JPS6173352A - マイクロ波fet増幅器 - Google Patents
マイクロ波fet増幅器Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明はマイクロ波帯の高出力電界効果トランジスタ
(FETと略称)増幅器の構造に関する。
(FETと略称)増幅器の構造に関する。
砒化ガリウム等を用いたFETは、通′;6′ドレイン
に正、ゲートに負のバイアス電圧を印加して動作させる
ため、増幅器には極性の異なる2種類の電源が必要とな
り、装置が複雑、かつ高価になる。
に正、ゲートに負のバイアス電圧を印加して動作させる
ため、増幅器には極性の異なる2種類の電源が必要とな
り、装置が複雑、かつ高価になる。
この欠点を補なうため、FETのソースと接地間には高
周波では短絡とするためのキャパシタCSと抵抗RSを
並列に接続する方法が提案されている。
周波では短絡とするためのキャパシタCSと抵抗RSを
並列に接続する方法が提案されている。
すなわち、・FETのドレイン電流をI[)とすると。
ソースに対するゲートの電位は−R5IDとなるので一
電源動作が可能となる。
電源動作が可能となる。
叙上の如くして一電源化したFET増幅器をマイクロ波
集積回路に構成した従来例を第3図に示す。図において
、(101)は金属板でこの上面にFE T (102
)および、入力側と出力側の整合回路が形成された誘電
体基板(103a、 103b)をマウントし。
集積回路に構成した従来例を第3図に示す。図において
、(101)は金属板でこの上面にFE T (102
)および、入力側と出力側の整合回路が形成された誘電
体基板(103a、 103b)をマウントし。
F E T (102)のゲート?i!極(102g)
は入力側整合回路(104)に、ドレイン電極(102
d)は出力側整合回路(tOS)に夫々接続される。ま
た、ソース電極(102s)はF E T (102)
の両側にマウントされた平行平板キャパシタC3(10
6a、106b)に接続され、かつその一方のキャパシ
タ(106a)は誘電体基板(103a)上に形成され
た抵抗RS(107)に接続されている。すなわち、キ
ャパシタCSと抵抗RSによりFETは一電源動作が可
能となる。図示の構造は小信号または中電力のFET増
@器には使用できる。
は入力側整合回路(104)に、ドレイン電極(102
d)は出力側整合回路(tOS)に夫々接続される。ま
た、ソース電極(102s)はF E T (102)
の両側にマウントされた平行平板キャパシタC3(10
6a、106b)に接続され、かつその一方のキャパシ
タ(106a)は誘電体基板(103a)上に形成され
た抵抗RS(107)に接続されている。すなわち、キ
ャパシタCSと抵抗RSによりFETは一電源動作が可
能となる。図示の構造は小信号または中電力のFET増
@器には使用できる。
しかし、高出力を目的とするFETは第4図に示すよう
に、全ゲート幅1i1Fを大にするため、多数のソース
電極(112s)、ゲート電極(112g)、およびド
レイン電極(112d)をくし形に配列した構造となっ
ており、F E T (112)の横幅寸法VFが大き
くなっている。
に、全ゲート幅1i1Fを大にするため、多数のソース
電極(112s)、ゲート電極(112g)、およびド
レイン電極(112d)をくし形に配列した構造となっ
ており、F E T (112)の横幅寸法VFが大き
くなっている。
次の第5図には高出力FETを用い、第3図に示したの
と同様にマイクロ波集積回路で構成した増幅器の従来例
で、共通する部分は同じ符号を付して示し説明を省略し
である。この構造ではFET(112)のソース電極(
112s)はこのFETの両端部にマウントされたキャ
パシタCs (106a 、 106b)を介して高周
波的に接地されるので、FET中央部の動作領域では実
効的な接地インダクタンスが長くなり、増幅器の利得や
出力等の特性が低下するという欠点があった。さらに、
FETの動作の均一性が悪くなるため、高周波特性が劣
化したり。
と同様にマイクロ波集積回路で構成した増幅器の従来例
で、共通する部分は同じ符号を付して示し説明を省略し
である。この構造ではFET(112)のソース電極(
112s)はこのFETの両端部にマウントされたキャ
パシタCs (106a 、 106b)を介して高周
波的に接地されるので、FET中央部の動作領域では実
効的な接地インダクタンスが長くなり、増幅器の利得や
出力等の特性が低下するという欠点があった。さらに、
FETの動作の均一性が悪くなるため、高周波特性が劣
化したり。
削′費電力の不均一による接合温度の部分的上昇によっ
てFETの信頼性が低下する等の欠点があった。
てFETの信頼性が低下する等の欠点があった。
この発明は上記の欠点を除去するもので、マイクロ波F
ET増幅器において、高出力FETの入力側にこれと隣
接して平行平板キャパシタをマウントし、このキャパシ
タとFETのソース電極を接続することによってFET
のソースを高周波的に接地し、−電源で動作するマイク
ロ波FET増幅器の構造を提供することを目的とする。
ET増幅器において、高出力FETの入力側にこれと隣
接して平行平板キャパシタをマウントし、このキャパシ
