CN1623232A - 带有补偿的射频放大器装置 - Google Patents

带有补偿的射频放大器装置 Download PDF

Info

Publication number
CN1623232A
CN1623232A CNA038026449A CN03802644A CN1623232A CN 1623232 A CN1623232 A CN 1623232A CN A038026449 A CNA038026449 A CN A038026449A CN 03802644 A CN03802644 A CN 03802644A CN 1623232 A CN1623232 A CN 1623232A
Authority
CN
China
Prior art keywords
circuit
uncoupling
building
amplifier
out capacitor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA038026449A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1623232B (zh
Inventor
T·W·巴克
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samba Holdco Netherlands BV
Original Assignee
Koninklijke Philips Electronics NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koninklijke Philips Electronics NV filed Critical Koninklijke Philips Electronics NV
Publication of CN1623232A publication Critical patent/CN1623232A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1623232B publication Critical patent/CN1623232B/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6644—Packaging aspects of high-frequency amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6644—Packaging aspects of high-frequency amplifiers
    • H01L2223/665—Bias feed arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6644—Packaging aspects of high-frequency amplifiers
    • H01L2223/6655—Matching arrangements, e.g. arrangement of inductive and capacitive components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49175—Parallel arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30107—Inductance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

一种射频放大器装置(22)，包括放大器元件(24)，由补偿电路(26、28)针对其输出电容和与其电源(26)去耦合的频率进行补偿，其中的去耦合电路直接连接到补偿电路(26、28)，射频放大器装置包括放大器元件(56、80)和补偿电路，该补偿电路包括具有补偿电感(58、60、62)的内部分路电感器和补偿电容(64、92)，所说的补偿电路设置成与放大器元件(56、80)的一端并联，以补偿放大器元件(56、80)的终端电容，所说的装置还包括一个去耦合及电源引线(76、98)，该去耦合及电源引线连接到补偿电容(64、92)和/或去耦合电路(100)和/或补偿电容与去耦合电路(130)的组合。本发明还涉及射频放大器装置的模块以及对于射频放大器装置去耦合的方法。

