CN1573543A - 光敏金属纳米颗粒和用其形成导电图案的方法 - Google Patents
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- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 title claims abstract description 63
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 39
- -1 thiol compound Chemical class 0.000 claims abstract description 69
- 239000013545 self-assembled monolayer Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000002094 self assembled monolayer Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 31
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 25
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 18
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 claims description 15
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 15
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 claims description 14
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 13
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002322 conducting polymer Substances 0.000 claims description 11
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 10
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N desyl alcohol Natural products C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 9
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 9
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N propylene glycol Substances CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 claims description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 7
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 claims description 7
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LSDPWZHWYPCBBB-UHFFFAOYSA-N Methanethiol Chemical compound SC LSDPWZHWYPCBBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 claims description 6
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 6
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 6
- DGVVWUTYPXICAM-UHFFFAOYSA-N β‐Mercaptoethanol Chemical compound OCCS DGVVWUTYPXICAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- CVNOWLNNPYYEOH-UHFFFAOYSA-N 4-cyanophenol Chemical compound OC1=CC=C(C#N)C=C1 CVNOWLNNPYYEOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- UGZAJZLUKVKCBM-UHFFFAOYSA-N 6-sulfanylhexan-1-ol Chemical compound OCCCCCCS UGZAJZLUKVKCBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 claims description 5
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 claims description 5
- 235000008411 Sumatra benzointree Nutrition 0.000 claims description 5
- 229960002130 benzoin Drugs 0.000 claims description 5
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 235000019382 gum benzoic Nutrition 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 claims description 5
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 claims description 4
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims description 4
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- MTAZNLWOLGHBHU-UHFFFAOYSA-N butadiene-styrene rubber Chemical compound C=CC=C.C=CC1=CC=CC=C1 MTAZNLWOLGHBHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000000664 diazo group Chemical group [N-]=[N+]=[*] 0.000 claims description 4
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 claims description 4
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 claims description 4
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 claims description 4
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 claims description 4
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 claims description 4
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 4
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 claims description 4
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 claims description 4
- BTOYCPDACQXQRS-LURQLKTLSA-N (2r,3r,4s,5r)-6,6-bis(ethylsulfanyl)hexane-1,2,3,4,5-pentol Chemical compound CCSC(SCC)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO BTOYCPDACQXQRS-LURQLKTLSA-N 0.000 claims description 3
