CN1533003A - 半导体激光器件 - Google Patents
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Abstract
一种半导体激光器件,包括一有前表面、后表面和外周表面的组件;装在前表面上的半导体激光元件和光接收元件;排列在前表面上、空间上隔开并从组件向外延伸的多根引线;装在前表面上的其光轴垂直于前表面用于将半导体激光元件发出的激光束导向目标物并将目标物反射的光导向光接收元件的光学元件;其中外周表面被配置成使得与其轴和光学元件的光轴平行的圆柱形孔相配,外周表面有一从前表面延伸到后表面的凹槽,引线从前表面延伸出去并通过凹槽时被弯曲,其远端沿光学元件的光轴延伸而其近端与半导体激光元件和光接收元件电连接。
Description
发明背景
1.发明领域
本发明涉及一种半导体激光器件,特别是涉及一种用于读出光记录介质上记录的信息的光拾取器件。
2.相关技术的描述
读出光存储器,诸如CD-ROM或者MD(小光盘)上的光信号的光拾取器件包括全息激光系统的半导体激光器件。
全息激光系统使用组合在一个组件里的半导体激光元件、全息元件和光信号接收元件,使从半导体激光元件发出的光束投射到一光盘上(光记录介质),全息元件衍射从光盘上反射的光束并将光束引导到偏离光轴位置的光接收元件上。
已知下列器件是与本发明相关的:
(1)包含至少一个装在用树脂材料封装的框架上的半导体激光器芯片的半导体激光器件,该树脂材料包含有高热导率的树脂材料微粒[参见例如日本未审查的特许公开平11-25465(1999)]。
(2)包含一芯片座、一框架和二个凸起物的半导体激光器件,一半导体激光元件装在该芯片座上,该框架围住该芯片座,二个凸起物装在框架上并彼此相对将芯片座夹在它们之间(参见例如日本未审查特许公开2001-111159)。
(3)包含一芯片座、一框架、二个凸起物和一光学元件的激光器件,一半导体激光元件装在该芯片座上,该框架包围该装有半导体激光元件的芯片座的表面,二个凸起物装在框架上并彼此相对将芯片座夹在它们之间,该光学元件装在二个凸起物之间的框架上(参见例如日本未审查特许公开2000-196117)。
(4)包括一包围半导体元件座的框架的组件,该框架有一外周表面,该外周表面具有通过轴向切去一部分圆柱表面形成的表面(参见例如日本未审查特许公开2000-196176)。
(5)包括一装在芯片座上的半导体激光器芯片、安装在该芯片周围的外引线及一框架的半导体激光器件,该外引线的触点与该半导体激光器芯片的电极相连,该框架由包围芯片座和外引线触点的绝缘材料构成(参见例如日本未审查特许公开平6-203403(1994))。
(6)用于全息激光单元的半导体激光器组件,它包括以下元件:作为光源的半导体激光器芯片、监测从半导体激光器发出的激光束的PIN光电二极管、读出光盘上信号的光电二极管,它们装在单个平面的管座上且用管座上的管帽覆盖;用于偏振的有衍射光栅的玻璃片,它装在管帽的上表面,而管座通常是椭圆形的,如由通过去掉一个圆上二个相向的圆缺而形成的二根弧和二根弦所确定的形状,通常是椭圆形的管座的弧用作决定半导体激光器芯片的光发射点的参照物[参见例如日本未审查特许公开平6-5990(1994)]。
与此同时,这些半导体激光器件期望满足下述要求:
(1)减小了半导体激光器组件的体积以得到减小了体积和厚度的拾取器、CD驱动器或CD播放器;和
(2)改进了拾取器中的半导体激光器件的定位精确性以便于通过旋转调整三个光束。
但是,常规的半导体激光器件都不能充分地满足这些要求。
发明内容
鉴于上述情况,本发明的目的在于使得半导体激光器件能够进一步减小其组件体积改进半导体激光器件安装时的定位精度且使得通过旋转调整三个光束变得更方便。
根据本发明,提供了一种半导体激光器件,它包括:一个有前表面、后表面及一外周表面的组件;装在该前表面的半导体激光元件和光接收元件;排列在该前表面上的在空间上分开并从组件向外延伸的多根引线;装在前表面上的光学器件,其光轴垂直于前表面,将半导体激光元件发出的激光束引向目标并将从目标反射回来的光引向光接收元件;其中外周表面是这样形成的:使得与其轴和光学元件的光轴平行的椭圆形孔相配合,该外周表面有一从前表面通到后表面的凹槽;引线随着从前表面延伸并通过凹槽被弯曲,其远端沿着光学元件的光轴延伸,其近端与半导体激光元件和光接收元件实现电连接。
