KR20040106604A - 감광성 금속 나노입자 및 이를 이용한 도전성 패턴형성방법 - Google Patents

감광성 금속 나노입자 및 이를 이용한 도전성 패턴형성방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20040106604A
KR20040106604A KR1020030037040A KR20030037040A KR20040106604A KR 20040106604 A KR20040106604 A KR 20040106604A KR 1020030037040 A KR1020030037040 A KR 1020030037040A KR 20030037040 A KR20030037040 A KR 20030037040A KR 20040106604 A KR20040106604 A KR 20040106604A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
photosensitive
metal nanoparticles
nanoparticles
conductive
Prior art date
Application number
KR1020030037040A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100965373B1 (ko
Inventor
박종진
정은정
이상윤
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020030037040A priority Critical patent/KR100965373B1/ko
Priority to US10/734,138 priority patent/US7166412B2/en
Priority to EP04253345.5A priority patent/EP1500978B1/en
Priority to CN2004100484595A priority patent/CN1573543B/zh
Priority to JP2004172182A priority patent/JP4384554B2/ja
Publication of KR20040106604A publication Critical patent/KR20040106604A/ko
Priority to US11/505,324 priority patent/US7473513B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100965373B1 publication Critical patent/KR100965373B1/ko

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82BNANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B3/00Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/165Monolayers, e.g. Langmuir-Blodgett
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0047Photosensitive materials characterised by additives for obtaining a metallic or ceramic pattern, e.g. by firing
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/016Diazonium salts or compounds
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/114Initiator containing
    • Y10S430/117Free radical

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

본 발명은 감광성 금속나노입자 및 이를 이용한 도전성 패턴형성방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 금속 나노입자의 표면상에 말단 반응성기를 포함한 사이올(thiol)계 화합물 또는 이소시아나이드(isocyanide)계 화합물로 이루어진 자기분자조립층을 형성하고, 상기 말단 반응성기에 감광성기를 도입한 감광성 금속 나노입자 및 이를 이용한 도전성 패턴형성방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 감광성 금속나노입자의 경우, UV 조사에 의해 전도성 필름 또는 패턴을 용이하게 형성할 수 있고, 수득된 필름 또는 패턴의 전도성도 매우 우수하므로, 대전방지성 점착시트 또는 신발, 도전성 폴리우레탄 프린트 롤러, 전자파 차폐 EMI 등의 분야에 유리하게 사용될 수 있다.