- VNQXSTWCDUXYEZ-UHFFFAOYSA-N 1,7,7-trimethylbicyclo[2.2.1]heptane-2,3-dione Chemical compound C1CC2(C)C(=O)C(=O)C1C2(C)C VNQXSTWCDUXYEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KYNFOMQIXZUKRK-UHFFFAOYSA-N 2,2'-dithiodiethanol Chemical compound OCCSSCCO KYNFOMQIXZUKRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- MJQWABQELVFQJL-UHFFFAOYSA-N 3-Mercapto-2-butanol Chemical class CC(O)C(C)S MJQWABQELVFQJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JNTVUHZXIJFHAU-UHFFFAOYSA-N 4-(Methylthio)-1-butanol Chemical class CSCCCCO JNTVUHZXIJFHAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BXAVKNRWVKUTLY-UHFFFAOYSA-N 4-sulfanylphenol Chemical compound OC1=CC=C(S)C=C1 BXAVKNRWVKUTLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BMVWCPGVLSILMU-UHFFFAOYSA-N 5,6-dihydrodibenzo[2,1-b:2',1'-f][7]annulen-11-one Chemical compound C1CC2=CC=CC=C2C(=O)C2=CC=CC=C21 BMVWCPGVLSILMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SLINHMUFWFWBMU-UHFFFAOYSA-N Triisopropanolamine Chemical compound CC(O)CN(CC(C)O)CC(C)O SLINHMUFWFWBMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WURBFLDFSFBTLW-UHFFFAOYSA-N benzil Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C(=O)C1=CC=CC=C1 WURBFLDFSFBTLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HXTBYXIZCDULQI-UHFFFAOYSA-N bis[4-(methylamino)phenyl]methanone Chemical compound C1=CC(NC)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(NC)C=C1 HXTBYXIZCDULQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229930006711 bornane-2,3-dione Natural products 0.000 claims description 3
- OOTFVKOQINZBBF-UHFFFAOYSA-N cystamine Chemical compound CCSSCCN OOTFVKOQINZBBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229940099500 cystamine Drugs 0.000 claims description 3
- CDNGYFJXHJQTJJ-UHFFFAOYSA-N diphenylphosphorylformaldehyde 1,3,5-trimethylbenzene Chemical compound C(=O)P(C1=CC=CC=C1)(C1=CC=CC=C1)=O.CC1=CC(=CC(=C1)C)C CDNGYFJXHJQTJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VHJLVAABSRFDPM-ZXZARUISSA-N dithioerythritol Chemical compound SC[C@H](O)[C@H](O)CS VHJLVAABSRFDPM-ZXZARUISSA-N 0.000 claims description 3
- YQGOJNYOYNNSMM-UHFFFAOYSA-N eosin Chemical compound [Na+].OC(=O)C1=CC=CC=C1C1=C2C=C(Br)C(=O)C(Br)=C2OC2=C(Br)C(O)=C(Br)C=C21 YQGOJNYOYNNSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims description 3
- MTZQAGJQAFMTAQ-UHFFFAOYSA-N ethyl benzoate Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=CC=C1 MTZQAGJQAFMTAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WBJINCZRORDGAQ-UHFFFAOYSA-N ethyl formate Chemical compound CCOC=O WBJINCZRORDGAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229960005082 etohexadiol Drugs 0.000 claims description 3
- 229960004194 lidocaine Drugs 0.000 claims description 3
- CRVGTESFCCXCTH-UHFFFAOYSA-N methyl diethanolamine Chemical compound OCCN(C)CCO CRVGTESFCCXCTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RAGHHCBNMMUSID-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethyl-4-(3-methylbutyl)aniline Chemical compound CC(C)CCC1=CC=C(N(C)C)C=C1 RAGHHCBNMMUSID-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000002923 oximes Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- JSASXSHMJYRPCM-UHFFFAOYSA-N r-3-(methylthio)-1-hexanol Chemical compound CCCC(SC)CCO JSASXSHMJYRPCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229960002317 succinimide Drugs 0.000 claims description 3
- MVQLEZWPIWKLBY-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2-benzoylbenzenecarboperoxoate Chemical compound CC(C)(C)OOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 MVQLEZWPIWKLBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YODZTKMDCQEPHD-UHFFFAOYSA-N thiodiglycol Chemical compound OCCSCCO YODZTKMDCQEPHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims description 3
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims description 3
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical class C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 claims description 2
- 229920000459 Nitrile rubber Polymers 0.000 claims description 2
- 229930182556 Polyacetal Natural products 0.000 claims description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims description 2
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 claims description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 claims description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 claims description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 claims description 2
- 239000002174 Styrene-butadiene Substances 0.000 claims description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 claims description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 claims description 2