根据本发明,组件的外周表面是这样形成的:使其与圆柱形孔相配合,引线通过组件的外周表面的凹槽向下弯曲。因此,半导体激光器件的外部尺寸可以减小,并且,该半导体激光器件能容易地安装在拾取器外壳的孔上。
附图简要说明
图1是根据本发明的第一实施例的半导体激光器件的正视图,半导体激光器件装在光拾取器件上;
图2是图1的半导体激光器件的顶视图;
图3是图1的半导体激光器件的侧视图;
图4是图1的半导体激光器件的透视图;
图5是图1的半导体激光器件组件的顶视图;
图6是如图5沿A-A方向的组件截面图;
图7是如图5沿B-B方向的组件截面图;
图8是用于图1所示的半导体激光器件制造过程的引线框的顶视图;
图9和图10是说明如何弯曲第一实施例的半导体激光器件引线的过程示意图;
图11(a)是根据本发明第二实施例在引线被弯曲以前的半导体激光器件的顶视图;
图11(b)是在引线弯曲后的半导体激光器件的顶视图;
图11(c)是图11(b)的器件的左侧视图;
图11(d)是图11(b)的器件的顶视图;
图11(e)是图11(b)A-A的截面图;
图12(a)和图12(b)是本发明第三实施例的半导体激光器件在引线弯曲前、后的顶视图;
图13(a)和13(b)是本发明第四实施例的半导体激光器件在引线弯曲前、后的顶视图;
图13(c)是图13(b)所示器件的左侧视图;
图14是描述本发明第五实施例的截面图;
图15(a)和图15(b)是描述本发明第六实施例的截面图;
图16是描述本发明第七实施例的截面图;
图17(a)和17(b)是详细说明本发明制造工艺的顶视图和正视图;
图18是详细说明本发明制造工艺的示意图。
具体实施方式
根据本发明的一个方面,一种半导体激光器件包括:有前表面、后表面和外周表面的组件;装在前表面上的半导体激光元件和光接收元件;排列在前表面上的在空间上隔开并从组件向外延伸出的多根引线;装在前表面上的光学元件,其光轴垂直于前表面,将半导体激光元件发出的激光束引向目标并将从目标反射回来的光引向光接收元件;其中,外周表面被形成得使之与其轴和光学元件的光学平行的圆柱形孔相配,外周表面有一从前表面通到后表面的凹槽,引线随着从前表面延伸出并通过凹槽而被弯曲,其远端沿光学元件的光轴延伸,其近端与半导体激光元件和光接收元件实现电连接。
在本发明中,所说的光学元件的光轴可以与圆柱形孔的轴对准。全息元件可用作光学元件。
本发明中,所述的组件可以包括一平面基板、多个在空间上隔开从基板上平行于基板向外凸起的凸起物,凹槽可在二个相邻的凸起物之间形成。形成外周表面凹槽的另一种方法是通过切去一部分从前表面向后表面延伸的外周表面来形成。
本发明中,基板可以有用于空气冷却半导体激光元件的开孔。
本发明中,基板可以是矩形的,凸起物可以从基板的四个角向外突起。
本发明中,引线可以从矩形基板的二个相对边延伸,且可被弯曲90°。
本发明中,半导体激光器件还可以包括装在基板一个面上的镜子以垂直于基板表面的方式反射从半导体激光元件发出的激光束。
本发明中,基板和凸起物可以用同一种材料一体形成。
本发明中,基板可以有一端面这样来形成,使得在引线被弯曲时,在引线和基板端面之间得到一引线弯曲的隔离物。
本发明中,每一根引线可以包括在组件内部的内引线部分和在组件外部的外引线部分,引线的外引线部分排列的间隔比引线的内引线部分大。
内引线部分的间隔可以自近端部分向外增大。
根据本发明的另一方面,一种半导体激光器件包括:一基板;从基板向外凸起的、在空间上相互分开的、平行于基板的多个基板支撑块,基板支撑块共同形成了外周表面,该表面形成得使其与圆柱形孔相匹配;安装在基板前表面上的一半导体激光元件、一光接收元件一光学元件和多根引线,光学元件是用于将来自半导体激光元件的激光束引向目标并将在目标物上反射的光束引向光接收元件;其中,引线有与半导体激光元件和光接收元件电连接的近端和从基板的一个端面延伸出来的被弯曲且进一步穿过在二个相邻的基板支撑块之间形成的间隙而延伸到基板的后表面的远侧部分。
根据本发明的再一方面,一种半导体激光器件包括:一有前表面和后表面的基板;多根在组件的前表面上从组件向外延伸的在空间上分开的互连引线;安装在组装前表面上的一半导体激光元件、一反射镜、一光接收元件和一光学元件,光学元件是用于将半导体激光元件发出的激光束导向载有记录下外部信息的介质并将在介质上反射的光导向光接收元件;其中引线电连接到半导体激光元件和光接收元件,每根引线包括在组件内部的内引线部分和在组件外部的外引线部分,引线的外引线部分排列的间隔比内引线部分大并向组件的后表面弯曲。