Description

감광성 금속 나노입자 및 이를 이용한 도전성 패턴형성방법 {Photosensitive Metal Nanoparticle and Method of forming Conductive Pattern by using the same}
본 발명은 감광성 금속 나노입자 및 이를 이용한 도전성 패턴형성방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 말단 반응성기를 포함한 사이올(thiol)계 화합물 또는 이소시아나이드(isocyanide)계 화합물로 이루어진 자기분자조립층을 금속 나노입자의 표면상에 형성하고 상기 말단 반응성기에 감광성기를 도입한 감광성 금속 나노입자, 및 이를 이용한 도전성 패턴형성방법에 관한 것이다.
나노크기의 분자구조를 갖는 소재는 1차원, 2차원 및 3차원의 공간 구조와 질서에 따라 다양한 전기, 광학, 생물학적 성질을 나타내기 때문에, 여러 응용분야에서 나노입자에 대한 연구는 세계적으로 활발하게 진행되고 있다. 나노크기의 소재 중, 특히 금속나노입자는 그 이용분야가 넓은데, 이는 금속이 벌크상태에서 나노 크기로 되면 표면적이 크게 증가하고, 또, 나노입자 내에는 작은 수의 원자만이 존재하므로, 독특한 촉매적, 전기적, 광전기적, 및 자기적 성질을 가지기 때문이다 [Science,256, 1425 (1992) 및 Colloid Polymer. Sci.273, 101 (1995)]. 또한,전하이동(charge transfer) 내지 전자이동(electron transfer) 등의 전기전도 메카니즘을 통해 전도성을 가지는 금속나노입자는 그 비표면적이 매우 크기 때문에, 상기 나노입자를 포함한 필름 또는 패턴은, 비록 소량의 나노입자를 포함하고 있다고 하더라도, 높은 도전성을 가질 수 있고 그 입자크기를 3 내지 15 ㎚로 조절하여 패킹밀도(packing density)를 높일 경우 금속간 계면에서의 전하이동이 보다 쉬워져서 전도성을 더욱 높일 수 있다.
한편, 전자산업의 발달에 따라 다양한 재료로 이루어진 높은 전도성의 필름 또는 패턴에 대한 연구가 진행되고 있는 바, 상기 금속나노입자를 이용할 경우, 고진공 또는 고온이 필요한 스퍼터링 또는 에칭공정 등을 거치지 않고 고전도도의 필름 또는 패턴을 제조할 수 있을 뿐만 아니라, 입자 크기를 조절하여 가시광선에 투명한 상태의 전도성 패턴을 제조할 수 있는 장점이 있다. 그러나, 금속나노입자를 필름 또는 패턴으로 응용하기 위해 미세입자를 제어하고 배열해야 하는 어려움이 있다.
나노금속입자의 효과적 배열을 위한 방법의 하나로서, 자기분자 조립층(Self Assembled Monolayer)을 이용하는 방법이 공지되어 있다. 상기 자기분자조립층은 금속나노 입자상에 특정금속과 화학적인 친화성을 갖는 작용기를 가진 화합물을 분자적으로 배열한 것으로, 구조적으로 10 내지 40㎚의 두께를 제어할 수 있는 기술이다. 일반적으로 아미노기(-NH2), 이소시아나이드기(-CN), 사이올기(-SH)를 갖는 분자사슬을 금, 은, 구리, 팔라듐, 플래티늄과 같은 금속표면 위에 배열시켜 자기분자조립층을 형성한다 [Chem.Rev.96, 1533 (1996)].
그러나, 상기 공지된 자기분자조립층을 포함한 금속나노입자를 이용할 경우, 공간 규칙성 또는 분자배향조절의 어려움, 박막에서의 상기 금속나노입자의 불안정성(unstability), 결함(defects), 및 응집(aggregation)의 문제 때문에 대면적의 필름 또는 패턴은 용이하게 제조할 수 없어, 그 상업적 이용이 제한되고 있다.
따라서, 당해 기술분야에는 금속나노입자를 이용하여 대면적의 필름 또는 패턴을 형성할 수 있는 새로운 형태의 자기조립성(self-assembling) 나노구조체 개발이 절실히 요구되고 있다.
본 발명자들은 상기 문제를 해결하고자 예의 연구한 결과, 금, 은, 구리, 팔라듐, 또는 플라티늄의 금속나노입자의 표면상에 말단 반응성기를 포함한 사이올계 (-SH) 또는 이소시아나이드계(-CN) 화합물의 자기분자조립층을 형성하고, 상기 말단 반응성기에 감광성기를 도입한 감광성 금속나노입자를 이용할 경우, 넓은 면적에 걸쳐 금속나노입자의 배열이 용이하고, 통상의 포토리소그라피 공정에 의해, 별도의 스퍼터링이나 에칭공정없이, 금속나노입자를 포함한 전도성 패턴을 형성할 수 있음을 확인하고, 본 발명에 이르게 되었다.
결국, 본 발명은 대면적의 필름 또는 패턴을 용이하게 형성할 수 있는 금속나노입자 및 이를 이용한 패턴형성방법을 제공하기 위한 것이다.
상기 목적을 위한 본 발명의 한 측면은 말단 반응성기를 포함한 사이올 (thiol)계 화합물 또는 이소시아나이드(isocyanide)계 화합물로 이루어진 자기분자조립층을 금속 나노입자의 표면상에 형성하고, 상기 말단 반응성기에 감광성기를 도입한 감광성 금속 나노입자에 관한 것이다.
본 발명의 또 다른 한 측면은, 상기 감광성 금속나노입자, 광중합 개시제, 유기용매, 및 필요에 따라 전도성 또는 비전도성 고분자를 포함한 조성물 및 상기 조성물을 이용한 패턴형성방법에 관한 것이다.
이하, 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
본 발명의 감광성 금속나노입자는 한쪽 말단에 감광성기가 도입된 사이올 (thiol)계 화합물 또는 이소시아나이드(isocyanide)계 화합물이 금속나노입자상에 자기조립층을 형성한 구조를 가지며, 이를 모식적으로 나타내면 다음과 같다.
상기 구조에서, M은 직경이 1 내지 30 ㎚ 인 금, 은, 구리, 팔라듐, 또는 플래티늄의 금속나노입자이고;
X는 S 또는 N≡C이며;
스페이서는 탄소수 2 내지 50의 다가의 유기기, 바람직하게는 중간에 -CONH-,,, -COO-, -Si-, bis-(porphyrin) 및/또는 -CO-를 포함할 수 있는, 탄소수 2 내지 50의 2가 이상의 유기기이고;
n은 1 내지 50 의 정수이며;
a는 1 내지 4의 정수이고;
감광성기는 아크릴기, 에틸렌기 또는 디아조기이다.
본 발명에 따른 상기 감광성 금속나노입자는, ⅰ) 우선, 금속나노입자의 표면상에, 하기 화학식 1로 나타내어지는, 말단 반응성기를 가진 사이올계 화합물 또는 이소시아나이드계 화합물로 이루어진 자기조립층을 형성하고, ⅱ) 상기 말단반응성기에 감광성기를 도입하여 제조한다:
X-R-(A)a
(상기 식에서, X-는 HS- 또는 NC-이고, R은 탄소원자 2 내지 50인 다가의 유기기, 바람직하게는 중간에 -CONH-, -COO-,,, -Si-, bis-(porphyrin) 및/또는 -CO-를 포함할 수 있는 탄소수 2 내지 50의 2가 이상의 유기기이고, A는 OH, COOH, COCl 또는 NH2이며, a는 1 내지 4의 정수이다).
상기 화학식 1로 나타내어지는 사이올계 또는 이소시아나이드계 화합물의 바람직한 예는 시스타민(디히드로클로라이드), 6-머켑토-1-헥산올,2-머켑토에탄올 (2-mercaptoethanol), 4,4′-사이오바이페닐,1-머켑토-2-프로판올 (1-mercapto-2-propanol), 3-머켑토-1-프로판올 (3-mercapto-1-propanol), 3-머켑토-2-부탄올 (3-mercapto-2-butanol), 3-머켑토-1,2-프로판디올 (3-mercapto-1,2-propanediol), 2,3-디머켑토-1-프로판올 (2,3-dimercapto-1-propanol), 디사이오쎄레톨 (dithiotheretol), 디사이오에리쓰리톨 (dithioerythritol), 1,4-디사이오-L-쎄레톨 (1,4-dithio-L-theretol), 3-(메틸사이오)1-프로판올 (3-(methylthio)-1-propanol), 4-(메틸사이오)1-부탄올(4-(methylthio)-1-butanol), 3-(메틸사이오)-1-헥산올 (3-(methylthio)-1-hexanol), 2,2'-사이오디에탄올 (2,2'-thiodiethanol), 2-히드록시에틸디설파이드 (2-hydroxyethyl disulfide), 3,6-디티아-1,8-옥탄디올 (3,6-dithia-1,8-octanediol), 3,3'-사이오프로판올 (3,3'-thiodipropanol), 3-메틸사이오-1,2-프로판디올 (3-methylthio-1,2-propanediol), 3-에틸사이오-1,2-프로판디올(3-ethylthio-1,2-propanediol), D-글루코즈디에틸머켑탈 (D-glucose diethyl mercaptal), 1.4-디사이엔-2,5-디올 (1,4-dithiane-2,5-diol), 1,5-디사이아사이클로옥탄-3-올(1,5-dithiacyclooctan-3-ol), 또는 4-히드록시사이오페놀 (4-hydroxythiophenol) 등이 있다. 또한, 금속과 시그마 결합을 통해 쉽게 배위결합을 하는 것이 알려져 있는 [Langumir, 14, 1684, (1998)] 이소시아나이드(-N≡C)화합물로서, 본 발명에서 사용가능한 화합물의 예는 3-(벤질아미노)프로피오니트릴 (3-(benzylamino)propionitrile), 4-아미노벤질시아나이드 (4-aminobenzyl cyanide), 4-시아노페놀 (4-cyanophenol), 및 4'-히드록시-4-비페닐카르보니트릴 (4'-hydroxy-4-biphenylcarbonitrile) 을 포함한다.