- 229920005549 butyl rubber Polymers 0.000 claims description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 2
- SVPXILQIPWCHSK-UHFFFAOYSA-N hepta-1,3-diyne Chemical compound CCCC#CC#C SVPXILQIPWCHSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PSZYNBSKGUBXEH-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=C2C(S(=O)(=O)O)=CC=CC2=C1 PSZYNBSKGUBXEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims description 2
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 claims description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920002587 poly(1,3-butadiene) polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 claims description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002480 polybenzimidazole Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001748 polybutylene Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 2
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 claims description 2
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 claims description 2
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 claims description 2
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 claims description 2
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 2
- 239000005060 rubber Substances 0.000 claims description 2
- 239000011115 styrene butadiene Substances 0.000 claims description 2
- JDJBGVOKMMEUJF-UHFFFAOYSA-N CCC1=CC=C(C=C1)C(=O)C2=C(C=C(C=C2)CC)C(=O)C3=CC=CC=C3 Chemical compound CCC1=CC=C(C=C1)C(=O)C2=C(C=C(C=C2)CC)C(=O)C3=CC=CC=C3 JDJBGVOKMMEUJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 abstract description 3
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 abstract description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 29
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 28
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 24
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 14
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 10
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 10
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 6
- 206010013786 Dry skin Diseases 0.000 description 5
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 5
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 5
- 150000002343 gold Chemical class 0.000 description 5
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 5
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 4
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 4
- LOZWAPSEEHRYPG-UHFFFAOYSA-N 1,4-dithiane Chemical compound C1CSCCS1 LOZWAPSEEHRYPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N Cyanide Chemical compound N#[C-] XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HFBMWMNUJJDEQZ-UHFFFAOYSA-N acryloyl chloride Chemical compound ClC(=O)C=C HFBMWMNUJJDEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 3
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-NMQOAUCRSA-N 1,2-dideuteriooxyethane Chemical compound [2H]OCCO[2H] LYCAIKOWRPUZTN-NMQOAUCRSA-N 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISCMYZGMRHODRP-UHFFFAOYSA-N 3-(iminomethylideneamino)-n,n-dimethylpropan-1-amine Chemical class CN(C)CCCN=C=N ISCMYZGMRHODRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GSNUFIFRDBKVIE-UHFFFAOYSA-N DMF Natural products CC1=CC=C(C)O1 GSNUFIFRDBKVIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241001597008 Nomeidae Species 0.000 description 2
- SJUCACGNNJFHLB-UHFFFAOYSA-N O=C1N[ClH](=O)NC2=C1NC(=O)N2 Chemical compound O=C1N[ClH](=O)NC2=C1NC(=O)N2 SJUCACGNNJFHLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 2
- 230000031709 bromination Effects 0.000 description 2
- 238000005893 bromination reaction Methods 0.000 description 2
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 2
- WXKAOEFNWUTUMI-UHFFFAOYSA-L copper;n-aminocarbamate Chemical compound [Cu+2].NNC([O-])=O.NNC([O-])=O WXKAOEFNWUTUMI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000001132 ultrasonic dispersion Methods 0.000 description 2
