JP3857564B2 - 樹脂表面への導電性被膜及び導電性回路パターンの形成方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、樹脂表面に導電性被膜や導電性回路パターンを形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
樹脂表面に導電性被膜や導電性回路パターンを形成する方法としては、外部電力により電解析出させる電解メッキ法や溶液中の金属イオンを化学薬品によって還元析出させる無電解メッキ法が挙げられる。
【０００３】
樹脂は一般的に不導体であるため、電解メッキを行うためには、先ず無電解メッキを行って樹脂表面を導電体にした後に電解メッキを行う方法が一般的に採られるが、無電解メッキを行うためには、無電解メッキの初期の金属析出に必要な触媒層を樹脂表面に付与する必要がある。
【０００４】
樹脂表面に触媒層を付与する方法としては、例えば、樹脂表面に塩化第一スズ溶液で官能基を付与した後に塩化パラジウム溶液で処理する方法、樹脂表面を塩化第一スズと塩化パラジウムとを混合したコロイド溶液で処理する方法、樹脂表面をパラジウム錯体溶液に浸漬させて還元剤でパラジウム金属層を付与する方法等が挙げられるが、近年、樹脂表面に触媒層を付与しない方法も提案されている。
【０００５】
例えば、特開平８−２０９３５４号公報には、樹脂表面にスルホニル基やカルボキシル基等の陽イオン交換基（酸性基）を導入し、これを金属イオン含有液で処理して金属イオンを化学的に吸着させた後に、還元処理を行うことを特徴とする樹脂表面への機能性被膜の形成方法が提案されている。
【０００６】
しかし、上記公報に提案されている方法では、樹脂表面にスルホニル基やカルボキシル基等の陽イオン交換基（酸性基）を導入する際に、濃硫酸のような強酸や強アルカリの溶液中に樹脂を浸漬して樹脂表面に官能基を導入し、その後中和処理を行っているため、工程が煩雑であるという問題点や、樹脂が薄いフィルム状である場合、その表面の劣化を防止するために処理方法に工夫を要するという問題点がある。
【０００７】
又、樹脂表面に導電性回路パターンを形成する方法として、いくつかの方法が提案されている。例えば、特開平１１−２４６９７７号公報には、樹脂表面に酸性基を導入し、該酸性基に銀イオンを吸着させ、樹脂表面にパターン状に活性光線を照射することにより、パターン状に銀を析出させ、次いで、未析出銀を除去した後、無電解メッキ処理を行うことを特徴とする回路形成方法が提案されている。
【０００８】
しかし、上記公報に提案されている方法では、パターン部分以外にも銀イオンが吸着するので、余分な銀を消費することになると共に、後で不要な銀イオンを溶解し除去する必要が生じたり、樹脂表面に酸性基を導入するために、濃度の高い硫酸やクロム酸等の水溶液によるウェット処理を行う必要が生じる等、工程が煩雑になるという問題点がある。
【０００９】
又、特開２００１−２６８８０号公報には、例えば樹脂基板のような有機化合物を主原料とする対象物を直接レーザー光でパターン酸化してカルボキシル基を生成させ、これに金属イオンを結合させる工程と、結合された金属イオンを上記対象物の表面に還元析出させて触媒化する工程とを含むことを特徴とする導体パターン形成方法が提案されている。
【００１０】
しかし、上記公報に提案されている方法では、対象物を構成する有機化合物が側鎖又は末端にカルボキシル基に酸化され得る官能基を有するものでなければならず、例えば樹脂基板のような一般的な対象物への適用は困難であるという問題点や、酸化により、カルボキシル基のみならず、カルボニル基や水酸基等に変換されてしまう場合があるため、金属イオンの保持量が少なくなるという問題点がある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、上記問題点に鑑み、対象樹脂表面の必要な部分のみに金属イオンを吸着させることによる、導電性被膜や導電性回路パターンの効率的且つ容易な形成方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、対象樹脂表面にネガ型レジスト層を設け、このネガ型レジスト層に金属イオンを吸着させた後に還元し、次いで、無電解メッキ及び／又は電解メッキを施すことにより、対象樹脂表面に導電性被膜を効率的且つ容易に形成できることを見出した。又、上記ネガ型レジスト層に対し、所望の回路パターン部分をマスクしたマスクパターンを通して上記回路パターン部分以外のネガ型レジスト層に電離放射線を照射して硬化させた後、回路パターン部分に金属イオンを吸着させて還元し、次いで、生じた金属パターン部分に無電解メッキ及び／又は電解メッキを施すことにより、対象樹脂表面に導電性回路パターンを効率的且つ容易に形成できることを見出した。