본 발명에 있어 금속표면상에 자기조립층을 형성하기 위해서는, 우선 공지된방법에 의해 금속나노입자를 수득한 다음, 상기 금속입자를, 적절한 유기 용매내에서 화학식 1로 나타내어지는 사이올계 또는 이소시아나이드계 화합물과 함께 분산시켜 일정시간 교반하여 형성할 수 있다. 이 때, 금속나노입자는 공지된 모든 방법으로 수득할 수 있으며, 특별히 제한되지는 않는 바, 예를 들면, 나노입자 형태로 수득하고자 하는 금속(이하, 목표금속이라 함) 이온을 함유한 수용액을, 필요에 따라 입자의 안정을 위한 소디움 올레이트(sodium oleate)와 같은 계면활성제의 존재하에, 시트레이트(citrate), EDTA, NaBH4등과 같은 환원제로 환원시켜 제조하거나, 혹은 구리의 경우, 구리 히드라진 카르복실레이트 Cu(N2H3COO)2·2H2O 수용액을 70 내지 90 ℃, 바람직하게는 80℃에서 환류시켜 제조할 수 있다.
전술한 방법 이외에도, 말단 반응성기를 포함한 상기 사이올계 화합물 또는 이소시아나이드계 화합물의 유기용액을 상전이 촉매하에 목표금속이온을 포함한 수용액과 반응시켜 유기용액층에 사이올계 화합물 또는 이소시아나이드계 화합물 분자로 둘러싸인 금속입자의 분산액을 수득하고, 상기 분산액을 환원제로 처리하여 자기분자조립층을 포함한 금속나노입자를 석출시킨 후, 이를 원심분리함으로써 자기 조립층이 형성된 상태의 금속나노입자를 직접 수득할 수도 있다.
상기와 같은 과정으로 수득한 금속나노입자는 감광성기를 포함한 화합물과 반응시켜 본 발명에 따른 감광성 금속나노입자를 생산한다. 상기 "감광성기를 포함한 화합물"은 일방 말단에는 상기 말단 반응성기(A)와 반응할 수 있는 기를 가지고, 타방 말단에는 아크릴기, 에틸렌기 또는 디아조기 등의 감광성기를 포함한 화합물이며, 그의 구체적인 예는 아크릴로클로라이드, 아크릴아마이드, 아크릴산, 스티렌 또는 디아조늄염의 유도체를 포함하나, 이에 제한되지는 않는다.
본 발명은 추가로, 감광성 금속나노입자; 광중합 개시제; 유기용매; 및 필요에 따라 전도성 또는 비전도성 고분자를 포함한 조성물을 제공한다.
본 발명에서 사용되는 감광성 금속나노입자는 전술한 바와 같으며, 조성물 내에서 그 사용량은 수득하고자 하는 필름 또는 패턴의 두께 혹은 전도도, 조성물의 점도, 코팅 방법에 따라 다르며, 바람직하게는 유기용매 100 중량부에 대하여 1 내지 200 중량부로 사용하나 이에 제한되지는 않는다.
본 발명에서 사용가능한 광중합 개시제는 광에 의해 분해되어 라디칼 중합을 개시하는 모든 개시제를 포함하며, 바람직하게는 아세토 페논계 화합물; 벤조인계 화합물; 벤조페논계 화합물; 또는 티옥사톤계 화합물이다.
본 발명에서 사용가능한 아세토페논계 개시제의 예는 4-페녹시 디클로로아세토페논 (4-phenoxy dichloroacetophenone), 4-t-부틸 디클로로아세토페논 (4-t-butyl dichloroacetophenone), 4-t-부틸 트리클로로아세토페논 (4-t-butyl trichloroacetophenone), 디에톡시아세토페논 (diethoxyacetophenone), 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1온 (2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propane-1-one), 1-(4-이소프로필페닐)-2-히드록시-2-메틸-프로판-1-온 (1-(4-isopropylphenyl)-2-hydroxy-2-methyl-propane-1-one), 1-(4-도데실페닐)-2-히드록시-2-메틸프로판-1-온 (1-(4-dodecylphenyl)-2-hydroxy-2-methylpropane-1-one), 4-(2-히드록시)-페닐-(2-히드록시-2-프로필)케톤 (4-(2-hydroxyethoxy)-phenyl-(2-hydroxy-2-propyl)ketone), 1-히드록시 시클로헥실페닐케톤 (1-hydroxy cyclohexyl phenyl ketone), 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-몰포리노-프로판-1-온 (2-methyl-1-[4-(methylthio)phenyl] -2-morpholino-propane-1-one) 등을 사용할 수 있다. 벤조인계 광개시제로는 벤조인(benzoin), 벤조인메틸에테르 (benzoin methyl ether), 벤조인 에틸에테르 (benzoin ethyle ether), 벤조인이소프로필에테르 (benzoin isopropyl ether), 벤조인 이소부틸 에테르 (benzoin isobutyl ether), 벤질 디메틸 케탈 (benzyl dimethyl ketal) 을 사용할 수 있다. 벤조페논계 광개시제로는 벤조페논 (benzophenone), 벤조일 벤조산 (benzoyl benzoic acid), 벤조일 벤조산메틸에스테르 (benzoyl benzoic acid methyl ester), 4-페닐 벤조페논 (4-phenyl benzophenone), 히드록시 벤조페논 (hydroxy benzophenone), 4-벤조일-4'-메틸디페닐 설파이드 (4-benzoyl-4'-methyl diphenyl sulphide), 3,3'-디메틸-4-메톡시 벤조페논 (3,3'-dimethyl-4-methoxy benzophenone) 등을 사용할 수 있다. 티옥사톤계로는 티옥사톤 (thioxanthone), 2-클로로티옥사톤 (2-chlorothioxanthone), 2-메틸티옥사톤 (2-methylthioxanthone), 2,4-디메틸티옥사톤 (2,4-dimethylthioxanthone), 이소프로필티옥사톤 (isopropylthioxanthone), 2,4-디클로로티옥사톤 (2,4-dichlorothioxanthone), 2,4-디에틸티옥사톤 (2,4-diethylthioxanthone), 2,4-디이소프로필티옥사톤 (2,4-diisopropylthioxanthone) 등을 사용할 수 있다.
상기 화합물 이외에도, 1-페닐-1,2-프로판디온-2-(O-에톡시카르보닐)옥심(1-phenyl-1,2-propanedione-2-(O-ethoxycarbonyl)oxime), 2,4,6-트리메틸벤조일 디페닐 포스핀옥시드 (2,4,6-trimethyl benzoil diphenyl phosphine oxide), 메틸페닐글리옥실레이트 (methyl phenyl glyoxylate), 벤질(benzil), 9,10-페나프탈렌퀴논 (9,10-phenanthlene quinone), 캠포퀴논(camphorquinone), 디벤조수베론 (dibenzosuberone), 2-에틸안트라퀴논(2-ethyleanthraquinone), 4,4'-디에틸이소프탈로페논 (4,4'-diethylisophthalo phenone), 또는 3,3',4,4'-테트라(t-부틸페록시카르보닐)벤조페논 (3,3',4,4'-tetra(t-butylperoxycarbonyl) benzophenone) 등을 본 발명에서의 광중합 개시제로서 사용할 수 있다. 특히, 하기 화학식 2 내지 5로 나타내어지는 화합물, 즉, 중합가능한 관능기를 포함한 광개시제를 사용할 경우, 미반응의 잔류 광개시제를 제거할 수 있어 보다 견고한 패턴이 형성될 수 있다:
(상기 식에서, R은 아크릴기이다);
;
; 및,
.
광중합 개시제의 사용량은 특별히 제한되지 않으며, 중합개시제의 개시 성능, 필름 두께 등에 따라 적절한 범위의 양을 선택하여 사용한다. 본 발명의 패턴형성시 사용가능한 유기용매는 특별히 제한되지 않으며, 바람직하게는 DMF,4-히드록시-4-메틸-2-펜타논(4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone), 에틸렌글리콜모노에틸에테르 (ethylene glycol monoethyl ether) 또는 2-메톡시에탄올 (2-methoxyethanol)를 사용한다.
본 발명에 따른 조성물의 경우, 추가로 광중합 개시제 이외에 광개시조제 화합물을 포함할 수 있는 바, 본 발명에서 사용가능한 광개시조제화합물의 예는 트리에탄올아민 (triethanolamine), 메틸디에탄올아민 (methyldiethanolamine), 트리이소프로필아민 (triisopropanolamine), 4,4'-디메틸아미노벤조페논 (4,4'-dimethylamino benzophenone), 4,4'-디에틸아미노 벤조페논 (4,4'-diethylamino benzophenone), 2-디메틸아미노 에틸벤조에이트 (2-dimethylamino ethylbenzoate), 4-디메틸아미노 에틸벤조에이트 (4-dimethylamino ethylbenzoate), 2-n-부틸에틸-4-디메틸아미노벤조에이트 (2-n-buthoxyethyl-4-dimethylaminobenzoate), 4-디메틸아미노 이소아밀벤조에이트 (4-dimethylamino isoamylbenzoate), 4-디메틸아미노-2-에틸헥실 벤조에이트 (4-dimethylamino-2-ethylhexyl benzoate), 및 에오신 Y (Eosin Y)을 포함한다. 개시조제의 사용량은 특별히 제한되지는 않으며, 개시제의 성능, 필름두께 등을 고려하여 적절한 양을 사용한다.
