30的厚度从研削前厚度T0研削至达到研削后厚度T1，在与发光元件形成面30a相面对的一侧的面上形成光输出面30b(图7的双点划线)。
其间，元件基板30虽然受到来自旋转砂轮的机械的载荷，但是由制成支撑厚度T2的支撑基板38对其机械强度进行补偿，因而可以避免它的机械破损。
如图5所示，当将元件基板30的厚度研削至研削后厚度T1时，即进行向所述光输出面30b喷出液滴的液滴喷出工序(步骤S14)。图8是说明液滴喷出工序的说明图。首先，对用于喷出液滴的液滴喷出装置的构成进行说明。
如图8所示，在构成液滴喷出装置的液滴喷头45上，具备喷嘴平板46。在该喷嘴平板46的下面(喷嘴形成面46a)上，朝向上方地形成有多个将作为功能液的紫外线硬化性树脂Pu喷出的喷嘴N。在各喷嘴N的上侧，形成有与未图示的收容罐连通而可以将紫外线硬化性树脂Pu向喷嘴N内供给的供给室47。在各供给室47的上侧，配设有沿上下方向往复振动而使供给室47内的容积扩大缩小的振动板48。在位于该振动板48的上侧并与各供给室47相面对的位置上，分别配设有沿上下方向伸缩而使振动板48振动的压电元件49。
这样，被向液滴喷出装置搬送的元件基板30(支撑基板38)就如图8所示，使在研削工序中形成的光输出面30b与喷嘴形成面46a平行，并且将各有机EL元件33的中心位置分别定位于喷嘴N的中心位置的正下方。
这里，当向液滴喷头45输入用于喷出液滴的驱动信号时，压电元件49即基于相同的驱动信号伸缩而使供给室47的容积扩大缩小。此时，当供给室47的容积缩小时，则与缩小了的容积相对应的量的紫外线硬化性树脂Pu就被从各喷嘴N中作为微小液滴Ds喷出。所喷出的微小液滴Ds命中光输出面30b上的与有机EL元件33的中心位置相面对的位置。接下来，当供给室47的容积扩大时，则扩大了的容积部分的紫外线硬化性树脂Pu就被从未图示的收容罐向供给室47内供给。即，液滴喷头45利用此种供给室47的扩大缩小，将给定的容量的紫外线硬化性树脂Pu向光输出面30b喷出。被向光输出面30b上喷出的多个微小液滴Ds如图8中的双点划线所示，因其表面张力等而形成呈现半球面状的表面的液滴Dm。
此时，液滴喷头45喷出液滴Dm的直径为与微透镜40的开口径R2大致相同的大小，即达到100μm的微小液滴Ds。
如图5所示，当在光输出面30b上形成液滴Dm时，即进行使该液滴Dm硬化而形成透镜的透镜形成工序(步骤S15)。即，向液滴Dm(光输出面30b)照射紫外线而使液滴Dm硬化。这样，就可以在研削后厚度T1(50μm)的元件基板30上形成开口径R2(100μm)的微透镜40而制造曝光头20。
这样，可以用研削元件基板30的量(从研削前厚度T0中减去了研削后厚度T1的量，即450μm)，来增大微透镜40的开口角θ1。所以，就可以用研削元件基板30的量来增加从微透镜40的射出面40a中射出的光量，从而可以提高从有机EL元件33中发出的光的输出效率。
下面，将如上所述地构成的本实施方式的效果说明如下。
(1)根据本实施方式，对形成了有机EL元件33的元件基板30的研削面30c进行研削而形成光输出面30b，在该光输出面30b上形成了与各有机EL元件33对应的微透镜40。所以，就可以用研削元件基板30的量来增大微透镜40的开口角θ1，从而可以制造提高了从有机EL元件33中发出的光的输出效率的曝光头20。
(2)而且，在元件基板30上贴附了支撑基板38，从而增强了元件基板30的机械强度。由此，就可以不损伤有机EL元件33及元件基板30地进行研削工序(步骤S13)、液滴喷出工序(步骤S14)及透镜形成工序(步骤S15)，从而可以更为简便地制造提高了光的输出效率的曝光头20。
(3)所述实施方式中，从液滴喷头45中喷出紫外线硬化性树脂Pu而在光输出面30b上形成液滴Dm，通过向相同液滴Dm照射紫外线而形成了微透镜40。所以，就可以不受到元件基板30的厚度的制约地形成微透镜40。其结果是，可以基于研削工序的加工性能设定元件基板30的研削后厚度T1，从而可以进一步提高曝光头20的光的输出效率。
而且，所述实施方式也可以如下所示地变更。
·所述实施方式中，对元件基板30进行机械研削而将其厚度设为研削后厚度T1。也可以不限定于此，而是例如将元件基板30的研削面30c浸渍于稀氢氟酸或稀氢氟酸和氟化铵的混合溶液或者盐酸和硝酸的混合溶液等中而进行蚀刻，从而将其厚度设为研削后厚度T1。而且，此时，研削后厚度T1最好设定为可以利用这样的蚀刻等获得均一的厚度的基板的厚度。
·所述实施方式中，向在研削工序中形成的光输出面30b喷出紫外线硬化性树脂Pu而形成了液滴Dm。除此以外，也可以在实施了使光输出面30b的表面平滑的疏液处理(例如氟类的等离子体处理或疏液材料的涂布等)后，喷出紫外线硬化性树脂Pu而形成液滴Dm。这样就可以不使微小液滴Ds浸润展开地均一地形成呈现出半球面状的表面的液滴Dm。