【００１３】
本発明においては、金属イオンを吸着させるためのカルボキシル基及び／又はスルホニル基を例えば樹脂基板のような対象物の表層付近に導入する方法として、カルボキシル基及び／又はスルホニル基を有するネガ型レジストの層を対象物の表面に形成し、これに金属イオンを吸着させることを特徴とする。このことにより、従来行われていたような強酸や強アルカリの溶液中で対象物の表面を処理する必要がなくなるという利点を得られる。
【００１４】
本発明による導電性被膜及び導電性回路パターンの形成方法の対象となり得る樹脂（対象樹脂）としては、適度の強度や耐熱性を有するものであれば如何なる樹脂であっても良く、特に限定されるものではないが、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ビニル樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ＡＢＳ樹脂等が挙げられ、好適に用いられるが、なかでも、強度や耐熱性に優れることから、ポリイミド樹脂がより好適に用いられる。上記ポリイミド樹脂は、熱可塑性ポリイミド樹脂であっても良いし、熱硬化性ポリイミド樹脂であっても良い。又、これらの樹脂は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。更に、これらの樹脂の形状は、特に限定されるものではないが、一般的には基板状のものやフィルム状のものが好ましい。
【００１５】
本発明において、上記対象樹脂表面に導電性被膜や導電性回路パターンを形成するために用いられるネガ型レジストとしては、分子内にカルボキシル基及び／又はスルホニル基を有し、電離放射線を照射された際にカルボキシル基及び／又はスルホニル基が反応して消失するか、又は、電離放射線を照射された際に架橋して硬化し、溶解性が減少するものであれば如何なるネガ型レジストであっても良く、特に限定されるものではないが、例えば、上記対象樹脂の種類に対応する公知の各種ネガ型レジストが挙げられ、具体的には、分子内にカルボキシル基及び／又はスルホニル基、及び、光重合性官能基及び／又は光架橋性官能基を有する樹脂を主成分とし、これに光重合開始剤、増感剤、安定剤等が添加されてなるネガ型レジストや、分子内にカルボキシル基及び／又はスルホニル基を有する樹脂を主成分とし、これに光重合性官能基を有する化合物及び／又は光架橋性官能基を有する化合物、光重合開始剤、増感剤、安定剤等が添加されてなるネガ型レジスト等が挙げられ、好適に用いられるが、なかでも、対象樹脂に対するネガ型レジスト層の密着性が良好となり、ネガ型レジスト層に形成される導電性被膜や導電性回路パターンと対象樹脂との密着性を確保できることから、対象樹脂と同一又は類似の構造を有する樹脂からなるネガ型レジストがより好適に用いられる。これらのネガ型レジストは、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。
【００１６】
本発明において、対象樹脂とネガ型レジストとの好ましい組み合わせとしては、特に限定されるものではないが、例えば、対象樹脂がポリイミド樹脂であり、ネガ型レジストがポリイミド骨格を有する樹脂からなるネガ型レジストである組み合わせが挙げられる。
【００１７】
ポリイミド骨格を有する樹脂からなるネガ型レジストとしては、特に限定されるものではないが、例えば、ポリアミック酸に光アミン発生剤を添加してなるネガ型レジスト、ポリアミック酸にアミン化合物を添加してなるネガ型レジスト、ポリアミック酸に光重合性官能基を化学結合で導入したネガ型レジスト等が挙げられ、好適に用いられる。これらのポリイミド骨格を有する樹脂からなるネガ型レジストは、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。
【００１８】
本発明では、前記対象樹脂表面に対して、導電性被膜や導電性回路パターンを形成する前に、上記ネガ型レジストからなるネガ型レジスト層が形成される。ネガ型レジスト層の形成方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、コンマコーター、グラビアコーター、マイクログラビアコーター、スピンコーター等の公知のコーターを用いて、ネガ型レジストを対象樹脂表面に塗工すれば良い。この際、ネガ型レジストとの密着性を上げるために、予め対象樹脂表面にはコロナ放電処理、プラズマ処理、電子線照射処理、サンドブラスト処理、エンボス加工等の表面処理を施していることが好ましい。