전술한 바와 같이, 본 발명에 따른 조성물은 추가로 전도성 또는 비전도성의 고분자를 바인더로서 포함할 수 있는데, 이 경우, 노광에 따른 광중합과정중 코팅 피막에 균일성 및 다양한 기능성을 부여할 수 있어 유리하다.
사용가능한 전도성 고분자의 예는, 폴리아세틸렌(polyacetylene: PA), 폴리티오펜(polythiophene: PT), 폴리(3-알킬)티오펜[poly(3-alkyl)thiophene: P3AT], 폴리피롤(polypyrrole: PPY), 폴리이소시아나프탈렌(polyisothianapthelene: PITN), 폴리에틸렌 디옥시티오펜(polyethylene dioxythiophene: PEDOT), 폴리파라페닐렌 비닐렌(polyparaphenylene vinylene: PPV), 폴리(2,5-디알콕시)파라페닐렌 비닐렌 [poly(2,5-dialkoxy)paraphenylene vinylene], 폴리파라페닐렌 [polyparaphenylene: PPP), 폴리헵타디엔(polyheptadiyne: PHT), 폴리(3-헥실)테오펜 [poly(3-hexyl)thiophene: P3HT], 폴리아닐린 [polyaniline: PANI] 및 이들의 2종 이상의 혼합물을 포함한다. 상기 전도성 고분자의 수평균 분자량은 바람직하게는 1,000 내지 30,000이다. 전도성 고분자는 감광성 나노금속입자 100 중량부 당 1 내지 15 중량부, 바람직하게는 3 내지 10 중량부로 사용한다. 이 경우, 피막의 견고성을 위해 에폭시 아크릴레이트 유도체 및 글리시딜 에테르기를 가진 상용화된에폭시 화합물을 오버코팅할 수 있다.
본 발명에서 사용가능한 비전도성 고분자의 예는 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 폴리비닐알코올, 폴리비닐부티랄, 폴리아세탈, 폴리아릴레이트, 폴리아마이드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르이미드, 폴리페닐렌에테르, 폴리페닐렌설파이드, 폴리에테르설폰, 폴리에테르케톤, 폴리프탈아마이드, 폴리에테르니트릴, 폴리에테르설폰, 폴리벤즈이미다졸, 폴리카보디이미드, 폴리실록산, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리메타크릴아마이드, 니트릴고무, 아크릴 고무, 폴리에틸렌테트라플루오라이드, 에폭시 수지, 페놀 수지, 멜라민 수지, 우레아 수지, 폴리부텐, 폴리펜텐, 에틸렌-프로필렌 공중합체, 에틸렌-부텐-디엔 공중합체, 폴리부타디엔, 폴리이소프렌, 에틸렌-프로필렌-디엔 공중합체, 부틸고무, 폴리메틸펜텐, 폴리스티렌, 스티렌-부타디엔 공중합체, 수첨(hydrogenated)스티렌-부타디엔 공중합체, 수첨폴리이소프렌, 수첨폴리부타디엔 및 이들의 2 이상의 혼합물을 포함한다. 상기 비전도성 고분자의 수평균 분자량은 용해도와 코팅성을 고려하여 바람직하게는 3,000 내지 30,000이다. 상기 비전도성 고분자는 감광성 금속나노입자 100 중량부에 대하여 0.1 내지 10 중량부로 사용한다.
본 발명에 따른 상기 조성물을 기재에 코팅한 후 전면 노광하거나, 혹은 소망하는 패턴을 가진 포토마스크하에서 노광하고 현상하면, 별도의 스퍼터링 또는 에칭공정을 거치지 않고, 간단한 방법으로 전도성 필름 또는 패턴을 형성할 수 있다.
본 발명에서 사용할 수 있는 기재의 재질은 본 발명의 목적을 저해하지 않는한 특별히 제한되지 않으며, 유리 기재, 실리콘 웨이퍼, 또는 플라스틱 기재 등을 용도에 따라 선택하여 사용할 수 있다. 분산용액을 도포하는 방법에는 스핀 코팅(spin coating), 딥 코팅(dip coating), 분무 코팅(spray coating), 흐름 코팅(flow coating), 스크린 인쇄(screen printing) 등이 포함되나, 이에 제한되는 것은 아니며, 편의성 및 균일성의 측면에서 가장 바람직한 도포방법은 스핀 코팅이다. 스핀 코팅을 행하는 경우, 스핀속도는 200 내지 3,500 rpm의 범위 내에서 조절되는 것이 바람직하며, 정확한 속도는 분산용액의 점도와 원하는 필름두께 및 전도성에 따라 결정한다.
조성물의 코팅 후, 80 내지 120℃, 바람직하게는 100℃에서 1 내지 2분 정도 예비건조(prebaking)하여 용매를 휘발시키고, 전면 노광 또는 소망하는 패턴이 형성된 포토마스크하에 부분적 노광을 수행하여 전도성 필름 또는 패턴을 형성한다. 노광시 광개시제로부터 생성된 라디칼은 금속나노입자 표면에 도입된 감광기들간의 중합반응을 개시함으로써 금속 나노입자간 가교가 생성되는 바, 후속하는 현상단계에서, 가교된 노광부는 불용화되어 비노광부보다 현저히 감소된 용해속도를 보이며, 이러한 용해속도의 차이에 의해 노광부만이 기재 상에 남게 되어 소망하는 패턴을 형성하게 된다. 본 발명에서 사용하는 현상액의 종류는 본 발명의 목적을 저해하지 않는 한 특별히 제한되지 않으며, 포토리소그래피 분야에서 통상적으로 사용되는 임의의 유기 현상액을 사용하는 것이 가능하다. 패턴의 피막 안정성과 균일성을 위해서는, 바람직하게는 DMF, 4-히드록시-4-메틸-2-펜타논(4-Hydroxy-4-methyl-2-pentanone), 에틸렌글리콜모노에틸에테르(Ethylene glycol monoethylether) 또는 2-메톡시에탄올(2-Methoxyethanol)을 사용한다.
전도성 고분자로 이루어진 필름 또는 패턴의 경우, 분자쇄 내의 이중결합을 통한 π전자의 이동에 의해 전도성을 가지므로, 충분한 전도성을 가지기 위해서는 필름 또는 패턴이 약간 녹색, 갈색을 띄게 되는 문제점이 있으나, 본 발명에 따른 감광성 금속나노입자를 이용하여 형성된 필름 또는 패턴은 높은 전도성을 가지면서도 가시광선에서 투명한 장점이 있다. 따라서, 본 발명의 감광성 금속 나노 입자는, 필요에 따라 전도성 또는 비전도성 고분자와의 블렌딩을 거쳐, 대전방지성 점착성 시트(antistatic washable sticky mat), 대전방지성 신발(antistatic shoes), 도전성 폴리우레탄 프린터 롤러(conductive polyurethane printer roller), 도전성 대차바퀴와 산업롤러(conductive wheel and industrial roller), 대전방지성 압력민감 접착필름(antistatic pressure sensitive adhesive film), 전자파 차폐 EMI (Electromagnetic Interference shielding) 등에 상업적으로 이용될 수 있다.
이하, 구체적인 제조예 및 실시예를 가지고 본 발명의 구성 및 효과를 보다 상세히 설명하지만, 이들 실시예는 단지 본 발명을 보다 명확하게 이해시키기 위한 것일 뿐, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다.
[실시예]
제조예 1: 금 나노입자의 제조
50mM의 브롬화 테트라옥틸암모늄(Tetraoctylamonium bromide)을 20 ㎖ 톨루엔에 녹인 용액에 Hydrogen perculatorate(HAuCl4·H2O) 용액 (40mM) 25㎖ 를 넣고 교반하였다. 상기 용액(오렌지 색)에 0.4g의 NaBH4를 녹인 25㎖ 수용액을 넣고, 2시간 동안 교반하에 반응을 진행시켜 어두운 보라색의 용액을 수득하였다. 반응용액을 방치하여 유기층과 수층으로 분리하고, 상기 유기층을 0.1M 황산, 1M 탄산나트륨 용액, 및 물로 세정한 다음, MgSO4로 건조하고 0.45㎛ PTFE 실린지 필터로 여과한 후, 유기톨루엔에 분산시켰다. TEM을 측정한 결과 평균 크기 4~8 ㎚의 금 나노입자가 분산된 유기용액을 얻었다. 상기 유기용액을 원심분리하여 상등액으로부터 순수한 금 나노입자를 수득하였다.
제조예 2: 은 나노입자의 제조
0.1리터 증류수에 5g의 AgNO3를 넣은 용액을 2×10-3M 소디움보로하이드라이드(NaBH4)로 만들어진 0.3리터 얼음용액에 집어 넣고 2시간동안 교반하였다. 상기 용액을 원심분리하여 상등액을 분리하고 얻어진 슬러리 상태를 MgSO4로 건조시키고 톨루엔을 부어 0.45㎛ PTFE 실린지 필터로 여과하였다. TEM을 측정한 결과 평균 크기 4~8㎚의 은 나노입자가 분산된 유기용액을 얻었다. 다시 이 유기용액을 원심분리로 상등액을 분리하여 순수한 은 나노입자를 수득하였다.
제조예 3: 구리 나노입자의 제조
염화제2동 (Cupric chloride)과 히드라진 카르복시산 (N2H3COOH)으로 제조한 300mg의 구리 히드라진 카르복실레이트 (CHC)를 100 ㎖ 증류수에 녹여서 80℃에서 3시간 동안 질소 분위기 하에서 환류시켰다. 이 때 파란 색깔의 용액이 붉게 변하면 금속 성질의 구리가 있는 용액이 된 것을 나타낸다. 이 유기용액을 원심분리로 상등액을 분리하여 순수한 구리 나노 입자를 수득하였다. TEM을 측정한 결과 평균 크기 4~8 ㎚의 구리 나노입자가 분산된 유기용액을 얻었다.
제조예 4: 팔라듐 나노입자의 제조
Na2PdCl4(5 mM, 15㎖)을 녹인 노란색 용액 100㎖에 히드라진 (N2H4) (40mM, 10㎖)를 적하하고, 3시간 동안 반응시켜 팔라듐 나노 입자가 존재하는 갈색의 용액을 수득하였다. 상기 용액을 원심분리로 상등액을 분리하여 순수한 팔라듐 나노입자를 분리하였다. TEM을 측정한 결과 평균 크기 3~10 nm의 팔라듐 나노입자를 수득하였다.