- HJIAMFHSAAEUKR-UHFFFAOYSA-N (2-hydroxyphenyl)-phenylmethanone Chemical compound OC1=CC=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 HJIAMFHSAAEUKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KFJJYOKMAAQFHC-UHFFFAOYSA-N (4-methoxy-5,5-dimethylcyclohexa-1,3-dien-1-yl)-phenylmethanone Chemical compound C1C(C)(C)C(OC)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 KFJJYOKMAAQFHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSAHTMIQULFMRG-UHFFFAOYSA-N 1,2-diphenyl-2-propan-2-yloxyethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC(C)C)C(=O)C1=CC=CC=C1 MSAHTMIQULFMRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQMWBFKOHYFXKQ-UHFFFAOYSA-N 1,5-dithiocane Chemical compound C1CSCCCSC1 QQMWBFKOHYFXKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKEGCUDAFWNSSO-UHFFFAOYSA-N 1,8-dibromooctane Chemical compound BrCCCCCCCCBr DKEGCUDAFWNSSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHHYQHZTJIOBMK-UHFFFAOYSA-N 1-(2,3,4-tribromophenyl)ethanone Chemical compound CC(=O)C1=CC=C(Br)C(Br)=C1Br WHHYQHZTJIOBMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012956 1-hydroxycyclohexylphenyl-ketone Substances 0.000 description 1
- YIKSHDNOAYSSPX-UHFFFAOYSA-N 1-propan-2-ylthioxanthen-9-one Chemical compound S1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2C(C)C YIKSHDNOAYSSPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIZHFBODNLEQBL-UHFFFAOYSA-N 2,2-diethoxy-1-phenylethanone Chemical compound CCOC(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 PIZHFBODNLEQBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRKORVYTKKLNKX-UHFFFAOYSA-N 2,4-di(propan-2-yl)thioxanthen-9-one Chemical class C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C(C)C)=CC(C(C)C)=C3SC2=C1 BRKORVYTKKLNKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTJPUDCSZVCXFQ-UHFFFAOYSA-N 2,4-diethylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(CC)=CC(CC)=C3SC2=C1 BTJPUDCSZVCXFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCHAFMWSFCONOO-UHFFFAOYSA-N 2,4-dimethylthioxanthen-9-one Chemical class C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C)=CC(C)=C3SC2=C1 LCHAFMWSFCONOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YUFRRMZSSPQMOS-UHFFFAOYSA-N 2-(2-aminoethyldisulfanyl)ethanamine;hydron;dichloride Chemical compound Cl.Cl.NCCSSCCN YUFRRMZSSPQMOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JKMHFZQWWAIEOD-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(2-hydroxyethyl)piperazin-1-yl]ethanesulfonic acid Chemical compound OCC[NH+]1CCN(CCS([O-])(=O)=O)CC1 JKMHFZQWWAIEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FGTYTUFKXYPTML-UHFFFAOYSA-N 2-benzoylbenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 FGTYTUFKXYPTML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LWRBVKNFOYUCNP-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-(4-methylsulfanylphenyl)-2-morpholin-4-ylpropan-1-one Chemical compound C1=CC(SC)=CC=C1C(=O)C(C)(C)N1CCOCC1 LWRBVKNFOYUCNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYISVPVWAQRUTL-UHFFFAOYSA-N 2-methylthioxanthen-9-one Chemical class C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C)=CC=C3SC2=C1 MYISVPVWAQRUTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WLPATYNQCGVFFH-UHFFFAOYSA-N 2-phenylbenzonitrile Chemical compound N#CC1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 WLPATYNQCGVFFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MWTGBAURSCEGSL-UHFFFAOYSA-N 3-(benzylamino)propanenitrile Chemical compound N#CCCNCC1=CC=CC=C1 MWTGBAURSCEGSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K Citrate Chemical compound [O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007995 HEPES buffer Substances 0.000 description 1
- NQSMEZJWJJVYOI-UHFFFAOYSA-N Methyl 2-benzoylbenzoate Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 NQSMEZJWJJVYOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCKXLBQYZLBQEK-KVVVOXFISA-M Sodium oleate Chemical compound [Na+].CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC([O-])=O BCKXLBQYZLBQEK-KVVVOXFISA-M 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000004071 biological effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N bis[2-(1-hydroxycyclohexyl)phenyl]methanone Chemical compound C=1C=CC=C(C(=O)C=2C(=CC=CC=2)C2(O)CCCCC2)C=1C1(O)CCCCC1 MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- 239000007853 buffer solution Substances 0.000 description 1