【００１９】
又、ネガ型レジスト層は、金属イオンを吸着させ、還元した後に、或いは、その後に無電解メッキ及び／又は電解メッキを施した後に、加熱処理等により対象樹脂に対する密着性を上げることもできる。この際、対象樹脂の種類によっては、ネガ型レジスト層と対象樹脂との間に化学結合を生じさせて、密着性をより強固なものとすることもできる。
【００２０】
対象樹脂の表面に形成するネガ型レジスト層の厚みは、特に限定されるものではないが、０．１〜２０μｍであることが好ましく、より好ましくは０．２〜１０μｍであり、特に好ましくは０．５〜５μｍである。ネガ型レジスト層の厚みが０．１μｍ未満であると、カルボキシル基及び／又はスルホニル基の絶対量が少なくなって、充分な量の金属イオンが吸着されないため、後工程における無電解メッキ及び／又は電解メッキを施し難くなることがあり、逆にネガ型レジスト層の厚みが２０μｍを超えると、対象樹脂の総厚みが厚くなり過ぎて、例えば配線基板等に使用する際に嵩高くなってしまうことがある。
【００２１】
本発明において、対象樹脂の表面に導電性回路パターンを形成する場合には、対象樹脂表面に形成されたネガ型レジスト層に、所望の回路パターン部分をマスクしたマスクパターンを通して電離放射線を照射し、所望の回路パターン部分以外の部分を硬化させる。
【００２２】
上記マスクパターンの材料としては、特に限定されるものではないが、例えば、電離放射線を通し易い石英ガラスなどのガラス基板やプラスチック基板等に、電離放射線を通さない金属を蒸着し、所望の回路パターン部分以外の部分をエッチングして金属を除去したもの等が挙げられ、好適に用いられる。
【００２３】
上記電離放射線としては、照射により上記ネガ型レジスト層を硬化させ得るエネルギーを有するものであれば良く、特に限定されるものではないが、例えば、紫外線、レーザー光、電子線、Ｘ線等が挙げられ、好適に用いられるが、なかでも紫外線がより好適に用いられる。これらの電離放射線は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。
【００２４】
上記紫外線の光源としては、特に限定されるものではないが、例えば、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、低圧水銀ランプ、キセノンランプ等が挙げられ、好適に用いられるが、なかでも高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ及びメタルハライドランプがより好適に用いられる。これらの紫外線の光源は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。
【００２５】
本発明においては、対象樹脂表面に導入されたカルボキシル基及び／又はスルホニル基と金属塩からの金属イオンとのイオン交換により、対象樹脂表面にカルボキシル基及び／又はスルホニル基の金属塩を生成させる。
【００２６】
金属イオンとしては、特に限定されるものではないが、例えば、ニッケル、金、銀、銅、白金、パラジウム、鉄、コバルト等の各種金属のイオンが挙げられ、好適に用いられる。これらの金属イオンは、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。
【００２７】
上記金属イオンの供給源となる金属塩としては、特に限定されるものではないが、例えば、上記各種金属の硝酸塩、硫酸塩、塩化物等が挙げられ、好適に用いられる。これらの金属塩は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。
【００２８】
上記金属塩の含有液中に、表面にカルボキシル基及び／又はスルホニル基が導入された対象樹脂を浸漬することにより、カルボキシル基及び／又はスルホニル基と上記金属塩含有液中の金属イオンとのイオン交換が起こり、対象樹脂表面にカルボキシル基及び／又はスルホニル基の金属塩を生成させることができる。
【００２９】
上記金属塩含有液は、一般的には水溶液であることが好ましいが、金属塩の種類によっては例えばメタノールなどの有機溶媒溶液であっても良い。又、上記金属塩含有液には、必要に応じて、錯化剤や界面活性剤等の各種添加剤の１種類もしくは２種類以上が添加されていても良い。
【００３０】
上記金属塩含有液中における金属イオンの濃度は、特に限定されるものではないが、０．０１〜１モル／リットルであることが好ましく、より好ましくは０．０３〜０．１モル／リットルである。複数の金属塩（金属イオン）を用いる場合には、金属イオンの合計濃度が上記範囲となるようにすれば良い。