实施例
下面参照附图,以实施例的方式详细地说明本发明,应该理解的是,本发明并不限于这些实施例。
第一实施例
图1是根据本发明第一个实施例的半导体激光器件的正视图。如图所示,半导体激光器件101安装在拾取器的外壳102的圆柱形座的孔内。半导体激光器件101被用来通过物镜104向光盘(一种用来读写信息的记录介质)103发射激光束并且接收从光盘通过物镜反射回来的光束。
图2是安装在外壳102的圆柱形座孔107内的半导体激光器件101的顶视图,图3是半导体激光器件101的侧视图。
如各图所示,半导体激光器件101包括一组件105和一装在组件105上的全息元件106。
图4是从半导体激光器件101中去除全息元件106后的组件105的透视图。图5是组件105的顶视图。图6和图7是相应于图5上A-A和B-B箭头方向的组件105的截面图。
如图4到图7所示,组件105包括一矩形基板1,与基板1一体成形的凸起物(基板支撑块)2a-2d,从基板1水平地向外凸起。支撑块2a-2d分别有外周表面部分3a-3d,它们被共同配置以便与如图2所示的底座上的孔107相配。全息元件支撑块4a-4d、引线压块6、光接收元件支撑块7和镜子支撑块8与基板1一体地设置在基板1的上表面。如图1所示,全息元件支撑块4a-4d支撑全息元件106。
基板1包括置于其上表面的引线51-62和导电板(岛板)13。
引线51和57的近端分别通过支撑块4d和4b固定在基板1的上表面上,引线52到55的近端通过支撑块7固定在基板1的上表面上。导电板13通过支撑块4a、4c、4d和8固定在基板1的上表面,引线56和62从导电极13横向延伸。
半导体激光元件10通过小底座9安装在导电板13的上表面。光接收元件11装在光接收元件支撑块7上,镜子12装在镜子支撑块8上。
引线51-56的远端部分从基板1的相对的侧边之一延伸并在支撑块2a和2d之间弯曲90°并进一步向下延伸。引线57-62的远端部分从基板1的另一侧边延伸并在支撑块2b和2c之间弯曲90°并进一步向下延伸。
导电板13插在基板1的上表面和小底座9之间,用作热沉和导电体。
引线51-55、58和59用金丝连接(引线接合)到光接收元件11,引线60、61用金丝连接到半导体激光元件10。导电板13用金丝连接到光接收元件11和半导体激光元件10。
支撑块2a-2d、4a-4d、压块6、支撑块8、光接收元件11和基板1用环氧树脂整体模封(molding),下面会有描述。引线51-62和导电板13以上述方式在模封中固定到基板1上。
如图6所示,基板1有一形成于其中的截顶圆椎形的通孔14,它与小底座9相对且其直径从基板1的上表面到下表面增大。从而,半导体激光元件10产生的热通过小底座9和导电板13向空气消散,所以半导体激光元件10能有效地自然冷却。
按上述的结构,当半导体激光器件101像图2所示嵌在外壳102的圆柱形座的孔107中时,基板支撑块2a-2d的外周表面部分3a-3d与孔107的内壁表面相匹配,如图2所示。这样,全息元件101的光轴与物镜104的光轴对准。全息元件101是一光学元件,它将来自半导体激光元件10的激光束通过物镜104(图1)导向光盘103并将从光盘103反射的光束通过物镜104导向光接收元件11。
从光盘103反射的光束包括3个光束(三个分量),即从光盘103上读出记录信息的一束和读出表示光束入射到光盘103上的位置的位置信息的两束。
因此,当半导体激光器件安装在孔107中的时候,用适当的工具通过约束支撑块2b和2a之间的基板1的一个端面和支撑块2c和2d之间的基板1的一个端面(图5)来绕物镜104的光轴旋转半导体激光器件101,就能容易地完成从光盘103反射回的和入射到光接收元件11的光束的位置调节,即完成光接收元件上的三支光束的位置调节。
当引线51-62的远端连接到驱动电路时,半导体激光元件10发射平行于基板1的上表面的激光束。然后,如图1所示,激光束在镜子12上反射,垂直于基板1的表面而传播,通过全息元件106和物镜104投射到光盘103上。在光盘103上反射光光束通过物镜104和全息元件106,被光接收元件11接收。如此,光盘103上的信息被读出。
接下来,说明半导体激光器件101的制造过程。
