CN117682957A - 配体化合物、复合物及其应用 - Google Patents

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Abstract

本申请提供一种配体化合物，该配体化合物的结构为X‑Y‑L‑(Z)n，其中，X是HOOC‑，NH2‑，HOOOP‑，HSS‑或HS‑；Y是单键，脂肪族有机基团，芳香族有机基团，以及含有酯基、醚基、羰基及酰胺基中的至少一种的有机基团中的至少一种；L是用于形成至少三个化学键的原子或有机基团；Z是末封端基团为可交联基团的有机基团；n是大于或等于2的整数。本申请还提供一种含有该配体化合物的复合物及其溶液、应用该复合物的图案化发光层及其制备方法、应用该图案化发光层的装置及电子设备。该配体化合物的光敏活性高，能减少曝光剂量，同时缩短曝光时长以提高图案化效率。

Description

配体化合物、复合物及其应用
技术领域
本申请涉及光敏半导体技术领域，尤其涉及一种配体化合物、含有该配体化合物的复合物及复合物溶液、应用该复合物的图案化发光层及其制备方法、应用该图案化发光层的装置及应用该装置的电子设备。
背景技术
电致(或光致)发光装置中的半导体发光层(例如量子点发光层)通常需要进行图案化，业界对半导体发光层的图案化方法主要有转印法和光刻胶刻蚀法。但，转印法的加工尺寸受限，无法实现微小尺寸产品的图案化，图案化精细度低，且加工良率低；而光刻胶蚀刻法的工艺复杂，且显影液和刻蚀液对半导体发光层及其他功能层(例如空穴传输层/电子传输层等)存在不良影响，从而影响电致(或光致)发光装置的良率。
发明内容
鉴于此，为解决以上缺陷的至少之一，本申请实施例有必要提出一种光敏活性较高的配体化合物。
另，本申请实施例还提出一种含有该配体化合物的复合物及其溶液、应用该复合物的图案化发光层及其制备方法、应用该图案化发光层的装置及应该装置的电子设备。
本申请实施例第一方面提供了配体化合物，所述配体化合物具有如下式(I)的结构：
X-Y-L-(Z)n (I)，
其中，X是HOOC-，NH2-，HOOOP-，HSS-或HS-；
Y是单键，脂肪族有机基团，芳香族有机基团，以及含有酯基、醚基、羰基及酰胺基中的至少一种的有机基团中的至少一种；
L是具有至少三价的原子或至少具有三个化学键的有机基团；
Z是末封端基团为可交联基团的有机基团；
n是大于或等于2的整数。
本申请实施例通过在配体化合物的分子主链的一个末端引入多个末封端基团为可交联基团的有机基团，能够增加每个配体化合物上的可交联基团的数量，进而提高配体化合物的光敏活性，有利于减少曝光剂量，同时缩短曝光时长以提高图案化效率。
在一些实施例中，所述式(I)中的Z选自烯烃基，炔烃基，烯丙基，丙烯酸基，丙烯酰基，丙烯酰胺基，叠氮基，叠氮苯基，氟取代的叠氮苯基，重氮碳，苯甲酮，以及肉桂酸基中的至少一种。
以上有机基团的末封端基团为双键或三键，这些末封端基团具有可交联功能，在所述式(I)中含有多个以上有机基团，增加了可交联基团的数量，能进一步提高所述配体化合物的光敏活性。
在一些实施例中，所述式(I)中的L包括碳或氮。
碳为四价原子，能与其他原子或有机基团形成四个化学键，可以连接两个或三个具有末封端基团的Z；氮为三价原子，能与其他原子或有机基团形成三个化学键，可以连接两个具有末封端基团的Z。因此，当式(I)中的L中包括碳或氮时，可以在配体化合物中接入两个或三个Z，有利于提高配体化合物的光敏活性，而且，此时Z基团的键接位阻较小，有利于配体化合物中多个Z基团的引入。
在一些实施例中，所述式(I)中的Y是饱和脂肪族有机基团，且选自饱和脂肪烃基、脂族酯基、脂族酰胺基、脂族氧羰基及脂族醚基中的至少一种。
通过在配体化合物的分子中接入饱和脂肪族有机基团，可提高配体化合物分子链的柔性，有利于不同配体化合物的末端可交联基团之间接触发生交联反应。
在一些实施例中，所述配体化合物具有如式(II)至式(IV)中任意一化学式所示的结构：
其中，所述式(II)至式(IV)中的Z均是末封端基团为可交联基团的有机基团。
通过在配体化合物的分子主链一个末端接入了两个或三个末封端基团为可交联基团的Z，增加了活性位点的数量，进而增加了不同半导体颗粒物上的可交联基团之间接触的机会，提高了配体化合物的光敏活性，而且也能够提高交联密度，增加最终交联结构的稳定性。另外，当式(I)中的Y为碳原子数为1-22的饱和脂肪酯基时，在合成过程中，Y结构的原料仅末端具有羧基，活性连接位点的位置确定，有利于有机基团Z引入主链的末端，合成路径更容易实现，从而得到本申请设计的前述式(I)结构的配体化合物。
在一些实施例中，所述可交联基团为碳-碳双键，所述配体化合物具有如式(V)至式(XVI)中任意一化学式所示的结构：
本申请实施例第二方面提供了一种复合物，该复合物包括半导体颗粒以及至少一种如上所述的配体化合物，所述配体化合物与所述半导体颗粒表面配位连接。
本申请实施例的配体化合物在分子主链的末端连接多个具有交联活性的有机基团Z，增加了配体化合物分子主链末端的可交联基团的数量，有利于提高光敏活性，同时，可交联基团又位于每个有机基团Z的末端，增加了不同复合物上的可交联基团之间接触的机会，有利于不同半导体颗粒复合物的可交联基团之间的接触进而发生交联固化反应，以进一步提高光敏活性、减少曝光剂量、同时缩短曝光时长以提高图案化效率，而且能够提高交联密度，增加最终形成的交联结构的稳定性。
在一些实施例中，所述半导体颗粒包括CdS，CdSe，CdTe，ZnS，ZnSe，ZnTe，PbS，PbSe，PbTe，HgS，HgSe，HgTe，GaN，GaP，GaAs，InP，InAs，ZnO，SnO2，TiO2，In2O3，Ga2O3，SiO2，NiO，MoO3，WO3，Cu2O，CuO，Fe3O4，Au，Ag，碳点，CsPbCl3，CsPbBr3，CsPbI3，CH3NH3PbCl3，CH3NH3PbBr3以及CH3NH3PbI3中的至少一种。
在一些实施例中，还包括辅助分散配体，所述辅助分散配体与所述半导体颗粒表面配位连接，所述配体化合物的重量占所述辅助分散配体和所述配体化合物总重量的2％～50％。