【００３１】
上記金属塩含有液中への表面にカルボキシル基及び／又はスルホニル基が導入された対象樹脂の浸漬は、静置状態で行っても良いし、例えば攪拌羽根等を用いた攪拌状態で行っても良い。又、特に限定されるものではないが、浸漬温度は１０〜４０℃であることが好ましく、より好ましくは２０〜３０℃であり、浸漬時間は１〜３０分であることが好ましく、より好ましくは２〜２０分である。
【００３２】
本発明においては、このようにして対象樹脂表面に生成させたカルボキシル基及び／又はスルホニル基の金属塩を還元して、対象樹脂表面に金属被膜を形成する。
【００３３】
上記金属塩の還元方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、還元剤を用いて還元する方法、触媒と紫外線等のエネルギーとを利用して還元する方法等が挙げられ、好適に用いられる。これらの還元方法は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。
【００３４】
上記還元剤としては、公知のもので良く特に限定されるものではないが、例えば、水素化硼素ナトリウム、水素化硼素カリウム、ジメチルアミンボラン、トリメチルアミンボラン、ヒドラジン、ホルムアルデヒド及びその誘導体、亜硫酸ナトリウムなどの亜硫酸塩、次亜燐酸ナトリウムなどの次亜燐酸塩等が挙げられ、好適に用いられる。これらの還元剤は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。
【００３５】
本発明においては、このようにして対象樹脂表面に形成した金属被膜上に無電解メッキ及び／又は電解メッキを施して、対象樹脂表面に導電性被膜又は導電性回路パターンを形成する。
【００３６】
無電解メッキや電解メッキの方法は、特に限定されるものではなく従来より行われている公知の方法で良い。
【００３７】
無電解メッキは、通常、例えば、金属塩、錯化剤、還元剤、安定剤、促進剤、光沢剤、界面活性剤、緩衝剤、ｐＨ調整剤等の成分からなるメッキ液に、還元処理により表面に金属被膜が形成された対象樹脂を浸漬することにより行なわれる。メッキ液は一般に市販されているものを用いても良い。又、無電解メッキを施す際の攪拌方法は、特に限定されるものではなく、例えば、羽根攪拌、スターラー、ホモジナイザー、ミキサー、超音波分散、空気攪拌等の従来より行われている公知の方法で良い。
【００３８】
上記金属塩としては、所望の金属の種類に応じて適当な可溶性の金属塩を用いれば良く、特に限定されるものではないが、例えば、金属がニッケルの場合には、塩化ニッケルや硫酸ニッケル等の塩が挙げられ、好適に用いられる。これらの金属塩は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。
【００３９】
上記錯化剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、乳酸、シュウ酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、チオグリコール酸、アンモニア、グリシン、アスパラギン、エチレンジアミン、エチレンジアミン四酢酸、ロシェル塩、コハク酸イミド等の金属イオンに対して錯化作用を有する各種化合物が挙げられ、好適に用いられる。これらの錯化剤は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。
【００４０】
上記還元剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、ホスフィン酸ナトリウム、水素化硼素ナトリウム、水素化硼素カリウム、ジメチルアミンボラン、ヒドラジン、ホルマリン、イミダゾール等が挙げられ、好適に用いられる。これらの還元剤は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。
【００４１】
上記緩衝剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、酢酸やクエン酸などのカルボン酸、硼素や炭酸などの無機酸、又は、これらのアルカリ金属塩等が挙げられ、好適に用いられる。これらの緩衝剤は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。
【００４２】