Description

带有补偿的射频放大器装置
技术领域
本发明涉及射频放大器装置，该射频放大器装置包括具有频率相关增益的放大器元件，所述的频率相关是由输入和/或输出电容引起的，通过一个补偿电路来补偿所说的频率相关。
背景技术
电信运营商在风景区都设置有发送器或基站，因此每个人在任何地方都可以使用她或他自已的电话。这些基站包括放大器。这些放大器放大在高频载波(1或2GHz)上调制的数字信号。结果产生具有复杂频谱的极其复杂的信号。例如GSM、边缘GSM和CDMA都是用来在基站和移动电话之间传送数据的标准。在这些系统之后，使用宽带CDMA信号，称其为W-CDMA。因为数据的发送量极大，所以W-CDMA中的数据处理是最复杂的。
如果放大两个(或多个)具有不同频率的信号，则产生差分音调或频率。例如，具有第一频率的第一信号和具有第二频率的第二信号将产生具有第三频率的差分第三信号C，第三频率等于第一频率减去第二频率。差分第三信号是不希望出现的，因为它将产生偏置调制效应，从而导致很差的线性和放大器的频谱不对称性(存储效应)。为了避免出现这种不期望的效应，必须消除差分的第三信号。因此，基站放大器要求有宽带去耦合电路来处理差分音调。对于像(多载)W-CDMA这样的标准，要求去耦合到50MHz。利用电解电容可以短路较低的一些频率，使其“远离”晶体管芯片，但是高于5-10MHz的频率对于去耦合电容则需要极短的路径，以便足够短路
进而，在常规的基站放大器中，电源电压经过1/4波长线(λ/4线)连接到放大晶体管。1/4波长线技术是需要占用空间的技术，并且只提供一个很窄带宽的解决方案。1/4波长线基于如下的理论：如果两端网络的一端B短路，这就是说，电压等于0而短路电流为Ishort，则在两端网络的另一端A会发现开路情况，这就意味着，在端A测量到的电流等于0而短路电压为Vshort，反之亦然。因此，1/4波长线可用作滤波器。然而，由于1/4波长线的路径长度，对于直到10MHz的较高频率来说要获得低欧姆短路是极其困难的。进而，1/4波长线技术需要占用空间，这在微型化领域是不期望的。
图1表示常规的偏置电压源结构，它包括一个电源连接层16和一个去耦合电容18。射频放大器装置2包括有源芯片4和隔直电容6。有源芯片4经过形成INSHIN电感的连接线8连接到隔直电容6，并经过另一个连接线9连接到匹配电路10。匹配电路10连接到射频短路电容20并经过1/4波长线连接到去耦合电容18。去耦合电容18连接在电源连接层16和地14之间。
在一般情况下，基站的放大器的特征在于在它的输出端有一个INSHIN电感器(INSHIN为内部分路电感器)，从而可以补偿输出电容。内部分路电感器加在晶体管组件内，这个内部分路电感器由与有源芯片4连接的连接线8和隔直电容6形成。内部分路电感器通常用在输出功率大于20瓦的射频功率晶体管中。由在有源芯片4和隔直电容6之间的连接线8形成的内部分路电感器与隔直电容6是串联的。这个串联电路与有源芯片4的输出是并联的。这个内部分路电感器8利用隔直电容6连接到地。
如以上结合1/4波长线的原理所述的，1/4波长线的短路(short)可以和连接到地的射频端电容相比拟，这就隔离了直流并且短路了射频信号。当频率改变时，电长度就不再是1/4波长了，电源连接层16的直流偏置将要干扰匹配电路10，从而使1/4波长线12只在一个相当窄的频带上可以操作，或者换言之，1/4波长线12是窄带的。在2GHz，1/4波长线短线的电长度是7-20mm，这个长度取决于印刷电路板的材料。
1/4波长线解决方案引入了从晶体管到电容的一个长的路径。通过增加路径长度，还增加了阻抗。对于极低的频率(＜500kHz)，路径长度的阻抗可以忽略，但差分频率越高，路径长度就变得更加重要。这就使在高于5-10MHz的频率下在实际的晶体管上实现良好的短路更加困难。
例如，如果短路差分频率的电容离开最近的晶体管芯片的距离约为20mm，这被证明是距离太长以致于不能短路大于5MHz的差分频率。换言之，如果提供直流偏置，则需要1/4波长线，因为电源连接层16的直流偏置决不干扰射频匹配电路10的功能。这种解决方案在电路板上很占空间。在极小的设计空间，不期望占据印刷电路板上太多的空间。还有，从晶体管到短路差分频率的电容的路径长度也不期望太长。
为了得到放大器的良好性能，必须短路差分频率。因为必须避免电源对匹配电路的影响，所以要提供去耦合电容18以短路较低频率的差分频率。去耦合电容18连接到电源连接层16，去耦合电容18还需要设置成附加的滤波器。
在一般情况下，基站的放大器的特征在于：在它的输出端有一个分路电感器8，以补偿输出电容。分路电感器通常与输出功率大于20瓦的射频功率晶体管一起使用。分路电感器8与隔直电容6串联连接，并且通过隔直电容6耦合到地。
欧洲专利申请EP 0368329 A公开了一种自均衡的多级射频功率放大器。通过在驱动器级内使用两个调谐电路并在高功率级使用两个调谐电路，提高了两级射频功率放大器装置的线性和效率。在对于调谐电路的元件进行选择以便针对效率、线性、和功率输出优化高功率级以后，选择调谐电路的元件以使与驱动器级有关的相互调制输出分量相对于与单个高功率级有关的相互调制输出分量有一个180°的相位角。这个相位角关系产生的效果是：取消了从驱动器级和高功率级得到的相互调制输出分量结果。包括分路电感器的电路与隔直电容串联，隔直电容接地并形成晶体管器件外部的一个电路级。
英国专利申请GB 2225683A公开了一种可防止参数振荡的高频放大器。在放大器的输入端或输出端耦合一个谐振电路，就可防止在放大器中产生寄生的参数振荡。谐振电路的谐振频率等于放大的信号的频率的一半。谐振电路只包括连接到放大器的输出端或输入端的电感器的一部分。
