CN1558254A - 闪烁体面板 - Google Patents

闪烁体面板 Download PDF

Info

Publication number
CN1558254A
CN1558254A CNA2004100617934A CN200410061793A CN1558254A CN 1558254 A CN1558254 A CN 1558254A CN A2004100617934 A CNA2004100617934 A CN A2004100617934A CN 200410061793 A CN200410061793 A CN 200410061793A CN 1558254 A CN1558254 A CN 1558254A
Authority
CN
China
Prior art keywords
scintillator
diaphragm
convex
concavo
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2004100617934A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1260580C (zh
Inventor
���ٺ���
佐藤宏人
Ҳ
本目卓也
高林敏雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hamamatsu Photonics KK
Original Assignee
Hamamatsu Photonics KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hamamatsu Photonics KK filed Critical Hamamatsu Photonics KK
Publication of CN1558254A publication Critical patent/CN1558254A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1260580C publication Critical patent/CN1260580C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2002—Optical details, e.g. reflecting or diffusing layers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/202—Measuring radiation intensity with scintillation detectors the detector being a crystal

Landscapes

  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)

Abstract

一种具备在FOP(10)上边形成的具有潮解性的闪烁体(12)和覆盖闪烁体(12)的聚对二甲苯膜(14)的闪烁体面板(2)，其特征是：FOP(10)在该FOP上边的聚对二甲苯膜(14)所接触的侧壁上具备防止保护膜剥落的凹凸(10a)。