- OWIUPIRUAQMTTK-UHFFFAOYSA-N carbazic acid Chemical class NNC(O)=O OWIUPIRUAQMTTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical compound C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- VHJLVAABSRFDPM-QWWZWVQMSA-N dithiothreitol Chemical compound SC[C@@H](O)[C@H](O)CS VHJLVAABSRFDPM-QWWZWVQMSA-N 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- CCIVGXIOQKPBKL-UHFFFAOYSA-N ethanesulfonic acid Chemical compound CCS(O)(=O)=O CCIVGXIOQKPBKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000004687 hexahydrates Chemical class 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 150000002527 isonitriles Chemical class 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 150000001455 metallic ions Chemical class 0.000 description 1
- PJUIMOJAAPLTRJ-UHFFFAOYSA-N monothioglycerol Chemical compound OCC(O)CS PJUIMOJAAPLTRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 239000003444 phase transfer catalyst Substances 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- LYXOWKPVTCPORE-UHFFFAOYSA-N phenyl-(4-phenylphenyl)methanone Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC=CC=2)C=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 LYXOWKPVTCPORE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 1
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000015843 photosynthesis, light reaction Effects 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005596 polymer binder Polymers 0.000 description 1
- 239000002491 polymer binding agent Substances 0.000 description 1
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000012279 sodium borohydride Substances 0.000 description 1
- 229910000033 sodium borohydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001117 sulphuric acid Substances 0.000 description 1
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 230000004304 visual acuity Effects 0.000 description 1
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Abstract
光敏金属纳米颗粒和用其形成导电图案的方法,其中,具有末端活性基团的硫醇或异氰化物化合物的自组装单分子层形成于光敏金属纳米颗粒表面上,并且光敏基团引入到该末端活性基团。所述光敏金属纳米颗粒通过暴露在光下能够容易地形成具有优异导电率的导电性膜或图案,因此,可以用于以下领域:抗静电的可洗的粘性垫子或鞋子、导电性聚氨酯印刷机滚筒、电磁干扰屏蔽等。
Description
技术领域
本发明涉及光敏金属纳米颗粒和用其形成导电图案的方法。更具体地,本发明涉及一种光敏金属纳米颗粒,该颗粒是通过在其表面形成具有末端活性基团的硫醇或者异氰化物的自组装单分子层,并通过该末端活性基团引入光敏基团而制备;本发明还涉及用其形成导电图案的方法。
背景技术
依赖于顺序和一维、二维及三维空间结构而具有各种电子、光学和生物性能的纳米尺寸的材料,已经在全世界各个领域被热切地研究着。在各种类型的纳米尺寸材料中,金属纳米颗粒能够被广泛地用于各种用途,因为当金属从其块状形态缩小到纳米尺寸时,金属纳米颗粒具有很大的表面,同时在颗粒中只有少量的金属原子。由于这个原因,金属纳米颗粒表现出独特的催化、电子、光电和磁性能[Science,
256,1425(1992)和Colloid Polymer.Sci.
273,101(1995)]。通过电荷(或电子)转移的电导机理显示出导电性的金属纳米颗粒具有如此大的比表面积,以至于即使在使用少量的纳米颗粒时,它们的膜或图案可以表现出高导电率;另外,如果通过将颗粒尺寸控制在3-15nm的范围内使堆积变得更紧密,金属界面间的电荷转移能够更容易地进行,导致更高的导电率。
由于在电子工业中巨大的优越性,为了用各种材料开发高度导电的膜或图案而进行了大量的努力,在这点上,期望着金属纳米颗粒能够制造出高导电性的膜或图案而不用进行需要高真空和/或高温的蚀刻或溅射处理;一旦被实现,用金属纳米颗粒制备导电膜将会非常有用,因为这样获得的膜通过控制颗粒尺寸在可见光线下能够是透明的。然而,对于用于形成膜或图案的金属纳米颗粒存在着需要克服的困难,即,有效地控制和排列如此精细的颗粒。
为了有效地排列金属纳米颗粒,有一些已提出的使用自组装单分子层的方法。该自组装单分子层是通过排列带有对特定金属有化学亲和性的功能基团的化合物的分子,形成于金属纳米颗粒表面的层;它的厚度能够控制为纳米级,例如,从10到40nm。一般地,带有氨基(-NH2)、异腈基(-CN)、或者巯基(-SH)的化合物分子排列在纳米金属如金、银、铜、钯或铂上以形成自组装的单分子层[Chem.Rev.
96,1533(1996)]。
然而,在使用自组装单分子层方法的情形中,因为如下困难:控制分子取向或空间顺序、薄膜中金属纳米颗粒的不稳定性和聚集、以及膜缺陷,在制备大尺寸的金属纳米颗粒膜或图案并不容易。由于这个原因,金属纳米颗粒或者它的膜或图案在商业中的应用受到限制。
因此,本领域中强烈要求来开发新的自组装纳米结构以能够形成大面积的金属纳米颗粒膜或图案。
发明概述
本发明人投入了大量的努力来满足现有技术的要求,并且发现:当使用通过在其表面形成具有末端活性基团的硫醇(-SH)或者异氰化物(-CN)的自组装单分子层,并通过与该末端活性基团的反应在该单分子层中引入光敏基团而制备的光敏金属纳米颗粒,金属纳米颗粒图案能够容易地通过光刻制版过程大面积制备、而不须进行溅射或蚀刻处理。
基于这个发现,本发明实施方案的第一个特征是提供能够容易地制备大面积膜或图案的金属纳米颗粒,本发明另外一个优选的特征是提供通过使用该光敏纳米颗粒形成图案的方法。
为了完成本发明各个实施方案中这些和其他的特征,这里提供了通过在其表面形成具有末端活性基团的硫醇(-SH)或者异氰化物(-CN)的自组装单分子层,并通过与该末端活性基团的反应在该单分子层中引入光敏基团而制备的光敏金属纳米颗粒;也提供了组合物,其中包含有上述光敏金属纳米颗粒、光引发剂、有机溶剂、和,如果有必要,导电高分子和/或非导电高分子;而且,提供使用上述光敏组合物形成图案的方法。
优选的实施方案
韩国专利申请No.2003-37040,申请于2003年6月10日,标题为“光敏金属纳米颗粒和用其形成导电图案的方法”在此全部引入作为参考。
根据本发明的光敏金属纳米颗粒具有如以下示意性地显示的结构,其中硫醇或异氰化物化合物与光敏的终端基团连接形成了在金属纳米颗粒上的自组装单分子层:
其中,M是金、银、铜、钯或铂金属纳米颗粒,它们的直径范围是1-30nm;
X是S或N≡C;
间隔基是具有2-50个碳原子的多价有机基团,优选地,具有2-50个碳原子的至少为二价的有机基团,在其碳链中可以包括:-CONH-、
-COO-、-Si-、双-(卟啉)和/或的-CO-;
n是1-500的整数,优选1-100,更优选1-50;
a是1-4的整数;并且
该光敏基团是丙烯酰基、乙烯基或者重氮基。
本发明中的光敏金属纳米颗粒通过以下步骤制备:(i)在金属纳米颗粒表面形成具有末端活性基团的硫醇或异氰化物化合物(如下式1所示)的自组装单分子层,接着(ii)通过与该末端活性基团的反应在该单分子层引入光敏基团。
式1
X-R-(A)a
其中,X-是HS-或NC-;R是具有2-50个碳原子的多价有机基团,优选地,具有2-50个碳原子的至少为二价的有机基团,在其碳链中可以包括:-CONH-、
-COO-、-Si-、双-(卟啉)和/或-CO-;A是-OH、-COOH、-COCl或-NH2;a是1-4的整数。
式1表示的硫醇化合物的优选实例包括:胱胺(二盐酸盐)、6-巯基-1-己醇、2-巯基乙醇、4,4′-硫代联苯酚、1-巯基-2-丙醇、3-巯基-1-丙醇、3-巯基-2-丁醇、3-巯基-1,2-丙二醇、2,3-二巯基-1-丙醇、2,3-二羟基-1,4-丁二硫醇(dithiothreitol,HSCH2CH(OH)CH(OH)CH2SH)、二硫代赤藓醇、1,4-二硫代-L-2,3-丁二醇(1,4-dithio-L-threitol)、3-(甲硫基)-1-丙醇、4-(甲硫基)-1-丁醇、3-(甲硫基)-1-己醇、2,2′-硫代二乙醇、2-羟乙基二硫化物、3,6-二硫代-1,8-辛二醇、3,3′-硫代二丙醇、3-甲硫基-1,2-丙二醇、3-乙硫基-1,2-丙二醇、D-葡萄糖二乙基缩硫醛、1,4-二噻烷(dithiane)-2,5-二醇、1,5-二硫杂环辛烷(dithiacyclooctan)-3-醇或4-羟基硫代苯酚,而且,异氰化物化合物(-N≡C)通常已知能容易地通过西格马(sigma)键与金属络合(Langumir,14,1684(1998)),本发明中优选的实例包括:3-(苄氨基)丙腈、4-氨苄基氰化物、4-氰基苯酚、或4′-羟基-4-联苯基腈(biphenylcarbonitrile)。