在英国专利申请GB 2225683A中，直流电源不加到隔直电容上。进而，差分频率不用隔直电容去耦合。还有，分路电感是一个与晶体管分开的装置，不能由客户访问。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种射频放大器装置，用于在高频下去耦合。
为实现这个目的，本发明提供了按照本说明书起始段所述的射频放大器装置，所说的补偿电路耦合到电源端，所说的电源端连接到去耦合电路。
在按照本发明的装置中，从去耦合电路到放大晶体管的路径长度通过连接电源和/或去耦合电路到补偿电容极大地减小。这导致较高的去耦合频率和简单的偏置连接。此外，减小了电路所需的面积，使生产成本较低。
按照本发明的装置的优选实施例，射频放大器装置包括放大器元件和补偿电路，该补偿电路包括具有补偿电感的内部分路电感器和补偿电容，所说的补偿电路设置成与放大器元件的输出并联，以补偿装置的输入和/或输出电容，所说的装置还包括一个电源端，该电源端通过所说的去耦合电路连接到所说放大器元件，借此使去耦合电路经所说的电源端耦合到补偿电容。通过耦合电源和去耦合电路到补偿电容，使从去耦合电路到放大晶体管的路径长度减小。其结果是得到较高的去耦合频率和简单的偏置连接。
按照本发明的装置的另一个优选实施例，去耦合电路通过一个电感元件耦合到补偿电容。通过使用连接元件作为功能元件，可以节省电路板的空间以及生产时间和成本，因为不必购买和安装单独的电感。
按照本发明的装置的下一个优选实施例，电感元件至少是一个连接线。通过连接线的数目、连接线的直径和它的长度，可以容易地使电感的数值与客户的条件相匹配。
按照本发明的装置的下一个优选实施例，去耦合电路连接在地和电源之间。其结果是结构较简单。进而，减小了电路所需的空间。
按照本发明的装置的下一个优选实施例，去耦合电路包括至少一个去耦合电容。通过去耦合电容的数目可以使去耦合电容的阻抗与电路的条件相匹配。
按照本发明的装置的下一个优选实施例，提供一个电源线，该电源线包括电源连接区、去耦合电路连接区和连接线连接区，电源线靠近补偿电容设置。其结果是高得多的去耦合频率和简单的电源连接层离子。
按照本发明的装置的另一个优选实施例，所说的射频放大器装置是一个晶体管。
按照本发明的装置的下一个优选实施例，在一个电路板上设置具有补偿电路、去耦合电路、和连接线的放大器元件，所说的连接线具有用于电源的连接区和用于去耦合电路的连接区，其中的连接线定位在电路板上紧跟在补偿电容之后。上述功能部件的狭窄位置的作用是减小了电路的空间。
按照本发明的装置的下一个优选实施例，公开了一种包括放大器元件和补偿电路的射频放大器装置，补偿电路包括具有与补偿电容串联的补偿电感的内部分路电感器，将所说的电感器设置成与放大器元件的一端并联，以补偿放大器元件的终端电容，所说的射频放大器装置还包括一个去耦合及电源引线，所说的引线连接到补偿电容和/或去耦合电路和/或补偿电容与去耦合电路的组合。
在这个装置中，通过连接电源和/或去耦合电路到补偿电容，减小了从去耦合电路到放大晶体管的路径长度。这导致较高的去耦合频率和简单的偏置连接。进而，减小了电路所需的空间，使生产费用减小。
按照本发明的装置的另一个优选实施例，放大器元件的一端是该放大器元件的输入端和/或输出端。这个实施例的优点在于补偿了输入端和/或输出端的电容。
按照本发明的装置的下一个优选实施例，去耦合电路通过一个电感元件连接到补偿电容。
按照本发明的装置的下一个优选实施例，电感元件包括至少一个连接线。
按照本发明的装置的下一个优选实施例，去耦合电路和/或补偿电容与去耦合电路的组合连接在去耦合及电源引线和补偿电容之间，或者连接在去耦合及电源引线和放大器元件的一端之间。在这个优选实施例中，通过连接电源和/或去耦合电路到补偿电容，减小了从去耦合电路到放大晶体管的路径长度。这导致较高的去耦合频率和简单的偏置连接。进而，减小了电路所需的空间，并提高了去耦合频率。
按照本发明的装置的下一个优选实施例，去耦合电路包括至少一个去耦合电容。
按照本发明的装置的下一个优选实施例，放大器元件是晶体管。
按照本发明的装置的下一个优选实施例，在一个电路板上设置放大器元件，该放大器元件带有补偿电路和/或去耦合电路和/或补偿电容和去耦合电路的组合和去耦合及电源引线。在电路板上集成将导致电路的进一步微型化，节省了电路板的空间。
按照本发明的模块包括射频放大器装置，所说的模块进一步还包括一个用于分立的晶体管的安装基座，在安装基座上焊接印刷电路板(pcb)；匹配网络；偏置电路；至少一个去耦合电容。模块的优点是缩短了路径长度。这导致较高的去耦合频率。
按照本发明的模块的一个优选实施例，印刷电路板是多层印刷电路板。这一特征极大地减小了电路板的面积。
按照本发明的模块的另一个优选实施例，印刷电路板包含了所有的或部分的匹配电路和/或偏置电路。这一特征提高了电路设计和安装工艺的灵活性，因为匹配网络和/或偏置电路至少部分地安装到印刷电路板上。
按照本发明的模块的下一个优选实施例，信号路径在印刷电路板的顶层并且去耦合及电源路径在印刷电路板的中间层，或者反之亦然。
按照本发明的模块的下一个优选实施例，去耦合及电源路径与以下各个芯片是并联的：放大器元件、补偿电容、去耦合电路、补偿电容与去耦合电路的组合。
提供了按照本发明的一种方法，用于使射频放大器装置去耦合，该射频放大器装置包括具有频率相关增益的放大器元件，所说的频率相关是由输入和/或输出电容引起的，通过一个补偿电路补偿所说的频率相关，所说的补偿电路耦合到电源端，所说的电源端经过一个频率相关阻抗耦合到地。
在按照本发明的方法中，通过连接电源和/或去耦合电路到补偿电容，可以大幅度地减小从去耦合电路到放大晶体管的路径长度。这导致较高的去耦合频率和简单的偏置连接。尽而减少电路所需的面积，降低生产费用。
在这里所附的并作为本发明的一部分的权利要求书中具体指出了表征本发明特征的这些优点和各种其它优点以及新颖性特征。然而，为了更好地理解本发明、它的优点以及通过使用达到的目的，应该参照形成本发明的另一部分的附图以及其中表示和描述了本发明的优选