·所述实施方式中，虽然将透明基板作为元件基板30而具体化，但是并不限定于此，例如也可以是聚酰亚胺等塑料基板，只要是可以透过从有机EL层OEL中发出的光的透明基板即可。
·所述实施方式中，将微透镜40的开口径R2以有机EL层OEL的内径(整合径R1)的2倍的大小形成。然而并不限定于此，开口径R2只要是不使微透镜40的周边部的成像性能变差，与各有机EL层OEL对应地形成所需的尺寸的曝光点的大小即可。
·所述实施方式中，虽然将微透镜40设为半球面状的凸透镜，但是并不限定于此，也可以作为半圆柱状透镜或凹透镜而具体化。这样就可以进一步提高从有机EL元件33中发出的光的扩散的效率。
·所述实施方式中，虽然采用了利用紫外线硬化性树脂Pu形成微透镜40的构成，但是并不限定于此，例如也可以是热硬化性树脂，只要是在光输出面30b上硬化的功能液即可。
·所述实施方式中，采用了利用液滴喷出装置形成微透镜40的构成。然而并不限定于此，形成微透镜40的方法例如也可以采用将利用复制品法等形成的微透镜40安装在光输出面30b上的方法。
·所述实施方式中，将射出面40a的顶点和感光层16a之间的距离设为图像侧焦点距离Hf，使从有机EL层OEL中发出的光在感光层16a上会聚。然而并不限定于此，射出面40a的顶点和感光层16a之间的距离例如也可以设为得到有机EL层OEL的等倍图像的距离，而不限定于图像侧焦点距离Hf等。
·所述实施方式中，采用了在每个象素34上设有1个控制有机EL元件33的发光的TFT32的构成。然而并不限定于此，既可以是在每个象素34上设置2个以上控制有机EL元件33的发光的TFT32的构成，另外也可以是在元件基板30上不具备TFT32的构成。
·所述实施方式中，采用了利用喷墨法形成有机EL层OEL的构成。然而并不限定于此，有机EL层OEL的形成方法例如也可以是旋转涂覆法或真空蒸镀法等，并不限定于喷墨法。
·所述实施方式中，虽然利用高分子类的有机材料形成有机EL层OEL，但是也可以是低分子类的有机材料，另外还可以是用无机材料形成的EL层。
·所述实施方式中，虽然将电光学装置作为曝光头20而具体化，然而并不限定于此，例如也可以是安装于液晶面板上的背光灯等，还可以是具备平面状的电子发射元件并利用了从相同元件中发射的电子造成的荧光物质的发光的电场效应型显示器(FED或SED等)。
Claims (8)
1.一种电光学装置的制造方法，是在透明基板的发光元件形成面上形成发光元件，并在所述透明基板的光输出面上形成射出从所述发光元件中发出的光的微透镜的电光学装置的制造方法，其特征是，
在所述透明基板的所述发光元件形成面侧贴附了支撑基板后，通过将与所述发光元件形成面相面对的所述透明基板的一侧面向所述发光元件形成面侧切削而形成所述光输出面。
2.根据权利要求1所述的电光学装置的制造方法，其特征是，
通过研削所述透明基板的所述一侧面而形成所述光输出面。
3.根据权利要求1所述的电光学装置的制造方法，其特征是，
通过蚀刻所述透明基板的所述一侧面而形成所述光输出面。
4.根据权利要求1～3中任意一项所述的电光学装置的制造方法，其特征是，
利用从液滴喷出装置中喷出的功能液，在所述光输出面上形成液滴，通过使所述液滴硬化而形成所述微透镜。
5.根据权利要求4所述的电光学装置的制造方法，其特征是，
在所述光输出面上的与所述发光元件对峙的位置上形成半球面状的所述液滴，通过使所述液滴硬化而形成凸形状的所述微透镜。
6.根据权利要求1～5中任意一项所述的电光学装置的制造方法，其特征是，
所述发光元件是具备了形成于所述光输出面侧的透明电极、与所述透明电极相对地形成的背面电极、以及形成于所述透明电极和所述背面电极之间的发光层的电致发光元件。
7.根据权利要求6所述的电光学装置的制造方法，其特征是，
所述发光层由有机材料制成，所述电致发光元件为有机电致发光元件。
8.一种图像形成装置，具备：使像担载体的外周面带电的带电机构、将带电了的所述像担载体的外周面曝光而形成潜像的曝光机构、向所述潜像供给着色粒子而显影出显像的显影机构、以及将所述显像转印到转印介质上的转印机构，该图像形成装置其特征是：
所述曝光机构具备由权利要求1～7中任意一项所述的电光学装置的制造方法制造的电光学装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004343424A JP2006156075A (ja) | 2004-11-29 | 2004-11-29 | 電気光学装置の製造方法及び画像形成装置 |
| JP2004343424 | 2004-11-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1782911A true CN1782911A (zh) | 2006-06-07 |