Description

闪烁体面板
本申请是浜松光子学株式会社于1999年6月18日申请的、申请号为99808672.X，发明名称为“闪烁体面板和放射线图象传感器”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及在医疗用的X射线摄影等中使用的闪烁体面板。
技术背景
在医疗、工业用的X射线摄影中，虽然一直都在使用X射线感光胶片，但是，从便利性或摄影结果的保存性方面考虑，使用放射线探测器件的放射线图象系统已普及开来。在这样的放射线图象系统中，作为电信号，借助于放射线探测器件取得由2维的放射线得到的图象数据，并用处理装置对该信号进行处理后显示在监视器上。
以往，作为构成放射线探测器件的闪烁体面板，人们熟知已在特开昭63-215987号公报中公开的闪烁体面板。该闪烁体面板，虽然在纤维光学板(FOP，Fiber Optical Plate)、即使多条光纤形成一束构成的光学构件上边形成由作为典型的闪烁体材料的CsI构成的闪烁体，但是，由于该闪烁体具有潮解性，故采用在闪烁体层的上部形成不透水性的保护膜的办法，保护闪烁体免受湿气影响。
但是，由FOP的侧壁已借助于研磨变成为平滑的面可知，有时候聚对二甲苯膜会剥落。即，在把使用聚对二甲苯膜保护闪烁体的闪烁体面板结合到摄象器件(例如，CCD、MOS型固体图象传感器)上的情况下，要用手指或镊子等把FOP的侧壁夹住，或者为了严密地进行与摄象器件之间的位置对准有时候还要用夹具夹住FOP的侧壁，但在这种情况下，聚对二甲苯膜常常会因作用到聚对二甲苯膜上的摩擦力而被剥落，有时候会产生水分从那里侵入进来使闪烁体的特性特别是析象清晰度劣化的问题。
本发明的目的在于提供可以防止闪烁体的保护膜剥落的闪烁体面板和放射线图象传感器。
发明的公开
本发明是一种具备在基板上边形成的闪烁体和覆盖闪烁体的透明有机膜的闪烁体面板，其特征是：基板在该基板上边的上述透明有机膜所接触的部分的至少一部分上，具备防止保护膜剥落的凹凸。
倘采用本发明，由于用来保护闪烁体的透明有机膜形成为使得陷入到设置在基板上的防止保护膜剥落的凹凸内，故借助于防止保护膜剥落的凹凸，就可以防止透明有机膜的剥落而不增大透明有机膜与基板之间的接触面积。
本发明的特征是，在闪烁体面板的侧壁上具备防止保护膜剥落的凹凸。倘采用本发明，由于在闪烁体面板的侧壁上设置有防止保护膜剥落的凹凸，故即便是在从基板的背面向表面方向等作用有摩擦力的情况下，也可以防止透明有机膜的剥落。
本发明的特征是，闪烁体面板的基板是纤维光学板。倘采用本发明，则即便是在通过纤维光学板进行与摄象器件之间的结合，构成放射线图象传感器的情况下，也可以防止透明有机膜的剥落。
本发明的特征是，闪烁体面板的基板是Al制基板。此外，本发明的特征是，闪烁体面板的基板是以碳素为主成分的基板。
本发明的放射线图象传感器的特征是，在闪烁体面板的基板一侧还具备摄象器件。此外，本发明的放射线图象传感器的特征在于，在闪烁体面板的闪烁体的顶端部分一侧还具备摄象器件。倘采用本发明的放射线图象传感器，由于把用来保护闪烁体的透明有机膜形成为使得陷入到设置在基板上的防止保护膜剥落的凹凸内，故借助于防止保护膜剥落的凹凸，就可以防止透明有机膜的剥落而不增大透明有机膜与基板之间的接触面积。
在具备已形成了摄象器件的具有潮解性的闪烁体、和覆盖闪烁体的透明有机膜的放射线图象传感器中，本发明的特征是，摄象器件在该摄象器件的上述透明有机膜所接触的部分的至少一部分上，具备防止保护膜剥落的凹凸。倘采用本发明，由于把用来保护闪烁体的透明有机膜形成为使得陷入到设置在摄象器件上的防止保护膜剥落的凹凸内，故借助于防止保护膜剥落的凹凸，就可以防止透明有机膜的剥落而不增大透明有机膜与摄象器件之间的接触面积。
本发明的放射线图象传感器的特征在于，放射线图象传感器的摄象器件在侧壁上具备防止保护膜剥落的凹凸。倘采用本发明，由于在摄象器件的侧壁上设置有防止保护膜剥落的凹凸，故即便是在从摄象器件的背面向表面方向等作用有摩擦力的情况下，也可以防止透明有机膜的剥落。
附图的简单说明
图1是本发明的实施例的闪烁体面板的剖面图。
图2是本发明的实施例的放射线图象传感器的剖面图。
图3A示出了本发明的实施例的闪烁体面板的制造工序。
图3B示出了本发明的实施例的闪烁体面板的制造工序。
图3C示出了本发明的实施例的闪烁体面板的制造工序。
图4A示出了本发明的实施例的闪烁体面板的制造工序。
图4B示出了本发明的实施例的闪烁体面板的制造工序。
图5A示出了本发明的实施例的闪烁体面板的剖面图。
图5B示出了本发明的实施例的闪烁体面板的剖面图。
图6A示出了本发明的实施例的基板的表面粗糙度Ra与研磨该基板的微粒的粒度之间的关系。
图6B示出了本发明的实施例的基板的表面粗糙度Rmax与研磨该基板的微粒的粒度之间的关系。
图7A示出了基板的表面粗糙度Ra和无定形碳基板与保护膜之间的贴紧性之间的关系。