通过增加辅助分散配体，可以提高前述实施例合成的新型配体化合物的分散性，以利于新型配体化合物均匀连接在半导体颗粒的表面，进一步提高半导体颗粒的光敏活性；而且，通过增加辅助分散配体，还可以在提高半导体颗粒光敏活性的同时，降低新型配体化合物的用量；另外，新型配体化合物的添加量过低(小于2％)则对半导体颗粒光敏活性的提高程度有限，若新型配体化合物的添加量过高(超过50％)，辅助分散配体的量太少，不利于新型配体化合物的均匀分散，且增加了新型配体化合物的用量，进而提高了新型配体化合物的成本，因此，本申请实施例将配体化合物的重量占比控制在2％～50％范围内。
在一些实施例中，所述配体化合物的重量占所述辅助分散配体和所述配体化合物总重量的5％～30％。
在一些实施例中，所述辅助分散配体包括脂肪酸，不饱和脂肪酸，脂肪胺，不饱和脂肪胺，烷基硫醇，不饱和烷基硫醇，烷基膦酸及不饱和烷基膦酸中的至少一种。
通过在复合物中加入以上类型的辅助分散配体，有利于降低新型配体化合物的用量，进而降低成本，同时将少量新型配体化合物与辅助分散配体复配后，可以使少量新型配体化合物均匀附着于半导体颗粒的表面，而且能够提高半导体颗粒复合物在有机溶剂中的分散性，便于成膜；另外，将新型配体化合物和辅助分散配体复配后，有利于进一步提高复配后配体的光敏活性、减少曝光剂量、缩短曝光时长以提高图案化效率。
本申请实施例第三方面还提供了一种复合物溶液，该复合物溶液包括有机溶剂和分散于所述有机溶剂的如上所述的复合物。
本申请实施例第四方面提供了一种图案化发光层，该图案化发光层包括交联结构，所述交联结构由如上所述的复合物交联得到。
由于配体化合物在分子主链的一末端连接多个具有交联活性的有机基团Z，增加了复合物表面的可交联基团的数量，进而提高了配体化合物的光敏活性，同时，可交联基团又位于每个有机基团Z的末端，增加了不同半导体颗粒物上的可交联基团之间接触的机会，有利于不同复合物上的可交联基团之间的接触进而发生交联固化，以进一步提高光敏活性，同时减少曝光剂量，缩短曝光时长以提高图案化效率，而且，由于末端可交联基团数量增加，能够提高交联网络结构的交联密度，以提高交联结构的稳定性，降低显影过程中，显影液对交联结构的破坏。因此，得到的图案化发光层的图案精细程度较高，厚度均匀且厚度可调节性较好，且图案化发光层能显示出良好的发光特征。
本申请实施例第五方面提供了一种图案化发光层的制备方法，该制备方法包括以下步骤：
图案化含有如上所述的复合物的膜，得到所述图案化发光层，所述图案化发光层包含由所述复合物交联得到的交联结构。
对含有所述复合物的膜直接进行图案化处理，可以使需要保留的部分复合物之间发生交联固化，形成交联结构，不需要的部分复合物无需交联，从而很容易地将未交联的部分复合物去除，成型出的图案的精细程度较高，工艺简单，无需使用光刻胶，而且整个过程的工艺步骤相比使用光刻胶的图案化工艺的步骤更少，也无需使用光刻胶的显影液，对图案化发光层和产品的功能层影响小，有利于提高产品的品质和良率。另外，相较于转印法，本申请实施例图案化过程对产品的尺寸限制小，有利于成型产品的小型化。
在一些实施例中，所述制备方法包括以下步骤：
曝光含有如上所述的复合物的膜，得到曝光膜；以及
显影所述曝光膜，得到所述图案化发光层。
通过直接光刻工艺形成图案化发光层，工艺简单，无需使用光刻胶就可成型出精细的图形，而且整个过程的工艺步骤相比使用光刻胶的图案化工艺的步骤更少，也无需使用光刻胶的显影液，对图案化发光层和产品的功能层影响小，有利于提高产品的品质和良率。
在一些实施例中，所述曝光的时间为0.1～600秒。
通过采用新型配体化合物与半导体颗粒形成复合物，可以有效提高复合物的光敏活性，进而缩短曝光时间，提高曝光效率。
在一些实施例中，所述曝光采用的光照强度为0.001～1000mW/cm2。
通过采用新型配体化合物与半导体颗粒形成复合物，可以有效提高复合物的光敏活性，进而降低曝光的光照强度。
本申请实施例第六方面提供了一种装置，该装置包括如上所述的图案化发光层，或由如上所述的制备方法制得的所述图案化发光层。
通过前述复合物和图案化发光层的制备方法形成的图案化发光层的图案精细度高、厚度均匀且厚度可调节性好，图案化过程对图案化发光层的功能层影响小，图案化发光层能显示出良好的发光特征，且可以应用于多种领域，包括半导体装置。
本申请实施例第七方面提高了一种电子设备，该电子设备包括壳体和位于所述壳体上的如上所述的装置。
附图说明
图1是本申请一实施例提供的复合物的示意图。
图2是本申请一实施例提供的复合物的交联过程图。
图3是本申请一实施例提供的图案化发光层的制备流程示意图。
图4a是本申请一实施例提供的装置的示意图。
图4b是本申请另一实施例提供的装置的示意图。
图5是本申请一实施例提供的电子设备的示意图。
图6是本申请合成例一合成的配体化合物的核磁共振氢谱。
图7是本申请合成例二合成的配体化合物的核磁共振氢谱。
图8是本申请合成例三合成的配体化合物的核磁共振氢谱。
图9是本申请合成例四合成的配体化合物的核磁共振氢谱。
图10是本申请实施例一的紫外可见光吸收曲线图。
图11是本申请对比例一的紫外可见光吸收曲线图。
图12是本申请实施例二的紫外可见光吸收曲线图。
图13是本申请对比例二的紫外可见光吸收曲线图。
图14是本申请实施例五的紫外可见光吸收曲线图。
主要元件符号说明
复合物膜 10
曝光区 11
未曝光区 12
基底 001
阳极层 20
光刻掩膜版 30
第一功能层 40
第二功能层 50
阴极层 60
图案化发光层 100
正置装置 200
倒置装置 300
电子设备 400
壳体 410
具体实施方式
下面结合本申请实施例中的附图对本申请实施例进行描述。本申请中涉及的数据范围如无特别说明均应包括端值。
由于转印法和光刻胶蚀刻法图案化半导体发光材料具有以上缺陷，研究人员进一步研究了对半导体发光材料直接进行光刻，该方法是将具有图案化功能的半导体发光材料涂覆于基底上，通过曝光使部分半导体发光材料交联固化，再通过溶剂将未交联固化的半导体发光材料溶解掉，从而形成图案化的半导体发光层，半导体发光材料的直接光刻法的工艺简单，图案化精细程度高，可实现微小尺寸产品的图案化，而且对半导体发光层和功能层(例如空穴传输层/电子传输层等)不会造成不良影响，有利于提高产品良率等。