根据本发明在金属纳米颗粒上形成自组装单分子层的过程中,金属纳米颗粒与式1所示的硫醇化合物或异氰化物化合物一起分散在有机溶剂中,随后按预定的时间搅拌。本发明中,金属纳米颗粒能够通过任何公知的方法获得,例如以下方法:任选地在用于稳定颗粒的表面活性剂包括油酸钠的存在下,含有待纳米尺寸化的金属离子(以下称“目标金属”)的水溶液用还原剂如,柠檬酸盐、EDTA和NaBH4还原,从而制备所需要的金属纳米颗粒。在制备铜纳米颗粒的情形下,铜肼羧酸盐(Cu(N2H3COO)2·2H2O)的水溶液在70-90℃、优选80℃下回流,从而得到铜纳米颗粒。
而且,如果需要,自然地带有自组装单分子层的纳米颗粒可以通过以下方法制备:式1的硫醇化合物或异氰化物化合物的有机溶液与目标金属离子的水溶液在相转移催化剂的存在下反应,获得被有机溶液层中的硫醇化合物或异氰化物化合物的分子所包围的金属化合物分散物;然后该分散物用还原剂处理以沉淀出带有自组装单分子层的金属纳米颗粒,接着对该颗粒进行离心处理。
金属纳米颗粒,其表面上形成了带有末端活性基团的硫醇化合物或异氰化物化合物的自组装单分子层,与具有能产生本发明所述光敏金属颗粒的光敏部分的反应化合物接触,该具有光敏部分的反应性化合物不仅包括在一端与末端活性基团(A)反应的功能基团,还包括另一端的光敏基团如,丙烯酰基、乙烯基或者重氮基。具有光敏部分的反应性化合物的实例包括,但不限于,丙烯酰氯、丙烯酰胺、丙烯酸、苯乙烯或重氮盐衍生物。
本发明中,进一步提供了光敏组合物,其中包括上述光敏金属纳米颗粒、光引发剂、有机溶剂、和,如果有必要,导电高分子和/或非导电高分子。
在本发明的组合物中,依赖于膜或图案的厚度和所要求的导电率、组合物粘度、或覆盖技术,上述提及的光敏金属纳米颗粒以各种量使用,基于100重量份的有机溶剂,优选金属纳米颗粒用量范围是1-200重量份,但是不限于此。
本发明中可以使用的光引发剂包括任何通过光分解而引发自由基聚合的引发剂,例如,乙酰苯-、苯偶姻-、二苯酮-、或者噻吨酮-基的化合物。
在本发明中,乙酰苯基的引发剂包括:4-苯氧基二氯乙酰苯、4-叔丁基二氯乙酰苯、4-叔丁基三氯乙酰苯、二乙氧基乙酰苯、2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、1-(4-异丙基苯基)-2-羟基-2-甲基-丙烷-1-酮、1-(4-十二烷基苯基)-2-羟基-2-甲基丙烷-1-酮、4-(2-羟基乙氧基)-苯基-(2-羟基-2-丙基)酮、1-羟基环己基苯基酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-吗啉代-丙烷-1-酮等;苯偶姻基的光引发剂包括:苯偶姻、苯偶姻甲基醚、苯偶姻乙基醚、苯偶姻异丙基醚、苯偶姻异丁基醚、苯偶姻二甲基缩酮;二苯酮基的光引发剂包括:二苯酮、苯甲酰苯甲酸、苯甲酰苯甲酸甲基酯、4-苯基二苯酮、羟基二苯酮、4-苯甲酰基-4′-甲基二苯基硫化物、3,3-二甲基-4-甲氧基二苯酮等;噻吨酮基的化合物包括:噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮、2,4-二氯噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮、2,4-二异丙基噻吨酮等。
除上述引发剂之外,1-苯基-1,2-丙二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟、2,4,6-三甲基苯甲酰二苯基氧膦、甲基苯基乙醛酸酯、苯偶酰、9,10-菲醌、樟脑醌、二苯并环庚酮、2-乙基蒽醌、4,4′-二乙基二苯代酚酞(diethylisophthalophenone)、或3,3′,4,4′-四(叔丁基过氧羰基)二苯酮可以用作本发明中的光引发剂。具体而言,当使用以下式2到5所代表的化合物,即,包括共聚合功能基团的光引发剂时,残留的未反应的光引发剂水平能够降低从而可以获得更加精密的图案:
式2
其中R是丙烯酰基
式3
式4
和
式5
光引发剂的量没有具体的限制,并且要考虑引发能力、膜厚度等而合适地选择。
除了光引发剂,本发明的组合物可以包括共引发剂,共引发剂的实例包括但不限于:三乙醇胺、甲基二乙醇胺、三异丙醇胺、4,4′-二甲氨基二苯酮、4,4′-二乙氨基二苯酮、2-二甲氨基乙基苯甲酸酯、4-二甲氨基乙基苯甲酸酯、2-正丁氧乙基-4-二甲氨基苯甲酸酯、4-二甲氨基异戊基苯甲酸酯、4-二甲氨基-2-乙基己基-苯甲酸酯和曙红Y。组合物中使用的共引发剂量没有限制,依赖于引发能力、膜厚度等而变化。
本发明中可以用于组合物的有机溶剂包括但不限于:DMF、4-羟基-4-甲基-2-戊酮、乙二醇单乙醚和2-甲氧基乙醇。
另外,作为粘合剂,本发明中的组合物可以包括导电高分子和/或非导电高分子,其在当膜暴露在光线下聚合时给膜提供均匀性或各种功能能力。
本发明中,导电高分子举例如下:聚乙炔(PA)、聚噻吩(PT)、聚(3-烷基)噻吩(P3AT)、聚吡咯(PPY)、聚异硫代萘(polyisothianapthelene)(PITN)、聚乙烯二氧噻吩(PEDOT)、聚对亚苯基亚乙烯(PPV)、聚(2,5-二烷氧基)对亚苯基亚乙烯、聚对亚苯基(PPP)、聚庚二炔(PHT)、聚(3-己基)噻吩(P3HT)、聚苯胺(PANI)、和其混合物。导电高分子的数均分子量范围是1,000到30,000,基于100重量份光敏金属纳米颗粒,高分子的量是1-15重量份,优选3-10重量份。为了得到刚性的膜,可以再覆盖上环氧丙烯酸酯衍生物或商品化的带有缩水甘油基醚的环氧化合物。
可以用于本发明的非导电高分子包括:聚酯、聚碳酸酯、聚乙烯醇、聚乙烯醇缩丁醛、聚缩醛、聚芳基化物、聚酰胺、聚(酰胺-酰亚胺)(poly(amide-imide))、聚醚酰亚胺、聚苯醚、聚苯硫醚、聚醚砜、聚醚酮、聚邻苯二酰胺、聚醚腈、聚醚砜、聚苯并咪唑、聚碳化二亚胺、聚硅氧烷、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酰胺、丁腈橡胶、丙烯酰橡胶、聚四氟乙烯、环氧树脂、酚树脂、三聚氰胺树脂、脲醛树脂、聚丁烯、聚戊烯、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-丁烯-二烯共聚物、聚丁二烯、聚异戊二烯、乙烯-丙烯-二烯共聚物、丁基橡胶、聚甲基戊烯、聚苯乙烯、苯乙烯-丁二烯共聚物、氢化苯乙烯-丁二烯共聚物、氢化聚异戊二烯、氢化聚丁二烯、和其混合物。考虑到溶解性和涂布能力,非导电高分子的数均分子量范围是3,000到30,000,基于100重量份光敏金属纳米颗粒,其用量是0.1-10重量份。
本发明中的组合物涂布在基底上,并且在有或者没有带有所需图案的光掩膜存在时暴露于光线下,接着进行显影过程,从而不需要进行另外的溅射或者蚀刻过程,简单地形成导电膜或图案。
本发明可以使用的基底并不具体地限制,并且可以根据最终用途来决定,其实例包括玻璃、硅晶片和塑料。组合物的涂布可以用任何本领域熟知的常用的涂布方法完成,本发明中有用的涂布方法的非限制性实例包括旋涂、浸涂、喷涂、浇涂和丝网印刷,而根据方便和膜的平整性而言,旋涂最为优选。对于旋涂,旋转速率依赖于涂布组合物的粘度、需要的膜厚度和需要的导电率决定,优选在200到3,500rpm之间。
涂布组合物在80-120℃,优选地,100℃预焙烤1-2min以蒸去溶剂,接着完全暴露在光线下或在带有所需图案的光掩膜下部分暴露。经过曝光,光引发剂产生的自由基引发了引入到金属纳米颗粒表面的光敏基团的聚合,由此金属纳米颗粒交联。在紧接的显影过程,交联的暴露部分相对于非暴露部分变成不溶和具有急剧降低的溶解性。由于溶解性的差异,经过显影后只有暴露的部分保留在基底上,从而得到所需要的图案。本发明中有用的显影剂类型不被限制并且可以采用任何在光刻制版过程中常用的有机显影剂。为了膜或图案的更好的稳定性和均匀性,DMF、4-羟基-4-甲基-2-戊酮、乙二醇单乙醚和2-甲氧基乙醇可以优选用作显影剂。
对于仅用导电高分子形成的导电性的膜或图案,它们可能会由于充分的导电性而显示淡绿色或褐色,因为它们的导电性能来自于分子链中双键的π电子转移,所以为了更高的导电率需要大量的π键,这可能产生色彩问题。然而,在本发明中,用光敏金属纳米颗粒形成的膜或图案在可见光下是透明的同时显示高的导电率。
根据本发明,光敏金属纳米颗粒和组合物,如果需要与导电高分子和/或非导电高分子混合,可以商业性地用于以下领域并获成功:抗静电的可洗的粘性垫子、抗静电鞋子、导电性聚氨酯印刷机滚筒、导电性轮子和工业滚轮、抗静电的压力敏感粘合膜、EMI(ElectroMagnetic Interference shielding,电磁干扰屏蔽)等。
下文中,本发明将参照以下实施例得以更详细的描述,然而,这些实施例仅为说明而提供,并且不能解释为对本发明的范围的限制。
预备实施例1:金纳米颗粒的制备
25ml四氯金酸氢(hydrogen perculatorate)(HAuCl4·H2O)溶液(40mM)加入到在20ml甲苯中的50mM溴化四辛基铵中,然后搅拌,25ml含有0.4gNaBH4的水溶液加入到该反应溶液(橙色)中,接着搅拌2小时以得到深紫色的反应混合物,通过脱离反应混合物分离出有机层和水层后,有机层用0.1M的硫酸溶液、1M的碳酸钠溶液和水洗涤,用MgSO4干燥,用0.45μm的PTFE注射过滤器过滤得到金纳米颗粒。这样得到的颗粒分散于有机甲苯中,用TEM(透射电子显微镜)测量该分散物显示金纳米颗粒的平均尺寸为4-8nm,从该分散物的离心分离中,获得纯的金纳米颗粒。
预备实施例2:银纳米颗粒的制备
由5gAgNO3和0.1L蒸馏水制备的溶液加入到0.3L含有2×10-3M硼氢化钠(NaBH4)的冰溶液中,搅拌反应2小时,该反应混合物进行离心以分离上层清液,所得稀浆用MgSO4干燥,注入甲苯,用0.45μm的PTFE注射过滤器过滤得到纳米颗粒。这样得到的颗粒分散于有机甲苯中,用TEM测量该分散物显示银纳米颗粒的平均尺寸为4-8nm,从该分散物的离心分离中,获得纯的银纳米颗粒。