Family
ID=36566989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNA2005101181838A Pending CN1782911A (zh) | 2004-11-29 | 2005-11-11 | 电光学装置的制造方法及图像形成装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20060114365A1 (zh) |
| JP (1) | JP2006156075A (zh) |
| KR (1) | KR100695279B1 (zh) |
| CN (1) | CN1782911A (zh) |
| TW (1) | TWI289514B (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100456527C (zh) * | 2006-11-15 | 2009-01-28 | 吉林大学 | 一种改善平板发光器件耦合出光效率的方法 |
| CN101799645A (zh) * | 2009-02-06 | 2010-08-11 | 富士施乐株式会社 | 图像形成装置及图像形成方法 |
| CN106662803A (zh) * | 2014-09-01 | 2017-05-10 | 松下知识产权经营株式会社 | 透过屏幕以及影像投射系统 |
| CN109725763A (zh) * | 2017-10-30 | 2019-05-07 | 乐金显示有限公司 | 具有集成的触摸屏的显示装置 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200705968A (en) | 2005-07-22 | 2007-02-01 | Primax Electronics Ltd | Optical reading head of scanner |
| TWI272831B (en) * | 2005-09-02 | 2007-02-01 | Transpacific Optics Llc | Optical reading head of scanner |
| US8125138B2 (en) * | 2006-06-14 | 2012-02-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Structured OLED with micro optics for generating directed light |
| US20100019399A1 (en) * | 2006-09-29 | 2010-01-28 | Masashi Kimura | Polyorganosiloxane composition |
| JP2009110873A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Toppan Printing Co Ltd | 表示装置 |
| US8657475B2 (en) | 2009-10-14 | 2014-02-25 | 3M Innovative Properties Company | Light source |
| US8538224B2 (en) * | 2010-04-22 | 2013-09-17 | 3M Innovative Properties Company | OLED light extraction films having internal nanostructures and external microstructures |
| US10663745B2 (en) | 2016-06-09 | 2020-05-26 | 3M Innovative Properties Company | Optical system |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6661445B2 (en) * | 1998-08-31 | 2003-12-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus with an array of light emitting devices |
| JP4053260B2 (ja) * | 2000-10-18 | 2008-02-27 | シャープ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子 |