图7B示出了基板的表面粗糙度Rmax和无定形碳基板与保护膜之间的贴紧性之间的关系。
优选实施例
以下，参看附图，说明本发明的实施例。图1是实施例的闪烁体面板2的剖面图。如图1所示，在闪烁体面板2的FOP10的侧壁上，设有防止保护膜剥落的凹凸10a。此外，在FOP10的一个表面上形成了使入射进来的放射线变换成可见光的柱状构造的闪烁体12，该闪烁体12可以使用Tl掺杂的CsI。
在该FOP10上形成的闪烁体12，用作为保护膜的第1聚对二甲苯膜(透明有机膜)14覆盖起来，第1聚对二甲苯膜14的端部被形成为陷入到防止保护膜剥落的凹凸10a内。此外，在第1聚对二甲苯膜14的表面上形成Al膜16，再在Al膜16的表面和未形成Al膜16的第1聚对二甲苯膜14的表面上，形成第2聚对二甲苯膜18。该闪烁体面板2通过FOP与未画出来的摄象器件(例如CCD、薄膜晶体管+光敏二极管阵列、MOS型固体摄象器件)进行结合，作为放射线图象传感器使用。
此外，图2是实施例的放射线图象传感器4的剖面图。如图2所示，在放射线图象传感器4的摄象器件(CCD)20的侧壁上设置有防止保护膜剥落的凹凸20a。此外，在摄象器件20的受光面上形成有柱状构造的闪烁体12。该闪烁体12被作为保护膜的第1聚对二甲苯膜(透明有机膜)14覆盖起来，第1聚对二甲苯膜14的端部被形成为陷入到防止保护膜剥落的凹凸20a内。此外，在第1聚对二甲苯膜14的表面上形成Al膜16，再在Al膜16的表面和未形成Al膜16的第1聚对二甲苯膜14的表面上，形成第2聚对二甲苯膜18。
其次，参看图3A～图4B，对闪烁体面板2的制造工序进行说明。首先，在FOP10的侧壁上形成防止保护膜剥落的凹凸10a(参看图3A)。即，在用乙烯绝缘带把FOP10的侧壁以外的部分保护起来的状态下，用#800号粒度的氧化铝，在2kg/cm2的压力下进行喷砂处理。另外，借助于该喷砂处理，通过使用表面粗糙度测定器(サ-フコム600A，东京精密)的表面粗糙度测定，形成将变成为Ra＝0.32、Rmax＝2.1微米(其中，Ra(中心线平均粗糙度)、Rmax(最大高度)是由JIS-B0601规定的)的防止保护膜剥落的凹凸10a。
其次，在FOP10的一个表面上，用蒸镀法生长掺入了Tl的CsI柱状结晶，形成厚度200微米的闪烁体12(参看图3B)。由于吸湿性高且若保持露出来的原状放置则吸收空气中的水分而潮解，故为了防止这种现象要用CVD法形成第1聚对二甲苯膜14。即，把已形成了闪烁体12的基板10放置到CVD装置内，成膜10微米厚度的第1聚对二甲苯膜14。借助于此，一直到闪烁体12的整个表面和在FOP10的侧壁上设置防止保护膜剥落的凹凸10a的位置为止，形成第1聚对二甲苯膜14(参看图3C)。
其次，在闪烁体12一侧的第1聚对二甲苯膜14的表面上，蒸镀厚度为300nm的Al膜16。在这里，由于Al膜16是以提高闪烁体12的耐湿性为目的，故要在覆盖闪烁体12的范围内形成。
此外，在Al膜16的表面和未形成Al膜16的第1聚对二甲苯膜14的表面上，再次用CVD法以10微米的厚度蒸镀第2聚对二甲苯膜18(参看图4B)。采用使该工序结束的办法，结束闪烁体面板2的制造。
另外，图2所示的放射线图象传感器4，用与闪烁体面板2的制造方法同样的方法制造。即，在摄象器件20的侧壁上用与在FOP10的侧壁上形成防止保护膜剥落的凹凸10a的方法同样的方法形成防止保护膜剥落的凹凸20a。其次，用与制造闪烁体面板的情况下同样的方法，形成闪烁体12，在闪烁体12上边形成第1聚对二甲苯膜14、Al膜16和第2聚对二甲苯膜18。采用使该工序结束的办法，结束放射线图象传感器4的制造。
倘采用本实施例的闪烁体面板2，则由于已在FOP10的侧壁上设置了防止保护膜剥落的凹凸10a，故可以防止第1聚对二甲苯膜14的端部因摩擦等而剥落的现象。此外，倘采用本实施例的放射线图象传感器4，由于已在摄象器件20的侧壁上设置了防止保护膜剥落的凹凸20a，故可以防止第1聚对二甲苯膜14的端部因摩擦等而剥落的现象。因此，可以显著地提高闪烁体12的耐湿性。
另外，在上述的实施例中，虽然采用对FOP10的侧壁，用#800号粒度的氧化铝，用2kg/cm2的压力进行喷砂处理的办法，形成防止保护膜剥落的凹凸10a，但也可以采用对#1500号粒度的氧化铝，用2kg/cm2的压力进行喷砂处理的办法形成防止保护膜剥落的凹凸10a。在这种情况下，通过使用表面粗糙度测定器(サ-フコム600A，东京精密)的表面粗糙度测定，形成将变成为Ra＝0.19微米、Rmax＝1.42微米的防止保护膜剥落的凹凸。
此外，也可以借助于准分子激光的照射、湿法刻蚀处理等形成防止保护膜剥落的凹凸10a。其中，在采用准分子激光照射的情况下，例如，在设置500微米(l)×10微米(w)×10微米(d)的沟的情况下，理想的是每1mm2形成3个以上。此外，理想的是沟的宽度(w)/深度(d)的比率在1.0以下。