预备实施例3:铜纳米颗粒的制备
由氯化酮和肼羧酸(N2H3COOH)制备的300mg铜肼羧酸盐(CHC)溶解于100ml蒸馏水中,在氮气下80℃回流反应3小时,这样,溶液的颜色变化从蓝色到红色显示金属性铜出现在溶液中。该反应混合物进行离心并且纯的铜纳米颗粒与上层清液分开,这样得到的颗粒分散于有机甲苯中,用TEM测量该分散物显示铜纳米颗粒的平均尺寸为4-8nm。
预备实施例4:钯纳米颗粒的制备
肼(N2H4)(40mM,10ml)滴加到100ml Na2PdCl4(5mM,15ml)的黄色溶液中,反应3小时,得到钯纳米颗粒的褐色分散物,该分散物接着进行离心并且纯的钯纳米颗粒与上层清液分开,这样得到的颗粒分散于有机甲苯中,用TEM测量该分散物显示钯纳米颗粒的平均尺寸为3-10nm。
预备实施例5:铂纳米颗粒的制备
5ml的0.06M NaBH4和10ml的0.0033M六氯铂酸氢(VI)六水合物(H2PtCl4.6H2O)搅拌混合,反应2小时,得到深褐色的分散物,所得分散物静置使有机层与水层分离,分离的有机层用MgSO4干燥并用0.45μm的PTFE注射过滤器过滤,得到铂纳米颗粒,该铂纳米颗粒具有的平均尺寸为2-5nm(TEM测量)。
实施例1:在金纳米颗粒表面引入光敏基团
0.2g预备实施例1中制备的金纳米颗粒分散于5g胱胺二盐酸盐中,用磁棒搅拌2小时、过滤、然后用纯水洗涤并过滤,得到每个粒子表面被氨基取代的金纳米颗粒。当在0.05M的4-(2-羟乙基)-1-哌嗪乙磺酸(HEPES)缓冲溶液中保持pH值在7.2-7.4时,在1-乙基-3(3-二甲氨基丙基)碳化二亚胺(EDC)作为缩合反应剂存在下,该金纳米颗粒与丙烯酸(0.01M)反应4小时,当反应完成后,过滤所得金属纳米颗粒、用THF洗涤两次、减压下干燥,得到丙烯酰部分通过酰胺基与其表面连接的光敏金属纳米颗粒。
实施例2:在银纳米颗粒表面引入光敏基团
丙烯酰部分通过酰胺基与其表面连接的银纳米颗粒用与实施例1相同的办法获得,区别在于使用了0.2g预备实施例2中制备的银纳米颗粒代替金纳米颗粒。
实施例3:在铜纳米颗粒表面引入光敏基团
丙烯酰部分通过酰胺基与其表面连接的铜纳米颗粒用与实施例1相同的办法获得,区别在于使用了0.2g预备实施例3中制备的铜纳米颗粒代替金纳米颗粒。
实施例4:在钯纳米颗粒表面引入光敏基团
丙烯酰部分通过酰胺基与其表面连接的钯纳米颗粒用与实施例1相同的办法获得,区别在于使用了0.2g预备实施例4中制备的钯纳米颗粒代替金纳米颗粒。
实施例5:在铂纳米颗粒表面引入光敏基团
丙烯酰部分通过酰胺基与其表面连接的铂纳米颗粒用与实施例1相同的办法获得,区别在于使用了0.2g预备实施例5中制备的铂纳米颗粒代替金纳米颗粒。
实施例6:在金纳米颗粒表面引入光敏基团
0.2g预备实施例1中制备的金纳米颗粒分散于50ml浓硫酸与30%的过氧化氢1∶1的混合物中,缓慢搅拌20min,然后用250ml蒸馏水稀释该分散物,用0.2μm的过滤器过滤,用50ml甲醇洗涤五次,在烘箱中于160℃干燥5小时。0.1g干燥的金纳米颗粒与1.3g 4-氰基苯酚一起加入到200ml甲苯中,搅拌72小时,所得产物用0.2μm的过滤器过滤,用THF洗涤两次,减压下在烘箱中于30℃干燥,得到的每个金纳米颗粒在其表面上具有4-氰基苯酚自组装单分子层。0.1g该金纳米颗粒加入到200ml THF中,超声分散20min,在所得的分散物中加入1.5ml三乙胺并在氮气下搅拌30min,接着,3ml丙烯酰氯加入到该搅拌反应溶液中,反应温度保持在0℃时反应12小时。待反应完成后,产物用稀氢氧化铵溶液和水洗涤两次,然后用THF洗涤两次,用0.2μm的过滤器过滤并在烘箱中减压下于30℃干燥5小时,从而制备了其上丙烯酰基团被取代的金纳米颗粒。
实施例7:直接制备具有自组装单分子层的金纳米颗粒和在其表面引入光敏基团
在1.6g溴化四辛基铵溶于400ml甲苯的溶液中加入150ml含有0.5g的四氯金酸氢的蒸馏水溶液,搅拌2小时,用30min向所得溶液中滴加50ml含有0.2ml 6-巯基-1-己醇的甲苯溶液,搅拌4小时,接着向该反应混合物加入0.55g NaBH4,搅拌4小时,用0.2μm的过滤器过滤,在烘箱中减压下于30℃干燥5小时,所制备的每个金纳米颗粒其表面上具有6-巯基-1-己醇自组装单分子层。0.2g该金纳米颗粒加入到300ml THF中,超声分散30min,在所得的分散物中加入1.2ml三乙胺并在氮气下搅拌30min,接着,3ml丙烯酰氯加入到该搅拌反应溶液中,反应温度保持在0℃时反应12小时。待反应完成后,产物用稀氢氧化铵溶液和水洗涤两次,然后用THF洗涤两次,用0.2μm的过滤器过滤并在烘箱中减压下于30℃干燥5小时,从而制备了其上丙烯酰基团被取代的金纳米颗粒。
实施例8:用光敏金属纳米颗粒形成负图案和测量导电率
分别制备涂布溶液,其包含有:0.1g实施例1到7中分别制备的光敏金属纳米颗粒,0.0005g从Ciba Specialty Chemicals Inc.购买的Irgacure 907作为光引发剂,和1.5g丙二醇甲醚乙酸酯(PGMEA)作为溶剂。每种涂布溶液超声1小时以充分混合该涂布溶液中的每个组分,然后用0.5μm的注射器过滤,接着以300-500rpm在硅晶片上进行旋涂过程,并在100℃下干燥1min除去残留在涂布表面的溶剂。每种所获得的膜在形成了需要图案的光掩膜下暴露在600mJ/cm2的紫外光中,在DMF(显影剂)中显影10秒,以获取分辨率范围是30-60μm的光敏金属纳米颗粒的图案线。导电率通过用4点探针计算测量厚度,结果显示在表1中,如下:
表1
样品 | 导电率(S/cm) | 图案分辨率(μm) |
实施例1 | 35 | 40 |
实施例2 | 30 | 50 |
实施例3 | 25 | 50 |
实施例4 | 20 | 60 |
实施例5 | 25 | 35 |
实施例6 | 38 | 40 |
实施例7 | 32 | 50 |
从表1中可以看到:使用本发明中的光敏金属纳米颗粒,甚至不经过蚀刻处理,导致了形成具有高分辨率和导电率的图案。
实施例9:制备导电性膜
分别制备涂布溶液,其包含有:0.1g实施例1到7中分别制备的光敏金属纳米颗粒,0.05g聚噻吩(PT)3%DMF作为导电高分子,0.0002g从CibaSpecialty Chemicals Inc.购买的Irgacure 651作为光引发剂,和1.5g PGMEA作为溶剂。每种涂布溶液超声1小时以充分混合该涂布溶液中的每个组分,然后用0.5μm的注射器过滤,接着以500rpm在硅晶片上进行旋涂过程,并在100℃下干燥1min除去残留在涂布表面的溶剂。每种所获得的膜在没有光掩膜时全部暴露在600mJ/cm2的光线下,以制备导电性膜。导电率通过用Jandal Universal 4点探针计算厚度测量,结果显示在表2中,如下。
实施例10:制备导电性膜
按照导电性膜1中相同的办法制备导电性膜,区别在于使用0.001g数均分子量为5,000的聚苯乙烯(PS)作为高分子粘合剂代替聚噻吩,和1.0gPGMEA与0.3g甲苯作为溶剂。测量导电率,其结果显示在表2中,如下。
表2
实施例9 | 导电率(S/cm) | 实施例10 | 导电率(S/cm) |
实施例1+PT | 38 | 实施例1+PS | 30 |
实施例2+PT | 34 | 实施例2+PS | 25 |
实施例3+PT | 28 | 实施例3+PS | 22 |
实施例4+PT | 25 | 实施例4+PS | 16 |
实施例5+PT | 28 | 实施例5+PS | 21 |
实施例6+PT | 42 | 实施例6+PS | 32 |
实施例7+PT | 35 | 实施例7+PS | 24 |
从表2中可以看到:当本发明中的光敏金属纳米颗粒与导电高分子混合时,所得膜具有高导电率;而且,甚至当光敏金属纳米颗粒与常用高分子混合时,该膜显示相对高的导电率。
本发明中的光敏金属纳米颗粒可以通过暴露在光线下接着发生光聚合反应,容易地形成导电性膜或图案,并且所得膜或图案具有优异的导电率。因此,本发明中的光敏金属纳米颗粒可以用于以下领域:抗静电的可洗的粘性垫子、抗静电鞋子、导电性聚氨酯印刷机滚筒、导电性轮子和工业滚轮、抗静电的压力敏感粘合膜、电磁干扰屏蔽等。
虽然本发明优选的实施方案为着说明的目的而公开,但是本领域熟练技术人员应当理解,在没有偏离附加权利要求中公开的本发明范围的各种变更、增添和替换是可能的。
Claims (22)
1.光敏金属纳米颗粒,其通过下述步骤制备:(i)在金属纳米颗粒表面形成式1所示的具有末端活性基团的硫醇或异氰化物化合物的自组装单分子层,然后(ii)通过与该末端活性基团的反应在所述单分子层引入光敏基团:
式1
X-R-(A)a
其中,X-是HS-或NC-;R是具有2-50个碳原子的多价有机基团;A是-OH、-COOH、-COCl或-NH2;a是1-4的整数。
2.权利要求1的金属纳米颗粒,其中所述金属纳米颗粒包括金、银、铜、钯或铂;
式1中的R是具有2-50个碳原子的多价有机基团,在其碳链中可以包括:-CONH-、
-COO-、-Si-、双-(卟啉)和/或-CO-;
所述光敏基团是丙烯酰基、乙烯基或者重氮基。
3.权利要求1的金属纳米颗粒,其中所述硫醇化合物选自:胱胺(二盐酸盐)、6-巯基-1-己醇、4,4′-硫代联苯酚、2-巯基乙醇、1-巯基-2-丙醇、3-巯基-1-丙醇、3-巯基-2-丁醇、3-巯基-1,2-丙二醇、2,3-二巯基-1-丙醇、2,3-二羟基-1,4-丁二硫醇、二硫代赤藓醇、1,4-二硫代-L-2,3-丁二醇、3-(甲硫基)-1-丙醇、4-(甲硫基)-1-丁醇、3-(甲硫基)-1-己醇、2,2′-硫代二乙醇、2-羟乙基二硫化物、3,6-二硫代-1,8-辛二醇、3,3′-硫代二丙醇、3-甲硫基-1,2-丙二醇、3-乙硫基-1,2-丙二醇、D-葡萄糖二乙基缩硫醛、1,4-二噻烷-2,5-二醇、1,5-二硫杂环辛烷-3-醇或4-羟基硫代苯酚;并且,
所述异氰化物化合物选自:4-氨苄基氰化物、4-氰基苯酚和4′-羟基-4-联苯基腈。