实施例的详细描述。
附图说明
图1表示偏置电源和去耦合电容的常规设置；
图2表示对应本发明的设置；
图3是曲线图，表示利用传统的去耦合设置的射频放大器装置和利用本发明的优选实施例的去耦合设置的射频放大器装置之间的阻抗数值差；
图4表示分立的射频功率晶体管的标准情况；
图5表示具有两个额外引线的自适应的射频功率晶体管的情况；
图6-9表示在分立的晶体管中内部分路电感器(INSHIN)去耦合和电源的不同实施例；
图10-13表示在模块中内部分路电感器(INSHIN)去耦合和电源的不同实施例。
具体实施方式
图2表示按照本发明的一种设置。图中表示出一个射频放大器装置22，它包括具有半导体放大器元件24和隔直电容26的有源芯片(active die)。有源芯片24的经过连接线28与隔直电容26相连。隔直电容26经连接线32连接到电源连接层36。
有源芯片24经连接线40连接到匹配电路30。电源连接层36与去耦合电容38的一侧相连。去耦合电容38的另一侧接地34。连接线28和隔直电容26形成内部分路电感器电路。隔直电容26是射频短路的。这就意味着，任何一个电路都可以连接到隔直电容26上而不影响射频匹配电路30的操作。有源芯片24通过连接线40连接到匹配电路30。
通过连接电源连接层36和去耦合电容38到隔直电容26，从去耦合电容38到有源芯片24的路径长度极大地减小。其结果产生是高得多的去耦合频率和到电源连接层36的简单连接。
换言之，电源连接层36直接连接到位于由连接线28形成的内部分路电感器和地之间的隔直电容26上。隔直电容26是对于工作频率和对于工作频率产生的连接具有极好的短路，这对于有源芯片24或匹配电路30的性能全然没有影响。直接连接电源连接层36到隔直电容26，将使图1所示的1/4波长线12作废。
短路不期望的差分频率或音调的去耦合电容38可以紧靠着有源芯片24直接放置。这使从去耦合电容38到有源芯片24的路径长度极大地减小，对于直到50MHz的频率这将产生良好的短路。
图3是曲线图，表示利用传统的去耦合设置的射频放大器装置(如曲线A所示)和利用本发明的去耦合设置的射频放大器装置(如曲线B所示)之间的阻抗数值差。垂直轴的单位是Ω。水平轴的单位是Hz。在两种去耦合结构中，使用简单的100nF的1206SMD电容。
当0.5Ω的阻抗水平被认为是充分的短路时，那么如曲线A所示的从30kHz到20MHz的传统去耦合操作是低于0.5Ω的阻抗水平直到20MHz。如曲线B所示，保持在0.5Ω以下直到75MHz，所以本发明的去耦合结构从30kHz到75MHz都可工作。这清楚地表明，具有本发明的去耦合结构的射频放大器装置的性能是优越的。
图4的上部是分立的标准射频功率晶体管的侧视图，图4的下部是它的顶视图。标准功率晶体管42安装在安装基座44上。氮化铝(aluminum nitrite)(AlN)环46安装在晶体管42和安装基座44之间。晶体管42通过漏极引线48和栅极引线50连接到另外的电路部件上。
在用于LDMOS基站晶体管的标准晶体管组件中，一个铜/钨合金安装基座电和热连接晶体管42到地。在这个安装基座44上，安装氮化铝环46，在氮化铝环46上连接引线48、50，所说的引线48、50通过这个氮化铝环46与安装基座44电隔离。引线48、50在电路板上连接晶体管42到匹配网络，并且传送直流偏置和射频功率这两者。
图5表示具有两个额外的引线52、54的一个分立的自适应射频功率晶体管的情况。在图5中，具有与图4所示的相等数目的等效部件。图5的自适应功率晶体管42通过中间引线48和50传送射频功率，图5的晶体管42的直流偏置由一个或两个外部引线52和54提供。进而，使用引线52和54使图5的晶体管52与连接的电路部件去耦合。图5的自适应射频功率晶体管用在分立的晶体管中内部分路电感器去耦合的描述中。
图6-9表示分立的晶体管的内部分路电感器(INSHIN)去耦合和电源的不同实施例。在图6-9中，只表示出晶体管的漏极引线的一半。
晶体管芯片56通过连接线58、60、62连接到INSHIN电容64。电容64和连接线58、60、62的电感补偿晶体管芯片56的输入或输出端的电容。晶体管芯片56通过连接线66和68连接到射频引线70。去耦合及电源引线76通过连接线72和74连接到INSHIN电容64。去耦合及电源引线76向晶体管芯片56提供电源并用于晶体管芯片56从它连接的电路部件上去耦合。去耦合及电源引线76以及射频引线70都安装在氮化铝环78上。
晶体管芯片80通过连接线82、84、86连接到INSHIN电容92。INSHIN电容92和连接线82、84、86的功能与以上所述的相同。晶体管芯片80通过连接线88和90连接到射频引线70。INSHIN电容92通过连接线94和96连接到去耦合及电源引线98。去耦合及电源引线98还安装在氮化铝环78上。
这个实施例是一个基本的实施例。这个实施例表示一个分立的晶体管，它具有相对于INSHIN电容来说的外部连接。这个实施例的优点是：结构简单、通过分开的引线提供直流偏置和去耦合、在射频路径上不需要1/4波长线来偏置晶体管、以及偏置和去耦合靠近晶体管。
图7的实施例十分类似于图6的实施例。在图7中，去耦合电容100与图6的实施例不同。去耦合电容100通过连接线106和108连接到电源引线76中的去耦合电路，并且去耦合电容100通过连接线102和104连接到去耦合和电源引线98。连接线58、60、62连接晶体管芯片56到INSHIN电容64，并且连接到去耦合电容100。连接线82、84、86连接晶体管芯片80到INSHIN电容92，并且连接到去耦合电容100。电容100例如可制成Hi-K材料条。
电容100的一个优点是，这个电容明显提高了低频去耦合效果。另一个优点是，通过分开的引线76、98提供晶体管56和80的直流偏置和去耦合，不需要1/4波长线偏置晶体管56和80。
图8表示的实施例非常类似于图7的实施例。图7和图8的主要差别在于图7中的去耦合电容100分为两个去耦合电容110和120。去耦合电容110通过连接线116和118连接到电源引线76中的去耦合电路。去耦合电容110通过连接线112和114连接到INSHIN电容64。去耦合电容120通过连接线122和124连接到INSHIN电容92。去耦合电容120通过连接线126和128连接到去耦合及电源引线98。
在晶体管芯片56和80一侧并且在INSHIN电容芯片64和92一侧的两个去耦合电容110和120使到引线的漏极线更短。这对于匹配来说是有益的。
在图9所示的实施例中，晶体管芯片56连接到电容130，电容130通过连接线132、134、136组合了内部分路电感器和去耦合电容。晶体管芯片80通过连接线138、140、142连接到电容130。电容130通过连接线144和146连接到去耦合及电源引线76。电容130通过连接线148和150连接到去耦合及电源引线98。
如果去耦合电容足以有效地短路载波频率，就可以省去INSHIN电容，在一个电容中组合两种功能。组合的第一种功能是短路低频产物，这通常是由去耦合电容完成的。第二种功能是短路载波频率上的信号，这通常是由INSHIN电容完成的。
图9中实施例的优点是节省晶体管内的空间、节省INSHIN电容的使用、极好的低频去耦合。这个实施例的其它优点是：与本领域当前的实施例相比，制造要容易得多，并且短的漏极连接线，这对于改进匹配性能可能是有益的。
为了证实图6-9所示的实施例的特定的特征，这里只描述了这些实施例之间的差别。相同的部件具有相同的标号。
图10-13表示在一个模块中的INSHIN去耦合和电源的不同实施例。在模块中还可以使用在分立的晶体管中使用的所有的设计。模块的特征在于有一个作为分立的晶体管的安装基座，在安装基座上焊接一个印刷电路板(pcb)。这个电路板可以包含匹配网络的全部或一个部分、偏置电路的全部或几个部分、以及去耦合电容。模块的一个优点是可以使用多层印刷电路板(其中，分立的晶体管只能有一个氮化铝环)，可以扩大可能的连接数目。
图10的上部表示一个模块中INSHIN去耦合和电源的实施例的顶视图。在图10的下部，表示的是一个侧视图。
晶体管芯片210通过连接线218、220、222连接到去耦合电容208。晶体管芯片210还通过连接线230和232与射频路径206并联。去耦合电容208连接到去耦合及电源路径202。
晶体管芯片212通过连接线224、226、228连接到去耦合电容208。晶体管芯片212还通过连接线234和236与射频路径206连接。去耦合电容208连接到去耦合及电源路径204。
图10的下部表示这个实施例的侧视图。射频路径206设置在顶层238，去耦合和电源路径204设置在中间层240。通过至顶层238的通路进行连接，这里可以设置去耦合电容。
这个实施例的优点是通过在印刷电路板200上的分开的路径来进行直流偏置和去耦合。在射频路径206上不再需要1/4波长线来偏置晶体管210和212。偏置和去耦合靠近晶体管210和212。没有任何直流偏置电流横向流过电容。相反，直流偏置电流经过连接线218、220、222、224、226、228、230、232、234、236从印刷电路板200流到晶体管210、212。
图11和图10基本相同。差别在于射频信号路径206在中间层240，去耦合和电源路径204在顶层238。优点如以上所述。这种设计的另一个优点是具有更短的漏极连接线。这相对于前一种设计的优点是宽带匹配。
图12表示的实施例与图10和图11的实施例十分类似。与上述实施例的差别在于有一个分开的去耦合电容208。晶体管芯片210通过连接线242、244、246连接到INSHIN电容214、去耦合电容208、和去耦合及电源路径。晶体管芯片210通过连接线230和232连接到射频路径206。晶体管212通过连接线248、250、252连接到INSHIN电容216、去耦合电容208、和去耦合及电源路径。晶体管212通过连接线234和236连接到射频路径206。图12的下部表示：射频路径206在顶层238，去耦合及电源路径204在中间层240。
如图12所示的实施例类似于如图7所示的实施例，但电源的连接是与芯片208、210、212、214、和216并联。
其优点在于，在晶体管内部的电容208极大地提高了低频去耦合效果。在印刷电路板上通过分开的路径进行晶体管210和212的直流偏置和去耦合。不再需要1/4波长线来偏置晶体管210和212。偏置和去耦合紧靠着晶体管210和212。没有任何电流横向流过电容208、214、216。相反，偏置电流经过连接线242、244、246、248、250、252从印刷电路板流到晶体管210和212。
图13表示如图9所示的组合的INSHIN和去耦合电容266的实施例。晶体管210通过连接线254、256、258连接到去耦合及电源路径并且连接到电容266。晶体管212通过连接线260、262、264连接到组合的电容266并且连接到去耦合及电源路径。晶体管210通过连接线230和232连接到射频路径206。晶体管212通过连接线234和236连接到射频路径206。图13的下部表示这个实施例的结构。
这个实施例的优点是节省模块内部的空间。进而，这个实施例节约了INSHIN电容的使用，具有极好的低频去耦合效果，同时如果没有分开的INSHIN电容并且漏极线相当短则制造起来比较容易。这对于匹配是有利的。
在以上的描述中已经提出本文覆盖的本发明的新特征和优点。然而应该理解，这一公开在许多方面只是说明性的。在不超过本发明的范围的情况下，可以进行各种细节上的变化，特别是部件的形状、尺寸、和各部分的排列。当然，本发明的范围用表述所附的权利要求书的语言来确定。

Claims (23)

1.一种射频放大器装置(22)，包括具有频率相关增益的放大器元件(24)，所述的频率相关是由输入和/或输出电容引起的，通过一个补偿电路(26、28)来补偿所说的频率相关，所说的补偿电路(26、28)耦合到电源端(36)，所说的电源端(36)连接到去耦合电路(38)。
2.根据权利要求1所述的装置，包括放大器元件(24)和补偿电路(26、28)，补偿电路包括具有补偿电感(28)的内部分路电感器和补偿电容(26)，所说的补偿电路设置成与放大器元件的输出(24)并联，以补偿所述的装置的输入和/或输出电容，所说的装置还包括一个电源端(36)，所述电源端通过所说的去耦合电路(38)连接到所说放大器元件，借此使去耦合电路(38)经所述电源端(36)耦合到补偿电容(26)。
3.根据权利要求2所述的装置，其中：去耦合合电路(38)通过一个电感元件(32)耦合到补偿电容(26)上。
4.根据权利要求2所述的装置，其中：电感元件至少包括一个连接线(28、32、40)。
5.根据权利要求2所述的装置，其中：去耦合电路(38)与地(34)和电源(36)连接。
6.根据权利要求3所述的装置，其中：去耦合电路包括至少一个去耦合电容(38)。
7.根据权利要求2所述的装置，其中：提供一个电源线，所述电源线包括电源连接区、去耦合电路连接区、和连接线连接区，紧跟在补偿电容(26)之后设置所述电源线。
8.根据权利要求2所述的装置，其中：所说的射频放大器装置(24)是一个晶体管。
9.根据前述权利要求中任何一个所述的装置，其中：在一个电路板上设置具有补偿电路(26、28)、去耦合电路、和连接线的放大器元件(24)，所说的连接线具有用于电源(36)的连接区和用于去耦合电路(38)的连接区，其中的连接线定位在电路板上紧跟在补偿电容(26)之后。
10.根据权利要求1所述的装置，包括放大器元件(56、80)和补偿电路，所述补偿电路包括具有与补偿电容(64、92)串联的补偿电感(58、60、62)的内部分路电感器，将所说的电感器设置成与放大器元件(56、80)的一端并联，以补偿放大器元件(56、80)的终端电容，所说的射频放大器装置还包括一个去耦合及电源引线(76、98)，所说的引线连接到补偿电容(64、92)和/或去耦合电路(100)和/或补偿电容与去耦合电路(130)的组合。
11.根据权利要求10所述的装置，其中：放大器元件(56、80)的一端是放大器元件(56、80)的输入端和/或输出端。
12.根据权利要求10所述的装置，其中：去耦合电路(100)通过一个电感元件(58、60、62、82、84、86)连接到补偿电容(64、92)上。
13.根据权利要求10所述的装置，其中：电感元件包括至少一个连接线(58，60，62，82，84，86)。
14.根据权利要求10所述的装置，其中：去耦合电路(100、110、120)和/或补偿电容与去耦合电路(130)的组合连接在去耦合及电源引线(76、98)和补偿电容(64、92)之间，或者连接在去耦合及电源引线(76、98)和放大器元件(56、80)的一端之间。
15.根据权利要求10所述的装置，其中：去耦合电路包括至少一个去耦合电容(100、110、120)。
16.根据权利要求10所述的装置，其中：放大器元件(56、80)是晶体管。
17.根据前述权利要求中任何一个所述的装置，其中：在一个电路板上设置带有补偿电路的放大器元件(56、80)和/或去耦合电路(100、110、120)和/或补偿电容和去耦合电路(130)的组合以及去耦合及电源引线(76、98)。
18.一种包括根据前述权利要求中任何一个所述的射频放大器装置的模块，所说的模块包括：
一个用于分立的晶体管的安装基座(44)，在安装基座上焊接印刷电路板(pcb)；
匹配网络；
偏置电路；
至少一个去耦合电容。
19.根据权利要求18所述的模块，其中：所述印刷电路板是多层印刷电路板(200)。
20.根据权利要求18所述的模块，其中：所述印刷电路板(200)包含了所有的或部分的匹配网络和/或偏置电路。
21.根据权利要求18、19、或20所述的模块，其中：信号路径(206)在所述印刷电路板(200)的顶层(238)并且去耦合及电源路径(202、204)在所述印刷电路板(200)的中间层(240)，或者反之亦然。
22.根据权利要求18、19、20、或21所述的模块，其中：去耦合及电源路径(202、204)与放大器元件(210、212)和/或补偿电容(214、216)和/或去耦合电路(208)和/或补偿电容与去耦合电路(266)的组合的芯片是并联的。
23.一种用于使射频放大器装置(22)去耦合的方法，所述射频放大器装置(22)包括具有频率相关增益的放大器元件(24)，所说的频率相关性是由输入和/或输出电容引起的，通过一个补偿电路(26、28)补偿所说的频率相关性，所说的补偿电路(26、28)耦合到电源端(36)，所说的电源端(36)经过一个频率相关阻抗(38)耦合到地(34)。
CN038026449A 2002-01-24 2003-01-23 射频放大器装置以及与其相关的模块和方法 Expired - Lifetime CN1623232B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP02075292 2002-01-24
EP02075292.9 2002-01-24
PCT/IB2003/000160 WO2003063246A2 (en) 2002-01-24 2003-01-23 Rf amplifier

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1623232A true CN1623232A (zh) 2005-06-01
CN1623232B CN1623232B (zh) 2010-05-26

Family

ID=27589130

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN038026449A Expired - Lifetime CN1623232B (zh) 2002-01-24 2003-01-23 射频放大器装置以及与其相关的模块和方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7119613B2 (zh)
EP (1) EP1472734A2 (zh)
JP (1) JP2005516444A (zh)
CN (1) CN1623232B (zh)
AU (1) AU2003201121A1 (zh)
WO (1) WO2003063246A2 (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101978597A (zh) * 2008-03-25 2011-02-16 三菱电机株式会社 低失真放大器以及使用低失真放大器的多尔蒂放大器
CN101546205B (zh) * 2008-03-28 2011-05-04 瑞鼎科技股份有限公司 电源管理电路及其频率补偿方法
CN104681552A (zh) * 2013-11-29 2015-06-03 恩智浦有限公司 封装rf功率晶体管器件和rf功率放大器
CN105006469A (zh) * 2014-04-15 2015-10-28 恩智浦有限公司 Rf功率晶体管
CN107919351A (zh) * 2016-10-11 2018-04-17 苏州远创达科技有限公司 一种射频功放模块及其组装方法
CN109391235A (zh) * 2017-08-11 2019-02-26 联发科技股份有限公司 电路模块和操作功率放大器电路模块的方法
CN109417364A (zh) * 2016-07-01 2019-03-01 三菱电机株式会社 放大器
CN111510085A (zh) * 2020-05-12 2020-08-07 苏州远创达科技有限公司 一种功率放大器的输出电路

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6798313B2 (en) * 2001-06-04 2004-09-28 U.S. Monolithics, L.L.C. Monolithic microwave integrated circuit with bondwire and landing zone bias
US6734728B1 (en) * 2002-12-19 2004-05-11 Infineon Technologies North America Corp. RF power transistor with internal bias feed
US7552153B2 (en) * 2004-12-28 2009-06-23 Sap Ag Virtual machine monitoring using shared memory
EP1864328A2 (en) * 2005-03-18 2007-12-12 Nxp B.V. Method and system for output matching of rf transistors
JP2006319737A (ja) * 2005-05-13 2006-11-24 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置
US7564303B2 (en) * 2005-07-26 2009-07-21 Infineon Technologies Ag Semiconductor power device and RF signal amplifier
US7952448B2 (en) * 2005-10-19 2011-05-31 Nxp B.V. Device comprising an element with electrodes coupled to connections
US7961470B2 (en) * 2006-07-19 2011-06-14 Infineon Technologies Ag Power amplifier
WO2009130544A1 (en) * 2008-04-22 2009-10-29 Freescale Semiconductor, Inc. Wireless communication unit and semiconductor device having a power amplifier therefor
US20110090725A1 (en) * 2009-10-20 2011-04-21 Texas Instruments Inc Systems and Methods of Synchronous Rectifier Control
DE102010009984A1 (de) * 2009-12-28 2011-06-30 Rohde & Schwarz GmbH & Co. KG, 81671 Verstärkerbaustein mit einem Kompensationselement
US8659359B2 (en) 2010-04-22 2014-02-25 Freescale Semiconductor, Inc. RF power transistor circuit
JP5269864B2 (ja) 2010-12-07 2013-08-21 株式会社東芝 半導体装置
US9941242B2 (en) * 2012-04-24 2018-04-10 Innogration (Suzhou) Co., Ltd. Unpacked structure for power device of radio frequency power amplification module and assembly method therefor
US9281283B2 (en) * 2012-09-12 2016-03-08 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor devices with impedance matching-circuits
JP2014138305A (ja) * 2013-01-17 2014-07-28 Mitsubishi Electric Corp 高周波電力増幅器
JP6478253B2 (ja) * 2014-03-21 2019-03-06 華為技術有限公司Ｈｕａｗｅｉ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 電力増幅回路およびトランスミッタ
US10432152B2 (en) 2015-05-22 2019-10-01 Nxp Usa, Inc. RF amplifier output circuit device with integrated current path, and methods of manufacture thereof
EP3142252B1 (en) * 2015-09-10 2018-11-14 Ampleon Netherlands B.V. Video bandwidth in rf amplifiers
WO2019026975A1 (en) 2017-08-02 2019-02-07 Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. METHOD FOR ASSEMBLING SEMICONDUCTOR DEVICE