此外，在采用湿法刻蚀处理的情况下，在已对FOP10的侧壁以外的部分进行了保护的状态下，可以采用在HNO3溶液中浸泡5分钟的办法，形成无数个深度5微米的凹凸。此外，还可以采用在FOP10的侧壁上用铣刀等划伤的办法形成防止保护膜剥落的凹凸10a。再有，也可以借助于碳随机研磨的办法形成防止保护膜剥落的凹凸10a。
此外，在上述的实施例中，作为闪烁体虽然使用的是CsI(Tl)，但并不限于此，也可以使用CsI(Na)、NaI(Tl)、LiI(Eu)、KI(Tl)等。
此外，在上述的实施例中，作为形成闪烁体的基板虽然使用的是FOP，作为摄象器件虽然使用的是CCD，其他也可以使用作为X射线透过性良好的Al制的基板，C(石墨)制的基板以及无定形碳制的基板等以碳为主成分的基板、Be制的基板、SiC制的基板等。此外，也可以使用玻璃制的基板。
图5A和图5B示出了在无定形碳制的基板30的表面上形成闪烁体12，形成了用来保护该闪烁体12的第1聚对二甲苯膜14、透明无机膜(SiO2膜)22和第2聚对二甲苯膜18的闪烁体面板。该图5A和图5B所示的闪烁体面板，其无定形碳制基板30和闪烁体12的整个面都被第1聚对二甲苯膜14和第2聚对二甲苯膜18覆盖起来。即便是在这些情况下，在图5A的闪烁体面板中，采用在无定形碳制基板30的已经形成了闪烁体12的面的未形成闪烁体12的部分上，形成防止保护膜剥落的凹凸30a的办法，在图5B的闪烁体面板中，采用在Al制基板30的未形成闪烁体12的面上，形成防止保护膜剥落的凹凸30a的办法，也可以防止在无定形碳制基板30的表面上形成的第1聚对二甲苯膜14的脱离，可以防止聚对二甲苯膜的剥落。另外，在这种情况下，也可以再在Al制基板30的侧壁上设置防止保护膜剥落的凹凸。在这里，作为透明无机膜，Al2O3、TiO2、In2O3、SnO2、MgO、SiN、MgF2、LiF、CaF2、AgCl、SiNO等哪一个都可以。
在这里，在制作上述实施例的闪烁体面板时，对基板与保护膜之间的贴紧性和防止保护膜剥落的凹凸的大小之间的关系进行了研究。用从#600到#10000的粒度不同的SiC研磨微粉(#600、#800、#1000、#1500、#2000、#4000、#10000等7种)研磨具有1mm厚度的无定形碳(a-C)板，制成表面粗糙度不同的无定形碳基板，然后，用粗糙度测定器，测定表面粗糙度Ra和Rmax。研磨微粉的粒度与Ra、Rmax的关系示于图6A和图6B。
其次，向这样制成的每一块无定形碳基板上蒸镀200微米CsI，然后，用CVD法成膜聚对二甲苯膜，对CsI与无定形碳基板之间的贴紧性，特别是对在图5B的防止保护膜剥落的凹凸部分30a处的基板与保护膜之间的贴紧性和Ra、Rmax之间的关系进行研究，得到了图7A和图7B所示的结果。
由这些图可知，对贴紧性有效的，是在Ra为0.1微米以上、Rmax为0.8微米以上的无定形碳基板上边形成了膜的情况。
就是说，可知在把这些、FOP、无定形碳作为基板使用的情况下，作为防止保护膜剥落的凹凸起作用的表面粗糙度，Ra为0.1微米以上、Rmax为0.8微米以上。
使用该无定形碳基板30的闪烁体面板，可以采用把摄象器件配置在闪烁体12的顶端部分一侧的部分作为放射线图象传感器使用。另外，在把Al制基板和Be制基板用做基板的情况下，也可以同样地作为放射线图象传感器使用。此外，在使用玻璃基板的情况下，可以采用中间存在着透镜把摄象器件配置在玻璃基板一侧的办法，作为放射线图象传感器使用。
这样一来，对于以上所说的防止保护膜剥落的凹凸的大小，不仅FOP、无定形碳基板，即便是Al制基板、其它的材料的基板也都是一样的。此外，在上述的实施例的保护膜中，除去聚对二甲苯之外，还含有聚单氯代对二甲苯、聚二氯代对二甲苯、聚四氯代对二甲苯、聚氟代对二甲苯、聚二甲基对二甲苯、聚二乙基对二甲苯等。
倘采用本发明的闪烁体面板，由于把用来保护闪烁体的透明有机膜形成为陷入到设置在基板上的防止保护膜剥落的凹凸内，故可以借助于防止保护膜剥落的凹凸扩大透明有机膜与基板之间的接触面积，防止透明有机膜的剥落，可以提高闪烁体的耐湿性。此外，在闪烁体面板的基板在侧壁上具备防止保护膜剥落的凹凸的情况下，即便是从基板的背面向表面方向作用摩擦力的情况下，也可以防止透明有机膜的剥落。
此外，倘采用本发明的放射线图象传感器，由于把用来保护闪烁体的透明有机膜形成为陷入到设置在摄象器件上的防止保护膜剥落的凹凸内，故可以借助于防止保护膜剥落的凹凸扩大透明有机膜与摄象器件之间的接触面积，防止透明有机膜的剥落，可以提高闪烁体的耐湿性。此外，在摄象器件的侧壁上具备防止保护膜剥落的凹凸的情况下，即便是从摄象器件的背面向表面方向作用摩擦力的情况下，也可以防止透明有机膜的剥落。
工业上利用的可能性
如上所述，本发明的闪烁体面板和放射线图象传感器适合于在医疗、工业用的X射线摄影中使用。

Claims (3)

1.一种具备在纤维光学板的一个表面上形成的柱状构造的闪烁体和覆盖上述闪烁体的有机膜的闪烁体面板，其特征是：
在上述纤维光学板的侧壁上具备防止保护膜脱落的凹凸，上述防止保护膜脱落的凹凸形成于上述纤维光学板的与上述有机膜接触的部分，以使上述有机膜覆盖上述防止保护膜脱落的凹凸，并且
上述有机膜不覆盖纤维光学板的与形成有上述闪烁体的表面相反一侧的表面。
2.权利要求1所述的闪烁体面板，其特征是：作为上述防止保护膜脱落的凹凸的表面粗糙度，中心线平均粗糙度Ra大于等于0.1μm，最大高度粗糙度Rmax大于等于0.8μm。
3.权利要求1所述的闪烁体面板，其特征是：上述有机膜是透明有机膜。
CN200410061793.4A 1998-06-18 1999-06-18 闪烁体面板 Expired - Lifetime CN1260580C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP171190/1998 1998-06-18
JP17119098 1998-06-18

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB99808672XA Division CN1163762C (zh) 1998-06-18 1999-06-18 闪烁体面板和放射线图象传感器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1558254A true CN1558254A (zh) 2004-12-29
CN1260580C CN1260580C (zh) 2006-06-21

Family

ID=15918689

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200410061793.4A Expired - Lifetime CN1260580C (zh) 1998-06-18 1999-06-18 闪烁体面板
CNB99808672XA Expired - Lifetime CN1163762C (zh) 1998-06-18 1999-06-18 闪烁体面板和放射线图象传感器

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB99808672XA Expired - Lifetime CN1163762C (zh) 1998-06-18 1999-06-18 闪烁体面板和放射线图象传感器

Country Status (7)

Country Link
US (2) US6573506B2 (zh)
EP (2) EP1684095B1 (zh)
JP (1) JP3691392B2 (zh)
CN (2) CN1260580C (zh)
AU (1) AU4168599A (zh)
DE (1) DE69931059T2 (zh)
WO (1) WO1999066350A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112654896A (zh) * 2018-09-04 2021-04-13 佳能电子管器件株式会社 放射线检测器、放射线检测器的制造方法和装置、闪烁体面板、闪烁体面板的制造方法和装置

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7034306B2 (en) 1998-06-18 2006-04-25 Hamamatsu Photonics K.K. Scintillator panel and radiation image sensor
AU3168199A (en) 1999-04-09 2000-11-14 Hamamatsu Photonics K.K. Scintillator panel and radiation ray image sensor
WO2001051952A1 (fr) * 2000-01-13 2001-07-19 Hamamatsu Photonics K.K. Capteur d'image radiologique et panneau de scintillateurs
JP4234304B2 (ja) * 2000-05-19 2009-03-04 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器
US7151263B2 (en) * 2000-05-19 2006-12-19 Hamamatsu Photonics K.K. Radiation detector and method of manufacture thereof
JP4398065B2 (ja) * 2000-05-19 2010-01-13 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器
EP1879050A3 (en) * 2000-09-11 2008-03-26 Hamamatsu Photonics K.K. Scintillator panel, radiation image sensor and methods of producing them
AU2001284525A1 (en) * 2000-09-11 2002-03-26 Hamamatsu Photonics K.K. Scintillator panel, radiation image sensor and methods of producing them
CN1264026C (zh) * 2001-01-30 2006-07-12 浜松光子学株式会社 闪烁器板及射线图象传感器
JP4878427B2 (ja) * 2001-09-07 2012-02-15 キヤノン株式会社 シンチレータパネル、放射線撮像装置及び放射線検出システム
US6835936B2 (en) * 2001-02-07 2004-12-28 Canon Kabushiki Kaisha Scintillator panel, method of manufacturing scintillator panel, radiation detection device, and radiation detection system
US6847041B2 (en) * 2001-02-09 2005-01-25 Canon Kabushiki Kaisha Scintillator panel, radiation detector and manufacture methods thereof
US6803583B2 (en) * 2001-03-21 2004-10-12 M.E. Taylor Engineering Inc. Scintillator for electron microscope and method of making
EP1286364B1 (en) * 2001-08-23 2008-05-28 Agfa HealthCare NV A phosphor panel with good humidity resistance
EP1286365A3 (en) * 2001-08-23 2005-10-05 Agfa-Gevaert N.V. Moistureproof phosphor screens for use in radiation detectors
JP4907799B2 (ja) * 2001-08-24 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 撮像装置
JP4587432B2 (ja) * 2001-08-30 2010-11-24 キヤノン株式会社 シンチレータパネル、放射線検出装置及びシステム
US7126130B2 (en) * 2001-12-06 2006-10-24 General Electric Company Direct scintillator coating for radiation detector assembly longevity
US6720561B2 (en) 2001-12-06 2004-04-13 General Electric Company Direct CsI scintillator coating for improved digital X-ray detector assembly longevity
US7193225B2 (en) * 2002-08-29 2007-03-20 Konica Corporation Radiation image conversion panel and preparation method thereof
JP4543606B2 (ja) * 2002-12-25 2010-09-15 コニカミノルタホールディングス株式会社 放射線画像変換パネル及び放射線画像変換パネルの製造方法
US7315027B2 (en) * 2003-10-22 2008-01-01 Canon Kabushiki Kaisha Radiation detection device, scintillator panel, method of making the same, making apparatus, and radiation image pick-up system
DE102004025120B4 (de) * 2004-05-21 2012-04-19 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines Röntgendetektors
JP4920994B2 (ja) 2006-03-02 2012-04-18 キヤノン株式会社 シンチレータパネル、放射線検出装置及び放射線検出システム
US7405406B1 (en) * 2006-04-21 2008-07-29 Radiation Monitoring Devices, Inc. Two-sided scintillation detectors and related methods
CN101542635B (zh) 2007-03-27 2013-01-23 株式会社东芝 闪烁器板和射线检测器
DE102008033759B4 (de) 2008-07-18 2011-01-20 Siemens Aktiengesellschaft Szintillatorplatte
JP2010060414A (ja) * 2008-09-03 2010-03-18 Konica Minolta Medical & Graphic Inc シンチレータプレート
US9911781B2 (en) * 2009-09-17 2018-03-06 Sionyx, Llc Photosensitive imaging devices and associated methods
DE102009060315A1 (de) * 2009-12-23 2011-06-30 Siemens Aktiengesellschaft, 80333 Zählender Röntgendetektor
GB2477346B (en) * 2010-02-01 2016-03-23 Scintacor Ltd Scintillator assembly for use in digital x-ray imaging
JP5686993B2 (ja) * 2010-06-04 2015-03-18 浜松ホトニクス株式会社 シンチレータパネル及び放射線イメージセンサ
JP5883556B2 (ja) * 2010-06-04 2016-03-15 浜松ホトニクス株式会社 放射線イメージセンサ
US8829454B2 (en) 2012-02-27 2014-09-09 Analog Devices, Inc. Compact sensor module
JP5922518B2 (ja) * 2012-07-20 2016-05-24 浜松ホトニクス株式会社 シンチレータパネル及び放射線検出器
JP6041594B2 (ja) * 2012-09-14 2016-12-14 浜松ホトニクス株式会社 シンチレータパネル、及び、放射線検出器
JP6298264B2 (ja) 2012-10-31 2018-03-20 キヤノン株式会社 シンチレータ、放射線検出装置、および、それらの製造方法
US9116022B2 (en) 2012-12-07 2015-08-25 Analog Devices, Inc. Compact sensor module
TWI619931B (zh) * 2013-01-22 2018-04-01 國立高雄應用科技大學 光纖感測器裝配方法及其構造
JP2015096823A (ja) * 2013-11-15 2015-05-21 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器、及び放射線検出器の製造方法
JP6512830B2 (ja) * 2015-01-09 2019-05-15 キヤノン株式会社 放射線撮像装置、その製造方法及び放射線検査装置
JP6487263B2 (ja) * 2015-04-20 2019-03-20 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器及びその製造方法
US10074624B2 (en) 2015-08-07 2018-09-11 Analog Devices, Inc. Bond pads with differently sized openings
JP6674677B2 (ja) * 2016-02-17 2020-04-01 ローム株式会社 チップ部品およびその製造方法
CN106098625B (zh) * 2016-08-08 2023-05-02 华天科技（昆山）电子有限公司 等离子划片的芯片包封结构及制作方法
US11056455B2 (en) 2017-08-01 2021-07-06 Analog Devices, Inc. Negative fillet for mounting an integrated device die to a carrier
JP6898193B2 (ja) 2017-09-27 2021-07-07 浜松ホトニクス株式会社 シンチレータパネル及び放射線検出器
WO2020118031A1 (en) 2018-12-06 2020-06-11 Analog Devices, Inc. Integrated device packages with passive device assemblies
KR20210099604A (ko) 2018-12-06 2021-08-12 아나로그 디바이시즈 인코포레이티드 차폐된 통합된 디바이스 패키지들
US11664340B2 (en) 2020-07-13 2023-05-30 Analog Devices, Inc. Negative fillet for mounting an integrated device die to a carrier