タとFETのソース電極を接続することによってFET
のソースを高周波的に接地し、−電源で動作するマイク
ロ波FET増幅器の構造を提供することを目的とする。
この発明にかかるマイクロ波FET増幅器は、金属板上
に、入力側および出力側整合回路が形成された誘電体基
板と、FETと、前記FETの入力側に隣接して並置さ
れ幅および厚さ寸法がFETの夫々と差が±20%の範
囲内にある平行平板キャパシタとがマウントされ、前記
FETのゲート電極が入力側整合回路に、ドレイン電極
が出力側整合回路に、ソース電極が前記キャパシタに、
また、キャパシタが前記誘電体基板上に設けられた抵抗
に夫々接続されたことを特徴とし、正の一電源で動作す
るものである。
に、入力側および出力側整合回路が形成された誘電体基
板と、FETと、前記FETの入力側に隣接して並置さ
れ幅および厚さ寸法がFETの夫々と差が±20%の範
囲内にある平行平板キャパシタとがマウントされ、前記
FETのゲート電極が入力側整合回路に、ドレイン電極
が出力側整合回路に、ソース電極が前記キャパシタに、
また、キャパシタが前記誘電体基板上に設けられた抵抗
に夫々接続されたことを特徴とし、正の一電源で動作す
るものである。
次に、この発明の1実施例を第1図と第2図を参照して
説明する。なお、従来と変わらない部分については図面
に同じ符号を付けて示し説明を省略する。
説明する。なお、従来と変わらない部分については図面
に同じ符号を付けて示し説明を省略する。
この発明のマイクロ波FET増幅器では、−電源化のた
めのキャパシタC5(1)をF E T (2)のソー
ス電V7A(2s)が配列された入力側にこのFETと
隣接して平行にマウントされている。そしてソース電極
(2s)とキャパシタ(1)は複数本のボンディングワ
イヤ(3,3・・・)で接続されている。このキャパシ
タはソース電極と平行なのでボンディングワイヤはすべ
て等長であり、したがってFETのすべての動作領域が
同じ長さで接地できるので、FETの内部での不均一動
作を充分小さくすることができる。
めのキャパシタC5(1)をF E T (2)のソー
ス電V7A(2s)が配列された入力側にこのFETと
隣接して平行にマウントされている。そしてソース電極
(2s)とキャパシタ(1)は複数本のボンディングワ
イヤ(3,3・・・)で接続されている。このキャパシ
タはソース電極と平行なのでボンディングワイヤはすべ
て等長であり、したがってFETのすべての動作領域が
同じ長さで接地できるので、FETの内部での不均一動
作を充分小さくすることができる。
さらに、この発明のキャパシタ(1)はその厚さをF
E T (2)の厚さとほぼ等しくしである。これは、
厚さに大幅に差があるとボンディングの作業性が悪く、
かつボンディングワイヤが長くなることから、接地イン
ダクタンスが大になり、FETの高周波特性が悪くなる
。通常FETで使用しているボンダでは両者の厚さの差
が±20%以内であれば作業性が良く、高さに差のある
場合に生ずる前述の重大な欠点を除去することができる
。一方で、キャパシタの幅W(についてはFETの幅1
i1pに比べて大きい場合にはそのはみ出した部分は高
周波特性に影響を与えないので問題にならず、ただ価格
が上昇する欠点はある。しかし、第2図に示すようにキ
ャパシタの幅wCがFETの幅vFに比べて小さい場合
は、ソース電極がキャパシタに至るボンディングワイヤ
は扇状になるため、FETの中央部の接地インダクタン
スL(に比べて端部の接地インダクタンスLEが大きく
なる。第2図に示すように、寸法が0.6X1.6mm
”のFETを用いた場合において、Wc/uFに対する
LEの変化の計算結果を第6図に示した。FETの中央
部のボンディングワイヤの長さGは約0.3画となり、
L(&0.24nllである。しかし、キャパシタの幅
W(が小さくなるにつれてLEは増加してしまう。ただ
し、W(/up≧0.8の場合には LE −L(≦0,02 nH と充分小さくなっており、FETの均一動作が実現でき
る。
E T (2)の厚さとほぼ等しくしである。これは、
厚さに大幅に差があるとボンディングの作業性が悪く、
かつボンディングワイヤが長くなることから、接地イン
ダクタンスが大になり、FETの高周波特性が悪くなる
。通常FETで使用しているボンダでは両者の厚さの差
が±20%以内であれば作業性が良く、高さに差のある
場合に生ずる前述の重大な欠点を除去することができる
。一方で、キャパシタの幅W(についてはFETの幅1
i1pに比べて大きい場合にはそのはみ出した部分は高
周波特性に影響を与えないので問題にならず、ただ価格
が上昇する欠点はある。しかし、第2図に示すようにキ
ャパシタの幅wCがFETの幅vFに比べて小さい場合
は、ソース電極がキャパシタに至るボンディングワイヤ
は扇状になるため、FETの中央部の接地インダクタン
スL(に比べて端部の接地インダクタンスLEが大きく
なる。第2図に示すように、寸法が0.6X1.6mm
”のFETを用いた場合において、Wc/uFに対する
LEの変化の計算結果を第6図に示した。FETの中央
部のボンディングワイヤの長さGは約0.3画となり、
L(&0.24nllである。しかし、キャパシタの幅