제조예 5: 플라티늄 나노입자의 제조
0.06M NaBH45㎖ 및 0.0033M의 하이드로젠 헥사클로로플라티네이트(Ⅵ)헥사하이드레이트 (H2PtCl6·6H2O) 10 ㎖를 혼합·교반하고 2시간동안 반응을 진행시켜 진한 갈색의 반응액을 수득하였다. 분산액을 방치하여 유기층과 수층으로 분리하고,상기 유기층을 MgSO4로 건조시키고 0.45㎛ PTFE 실린지 필터로 여과한 결과, 평균 크기 2 내지 5 ㎚ (TEM 측정)의 니켈 나노입자를 수득하였다.
실시예 1: 금 나노입자의 표면에 감광성기 도입
상기 제조예 1에서 수득한 금 나노입자 0.2g을 5g의 시스타민(디히드로클로라이드)(cystamine dihydrochloride)용액에 분산시키고, 2시간 동안 마그네틱바로 교반한 후, 여과하고, 이를 다시 순수로 세정·여과하여 표면이 아민기로 치환된 금 나노입자를 수득하였다. 0.05M의 4-(2-hydroxyethyl)-1-piperrazineethanesulfonic acid (HEPES) 버퍼용액 내에서 pH를 7.2 내지 7.4로 유지하면서, 상기 금속나노입자를 축합반응제 1-ethyl-3(3-dimethylaminopropyl) carbodiimide (EDC) 존재하에 아크릴산 (0.01M)과 4시간동안 반응시키고, 반응이 완료된 금속나노입자를 여과하여 THF로 2회세정하고 감압건조하여 표면상에 아마이드기로 연결된 아크릴기를 갖는 감광성 금속나노입자를 수득하였다.
실시예 2: 은 나노입자의 표면에 감광성기 도입
금 나노입자 대신, 상기 제조예 2에서 수득한 은 나노입자 0.2g을 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로, 표면에 아마이드기로 연결된 아크릴기를 갖는 은 나노입자를 수득하였다.
실시예 3: 구리 나노입자의 표면에 감광성기 도입
금나노입자 대신, 상기 제조예 3에서 수득한 구리 나노입자 0.2g을 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로, 표면에 아마이드기로 연결된 아크릴기를 갖는 구리 나노입자를 수득하였다.
실시예 4: 팔라듐 나노입자의 표면에 감광성기 도입
금 나노입자 대신, 상기 제조예 4에서 수득한 팔라듐 나노입자 0.2g을 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로, 표면에 아마이드기로 연결된 아크릴기를 갖는 팔라듐 나노입자를 수득하였다.
실시예 5: 플래티늄 나노입자의 표면에 감광성기 도입
금 나노입자 대신, 상기 제조예 5에서 수득한 플래티늄 나노입자 0.2g을 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로, 표면에 아마이드기로 연결된 아크릴기를 갖는 플래티늄 나노입자를 수득하였다.
실시예 6: 금 나노입자의 표면에 감광성기 도입
상기 제조예 1에서 얻은 금 나노입자 0.2g을 농황산과 30% 과산화수소의 1:1 혼합용액 50㎖에 분산시키고 20분간 천천히 교반한 후, 상기 분산액에 250㎖ 증류수를 부어 희석시킨 다음, 0.2㎛ 필터로 걸러 50㎖ 메탄올로 5회 세정하고 160℃의 오븐에서 5시간동안 건조시켰다. 건조된 금 나노입자 0.1g을 4-시아노페놀 (4-cyanophenol) 1.3g과 함께 톨루엔 200㎖에 넣고 72시간 동안 교반하여 반응시킨 후, 생성물을 0.2㎛ 필터로 여과한 후 THF로 2회 세정하고, 30℃ 오븐에서 감압건조하여 표면에 4-시아노페놀의 자기조립층이 형성된 금 나노입자를 수득하였다. 상기 금 나노입자 0.1g을 다시 THF 200㎖ 에 투입한 후 20분간 초음파 처리하여 분산시켰다. 이 반응물에 트리에틸아민 1.5㎖를 넣고 30분간 질소 분위기하에서 교반하고, 다시 아크릴로클로라이드 3㎖를 투입하고 반응기 온도를 0℃로 유지하면서 12시간동안 반응시켰다. 반응이 끝난 후 생성물을 암모늄히드록사이드 희박용액과 물로 2회, THF로 2회 세정하여 0.2㎛ 필터로 여과한 후 30℃ 오븐에서 5시간 동안 감압 건조시키면 표면에 아크릴기가 치환된 금 나노입자를 얻을 수 있다.
실시예 7: 금 나노입자의 표면에 감광성기 도입
톨루엔 400 ㎖에 테트라옥틸암모늄브로마이드 (tetraoctylamonium bromide) 1.6g을 용해시키고, 상기용액에 하이드로젠테트라클로로우레이트 (hydrogen tetrachlorourate) 0.5g을 증류수 150㎖에 녹인 용액을 첨가하고 2시간 교반하였다. 상기 용액에 6-머켑토-1-헥사놀 (6-mercapto-1-hexanol) 0.2 ㎖를 톨루엔 50 ㎖에 녹인 용액을 30분간 적하한 후 4시간 동안 교반하여 반응시키고, 상기 반응물에 NaBH4 0.55g을 투입한 후 4시간 동안 교반하고 0.2㎛ 필터로 여과한 후 30℃ 오븐에서 5시간 동안 감압 건조시켜 표면에 6-머켑토-1-헥사놀의 자기조립층이 형성된 금 나노입자를 수득하였다. 상기 금 나노입자 0.2g을 THF 300 ㎖에 투입하고 30분간 초음파 처리한 다음, 트리에틸아민 1.2 ㎖를 투입하여 30분간 질소 분위기하에서 교반하고, 상기에 아크릴로클로라이드 3 ㎖를 투입한 후, 반응기 온도를 0℃를 유지하면서 12시간 동안 반응시켰다. 반응종료 후, 생성물을 암모늄히드록사이드 희박용액과 물로 2회, THF 2회 세정한 후 0.2㎛ 필터로 여과하고, 여과물을 30℃오븐에서 5시간 동안 감압건조시켜 표면상에 아크릴기가 치환된 금 나노입자를 얻었다.
감광성 금속 나노입자를 이용한 네가티브 패턴의 형성 및 도전성 측성
상기 실시예 1 내지 7에서 얻은 감광성 나노 금속입자 각각 0.1g, 광개시제로서, 시바스페셜티 케미칼스 Irgacure 907 0.0005g, 및 용매로서, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 (PGMEA) 1.5g으로 이루어진 코팅액 1 내지 7을 제조하였다. 상기 코팅액을 각 1시간 동안 초음파 처리하여 각 성분을 충분히 혼합한 후 0.5 미크론 실린지로 여과하여, 실리콘 웨이퍼 위에 300 내지 500rpm으로 스핀코팅한 후, 100℃에서 1분간 건조하여 코팅된 표면에 남아 있는 용매를 제거하였다. 이와 같이 형성된 코팅 필름을 원하는 패턴이 형성된 포토마스크를 하에서 600 mJ/cm2의 노광량으로 UV에 노광시킨 후, DMF (현상액)에 10초간 담가 현상하여, 각각 30 내지 60㎛의 감광성 나노 금속입자의 패턴 라인을 얻었다. 전도성은 4 point probe로 두께를 계산하여 측정하였고, 그 결과는 표 1에 나타내었다.
상기 표 1로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따른 감광성 금속나노입자를 사용할 경우, 에칭 등의 공정을 거치지 않고도 높은 전도도를 가진 고해상도 패턴을 수득할 수 있다.
전도성 필름 제조예 1
상기 실시예 1 내지 7에서 얻은 감광성 나노 금속입자 0.1g, 도전성 고분자로서 폴리사이오펜(PT) 3% DMF용액 0.05g, 광개시제로서 시바스페셜티 케미칼스 Irgacure 651 0.0002 g 및, 용매로서 PGMEA 1.5g로 이루어진 코팅액을 제조하였다. 상기 코팅액을 각 1시간 동안 초음파 처리하여 각 성분을 충분히 혼합한 후 0.5 미크론 실린지로 여과하여, 실리콘 웨이퍼 위에 500rpm으로 스핀코팅한 후, 100℃에서 1분간 건조하여 코팅된 표면에 남아 있는 용매를 제거하였다. 이와 같이 형성된 코팅 필름을 포토마스크 없이 600 mJ/cm2의 노광량으로 전면 노광시켜 도전성 필름을 제조하였다. 전도성은 Jandal Universal 4 point probe로 두께를 계산하여 측정하였고, 그 결과는 표 2에 나타내었다.
전도성 필름 제조예 2
폴리티오펜 대신, 고분자 바인더로서 수평균 분자량 5,000의 폴리스티렌(PS) 0.001g 및, 용매로서 PGMEA 1.0g와 톨루엔 0.3g을 사용한 것을 제외하고는 상기 필름제조예 1과 동일한 방식으로 필름을 제조하고, 그 전도성을 측정하였다. 그 결과는 표 2에 나타내었다.
상기 표 2로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 감광성 금속나노입자를 전도성 고분자와 혼합하여 사용할 경우, 높은 전도도를 가진 필름을 수득할 수 있으며, 통상의 고분자와 혼합한 경우에도 일정 수준이상의 전도도를 가진 필름을 수득할 수 있다.
본 발명에 따른 감광성 금속나노입자의 경우, 광조사 및 이어지는 광중합에 의해 전도성 필름 또는 패턴을 용이하게 형성할 수 있고, 수득된 필름 또는 패턴의전도성도 매우 우수하므로, 대전방지성 점착성 시트(antistatic washable sticky mat), 대전방지성 신발(antistatic shoes), 도전성 폴리우레탄 프린터 롤러 (conductive polyurethane printer roller), 도전성 대차바퀴와 산업롤러 (conductive wheel and industrial roller), 대전방지성 압력민감 접착필름 (antistatic pressure sensitive adhesive film), 전자파 차폐 EMI (Electromagnetic Interference shielding) 등에 유리하게 사용될 수 있다.