但，由于半导体材料不具有光敏特性，无法直接对半导体发光材料进行直接光刻，需要将半导体材料与具有光敏特性的功能配体配合，从而使半导体材料具有光敏特性，然而，现有的具有光敏特性的功能配体的光敏活性较低，所需曝光剂量大而且曝光时间长。
为此，本申请实施例提供了一种光敏活性高、能减少曝光剂量、同时缩短曝光时长以提高图案化效率的复合物，该复合物为半导体颗粒复合物，可作为电致发光装置或光致发光装置中的图案化发光层使用，但不以此为限，这类电致发光装置或光致发光装置包括但不限于QLED、LED、Mini-LED、Micro-LED、Nano-LED、QD-OLED等。
请参阅图1，本申请实施例的复合物包括半导体颗粒以及至少一种新型的配体化合物，其中配体化合物与半导体颗粒表面配位连接。该配体化合物经过优化选型，使所述复合物具有高的光敏活性，能减少曝光剂量、同时缩短曝光时长以提高图案化效率。
所述配体化合物具有如下式(I)的结构：
X-Y-L-(Z)n (I)，
其中，X是HOOC-，NH2-，HOOOP-，HSS-或HS-；
Y选自单键和有机基团中的至少一种，所述有机基团为脂肪族有机基团，芳香族有机基团，以及含有酯基、醚基、羰基及酰胺基中的至少一种的有机基团；
L是具有至少三价的原子或至少具有三个化学键的有机基团；
Z是末封端基团为可交联基团的有机基团；
n是大于或等于2的整数。
可以理解的，式(I)中的“-”表示X、Y、L和Z中任意相邻的两个之间具有连接关系。
所述配体化合物的分子主链的一个末端含有多个有机基团Z，且每一个所述有机基团Z的末封端基团为可交联基团(例如光敏基团)。配体化合物的一端通过式(I)中X结构与半导体颗粒表面配合，另一端连接有多个具有可交联基团的有机基团Z，其中配体化合物连接有机基团Z的一端定义为自由端，在发生交联固化的过程中，不同的半导体颗粒复合物上连接的配体化合物的自由端相互接触，通过各自的可交联基团进行交联固化，以形成交联结构。
本申请实施例的配体化合物在分子主链的末端连接多个具有交联活性的有机基团Z(这里可称为支链Z)，增加了配体化合物分子主链末端的可交联基团的数量，有利于提高配体化合物的光敏活性，同时，可交联基团又位于每个支链Z的末端，增加了不同半导体颗粒物上的可交联基团之间接触的机会，有利于不同半导体颗粒复合物连接的可交联基团之间的接触进而发生交联固化，以进一步提高光敏活性、减少曝光剂量、同时缩短曝光时长以提高图案化效率，而且可交联基团数量增减能够提高交联密度，有利于增加半导体颗粒复合物最终形成的交联网络结构的稳定性。
进一步地，式(I)中的Z包括但不限于烯烃基，炔烃基，烯丙基，丙烯酸基，丙烯酰基，丙烯酰胺基，叠氮基，叠氮苯基，氟取代的叠氮苯基，重氮碳，苯甲酮，以及肉桂酸基中的至少一种。例如，Z可以是以上基团中的任一种，也可以是多种以上基团的串联或并联结构。以上有机基团的末封端基团为双键或三键，这些末封端基团具有可交联功能，在所述式(I)中含有多个以上有机基团，增加了可交联基团的数量，能进一步提高所述配体化合物的光敏活性。
进一步地，式(I)中的L是多个支链Z接入配体化合物的分子主链的枢纽结构，根据需要引入的支链Z数量的不同，L可以是至少具有三价的原子，也可以是至少具有三个化学键的有机基团。具体地，L可以包括碳或氮，碳原子为四价原子，能与其他原子或有机基团形成四个化学键，可以连接两个或三个具有末封端基团的Z，例如L可以是其中R’可以是H也可以是其他基团，L也可以是/>氮原子为三价原子，能与其他原子或有机基团形成三个化学键，可以连接两个具有末封端基团的Z，例如L可以为/>因此，当式(I)中的L包括碳或氮时，有利于提高配体化合物的光敏活性，且Z基团的键接位阻较小，有利于配体化合物中多个Z基团的引入。当L是能够连接多个支链的有机基团(例如脂肪族有机基团或芳香族有机基团等)时，连接的多个支链Z可以连接在该有机基团的同一个原子上(例如当L为时)也可以连接在该有机基团的不同原子上。
进一步地，式(I)中的Y可以是饱和脂肪族有机基团，具体可以包括但不限于饱和脂肪烃基、脂族酯基、脂族酰胺基、脂族氧羰基及脂族醚基中的至少一种。通过在配体化合物的分子中接入饱和脂肪族有机基团Y，可提高配体化合物分子链的柔性，有利于不同配体化合物的末端可交联基团之间的交联反应。
进一步地，当式(I)中的Y是碳原子数为1-22的饱和脂肪酯基时，所述配体化合物具有如式(II)至式(IV)中任意一化学式所示的结构：
其中，所述式(II)至式(IV)中的Z为所述支链。
从式(II)～式(IV)的结构可以看出，在上述三种结构中，配体化合物的自由端接入了两个或三个支链Z，支链Z在配体化合物的分子主链的末端分叉，呈树枝状分布，增加了可交联活性位点的数量，进而增加了不同半导体颗粒物上的可交联基团之间接触的机会，提高了配体化合物的光敏活性，而且也能够提高交联密度，增加半导体颗粒复合物形成的最终交联结构的稳定性。而且，随着具有光交联活性的支链数量的增加，可交联基团的数量增加，配体化合物的光敏活性和交联效率进一步增加，但考虑到位阻的影响，具有光交联活性的支链数量也不能无限制增加，支链数量越多，可能会增加每个可交联基团与其他半导体颗粒复合物上的可交联基团之间发生交联反应的位阻，因此，具有光交联活性的支链数量需要控制在合理的范围内，本申请实施例中，支链的数量为2～3个。另外，当式(I)中的Y为碳原子数为1～22的饱和脂肪酯基时，在合成过程中，Y结构的原料仅末端具有羧基，活性连接位点的位置确定且单一，有利于支链引入主链，合成路径更容易实现，从而得到本申请实施例设计的前述式(I)结构的配体化合物。
更进一步地，当所述式(II)至式(IV)中的Z中的可交联基团为碳-碳双键时，所述配体化合物具有如式(V)至式(XVI)中任意一化学式所示的结构：