W(が小さくなるにつれてLEは増加してしまう。ただ
し、W(/up≧0.8の場合には LE −L(≦0,02 nH と充分小さくなっており、FETの均一動作が実現でき
る。
叙上からキャパシタの幅すCはFETの幅111Fに対
して±20%以内とすることでFETの均一動作、ボン
ディングの作業容易性を実現することができる。
して±20%以内とすることでFETの均一動作、ボン
ディングの作業容易性を実現することができる。
この発明によれば、上に述べたように高出力FETの接
地インダクタンスを充分小さくすることができ、かつF
ETの内部での不均一動作を小さくすることができるの
で、利得、出力電力等の高周波特性に優れ、かつ−電源
で動作可能な高出力FET増幅器を提供できる。
地インダクタンスを充分小さくすることができ、かつF
ETの内部での不均一動作を小さくすることができるの
で、利得、出力電力等の高周波特性に優れ、かつ−電源
で動作可能な高出力FET増幅器を提供できる。
第1図はこの発明にかかる高出力FETを用いた一電源
化増幅器にかかり1図(a)は上面図、図(b)は断面
図、第2図は第1図で示した構造の増幅器においてキャ
パシタの幅がFETの幅に比へて小さい場合の構造を示
す上面図、第3図は従来の一電源化FET増幅器の構造
を示し、図(a)は上面図1図(b)は断面図、第4図
は高出力FETの構造を示す上面図、第5図は高出力F
ETを用いた従来の一電源化増幅器の構造にかかり1図
(a)は上面図、図(b)は断面図、第6図はキャパシ
タの幅に対するFET端部での接地インダクタンスの変
化を示す線図である。
化増幅器にかかり1図(a)は上面図、図(b)は断面
図、第2図は第1図で示した構造の増幅器においてキャ
パシタの幅がFETの幅に比へて小さい場合の構造を示
す上面図、第3図は従来の一電源化FET増幅器の構造
を示し、図(a)は上面図1図(b)は断面図、第4図
は高出力FETの構造を示す上面図、第5図は高出力F
ETを用いた従来の一電源化増幅器の構造にかかり1図
(a)は上面図、図(b)は断面図、第6図はキャパシ
タの幅に対するFET端部での接地インダクタンスの変
化を示す線図である。
Claims (1)
- 金属板上に、入力側および出力側整合回路が形成され
た誘電体基板と、電界効果トランジスタと、前記電界効
果トランジスタの入力側に隣接して並置され幅および厚
さ寸法が前記トランジスタの夫夫と差が±20%の範囲
内にある平行平板キャパシタとがマウントされ、前記電
界効果トランジスタのゲート電極が入力側整合回路に、
ドレイン電極が出力側整合回路に、ソース電極が前記キ
ャパシタに、また、キャパシタが前記誘電体基板上に設
けられた抵抗に夫々接続されたことを特徴とする正の一
電源で動作するマイクロ波FET増幅器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59194008A JPS6173352A (ja) | 1984-09-18 | 1984-09-18 | マイクロ波fet増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59194008A JPS6173352A (ja) | 1984-09-18 | 1984-09-18 | マイクロ波fet増幅器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6173352A true JPS6173352A (ja) | 1986-04-15 |
Family
ID=16317429
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59194008A Pending JPS6173352A (ja) | 1984-09-18 | 1984-09-18 | マイクロ波fet増幅器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6173352A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2837983A1 (fr) * | 2002-03-27 | 2003-10-03 | Toshiba Kk | Circuit integre en hyperfrequences comprenant une pastille semiconductrice |
WO2003063246A3 (en) * | 2002-01-24 | 2004-03-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Rf amplifier |
JP2014120582A (ja) * | 2012-12-14 | 2014-06-30 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | 半導体装置 |
-
1984
- 1984-09-18 JP JP59194008A patent/JPS6173352A/ja active Pending
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