4.用于形成图案的光敏组合物,其包含权利要求1的光敏金属纳米颗粒、光引发剂和有机溶剂。
5.权利要求4的光敏组合物,其进一步包含导电高分子和/或非导电高分子。
6.权利要求5的光敏组合物,其中所述导电高分子选自:聚乙炔(PA)、聚噻吩(PT)、聚(3-烷基)噻吩(P3AT)、聚吡咯(PPY)、聚异硫代萘(PITN)、聚乙烯二氧噻吩(PEDOT)、聚对亚苯基亚乙烯(PPV)、聚(2,5-二烷氧基)对亚苯基亚乙烯、聚对亚苯基(PPP)、聚庚二炔(PHT)、聚(3-己基)噻吩(P3HT)、聚苯胺(PANI)、和其混合物。
7.权利要求5的光敏组合物,其中所述非导电高分子选自:聚酯、聚碳酸酯、聚乙烯醇、聚乙烯醇缩丁醛、聚缩醛、聚芳基化物、聚酰胺、聚(酰胺-酰亚胺)、聚醚酰亚胺、聚苯醚、聚苯硫醚、聚醚砜、聚醚酮、聚邻苯二酰胺、聚醚腈、聚醚砜、聚苯并咪唑、聚碳化二亚胺、聚硅氧烷、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酰胺、丁腈橡胶、丙烯酰橡胶、聚四氟乙烯、环氧树脂、酚树脂、三聚氰胺树脂、脲醛树脂、聚丁烯、聚戊烯、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-丁烯-二烯共聚物、聚丁二烯、聚异戊二烯、乙烯-丙烯-二烯共聚物、丁基橡胶、聚甲基戊烯、聚苯乙烯、苯乙烯-丁二烯共聚物、氢化苯乙烯-丁二烯共聚物、氢化聚异戊二烯、氢化聚丁二烯、和其混合物。
8.权利要求4的光敏组合物,其中所述光引发剂包含乙酰苯化合物、苯偶姻化合物、二苯酮化合物、或者噻吨酮化合物;或者1-苯基-1,2-丙二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟、2,4,6-三甲基苯甲酰二苯基氧膦、甲基苯基乙醛酸酯、苯偶酰、9,10-菲醌、樟脑醌、二苯并环庚酮、2-乙基蒽醌、4,4′-二乙基二苯代酚酞、或3,3′,4,4′-四(叔丁基过氧羰基)二苯酮。
10.权利要求4的光敏组合物,其中进一步包含选自以下物质的共引发剂:三乙醇胺、甲基二乙醇胺、三异丙醇胺、4,4′-二甲氨基二苯酮、4,4′-二乙氨基二苯酮、2-二甲氨基乙基苯甲酸酯、4-二甲氨基乙基苯甲酸酯、2-正丁氧乙基-4-二甲氨基苯甲酸酯、4-二甲氨基异戊基苯甲酸酯、4-二甲氨基-2-乙基己基-苯甲酸酯和曙红Y。
11.形成导电性图案的方法,包括:
(i)将权利要求4的光敏组合物涂布在基底上,接着进行干燥过程;和,
(ii)将该涂布物暴露在光下,接着进行显影过程。
12.权利要求2的金属纳米颗粒,其中所述硫醇化合物选自:胱胺(二盐酸盐)、6-巯基-1-己醇、4,4′-硫代联苯酚、2-巯基乙醇、1-巯基-2-丙醇、3-巯基-1-丙醇、3-巯基-2-丁醇、3-巯基-1,2-丙二醇、2,3-二巯基-1-丙醇、2,3-二羟基-1,4-丁二硫醇、二硫代赤藓醇、1,4-二硫代-L-2,3-丁二醇、3-(甲硫基)-1-丙醇、4-(甲硫基)-1-丁醇、3-(甲硫基)-1-己醇、2,2′-硫代二乙醇、2-羟乙基二硫化物、3,6-二硫代-1,8-辛二醇、3,3′-硫代二丙醇、3-甲硫基-1,2-丙二醇、3-乙硫基-1,2-丙二醇、D-葡萄糖二乙基缩硫醛、1,4-二噻烷-2,5-二醇、1,5-二硫杂环辛烷-3-醇或4-羟基硫代苯酚;并且,
所述异氰化物化合物选自:4-氨苄基氰化物、4-氰基苯酚和4′-羟基-4-联苯基腈。
13.权利要求5的光敏组合物,其中所述光引发剂包含乙酰苯化合物、苯偶姻化合物、二苯酮化合物、噻吨酮化合物;或者1-苯基-1,2-丙二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟、2,4,6-三甲基苯甲酰二苯基氧膦、甲基苯基乙醛酸酯、苯偶酰、9,10-菲醌、樟脑醌、二苯并环庚酮、2-乙基蒽醌、4,4′-二乙基二苯代酚酞或3,3′,4,4′-四(叔丁基过氧羰基)二苯酮。
15.权利要求4的光敏组合物,其中进一步包含选自以下物质的共引发剂:三乙醇胺、甲基二乙醇胺、三异丙醇胺、4,4′-二甲氨基二苯酮、4,4′-二乙氨基二苯酮、2-二甲氨基乙基苯甲酸酯、4-二甲氨基乙基苯甲酸酯、2-正丁氧乙基-4-二甲氨基苯甲酸酯、4-二甲氨基异戊基苯甲酸酯、4-二甲氨基-2-乙基己基-苯甲酸酯和曙红Y。
16.形成导电性图案的方法,包括:
(i)将权利要求5的光敏组合物涂布在基底上,接着进行干燥过程;和,
(ii)将该涂布物暴露在光下,接着进行显影过程。
17.形成导电性图案的方法,包括:
(i)将权利要求6的光敏组合物涂布在基底上,接着进行干燥过程;和,
(ii)将该涂布物暴露在光下,接着进行显影过程。
18.形成导电性图案的方法,包括:
(i)将权利要求7的光敏组合物涂布在基底上,接着进行干燥过程;和,
(ii)将该涂布物暴露在光下,接着进行显影过程。
19.形成导电性图案的方法,包括:
(i)将权利要求8的光敏组合物涂布在基底上,接着进行干燥过程;和,
(ii)将该涂布物暴露在光下,接着进行显影过程。
20.形成导电性图案的方法,包括:
(i)将权利要求9的光敏组合物涂布在基底上,接着进行干燥过程;和,
(ii)将该涂布物暴露在光下,接着进行显影过程。
21.形成导电性图案的方法,包括:
(i)将权利要求10的光敏组合物涂布在基底上,接着进行干燥过程;和,
(ii)将该涂布物暴露在光下,接着进行显影过程。
22.权利要求1的金属纳米颗粒,其中R是具有2-50个碳原子的至少二价的有机基团。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR37040/2003 | 2003-06-10 | ||
KR37040/03 | 2003-06-10 | ||
KR1020030037040A KR100965373B1 (ko) | 2003-06-10 | 2003-06-10 | 감광성 금속 나노입자 및 이를 이용한 도전성 패턴형성방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1573543A true CN1573543A (zh) | 2005-02-02 |
CN1573543B CN1573543B (zh) | 2010-05-12 |
Family
ID=33487922
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2004100484595A Expired - Fee Related CN1573543B (zh) | 2003-06-10 | 2004-06-10 | 光敏金属纳米颗粒和用其形成导电图案的方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7166412B2 (zh) |
EP (1) | EP1500978B1 (zh) |
JP (1) | JP4384554B2 (zh) |
KR (1) | KR100965373B1 (zh) |
CN (1) | CN1573543B (zh) |
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- 2004-06-10 JP JP2004172182A patent/JP4384554B2/ja not_active Expired - Fee Related
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CN106784393A (zh) * | 2016-11-17 | 2017-05-31 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种导电纳米线层,其图形化方法及应用 |
CN106784393B (zh) * | 2016-11-17 | 2019-06-04 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种导电纳米线层,其图形化方法及应用 |
CN113493907A (zh) * | 2020-04-03 | 2021-10-12 | 上村工业株式会社 | 钯镀液及镀覆方法 |
CN116018655A (zh) * | 2020-09-28 | 2023-04-25 | 东丽株式会社 | 感光性树脂组合物、带导电图案的基板、天线元件、图像显示装置的制造方法及触摸面板的制造方法 |
CN116018655B (zh) * | 2020-09-28 | 2024-02-02 | 东丽株式会社 | 感光性树脂组合物、带导电图案的基板、天线元件、图像显示装置的制造方法及触摸面板的制造方法 |
WO2024041182A1 (zh) * | 2022-08-22 | 2024-02-29 | 华为技术有限公司 | 配体化合物、复合物及其应用 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080311513A1 (en) | 2008-12-18 |
JP4384554B2 (ja) | 2009-12-16 |
CN1573543B (zh) | 2010-05-12 |
JP2005004211A (ja) | 2005-01-06 |
US7473513B1 (en) | 2009-01-06 |
EP1500978A3 (en) | 2007-12-05 |
KR100965373B1 (ko) | 2010-06-22 |
EP1500978A2 (en) | 2005-01-26 |
KR20040106604A (ko) | 2004-12-18 |
US20040253536A1 (en) | 2004-12-16 |
US7166412B2 (en) | 2007-01-23 |
EP1500978B1 (en) | 2014-04-23 |
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