首先,如图8所示的引线框108用压机从铜板上冲压出来。冲压出的引线框包括引线51-62和与引线56及62连成一体的导电板(岛板)13,引线56及62呈一前一后排列。引线框放在一模子中,热固环氧树脂浇注入模子,基板1、支撑块2a-2d、4a-4d、压块和支撑块6-8同时一体浇注并固定于引线框108。
然后,装有半导体激光元件的小底座9用银浆粘合到基板1上的导电板13的上表面上。注意,半导体激光元件是预先键合到小底座9上的。
接下来,玻璃镜子12用一紫外线固化树脂粘合在支撑块8上。
随后光接收元件11也用紫外线固化树脂粘合在支撑块7上。
然后,用金丝把半导体激光元件10和光接收元件11连接(引线接合)到引线51到62以及导电板13上。
全息元件106进而安装到支撑块4a-4d上。
随后,引线51-62用预定工具从引线框分开并被弯曲。如此,引线51-62的远端在与基板1的空间距离为L处被垂直弯曲(如图6所示)。
通过上述工艺,制成了半导体激光器件101。
若半导体激光元件10[半导体激光器件101]的大小进一步减小,引线51-62的弯曲点和基板1之间的距离L可以减小。
既然这样,基板1的一个端面预先就形成阶梯形或锥形,如图9或图10所示。用这样的构造,引线51-62的弯曲能采用较厚的隔离物SP1或SP2稳稳地实现。
上述的制造工艺能用在制造下面的第二到第七实施例的半导体激光器件。
第二实施例
图11(a)是根据本发明第二实施例的半导体激光器件在引线弯曲以前的顶视图,图11(b)是引线弯曲以后的半导体激光器件的顶视图。图11(c)和11(d)分别是该器件的左视图和正视图。图11(e)是图11(b)A-A方向上的半导体激光器件截面图。
图11(a)中,组件105a包含一基板21。基板1通常从顶部看是矩形的,并有横向延伸的纵边。组件105a具有多根互连线(6根互连线)22,它们位于组件105a的二个相对的横向边的每一边上从内向外延伸。基板21有切除的部分40、41,它们分别位于二个相对的横向边上。
小底座25装有半导体激光元件24,用于沿其光轴反射半导体激光元件发出的光束的镜子26和光接收元件27都安装在组件105a内的岛板23上。
小底座25直接粘合在岛板23上,镜子26和光接收元件27分别粘合在与基板21一体形成的镜子支撑块28和接收元件支撑块29上。
尽管为了清晰起见未表示在图11(a)和11(b)上,光学元件(全息元件)30安装在组件105(a)的上表面上,如图11(d)所示。光学元件30将使半导体激光元件发出的光束和在含有记录信息的反射物(光盘)上反射的光束入射到光接收元件。
在组件105a中,半导体激光元件24和光接收元件27用金丝(未示出)连到引线22的内引线22a上。
组件105a用像第一实施例一样的方法用绝缘树脂成形(molding),将包括引线22的引线框和岛板嵌在其中。成形以后,引线22从组件105a横向延伸出。如图11(b)到11(e)所示,引线22在通过切除部分40、41延伸时向组件105(a)的后表面弯曲。如此,组件105a能与底座孔107以与第一实施例同样的方法相配,如图11(b)所示。
第三实施例
接下来的第三实施例参照图12(a)和12(b)加以说明。图12(a)和12(b)是根据第三实施例的半导体激光器件在引线弯曲前和弯曲后的顶视图。
第三实施例的结构基本上与第二实施例相同,只是在组件内部的引线22的内引线部分22a的间隔沿着向在组件105a外的引线22的外引线部分22b慢慢增大,如图12(a)和12(b)所示。
于是,外引线部分22(b)排列的间隔比第二实施例中的大。因此,按本实施例的半导体激光器件的引线22能更容易地与印刷电路板焊接。
第四实施例
接下来,参照图13(a)和图13(c)说明第四实施例。图13(a)和图13(b)是第四实施例的半导体激光器件在引线弯曲前、后的顶视图而图13(c)是该器件的侧视图。
第四实施例的半导体激光器件的结构与第二实施例基本相同,只是引线22的内引线部分22a的间隔沿着向外引线部分22b渐渐增大,此外,外引线部分22b的中间部分的间隔也渐渐增大。
这里有渐渐增大的间隔的外引线部分的中间部分与组件105a的周面壁分开距离x,从而不与组件105a接触。
于是,引线22的外引线部分排列的间隔比第三实施例更大。因此,第四实施例的半导体激光器件的引线22更容易与印刷电路板焊接。
第五实施例
接下来参照图14说明第五实施例。图14是对应于图11(e)的截面图。在图11(e)中光接收元件支撑块29与基板21成一整体。但在本实施例中,岛板23更厚并暴露在基板21的下表面,使得光接收元件支撑块29与基板21分开,如图14所示。除此以外,第五实施例与第二实施例基本相同。
于是,光接收元件支撑块29支撑在岛板23的预定位置而与基板21分开。因此,即使组件105a造受温度变化或安装过程中受外力影响,水平方向的力加不到光接收器件支撑块29上,使得光接收元件支撑块29不会位移和变形。因而,光接收元件27能不改变光学位置,维持稳定的光学特性。
尽管没有表示出来,反射镜支撑块28也可以以上述方法构造。
第六实施例
接下去参照图15(a)和15(b)说明第六实施例。图15(a)说明根据本实施例,怎样将半导体激光器件焊接印刷电路板上去。本实施例的半导体激光器件基本上与第二实施例的半导体激光器件的结构相同。
用烙铁32熔融焊料33并将焊料施加到外引线部分22b,使得外引线部分22b与印刷电路板(未示出)接合。这时,流动气体34从焊料33散发出来。如果流动气体34侵入组件105(a),则流动气体34会污染镜子26、光接收元件27和光学元件30(图11(c))并损坏这些元件的光学特性。本实施例中,隔离墙35装在组件105a上,以将内引线部分22(a)与外引线部分22(b)隔开从而避免流动气体侵入组件105(a)。
随着隔离墙高度的增加,阻止流动气体的效果也增强。但是,如图15(b)所示,当金丝被接合到内引线部分22a时,金线接合处的毛细管36可能妨碍隔离墙。因此,隔离墙35被安装在组件最外面的位置且其高度要使得隔离墙不受毛细管36的影响。而且,隔离墙35有一锥形的内侧部分。
第七实施例
接下来,参照图16说明第七个实施例。图16是对应于图11(e)的截面图。本实施例的半导体激光器件的结构与第二实施例相同,只是内引线部分22a的近端部分和岛板23的周边的厚度较小。
如上面所述的一样,在引线22和岛板23用冲压机从材料板上冲压而成时,为使冲压精度较高,通过冲压除去的材料板的冲压边缘应当有较小的宽度,基本上等于材料板厚度。但是,材料板厚度的减小导致引线22更容易变形以及岛板23的散热变差。因此,材料板应相对厚些。
本实施例中,如图16所示,只是冲压边缘的厚度较小。
于是,与用较厚的材料板冲压的情况比较,冲压精度能改善。
由于较薄的部分用树脂填充,组件105a有足够的机械强度。
接下来,说明第二至第七实施例的半导体激光器件的制造过程。该制造过程基本上与上面所述的第一实施例的制造过程相同,这里对前面没有描述过的制造过程的细节作一解释。
如17(a)和17(b)所示,光接收元件支撑块29与光接收元件27的大小基本相同。在紫外固化树脂粘合剂37均匀涂步在光接收元件支撑块29上以后,光接收元件27放在光接收元件支撑块上时,紫外固化树脂37靠表面张力沿光接收元件周边均匀散布。于是,在校正光接收元件倾斜度的同时,光接收元件定位在支撑块29的中心。这样,就不需要为光接收元件27相对于支撑块29专门定位了。
为了将镜子26安装在镜子支撑块28上,紫外固化树脂粘合剂施涂在镜子支撑块28的镜子结合表面上。然后,镜子26放在镜子支撑块28上并通过紫外幅射照射固定到镜子支撑块28上。此时,存在着镜子26移位或者隆起的可能性。因为当组件105a水平地支撑时,镜子支撑块28的镜子结合表面相对于水平面呈45°倾斜。
为了防止镜子26的移位或隆起,组件105a以相对于水平面成45°角支撑起来,如图8所示,以保持镜子结合表面成水平。然后,借助一垂直可动的夹头38将镜子26放在镜子结合面上。这样,镜子26在重力作用下,垂直于结合面,镜子26的移位和隆起就能够消除。
Claims (13)
1.一种半导体激光器件,其特征在于,包括
一个有前表面、后表面和外周表面的组件;
安装在所述前表面的一半导体激光元件和一光接收元件;
排列在所述前表面上空间上隔开并从组件向外延伸的多根引线;
一支承在所述前表面之上、其光轴垂直于前表面、用于将半导体激光元件发出的激光束导向目标物并将在目标物上反射的光导向光接收元件的光学元件;
其中,所述外周表面被形成得与一其轴和光学元件的光轴平行的圆柱形孔相配,所述外周表面有一从前表面延伸到后表面的凹槽,引线从前表面延伸出去并通过凹槽时被弯曲,其远端沿光学元件的光轴延伸而其近端与半导体激光元件和光接收元件实现电连接。