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3917950A (en) * 1974-04-08 1975-11-04 United States Steel Corp Fluoroscopic screen which is optically homogeneous
JPS6034709B2 (ja) * 1975-11-28 1985-08-10 株式会社日立メデイコ アンガ−形γカメラ
US4543485A (en) * 1981-11-24 1985-09-24 Hitachi Chemical Company, Ltd. Scintillator for radiation detection and process for producing the same
US4684592A (en) * 1984-04-06 1987-08-04 Fuji Photo Film Co., Ltd. Stimulable phosphor sheet
JPS6129788A (ja) * 1984-07-20 1986-02-10 三菱原子力工業株式会社 核融合装置の高熱負荷構造物
JPH0722207B2 (ja) * 1986-03-17 1995-03-08 株式会社島津製作所 焦電素子製造方法及び同法で製せられた焦電素子
JPS63215987A (ja) * 1987-03-04 1988-09-08 Hamamatsu Photonics Kk 高解像シンチレ−シヨンフアイバ−プレ−ト
JPH077114B2 (ja) 1987-03-04 1995-01-30 コニカ株式会社 加熱乾燥手段を有するｘ線写真増感用蛍光体パネル
US5179284A (en) 1991-08-21 1993-01-12 General Electric Company Solid state radiation imager having a reflective and protective coating
US5132539A (en) 1991-08-29 1992-07-21 General Electric Company Planar X-ray imager having a moisture-resistant sealing structure
US5148029A (en) * 1991-09-23 1992-09-15 Siemens Gammasonics, Inc. Improved seal scintillation camera module and method of making it
US5208460A (en) 1991-09-23 1993-05-04 General Electric Company Photodetector scintillator radiation imager having high efficiency light collection
US5410791A (en) 1993-07-01 1995-05-02 General Electric Company Fabrication chuck
DE69416460D1 (de) 1993-07-01 1999-03-25 Gen Electric Anschmiegendes Aufbringen von einer dünnen Membrane auf eine unregelmässig geformte Oberfläche
JP2721476B2 (ja) * 1993-07-07 1998-03-04 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出素子及びその製造方法
JPH07218698A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Sony Corp 蛍光板およびそれを利用した放射線撮影装置、並びに蛍光板の製造方法
US5654084A (en) * 1994-07-22 1997-08-05 Martin Marietta Energy Systems, Inc. Protective coatings for sensitive materials
JPH08227520A (ja) * 1994-12-22 1996-09-03 Fuji Electric Co Ltd 磁気記録媒体及びその製造方法
JP3075134B2 (ja) 1995-04-04 2000-08-07 株式会社日立製作所 反射型液晶表示装置
US6172371B1 (en) * 1998-06-15 2001-01-09 General Electric Company Robust cover plate for radiation imager