又、電解メッキは、金属毎にそれぞれ公知の方法を用いれば良く、特に限定されるものではないが、例えば、銅メッキの場合には、ピロリドン酸銅メッキ浴や硫酸銅メッキ浴等を用いて電解メッキを施せば良い。
【００４３】
本発明においては、上記無電解メッキ及び電解メッキは、それぞれ単独で施しても良いし、両者を併用して施しても良い。
【００４４】
本発明の導電性回路パターンの形成方法においては、対象樹脂表面に形成されたネガ型レジスト層に所望の回路パターン部分をマスクしたマスクパターンを通して電離放射線を照射し、所望の回路パターン部分以外の部分を硬化させた後、上記回路パターン上に残存する未硬化部分のカルボキシル基及び／又はスルホニル基と金属塩からの金属イオンとのイオン交換により対象樹脂表面にカルボキシル基及び／又はスルホニル基の金属塩を生成させる際に、未硬化のネガ型レジスト層の一部を溶解させて凹型状の窪みを形成させ、この窪みに金属イオンを吸着させることが好ましい。
【００４５】
このような方法を採ることにより、導電性回路パターンの一部もしくは全部がネガ型レジスト層に埋め込まれた形となり、対象樹脂に対する導電性回路パターンの密着性がより向上する。又、例えば配線基板の配線の凸部分を低くするか無くするので、還元処理により対象樹脂表面に形成された金属被膜上に無電解メッキ及び／又は電解メッキを施す際に、隣接する配線同士の短絡を防止することもできる。
【００４６】
未硬化のネガ型レジスト層の一部を溶解させる方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、対象樹脂表面に形成されたネガ型レジスト層に上記マスクパターンを通して電離放射線を照射し、回路パターン部分以外の部分を硬化させた後、これを前記金属塩含有液に浸漬する際に、金属塩含有液の温度やｐＨ、浸漬時間等を適宜調整する方法が挙げられる。例えば、金属塩含有液のｐＨをアルカリ側に調整することにより、未硬化のネガ型レジスト層の一部を短時間で溶解させることができる。
【００４７】
【発明の実施の形態】
本発明をさらに詳しく説明するため以下に実施例を挙げるが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。
【００４８】
（実施例１）
脱水したＮ−メチルピロリドン１００ｇに、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル４５ｇを溶解し、これに室温下でピロメリット酸５５ｇを少量ずつ添加しながら攪拌溶解し、更に室温下で５時間攪拌し、ポリアミック酸を合成した。次に、ネガ型レジスト作製の文献に記載の公知の方法（例えば、「躍進するポリイミドの最新動向II−多様化する種類・特性・加工性と用途拡大の実態−」、住ベテクノリサーチ株式会社）に従って、上記ポリアミック酸５０ｇにジメチルアミノエチルアクリレート０．２５ｇ及び光重合開始剤（商品名「ＩＲＧＡＣＵＲＥ１８４」、共栄化学社製）０．２ｇを添加し、充分に混合した後、加熱脱泡して、カルボキシル基含有ネガ型ポリイミドレジスト溶液を作製した。
【００４９】
次いで、アルゴンガスプラズマ処理により表面を親水化させたポリイミドフィルム（商品名「ユーピレックス５０Ｓ」、厚み５２μｍ、宇部興産社製）上に、上記で得られたカルボキシル基含有ネガ型ポリイミドレジスト溶液を乾燥後の樹脂厚みが２μｍとなるように塗工し、乾燥して、ネガ型レジスト層を形成した。これを０．０５Ｍ硫酸銅水溶液に室温で３分間浸漬して銅イオンを吸着させた後、０．００５Ｍ水素化硼素ナトリウム水溶液に室温で１分間浸漬して、銅イオンを還元した。還元処理後の表面は金属光沢を示していた。これを無電解銅メッキ液（商品名「ＯＰＣ−７２０」、奥野製薬工業社製）に室温で１５分間浸漬して無電解メッキを行い、厚み５μｍの銅の被膜を形成した。ポリイミドフィルム全面に渡って均一な銅メッキ層の形成が認められた。
【００５０】
（実施例２）
アルゴンガスプラズマ処理により表面を親水化させたポリイミドフィルム「ユーピレックス５０Ｓ」（厚み５２μｍ）上に、実施例１で得られたカルボキシル基含有ネガ型ポリイミドレジスト溶液を乾燥後の樹脂厚みが２μｍとなるように塗工し、乾燥して、ネガ型レジスト層を形成した。これに４０μｍのピッチ間隔で幅４０μｍの回路パターン（配線パターン）を備え、回路パターン（配線パターン）部分が金属蒸着で遮光され、回路パターン（配線パターン）部分以外の部分に開口部を設けた石英ガラス製のマスクパターンを通して、超高圧水銀灯を備えた露光機（商品名「マスクアライナーＭＡ−１０」、三笠社製）を用いて、紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ² の強度で１分間、上記ネガ型レジスト層に照射した。これを０．０５Ｍ硫酸銅水溶液に室温で３分間浸漬して銅イオンを吸着させた後、０．００５Ｍ水素化硼素ナトリウム水溶液に室温で１分間浸漬して、銅イオンを還元した。これを無電解銅メッキ液「ＯＰＣ−７２０」に室温で１５分間浸漬して無電解メッキを行い、厚み５μｍの銅の回路パターン（配線パターン）を形成した。得られた回路パターン（配線パターン）の幅を光学顕微鏡で観察したところ、ほぼ４０μｍの幅の回路パターン（配線パターン）が隣接する回路パターン（配線パターン）と短絡することなく形成されていた。