2.如权利要求1所述的半导体激光器件,其特征在于,所述光学元件的光轴与圆柱形孔的轴成一直线。
3.如权利要求1所述的半导体激光器件,其特征在于,所述组件包括一平面基板,多个在空间上隔开的凸起物平行于基板向外凸起,凹槽形成在二个相邻的凸起物之间。
4.如权利要求3所述的半导体激光器件,其特征在于,所述基板有一用于空气冷却半导体激光元件的开口。
5.如权利要求3所述的半导体激光器件,其特征在于,所述基板是矩形的,凸起物从基板的四个角向外突起。
6.如权利要求5所述的半导体激光器件,其特征在于,所述引线从矩形基板的二个相对边延伸并被弯成直角。
7.如权利要求3所述的半导体激光器件,其特征在于,还包括装在基板表面用于垂直地反射半导体激光元件发出的激光束到基板表面的镜子。
8.如权利要求3所述的半导体激光器件,其特征在于,所述基板与凸起物是用同样材料一体形成的。
9.如权利要求3所述的半导体激光器件,其特征在于,所述基板使一端面配置成在引线弯曲时在引线和基板端面之间得到引线弯曲的隔离物。
10.如权利要求1所述的半导体激光器件,其特征在于,所述每一根引线包括在组件里面的内引线部分和在组件外面的外引线部分,引线的外引线部分排列的间隔比内引线部分大。
11.如权利要求10所述的半导体激光器件,其特征在于,所述内引线部分的间隔可从近端部分向外而增大。
12.一种半导体激光器件,包括:
一基板;
从基板向外凸起的、空间上相互分开的、平行于基板的多个基板支撑块,基板支撑块共同形成一外周表面,该外周表面被配置成与圆柱形孔相匹配;以及
装在基板前表面上的一半导体激光元件、一光接收元件、一光学元件和多根引线,光学元件用于将半导体激光元件发出的激光束引向目标物并将目标物上反射的光束引向光接收元件;
其中引线有与半导体激光元件和光接收元件电连接的近端和从基板的一个端面延伸出来的被弯曲且进而穿过在二个相邻的基板支撑块之间形成的间隙延伸到基板的后表面的远端。
13.一种半导体激光器件,包括:
一有前表面和后表面的基板;
在组件前表面上从组件向外延伸时空间上分开的多根互连引线;
装在组件前表面上的一半导体激光元件、一反射镜、一光接收元件和一光学元件,光学元件用来将从半导体激光元件发出的激光束导向载有记录于其上的外部信息的介质并进而将在介质上反射的光导向光接收元件;
其中所述引线电连接到半导体激光元件和光接收元件,每根引线包括在组件内部的内引线部分和组件外部的外引线部分,引线的外引线部分排列的间隔比内引线部分大并向组件的后表面弯曲。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003082948A JP2004296485A (ja) | 2003-03-25 | 2003-03-25 | 半導体レーザ装置 |
JP2003082948 | 2003-03-25 | ||
JP2003205759A JP4105053B2 (ja) | 2003-08-04 | 2003-08-04 | 半導体レーザ装置、その製造方法、及びこの半導体レーザ装置を用いたピックアップ |
JP2003205759 | 2003-08-04 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1533003A true CN1533003A (zh) | 2004-09-29 |
CN1253981C CN1253981C (zh) | 2006-04-26 |
Family
ID=33422003
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2004100322213A Expired - Fee Related CN1253981C (zh) | 2003-03-25 | 2004-03-25 | 半导体激光器件 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7173951B2 (zh) |
CN (1) | CN1253981C (zh) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006040933A (ja) * | 2004-07-22 | 2006-02-09 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置 |
WO2009116508A1 (ja) * | 2008-03-19 | 2009-09-24 | 株式会社安川電機 | 形状計測装置とこれを備えたロボット装置 |
DE102008045925A1 (de) * | 2008-09-04 | 2010-03-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils |
US9036675B2 (en) * | 2011-02-25 | 2015-05-19 | Rohm Co. Ltd. | Communication module and portable electronic device |
KR200485688Y1 (ko) * | 2015-05-27 | 2018-02-08 | 이찬우 | 광센서 감지장치 |
JP6504193B2 (ja) * | 2017-03-30 | 2019-04-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3035077B2 (ja) | 1992-06-22 | 2000-04-17 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ用パッケージ |
JP2000196176A (ja) | 1992-10-22 | 2000-07-14 | Matsushita Electronics Industry Corp | パッケ―ジ |
JPH06203403A (ja) | 1992-10-22 | 1994-07-22 | Matsushita Electron Corp | 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 |
JP3412609B2 (ja) | 1992-10-22 | 2003-06-03 | 松下電器産業株式会社 | 半導体レーザ装置 |
TW270213B (zh) * | 1993-12-08 | 1996-02-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
KR100373801B1 (ko) * | 1994-07-29 | 2003-05-09 | 산요 덴키 가부시키가이샤 | 반도체레이저장치및이를이용한광픽업장치 |
JPH1125465A (ja) | 1997-06-30 | 1999-01-29 | Victor Co Of Japan Ltd | 半導体レーザ装置 |
WO1999039375A1 (fr) * | 1998-01-29 | 1999-08-05 | Nikon Corporation | Luxmetre et systeme d'exposition |
US6335548B1 (en) * | 1999-03-15 | 2002-01-01 | Gentex Corporation | Semiconductor radiation emitter package |
-
2004
- 2004-02-13 US US10/777,190 patent/US7173951B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-03-25 CN CNB2004100322213A patent/CN1253981C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1253981C (zh) | 2006-04-26 |
US20040223532A1 (en) | 2004-11-11 |
US7173951B2 (en) | 2007-02-06 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C17 | Cessation of patent right | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20060426 Termination date: 20130325 |