Claims (11)

  1. 금속나노입자의 표면상에, 말단 반응성기 A를 포함하고 하기 화학식 1로 나타내어지는 사이올(thiol)계 또는 이소시아나이드(isocyanide)계 화합물로 이루어진 자기분자조립층을 형성하고, 상기 말단반응성기 A에 감광성기를 도입한 감광성 금속 나노입자:
    [화학식 1]
    X-R-(A)a
    (상기 식에서, X는 HS 또는 NC이고, R은 탄소원자 2 내지 50인 다가의 유기기이며, A는 OH, COOH, COCl 또는 NH2이고, a는 1 내지 4의 정수이다).
  2. 제 1항에 있어서, 상기 금속나노입자는 직경이 1 내지 30㎚인 금, 은, 구리, 팔라듐, 또는 플래티늄의 금속나노입자이고, 화학식1의 R은 중간에 -CONH-, -COO-,,, -Si-, bis-(porphyrin) 및/또는 -CO-를 포함할 수 있는 탄소수 2 내지 50의 2가 이상의 유기기이며, 상기 감광성기는 아크릴기, 에틸렌기 또는 디아조기인 것을 특징으로 하는 금속나노입자.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 사이올계 화합물은 시스타민(디히드로클로라이드), 6-머켑토-1-헥산올, 4,4′-사이오바이페놀,2-머켑토에탄올 (2-mercaptoethanol), 1-머켑토-2-프로판올 (1-mercapto-2-propanol), 3-머켑토-1-프로판올 (3-mercapto-1-propanol), 3-머켑토-2-부탄올 (3-mercapto-2-butanol), 3-머켑토-1,2-프로판디올 (3-mercapto-1,2-propanediol), 2,3-디머켑토-1-프로판올 (2,3-dimercapto-1-propanol), 디사이오쎄레톨 (dithiotheretol), 디사이오에리쓰리톨 (dithioerythritol), 1,4-디사이오-L-쎄레톨 (1,4-dithio-L-theretol), 3-(메틸사이오)1-프로판올 (3-(methylthio)-1-propanol), 4-(메틸사이오)1-부탄올(4-(methylthio)-1-butanol), 3-(메틸사이오)-1-헥산올 (3-(methylthio)-1-hexanol), 2,2'-사이오디에탄올 (2,2'-thiodiethanol), 2-히드록시에틸디설파이드 (2-hydroxyethyl disulfide), 3,6-디티아-1,8-옥탄디올 (3,6-dithia-1,8-octanediol), 3,3'-사이오디프로판올 (3,3'-thiodipropanol), 3-메틸사이오-1,2-프로판디올 (3-methylthio-1,2-propanediol), 3-에틸사이오-1,2-프로판디올(3-ethylthio-1,2-propanediol), D-글루코즈디에틸머켑탈 (D-glucose diethyl mercaptal), 1.4-디사이엔-2,5-디올 (1,4-dithiane-2,5-diol), 1,5-디사이아사이클로옥탄-3-올(1,5-dithiacyclooctan-3-ol), 또는 4-히드록시사이오페놀 (4-hydroxythiophenol) 이고, 상기 이소시아나이드계 화합물은 4-아미노벤질시아나이드 (4-aminobenzyl cyanide), 4-시아노페놀 (4-cyanophenol), 또는 4'-히드록시-4-비페닐카르보니트릴 (4'-hydroxy-4-biphenylcarbonitrile)인 것을 특징으로 하는 금속나노입자.
  4. 제1항에 따른 감광성 금속나노입자, 광개시제 및 유기용매를 포함하는 패턴형성용 감광성 조성물.
  5. 제4항에 있어서, 상기 조성물에 전도성 또는 비전도성의 고분자를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 조성물.
  6. 제5항에 있어서, 상기 전도성 고분자는 폴리아세틸렌(polyacetylene: PA), 폴리사이오펜(polythiophene: PT), 폴리(3-알킬)사이오펜[poly(3-alkyl)thiophene: P3AT], 폴리피롤(polypyrrole:PPY), 폴리이소시아나프탈렌(polyisothianapthelene: PITN), 폴리에틸렌 디옥시사이오펜(polyethylene dioxythiophene: PEDOT), 폴리파라페닐렌 비닐렌(polyparaphenylene vinylene: PPV), 폴리(2,5-디알콕시)파라페닐렌 비닐렌 [poly(2,5-dialkoxy)paraphenylenevinylene], 폴리파라페닐렌 {polyparaphenylene: PPP), 폴리헵타디엔(polyheptadiyne: PHT), 폴리(3-헥실)테오펜 [poly(3-hexyl)thiophene: P3HT], 및 폴리아닐린 [polyaniline: PANI]으로 이루어진 군으로부터 선택된 1 또는 2 이상의 고분자인 것을 특징으로 하는 감광성 조성물.
  7. 제5항에 있어서, 상기 비전도성 고분자는 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 폴리비닐알코올, 폴리비닐부티랄, 폴리아세탈, 폴리아릴레이트, 폴리아마이드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르이미드, 폴리페닐렌에테르, 폴리페닐렌설파이드, 폴리에테르설폰, 폴리에테르케톤, 폴리프탈아마이드, 폴리에테르니트릴, 폴리에테르설폰, 폴리벤즈이미다졸, 폴리카보디이미드, 폴리실록산, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리메타크릴아마이드, 니트릴고무, 아크릴 고무, 폴리에틸렌테트라플루오라이드, 에폭시 수지, 페놀 수지, 멜라민 수지, 우레아 수지, 폴리부텐, 폴리펜텐, 에틸렌-프로필렌 공중합체, 에틸렌-부텐-디엔 공중합체, 폴리부타디엔, 폴리이소프렌, 에틸렌-프로필렌-디엔 공중합체, 부틸고무, 폴리메틸펜텐, 폴리스티렌, 스티렌-부타디엔 공중합체, 수첨스티렌-부타디엔 공중합체, 수첨폴리이소프렌 및 수첨폴리부타디엔로 이루어진 군으로부터 선택된 1 또는 2 이상의 고분자인 것을 특징으로 하는 감광성 조성물.
  8. 제4항 또는 제5항에 있어서, 광개시제는 아세토페논계 화합물; 벤조인계 화합물; 벤조페논계 화합물; 티옥사톤계 화합물이거나; 혹은 1-페닐-1,2-프로판디온-2-(O-에톡시카보닐)옥심, (1-Phenyl-1,2-propanedione-2-(O-ethoxycarbonyl)oxime), 2,4,6-트리메틸벤조일 디페닐 포스핀옥시드 (2,4,6-Trimethyl benzoil diphenyl phosphine oxide), 메틸페닐글리옥실레이트 (Methylphenyl glyoxylate), 벤질(Benzil), 9,10-페나프탈렌퀴논(9,10-Phenanthlenequione), 캠포퀴논(Camphorquinone), 디벤조수베론(Dibenzosuberone), 2-에틸안트라퀴논(2-Ethyleanthraquinone), 4,4'-디에틸이소프탈로페논(4,4'-Diethylisophthalophenone), 또는 3,3',4,4'-테트라(t-부틸페록시카르보닐)벤조페논 (3,3',4,4'-tetra(t- butylperoxycarbonyl) benzophenone)인 것을 특징으로 하는 감광성 조성물.
  9. 제4항 또는 제5항에 있어서, 광개시제는 하기 화학식 2 내지 5로 나타내어지는 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 감광성 조성물:
    [화학식 2]
    (상기 식에서, R은 아크릴기이다);
    [화학식 3]
    ;
    [화학식 4]
    ; 및,
    [화학식 5]
    .
  10. 제4항 또는 제5항에 있어서, 추가로 트리에탄올아민 (triethanolamine), 메틸디에탄올아민 (methyldiethanolamine), 트리이소프로필아민 (triisopropanolamine), 4,4'-디메틸아미노벤조페논 (4,4'-dimethylamino benzophenone), 4,4'-디에틸아미노 벤조페논 (4,4'-diethylamino benzophenone), 2-디메틸아미노 에틸벤조에이트 (2-dimethylamino ethylbenzoate), 4-디메틸아미노 에틸벤조에이트 (4-dimethylamino ethylbenzoate), 2-n-부틸에틸-4-디메틸아미노벤조에이트 (2-n-buthoxyethyl-4-dimethylaminobenzoate), 4-디메틸아미노 이소아밀벤조에이트 (4-dimethylamino isoamylbenzoate), 4-디메틸아미노-2-에틸헥실 벤조에이트 (4-dimethylamino-2-ethylhexyl benzoate), 및 에오신 Y (Eosin Y)로 이루어진 군으로부터 선택된 1 또는 2 이상의 화합물을 광개시조제로서 포함하는 감광성 조성물.
  11. ⅰ) 제4항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 감광성 조성물을 기판에 코팅 및 건조하는 단계 및; ⅱ) 이를 선택적으로 노광한 후 현상하는 단계를 포함하는 도전성 패턴형성방법.
KR1020030037040A 2003-06-10 2003-06-10 감광성 금속 나노입자 및 이를 이용한 도전성 패턴형성방법 KR100965373B1 (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030037040A KR100965373B1 (ko) 2003-06-10 2003-06-10 감광성 금속 나노입자 및 이를 이용한 도전성 패턴형성방법
US10/734,138 US7166412B2 (en) 2003-06-10 2003-12-15 Photosensitive metal nanoparticle and method of forming conductive pattern using the same
EP04253345.5A EP1500978B1 (en) 2003-06-10 2004-06-04 Photosensitive metal nanoparticle and method of forming conductive pattern using the same
CN2004100484595A CN1573543B (zh) 2003-06-10 2004-06-10 光敏金属纳米颗粒和用其形成导电图案的方法
JP2004172182A JP4384554B2 (ja) 2003-06-10 2004-06-10 感光性金属ナノ粒子およびこれを含む感光性組成物、ならびにその感光性組成物を用いた導電性パターン形成方法
US11/505,324 US7473513B1 (en) 2003-06-10 2006-08-17 Photosensitive metal nanoparticle and method of forming conductive pattern using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030037040A KR100965373B1 (ko) 2003-06-10 2003-06-10 감광성 금속 나노입자 및 이를 이용한 도전성 패턴형성방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040106604A true KR20040106604A (ko) 2004-12-18
KR100965373B1 KR100965373B1 (ko) 2010-06-22

