JP4024497B2 - 異物除去機構，液流処理装置および異物除去方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液体の流入・排出を伴う処理である液流処理に用いる液体から異物を除去するための異物除去機構と、この異物除去機構を含む液流処理装置と、この異物除去機構に採用されている異物除去方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯情報端末などの電子機器に対する小型軽量化が進んでいる。そして、これに呼応して、これらの電子機器に組み込まれる半導体集積回路自体に対しても、小型軽量化・高密度実装化が求められている。
【０００３】
半導体集積回路等（以下、半導体デバイス）は、様々な処理工程を経て製造されるが、これらの処理工程には、洗浄，エッチングあるいはメッキなど、薬液を用いる処理が数多く含まれている。
【０００４】
以下に、メッキ処理（金属メッキ処理）よるバンプ電極の形成を例に、薬液を用いた処理の概要を説明する。
なお、バンプ電極とは、電子機器の実装基板に対して半導体デバイスを取り付ける（実装する）ための電極である。バンプ電極を用いた実装は、半導体デバイスの小型化・高密度実装化を達成する有力な方法として広く用いられている。
【０００５】
この実装方法では、まず、半導体デバイスの表面における所定位置に、メッキ技術を利用して、金（Ａｕ）等によりバンプ電極を形成する。そして、このバンプ電極を用いて、半導体デバイスを、実装基板に対して直接的に実装するように設定されている。
【０００６】
また、バンプ電極の形成工程では、まず、半導体デバイスの組み込まれた半導体基板の表面に、フォトレジストを塗布する。次いで、バンプを形成させるべき箇所のフォトレジスト膜を開口して、あらかじめ堆積させておいた下地金属膜を露出させる。
【０００７】
その後、半導体基板をメッキ液に浸す。そして、フォトレジスト膜の開口部に露出した下地金属膜上にメッキ金属（例えば金（Ａｕ））を析出させることで、バンプ電極を形成するようになっている。
【０００８】
ところで、このようなメッキ処理では、半導体基板上の所定位置以外の部位（外れ部位；例えば、基板の裏面や基板の保持機構等）にも、メッキ金属を析出させてしまうことがある。
そして、このような外れ部位に析出したメッキ金属の一部は、基板から剥離して、異物となってメッキ液中を浮遊・沈殿し、メッキ液の流動に従って、メッキ装置中を移動することとなる。また、メッキ液には、メッキ金属の粒子や、気泡、空気中から混入した粉塵などが混入する場合もある。
【０００９】
このように、メッキ液中には、大きさ（粒径）や比重の異なる様々な異物が浮遊・沈殿している。そして、これらの異物は、メッキ液の流動に従って、メッキ装置内を循環することとなる。
【００１０】
さらに、これらの異物は、メッキ処理中に基板表面に付着した場合には、付着箇所でのメッキ異常や、バンプ電極同士の短絡を招くなど、様々な不具合を生じる原因となる。
従って、メッキ処理を行う際には、メッキの均一性に留意するのと同等以上に、メッキ液中に混入した異物除去にも十分な留意が必要である。
【００１１】
そこで、従来では、メッキ槽内に仕切り板を設けることで、異物の除去を図るようになっている。
図６は、従来のメッキ装置１０１の構成を示す説明図である。この図に示すように、メッキ装置１０１は、メッキ槽１１１，メッキ液供給ノズル１１２，メッキ液排出ノズル１１３，循環ポンプ１１４，仕切り板１１６，メッキ液１１７，フィルター１１９，間隙１２０（仕切り板とメッキ槽の底面との間隙）を有している。
【００１２】
ここで、仕切り板１１６は、メッキ槽１１１を、メッキ液１１７の流入するエリアＡと、メッキ処理の行われるエリアＣとに仕切るものである。
また、仕切り板１１６の上端は、メッキ液１１７（薬液）の液面より高くなっている。また、その下端とメッキ槽１１１の底面との間には、所定の間隙１２０があけてある。
【００１３】
このような構成のメッキ装置１０１では、メッキ液１１７は、循環ポンプ１１４により加圧される。そして、フィルター１１９を経て、メッキ液供給ノズル１１２よりメッキ槽１１１のエリアＡに流入する。さらに、エリアＡに流入したメッキ液１１７は、間隙１２０を通ってメッキ槽１１１のエリアＣに流入する。
そして、エリアＣ内のメッキ液１１７は、メッキ液排出ノズル１１３から排出され、再度、循環ポンプ１１４により加圧されて、メッキ槽１１１を循環するようになっている。
【００１４】
また、このメッキ装置１０１では、メッキ液１１７とともにエリアＡに流入した軽異物（メッキ液１１７より比重の小さい異物やメッキ液１１７中の気泡）は、エリアＡにおいてメッキ液１１７の液面に浮上する。
【００１５】
ここで、上記したように、エリアＡ・Ｃを分断する仕切り板１１６の上端は、メッキ液１１７の液面より高くなっている。従って、浮上した異物は、仕切り板１１６に塞き止められるため、エリアＣに流入することはなく、エリアＡ内に停滞することとなる。
【００１６】
このように、このメッキ装置１０１では、仕切り板１１６を設けることによって、メッキ液１１７の循環から軽異物の排除を図るようになっている。
【００１７】
しかしながら、図６に示したメッキ装置１０１では、一部の軽異物は、メッキ液１１７の流動に伴って、仕切り板１１６における下方の間隙１２０から、エリアＣに流入する可能性がある。
さらに、メッキ液１１７より比重の大きい異物（重異物）は、エリアＡの底面に沈み込むため、メッキ液１１７の流れに乗ってエリアＣ内に容易に流入してしまう。
【００１８】
また、エリアＣ内に流入した重異物の大半は、メッキ液排出ノズル１１３を通ってメッキ槽１１１外に排出されるが、循環ポンプ１１４により循環するメッキ液１１７とともに、メッキ槽１１１に再流入する。従って、このままでは、メッキ槽１１１（エリアＣ）の中の異物は、時間とともに増加することとなる。
【００１９】
そこで、メッキ装置１０１では、図６に示すように、メッキ液１１７内の異物を除去するために、メッキ液排出ノズル１１３・循環ポンプ１１４の後段に、フィルター１１９を設けている。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図６に示したメッキ装置１０１では、メッキ液１１７中の異物を効果的に除去するためには、異物の大きさ・種類に応じた複数のフィルター１１９を使用する（使い分ける）必要がある。
【００２１】
また、フィルター１１９は、時間とともに異物による目詰まりが生じるので、定期的に交換（メンテナンス）を行う必要がある。従って、メンテナンスにかかるフィルター１１９の購入・交換作業など、時間・費用ともに多大な負担を強いられることとなる。
【００２２】
以上、メッキ装置（メッキ槽）を例として、異物の発生とその除去に関する問題点（課題）について説明した。
しかしながら、半導体デバイスあるいは他のデバイス（例えば液晶パネル）の製造工程において使用される他の液流処理装置（液体の流入・排出を伴う処理（液流処理）を行う装置；例えば薬液を用いた洗浄装置など）においても、異物発生とその除去の必要性は、メッキ装置の場合と同様に重要である。
【００２３】
本発明は、上記のような従来の問題点を解決するために成されたものである。そして、その目的は、フィルターだけに頼ることなく、液流処理装置内の異物を除去することの可能な異物除去機構を提供することにある。
【００２４】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の異物除去機構（本除去機構）は、液体の流入・排出を伴う処理である液流処理に用いる液体から異物を除去するための異物除去機構において、上記液体は金メッキ用のメッキ液であり、液体の流通経路の底部に下端を密着させるとともに、上端を液面より低い位置に配している第１仕切り板を備えており、上端を液面より高い位置に配するとともに、下端を、液面より低く、かつ、通過経路の底部に密着することを回避するように配している第２仕切り板を、液体の流通経路に備えており、上記第２仕切り板の下端が、第１仕切り板の上端よりも低い位置に配されており、上記第２仕切り板が、第１仕切り板よりも下流側に配されており、上記第１仕切り板が、その上端を上流側に傾けるように配されていることを特徴としている。
【００２５】
本除去機構は、メッキ処理や洗浄処理等の、液体（薬液や水等）の流入・排出を伴う処理に用いる液体から異物を除去するためのものである。
すなわち、本除去機構は、液体の流通経路（液流のためのパイプ等）において、液流処理を行う装置（液流装置）の下流あるいは上流に設けられ、流通経路を流れる液体から異物を除去する機能を有するものである。
【００２６】
ここで、異物とは、液体内に浮遊・沈殿しているゴミ，塵，気泡等、液流処理の妨げとなるようなものである。
また、異物は、軽異物と重異物とに大別される。軽異物は、液体よりも比重の軽い異物であり、通常、液面近傍を浮遊する。一方、重異物は、液体より比重の重いものであり、多くの場合、流通経路の底部を流れる、あるいは底部に沈殿するものである。
【００２７】
そして、本除去機構では、液体の流通経路内に、下端を通過経路の底部に密着させるとともに、上端を液面より低い位置に配している第１仕切り板を備えている。そして、この第１仕切り板によって、流通経路における液面近傍以外の部位を塞ぐようになっている。
これにより、本除去機構では、第１仕切り板の設置部位において、液体を、第１仕切り板の上側を通過させるようになる。
【００２８】
従って、本除去機構では、流通経路内の底部付近を流れている液体は、第１仕切り板に沿って上向きに流動することとなる。このとき、底部付近を浮遊している重異物は、このような上向きの流動に乗りにくいため、第１仕切り板の下端付近に沈降・堆積され、この板よりも下流側に流れなくなる。
【００２９】
このように、本除去機構では、重異物の流れを、第１仕切り板によって遮ることが可能となる。
これにより、本除去機構では、流通経路に重異物用のフィルターを設けることなく、重異物を液体から除去できる。従って、フィルターのメンテナンスを軽減できるため、異物除去（すなわち液流処理）にかかる費用を低減することが可能となる。
なお、第１仕切り板の両側面は、流通経路の側壁面に密着していることが好ましい。
【００３０】
また、本除去機構では、上端を液面より高い位置に配するとともに、下端を、液面より低く、かつ、通過経路の底部に密着することを回避するように配している第２仕切り板を、液体の流通経路に備えている。
【００３１】
この構成では、第２仕切り板によって、流通経路における底部付近以外の部位を塞ぐようになっている。
これにより、本除去機構では、第２仕切り板の設置部位において、液体を、第２仕切り板の下端より下側を通過させるようになる。
【００３２】
従って、この構成では、流通経路内の液面付近を流れている液体は、第２仕切り板に沿って下向きに流動することとなる。このとき、液面付近を浮遊している軽異物は、このような下向きの流動に乗りにくいため、第２仕切り板付近の液面上に浮遊・蓄積され、この板よりも下流側に流れなくなる。
【００３３】
このように、この構成では、軽異物の流れを、第２仕切り板によって遮ることが可能となる。
これにより、流通経路に軽異物用のフィルターを設けることなく、軽異物を液体から除去できる。従って、フィルターのメンテナンスをさらに軽減できるため、異物除去（すなわち液流処理）にかかる費用を、より低減することが可能となる。
なお、第２仕切り板の両側面は、少なくとも液面以下の部位では、流通経路の側壁面に密着していることが好ましい。
【００３４】
また、本除去機構では、第２仕切り板の下端を、第１仕切り板の上端よりも低い位置に配している。これにより、流通経路内に、仕切り板に遮られないような高さ部位をなくせるので、液流の中央付近を流れている異物のすり抜けを抑制できる。
【００３６】
また、本除去機構では、第２仕切り板を、第１仕切り板の下流側に配している。この構成では、流通経路の底部付近の液体は、第１仕切り板に遮られて上向きの流動を形成し、その後、第２仕切り板によって下向きの流動となって、さらに下流に流れてゆく。このため、たまたま底部付近の流れにのっていた軽異物を、第１仕切り板によって液面付近に誘導し、第２仕切り板で捉えることが可能となる。これにより、軽異物の除去効果を向上できる。
【００３７】
また、本除去機構では、第１仕切り板を、その上端を上流側に傾けるように配している。この構成では、上端を上流側に傾けることで、第１仕切り板と液面の法線方向との角度（第１仕切り板の角度）が９０度よりも小さくなる。従って、第１仕切り板を越えた液体の流動を滑らかにできる。
【００３８】
すなわち、第１仕切り板の角度を９０度とする場合には、第１仕切り板を越えた（オーバーフローした）液体は、第２仕切り板と第１仕切り板との間の領域における流通経路の底部に向かって、垂直落下することとなる。
一方、第１仕切り板の上端を上流側に傾け、第１仕切り板の角度を９０度以下とする場合には、上記の領域における底部に向かう液体の流れを、より緩やかにできる。従って、液体を底部に衝突させる際の衝撃を緩和でき、気泡の発生を抑制できる。
【００３９】
また、この構成では、第２仕切り板を、第１仕切り板と平行に配することが好ましい。これらを平行とすることで、第１仕切り板と第２仕切り板との間の領域における液流面積（仕切り板の間隔に応じた面積）を一定に保てる。
これにより、液体の流速・流圧の変動を抑制できるので、この領域において液面上に浮いている（浮こうとしている）軽異物を、液体の流動に巻き込んでしまうこと、および、気泡の発生等を回避できる。
【００４０】
また、液体の流通経路に、異物除去のための槽（タンク）である異物除去槽を設けるようにしてもよい。この異物除去槽は、第１仕切り板および第２仕切り板と、液体を自身に流入させるための流入ノズルと、液体を排出するための排出口とを備えたものである。
【００４１】
そして、この構成では、異物除去槽の側面（液体の流動方向において上流側の側面）と第１仕切り板との間の領域（第１領域）に、流入ノズルからの液体の噴出を受けることとなる。
【００４２】
また、この構成では、流入ノズルが、第１領域における液面より低い位置に、液体を噴出するように設定されていることが好ましい。これにより、第１領域における液面の上から液体を滴下させることを回避できるため、滴下による気泡の発生を防止できる。
【００４３】
また、流入ノズルを第１仕切り板の上端よりも低い位置に液体を噴出するように設定することは、さらに好ましいといえる。
すなわち、この構成では、第１領域に流入された液体の流動は、必ず上向きとなって、第２仕切り板と第１仕切り板との間の領域（第２領域）に向かうようになる。従って、上記のように設定すれば、第１領域に流入された重異物を、第１領域の底部に沈ませることが容易となる。
【００４４】
また、流入ノズルは、第１領域の底部に堆積している異物（重異物）を巻き上げることを回避するように、液体を噴出するように設定されていることが好ましい。
すなわち、液体の噴出力が底部にあまり影響しないように、流入ノズルから噴出される液体の流速，流圧，流量，流動方向（流方向）を設定することが好ましい。
【００４５】
このような設定は、例えば、流入ノズルを、液体を噴出するための複数の開口部を側面に備えた円筒形状とすることで実現できる。この構成では、複数の開口部から液体を噴出させるため、液体の流圧を抑えられ、異物に与える影響（圧力）を小さくできる。
【００４６】
また、異物除去槽を、液体の流入・排出を伴う処理を行うための液流処理槽と一体的に形成するようにしてもよい。この構成では、第２仕切り板を通過した液体は、液流処理槽に直接的に流入される。これにより、液流処理装置の構成を簡略化できる。
【００４７】
なお、異物除去槽を、液流処理槽の一部として構成してもよい。この構成では、液流処理槽の一部（上流側部位）に、第１・第２仕切り板や流入ノズルが配置される。また、流入ノズル・排出口は、液流処理槽における液体の流入・排出の機能を果たすこととなる。
【００４８】
また、本除去機構では、第１の仕切り板を複数備える（例えば複数並設する）ようにしてもよい。これにより、重異物の除去効果を向上させられる。
【００４９】
また、本除去機構では、第１および第２仕切り板の少なくとも一方を複数枚とするようにしてもよい。第１の仕切り板を増やせば、重異物の除去効果を向上できる。また、第２の仕切り板を増加させた場合には、軽異物の除去効果を高められる。
【００５０】
また、本除去機構では、流通経路における第１仕切り板の上流側底部に、異物排出用ドレイン配管を備えることが好ましい。本除去機構では、第１仕切り板の上流側底部に、重異物を蓄積させるように設定されている。従って、この部位に異物排出用ドレインを設けることで、重異物の回収を容易に行える。
【００５１】
なお、本除去機構では、液体の流通経路に、異物除去用のフィルターを備えるようにしてもよい。
このように、本除去機構において、第１・第２仕切り板とフィルターとを併用して異物を除去することで、異物除去の効果をより高められる。
【００５２】
ここで、上記したように、本除去機構では、第１・第２仕切り板によって異物の大半を除去できる。従って、このようにフィルターを用いても、その数を少なくできるとともに、交換までの時間（寿命）を非常に長くできるため、メンテナンスにかかる費用を非常に低くできる。
【００５３】
また、第１・第２仕切り板の上流にフィルターを配する場合、あるいは、液体を循環させて用いる場合には、フィルターでトラップする異物を少なくするために、非常に目の粗いフィルターを用いることが好ましい。一方、第１・第２仕切り板の下流にフィルターを配する場合には、どのようなフィルターを用いてもよいが、液体と同程度の比重を有する異物（中異物）を除去できるようなフィルターを用いることが好ましい。
【００５４】
また、上記したような本除去機構と、液体の流入・排出を伴う処理を行うための液流処理槽とを組み合わせれば、異物の除去された液体を用いて良好な液流処理を行える液流処理装置を容易に構成できる。
【００５５】
例えば、液体として金メッキ用のメッキ液を用い、液流処理槽として、半導体デバイスを組込んだ半導体基板の所定の位置に、金メッキからなるバンプ電極を形成するメッキ槽を用いることが可能である。このようにすれば、良質な金メッキ処理を施せるメッキ処理装置を実現できる。
【００５６】
また、本発明の異物除去方法は、液体の流入・排出を伴う処理である液流処理に用いる液体から異物を除去するための異物除去方法において、上記液体は金メッキ用のメッキ液であり、液体の流通経路の底部に下端を密着させるとともに、上端を液面より低い位置に配している第１仕切り板、及び上端を液面より高い位置に配するとともに、下端を、液面より低く、かつ、液体の流通経路に備えられた、通過経路の底部に密着することを回避するように配している第２仕切り板によって異物を除去し、上記第２仕切り板の下端が、第１仕切り板の上端よりも低い位置に配されており、上記第２仕切り板が、第１仕切り板よりも下流側に配されており、上記第１仕切り板が、その上端を上流側に傾けるように配されていることを特徴としている。
【００５７】
この異物除去方法は、上記した本除去機構において採用されている方法である。すなわち、この方法では、重異物の流れを、第１仕切り板によって遮ることが可能となる。
これにより、流通経路に重異物用のフィルターを設けることなく、重異物を液体から除去できる。従って、フィルターのメンテナンスを軽減できるため、異物除去（すなわち液流処理）にかかる費用を低減できる。
【００５８】
【発明の実施の形態】
本発明の一実施の形態について説明する。
本実施の形態にかかるメッキ処理装置（本処理装置）は、半導体集積回路等の半導体デバイスにおける製造工程において用いられる液流装置である。
なお、本処理装置における薬液や使用条件等は、通常の半導体デバイス（半導体集積回路）の製造に用いられている薬液・使用条件と基本的に同じである。従って、特段の場合を除き、その詳細な説明については省略する。
【００５９】
図１は、本処理装置の構成を示す説明図である。
本処理装置は、メッキ液１７を用いた金属メッキ処理によって、半導体デバイスにバンプ電極を形成するためのものである。
そして、図１に示すように、メッキ槽１１，メッキ液供給ノズル（供給ノズル）１２，メッキ液排出ノズル（排出ノズル）１３，循環ポンプ１４，第１仕切り板１５，第２仕切り板１６，異物排出用ドレイン配管１８，フィルター１９を備えている。
【００６０】
メッキ槽（液流処理槽）１１は、内部にメッキ液（金メッキ液等）１７を満たしており、メッキ処理の対象となる半導体デバイスを浸すための槽である。
また、メッキ槽１１は、仕切り板１５・１６によって、３つのエリアＡ〜Ｃに分割されている。さらに、エリアＡ〜Ｃは、エリア間においてメッキ液１７が移動できるように、間隙２０・２１によって接続されている。
【００６１】
そして、これらのうち、エリアＣは、半導体デバイスにメッキ処理を行う領域である。また、エリアＡ・Ｂは、メッキ液１７中の異物を除去する領域であるが、この点については後述する。
【００６２】
また、本処理装置では、メッキ槽１１内のメッキ液１７を循環させて用いるようになっており、排出ノズル１３，循環ポンプ１４，フィルター１９，供給ノズル１２は、この循環のための部材である。なお、供給ノズル１２および排出ノズル１３は、循環パイプ１０（メッキ液１７の循環経路（流通経路））によって直列に接続されている。
【００６３】
排出ノズル（排出口）１３は、メッキ槽１１におけるエリアＣの底部に設けられており、メッキ槽１１内のメッキ液１７を所定量ずつ外部に排出するための排出口である。
【００６４】
循環ポンプ１４は、循環パイプ１０における排出ノズル１３の下流側に取り付けられており、循環パイプ１０内のメッキ液１７に対し、排出ノズル１３側から供給ノズル１２側に流れるよう圧力をかけるものである。
フィルター１９は、循環パイプ１０における循環ポンプ１４の下流側（循環ポンプ１４と供給ノズル１２との間）に取り付けられており、メッキ液１７から異物（主に重異物・中異物（後述））を除去するためのものである。
【００６５】
供給ノズル（流入ノズル）１２は、循環パイプ１０の終端に取り付けられたノズルであり、メッキ槽１１におけるエリアＡに、メッキ液１７を供給するものである。
【００６６】
次に、本処理装置における、電解メッキ処理によるバンプ電極の形成について簡単に説明する。ここで、バンプ電極とは、電子機器の実装基板に対して半導体デバイスを取り付ける（実装する）ための電極である。
【００６７】
バンプ電極の形成工程では、まず、半導体デバイスの組み込まれた半導体基板の表面に、フォトレジストを塗布する。次いで、バンプを形成させるべき箇所のフォトレジスト膜を開口して、あらかじめ堆積させておいた下地金属膜を露出させる。その後、半導体基板をメッキ液に浸し、メッキ処理を施す。
【００６８】
図２は、本処理装置のメッキ槽１１（エリアＣ）によって、半導体基板３１に対して電解メッキ法によるメッキ処理を施している状態を示す説明図である。
この図に示すように、メッキ処理を行う際には、電源３２の陽極電極３３に対向させて半導体基板３１を配置し、さらに、この半導体基板３１に陰極を接続させるようになっている。
【００６９】
そして、半導体基板３１におけるフォトレジスト膜の開口部に露出した下地金属膜上に、メッキ金属（例えば金（Ａｕ））を析出させることで、バンプ電極を形成するようになっている（全て図示せず）。
【００７０】
次に、本処理装置の特徴的な構成である、異物除去機構について説明する。
まず、メッキ液１７における異物について説明する。
メッキ処理では、半導体基板３１上のバンプ電極形成位置以外の部位（外れ部位；基板の裏面等）にも、メッキ金属を析出させてしまうことがある。そして、このような外れ部位に析出したメッキ金属の一部は、基板３１から剥離して、異物となってメッキ液１７中を浮遊・沈殿する。さらに、これらの異物は、メッキ液１７の流動に乗って、本処理装置中を移動することとなる。
【００７１】
また、メッキ液１７には、メッキ金属の粒子や、気泡、空気中から混入した粉塵などが混入する場合もある。
そこで、本処理装置では、上記のようなメッキ液１７中の異物を除去するために、以下に示すような異物除去機構を設けるようになっている。
【００７２】
まず、異物除去機構の構成について説明する。
本処理装置における異物除去機構は、図１に示した供給ノズル１２，第１仕切り板１５，第２仕切り板１６，異物排出用ドレイン配管１８および前述したフィルター１９を含むものである。
【００７３】
上記したように、メッキ槽１１は、仕切り板１５・１６によって、３つのエリアＡ〜Ｃに分割されている。
すなわち、図１に示すように、メッキ槽１１には、供給ノズル１２側から、第１仕切り板１５と、第２仕切り板１６とが設けられている。
【００７４】
そして、これら仕切り板１５・１６により、メッキ槽１１は、エリアＡ（メッキ槽の側面１１ａおよび第１仕切り板１５で仕切られた領域；第１の異物トラップ）、エリアＢ（仕切り板１５・１６の間の領域；第２の異物トラップ）、および、エリアＣ（第２仕切り板１６および側面１１ｂで仕切られた領域）に仕切られるようになっている。ここで、側面１１ａは、メッキ槽１１における、液体の流動方向において上流側の側壁（側面）である。
【００７５】
仕切り板１５・１６は、メッキ槽１１を構成する材料と同一の材料から構成されている。
そして、第１仕切り板１５は、メッキ槽１１内において、その下端をメッキ槽１１の底面に密着させるように、また、上端をメッキ槽１１内のメッキ液１７の液面より低くするように設けられている。従って、第１仕切り板１５の上端とメッキ液１７の液面との間には、間隙２１が設けられている。
また、第１仕切り板１５は、その両側端をメッキ槽１１の側面に密着させるように設置されている。
【００７６】
そして、この第１仕切り板１５は、エリアＡ・Ｂ間の底部におけるメッキ液１７の流動を遮ることで、メッキ液１７に含まれている重異物（メッキ液１７よりも比重の高い異物）を、メッキ液１７の流動から除去する機能を有している。
【００７７】
第２仕切り板１６は、メッキ槽１１内において、その下端をメッキ槽１１の底面に触れることを回避するように、また、その上端をメッキ槽１１の上面（天井面）に固定させるように設けられている。従って、第２仕切り板１６の下端とメッキ槽１１の底面との間には、間隙２０が設けられている。また、第２仕切り板１６の上端は、メッキ液１７の液面より高くなっている。
【００７８】
また、第２仕切り板１６の下端は、第１仕切り板１５の上端よりも低くなるように設定されている。
さらに、第２仕切り板１６の両側端は、第１仕切り板１５と同様に、その両側端をメッキ槽１１の側面に密着させるように設置されている。
【００７９】
そして、この第２仕切り板１６は、エリアＢ・Ｃ間の液面部（メッキ液１７の液面近傍）におけるメッキ液１７の流動を遮ることで、メッキ液１７に含まれている軽異物（メッキ液１７よりも比重の低い異物やメッキ液１７中の気泡）を、メッキ液１７の流動から除去する機能を有している。
【００８０】
供給ノズル１２は、上記したように、一端を循環パイプ１０に接続しているとともに、他端をメッキ槽１１のエリアＡ内に配した構成を有している。
また、供給ノズル１２には、メッキ液１７をエリアＡに噴出するための複数の開口部１２ａが側面に設けられており、さらに、底部（下部穴）が封止された構成となっている。
【００８１】
また、複数の開口部１２ａは、第１仕切り板１５の上端よりも低い位置に配されるようになっている。
そして、供給ノズル１２では、これら複数の開口部１２ａから、液面および第１仕切り板１５の上端（間隙２１の形成部位）よりも低い位置、かつ、エリアＡの底面よりも高い位置で、メッキ液１７を横向きに噴出するように設定されている（開口部１２ａが、横向きに配置されている）。
【００８２】
異物排出用ドレイン配管１８は、メッキ槽１１におけるエリアＡの底面（第１仕切り板１５における上流側底部）に設けられた排出口である。そして、この異物排出用ドレイン配管１８は、エリアＡの底面に堆積した異物（重異物）を回収するためのものである。
【００８３】
次に、異物除去機構における異物除去処理について説明する。
本処理装置では、循環ポンプ１４の圧力によって、排出ノズル１３から排出されたメッキ液１７が、循環パイプ１０，供給ノズル１２を介して、エリアＡにおける液面および第１仕切り板１５の上端よりも低い位置で、横向きに流入（噴出）される。
【００８４】
ここで、第１仕切り板１５の上端は、液面よりも低くなっている。従って、エリアＡに横向きに流入したメッキ液１７は、流動の向きを上向きに変え、第１仕切り板１５の上端（間隙２１）を越えて（オーバーフローして）、エリアＢに流入する。
このとき、メッキ液１７より比重の高い重異物は、メッキ液１７における上向きの流動に乗ることなく、エリアＡの底に沈殿（沈積）する。
【００８５】
また、エリアＢでは、第２仕切り板１６の上端が、メッキ液１７の液面より高くなっている。従って、エリアＢに流入したメッキ液１７は、第２仕切り板１６の上端を越えてエリアＣに流入することはできない。
【００８６】
一方、第２仕切り板１６の下端は、メッキ槽１１の底面よりも高く、また、第１仕切り板１５の上端よりも低くなっている。従って、エリアＢに流入したメッキ液１７は、下向きに流れ、間隙２０を通過してエリアＣに流入する。
【００８７】
このとき、メッキ液１７よりも比重の低い軽異物は、メッキ液１７における下向きの流れに乗ることなく、エリアＢの液面に浮上・停滞する。
【００８８】
その後、エリアＣ（メッキ処理領域）に流入したメッキ液１７は、排出ノズル１３から排出される。そして、循環パイプ１０内で循環ポンプ１４により加圧されて、フィルター１９を経て、メッキ槽１１のエリアＡへ再注入される。
【００８９】
なお、エリアＡの底面に堆積した重異物は、メッキ処理の合間に、異物排出用ドレイン配管１８を介して外部に排出される。
【００９０】
また、極微細な大きさの重異物、メッキ液１７と同様の（大差のない）比重を有する異物などは、メッキ液１７の流動に伴って循環する可能性がある。そこで、本処理装置の異物除去機構では、循環パイプ１０に設けたフィルター１９によって、これらの異物を除去するようになっている。
【００９１】
以上のように、本処理装置では、メッキ液１７から異物を除去するための異物除去機構を有している。また、この異物除去機構が、メッキ槽１１の底部に下端を密着させるとともに、上端を液面より低い位置に配している第１仕切り板１５を備えている構成である。
【００９２】
そして、本処理装置では、この第１仕切り板１５によって、メッキ液１７の流動おける液面近傍以外の部位を塞ぐようになっている。これにより、本処理装置では、第１仕切り板１５の設置部位において、メッキ液１７を、第１仕切り板１５の上側を通過させるようになる。
【００９３】
従って、本処理装置では、メッキ槽１１の底部付近を流れているメッキ液１７は、第１仕切り板１５に沿って上向きに流動することとなる。
このとき、底部付近を浮遊している重異物は、このような上向きの流動に乗りにくいため、第１仕切り板１５の下端付近に沈降・堆積され、この板よりも下流側に流れなくなる。
【００９４】
このように、本処理装置では、重異物の流れを、第１仕切り板１５によって遮ることが可能となる。
これにより、本処理装置では、循環パイプ１０に設置されたフィルター１９だけに頼ることなく、重異物をメッキ液１７から除去できる。従って、フィルター１９の数を減らせるとともに、そのメンテナンス処理を軽減できるため、異物除去（およびメッキ処理）にかかる費用を低減することが可能となる。
【００９５】
また、本処理装置では、上端を液面より高い位置に配するとともに、下端を、液面より低く、かつ、メッキ槽１１の底部に密着することを回避するように配している第２仕切り板１６を備えている。
【００９６】
すなわち、本処理装置では、第２仕切り板１６によって、メッキ液１７の流動における底部付近以外の部位を塞ぐようになっている。これにより、本処理装置では、第２仕切り板１６の設置部位において、メッキ液１７を、第２仕切り板１６の下端より下側を通過させるようになる。
【００９７】
従って、この構成では、メッキ槽１１の液面付近を流れているメッキ液１７は、第２仕切り板１６に沿って下向きに流動することとなる。
このとき、液面付近を浮遊している軽異物は、このような下向きの流動に乗りにくいため、第２仕切り板１６付近の液面上に浮遊・蓄積され、この板よりも下流側に流れなくなる。
【００９８】
このように、本処理装置では、軽異物の流れを、第２仕切り板１６によって遮ることが可能となる。これにより、異物除去に関するフィルター１９の負担をさらに軽減できる。従って、フィルター１９のメンテナンス処理をさらに容易とできるため、異物除去（およびメッキ処理）にかかる費用を、格段に低減することが可能となる。
【００９９】
なお、仕切り板１５・１６は、メッキ槽１１と同様の材料から構成されており、さらに、その構造（機構）も簡単なものである。従って、これら仕切り板１５・１６を新たに設けることに関する費用の発生は僅かなものである。
【０１００】
また、本処理装置では、第２仕切り板１６の下端を、第１仕切り板１５の上端よりも低い位置に配するように設定されている。
これにより、メッキ液１７の流通経路内に、仕切り板１５・１６に遮られないような高さ部位をなくせるので、液流の中央付近を流れている異物のすり抜けを抑制できる。また、軽異物が第２仕切り板１６の下端を超えてエリアＣに流入してしまうことを防止できる。
【０１０１】
また、本処理装置では、異物除去槽（エリアＡ・Ｂ）を、メッキ液１７の流入・排出を伴う処理を行うための液流処理槽（エリアＣ）と一体的に形成している（エリアＡ・Ｂを、メッキ槽１１の一部として構成している）。すなわち、メッキ槽１１に、第１・第２仕切り板１６や供給ノズル１２・排出ノズル１３を配置し、第２仕切り板１６を通過したメッキ液１７を、間隙２０を介してエリアＣに直接的に流入するようになっている。
これにより、本処理装置の構成を簡略化することが可能となっている。
【０１０２】
また、本処理装置では、メッキ槽１１における第１仕切り板１５の上流側底部に、異物排出用ドレイン配管１８を備えている。
本処理装置では、第１仕切り板１５の上流側底部に、重異物を蓄積させるように設定されている。従って、この部位に異物排出用ドレイン配管１８を設けることで、重異物の回収を容易に行える。
【０１０３】
また、本処理装置では、循環パイプ１０に、異物除去用のフィルター１９を備えている。このように、第１・第２仕切り板１６とフィルターとを併用して異物を除去することで、異物除去の効果をより高められる。
【０１０４】
ここで、上記したように、本処理装置では、第１・第２仕切り板１６によって異物の大半を除去できる。従って、このようにフィルター１９を用いても、その数を少なくできるとともに、交換までの時間（寿命）を非常に長くできるため、メンテナンスにかかる費用・手間を非常に小さくできる。
【０１０５】
また、本処理装置では、底面に重異物の蓄積されるエリアＡに、供給ノズル１２を配するように設定されている。
また、供給ノズル１２における複数の開口部１２ａは横向きに形成されており、さらに、第１仕切り板１５の上端よりも低い位置に配されるように設定されている。
【０１０６】
ここで、供給ノズル１２の開口部（メッキ液１７の噴出口）を液面より高い位置に配すると、噴出されたメッキ液１７を液面に滴下させることとなる。このため、滴下によって気泡を発生させてしまうとともに、気泡の浮上に伴って重異物を巻き上げ、エリアＢに流入させてしまうことがある。
【０１０７】
また、エリアＡの底面を貫通するように供給ノズル１２を配し、底面に開口部を設けた場合等においても、沈殿している重異物を巻き上げ、それをエリアＢに流入させてしまう可能性がある。
【０１０８】
これに対し、本処理装置では、供給ノズル１２を、メッキ液１７の液面より低く、かつ、エリアＡの底面より高い位置に開口している。これにより、メッキ液１７を滴下させること、および、重異物の巻き上げを抑制できるので、重異物をエリアＢに流入させてしまうことを防止できる。
【０１０９】
さらに、本処理装置では、供給ノズル１２の開口部１２ａを、第１仕切り板１５の上端よりも低い位置に配している。これにより、エリアＡに流入されたメッキ液１７の流動は、必ず上向きとなってエリアＢに向かうようになる。従って、エリアＡに流入された重異物を、エリアＡの底面に沈ませることが容易となっている。
【０１１０】
また、本処理装置では、供給ノズル１２の下部を封止するとともに、側面に設けられた開口部１２ａから、メッキ液１７を横向きに（メッキ槽１１の底面と平行に）噴出するように設定されている（開口部１２ａが、横向きに配置されている）。
これにより、メッキ液１７を下向きに噴出する構成に比して、エリアＡの底部に沈殿している重異物を巻き上げ、メッキ液１７の流動に乗せてしまうことを抑制することが可能となっている。
【０１１１】
また、本処理装置では、開口部１２ａを複数設けている。これにより、メッキ液１７の噴出速度を低減できるので、気泡の発生や重異物の巻き上げをより効果的に抑制できる。
【０１１２】
また、供給ノズル１２は、エリアＡの底部における異物を巻き上げない限り、なるべく長い方が好ましい。これは、メッキ槽１１におけるメッキ液１７の液面に変動があっても、供給ノズル１２の開口部１２ａが液面上に配されることを回避するためである。
【０１１３】
ここで、本処理装置における異物除去機構の効果を具体的に示すための実験結果について説明する。
まず、この実験に用いた本処理装置における外寸（サイズ）を示す。この装置におけるメッキ槽１１は、幅４００ｍｍ、奥行き３００ｍｍ、高さ３００ｍｍであった。
【０１１４】
また、第１仕切り板１５は、側面１１ａから１００ｍｍの位置に下端が位置するように、また、角度θ１（図３参照）が７５度となるように、メッキ槽１１の側面および底面に接着された。また、第１仕切り板１５の上端は、１３０ｍｍの高さであった。
【０１１５】
また、第２仕切り板１６は、第１仕切り板１５と平行に、かつ、第１仕切り板１５と３０ｍｍの距離をあけるように配された。また、供給ノズル１２の下端とメッキ槽１１の底面との間隙２０の幅は、２０ｍｍであった。さらに、第２仕切り板１６は、その上端がメッキ槽１１の上面と接する高さ（つまり３００ｍｍ）となるように側面に接着された。
【０１１６】
また、この構造においては、第１仕切り板１５の上端と第２仕切り板１６の下端との高低差は、１１０ｍｍとなる。また、メッキ液１７における供給ノズル１２からの供給量と排出ノズル１３からの排出量とは、メッキ液１７の液面が常に底面から１６０ｍｍとなるように制御された。
これにより、第１仕切り板１５の上端とメッキ液１７の液面との距離（間隙２１の幅）は３０ｍｍ、第２仕切り板１６の下端とメッキ液面までの距離は１４０ｍｍとなった。
【０１１７】
なお、液面の制御方法は以下の通りである。すなわち、計測値を電気的にフィードバックできる流量計（例えば超音波流量計など）をそれぞれの配管（供給ノズル１２，排出ノズル１３，循環パイプ１０）に取り付けた。また、メッキ槽１１に液面センサーを取り付けた。そして、液面が１６０ｍｍに達した時点で、制御部（図示せず）が、供給ノズル１２の供給量と排出ノズル１３の排出量とを一定とするように、循環ポンプ１４のパワーを計算・調整することで、液面を制御した。
【０１１８】
また、メッキ液１７としては、非シアン系の電解金メッキ液を使用した。そして、このようなメッキ液１７を、従来技術の温度調整および液量調整にて循環させることにより、８インチ以下のシリコンウエハ上に、高さ約１８μｍの金バンプ（金バンプ電極）を、電解メッキ法にて形成した。
【０１１９】
そして、上記したようなサイズ・条件の本処理装置を使用した結果、メッキ液１７中における２μｍ以上の粒径を有する異物を、最大約１５０個／１０ｍｌ程度にできることを確認できた。
【０１２０】
ここで、本処理装置では、重異物の一部および中異物（メッキ液１７と同等の比重を有する異物）だけを、フィルター１９によって除去するように設定されている。
【０１２１】
一方、従来の装置では、メッキ液における全ての重異物および中異物を、フィルター１９によって除去するようになっている。また、図６に示したように、従来の装置におけるフィルターの数は、本処理装置の５倍である。そして、従来の装置を用いた測定の結果、メッキ液１７中における上記粒径の異物は、最大２００個／１０ｍｌ程度あることが確認された。
【０１２２】
このように、本処理装置では、重異物を効果的に除去できること（重異物の大半をエリアＡにて除去できること）を確認できた。すなわち、従来の装置に比して、フィルター１９の数を少なくとも５分の１に削減できることがわかった（削減率８０％）。
【０１２３】
この結果、フィルター１９の購入に係る費用の削減（約１６万円／月）、およびフィルター１９の交換時間の削減（約１０時間／月程度）を実現できることがわかった。
【０１２４】
なお、本処理装置における第１仕切り板１５は、メッキ液１７の液面（あるいはメッキ槽１１の底面）に対して垂直方向に（液面の法線方向に）向けられてもよい。しかしながら、第１仕切り板１５における上端を循環パイプ１０の上流側（流動方向の上流側）に傾け、第１仕切り板１５と液面との角度（第１仕切り板１５の角度）を９０度からずらすことで、異物除去の効果を向上させることが可能となる。
また、この場合、第１仕切り板１５と側面１１ａとの間隔を、上方から下方（メッキ槽１１の底面）に近づくに連れて広くするような方向に、第１仕切り板１５をずらすことが好ましい。
【０１２５】
すなわち、図３に示すように、第１仕切り板１５と液面とのなす角度θ１を９０度より小さくすると、エリアＡ〜Ｃ間におけるメッキ液１７の流動を滑らかにできる。
すなわち、θ１を９０度とする場合には、第１仕切り板１５をオーバーフローしたメッキ液１７は、エリアＢの底面に垂直落下することとなる。
一方、θ１を９０度以下とする場合には、エリアＢの底面に向かうメッキ液１７の流れを、より緩やかにできる。従って、メッキ液１７をエリアＢの底面に衝突させた際の衝撃を緩和でき、気泡の発生を抑制できる。
【０１２６】
また、第２仕切り板１６は、第１仕切り板１５とほぼ平行に設置することが好ましい。これらを平行とすることで、エリアＢにおけるメッキ液１７の液流面積（仕切り板１５・１６の間隔に応じた面積）を一定に保てる。
これにより、メッキ液１７の流速・流圧の変動（乱流の発生）を抑制できるので、エリアＢ上に浮いている（浮こうとしている）軽異物をメッキ液１７の流動に巻き込んでしまうこと、および、気泡の発生等を回避できる。
【０１２７】
また、間隙２０および間隙２１の幅を、仕切り板１５・１６の間隔と同様の値に設定することも好ましい。これにより、メッキ液１７の流動を、さらに滑らかにできる。
【０１２８】
また、メッキ液１７の流動をより滑らかにするためには、仕切り板１５・１６の角度θ１・θ２（図３参照）を、０に近づけることが好ましい。しかしながら、角度θ１・θ２を小さくしてメッキ槽１１における異物除去のための容量（仕切り板１５・１６に専用させてもよい容量）を拡げ過ぎると、エリアＣにおけるメッキ処理スペースを狭めてしまう。
【０１２９】
また、エリアＣにおけるメッキ処理スペースの広さを維持した状態で、角度θ１・θ２を小さくすると、メッキ槽１１の大型化を招き、本処理装置を設置するための面積、および、メッキ槽１１において使用するメッキ液１７の量を増加させてしまう。
従って、上記の点を考慮すると、仕切り板１５・１６の角度θ１・θ２を、ほぼ７５度程度に設定することが好ましいといえる。
【０１３０】
また、仕切り板１５・１６の設置位置（エリアＡ・Ｂの容量）については、メッキ液１７の特性・流量、エリアＣの容量等を勘案して、適切に設定すればよく、特段の制約はない。
【０１３１】
また、本実施の形態では、第２仕切り板１６の上端が、メッキ槽１１の上面に固定されているとしている。しかしながら、第２仕切り板１６の上端は、メッキ液１７の液面より上であれば、どの高さに配されていてもよい。
【０１３２】
また、間隙２１の幅（第１仕切り板１５の上端と液面との距離）、第２仕切り板１６の上端と液面との距離、間隙２０の幅（第２仕切り板１６の下端とメッキ槽１１の底面との間隙）、第１仕切り板１５の上端と第２仕切り板１６の下端との高低差等も、同様に、メッキ液１７の特性・流量などを勘案して、適切に設定すればよく、特段の制約はない。
【０１３３】
また、本実施の形態では、第２仕切り板１６の下端が、第１仕切り板１５の上端よりも低くなっているとしている。しかしながら、これに限らず、第２仕切り板１６の下端を、第１仕切り板１５の上端よりも高くするように設定してもよい。この構成であっても、重異物や、メッキ液１７に特に浮きやすい軽異物であれば、仕切り板１５・１６によって確実に除去できる。
【０１３４】
また、本実施の形態では、異物除去機構が、２枚の仕切り板１５・１６を有しているとしている。しかしながら、これに限らず、第１仕切り板１５のみで異物を除去するようにしてもよい。
この構成であっても、メッキ液１７からの重異物の除去を良好に達成できる。従って、フィルター１９の目詰まりを抑制できるので、異物除去機構に備えるべきフィルター１９の数を減少させられるとともに、フィルター１９の交換時期を長期化できる。
【０１３５】
また、メッキ槽１１内において、第２仕切り板１６を第１仕切り板１５の上流側（側面１１ａ側）に配するようにしてもよい。
【０１３６】
また、メッキ槽１１内に、３枚以上の仕切り板を設けるようにしてもよい。
例えば、図４に示すように、第２仕切り板１６に続いて、第３仕切り板４１と第４仕切り板４２を設けるようにしてもよい。
【０１３７】
この構成では、第３仕切り板４１は、第１仕切り板１５と同様に、その下端をメッキ槽１１の底面に密着させるように、また、上端をメッキ槽１１内のメッキ液１７の液面より低くするように設けられている。
また、第３仕切り板４１は、その両側端をメッキ槽１１の側面に密着させるように設置されている。
【０１３８】
また、第４仕切り板４２は、第２仕切り板１６と同様に、その下端をメッキ槽１１の底面に触れることを回避するように、また、その上端をメッキ槽１１の上面（天井面）に固定させるように設けられている。また、第４仕切り板４２の上端は、メッキ液１７の液面より高くなっている。また、第４仕切り板４２の下端は、第３仕切り板４１の上端よりも低くなるように設定されている。
さらに、第４仕切り板４２の両側端は、その両側端をメッキ槽１１の側面に密着させるように設置されている。
【０１３９】
この構成では、図４に示すように、エリアＡ・Ｂを通過してしまった重異物をエリアＤ（第２仕切り板１６と第３仕切り板４１との間の領域）において重異物を除去する。そして、エリアＡ・Ｂ・Ｄを通過した軽異物を、エリアＥに停滞させることとなる。
【０１４０】
このように、２種類の異物除去エリア（異物除去のための領域）を複数ずつ設けることで、異物除去機構における異物除去の効果を向上させられる。
なお、仕切り板の数を、２枚あるいは４枚に限らず、３枚でも、また、さらに多数とするようにしてもよい（さらに多段にしてもよい）。
また、図４に示すように、仕切り板の数を増やす場合には、重異物の沈殿するエリアの底面（エリアＡ・Ｄ）に、それぞれ異物排出用ドレイン配管１８を設けることが好ましい。
【０１４１】
また、図５に示すように、第１仕切り板１５のように、下端をメッキ槽１１の底面に密着させるように、また、上端をメッキ槽１１内のメッキ液１７の液面より低くするように設けられ、かつ、その両側端をメッキ槽１１の側面に密着させるように設置された仕切り板１５ａ〜１５ｃを、複数（図５では３枚）並設するようにしてもよい。
【０１４２】
この構成では、３枚の仕切り板１５ａ〜１５ｃによってメッキ液１７における底部での流動を遮るようになっている。これにより、第２仕切り板１６まで到達する重異物を効果的に除去できる。
また、図５に示した構成においても、メッキ槽１１の側面１１ａおよび仕切り板１５ａ〜１５ｃの間に、異物排出用ドレイン配管１８をそれぞれ設けることが好ましい。
【０１４３】
また、本実施の形態では、本処理装置のメッキ槽１１に仕切り板１５・１６，異物排出用ドレイン配管１８を設け、メッキ槽１１内で異物を除去するとしている。しかしながら、これに限らず、本処理装置における循環パイプ１０の途中に、メッキ槽１１とは別のメッキ液１７の収容槽（異物除去槽）を設け、この収容槽内に仕切り板１５・１６，異物排出用ドレイン配管１８を配置するようにしてもよい。
この構成では、メッキ槽１１の内部に仕切り板１５・１６，異物排出用ドレイン配管１８を設ける必要がないため、メッキ槽１１の小型化を図ることが可能となる。
【０１４４】
なお、この構成では、異物除去槽に、メッキ液１７を排出するための排出口を備えることが好ましい。なお、第２仕切り板１６を異物除去槽の下流側の側壁（側面）とする場合、間隙２０が排出口に相当することとなる。
【０１４５】
また、本処理装置を、特別の異物除去槽を設けない構成としてもよい。すなわち、この構成では、循環パイプ１０内に、第１仕切り板１５，第２仕切り板１６，異物排出用ドレイン配管１８を設けることとなる。
この構成では、異物除去のための領域を小さくできるため、本処理装置の小型化を図ることが可能となる。
【０１４６】
また、循環パイプ１０内に仕切り板１５・１６，異物排出用ドレイン配管１８を設ける場合、第１仕切り板１５，第２仕切り板１６は、どちらを上流側に配してもよい。
【０１４７】
すなわち、第２仕切り板１６を、第１仕切り板１５よりも上流側に配するようにしてもよい。この構成では、循環パイプ１０における液面付近の液体は、第２仕切り板１６に遮られて下向きの流動を形成し、その後、第１仕切り板１５によって上向きの流動となって、さらに下流に流れてゆく。
このため、たまたま液面付近の流れにのっていた重異物を、第２仕切り板１６によって循環パイプ１０の底部付近に誘導し、第１仕切り板１５で捉えることが可能となる。これにより、重異物の除去効果を向上できる。
【０１４８】
また、第２仕切り板１６を、第１仕切り板１５の下流側に配するようにしてもよい。この構成では、循環パイプ１０における底部付近の液体は、第１仕切り板１５に遮られて上向きの流動を形成し、その後、第２仕切り板１６によって下向きの流動となって、さらに下流に流れてゆく。
このため、たまたま底部付近の流れにのっていた軽異物を、第１仕切り板１５によって液面付近に誘導し、第２仕切り板１６で捉えることが可能となる。これにより、軽異物の除去効果を向上できる。
【０１４９】
また、本実施の形態では、異物排出用ドレイン配管１８からの重異物の回収を、メッキ処理の合間に行うとしている。しかしながら、この重異物の回収を、本処理装置の運転時間等に応じて、定期的に行うようにしてもよい。また、エリアＡ（第１仕切り板１５の上流側の領域）にある程度の余裕のある場合には、異物排出用ドレイン配管１８を設けない構成とすることもできる。
【０１５０】
また、本実施の形態では、供給ノズル１２には、メッキ液１７をエリアＡに噴出するための複数の開口部１２ａが側面に設けられており、さらに、底部（下部穴）が封止された構成であるとしている。また、複数の開口部１２ａは、第１仕切り板１５の上端よりも低い位置に配されるようになっている。
【０１５１】
しかしながら、これに限らず、供給ノズル１２における開口部１２ａの位置は、メッキ液１７の液面より低い位置にあれば、第１仕切り板１５の上端よりも高い位置にあってもよい。この構成であっても、液面へのメッキ液１７の滴下を防止できるので、気泡の発生や異物の巻き上げを回避することが可能となる。
【０１５２】
なお、本処理装置では、少なくともエリアＡの底部にある重異物を巻き上げないようにすれば、供給ノズル１２をどのような形態としてもよい。従って、このような巻き上げを防止できる限り、供給ノズル１２における開口部を単数としてもよい。さらに、この開口部を、供給ノズル１２の下部に下向きに設けるようにしてもよい。また、エリアＡに対し、メッキ槽１１の側面１１ａを貫通するように、供給ノズル１２を設けるようにしてもよい。
【０１５３】
また、このような重異物の巻き上げを回避するように、供給ノズル１２におけるメッキ液１７の噴出速度・噴出量を調整するとともに、供給ノズル１２における開口部の位置，数，噴出方向，噴出距離（開口部からエリアＡの底面までの距離）を適切に調整することが好ましい。
なお、供給ノズル１２における開口部の好ましい位置としては、上記したように、エリアＡの底面より高い位置であって、第１仕切り板１５の上端（あるいはメッキ液１７の液面）より低い位置を挙げられる。
【０１５４】
また、本処理装置では、フィルター１９の網目を、なるべく大きくするようにしてもよい。この構成では、フィルター１９は、メッキ槽１１のエリアＣにおいて発生した軽異物および重異物の比較的小さいものを通過させ、メッキ槽１１におけるエリアＡ・Ｂに蓄積させられる。従って、フィルター１９の数を減らせるとともに、その交換時期を長期化させることが可能となる。
また、この構成では、フィルター１９の網目を、例えば、供給ノズル１２の開口部１２ａを通過できないほどの異物だけを除去するようなサイズとするようにしてもよい。
【０１５５】
また、本処理装置を、フィルター１９を備えない構成としてもよい。この構成であっても、メッキ槽１１のエリアＡ・Ｂにおいて異物を除去できるため、良質な液流処理（メッキ処理）を行うことが可能となる。
【０１５６】
また、本処理装置では、第１仕切り板１５の下端・側面および第２仕切り板１６の側面を、メッキ槽１１の底部・側面に密着させるとしている。これは、第１仕切り板１５の下端とメッキ槽１１の底部との隙間、および、仕切り板１５・１６の側面とメッキ槽１１の側面との隙間からのメッキ液１７の漏れを回避するためである。従って、これらの隙間からメッキ液１７の漏れることのないように、仕切り板１５・１６とメッキ槽１１とのサイズを適切に設定することが好ましい。
【０１５７】
また、本実施の形態では、第１仕切り板１５を、メッキ槽１１（あるいは循環パイプ１０）の底部に下端を密着させるとともに、上端を液面より低い位置に配したものであるとしている。
【０１５８】
しかしながら、第１仕切り板１５の形態はこれに限らない。
すなわち、第１仕切り板１５は、メッキ槽１１（あるいは循環パイプ１０）の底部付近部位（あるいは液面近傍以外の部位）を遮る（塞ぐ）ことで、底部付近以外の部位（あるいは液面近傍部位）のみで液体（メッキ液１７）を下流に流せるように構成されていれば、その一部が液面上に位置していても（突き出していても）かまわない。
【０１５９】
従って、本発明の異物除去機構を、液体の流入・排出を伴う処理である液流処理に用いる液体から異物を除去するための異物除去機構において、液体の流通経路における液面近傍以外の部位（あるいは底部近傍部位）を塞ぐ第１仕切り板を備えている構成である、と表現することもできる。
【０１６０】
また、同様に、本実施の形態では、第２仕切り板１６に関し、上端を液面よりも高い位置に配するとともに、下端を、液面より低く、かつ、メッキ槽１１（あるいは循環パイプ１０）の底部に密着することを回避するように配したものであるとしている。
【０１６１】
しかしながら、これに限らず、第２仕切り板１６は、液体の流通経路における液面近傍部位（あるいは底部近傍以外の部位）を塞ぐことで、液面近傍以外の部位（あるいは底部近傍部位）のみで液体を下流に流せるように構成されていれば、その一部がメッキ槽１１（あるいは循環パイプ１０）の底部に触れていてもかまわない。
【０１６２】
従って、本発明の異物除去機構を、液体の流入・排出を伴う処理である液流処理に用いる液体から異物を除去するための異物除去機構において、液体の流通経路における液面近傍以外の部位（あるいは底部近傍部位）を塞ぐ第１仕切り板と、液体の流通経路における液面近傍部位（あるいは底部近傍以外の部位）を塞ぐ第２仕切り板とを備えている構成である、と表現することもできる。なお、この場合、液体の流動を妨害しないため、第１仕切り板と第２仕切り板とは、ある程度離れている（密接していない）ことが好ましい。
【０１６３】
また、本実施の形態では、本処理装置における電解メッキ処理によって、半導体基板３１にバンプ電極を形成する例を示している。しかしながら、本処理装置は、バンプ電極の形成以外の処理にも利用できる。また、無電解メッキを行うことも可能である。
【０１６４】
また、本実施の形態では、本発明の異物除去機構を、半導体デバイス（半導体集積回路）の製造に使用されるメッキ処理装置に応用する例を記載している。
しかしながら、本発明の異物除去機構は、メッキ処理装置等の、液体を循環させて用いる処理装置に限定的に応用されるだけのものではない。
【０１６５】
すなわち、本発明の異物除去機構は、液体の流入・排出を伴う処理（液流処理）を行う装置（液流処理装置）であれば、液体の循環を伴わない処理装置（いったん処理に使用した液体を使用しない処理装置）等、どのような装置にも利用できる。
【０１６６】
従って、本発明の異物除去機構は、半導体デバイス（半導体集積回路）の製造においてメッキ工程以外で使用する処理装置や、半導体デバイス以外の製品の製造工程で使用する処理装置等、どのような装置に対しても応用可能である。
また、上記の液流処理装置としては、半導体デバイス等の電子デバイスの製造工程に用いる、薬液を用いた洗浄装置等を挙げられる。
【０１６７】
また、本実施の形態では、本発明の液流処理装置を、メッキ処理装置として記載している。しかしながら、本発明の液流処理装置は、メッキ処理装置に限らず、上記した洗浄装置等、液体の流入・排出を伴う処理（液流処理）を行う装置であれば、どのような装置に対しても応用可能である。
【０１６８】
また、本発明の異物除去機構を、液体の流入・排出を伴う処理である液流処理のための液流処理装置に設けられる異物除去機構において、液流の通過経路に設けられ、下端を通過経路の底部に密着させるとともに、上端を液面より低い位置に配している第１仕切り板を備えている構成である、と表現することも可能である。
【０１６９】
さらに、本発明の異物除去機構を、液体の流入・排出を伴う処理を行うための液流処理槽を含む液流処理装置に設けられる異物除去機構において、液流の通過経路に設けられ、下端を通過経路の底部に密着させるとともに、上端を液面より低い位置に配している第１仕切り板を備えている構成である、と表現することもできる。
【０１７０】
また、本発明は、半導体集積回路等の製造装置、および、その装置を用いた半導体集積回路などの製造方法に関するともいえる。また、図６は、従来用いられていた異物除去方法を示すメッキ槽の断面略図であるともいえる。
【０１７１】
また、従来の装置（図６参照）では、重異物の一部は、エリアＣの中で薬液の流動に伴って巻き上けられ、処理すべき基板（例えば半導体基板）の表面に付着し、例えばメッキ処理の場合に、付着した部分でメッキ異常を起こす原因となり、製品の収率低下の原因となるといえる。
【０１７２】
また、本発明によれば、従来技術で必要であったフィルターを用いることなく、軽い異物および重い異物を効率よく除去できるため、メッキ装置のメンテナンスにかかる時間および費用の発生を抑えることが可能となるともいえる。
【０１７３】
また、メッキ液１７は、循環ポンプ１４により加圧され、フィルター１９を経てメッキ液供給ノズル１２よりメッキ槽１１の中に流入し、エリアＡからエリアＢを通り、エリアＣに流入し、排出ノズル１３から排出され、再度循環ポンプ１４により加圧されて、メッキ槽を循環するように設定されていてもよい。
【０１７４】
また、メッキ槽１１の仕切り板は、通常メッキ液１７、例えばメッキ液の液面に対して垂直に、換言すれば液面の法線方向に設けられるが、この法線方向に対して所定の角度を持って設けると、さらに異物の除去効果が得られる。第１仕切り板１５に所定の角度を設けると、メッキ液１７を初期注入する際に、第１仕切り板１５からオーバーフローして液がエリアＢの底面に落下する際、垂直落下に比べ滑らかにエリアＣへ流れていくため、メッキ液１７がエリアＢの底面に衝突した際の衝撃を緩和し、気泡発生を抑制できる。
【０１７５】
また、仕切り板１５・１６の角度は、極力液面すなわち底面に対して水平に近づけた方が効果的であるが、メッキ槽１１の許容スペースおよびメッキ液１７の使用量低減より、メッキ液１７の液面との角度を７５度に設定し、図１に示す如く、エリアＡは上方が狭く下方つまりメッキ槽１１の底面に行くほど広くなっているようにしてもよい。
【０１７６】
また、図１，図４および図５に示した構成では、メッキ槽１１と異物を除去する領域とが一体構造となっているといえる。また、異物を除去する領域とメッキ槽とを分割した構造においても、本発明の主旨を損なうものではない。
【０１７７】
また、メッキ槽１１の液面を制御する場合には、液面が所定の水位（例えば１６０ｍｍ）に達した時点で、供給量と排出量とが一定になるように、制御部にて計算し、循環ポンプ１４で供給量を調節するようにしてもよい。
【０１７８】
また、本発明を、以下の第１〜第７処理装置として表現することもできる。すなわち、第１処理装置は、薬液を注入口から処理槽に注入し、処理済の薬液を排出口から排出する処理装置において、処理槽が、薬液の注入口側から、第１の仕切り板と、第２の仕切り板で仕切られている構成である。
【０１７９】
また、第２処理装置は、第１処理装置において、第１の仕切り板は、上端は処理槽内の薬液の液面より低く、両側端は処理槽の側面に、下端は処理装置の底面に密着しており、第２の仕切り板は、上端は処理槽内の薬液の液面より高く、両側端は処理槽の側面に密着し、下端は処理装置の底面との間に所定の間隙を有し、かつ第２の仕切り板の下端は第１の仕切り板の上端より低く設置されている構成である。
【０１８０】
また、第３処理装置は、第１あるいは第２処理装置において、前記第１の仕切り板は、薬液液面の法線方向に対して所定の角度を有して設けられている構成である。また、第４処理装置は、第１〜第３の処理装置において、前記第２の仕切り板は、前記第１の仕切り板と略平行に設けてある構成である。
【０１８１】
また、第５処理装置は、第１〜第４の処理装置において、処理槽への薬液の注入口は、処理槽の薬液液面より低く、かつ処理槽の底面より高い位置で開口している構成である。また、第６処理装置は、第５処理装置において、処理槽への薬液注入口は複数の開口部からなり、かつ前記開口部から噴出した薬液が処理槽の底面に直接噴射されない構成である。また、第７処理装置は、半導体集積回路を組込んだ半導体基板の所定の位置に、前記薬液としてメッキ液を用いて金（Ａｕ）メッキを行い、バンプ電極を形成する構成である。
【０１８２】
また、本発明においては、処理槽、例えばメッキ装置のメッキ槽を、処理槽への薬液の注入口側から順次第１の仕切り板と第２の仕切り板で仕切り、処理槽を３つの領域に区切るようにしてもよい。
【０１８３】
第１の仕切り板は、上端は処理槽内の薬液の液面より低く、両側端は処理槽の側面に密着し、下端は処理槽の底面に密着して設けられていることが好ましい。第２の仕切り板は、上端は処理槽内の薬液の液面より高く、両側端は処理槽の側面に密着し、下端は処理装置の底面との間に所定の間隙を有して設けられていることが好ましい。また、第２の仕切り板の下端は、第１の仕切り板の上端より低く設置されていることが好ましい。
【０１８４】
さらに、第１の仕切り板と第２の仕切り板とは、所定の距離を置いて設置されることが好ましい。また、第１の仕切り板と第２の仕切り板とは、処理槽に充填してある処理液の液面に対して垂直に設置されても、この垂直方向に対して所定の角度で傾斜をつけて設置してもよい。
【０１８５】
また、薬液は、処理槽への注入ロから、処理槽と第１の仕切り板とで仕切られた領域（第１の異物トラップ）に流入するが、薬液中に浮遊する異物のうち、重い異物は、この第１の異物トラップの底面に沈積する。そこで、この底面に、沈積した異物を排出するための排出口を設けておき、定期的に処理槽外に排出することが好ましい。
【０１８６】
さらに、薬液は、次いで第１の仕切り板の上端をオーバーフローして、第１の仕切り板と第２の仕切り板とで形成された領域（第２の異物トラップ）に流入するが、第２の仕切り板の下端には処理槽の底面との間に間隙を設け、かつ上端を薬液の液面よりも高くすれば、薬液が第２の仕切り板の上端をオーバーフローして、処理槽の次の領域に流れることはない。すなわち、薬液中の軽い異物はこの領域の液面に浮かび、次の領域に流入することはない。
【０１８７】
また、本発明にかかる処理槽では、異物除去のためのフィルターは、従来技術と比較すると段数が少なく、異物除去に関して処理槽のメンテナンスにかかる費用や時間を大幅に軽減できる。すなわち、本発明によると、薬液中の異物を除去するために必要なフィルターの数を大幅に削減でき、フィルターの購入に伴う費用の大幅な削減、および交換時間の大幅な削減が可能となる。
【０１８８】
【発明の効果】
以上のように、本発明の異物除去機構（本除去機構）は、液体の流入・排出を伴う処理である液流処理に用いる液体から異物を除去するための異物除去機構において、上記液体は金メッキ用のメッキ液であり、液体の流通経路の底部に下端を密着させるとともに、上端を液面より低い位置に配している第１仕切り板を備えており、上端を液面より高い位置に配するとともに、下端を、液面より低く、かつ、通過経路の底部に密着することを回避するように配している第２仕切り板を、液体の流通経路に備えており、上記第２仕切り板の下端が、第１仕切り板の上端よりも低い位置に配されており、上記第２仕切り板が、第１仕切り板よりも下流側に配されており、上記第１仕切り板が、その上端を上流側に傾けるように配されている構成である。
【０１８９】
本除去機構では、液体の流通経路内に、下端を通過経路の底部に密着させるとともに、上端を液面より低い位置に配している第１仕切り板を備えている。そして、この第１仕切り板によって、流通経路における液面近傍以外の部位を塞ぐようになっている。これにより、本除去機構では、第１仕切り板の設置部位において、液体を、第１仕切り板の上側を通過させるようになる。
【０１９０】
従って、本除去機構では、流通経路内の底部付近を流れている液体は、第１仕切り板に沿って上向きに流動することとなる。このとき、底部付近を浮遊している重異物は、このような上向きの流動に乗りにくいため、第１仕切り板の下端付近に沈降・堆積され、この板よりも下流側に流れなくなる。
【０１９１】
このように、本除去機構では、重異物の流れを、第１仕切り板によって遮ることが可能となる。
これにより、本除去機構では、流通経路に重異物用のフィルターを設けることなく、重異物を液体から除去できる。従って、フィルターのメンテナンスを軽減できるため、異物除去（すなわち液流処理）にかかる費用を低減することが可能となる。
なお、第１仕切り板の両側面は、流通経路の側壁面に密着していることが好ましい。
【０１９２】
また、本除去機構では、上端を液面より高い位置に配するとともに、下端を、液面より低く、かつ、通過経路の底部に密着することを回避するように配している第２仕切り板を、液体の流通経路に備えている。
【０１９３】
この構成では、第２仕切り板によって、流通経路における底部付近以外の部位を塞ぐようになっている。これにより、本除去機構では、第２仕切り板の設置部位において、液体を、第２仕切り板の下端より下側を通過させるようになる。
【０１９４】
従って、この構成では、流通経路内の液面付近を流れている液体は、第２仕切り板に沿って下向きに流動することとなる。このとき、液面付近を浮遊している軽異物は、このような下向きの流動に乗りにくいため、第２仕切り板付近の液面上に浮遊・蓄積され、この板よりも下流側に流れなくなる。
【０１９５】
このように、この構成では、軽異物の流れを、第２仕切り板によって遮ることが可能となる。これにより、流通経路に軽異物用のフィルターを設けることなく、軽異物を液体から除去できる。従って、フィルターのメンテナンスをさらに軽減できるため、異物除去（すなわち液流処理）にかかる費用を、より低減することが可能となる。
なお、第２仕切り板の両側面は、少なくとも液面以下の部位では、流通経路の側壁面に密着していることが好ましい。
【０１９６】
また、本除去機構では、第２仕切り板の下端を、第１仕切り板の上端よりも低い位置に配している。これにより、流通経路内に、仕切り板に遮られないような高さ部位をなくせるので、液流の中央付近を流れている異物のすり抜けを抑制できる。
【０１９８】
また、本除去機構では、第２仕切り板を、第１仕切り板の下流側に配している。この構成では、流通経路の底部付近の液体は、第１仕切り板に遮られて上向きの流動を形成し、その後、第２仕切り板によって下向きの流動となって、さらに下流に流れてゆく。このため、たまたま底部付近の流れにのっていた軽異物を、第１仕切り板によって液面付近に誘導し、第２仕切り板で捉えることが可能となる。これにより、軽異物の除去効果を向上できる。
【０１９９】
また、本除去機構では、第１仕切り板を、その上端を上流側に傾けるように配している。この構成では、上端を上流側に傾けることで、第１仕切り板と液面の法線方向との角度（第１仕切り板の角度）が９０度よりも小さくなる。従って、第１仕切り板を越えた液体の流動を滑らかにできる。
【０２００】
すなわち、第１仕切り板の角度を９０度とする場合には、第１仕切り板を越えた（オーバーフローした）液体は、第２仕切り板と第１仕切り板との間の領域における流通経路の底部に向かって、垂直落下することとなる。
一方、第１仕切り板の上端を上流側に傾け、第１仕切り板の角度を９０度以下とする場合には、上記の領域における底部に向かう液体の流れを、より緩やかにできる。従って、液体を底部に衝突させる際の衝撃を緩和でき、気泡の発生を抑制できる。
【０２０１】
また、この構成では、第２仕切り板を、第１仕切り板と平行に配することが好ましい。これらを平行とすることで、第１仕切り板と第２仕切り板との間の領域における液流面積（仕切り板の間隔に応じた面積）を一定に保てる。
これにより、液体の流速・流圧の変動を抑制できるので、この領域において液面上に浮いている（浮こうとしている）軽異物を、液体の流動に巻き込んでしまうこと、および、気泡の発生等を回避できる。
【０２０２】
また、液体の流通経路に、異物除去のための槽（タンク）である異物除去槽を設けるようにしてもよい。この異物除去槽は、第１仕切り板および第２仕切り板と、液体を自身に流入させるための流入ノズルと、液体を排出するための排出口とを備えたものである。
【０２０３】
そして、この構成では、異物除去槽の側面（液体の流動方向において上流側の側面）と第１仕切り板との間の領域（第１領域）に、流入ノズルからの液体の噴出を受けることとなる。
【０２０４】
また、この構成では、流入ノズルが、第１領域における液面より低い位置に、液体を噴出するように設定されていることが好ましい。これにより、第１領域における液面の上から液体を滴下させることを回避できるため、滴下による気泡の発生を防止できる。
【０２０５】
また、流入ノズルを第１仕切り板の上端よりも低い位置に液体を噴出するように設定することは、さらに好ましいといえる。すなわち、この構成では、第１領域に流入された液体の流動は、必ず上向きとなって、第２仕切り板と第１仕切り板との間の領域（第２領域）に向かうようになる。従って、上記のように設定すれば、第１領域に流入された重異物を、第１領域の底部に沈ませることが容易となる。
【０２０６】
また、流入ノズルは、第１領域の底部に堆積している異物（重異物）を巻き上げることを回避するように、液体を噴出するように設定されていることが好ましい。すなわち、液体の噴出力が底部にあまり影響しないように、流入ノズルから噴出される液体の流速，流圧，流量，流動方向（流方向）を設定することが好ましい。
【０２０７】
このような設定は、例えば、流入ノズルを、液体を噴出するための複数の開口部を側面に備えた円筒形状とすることで実現できる。この構成では、複数の開口部から液体を噴出させるため、液体の流圧を抑えられ、異物に与える影響（圧力）を小さくできる。
【０２０８】
また、異物除去槽を、液体の流入・排出を伴う処理を行うための液流処理槽と一体的に形成するようにしてもよい。この構成では、第２仕切り板を通過した液体は、液流処理槽に直接的に流入される。これにより、液流処理装置の構成を簡略化できる。
【０２０９】
なお、異物除去槽を、液流処理槽の一部として構成してもよい。この構成では、液流処理槽の一部（上流側部位）に、第１・第２仕切り板や流入ノズルが配置される。また、流入ノズル・排出口は、液流処理槽における液体の流入・排出の機能を果たすこととなる。
【０２１０】
また、本除去機構では、第１の仕切り板を複数備える（例えば複数並設する）ようにしてもよい。これにより、重異物の除去効果を向上させられる。
また、本除去機構では、第１および第２仕切り板の少なくとも一方を複数枚とするようにしてもよい。第１の仕切り板を増やせば、重異物の除去効果を向上できる。また、第２の仕切り板を増加させた場合には、軽異物の除去効果を高められる。
【０２１１】
また、本除去機構では、流通経路における第１仕切り板の上流側底部に、異物排出用ドレイン配管を備えることが好ましい。本除去機構では、第１仕切り板の上流側底部に、重異物を蓄積させるように設定されている。従って、この部位に異物排出用ドレインを設けることで、重異物の回収を容易に行える。
【０２１２】
なお、本除去機構では、液体の流通経路に、異物除去用のフィルターを備えるようにしてもよい。このように、本除去機構において、第１・第２仕切り板とフィルターとを併用して異物を除去することで、異物除去の効果をより高められる。
【０２１３】
ここで、上記したように、本除去機構では、第１・第２仕切り板によって異物の大半を除去できる。従って、このようにフィルターを用いても、その数を少なくできるとともに、交換までの時間（寿命）を非常に長くできるため、メンテナンスにかかる費用を非常に低くできる。
【０２１４】
また、上記したような本除去機構と、液体の流入・排出を伴う処理を行うための液流処理槽とを組み合わせれば、異物の除去された液体を用いて良好な液流処理を行える液流処理装置を容易に構成できる。
【０２１５】
例えば、液体として金メッキ用のメッキ液を用い、液流処理槽として、半導体デバイスを組込んだ半導体基板の所定の位置に、金メッキからなるバンプ電極を形成するメッキ槽を用いることが可能である。このようにすれば、良質な金メッキ処理を施せるメッキ処理装置を実現できる。
【０２１６】
また、本発明の異物除去方法は、液体の流入・排出を伴う処理である液流処理に用いる液体から異物を除去するための異物除去方法において、上記液体は金メッキ用のメッキ液であり、液体の流通経路の底部に下端を密着させるとともに、上端を液面より低い位置に配している第１仕切り板、及び上端を液面より高い位置に配するとともに、下端を、液面より低く、かつ、液体の流通経路に備えられた、通過経路の底部に密着することを回避するように配している第２仕切り板によって異物を除去し、上記第２仕切り板の下端が、第１仕切り板の上端よりも低い位置に配されており、上記第２仕切り板が、第１仕切り板よりも下流側に配されており、上記第１仕切り板が、その上端を上流側に傾けるように配されていることを特徴としている。
【０２１７】
この異物除去方法は、上記した本除去機構において採用されている方法である。すなわち、この方法では、重異物の流れを、第１仕切り板によって遮ることが可能となる。これにより、流通経路に重異物用のフィルターを設けることなく、重異物を液体から除去できる。従って、フィルターのメンテナンスを軽減できるため、異物除去（すなわち液流処理）にかかる費用を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態にかかるメッキ処理装置（本処理装置）の構成を示す説明図である。
【図２】本処理装置のメッキ槽によって、半導体基板に対して電解メッキ法によるメッキ処理を施している状態を示す説明図である。
【図３】本処理装置における仕切り板の角度を示す説明図である。
【図４】本処理装置の構成において、第２仕切り板に続いて、第３仕切り板および第４仕切り板を設けた構成を示す説明図である。
【図５】本処理装置の構成において、第１仕切り板と同様の仕切り板を複数枚設けた構成を示す説明図である。
【図６】従来のメッキ処理装置の構成を示す説明図である。
【符号の説明】
１０ 循環パイプ（流通経路）
１１ メッキ槽（液流処理槽）
１１ａ 側面
１１ｂ 側面
１２ メッキ液供給ノズル（流入ノズル）
１２ａ 開口部
１３ メッキ液排出ノズル（排出口）
１４ 循環ポンプ
１７ メッキ液（液体）
１８ 異物排出用ドレイン配管
１９ フィルター
３１ 半導体基板

Claims (12)

1. 液体の流入・排出を伴う処理である液流処理に用いる液体から異物を除去するための異物除去機構において、
   上記液体は金メッキ用のメッキ液であり、
   液体の流通経路の底部に下端を密着させるとともに、上端を液面より低い位置に配している第１仕切り板を備えており、
   上端を液面より高い位置に配するとともに、下端を、液面より低く、かつ、通過経路の底部に密着することを回避するように配している第２仕切り板を、液体の流通経路に備えており、
   上記第２仕切り板の下端が、第１仕切り板の上端よりも低い位置に配されており、
   上記第２仕切り板が、第１仕切り板よりも下流側に配されており、
   上記第１仕切り板が、その上端を上流側に傾けるように配されていることを特徴とする異物除去機構。
2. 上記第２仕切り板を、第１仕切り板と平行に配することを特徴とする請求項１に記載の異物除去機構。
3. 上記の第１仕切り板および第２仕切り板と、液体を自身に流入させるための流入ノズルと、液体を排出するための排出口とを備えた異物除去槽を液体の流通経路に設けており、
   この異物除去槽の流入ノズルが、異物除去槽の側面と第１仕切り板との間に形成される第１領域における、液面より低い位置に液体を噴出するように設定されていることを特徴とする請求項１に記載の異物除去機構。
4. 上記流入ノズルが、第１仕切り板の上端よりも低い位置に液体を噴出するように設定されていることを特徴とする請求項３に記載の異物除去機構。
5. 上記流入ノズルが、液体を噴出するための複数の開口部を側面に備えた円筒形状を有していることを特徴とする請求項４に記載の異物除去機構。
6. 上記異物除去槽が、液体の流入・排出を伴う処理を行うための液流処理槽と一体的に形成されていることを特徴とする請求項３に記載の異物除去機構。
7. 上記第１および第２仕切り板の少なくとも一方が複数備えられていることを特徴とする請求項１に記載の異物除去機構。
8. 流通経路における第１仕切り板の上流側底部に、異物排出用ドレイン配管を備えていることを特徴とする請求項１に記載の異物除去機構。
9. 液体の流通経路に、異物除去用のフィルターを備えていることを特徴とする請求項１に記載の異物除去機構。
10. 請求項１〜９のいずれかに記載の異物除去機構と、液体の流入・排出を伴う処理を行うための液流処理槽とを備えた液流処理装置。
11. 上記液流処理槽が、半導体デバイスを組込んだ半導体基板の所定の位置に、金メッキからなるバンプ電極を形成するメッキ槽であることを特徴とする請求項１０に記載の液流処理装置。
12. 液体の流入・排出を伴う処理である液流処理に用いる液体から異物を除去するための異物除去方法において、
    上記液体は金メッキ用のメッキ液であり、
    液体の流通経路の底部に下端を密着させるとともに、上端を液面より低い位置に配している第１仕切り板、及び上端を液面より高い位置に配するとともに、下端を、液面より低く、かつ、液体の流通経路に備えられた、通過経路の底部に密着することを回避するように配している第２仕切り板によって異物を除去し、
    上記第２仕切り板の下端が、第１仕切り板の上端よりも低い位置に配されており、
    上記第２仕切り板が、第１仕切り板よりも下流側に配されており、
    上記第１仕切り板が、その上端を上流側に傾けるように配されていることを特徴とする異物除去方法。

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