【００５１】
（実施例３）
アルゴンガスプラズマ処理により表面を親水化させたポリイミドフィルム「ユーピレックス５０Ｓ」（厚み５２μｍ）上に、実施例１で得られたカルボキシル基含有ネガ型ポリイミドレジスト溶液を乾燥後の樹脂厚みが２μｍとなるように塗工し、乾燥して、ネガ型レジスト層を形成した。これに４０μｍのピッチ間隔で幅４０μｍの回路パターン（配線パターン）を備え、回路パターン（配線パターン）部分が金属蒸着で遮光され、回路パターン（配線パターン）部分以外の部分に開口部を設けた石英ガラス製のマスクパターンを通して、超高圧水銀灯を備えた露光機「マスクアライナーＭＡ−１０」を用いて、紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ² の強度で１分間、上記ネガ型レジスト層に照射した。これをｐＨを１２．０に調整した水酸化ナトリウム水溶液に３０秒間浸漬した後、弱酸性の硫酸水溶液で中和し、水洗した。これを０．０５Ｍ硫酸銅水溶液に室温で３分間浸漬して銅イオンを吸着させた後、更にｐＨを６．５に調整した０．０５Ｍ硫酸銅水溶液に室温で３分間浸漬して銅イオンを吸着させ、充分に水洗して、乾燥した。これを０．００５Ｍ水素化硼素ナトリウム水溶液に室温で３０秒間浸漬して、銅イオンを還元した。これを無電解銅メッキ液「ＯＰＣ−７２０」に室温で１時間浸漬して無電解メッキを行い、厚み５μｍの銅の回路パターン（配線パターン）を形成した。得られた回路基板（配線基板）の表面をＳＥＭで観察したところ、回路（配線）は隣接する回路（配線）と短絡することなく、ほぼ４０μｍの幅で形成されていた。又、回路（配線）の断面をＳＥＭで観察したところ、厚み５μｍの回路（配線）の内、１μｍがネガ型レジスト層の中に埋め込まれている様子が観察された。
【００５２】
【発明の効果】
本発明によれば、対象樹脂の表面を高濃度の酸やアルカリで処理することなく、対象樹脂表面の全面又は所望の回路パターン面にカルボキシル基及び／又はスルホニル基を容易に導入でき、導電性被膜や導電性回路パターンを効率的且つ容易に形成できる。
【００５３】
又、対象樹脂と同一又は類似の構造を有する樹脂からなるネガ型レジストを用いることにより、ネガ型レジスト層は対象樹脂に対して優れた密着性を発現するので、形成された導電性被膜や導電性回路パターンの対象樹脂に対する密着性も優れたものとなる。

Claims (4)

1. 少なくとも下記（１）〜（５）の５工程をこの順に経ることを特徴とする樹脂表面への導電性回路パターンの形成方法：（１）対象樹脂表面に、ポリアミック酸、重合性二重結合を有するアミン化合物及び光重合開始剤を含有するネガ型レジストからなるカルボキシル基を有するネガ型レジスト層を形成する工程、（２）上記ネガ型レジスト層に、所望の回路パターン部分をマスクしたマスクパターンを通して電離放射線を照射し、所望の回路パターン部分以外の部分を硬化させる工程、（３）上記回路パターン上に残存する未硬化部分のカルボキシル基と金属塩からの金属イオンとのイオン交換により、対象樹脂表面にカルボキシル基の金属塩を生成させる工程、（４）上記カルボキシル基の金属塩を還元して、対象樹脂表面に金属被膜を形成する工程、（５）上記金属被膜上に無電解メッキ及び／又は電解メッキを施して、対象樹脂表面に導電性回路パターンを形成する工程。
2. 重合性二重結合を有するアミン化合物は、ジメチルアミノエチルアクリレートであることを特徴とする請求項１に記載の導電性回路パターンの形成方法。
3. ネガ型レジストが対象樹脂と同一の構造を有する樹脂からなるネガ型レジストであることを特徴とする請求項１に記載の導電性回路パターンの形成方法。
4. カルボキシル基と金属塩からの金属イオンとのイオン交換によりカルボキシル基の金属塩を生成させる工程において、ネガ型レジスト層の一部を溶解させて、凹型状の窪みを形成することを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の導電性回路パターンの形成方法。