Family

ID=33487922

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030037040A KR100965373B1 (ko) 2003-06-10 2003-06-10 감광성 금속 나노입자 및 이를 이용한 도전성 패턴형성방법

Country Status (5)

Country Link
US (2) US7166412B2 (ko)
EP (1) EP1500978B1 (ko)
JP (1) JP4384554B2 (ko)
KR (1) KR100965373B1 (ko)
CN (1) CN1573543B (ko)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100658429B1 (ko) * 2005-03-02 2006-12-15 김관 화학석판인쇄방법
KR100661695B1 (ko) * 2005-11-22 2006-12-26 삼성코닝 주식회사 자기조립단분자막을 이용한 반도체 박막 및 그 제조방법
KR100778268B1 (ko) * 2005-12-13 2007-11-28 삼성전기주식회사 전도성 포토레지스트 필름 및 기판 제조방법
KR101133018B1 (ko) * 2009-03-31 2012-04-04 코오롱글로텍주식회사 발수 제전성 조성물과 그 제조방법 및 발수 제전성 조성물로 처리된 폴리에스터 원단
US8481161B2 (en) 2006-06-28 2013-07-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Functionalized metal nanoparticle and method for formation of conductive pattern using the same
KR101291855B1 (ko) * 2006-06-28 2013-07-31 삼성전자주식회사 신규한 금속 나노입자 및 이를 이용한 전도성 패턴 형성방법
KR101317599B1 (ko) * 2006-07-21 2013-10-11 삼성전자주식회사 신규한 금속 나노입자 및 이를 이용한 전도성 패턴 형성방법
US8642991B2 (en) 2008-11-11 2014-02-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Photosensitive quantum dot, composition comprising the same and method of forming quantum dot-containing pattern using the composition
KR101378949B1 (ko) * 2011-09-23 2014-04-18 한국과학기술원 공중합체로 기능화된 나노 입자를 포함하는 주형 고분자와 전도성 고분자 복합재 조성물

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6605751B1 (en) 1997-11-14 2003-08-12 Acrymed Silver-containing compositions, devices and methods for making
WO2001049258A2 (en) 1999-12-30 2001-07-12 Acrymed Methods and compositions for improved delivery devices
US8486426B2 (en) 2002-07-29 2013-07-16 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Methods and compositions for treatment of dermal conditions
WO2004074935A1 (en) * 2003-02-13 2004-09-02 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Micropatterning of molecular surfaces via selective irradiation
KR100965373B1 (ko) * 2003-06-10 2010-06-22 삼성전자주식회사 감광성 금속 나노입자 및 이를 이용한 도전성 패턴형성방법
KR100697511B1 (ko) 2003-10-21 2007-03-20 삼성전자주식회사 광경화성 반도체 나노결정, 반도체 나노결정 패턴형성용 조성물 및 이들을 이용한 반도체 나노결정의 패턴 형성 방법
WO2005060668A2 (en) * 2003-12-18 2005-07-07 The Trustees Of Columbia University In The City Ofnew York Methods of modifying surfaces
JP2008501851A (ja) * 2004-06-07 2008-01-24 バッテル メモリアル インスティテュート 非水性高分子溶液中ナノ粒子の合成及び生成物
WO2006026026A2 (en) 2004-07-30 2006-03-09 Acrymed, Inc. Antimicrobial silver compositions
US8361553B2 (en) * 2004-07-30 2013-01-29 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Methods and compositions for metal nanoparticle treated surfaces
WO2006015317A2 (en) 2004-07-30 2006-02-09 Acrymed, Inc. Antimicrobial devices and compositions
WO2006034249A2 (en) 2004-09-20 2006-03-30 Acrymed, Inc. Antimicrobial amorphous compositions
JP4580799B2 (ja) * 2005-03-29 2010-11-17 大日本印刷株式会社 導電性可変組成物、導電性可変積層体、導電性パターン形成体および有機エレクトロルミネッセント素子
WO2007004033A2 (en) * 2005-07-01 2007-01-11 National University Of Singapore An electrically conductive composite
KR100716201B1 (ko) * 2005-09-14 2007-05-10 삼성전기주식회사 금속 나노 입자 및 이의 제조방법
BRPI0707602B1 (pt) * 2006-02-08 2018-05-29 Avent, Inc. Métodos de tornar uma superfície elastomérica eletricamente condutiva e método de tornar um artigo ou superfície, que contata um fluido, resistente à formação de biofilme
WO2007127236A2 (en) 2006-04-28 2007-11-08 Acrymed, Inc. Antimicrobial site dressings
KR100790948B1 (ko) * 2006-05-25 2008-01-03 삼성전기주식회사 금속 나노입자의 제조방법 및 이에 의해 제조되는 금속나노입자
JP4769680B2 (ja) * 2006-09-29 2011-09-07 Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 金属微粒子分散液からなるパターン形成用組成物およびパターン形成法
US20080101994A1 (en) * 2006-10-28 2008-05-01 Shabnam Virji Polyaniline Nanofiber Hydrogen Sensors
KR101345507B1 (ko) * 2007-05-28 2013-12-27 삼성전자주식회사 관능화된 금속 나노 입자, 이를 포함하는 버퍼층 및 상기버퍼층을 포함하는 전자소자
US7847364B2 (en) * 2007-07-02 2010-12-07 Alcatel-Lucent Usa Inc. Flexible photo-detectors
FI20075676L (fi) * 2007-09-28 2009-03-29 Keskuslaboratorio Uudet partikkelit ja menetelmä niiden valmistamiseksi
EP2271769A4 (en) * 2008-03-26 2011-08-17 Indevr Inc NANOPARTICLE-MEDIATED SIGNAL GAIN
US20090297829A1 (en) * 2008-06-02 2009-12-03 Bayer Materialscience Llc Process for incorporating metal nanoparticles in a polymeric article and articles made therewith
US20090297830A1 (en) * 2008-06-02 2009-12-03 Bayer Materialscience Llc Process for incorporating metal nanoparticles in a polymeric article
JP2011018636A (ja) * 2009-06-09 2011-01-27 Fujifilm Corp 導電性組成物、並びに透明導電膜、表示素子及び集積型太陽電池
US9296870B2 (en) * 2009-07-27 2016-03-29 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Modification of surfaces with nanoparticles
WO2011071452A1 (en) * 2009-12-08 2011-06-16 National University Of Singapore Metal nanoparticles
US8871926B1 (en) 2010-09-28 2014-10-28 Sandia Corporation Synthesis of porphyrin nanostructures
CN102107283B (zh) * 2010-11-24 2013-04-24 沈阳工业大学 一种金纳米粒子水溶胶的化学制备方法
US8957299B2 (en) * 2011-01-24 2015-02-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Thermoelectric material including nano-inclusions, thermoelectric module and thermoelectric apparatus including the same
US20120220072A1 (en) * 2011-02-25 2012-08-30 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Copper nano paste, method for forming the copper nano paste, and method for forming electrode using the copper nano paste
KR102001062B1 (ko) 2012-01-16 2019-10-01 삼성전자주식회사 나노복합체형 열전재료, 이를 포함하는 열전모듈과 열전장치
EP2850129A1 (en) 2012-05-16 2015-03-25 SABIC Innovative Plastics IP B.V. Compositions and articles of manufacture containing branched polycarbonate
US9732224B2 (en) 2012-05-18 2017-08-15 Pbi Performance Products, Inc. Polybenzimidazole/polyvinylbutyral mixtures
CN102798628B (zh) * 2012-08-03 2014-10-08 湖南大学 检测纤维二糖酶活性的纳米金探针及其制备方法
CN103488049B (zh) * 2013-09-10 2016-08-10 任广辅 一种纳米银光阻剂复合材料及其制备银导线或电感器的方法
KR101691501B1 (ko) * 2014-02-03 2016-12-30 서강대학교산학협력단 금속 나노입자 제조 방법
CN104176701B (zh) * 2014-08-18 2016-08-24 中国科学院上海应用物理研究所 有机配体包裹的金纳米颗粒薄膜及其场致电子发射装置
NL2015885A (en) 2014-12-23 2016-09-22 Asml Netherlands Bv Lithographic patterning process and resists to use therein.
US10983433B2 (en) 2015-08-21 2021-04-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Photosensitive compositions, preparation methods thereof, and quantum dot polymer composite prepared therefrom
KR102601102B1 (ko) 2016-08-09 2023-11-10 삼성전자주식회사 조성물, 이로부터 제조된 양자점-폴리머 복합체 및 이를 포함하는 소자
WO2018063382A1 (en) * 2016-09-30 2018-04-05 Intel Corporation Ligand-capped main group nanoparticles as high absorption extreme ultraviolet lithography resists
CN106784393B (zh) * 2016-11-17 2019-06-04 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种导电纳米线层,其图形化方法及应用
US11724532B2 (en) 2019-05-20 2023-08-15 Liquid X Printed Metals, Inc. Particle-free adhesive gold inks
JP7407644B2 (ja) * 2020-04-03 2024-01-04 上村工業株式会社 パラジウムめっき液及びめっき方法
US20240045331A1 (en) * 2020-09-28 2024-02-08 Toray Industries, Inc. Photosensitive resin composition, board with conductive pattern, antenna element, production method for image display device, and production method for touch panel
CN117682957A (zh) * 2022-08-22 2024-03-12 华为技术有限公司 配体化合物、复合物及其应用