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112654896A (zh) * 2018-09-04 2021-04-13 佳能电子管器件株式会社 放射线检测器、放射线检测器的制造方法和装置、闪烁体面板、闪烁体面板的制造方法和装置

Also Published As

Publication number Publication date
US7132665B2 (en) 2006-11-07
US20030205674A1 (en) 2003-11-06
WO1999066350A1 (fr) 1999-12-23
EP1118879B1 (en) 2006-04-26
CN1309777A (zh) 2001-08-22
EP1684095A3 (en) 2009-01-14
DE69931059D1 (de) 2006-06-01
EP1684095A2 (en) 2006-07-26
US20020158205A1 (en) 2002-10-31
EP1118879A4 (en) 2001-09-26
EP1684095B1 (en) 2013-09-04
CN1260580C (zh) 2006-06-21
US6573506B2 (en) 2003-06-03
JP3691392B2 (ja) 2005-09-07
AU4168599A (en) 2000-01-05
DE69931059T2 (de) 2006-12-07
EP1118879A1 (en) 2001-07-25
CN1163762C (zh) 2004-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1260580C (zh) 闪烁体面板
CN1265209C (zh) 闪烁器面板及放射线图象传感器
CN1270191C (zh) 放射线图像传感器及闪烁器板
JP4317154B2 (ja) シンチレータパネルおよび放射線イメージセンサ
CN1272639C (zh) 闪烁体面板
CN1270192C (zh) 放射线图像传感器及闪烁器板
USRE39806E1 (en) Scintillator panel, radiation image sensor, and methods of making the same
CN1140815C (zh) 闪烁器仪表盘、放射线图象传感器及其制造方法
EP1148349A1 (en) Optical element and radiation detector using the same
CN1161625C (zh) 闪烁体面板和射线图象传感器
CN1156712C (zh) 光学元件、射线图像传感器及光学元件的制造方法
CN1264026C (zh) 闪烁器板及射线图象传感器
US20090084961A1 (en) Radiation detector

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20060621

CX01 Expiry of patent term