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6173352A (ja) * 1984-09-18 1986-04-15 Toshiba Corp マイクロ波ｆｅｔ増幅器
JPS6190454A (ja) * 1984-10-11 1986-05-08 Nec Corp 半導体チツプの高周波接地構造
JPH02130008A (ja) 1988-11-09 1990-05-18 Toshiba Corp 高周波電力増幅回路
US4857865A (en) 1988-11-10 1989-08-15 Hughes Aircraft Company Self equalizing multi-stage radio frequency power amplifier
US5272450A (en) * 1991-06-20 1993-12-21 Microwave Modules & Devices, Inc. DC feed network for wideband RF power amplifier
JPH0697203A (ja) * 1992-05-28 1994-04-08 Nec Corp 半導体装置
US5477188A (en) * 1994-07-14 1995-12-19 Eni Linear RF power amplifier
JP3060981B2 (ja) * 1997-02-21 2000-07-10 日本電気株式会社 マイクロ波増幅器
US6046641A (en) * 1998-07-22 2000-04-04 Eni Technologies, Inc. Parallel HV MOSFET high power stable amplifier
JP2000082926A (ja) * 1998-09-04 2000-03-21 Mitsubishi Electric Corp 高周波回路
WO2000075990A1 (en) * 1999-06-07 2000-12-14 Ericsson Inc. High impedance matched rf power transistor
JP2001111364A (ja) * 1999-10-12 2001-04-20 Nec Corp マイクロ波増幅器
JP2001315328A (ja) * 2000-05-08 2001-11-13 Fuji Xerox Co Ltd インクジェッ卜記録装置の駆動装置
US6614308B2 (en) * 2001-10-22 2003-09-02 Infineon Technologies Ag Multi-stage, high frequency, high power signal amplifier

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101978597A (zh) * 2008-03-25 2011-02-16 三菱电机株式会社 低失真放大器以及使用低失真放大器的多尔蒂放大器
CN101978597B (zh) * 2008-03-25 2013-07-31 三菱电机株式会社 低失真放大器以及使用低失真放大器的多尔蒂放大器
CN101546205B (zh) * 2008-03-28 2011-05-04 瑞鼎科技股份有限公司 电源管理电路及其频率补偿方法
CN104681552A (zh) * 2013-11-29 2015-06-03 恩智浦有限公司 封装rf功率晶体管器件和rf功率放大器
CN104681552B (zh) * 2013-11-29 2018-04-27 安普林荷兰有限公司 封装rf功率晶体管器件和rf功率放大器
CN105006469A (zh) * 2014-04-15 2015-10-28 恩智浦有限公司 Rf功率晶体管
CN109417364A (zh) * 2016-07-01 2019-03-01 三菱电机株式会社 放大器
CN107919351A (zh) * 2016-10-11 2018-04-17 苏州远创达科技有限公司 一种射频功放模块及其组装方法
CN109391235A (zh) * 2017-08-11 2019-02-26 联发科技股份有限公司 电路模块和操作功率放大器电路模块的方法
CN111510085A (zh) * 2020-05-12 2020-08-07 苏州远创达科技有限公司 一种功率放大器的输出电路
WO2021227419A1 (zh) * 2020-05-12 2021-11-18 苏州远创达科技有限公司 一种功率放大器的输出电路

Also Published As

Publication number Publication date
WO2003063246A2 (en) 2003-07-31
US7119613B2 (en) 2006-10-10
WO2003063246A3 (en) 2004-03-11
US20050083118A1 (en) 2005-04-21
JP2005516444A (ja) 2005-06-02
EP1472734A2 (en) 2004-11-03
CN1623232B (zh) 2010-05-26
AU2003201121A1 (en) 2003-09-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1623232A (zh) 带有补偿的射频放大器装置
CN1094271C (zh) 通信用无线电装置的收发信电路及半导体集成电路装置
CN1577853A (zh) 高频功率放大器模块及半导体集成电路器件
KR100841119B1 (ko) 반도체 전력 디바이스 및 광대역 고주파 (ｒｆ) 신호증폭기
CN1188005C (zh) 半导体集成转换电路
CN1701613B (zh) 具有rf旁路/输出匹配网络的封装rf功率晶体管
US7567128B2 (en) Power amplifier suppressing radiation of second harmonic over wide frequency band
JP3663397B2 (ja) 高周波電力増幅器
US8736034B2 (en) Lead-frame circuit package
CN1210796C (zh) 功率晶体管模块和功率放大器及其制造方法
CN1652333A (zh) 高频电路模块
CN1758533A (zh) 可变增益放大器
JP2005516444A6 (ja) 補償されたｒｆ増幅器デバイス
CN1677848A (zh) 高频电路装置以及使用该高频电路装置的移动通信终端
CN1187894C (zh) 多级放大器
CN1167184C (zh) 高频振荡电路
CN1886892A (zh) 放大器和通信设备
CN1645739A (zh) 压控振荡器
CN1866781A (zh) 无线通信机
US6876258B2 (en) High-frequency amplifier and radio transmission device with circuit scale and current consumption reduced to achieve high efficiency
CN1905357A (zh) 射频放大装置
CN1263332C (zh) 高频电路装置
CN1918784A (zh) 动态偏置放大器
CN1210797C (zh) 功率晶体管模块和功率放大器及其制造方法
CN1669176A (zh) 传送线路和半导体集成电路装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: NXP CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.

Effective date: 20071102

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20071102

Address after: Holland Ian Deho Finn

Applicant after: NXP B.V.

Address before: Holland Ian Deho Finn

Applicant before: Koninklijke Philips Electronics N.V.

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20151102

Address after: Holland Ian Deho Finn

Patentee after: Samba Holdings Netherlands Ltd.

Address before: Holland Ian Deho Finn

Patentee before: NXP B.V.

C56 Change in the name or address of the patentee
CP03 Change of name, title or address

Address after: Nijmegen

Patentee after: Ampleon Netherlands B.V.

Address before: Holland Ian Deho Finn

Patentee before: Samba Holdings Netherlands Ltd.

CX01 Expiry of patent term
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20100526