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6025202A (en) * 1995-02-09 2000-02-15 The Penn State Research Foundation Self-assembled metal colloid monolayers and detection methods therewith
US5609907A (en) * 1995-02-09 1997-03-11 The Penn State Research Foundation Self-assembled metal colloid monolayers
JPH0926666A (ja) * 1995-07-11 1997-01-28 Asahi Chem Ind Co Ltd 水現像可能な感光性樹脂組成物
JP2000247640A (ja) 1999-02-24 2000-09-12 Kansai Research Institute 感光性組成物及び強誘電体薄膜の製造方法
KR100473799B1 (ko) * 2001-09-12 2005-03-07 학교법인 포항공과대학교 나노미터 수준의 고정밀 패턴 형성방법
WO2004074935A1 (en) * 2003-02-13 2004-09-02 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Micropatterning of molecular surfaces via selective irradiation
KR100965373B1 (ko) * 2003-06-10 2010-06-22 삼성전자주식회사 감광성 금속 나노입자 및 이를 이용한 도전성 패턴형성방법

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100658429B1 (ko) * 2005-03-02 2006-12-15 김관 화학석판인쇄방법
KR100661695B1 (ko) * 2005-11-22 2006-12-26 삼성코닝 주식회사 자기조립단분자막을 이용한 반도체 박막 및 그 제조방법
KR100778268B1 (ko) * 2005-12-13 2007-11-28 삼성전기주식회사 전도성 포토레지스트 필름 및 기판 제조방법
US8481161B2 (en) 2006-06-28 2013-07-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Functionalized metal nanoparticle and method for formation of conductive pattern using the same
KR101291855B1 (ko) * 2006-06-28 2013-07-31 삼성전자주식회사 신규한 금속 나노입자 및 이를 이용한 전도성 패턴 형성방법
KR101317599B1 (ko) * 2006-07-21 2013-10-11 삼성전자주식회사 신규한 금속 나노입자 및 이를 이용한 전도성 패턴 형성방법
US8642991B2 (en) 2008-11-11 2014-02-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Photosensitive quantum dot, composition comprising the same and method of forming quantum dot-containing pattern using the composition
KR101133018B1 (ko) * 2009-03-31 2012-04-04 코오롱글로텍주식회사 발수 제전성 조성물과 그 제조방법 및 발수 제전성 조성물로 처리된 폴리에스터 원단
KR101378949B1 (ko) * 2011-09-23 2014-04-18 한국과학기술원 공중합체로 기능화된 나노 입자를 포함하는 주형 고분자와 전도성 고분자 복합재 조성물

Also Published As

Publication number Publication date
JP4384554B2 (ja) 2009-12-16
US20080311513A1 (en) 2008-12-18
EP1500978B1 (en) 2014-04-23
EP1500978A2 (en) 2005-01-26
US7166412B2 (en) 2007-01-23
US7473513B1 (en) 2009-01-06
EP1500978A3 (en) 2007-12-05
CN1573543B (zh) 2010-05-12
KR100965373B1 (ko) 2010-06-22
JP2005004211A (ja) 2005-01-06
CN1573543A (zh) 2005-02-02
US20040253536A1 (en) 2004-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100965373B1 (ko) 감광성 금속 나노입자 및 이를 이용한 도전성 패턴형성방법
KR101317599B1 (ko) 신규한 금속 나노입자 및 이를 이용한 전도성 패턴 형성방법
JP3503546B2 (ja) 金属パターンの形成方法
KR20040106947A (ko) 금속나노입자 및 카본나노튜브를 이용한 도전성 필름 또는패턴 형성방법
KR100801820B1 (ko) 표면수식된 탄소나노튜브를 이용한 패턴 형성방법
US8481161B2 (en) Functionalized metal nanoparticle and method for formation of conductive pattern using the same
US20160185990A1 (en) Conductive ink
JP2007182547A (ja) 高導電性インク組成物および金属導電パターンの作製方法
WO2002018080A1 (fr) Composition de solution colloidale metallique et conducteur ou encre destine a la formation d'un motif semi-conducteur la renfermant, et procede de formation d'un motif conducteur ou semi-conducteur
JP2004285325A (ja) パターン形成方法及び物質付着パターン材料
TWI598690B (zh) 使用硫代硫酸聚合物鉗合金屬之方法
KR101291855B1 (ko) 신규한 금속 나노입자 및 이를 이용한 전도성 패턴 형성방법
JP2008107795A (ja) 有機層パターン形成方法、これにより形成された有機層、およびこれを含む有機メモリ素子
JP2014072041A (ja) 透明導電膜の製造方法、透明導電膜およびデバイス素子
JP2005314712A (ja) 金属微粒子生成用組成物および金属微粒子
US20110008548A1 (en) Process for manufacturing conductive tracks
CN100544551C (zh) 导电性图案材料的制造方法
US4713422A (en) Radiation-sensitive polymers which form a metal complex, process for the polymerization of acetylene, and coated material
US20090114430A1 (en) Method for patterning of conductive polymer
JP2007042725A (ja) 金属パターンの形成方法
KR100801821B1 (ko) 표면수식된 탄소나노튜브
Yang et al. Advances in Direct Optical Lithography of Nanomaterials
JPS59143149A (ja) 感光性導電ペ−スト
JPH08295830A (ja) 導電性塗料組成物及びそれを用いた物品
JP2005277213A (ja) 導電性パターン及び導電性パターン形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20030610

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20080501

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 20030610

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20100319

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20100601

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20100614

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20100614

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130522

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20130522

Start annual number: 4

End annual number: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140522

Year of fee payment: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20140522

Start annual number: 5

End annual number: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150522

Year of fee payment: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20150522

Start annual number: 6

End annual number: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160518

Year of fee payment: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20160518

Start annual number: 7

End annual number: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170522

Year of fee payment: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20170522

Start annual number: 8

End annual number: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180518

Year of fee payment: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20180518

Start annual number: 9

End annual number: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20200519

Start annual number: 11

End annual number: 11

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20210517

Start annual number: 12

End annual number: 12

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20220518

Start annual number: 13

End annual number: 13

PC1801 Expiration of term

Termination date: 20231210

Termination category: Expiration of duration