本申请实施例采用的半导体颗粒为半导体纳米晶(即量子点)，半导体纳米晶是一类新型显示材料，具有高发光效率以及窄峰宽的特征，可以实现电致(光致)发光装置的低功耗、高准直性发光及小体积等。半导体纳米晶可以包括所有的通过湿化学方法用含有金属的前驱体制备的半导体纳米颗粒。例如，可以通过向存在或不存在分散剂的有机溶剂中添加相应的含有金属的前驱体，可用的含有金属的前驱体包括金属单质、金属氧化物、金属盐、有机金属化合物等。并在预先设定的温度下生长纳米级晶体来制备半导体纳米颗粒。本申请实施例使用的合适的半导体纳米颗粒包括II-IV，III-IV和V族元素的化合物纳米晶体和它们的混合物。具体地，本申请实施例采用的半导体颗粒包括CdS，CdSe，CdTe，ZnS，ZnSe，ZnTe，PbS，PbSe，PbTe，HgS，HgSe，HgTe，GaN，GaP，GaAs，InP，InAs，ZnO，SnO2，TiO2，In2O3，Ga2O3，SiO2，NiO，MoO3，WO3，Cu2O，CuO，Fe3O4，Au，Ag，碳点，CsPbCl3，CsPbBr3，CsPbI3，CH3NH3PbCl3，CH3NH3PbBr3以及CH3NH3PbI3中的任意一种或多种的混合结构，当半导体颗粒为混合结构时，该混合结构可以是均一混合结构、或梯度混合结构、或核-壳结构等。
可以理解的，半导体颗粒还可以是其他尺寸的颗粒，例如微米级颗粒。
为了降低前述新型配体化合物的用量，同时，提高新型配体化合物在有机溶剂中的分散性，本申请实施例将式(I)所示的配体化合物与现有的半导体颗粒的常规辅助配体进行复配使用，即在所述复合物中添加辅助分散配体(可以是半导体颗粒的常规配体)，得到另一种纳半导体颗粒的复合物，其中，辅助分散配体也与半导体颗粒表面配位连接。本申请实施例合成的新型配体化合物分子主链的末端具有多个可交联基团，少量该配体化合物与半导体颗粒常用的辅助分散配体复配后，可显著提高复配后配体的光敏活性、减少曝光剂量、缩短曝光时长以提高图案化效率，通过将二者复配使用，还可以减少新型配体化合物的用量，从而有利于降低成本；同时，将少量新型配体化合物与辅助分散配体复配后，可以使少量新型配体化合物均匀附着于半导体颗粒的表面，而且能够提高半导体颗粒复合物在有机溶剂中的分散性，便于成膜。
进一步地，所述辅助分散配体可以包括但不限于脂肪酸，不饱和脂肪酸，脂肪胺，不饱和脂肪胺，烷基硫醇，不饱和烷基硫醇，烷基膦酸及不饱和烷基膦酸等具有良好分散功能的纳米颗粒用配体中的至少一种。例如油酸、亚油酸及三正辛基膦等。通过增加以上类型的辅助分散配体，可以提高前述实施例合成的新型配体化合物的分散性，以利于新型配体化合物均匀连接在半导体颗粒的表面，进一步提高半导体颗粒的光敏活性；而且，通过增加辅助分散配体，还可以在提高半导体颗粒光敏活性的同时，降低新型配体化合物的用量。
进一步地，新型配体化合物的重量占辅助分散配体和新型配体化合物总重量的2％～50％，进一步为5％～30％，更进一步为10％～20％。新型配体化合物的添加量过低(小于2％)则对半导体颗粒光敏活性的提高程度有限，若新型配体化合物的添加量过高(超过50％)，辅助分散配体的量太少，不利于新型配体化合物的均匀分散，且增加了新型配体化合物的用量，进而提高了新型配体化合物的成本。
本申请实施例的复合物(即半导体颗粒复合物)具体通过下述步骤制备：
由含有金属的前驱体制备获得半导体颗粒(即半导体纳米晶)，再将所获得的半导体颗粒分散于有机溶剂中，并用式(I)的新型配体化合物处理该分散体。搅拌或回流所述半导体颗粒的分散体，搅拌或回流条件(包括时间和温度，以及前述复配混合物的浓度等)可以根据分散的有机溶剂的种类、半导体颗粒和与半导体颗粒表面配位的配体化合物来适当调整。另外，可以通过控制半导体颗粒的制备工艺参数等来控制半导体颗粒的种类、尺寸及形状。
进一步地，在处理半导体颗粒分散体时，采用新型配体化合物与辅助分散配体的复配混合物对半导体颗粒分散体进行处理。具体地，在处理半导体颗粒分散体之前，半导体颗粒先与常用分散配体(例如油酸、三正辛基膦等)表面配位，然后再通过前述含有新型配体化合物的复配混合物与半导体颗粒表面的常用分散配体进行配体交换反应，由此制备出本申请实施例的半导体颗粒复合物。
本申请实施例还提供了一种半导体颗粒复合物溶液，该溶液包括有机溶剂和分散于所述有机溶剂中的如上所述的半导体颗粒复合物。可以根据实际需要来调整半导体颗粒复合物溶液的浓度。
该复合物能够分散于常规的有机溶剂，例如甲苯或辛烷等。
本申请实施例还提供了一种图案化发光层100，具体为一种图案化的量子点薄膜，但不以此为限，该图案化量子点薄膜由如上所述的复合物经光固化交联得到，形成的图案化发光层100中不同的半导体颗粒之间通过交联结构连接在一起，进而形成交联网络结构，如图2所示。
由于复合物中的新型配体化合物在分子主链的自由端连接多个具有光交联活性的支链Z，增加了复合物表面的可交联基团的数量，进而提高了配体化合物的光敏活性，同时，可交联基团又位于每个支链Z的末端，增加了不同半导体颗粒物上的可交联基团之间接触的机会，有利于不同复合物连接可交联基团之间的接触进而发生光交联固化，以进一步提高光敏活性，同时减少曝光剂量，缩短曝光时长以提高图案化效率，而且，由于末端可交联基团数量增加，能够提高交联网络结构的交联密度，以提高交联结构的稳定性，降低显影过程中，显影液对交联结构的破坏。得到的图案化发光层的图案精细程度较高，有利于提高显示装置的分辨率(高达3000ppi以上的超高分辨率)；且图案化发光层的厚度均匀，厚度可调节性较好，图案化发光层能显示出良好的发光特征。
请参阅图3，本申请实施例还提供了一种图案化发光层100的制备方法为：图案化含有如上所述的复合物膜10，得到所述图案化发光层100，所述图案化发光层100包含由所述复合物交联得到的交联结构。
进一步地，所述制备方法具体包括以下步骤：
步骤S10，在基底001上设置如上所述的复合物溶液，并形成复合物膜10。
将前述复合物溶解在有机溶剂中，并将得到的复合物溶液涂布在基底001上形成湿膜，后在加热条件下去除有机有机以形成所述复合物膜10。
此步骤中，有机溶剂并不做特别限定，使用那些能均匀分散复合物并在涂布后容易除去的溶剂即可。具体地，该有机溶剂选择氯仿、氯苯、甲苯、四氢呋喃、二氯甲烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、DMF、4-羟基-4-甲基-2-戊酮、乙二醇单乙基醚及2-甲氧基乙醇中的一种或多种的混合物。
此步骤中，不同于一般的光刻技术，采用本申请实施例的半导体颗粒复合物可以在没有光引发剂的条件下固化。可以理解的是，如果有必要，还可以添加光引发剂以辅助交联反应，具体可以添加在光照下能够形成自由基的引发剂，例如以苯乙酮、安息香、二苯酮、膦氧化物和噻唑酮为基础的光引发剂或一些商业光引发剂。
此步骤中，涂布成膜的方式可以包括但不限于旋涂、浸涂、喷涂或者刮涂等。
此步骤中，去除有机溶剂的加热温度在30～300℃，以蒸发有机溶剂。
在步骤S10之前，所述制备方法还包括：在基底001上涂布第一功能层溶液或第二功能层溶液，并在氮气环境下，于30～150℃条件下退火30min，以在基底上形成第一功能层40或第二功能层50。后续在第一功能层40或第二功能层50上涂布所述复合物溶液以形成复合物膜10。该第一功能层40的材质可以是一种高分子空穴传输材料，例如聚[(9,9-二辛基芴-2,7-二基)-共-(4,4′-(N-(4-仲丁基苯基)二苯胺)](poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(4,4′-(N-(4-sec-butylphenyl)diphenylamine),TFB)。该第二功能层50的材质可以是一种金属氧化物类型的电子传输材料，包括但不限于含有锌、钛、锡、镁、钙、锂、钠、钾、铟等金属元素中的至少一种元素的氧化物。
步骤S20，曝光所述膜10，得到曝光膜。
通过具有期望图案的光刻掩膜版30有选择地将所述复合物膜10暴露于光照下。此时，在曝光区11中通过半导体颗粒表面连接的配体化合物发生交联反应，此交联反应可以形成半导体纳米颗粒的网状结构，导致在曝光区11和未曝光区12的复合物的溶解性不同。基于溶解性的不同，用显影剂显影曝光后的所述膜10可以形成图案化发光层100。
此步骤中，曝光可以通过接触或者非接触曝光过程来实施。
此步骤中，曝光采用的光照强度(即光的能量密度)为0.001～1000mW/cm2，进一步为10～800mW/cm2，更进一步为20～500mW/cm2，更进一步为30～300mW/cm2；曝光的时间为0.1～600秒，进一步为1～300秒，更进一步为10～180秒。由于前述配体化合物的结构特征，在分子主链的末端引入了多个可交联基团，提高了配体化合物的光敏活性，因此可以有效降低曝光量，缩短曝光时长，进而提高了光交联古固化效率。另外，曝光量可以根据形成的所述复合物膜10的厚度适当的调整。
此步骤中，用于曝光的光源具有200～500nm的有效波长范围，进一步为300～400nm的有效波长范围。
步骤S30，显影所述曝光膜，得到所述图案化发光层100。
将所述曝光膜置于显影液中，显影液将未发生交联固化的部分膜溶解掉，从而形成具有特定图案的图案化发光层100。
此步骤中，使用的显影液包括但不限于有机溶剂，例如甲苯、辛烷及氯仿等，或弱酸溶液，或弱碱溶液，或纯水。
通过直接光刻工艺形成图案化发光层，工艺简单，无需使用光刻胶就可成型出精细的图形，而且整个过程的工艺步骤相比使用光刻胶的图案化工艺的步骤更少，也无需使用光刻胶的显影液，对图案化发光层和产品的功能层影响小，有利于提高产品的品质和良率。
请参阅图4a、图4b，本申请实施例还提供了一种装置，该装置包括前述的图案化发光层100，具体地，由于本申请实施例提供的图案化发光层100具有良好的发光特性，可以应用于电致发光量子点装置或光致发光量子点装置，例如可以是QLED、LED、Mini-LED、Micro-LED、Nano-LED及QD-OLED等，但不限于此。
具体地，该装置为一种电致发光装置，按照结构的不同可以将电致发光装置划分为正置器件200(图4a)和倒置器件300(图4b)。
如图4a所示，正置器件200中，基板001上带有阳极20，在阳极20和图案化发光层100之间，可以存在第一功能层40，第一功能层40可以由空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层中的一层或多层组成。在阴极60和图案化发光层100之间，可以存在第二功能层50，第二功能层50可以由电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层种的一层或多层组成。其中，第一功能层40和第二功能层50的材质请参见前述。
如图4b所示，倒置器件300中，基板001上带有阴极60，在阴极60和图案化发光层100之间，可以存在第二功能层50，第二功能层50可以由电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层种的一层或多层组成。在阳极20和图案化发光层100之间，可以存在第一功能层40，第一功能层40可以由空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层中的一层或多层组成。其中，第一功能层40和第二功能层50的材质请参见前述。
可以理解的，以上两种器件200(300)中基板001上可以带有主动矩阵或被动矩阵驱动电路(图未示)。
请参阅图5，本申请实施例还提供了一种电子设备400，该电子设备400包括一壳体410和位于该壳体410内的前述正置器件200或倒置器件300。具体地，该电子设备400可以是增强现实(augmented reality,AR)设备和虚拟现实(virtual reality,VR)设备等。
下面通过具体实施例对本申请实施例进行进一步的说明。
合成例一
一种具有光敏功能的配体化合物DE-C8的合成：
将1.071g辛二酸分散于15ml无水二氯甲烷中，于0℃下依次加入0.0631g 4-二甲氨基吡啶(DMAP)与1.415g 1-(3-二甲氨基丙基)-3-乙基碳二亚胺盐酸盐(EDAC)的二氯甲烷溶液，全程以氮气保护，后于0℃下搅拌1h。之后将0.31g二烯醇的二氯甲烷溶液缓慢逐滴加进反应液，反应于常温密闭搅拌16h，得到配体化合物DE-C8。
反应如下式所示：
由如图6的核磁谱图可知，成功合成了配体化合物DE-C8。
合成例二
一种具有光敏功能的配体化合物DE-C5的合成：
将0.515g戊二酸分散于15ml无水二氯甲烷中，于0℃下依次加入0.04g DMAP与0.8962g EDAC的二氯甲烷溶液，全程以氮气保护，后于0℃搅拌1h。之后将0.19g二烯醇的二氯甲烷溶液缓慢逐滴加进反应液，反应于常温密闭搅拌16h，得到配体化合物DE-C5。
反应如下式所示：
由如图7的核磁谱图可知，成功合成了配体化合物DE-C5。
合成例三
一种具有光敏功能的配体化合物TE-C8的合成：
将2.06g辛二酸分散于10ml无水DCM中，于0℃下依次加入0.1213g DMAP与2.72gEDAC的二氯甲烷溶液，全程以氮气保护，后于0℃搅拌1h。之后将三烯醇(0.6g)的二氯甲烷(DCM)溶液缓慢逐滴加进反应液，反应于常温密闭搅拌17h，得到配体化合物TE-C8。
反应如下式所示：
由如图8的核磁谱图可知，成功合成了配体化合物TE-C8。
合成例四
一种具有光敏功能的配体化合物DE-A12的合成：
第一步：将2g胺基十二酸和1.86ml三乙胺溶于60ml甲醇中，之后加入30ml二碳酸二叔丁酯(Boc)，60℃搅拌1h，得到Boc保护产物。
第二步：将Boc保护产物溶于无水DCM，加入含有0.4986g二烯醇的DCM溶液。于0℃加入1g EDAC和0.131g DMAP，0℃保持1h后，于室温保持24h。
第三步：将第二步的反应产物溶于19ml乙醇，加入19ml三乙胺，室温反应12h，得到配体化合物DE-A12。
反应如下式所示：
由如图9的核磁谱图可知，成功合成了配体化合物DE-A12。
制备例一
表面含有油酸配体的半导体颗粒(即量子点)的合成及配置：
第一步，取5mmol的Se粉和5mmol的S粉溶于5ml三正辛基膦(trioctylphosphine，TOP)溶液中，得到(Se+S)-TOP前驱体。
第二步，取0.14mmol的醋酸镉、3.41mmol的氧化锌和7ml的油酸加入50ml三颈瓶中，在氮气保护条件下升温至150℃，加热30min，以排除醋酸和水。之后，加入15ml的ODE并将反应体系升温至310℃。之后，注入2ml的(Se+S)-TOP前驱体，三颈瓶回温至300℃，反应15min，得到CdZnSeS/ZnS纳米颗粒。
第三步，加入过量甲醇和丙酮的混合溶液(3:1vol)沉淀出CdZnSeS/ZnS纳米颗粒，在8000rpm下离心5min。将沉淀物溶于5ml辛烷溶液，用15ml丙酮再次沉淀，8000rpm下离心5min，重复一次，得到半导体颗粒粉末。
第四步，将得到的半导体颗粒粉末配置成50mg/ml的甲苯溶液，待用。
制备例二
半导体颗粒复合物溶液的制备(亚麻酸-半导体颗粒复合物):
取1ml，50mg/ml制备例一得到的半导体颗粒的甲苯溶液，加入与半导体颗粒等质量的亚麻酸(50mg)，室温搅拌30min，将半导体颗粒上的油酸配体交换为亚麻酸，以使亚麻酸与半导体颗粒表面配位连接，得到半导体颗粒复合物，用过量乙醇沉淀一次，复溶于辛烷溶液，配置成15mg/ml的旋涂用半导体颗粒复合物溶液，待用。
制备例三
第一步，将80wt％油酸和20wt％的合成例一的DE-C8混合形成混合配体，所用油酸为40mg，DE-C8为10mg。
第二步，取1ml，50mg/ml制备例一得到的半导体颗粒的甲苯溶液，加入第一步得到的混合配体，室温搅拌30min，使油酸和配体化合物DE-C8与半导体颗粒表面配位连接，得到配体交换后的半导体颗粒复合物(油酸+DE-C8)，交换后的半导体颗粒复合物(油酸+DE-C8)用过量乙醇沉淀一次，再用辛烷配置为15mg/ml的旋涂溶液，待用。
制备例四
第一步，将80wt％亚麻酸和20wt％的合成例一的DE-C8混合形成混合配体，所用α-亚麻酸为40mg，DE-C8为10mg。
第二步，取1ml，50mg/ml制备例一得到的半导体颗粒的甲苯溶液，加入第一步得到的混合配体，室温搅拌30min，使亚麻酸和配体化合物DE-C8与半导体颗粒表面配位连接，得到配体交换后的半导体颗粒复合物(亚麻酸+DE-C8)，交换后的半导体颗粒复合物(亚麻酸+DE-C8)用过量乙醇沉淀一次，再用辛烷配置为15mg/ml的旋涂溶液，待用。
制备例五
第一步，将80wt％油酸和20wt％的合成例二的DE-C5混合形成混合配体，所用油酸为40mg，DE-C5为10mg。
第二步，取1ml，50mg/ml制备例一得到的半导体颗粒的甲苯溶液，加入第一步得到的混合配体，室温搅拌30min，使油酸和配体化合物DE-C5与半导体颗粒表面配位连接，得到配体交换后的半导体颗粒复合物(油酸+DE-C5)，交换后的半导体颗粒复合物(油酸+DE-C5)用过量乙醇沉淀一次，再用辛烷配置为15mg/ml的旋涂溶液，待用。
制备例六
第一步，将80wt％亚麻酸和20wt％的合成例二的DE-C5混合形成混合配体，所用α-亚麻酸为40mg，DE-C5为10mg。
第二步，取1ml，50mg/ml制备例一得到的半导体颗粒的甲苯溶液，加入第一步得到的混合配体，室温搅拌30min，使亚麻酸和配体化合物DE-C5与半导体颗粒表面配位连接，得到配体交换后的半导体颗粒复合物(亚麻酸+DE-C5)，交换后的半导体颗粒复合物(亚麻酸+DE-C5)用过量乙醇沉淀一次，再用辛烷配置为15mg/ml的旋涂溶液，待用。
制备例七
第一步，将80wt％油酸和20wt％的合成例三的TE-C8混合形成混合配体，所用油酸为40mg，TE-C8为10mg。
第二步，取1ml，50mg/ml制备例一得到的半导体颗粒的甲苯溶液，加入第一步得到的混合配体，室温搅拌30min，使油酸和配体化合物TE-C8与半导体颗粒表面配位连接，得到配体交换后的半导体颗粒复合物(油酸+TE-C8)，交换后的半导体颗粒复合物(油酸+TE-C8)用过量乙醇沉淀一次，再用辛烷配置为15mg/ml的旋涂溶液，待用。
制备例八
第一步，将80wt％亚麻酸和20wt％的合成例三的TE-C8混合形成混合配体，所用α-亚麻酸为40mg，TE-C8为10mg。
第二步，取1ml，50mg/ml制备例一得到的半导体颗粒的甲苯溶液，加入第一步得到的混合配体，室温搅拌30min，使亚麻酸和配体化合物TE-C8与半导体颗粒表面配位连接，得到配体交换后的半导体颗粒复合物(亚麻酸+TE-C8)，交换后的半导体颗粒复合物(亚麻酸+TE-C8)用过量乙醇沉淀一次，再用辛烷配置为15mg/ml的旋涂溶液，待用。
制备例九
第一步，将80wt％油酸和20wt％的合成例四的DE-A12混合形成混合配体，所用油酸为40mg，DE-A12为10mg。
第二步，取1ml，50mg/ml制备例一得到的半导体颗粒的甲苯溶液，加入第一步得到的混合配体，室温搅拌30min，使油酸和配体化合物DE-A12与半导体颗粒表面配位连接，得到配体交换后的半导体颗粒复合物(油酸+DE-A12)，交换后的半导体颗粒复合物(油酸+DE-A12)用过量乙醇沉淀一次，再用辛烷配置为15mg/ml的旋涂溶液，待用。
制备例十
第一步，将80wt％亚麻酸和20wt％的合成例四的DE-A12混合形成混合配体，所用α-亚麻酸为40mg，DE-A12为10mg。
第二步，取1ml，50mg/ml制备例一得到的半导体颗粒的甲苯溶液，加入第一步得到的混合配体，室温搅拌30min，使亚麻酸和配体化合物DE-A12与半导体颗粒表面配位连接，得到配体交换后的半导体颗粒复合物(亚麻酸+DE-A12)，交换后的半导体颗粒复合物(亚麻酸+DE-A12)用过量乙醇沉淀一次，再用辛烷配置为15mg/ml的旋涂溶液，待用。
实施例一
第一步，在干净基底(例如玻璃片)上旋涂6mg/ml TFB氯苯溶液，转速2800rpm，加速的900rpm，30秒，氮气环境下150℃退火30min，得到第一功能层。
第二步，在第一功能层上旋涂制备例三得到的半导体颗粒复合物(油酸+DE-C8)溶液，转速2500rpm，加速度800rpm，30秒，并去除溶剂，得到纳米颗粒复合物膜。
第三步，曝光：用365nm的LED面光源(能量密度约30mW/cm2)照射纳米颗粒复合物膜，交联时间1～5min。
第四步，显影：将曝光后的半导体颗粒复合物膜和玻璃片同时浸没于辛烷溶液中，静置1min，以去除半导体颗粒复合物膜中未交联的区域，最终得到图案化的量子点薄膜。
实施例二
与前述实施例一的区别在于：半导体颗粒复合物溶液采用的是制备例四得到的半导体颗粒复合物(亚麻酸+DE-C8)溶液制备图案化的量子点薄膜。
实施例三
与前述实施例一的区别在于：半导体颗粒复合物溶液采用的是制备例五得到的半导体颗粒复合物(油酸+DE-C5)溶液制备图案化的量子点薄膜。
得到的图案化发光层的UV-VIS吸收曲线的吸光度相较于曝光显影前的发光层并没有明显的降低。
实施例四
与前述实施例一的区别在于：半导体颗粒复合物溶液采用的是制备例六得到的半导体颗粒复合物(亚麻酸+DE-C5)溶液制备图案化的量子点薄膜。
得到的图案化发光层的UV-VIS吸收曲线的吸光度相较于曝光显影前的发光层并没有明显的降低。
实施例五
与前述实施例一的区别在于：半导体颗粒复合物溶液采用的是制备例七得到的半导体颗粒复合物(油酸+TE-C8)溶液制备图案化的量子点薄膜。
得到的图案化发光层的UV-VIS吸收曲线的吸光度相较于曝光显影前的发光层并没有明显的降低。
实施例六
与前述实施例一的区别在于：半导体颗粒复合物溶液采用的是制备例八得到的半导体颗粒复合物(亚麻酸+TE-C8)溶液制备图案化的量子点薄膜。
得到的图案化发光层的UV-VIS吸收曲线的吸光度相较于曝光显影前的发光层并没有明显的降低。
实施例七
与前述实施例一的区别在于：半导体颗粒复合物溶液采用的是制备例九得到的半导体颗粒复合物(油酸+DE-A12)溶液制备图案化的量子点薄膜。
得到的图案化发光层的UV-VIS吸收曲线的吸光度相较于曝光显影前的发光层并没有明显的降低。
实施例八
与前述实施例一的区别在于：半导体颗粒复合物溶液采用的是制备例十得到的半导体颗粒复合物(亚麻酸+DE-A12)溶液制备图案化的量子点薄膜。
得到的图案化发光层的UV-VIS吸收曲线的吸光度相较于曝光显影前的发光层并没有明显的降低。
对比例一
与实施例一的区别在于：采用制备例一得到的仅含有油酸配体的半导体颗粒复合物溶液制备图案化的量子点薄膜，且第三步中交联时间为1～10min。
对比例二
与实施例二的区别在于：采用制备例二得到的仅含有α-亚麻酸配体的半导体颗粒复合物溶液制备图案化的量子点薄膜，且第三步中交联时间为1～10min。
下面通过测量图案化发光层的紫外可见光(UV-VIS)吸收曲线来对半导体颗粒复合物的交联效果进行说明。相比未进行曝光-显影处理的半导体颗粒复合物膜，我们知道经过曝光-显影之后，如果得到的图案化发光层的UV-VIS吸收曲线的吸光度会有明显的降低，说明半导体颗粒复合物光交联效果较差，导致半导体颗粒复合物被显影溶剂洗掉；反之，如果得到的图案化发光层的UV-VIS吸收曲线的吸光度并没有明显的降低，则说明光交联效果较好。
如图10与图11所示，给出了实施例一和对比例一得到的图案化发光层的紫外可见光系数曲线图，由图10与图11对比可知，在相同的光照和洗脱条件下，本申请实施例一使用油酸+20wt％DE-C8混合配体作为量子点配体，相比仅使用油酸做配体的对比例一，本申请实施例的混合配体的光交联更牢固，清洗后剩余的吸光度更高。这是由于：油酸配体的光交联活性较低，因此，清洗后量子点留下的量相对较少，而本申请合成例合成的配体化合物DE-C8有两个末端双键暴露在量子点的表面，光照下能够更容易与其他量子点表面的双键交联，因此，添加少量的配体化合物DE-C8，便可以有效提高混合配体的光交联活性，清洗后量子点留下的配体化合物的量多，光交联效果更好。
如图12与图13所示，给出了实施例二和对比例二得到的图案化发光层的紫外可见光吸收曲线图，由图12与图13对比可知，在相同的光照和洗脱条件下，本申请实施例二使用α-亚麻酸+20wt％DE-C8混合配体作为量子点配体，相比仅使用α-亚麻酸做配体的对比例二，本申请的混合配体的光交联更牢固，清洗后剩余的吸光度更高。这是由于：亚麻酸配体的光交联活性较低，因此，清洗后量子点留下的量相对较少，而本申请合成例合成的配体化合物DE-C8有两个末端双键暴露在量子点的表面，光照下能够更容易与其他量子点表面的双键交联，因此，添加少量的配体化合物DE-C8，便可以有效提高混合配体的光交联活性，清洗后量子点留下的配体化合物的量多，光交联效果更好。
另外，如图10所示，实施例一中使用油酸+20wt％DE-C8混合配体作为量子点配体，随着交联时间的增加，吸光度增加，说明一定程度的延长交联时间，可以提升配体交联程度。如图12所示，实施例二中使用α-亚麻酸+20wt％DE-C8混合配体作为量子点配体，是定时间范围内，随着交联时间的延长，吸光度增加，但交联3分钟和交联5分钟所得到的吸光度曲线几乎重叠，可看出，采用α-亚麻酸+20wt％DE-C8混合配体作为量子点配体能显著降低曝光时间，提高交联效率。
实施例三至实施例八与对比例一和对比例二相比，实施例三至实施例八使用油酸与本申请合成例合成的配体化合物混合作为量子点配体，相比仅使用油酸或α-亚麻酸做配体，添加了本申请合成例合成的配体化合物的混合配体的光交联更牢固，清洗后剩余的吸光度更高。这是由于：油酸配体的光交联活性较低，因此，清洗后量子点留下的量相对较少，而本申请合成例二至四的配体化合物具有两个或三个末端双键暴露在量子点的表面，光照下能够更容易与其他量子点表面的双键交联，因此，添加少量的合成例二至四的配体化合物，便可以有效提高混合配体的光交联活性，清洗后量子点留下的配体化合物的量多，光交联效果更好。
另外，由实施例一和实施例五对照，结合图10和图14可知，随着具有光交联活性的支链数量的增加(其中实施例一中Z的数量为两个，实施例五中Z的数量为三个)，可交联基团的数量增加，配体化合物的光敏活性和交联效率进一步增加，例如：将图10所示图谱与图14所示图谱对照，经过5min光照交联后，TE-C8的交联度相比DE-C8的交联度更高。
需要说明的是，以上仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内；在不冲突的情况下，本申请的实施方式及实施方式中的特征可以相互组合。因此，本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (19)

1.一种配体化合物，其特征在于，所述配体化合物具有如下式(I)的结构：
X-Y-L-(Z)n(I)，
其中，X是HOOC-，NH2-，HOOOP-，HSS-或HS-；
Y是单键，脂肪族有机基团，芳香族有机基团，以及含有酯基、醚基、羰基及酰胺基中的至少一种的有机基团中的至少一种；
L是具有至少三价的原子或至少具有三个化学键的有机基团；
Z是末封端基团为可交联基团的有机基团；
n是大于或等于2的整数。
2.根据权利要求1所述的配体化合物，其特征在于，所述式(I)中的Z选自烯烃基，炔烃基，烯丙基，丙烯酸基，丙烯酰基，丙烯酰胺基，叠氮基，叠氮苯基，氟取代的叠氮苯基，重氮碳，苯甲酮，以及肉桂酸基中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的配体化合物，其特征在于，所述式(I)中的L包括碳或氮。
4.根据权利要求1所述的配体化合物，其特征在于，所述式(I)中的Y是饱和脂肪族有机基团，且选自饱和脂肪烃基、脂族酯基、脂族酰胺基、脂族氧羰基及脂族醚基中的至少一种。
5.根据权利要求4所述的配体化合物，其特征在于，所述配体化合物具有如式(II)至式(IV)中任意一化学式所示的结构：
其中，所述式(II)至式(IV)中的Z均是末封端基团为可交联基团的有机基团。
6.根据权利要求5所述的配体化合物，其特征在于，所述可交联基团为碳-碳双键，所述配体化合物具有如式(V)至式(XVI)中任意一化学式所示的结构：
7.一种复合物，其特征在于，包括半导体颗粒以及至少一种根据权利要求1至6中的任意一项所述的配体化合物，所述配体化合物与所述半导体颗粒表面配位连接。
8.根据权利要求7所述的复合物，其特征在于，所述半导体颗粒包括CdS，CdSe，CdTe，ZnS，ZnSe，ZnTe，PbS，PbSe，PbTe，HgS，HgSe，HgTe，GaN，GaP，GaAs，InP，InAs，ZnO，SnO2，TiO2，In2O3，Ga2O3，SiO2，NiO，MoO3，WO3，Cu2O，CuO，Fe3O4，Au，Ag，碳点，CsPbCl3，CsPbBr3，CsPbI3，CH3NH3PbCl3，CH3NH3PbBr3以及CH3NH3PbI3中的至少一种。
9.根据权利要求7所述的复合物，其特征在于，还包括辅助分散配体，所述辅助分散配体与所述半导体颗粒表面配位连接，所述配体化合物的重量占所述辅助分散配体和所述配体化合物总重量的2％～50％。
10.根据权利要求9所述的复合物，其特征在于，所述配体化合物的重量占所述辅助分散配体和所述配体化合物总重量的5％～30％。
11.根据权利要求9所述的复合物，其特征在于，所述辅助分散配体包括脂肪酸，不饱和脂肪酸，脂肪胺，不饱和脂肪胺，烷基硫醇，不饱和烷基硫醇，烷基膦酸及不饱和烷基膦酸中的至少一种。
12.一种复合物溶液，其特征在于，包括有机溶剂和分散于所述有机溶剂的根据权利要求7至11中任意一项所述的复合物。
13.一种图案化发光层，其特征在于，包括交联结构，所述交联结构由权利要求7至10中任意一项所述的复合物交联得到。
14.一种图案化发光层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
图案化含有权利要求7至11中任意一项所述的复合物的膜，得到所述图案化发光层，所述图案化发光层包含由所述复合物交联得到的交联结构。
15.根据权利要求14所述的图案化发光层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：曝光含有权利要求7至11中任意一项所述的复合物的膜，得到曝光膜；以及
显影所述曝光膜，得到所述图案化发光层。
16.根据权利要求15所述的制备方法，其特征在于，所述曝光的时间为0.1～600秒。
17.根据权利要求15所述的制备方法，其特征在于，所述曝光采用的光照强度为0.001～1000mW/cm2。
18.一种装置，其特征在于，包括如权利要求13所述的图案化发光层，或由权利要求14至17中任意一项所述的图案化发光层的制备方法制得的图案化发光层。
19.一种电子设备，其特征在于，包括壳体和位于所述壳体上的如权利要求18所述的装置。
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