| JP4766218B2 (ja) * | 2001-07-09 | 2011-09-07 | セイコーエプソン株式会社 | 有機ｅｌアレイ露光ヘッドとその作製方法及びそれを用いた画像形成装置 |
| US6984934B2 (en) * | 2001-07-10 | 2006-01-10 | The Trustees Of Princeton University | Micro-lens arrays for display intensity enhancement |
| DE60318145T2 (de) * | 2002-03-11 | 2008-12-24 | Seiko Epson Corp. | Optischer Schreibkopf wie organische elektrolumineszente Belichtungskopf-Matrizen, Verfahren zu dessen Herstellung und Bilderzeugungsvorrichtung, die diesen nutzt |
| KR20040021221A (ko) * | 2002-09-03 | 2004-03-10 | 엘지전자 주식회사 | 유기 ｅｌ 소자 |
| JP2004241130A (ja) * | 2003-02-03 | 2004-08-26 | Seiko Epson Corp | 発光ディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| US7497754B2 (en) * | 2004-04-30 | 2009-03-03 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Method for thinning substrate of EL device |
-
2004
- 2004-11-29 JP JP2004343424A patent/JP2006156075A/ja not_active Withdrawn
-
2005
- 2005-10-25 KR KR1020050100573A patent/KR100695279B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-10-27 US US11/260,752 patent/US20060114365A1/en not_active Abandoned
- 2005-11-11 CN CNA2005101181838A patent/CN1782911A/zh active Pending
- 2005-11-15 TW TW094140091A patent/TWI289514B/zh not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN100456527C (zh) * | 2006-11-15 | 2009-01-28 | 吉林大学 | 一种改善平板发光器件耦合出光效率的方法 |
| CN101799645A (zh) * | 2009-02-06 | 2010-08-11 | 富士施乐株式会社 | 图像形成装置及图像形成方法 |
| CN101799645B (zh) * | 2009-02-06 | 2014-11-19 | 富士施乐株式会社 | 图像形成装置及图像形成方法 |
| CN106662803A (zh) * | 2014-09-01 | 2017-05-10 | 松下知识产权经营株式会社 | 透过屏幕以及影像投射系统 |
| CN106662803B (zh) * | 2014-09-01 | 2019-07-26 | 松下知识产权经营株式会社 | 透过屏幕以及影像投射系统 |
| CN109725763A (zh) * | 2017-10-30 | 2019-05-07 | 乐金显示有限公司 | 具有集成的触摸屏的显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2006156075A (ja) | 2006-06-15 |
| TWI289514B (en) | 2007-11-11 |
| US20060114365A1 (en) | 2006-06-01 |
| KR20060059801A (ko) | 2006-06-02 |
| KR100695279B1 (ko) | 2007-03-14 |
| TW200628320A (en) | 2006-08-16 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |