CN1558964A - 异物去除机构、液流处理装置以及异物去除方法 - Google Patents

Abstract

本处理装置中，以下端与电镀槽(11)的底部紧密接触、上端位于低于液面的位置上地配置的第1分隔板(15)将电镀液(17)流动时的液面附近之外的部位挡住。因此，在电镀槽(11)的底部流动的电镀液(17)将沿着第1分隔板(15)向上流动。此时，由于重异物不易随这种向上的流动随波逐流，因而将沉降·堆积在第1分隔板(15)的下端附近，不会流向该板的下游侧。这样，本处理装置中，能够不单单依靠循环管(10)的过滤器(19)而将重异物从电镀液(17)中去除。

Description

异物去除机构、液流处理装置以及异物去除方法

技术领域

本发明涉及从伴随液体流入·排出进行处理这一液流处理中所使用的液体中将异物去除的异物去除机构、具有该异物去除机构的液流处理装置、以及在该异物去除装置中采用的异物去除方法。

背景技术

近年来，移动式信息终端之类电子设备在向体积小、重量轻方面发展。与之相应地，要求组装于这类电子设备中的半导体集成电路本身体积小重量轻，实现安装高密度化。

半导体集成电路等(以下称作半导体器件)是经过各种各样的处理工序制造出来的，这些处理工序大多包括清洗、蚀刻以及电镀等使用药液的处理。

下面，以通过电镀处理(金属电镀处理)形成凸出电极(bumpelectrode)为例，对使用药液的处理进行概略说明。

上述凸出电极是用来将半导体器件安装在电子设备的安装底板上的(安装用)电极。使用凸出电极进行安装的方法作为一种实现半导体器件小型化·安装高密度化的有力方法得到广泛采用。

在该安装方法中，首先，在半导体器件的表面的既定位置上，利用电镀技术以金(Au)等金属形成凸出电极。并设计成可利用该凸出电极将半导体器件直接安装在安装底板上。

而在凸出电极形成工序中，首先，在已装有半导体器件的半导体基板的表面上涂布光敏蚀刻剂。其次，除去应形成凸出电极处的光敏蚀刻剂膜，使预先堆积的基底金属膜露出。

之后，将半导体基板浸在电镀液中。使电镀金属(例如金(Au))在从光敏蚀刻剂膜的被除去部位露出的基底金属膜上析出而形成凸出电极。

但是，进行这种电镀处理时，在半导体基板的既定位置之外的部位(偏离既定位置的部位；例如，基片的背面和基片保持机构等)上，有时也会析出电镀金属。

而且，上述偏离部位上所析出的电镀金属的一部分会从基片上剥落而成为异物在电镀液中悬浮·沉淀，随着电镀液的流动在电镀装置内移动。另外，电镀液中有时会混入电镀金属的颗粒、从气泡、空气中混入的粉尘等物。

如上所述，大小(颗粒直径)和比重不同的各种各样的异物悬浮·沉淀于电镀液中。并且，这些异物随着电镀液的流动而在电镀装置内循环。

再有，这些异物在电镀处理中附着在基片表面上，是导致附着部位镀层异常、凸出电极之间短路等种种不良现象发生的原因。

因此，在进行电镀处理时，与注意电镀的均匀性同样重要地，需要充分注意将混入电镀液中的异物去除。

为此，过去是在电镀槽内设置分隔板来去除异物的。

图6是展示现有电镀装置101的结构的说明图。如该图所示，电镀装置101具有电镀槽111、电镀液供给喷嘴112、电镀液排出喷嘴113、循环泵114、分隔板116、电镀液117、过滤器119、间隙120(分隔板与电镀槽底面之间的间隙)。

其中，分隔板116用来将电镀槽111分隔成电镀液117流入的区域A、以及进行电镀处理的区域C。

此外，分隔板116的上端要高于电镀液117(药液)的液面。而且，在其下端与电镀槽111的底面之间设有既定的间隙120。

在如上构成的电镀装置101中，电镀液117在循环泵114作用下压力升高。并且，经由过滤器119并通过电镀液供给喷嘴112流入电镀槽111的区域A。进而，流入区域A的电镀液117从间隙120中通过而流入电镀槽111的区域C。

之后，区域C内的电镀液117从电镀液排出喷嘴113排出，再次经循环泵114加压，在电镀槽111内循环。

此外，在该电镀装置101中，与电镀液117一起流入区域A的轻异物(比重小于电镀液117的异物和电镀液117中的气泡等)在区域A中浮在电镀液117的液面上。

在这里，如上所述，将区域A·C分隔开的分隔板116的上端高于电镀液117的液面。因此，上浮的异物被分隔板116挡住，因而不会流入区域C而滞留在区域A内。

如上所述，在该电镀装置101中，是通过设置分隔板116并利用电镀液117的循环将轻异物去除的。

但是，在图6所示的电镀装置101中，一部分轻异物有可能随着电镀液117的流动而从分隔板116下方的间隙120流入区域C。

而且，比重大于电镀液117的异物(重异物)将沉入区域A的底面，因而很容易随着电镀液117的流动流入区域C内。

另外，虽然流入区域C内的大部分重异物能够通过电镀液排出喷嘴113被排出电镀槽111之外，但是，将同通过循环泵114进行循环的电镀液117一起再次流入电镀槽111内。因此，若不采取措施，电镀槽111(区域C)中的异物将随着时间的推移而增多。

为此，如图6所示，在电镀装置101中，为了去除电镀液117内的异物，在电镀液排出喷嘴113·循环泵114的后段设置了过滤器119。

但是，在图6所示的电镀装置101中，要想有效去除电镀液117中的异物，必须针对异物的大小·种类相应地使用(分别使用)多个过滤器119。

此外，过滤器119经过一段时间会被异物堵塞，因而必须定期进行更换(维护)。因此，为了进行与维护有关的过滤器119的采购·更换等工作，在时间·费用方面均会增加很大负担。

以上，以电镀装置(电镀槽)为例，就有关异物的产生及其去除方面的问题(任务)进行了说明。

而对于半导体器件或其它器件(例如液晶板)的制造工序中所使用的其它液流处理装置(伴随液体的流入·排出进行处理(液流处理)的装置，例如使用药液的清洗装置等)来说，异物的产生及将其去除的必要性与电镀装置同样重要。

发明内容

本发明是为了解决上述以往存在的问题而开发出来的。其目的是，提供一种不单单依靠过滤器而能够将液流处理装置内的异物去除的异物去除机构。

为实现上述目的，本发明的异物去除机构(本去除机构)是一种用来从伴随液体流入·排出进行处理这一液流处理中所使用的液体中将异物去除的异物去除机构，其特征是，具有下端与液体流通路径的底部紧密接触、上端位于低于液面的位置上地配置的第1分隔板。

本去除机构是用来从电镀处理或清洗处理等、伴随液体(药液和水等)的流入·排出进行的处理中所使用的液体中将异物去除的机构。

即，本去除机构在液体的流通路径(供液体流通的管路等)中设置在进行液流处理的装置(液流装置)的下游或上游，具有从流动于流通路径中的液体中将异物去除的功能。

这里所说的异物是指悬浮·沉淀于液体内的垃圾、灰尘、气泡等妨碍液流处理的物质。

此外，异物可分为轻异物与重异物两大类。轻异物是指比重小于液体的异物，通常悬浮于液面附近。而重异物是指比重大于液体的异物，在多数场合下流动于流通路径的底部或沉淀于底部。

而本去除机构中，在液体的流通路径内具有下端与液体流通路径的底部紧密接触、上端位于低于液面的位置上地配置的第1分隔板。以该第1分隔板将流通路径中的液面附近之外的部位挡住。

这样，本去除机构中，在第1分隔板设置处，可使液体从第1分隔板的上侧通过。

因此，在本去除机构中，在流通路径内的底部附近流动的液体将沿着第1分隔板向上流动。此时，在底部附近移动的重异物不容易随这种向上的流动随波逐流，因而沉降·堆积在第1分隔板的下端附近，不会流向该板的下游侧。

如上所述，本去除机构能够以第1分隔板阻挡重异物的流动。

因此，本去除机构中，不必在流通路径中设置重异物用过滤器，便能够将重异物从液体中去除。因此，过滤器维护量减少，因而能够降低异物去除(即液流处理)费用。

最好是，第1分隔板的两个侧面与流通路径的侧壁紧密接触。

通过下面的说明可充分了解本发明的其它目的、特征及优点。而对于本发明的效果，可通过下面结合附图进行的说明获悉。

附图说明

图1是对本发明一实施形式所涉及的电镀处理装置(本处理装置)的结构加以展示的说明图。

图2是对利用本处理装置的电镀槽对半导体基板以电解电镀法实施电镀处理的状况加以展示的说明图。

图3是对本处理装置中的分隔板的角度加以展示的说明图。

图4是就本处理装置的结构中、对继第2分隔板之后设置有第3分隔板及第4分隔板的结构加以展示的说明图。

图5是就本处理装置的结构中、对设置有多片与第1分隔板同样的分隔板的结构加以展示的说明图。

图6是对现有电镀处理装置的结构加以展示的说明图。

具体实施方式

下面，结合实施形式对本发明作进一步详细的说明。但本发明并不受该实施形式的任何限定。

本实施形式所涉及的电镀处理装置(本处理装置)是在半导体集成电路等半导体器件的制造工序中所使用的液流装置。

本处理装置中的药液和使用条件等与通常的半导体器件(半导体集成电路)制造过程中所使用的药液·使用条件基本相同。因此，除了特殊的场合之外，将其详细说明省略。

图1是对本处理装置的结构加以展示的说明图。

本处理装置是通过进行使用电镀液17进行的金属电镀处理，从而在半导体器件上形成凸出电极的装置。

如图1所示，具有电镀槽11、电镀液供给喷嘴(供给喷嘴)12、电镀液排出喷嘴(排出喷嘴)13、循环泵14、第1分隔板15、第2分隔板16、异物排出用排泄管18、过滤器19。

电镀槽(液流处理槽)11，其内部充满电镀液(诸如镀金电镀液等)17，是用来浸渍作为电镀处理对象的半导体器件的槽。

此外，电镀槽11被分隔板15、16分隔为三个区域A～C。而且，区域A～C通过间隙20、21相连，使得电镀液17能够在区域之间移动。

其中的区域C是对半导体器件进行电镀处理的区域。而区域A、B是将电镀液17中的异物去除的区域，对此将在后面叙述。

此外，在本处理装置中，电镀槽11内的电镀液17循环使用，排出喷嘴13、循环泵14、过滤器19、供给喷嘴12是用来实现该循环的部件。供给喷嘴12与排出喷嘴13通过循环管10(电镀液17的循环路径(流通路径))串联连接。

排出喷嘴(排出口)13设在电镀槽11的区域C的底部，是用来将电镀槽11内的电镀液17每次以既定量向外部排出的排出口。

循环泵14安装在循环管10中的排出喷嘴13的下游侧，用来对循环管10内的电镀液17加压，使其可从排出喷嘴13侧流向供给喷嘴12一侧。

过滤器19安装在循环管10中的循环泵14的下游侧(循环泵14与供给喷嘴12之间)，用来将异物(主要是重异物·中异物(后述))从电镀液17中去除。

供给喷嘴(流入喷嘴)12是安装在循环管10的终端的喷嘴，用来向电镀槽11的区域A供给电镀液17。

下面，对在本处理装置中通过电解电镀处理形成凸出电极的过程进行简单说明。这里所说的凸出电极是用来将半导体器件安装在电子设备的安装底板上的电极。

在凸出电极的形成工序中，首先，在已装有半导体器件的半导体基板的表面上涂布光敏蚀刻剂。其次，将应形成凸出电极处的光敏蚀刻剂膜进行开口，使预先堆积的基底金属膜露出。之后，将半导体基板浸在电镀液中实施电镀处理。

图2是对利用本处理装置的电镀槽11(区域C)对半导体基板31以电解电镀法实施电镀处理的状况加以展示的说明图。

如该图所示，进行电镀处理时，将半导体基板31与电源32的阳极电极33相向设置，并使该半导体基板31与阴极相连接。

通过在半导体基板31上从抗蚀剂膜蚀刻处露出的基底金属膜上析出电镀金属(例如金(Au))而形成凸出电极(图中均未示出)。

下面，对作为本处理装置的特征性结构的异物去除机构进行说明。

首先，对电镀液17中的异物进行说明。

进行电镀处理时，在半导体基板31上形成凸出电极的部位之外的部位(偏离部位；基板的背面等)有时也会析出电镀金属。而该偏离部位上所析出的电镀金属的一部分会从基片31上剥落，成为异物在电镀液17中悬浮·沉淀。并且，这些异物会随着电镀液17的流动在本处理装置中移动。

此外，电镀液17中，有时也会混入电镀金属的颗粒或从气泡、空气中混入的粉尘等。

为此，在本处理装置中，为了去除上述电镀液17中的异物，设置了以下所示的异物去除机构。

以下，对异物除去机构的结构进行说明。

本处理装置中的异物去除机构包括图1所示的供给喷嘴12、第1分隔板15、第2分隔板16、异物排出用排泄管18以及前述过滤器19。

如前所述，电镀槽11被分隔板15、16分隔为3个区域A～C。

即，如图1所示，电镀槽11中，从供给喷嘴12一侧起设有第1分隔板15和第2分隔板16。

通过这些分隔板15、16，将电镀槽11分隔成区域A(由电镀槽的侧面11a和第1分隔板15分隔开的区域；第1异物捕获区)、区域B(分隔板15、16之间的区域；第2异物捕获区)、以及区域C(由第2分隔板16和侧面11b分隔开的区域)。其中，侧面11a是电镀槽11的侧壁，是液体流动方向上的上游侧侧壁(内壁；侧面)。

分隔板15、16由与构成电镀槽11的材料相同的材料构成。

第1分隔板15在电镀槽11内是这样设置的，即，其下端与电镀槽11的底面紧密接触，上端低于电镀槽11内的电镀液17的液面。因此，在第1分隔板15的上端与电镀液17的液面之间形成有间隙21。

此外，第1分隔板15被设置成以其两侧端部与电镀槽11的侧面(内壁)紧密接触。

并且，该第1分隔板15具有这样的功能，即，通过对电镀液17在区域A、B之间的底部的流动进行阻挡，将电镀液17中所含有的重异物(比重大于电镀液17的异物)从电镀液17的流动中去除。

第2分隔板16在电镀槽11内是这样设置的，即，使其下端避免与电镀槽11的底面接触，并将其上端固定在电镀槽11的上面(顶面)上。因此，在第2分隔板16的下端与电镀槽11的底面之间形成有间隙20。而且，第2分隔板16的上端高于电镀液17的液面。

此外，设定成第2分隔板16的下端低于第1分隔板15的上端。

再有，第2分隔板16与第1分隔板15同样，设置成以其两侧端部与电镀槽11的侧面紧密接触。

并且，该第2分隔板16具有这样的功能，即，通过对电镀液17在区域B、C之间的液面部分(电镀液17液面附近)的流动进行阻挡，将电镀液17中所含有的轻异物(比重小于电镀液17的异物和电镀液17中的气泡等)从电镀液17的流动中去除。

如前所述，供给喷嘴12具有一端连接至循环管10、另一端位于电镀槽11的区域A内的结构。

此外，在供给喷嘴12的侧面设有用来将电镀液17喷入区域A内的多个开口部12a。而且，供给喷嘴12的底部(下部的孔)被封闭。

此外，多个开口部12a开设在低于第1分隔板15上端的位置上。

并且，将供给喷嘴12设定成，从上述多个开口部12a，在低于液面以及第1分隔板15的上端(形成间隙21的部位)且高于区域A的底面的位置上，横向喷射电镀液17(开口部12a横向配置)。

异物排出用排泄管18是设置在电镀槽11的区域A的底面(第1分隔板15的上游侧底部)的排出口。该异物排出用排泄管18用来回收堆积在区域A的底面的异物(重异物)。

下面，就异物去除机构中所进行的异物去除处理进行说明。

在本处理装置中，在循环泵14的压力的作用下，从排出喷嘴13排出的电镀液17经由循环管10、供给喷嘴12，从低于区域A的液面及第1分隔板15上端的位置横向流入(喷出)。

在这里，第1分隔板15的上端低于液面。因此，横向流入区域A的电镀液17，其流动方向变为向上，越过(漫过)第1分隔板15的上端(间隙21)流入区域B。

此时，比重大于电镀液17的重异物不会随电镀液17的向上流动随波逐流而沉淀(沉积)在区域A的底部。

此外，在区域B中，第2分隔板16的上端高于电镀液17的液面。因此，流入区域B的电镀液17无法越过第2分隔板16的上端流入区域C。

另一方面，第2分隔板16的下端高于电镀槽11的底面，而且低于第1分隔板15的上端。因此，流入区域B的电镀液17向下流动，经过间隙20流入区域C。

此时，比重小于电镀液17的轻异物不会随电镀液17的向下流动随波逐流而悬浮·停滞于区域B的液面上。

之后，流入区域C(电镀处理区域)的电镀液17从排出喷嘴13排出。并且，在循环管10内经循环泵14加压后，经由过滤器19再次注入电镀槽11的区域A内。

堆积在区域A的底面上的重异物在进行电镀处理的空隙时间，经异物排出用排泄管18向外部排出。

此外，极微小的重异物、具有与电镀液17同样的(无大差别的)比重的异物等存在着伴随电镀液17的流动进行循环的可能性。为此，本处理装置的异物去除机构中，是利用设在循环管10上的过滤器19将这些异物去除的。

如上所述，本处理装置中，具有用来将异物从电镀液17中去除的异物去除机构。此外，该异物去除机构具有，下端与电镀槽11的底部紧密接触、上端位于低于液面的位置上地配置的第1分隔板15。

而且，在本处理装置中，是以该第1分隔板15将电镀液17流动时的液面附近之外的部位挡住的。因此，本处理装置中，能够在第1分隔板15设置处使电镀液17从第1分隔板15的上方通过。

因此，在本处理装置中，在电镀槽11底部附近流动的电镀液17将沿着第1分隔板15向上流动。

此时，在底部附近移动的重异物难以随这种向上的流动随波逐流，因而沉降·堆积在第1分隔板15的下端附近，不会流向该板的下游一侧。

如上所述，本处理装置能够以第1分隔板15阻挡重异物流动。

因此，本处理装置中，能够做到不单单依靠设置在循环管10上的过滤器19而将重异物从电镀液17中去除。因此，不仅能够减少过滤器19的数量，而且能够减少其维护处理工作量，因而能够降低异物去除(以及电镀处理)费用。

此外，本处理装置中，具有上端位于高于液面的位置上、下端低于液面且避免与电镀槽11的底部紧密接触地设置的第2分隔板16。

即，本处理装置中，是以第2分隔板16将电镀液17流动时的底部附近之外的部位挡住的。因此，本处理装置中，能够在第2分隔板16的设置处使电镀液17从第2分隔板16的下端的下方通过。

因此，按照这种结构，在电镀槽11的液面附近流动的电镀液17将沿着第2分隔板16向下流动。

此时，悬浮于液面附近的轻异物难以随这种向下的流动随波逐流，因而悬浮·积蓄在第2分隔板16附近的液面上，不会流向该板的下游一侧。

如上所述，本处理装置能够以第2分隔板16阻挡轻异物流动。由此，可进一步减轻与去除异物相关的过滤器19的负担。因而可使过滤器19的维护处理变得更为容易。因此，能够大幅度降低异物去除(以及电镀处理)费用。

另外，分隔板15、16由与电镀槽11同样的材料构成，而且其结构(机构)也很简单。因此，为新增这些分隔板15、16而发生的费用很少。

此外，在本处理装置中，设定成将第2分隔板16的下端配置在比第1分隔板15的上端低的位置上。

这使得电镀液17的流通路径内不存在不受到分隔板15、16阻挡的高度部位，因此，能够避免流动于液流中部附近的异物“漏网”。此外，还能够防止轻异物越过第2分隔板16的下端流入区域C。

此外，在本处理装置中，异物去除槽(区域A、B)是与用来伴随电镀液17流入·排出进行处理的液流处理槽(区域C)一体形成的(区域A、B作为电镀槽11的一部分而构成)。即，在电镀槽11中设置了第1、第2分隔板15、16和供给喷嘴12·排出喷嘴13，使得越过第2分隔板16的电镀液17是经由间隙20直接流入区域C的。

这样做，能够简化本处理装置的结构。

此外，本处理装置中，在电镀槽11的第1分隔板15的上游侧底部具有异物排出用排泄管18。

本处理装置被设定成能够使重异物积蓄在第1分隔板15的上游侧底部(区域A的底部)。因此，通过在该部位设置异物排出用排泄管18，便于对重异物进行回收。

此外，本处理装置中，循环管10上具有去除异物用的过滤器19。这样，通过同时使用第1、第2分隔板15、16和过滤器，可进一步提高异物去除效果。

此时，如上所述，本处理装置可通过第1、第2分隔板15、16将多半异物去除。因此，以这种方式使用过滤器19，不仅其数量可以减少，而且到进行更换之前的时间(寿命)可以非常长。因此，进行维护所需要的费用·时间可以非常少。

此外，本处理装置被设定成在重异物将积蓄在其底面上的区域A内配置供给喷嘴12。

而且被设定成供给喷嘴12上的多个开口部12a横向形成，并且，配置在低于第1分隔板15的上端的位置上。

此时，若供给喷嘴12的开口部(电镀液17喷出口)位于高出液面的位置上，则喷出的电镀液17将砸落到液面上。这样一来，不仅砸落时会产生气泡，而且有可能随着气泡上浮重异物泛起而流入区域B。

而若将供给喷嘴12设置成自下方从区域A的底面穿入，在底面设置开口部，也同样存在着会使沉淀的重异物泛起而流入区域B的可能性。

相对于此，在本处理装置中，供给喷嘴12开口于低于电镀液17的液面且高于区域A的底面的位置上。因此，可避免电镀液17向下砸落，防止重异物泛起，因而能够防止重异物流入区域B。

而且，在本处理装置中，供给喷嘴12的开口部12a设在比第1分隔板15的上端低的位置上。因此，流入区域A的电镀液17必定向上流动而流向区域B。因此，很容易使流入区域A的重异物沉在区域A的底面上。

此外，将本处理装置设定成供给喷嘴12的下部封闭，并且从设在侧面的开口部12a将电镀液17横向(平行于电镀槽11的底面)喷出(开口部12a横向配置)。

因此，与电镀液17向下喷出的结构相比，能够防止沉淀于区域A底部的重异物泛起而随电镀液17的流动随波逐流。

此外，在本处理装置中，开口部12a设有多个。因此，能够降低电镀液17的喷出速度(以及喷出压力)，因而能够有效地防止气泡的产生和重异物的泛起。

此外，作为供给喷嘴12，只要不会导致区域A底部的异物泛起，最好尽可能长。这是因为，即使电镀槽11中电镀液17的液面发生变化，也可避免供给喷嘴12的开口部12a处于液面之上。

在这里，就旨在具体展现本处理装置中的异物去除机构的效果而进行实验的实验结果进行说明。

首先，列举该实验所使用的本处理装置的各种尺寸。该装置中的电镀槽11，宽400mm、纵深300mm、高300mm。

此外，第1分隔板15以下端位于距侧面11a100mm的位置上、角度θ1(参照图3，包含第1分隔板15的面与电镀液17的液面之间的角度)为75度的状态粘接在电镀槽11的侧面以及底面上。另外，第1分隔板15的上端的高度为130mm。

此外，第2分隔板16平行于第1分隔板15且与第1分隔板15之间相隔30mm的距离地设置。另外，第2分隔板16的下端与电镀槽11的底面之间的间隙20的宽度为20mm。而且，第2分隔板16以其上端位于可与电镀槽11的上面相接触的高度(即300mm)的状态粘接在侧面上。另外，供给喷嘴12的下端与电镀槽11的底面之间的间隙为20mm。

此外，在这种结构下，第1分隔板15的上端与第2分隔板16的下端二者的高低差将为110mm。此外，将位于电镀液17中的供给喷嘴12的供给量和排出喷嘴13的排出量控制在使得电镀液17的液面始终距底面160mm的程度上。

因此，第1分隔板15的上端与电镀液17的液面之间的距离(间隙21的宽度)为30mm，第2分隔板16的下端距电镀液液面的距离为140mm。

液面的控制方法如下所述。即，将计量值可通过电气方式进行反馈的流量计(例如超声波流量计等)分别安装在配管(供给喷嘴12、排出喷嘴13、循环管10)上。此外，在电镀槽11中安装液面传感器。于是，在液面达到160mm那一时刻，控制部(未图示)通过对循环泵14的功率进行计算和调整，从而对液面进行控制，使得供给喷嘴12的供给量与排出喷嘴13的排出量为定值。

此外，作为电镀液17，使用的是非氰类电解镀金电镀液。并且，利用现有的温度调整及液量调整技术使这种电镀液17循环，从而在8英寸以下的硅片上以电解电镀法形成高度约为18μm的金凸层(金凸出电极)。

从使用具有上述尺寸及条件的本处理装置的实验结果可以确认，能够达到使电镀液17中颗粒直径为2μm以上的异物最多约为150个/10ml这样的程度，

在这里，将本处理装置设定成，只对重异物的一部分以及中异物(具有与电镀液17同等比重的异物)以过滤器19进行去除。

而在现有装置中，对于电镀液中的所有重异物及中异物，都是以过滤器19去除的。另外，如图6所示，现有装置中过滤器的数量是本处理装置的5倍。而且，从对现有装置进行测定的结果确认，电镀液17中上述颗粒直径的异物达到最多为200个/10ml的程度。

如上所述，可以确认，本处理装置能够有效去除重异物(多数重异物可在区域A去除)。即可知，与现有装置相比，过滤器19的数量至少能够减少至五分之一(减少率为80％)。

其结果，可减少购入过滤器19所需要的费用(约16万日元/月)，以及缩短更换过滤器19的时间(约10小时/月左右)。

本处理装置中的第1分隔板15也可以相对于电镀液17的液面(或者说是电镀槽11的底面)朝向垂直方向(液面的法线方向)。但若使第1分隔板15的上端向循环管10的上游侧(流动方向的上游侧)倾斜，使得第1分隔板15与液面之间的角度(第1分隔板15的角度)偏离90度，则能够有效提高去除异物的效果。

此外，在这种场合，最好是，第1分隔板15向使得第1分隔板15与侧面11a之间的间隔自上向下(电镀槽11的底面)变宽的方向偏斜。

即，若如图3所示，第1分隔板15与液面之间的角度θ1小于90度，则能够使电镀液17在区域A～C之间的流动变得流畅。

即，当θ1为90度时，越过第1分隔板15的电镀液17将朝向区域B的底面垂直下落。

而当θ1小于90度时，可使流向区域B的底面的电镀液17的流动更加平缓。因此，能够缓和电镀液17碰撞区域B的底面时的冲击，防止气泡的产生。

此外，最好是，第2分隔板16大体平行于第1分隔板15地设置。将它们平行设置，可使得区域B中的电镀液17的液流面积(对应于分隔板15、16的间隔的面积)保持一定。

这样，可以减小电镀液17的流速·流动压力的变化(紊流的产生)，因而能够避免飘浮(趋向于飘浮)在区域B上的轻异物被卷入电镀液17的液流中、以及、产生气泡等。

此外，最好是，将间隙20及间隙21的宽度设定为与分隔板15、16的间隔相同的值。这样，可使得电镀液17的流动更为流畅。

此外，要使电镀液17的流动更加流畅，最好是使分隔板15、16的角度θ1、θ2(参照图3)趋向于0。但是，若角度θ1、θ2减小而导致电镀槽11中用来去除异物的容积(也可供分隔板15、16专用的容积)变得过大，则区域C中的电镀处理空间将变小。

此外，若在保持区域C中电镀处理空间的大小不变的情况下将角度θ1、θ2减小，将导致电镀槽11体积增大，本处理装置的安装面积以及电镀槽11中电镀液17的用量将增加。

因此，从以上情况考虑，可以说，将分隔板15、16的角度θ1、θ2设定为约75度左右为宜。

此外，关于分隔板15、16的设置位置(区域A、B的容积)，只要根据电镀液17的特性·流量、区域C的容积等因素适当进行设计即可，并无特殊限制。

此外，在本实施形式中，第2分隔板16的上端是可与电镀槽11的上面相接触地固定的。但是，只要第2分隔板16的上端在电镀液17的液面之上，可以设计成任何高度。

此外，间隙21的宽度(第1分隔板15的上端与液面之间的距离)、第2分隔板16的上端与液面之间的距离、间隙20的宽度(第2分隔板16的下端与电镀槽11的底面之间的距离)、第1分隔板15的上端与第2分隔板16的下端的高低差等也同样，只要根据电镀液17的特性·流量等情况适当进行设计即可，并无特殊限制。

此外，在本实施形式中，第2分隔板16的下端低于第1分隔板15的上端。但并不限于此，也可以设定成第2分隔板16的下端高于第1分隔板15的上端且低于液面。即使这种结构，只要是重异物和在电镀液17中特别容易飘浮起来的轻异物，同样能够通过分隔板15、16切实将其去除。

此外，在本实施形式中，异物去除机构具有两片分隔板15、16。但并不限于此，也可以设计成仅通过第1分隔板15将异物去除。

即使是这种结构，也能够很好地完成从电镀液17中将重异物去除的工作。因此，能够减缓过滤器19的堵塞，故不仅能够减少异物去除机构所应当具备的过滤器19的数量，而且能够延长过滤器19的更换周期。

此外，在电镀槽11内，也可以将第2分隔板16设置在第1分隔板15的上游侧(侧面11a一侧)。

此外，在电镀槽11内，也可以设置3片以上的分隔板。

例如，可以如图4所示，继第2分隔板16之后，再设置第3分隔板41及第4分隔板42。

在这种结构中，第3分隔板41是与第1分隔板15同样地设置成其下端与电镀槽11的底面紧密接触、上端低于电镀槽11内的电镀液17的液面。

此外，第3分隔板41是以其两侧端部与电镀槽11的侧面紧密接触地进行设置的。

而第4分隔板42是与第2分隔板16同样地设置成其下端避免与电镀槽11的底面接触、其上端与电镀槽11的上面(顶面)接触(也可以将第4分隔板42的上端固定在电镀槽11的上面上)。

此外，第4分隔板42的上端高于电镀液17的液面。而且设定成第4分隔板42的下端低于第3分隔板41的上端。

并且，第4分隔板42是以其两侧端部与电镀槽11的侧面紧密接触地进行设置的。

在这种结构中，如图4所示，从区域A、B中通过的重异物在区域D(第2分隔板16与第3分隔板41之间的区域)被去除。并且，从区域A、B、D中通过的轻异物滞留在区域E中。

如上所述，两种异物去除区域(用来去除异物的区域)各设置了多个，以此提高异物去除机构中的异物去除效果。

而分隔板的数量并不限于两片或四片，也可以是三片甚至更多片(还可以做成多级的)。

此外，如图4所示，在增加分隔板数量的场合，最好是，在重异物进行沉淀的区域的底面(区域A、D)分别设置异物排出用排泄管18。

此外，也可以如图5所示，将分隔板15a～15c多个(图5中为三片)并排设置；该分隔板15a～15c像第1分隔板15那样设置成下端与电镀槽11的底面紧密接触、上端低于电镀槽11内的电镀液17的液面，并且其两侧端部与电镀槽11的侧面紧密接触。

在这种结构中，是以三片分隔板15a～15c对电镀液17中的底部的流动进行阻挡的。因此，能够有效去除到达第2分隔板16处的重异物。

此外，作为图5所示的结构，也最好是在电镀槽11的侧面11a与分隔板15a～15c之间分别设置异物排出用排泄管18。

此外，在本实施形式中，是在本处理装置的电镀槽11中设置分隔板15、16、异物排出用排泄管18，在电镀槽11内将异物去除的。但并不限于此，也可以设计成，在本处理装置的循环管10的中途设置相对于电镀槽11另外设置的电镀液17的容放槽(异物去除槽)，在该容放槽内配置分隔板15、16、异物排出用排泄管18。

按照这种结构，不需要在电镀槽11的内部设置分隔板15、16、异物排出用排泄管18，因此，可实现电镀槽11的小型化。

另外，在这种结构中，最好是，异物去除槽具有用来将电镀液17排出的排出口。在第2分隔板16为异物去除槽的下游侧侧壁(侧面)的场合，间隙20相当于排出口。

此外，也可以将本处理装置设计成不设置特别的异物去除槽的结构。即，该结构中，是在循环管10内设置第1分隔板15、第2分隔板16、异物排出用排泄管18。

按照这种结构，可以减小异物去除用区域，因而可实现本处理装置的小型化。

此外，在循环管10内设置分隔板15、16、异物排出用排泄管18的场合，第1分隔板15、第2分隔板16二者无论哪一个配置在上游侧均可。

即，也可以将第2分隔板16配置在第1分隔板15的上游侧。在这种结构中，循环管10内靠近液面的液体受到第2分隔板16的阻挡而向下流动，之后，因第1分隔板15的存在而向上流动并进一步向下游流去。

因此，能够以第2分隔板16将偶尔随液面附近的液流随波逐流的重异物引向循环管10的底部附近，以第1分隔板15将其挡住。因此，能够提高重异物去除效果。

此外，也可以将第2分隔板16配置在第1分隔板15的下游侧。在这种结构中，循环管10内靠近液面的液体受到第1分隔板15的阻挡而向上流动，之后，因第2分隔板16的存在而向下流动并进一步向下游流去。

因此，能够以第1分隔板15将偶尔随底部附近的液流随波逐流的轻异物引向液面附近，以第2分隔板16将其挡住。因此，能够提高轻异物去除效果。

此外，在本实施形式中，来自异物排出用排泄管18的重异物回收是在电镀处理的空隙时间进行的。但是，也可以根据本处理装置的运行时间等情况定期进行重异物回收。此外，在区域A(第1分隔板15的上游区域)宽裕到一定程度的场合(大到一定程度的场合)，也可以设计成不设置异物排出用排泄管18的结构。

此外，本实施形式中，在供给喷嘴12上，用于将电镀液17喷入区域A的多个开口部12a设在其侧面上，而且，底部(下部的孔)被封闭。此外，多个开口部12a是设置在比第1分隔板15的上端低的位置上的。

但并不限于此，作为供给喷嘴12的开口部12a的位置，只要低于电镀液17的液面，即使位于比第1分隔板15的上端高的位置上也可以。这种结构同样能够防止电镀液17砸落到液面上，因而能够避免气泡的产生和异物的泛起。

此外，在本处理装置中，只要能够不使区域A的底部的重异物泛起，将供给喷嘴12做成何种形式均可。因此，只要能够防止上述重异物泛起，也可以将供给喷嘴12上的开口部设计成单数。而且，可以将该开口部设在供给喷嘴12的下部使之朝下。此外，也可以将供给喷嘴12设置成相对于区域A，自下方从电镀槽11的侧面11a穿过。

此外，为避免该重异物泛起现象的发生，最好是，对供给喷嘴12的电镀液17喷出速度·喷出量进行调整的同时，对供给喷嘴12上的开口部的位置、数量、喷出方向、喷出距离(开口部至区域A的底面的距离)进行适当调整。

作为供给喷嘴12上开口部的最佳位置，可列举出如上所述的、高于区域A的底面且低于第1分隔板15的上端(或电镀液17的液面)的位置。

此外，在本处理装置中，也可以使过滤器19的网眼尽可能大。按照这种结构，过滤器19允许电镀槽11的区域C中所产生的轻异物及重异物之较小者通过，使其积蓄在电镀槽11的区域A、B中。因此，不仅能够减少过滤器19的数量，而且能够延长其更换周期。

此外，在该结构中，也可以将过滤器19的网眼设计成例如只将不能够从供给喷嘴12的开口部12a通过这种程度的异物去除的尺寸。

此外，也可以将本处理装置设计成不具有过滤器19的结构。这种结构也同样能够在电镀槽11的区域A、B中将异物去除，因而能够以良好的质量进行液流处理(电镀处理)。

此外，在本处理装置中，第1分隔板15的下端·侧面以及第2分隔板16的侧面是与电镀槽11的底部·侧面紧密接触的。这是为了避免电镀液17从第1分隔板15的下端与电镀槽11的底部之间的间隙、以及分隔板15、16的下端与电镀槽11的侧面之间的间隙泄漏。因此，最好是对分隔板15、16和电镀槽11的尺寸进行适当的设计，以使得电镀液17不会从这些间隙泄漏。

此外，在本实施形式中，是将第1分隔板15设置成下端与电镀槽11(或循环管10)的底部紧密接触、上端位于低于液面的位置上。

但第1分隔板15并不限于这种形态。也就是说，作为第1分隔板15，只要如下构成，即使其一部分位于(突出于)液面上也无妨：即，将电镀槽11(或循环管10)的底部附近部位(或液面附近之外的部位)遮住(挡住)，使得液体(电镀液17)仅从底部附近之外的部位(或液面附近部位)向下流动。例如，也可以在第1分隔板15的上部附近(靠近液面的附近)设置供电镀液17通过的通孔或者间隙。

因此，也可以将本发明的异物去除机构描述成：作为一种用来从伴随液体流入·排出进行处理这一液流处理中所使用的液体中将异物去除的异物去除机构，具有将液体流通路径中的液面附近之外的部位(或底部附近部位)挡住的第1分隔板。

此外，同样地，在本实施形式中，是将第2分隔板16设置成上端位于高于液面的位置上、下端低于液面且与电镀槽11(或循环管10)的底部紧密接触。

但并不限于此，作为第2分隔板16，只要如下构成，即使其一部分与电镀槽11(或循环管10)的底部接触也没有关系：即，将液体流通路径中的液面附近部位(或底部附近之外的部位)遮住(挡住)，使得液体仅从液面附近之外的部位(或底部附近部位)向下流动，而构成。例如，也可以在第2分隔板16的底部附近设置供电镀液17通过的通孔或者间隙。

因此，也可以将本发明的异物去除机构描述成：作为一种用来从伴随液体流入·排出进行处理这一液流处理中所使用的液体中将异物去除的异物去除机构，具有，将液体流通路径中的液面附近之外的部位(或底部附近部位)挡住的第1分隔板，以及将液体流通路径中的液面附近部位(或底部附近之外的部位)挡住的第2分隔板。在这种场合，为了不妨碍液体流动，最好使第1分隔板与第2分隔板二者相距一定的程度(未紧密接触)。

此外，在本实施形式中，列举的是通过本处理装置中进行的电解电镀处理，在半导体基板31上形成凸出电极的例子。但是，本处理装置还能够用来进行形成凸出电极之外的处理。此外，也能够进行非电解电镀。

此外，在本实施形式中，记载了将本发明的异物去除机构应用于半导体器件(半导体集成电路)的制造中所使用的电镀处理装置的例子。

但本发明的异物去除机构并不限于在电镀处理装置等液体循环使用的处理装置中使用。

即，作为本发明的异物去除机构，只要是伴随液体的流入·排出进行处理(液流处理)的装置(液流处理装置)，在任何一种液体不循环使用的处理装置(处理中使用过的液体不再使用的处理装置)中也能够使用。

因此，本发明的异物去除机构在任何一种在半导体器件(半导体集成电路)制造中的电镀工序之外使用的处理装置、或在半导体器件之外的制品的制造工序中使用的处理装置等装置中也能够使用。

此外，作为上述液流处理装置，可列举出半导体器件等电子器件的制造工序中所使用的、使用药液的清洗装置等。

此外，在本实施形式中，将本发明的液流处理装置记述为电镀处理装置。但是，本发明的液流处理装置并不限于电镀处理装置，只要是上述清洗装置等伴随液体流入·排出进行处理(液流处理)的装置，在任何一种装置中均能够使用。

此外，还可以将本发明的异物去除机构描述成：在设于用来进行伴随液体流入·排出进行处理这一液流处理的液流处理装置上的异物去除机构中，具有，设在液流通过路径中的、下端与通过路径的底部紧密接触并且上端位于低于液面的位置上的第1分隔板。

还可以进一步将本发明的异物去除机构描述成：在设于包含有用来伴随液体流入·排出进行处理的液流处理槽的液流处理装置上的异物去除机构中，具有，设在液流通过路径中的、下端与通过路径的底部紧密接触并且上端位于低于液面的位置上的第1分隔板。

此外，在本实施形式中，分隔板15、16是由与构成电镀槽11的材料相同的材料构成的。但并不限于此，分隔板15、16也可以由不同于电镀槽11的材料构成。

如上所述，本发明的异物去除机构(本去除机构)是一种用来从伴随液体流入·排出进行处理这一液流处理中所使用的液体中将异物去除的异物去除机构，其特征是，具有下端与液体流通路径的底部紧密接触、上端位于低于液面的位置上的第1分隔板。

本去除机构是用来从，诸如电镀处理或洗净处理等、伴随液体(药液或水等)的流入·排出进行的处理中所使用的液体中将异物去除的机构。

即，本去除机构在液体流通路径(供液体流动的管路等)中，设置在进行液流处理的装置(液流装置)的下游或上游的，具有从流经流通路径的液体中将异物去除的功能。

这里所说的异物，是指悬浮·沉淀于液体内的垃圾、灰尘、气泡等妨碍液流处理的物质。

此外，异物可分为轻异物与重异物两大类。轻异物是指比重小于液体的异物，通常悬浮于液面附近。而重异物是指比重大于液体的异物，在多数场合下流动于流通路径的底部或沉淀于底部。

而本去除机构中，在液体的流通路径内，具有下端与液体通过路径的底部紧密接触、上端位于低于液面的位置上地配置的的第1分隔板。以该第1分隔板将流通路径中的液面附近之外的部位挡住。

这样，在本去除机构中，在第1分隔板设置处，可使液体从第1分隔板的上侧通过。

因此，在本去除机构中，在流通路径内的底部附近流动的液体将沿着第1分隔板向上流动。此时，在底部附近移动的重异物不容易随这种向上的流动随波逐流，因而沉降·堆积在第1分隔板的下端附近，不会流向该板的下游侧。

如上所述，本去除机构能够以第1分隔板将重异物的流动阻挡住。

因此，在本去除机构中，不必在流通路径中设置重异物用过滤器，便能够将重异物从液体中去除。因此，过滤器的维护量减少，因而能够降低异物去除(即液流处理)费用。

最好是，第1分隔板的两个侧面与流通路径的侧壁紧密接触。

此外，在本去除机构中，最好是，液体流通路径中具有上端位于高于液面的位置上、下端低于液面且避免与液体通过路径的底部紧密接触地配置的第2分隔板。

在这种该结构中，是以第2分隔板将流通路径中底部附近之外的部位挡住的。

这样，在本去除机构中，可使液体在第2分隔板设置处从第2分隔板的下端的下方通过。

因此，在这种结构中，在流通路径内的液面附近流动的液体将沿着第2分隔板向下流动。此时，悬浮于液面附近的轻异物难以随这种向下的流动随波逐流，因而悬浮·积蓄在第2分隔板附近的液面上，不会流向该板的下游一侧。

如上所述，这种结构中，能够以第2分隔板阻挡轻异物的流动。

因此，不必在流通路径中设置轻异物用过滤器，便能够将轻异物从液体中去除。因此，过滤器的维护量可进一步减少，故而能够进一步降低异物去除(即液流处理)费用。

另外，最好是，第2分隔板的两个侧面至少液面以下的部位与流通路径的侧壁紧密接触。

此外，在本去除机构中设置第2分隔板的场合，最好是，使第2分隔板的下端位于低于第1分隔板的上端的位置上。这样，可避免流通路径内存在有不被分隔板阻挡的高度部位，因而能够防止在液流的中部附近流动的异物“漏网”。

此外，在这种场合，也可以将第2分隔板配置在第1分隔板的上游侧。按照这种结构，液面附近的液体受到第2分隔板阻挡而向下流动，之后，因第1分隔板的存在而向上流动并进一步向下游流去。

因此，能够以第2分隔板将偶尔随液面附近的液流随波逐流的重异物引向底部附近，并以第1分隔板将其挡住。因此，能够提高重异物去除效果。

此外，也可以将第2分隔板配置在第1分隔板的下游侧。按照这种结构，流通路径底部附近的液体受到第1分隔板的阻挡而向上流动，之后，因第2分隔板的存在而向下流动并进一步向下游流去。

因此，能够以第1分隔板将偶尔随底部附近的液流随波逐流的轻异物引向液面附近，并以第2分隔板将其挡住。因此，可以提高轻异物去除效果。

此外，在将第2分隔板设置在第1分隔板下游侧的场合，最好是，将第1分隔板设置成其上端向上游侧倾斜。按照这种结构，上端向上游侧倾斜，可使得第1分隔板与液面法线方向之间的角度(第1分隔板的角度)小于90度。因此，可使越过第1分隔板的液体的流动变得流畅。

即，当第1分隔板的角度为90度时，越过(漫过)第1分隔板的液体将朝向第2分隔板与第1分隔板之间区域的流通路径的底部垂直下落。

而当第1分隔板上端向上游侧倾斜、第1分隔板的角度为90度以下时，流向上述区域的底部的液体的流动将变得平缓。因此，能够缓和液体碰撞底部时的冲击，防止气泡的产生。

此外，在这种结构中，最好是，将第2分隔板大体平行于第1分隔板地设置。将它们平行设置，可使第1分隔板与第2分隔板之间区域中的液流面积(对应于分隔板之间隔的面积)保持一定。

这样，可以减小液体的流速·流动压力的变化，因而能够避免该区域中飘浮(趋向于飘浮)在液面上的轻异物被卷入液体的液流中、以及产生气泡等。

此外，还可以在液体流通路径内设置作为用来去除异物的槽(罐)的异物去除槽。该异物去除槽具有第1分隔板和第2分隔板、使液体流入自身中的流入喷嘴、以及用来将液体排出的排出口。

而按照这种结构，将由异物去除槽的侧面(在液体流动方向上为上游侧的侧面)与第1分隔板二者之间的区域(第1区域)承接从流入喷嘴喷出的液体。

此外，在这种结构中，最好是将流入喷嘴设定成向第1区域中的低于液面的位置喷出液体。这样，可避免液体从第1区域的液面的上方砸落，因而能够防止因砸落而产生气泡。

此外，可以说，若将流入喷嘴设定成向低于第1分隔板上端的位置喷出液体则更好。

即，按照这种结构，流入第1区域的液体必定向上流动而流向第2分隔板与第1分隔板之间的区域(第2区域)。因此，若如上设定，可使流入第1区域的重异物容易降沉在第1区域的底部。

此外，最好是，将流入喷嘴设计成，喷出液体时可避免堆积在第1区域底部的异物(重异物)泛起。

即，最好是，按照液体的喷射力不会对底部产生较大影响的要求，对从流入喷嘴喷出的液体的流速、流动压力、流量、流动方向(流向)进行设定。

这种设定例如可通过制作成侧面具有用来喷出液体的多个开口部的圆筒形状而加以实现。按照这种结构，由于是从多个开口部喷出液体的，因而能够减小液体的流动压力，减少对异物产生的影响(压力)。

此外，也可以将异物去除槽与用来伴随液体的流入·排出进行处理的液流处理槽成一体形成。按照这种结构，流经第2分隔板的液体将直接流入液流处理槽。因此，可使液流处理装置的结构变得简单。

另外，也可以使异物去除槽作为液流处理槽的一部分构成。在这种结构中，在液流处理槽的局部(上游侧部位)配置第1·第2分隔板和流入喷嘴等。此外，流入喷嘴·排出口发挥液流处理槽的液体流入·排出功能。

此外，本去除机构中，也可以具有多个第1分隔板(例如多个并排设置)。这样，可进一步提高重异物去除效果。

此外，在本去除机构中，也可以第1和第2分隔板的至少一方设置有多片。增加第1分隔板，可提高重异物去除效果。而增加第2分隔板，可提高轻异物去除效果。

此外，在本去除机构中，最好是，在流通路径中的第1分隔板的上游侧的底部具有异物排出用排泄管。本去除机构设定成使得重异物积蓄于第1分隔板的上游侧底部。因此，在此部位设置异物排出用排泄管，可使重异物的回收易于进行。

此外，在本去除机构中，也可以在液体流通路径中设置异物去除用过滤器。

通过如上所述，在本去除机构中一并使用第1·第2分隔板和过滤器去除异物，可进一步提高异物去除效果。

此时，如上所述，在本去除机构中，通过第1·第2分隔板能够将大部分异物去除。因此，如使用上述过滤器，其数量可以减少，而且到进行更换的时间(寿命)可以非常长，因此，可使维护费用非常低。

此外，在第1·第2分隔板的上游配置过滤器的场合，或者液体循环使用的场合，为了减少过滤器滤除的异物的数量，最好是使用网眼非常粗的过滤器。而在第1·第2分隔板的下游配置过滤器的场合，虽然使用何种过滤器均可，但最好是使用能够将比重与液体同等的异物(中异物)去除的过滤器。

此外，若将如上所述的本去除机构、与用来伴随液体的流入·排出进行处理的液流处理槽二者进行组合，则很容易构成利用异物被去除后的液体良好地进行液流处理的液流处理装置。

例如，作为液体，可以使用镀金用电镀液，而作为液流处理槽，可以使用在装有半导体器件的半导体基板的既定位置上、通过镀金形成凸出电极的电镀槽。这样，便能够提供一种可优质地进行镀金处理的电镀处理装置。

此外，作为本发明的异物去除方法是一种从伴随液体流入·排出进行处理这一液流处理中所使用的液体中将异物去除的异物去除方法，其特征是，以下端与液体流通路径的底部紧密接触、上端位于低于液面的位置上地配置的第1分隔板将异物去除。

该异物去除方法是在上述本去除机构中采用的方法。即，按照这种方法，能够以第1分隔板对重异物的流动进行阻挡。

这样，不必在流通路径中设置重异物用过滤器，便能够将重异物从液体中去除。因此，可以减少过滤器维护量，因而能够降低异物去除(即液流处理)费用。

此外，可以说，本发明还涉及到制造半导体集成电路等的制造装置、以及使用该装置制造半导体集成电路等的制造方法。此外，图6也可以说是对过去所采用的异物去除方法加以展示的电镀槽的概略剖视图。

此外，在现有的装置(参照图6)中，一部分重异物会随着区域C中药液的流动而泛起，附着于待处理基板(例如半导体基板)的表面，可以说，例如在进行电镀处理时，这是导致异物附着部位电镀异常的原因，是导致正品率低的原因。

此外，根据本发明，不必使用现有技术所必须使用的过滤器，便能够将轻异物和重异物高效去除，因此可以说，能够减少电镀装置进行维护所需要的时间及费用。

此外，也可以设定成，电镀液17经循环泵14加压，经由过滤器19从电镀液供给喷嘴12流入电镀槽11中，从区域A流经区域B流入区域C，从排出喷嘴13排出，再次经循环泵14加压，在电镀槽内进行循环。

此外，电镀槽11的分隔板通常是相对于电镀液17、例如电镀液的液面相垂直地，换言之是沿液面的法线方向设置的，但若相对于该法线以既定的角度设置，则能够得到更好的异物去除效果。若第1分隔板15具有既定的角度，则在最初注入电镀液17并且电镀液17从第1分隔板15上越过而落向区域B的底面时，与垂直下落时相比，能够较为流畅地流向区域C，因此，能够缓和电镀液17碰撞区域B底面时的冲击，防止气泡的产生。

此外，作为分隔板15、16的角度，尽可能使其相对于液面即底面接近于水平则效果较好，但从电镀槽11的许用空间以及减少电镀液17的用量考虑，也可以将其与电镀液17液面之间的角度设定为75度，如图1所示地使区域A上方较窄而越向下即越向电镀槽11的底面越宽。

此外，图1、图4和图5所示的结构中，是电镀槽11与异物去除区域二者成一体的结构。即使是异物去除区域与电镀槽二者分体的结构，也不会有损本发明的主旨。

此外，在需要对电镀槽11的液面进行控制的场合，也可以设计成，在液面达到既定液位(例如160mm)时，以控制部进行计算并以循环泵14调节供给量，从而使供给量与排出量二者恒定。

此外，还可以将本发明作为下面的第1～第7处理装置加以描述。即，第1处理装置是一种从注入口向处理槽内注入药液，将处理后的药液从排出口排出的处理装置，其处理槽从药液注入口一侧起被第1分隔板和第2分隔板分隔开。

此外，第2处理装置是在第1处理装置中，其第1分隔板被设置成上端低于处理槽内的药液的液面，两侧端部和下端分别与处理槽的侧面和处理装置的底面紧密接触；其第2分隔板被设置成上端高于处理槽内的药液的液面，两侧端部与处理槽的侧面紧密接触，下端与处理装置的底面之间具有既定的间隙，并且，第2分隔板的下端低于第1分隔板的上端。

而第3处理装置是在第1或第2处理装置中，上述第1分隔板被设置成相对于药液液面的法线方向具有既定角度。此外，第4处理装置是在第1～第3处理装置中，上述第2分隔板大致平行于上述第1分隔板设置。

第5处理装置是在第1～第4处理装置中，向处理槽注入药液的注入口开口于低于处理槽的药液液面、且高于处理槽底面的位置上。此外，第6处理装置是在第5处理装置中，向处理槽注入药液的注入口由多个开口部构成，并且，从上述开口部喷出的药液不会直接喷射到处理槽的底面上。而第7处理装置这样构成，即，可在装有半导体集成电路的半导体基板的既定位置上，使用电镀液作为上述药液进行镀金(Au)而形成凸出电极。

此外，作为本发明，还可以设计成，将处理槽、例如电镀装置的电镀槽从向处理槽注入药液的注入口一侧起依次以第1分隔板和第2分隔板进行分隔，将处理槽分隔成3个区域。

第1分隔板最好这样设置，即，上端低于处理槽内的药液的液面，两侧端部与处理槽的侧面紧密接触，下端与处理槽的底面紧密接触。第2分隔板最好这样设置，即，上端高于处理槽内的药液的液面，两侧端部与处理槽的侧面紧密接触，下端与处理装置的底面之间留有既定的间隙。此外，第2分隔板的下端最好低于第1分隔板的上端。

再有，第1分隔板与第2分隔板二者最好相距既定距离设置。此外，第1分隔板与第2分隔板，既可以相对于处理槽内所灌注的处理液的液面垂直设置，也可以相对于该垂直方向倾斜既定角度设置。

此外，药液是从向处理槽进行注入的注入口流入由处理槽和第1分隔板分隔开来的区域(第1异物捕获区)的，但药液中所悬浮的异物之中的重异物将沉积于该第1异物捕获区的底面。为此，最好是在该底面设置用来排出沉积异物的排出口，定期将其排出处理槽之外。

再有，药液将继而漫过第1分隔板的上端流入由第1分隔板和第2分隔板形成的区域(第2异物捕获区)，若第2分隔板的下端与处理槽的底面之间设有间隙、上端高于药液液面，则药液不会漫过第2分隔板的上端流向处理槽的下一个区域。即，药液中的轻异物将飘浮在该区域的液面上，不会流入下一个区域。

此外，在本发明所涉及的处理槽中，用来去除异物的过滤器与现有技术相比其级数少，与异物去除有关的处理槽的维护所需要的费用和时间可大幅度减少。即，根据本发明，能够大幅度减少去除药液中的异物所需要的过滤器的数量，可使伴随过滤器的购入而发生的费用得以大幅度减少，更换时间得以大幅度缩短。

另外，旨在实施发明的优选实施形式其说明中所记载的具体的实施形式或实施例只不过是为了阐明本发明的技术内容。因此，对于本发明，不应当受这些具体例子的限制而作出狭义的解释。即，对于本发明，可以在本发明的精神与权利要求书的范围内作种种改变而加以实施。

产业上利用的可能性

本发明涉及用来从伴随液体流入·排出进行处理这一液流处理中所使用的液体中将异物去除的异物去除机构以及异物去除方法，可应用于包含有异物去除机构的液流处理装置(电镀处理装置等)之类的用途中。

Claims (21)

1.一种异物去除机构，从伴随液体流入·排出进行处理这一液流处理中所使用的液体中将异物去除，其特征是，

具有下端与液体流通路径的底部紧密接触、上端位于低于液面的位置上地设置的第1分隔板。

2.如权利要求1所述的异物去除机构，其特征是，在液体的流通路径中，具有上端位于高于液面的位置上、下端以低于液面且避免与通过路径的底部紧密接触地设置的第2分隔板。

3.如权利要求2所述的异物去除机构，其特征是，上述第2分隔板的下端设置在低于第1分隔板的上端的位置上。

4.如权利要求3所述的异物去除机构，其特征是，上述第2分隔板设置在第1分隔板的上游一侧。

5.如权利要求3所述的异物去除机构，其特征是，上述第2分隔板设置在第1分隔板的下游一侧。

6.如权利要求5所述的异物去除机构，其特征是，上述第1分隔板设置成其上端向上游一侧倾斜。

7.如权利要求6所述的异物去除机构，其特征是，包含上述第1分隔板的面与液面之间的角度约为75度。

8.如权利要求6所述的异物去除机构，其特征是，上述第2分隔板设置成平行于第1分隔板。

9.如权利要求5所述的异物去除机构，其特征是，

具有上述的第1分隔板和第2分隔板、使液体流入自身中的流入喷嘴、以及将液体排出的排出口的异物去除槽设在液体的流通路径中，

该异物去除槽的流入喷嘴被设定成向形成于异物去除槽的侧面与第1分隔板之间的第1区域中低于液面的位置喷出液体。

10.如权利要求9所述的异物去除机构，其特征是，上述流入喷嘴被设定成向低于第1分隔板的上端的位置喷出液体。

11.如权利要求10所述的异物去除机构，其特征是，上述流入喷嘴被设定成喷出液体时避免堆积在第1区域底部的异物泛起。

12.如权利要求11所述的异物去除机构，其特征是，上述流入喷嘴具有在侧面具备用来喷出液体的多个开口部的圆筒形状。

13.如权利要求9所述的异物去除机构，其特征是，上述异物去除槽与用来伴随液体的流入·排出进行处理的液流处理槽成一体形成。

14.如权利要求1所述的异物去除机构，其特征是：具有多个上述第1分隔板。

15.如权利要求2所述的异物去除机构，其特征是，上述第1和第2分隔板的至少一方设置有多个。

16.如权利要求1所述的异物去除机构，其特征是，在流通路径中的第1分隔板的上游侧的底部具有异物排出用排泄管。

17.如权利要求2所述的异物去除机构，其特征是，液体流通路径中具有异物去除用的过滤器。

18.如权利要求2所述的异物去除机构，其特征是，上述第1分隔板的上端与液面之间的间隙、以及第2分隔板的下端与通过路径底部之间的间隙具有相同的宽度。

19.一种液流处理装置，其特征是，具有权利要求1～18中任一项权利要求所述的异物去除机构、以及用来伴随液体流入·流出进行处理的液流处理槽。

20.如权利要求19所述的液流处理装置，其特征是，

上述液体是镀金用电镀液，

上述液流处理槽是在装有半导体器件的半导体基板的既定位置上形成镀金构成的凸出电极的电镀槽。

21.一种异物去除方法，从伴随液体流入·排出进行处理这一液流处理中所使用的液体中将异物去除，其特征是，

以下端与液体流通路径的底部紧密接触、上端位于低于液面的位置上地配置的第1分隔板将异物去除。

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