CN1531192A - 偏置电流供给电路及放大电路 - Google Patents

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CN1531192A CNA2004100284917A CN200410028491A CN1531192A CN 1531192 A CN1531192 A CN 1531192A CN A2004100284917 A CNA2004100284917 A CN A2004100284917A CN 200410028491 A CN200410028491 A CN 200410028491A CN 1531192 A CN1531192 A CN 1531192A
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Abstract

本发明提供一种偏置电流供给电路及具有该偏置电流供给电路的放大电路，使用双极晶体管构成，能对利用低电源电压工作的放大电路的集电极电流因温度变化引起的变动进行抑制。本发明实施例1涉及的偏置电流供给电路，其特征在于，具备：第1、第2双极晶体管，构成协作供给信号放大双极晶体管的基极偏置电流的2个射极跟随器；通常温度特性电路，具有电流供给量随温度上升而增加的通常温度特性，将基极电流供给上述第1双极晶体管；及逆温度特性电路，具有电流供给量随温度上升而减少的逆温度特性，将基极电流供给上述第2双极晶体管。

Description

偏置电流供给电路及放大电路
技术领域
本发明涉及偏置电流供给电路及具备该偏置电流供给电路的放大电路，特别涉及使用双极晶体管构成的利用低电源电压工作的高效率高输出放大电路、及附加在该放大电路中的偏置电流供给电路。
背景技术
使用双极晶体管构成、且利用低电源电压工作的高效率高输出放大电路，由于其集电极电流受温度变化的影响大，故由使用连接成二极管的双极晶体管构成的电流镜电路提供基极偏置电流。
图11是现有的电流镜(current mirror)型基极偏置电流供给电路的第1例的电路图。
图11所示的电流镜电路是构成最简单的电流镜型基极偏置电流供给电路，由在被供给控制电压Vcon的控制电位节点和地电位节点之间串联连接的电阻R和连接成二极管的双极晶体管Q构成，由电阻R与晶体管Q的集电极的连接节点OUT提供基极偏置电流。
另一方面，具有大范围的输出动态范围和增益线性的高效率的放大器，通过将偏置条件设成B类以缩小无效电流(idle current)来实现，但实际上由于元件相互的电导系数的非线性，增益的变化引起的失真变大，所以通过将无效电流设定成某种程度的流动的AB类，来维持大的输出动态范围中增益的线性。
使用双极晶体管构成的AB类放大电路，其平均集电极电流相应于输出电平的上升而增加，所以偏置电路也必须与此相对应来足够地提供平均基极电流的增加的量，但由图11所示的连接成二极管的双极晶体管构成的电流镜电路，不能提供足够的电流。
在此，为了使输出阻抗下降，而广泛使用经由射极跟随器电路来提供基极电流的电流镜电路。
图12是现有电流镜型基极偏置电流供给电路的第2例的电路图。
图12所示的现有的电流镜型基极偏置电流供给电路，由在被供给控制电压Vcon的控制电位节点和地电位节点之间串联连接的电阻R1和连接成二极管的双极晶体管Q2、Q1、集电极连接在被供给电源电压Vcc的电源电位节点上且基极连接在晶体管Q2的集电极上的双极晶体管Q3、以及连接在晶体管Q3的发射极和地电位节点之间的电阻R2构成，由晶体管Q3的发射极与电阻R2的连接节点OUT供给基极偏置电流。
但是，图12所示的现有的电流镜型基极偏置电流供给电路，由双极晶体管两级串联连接构成，所以如果控制电压Vcon不充分高于晶体管的导通电压Vbeon两倍的电压，则不能维持偏置电流对要求对应的温度变化的变动的补偿。
然而，在便携式电话这种控制电压低的系统中，提高控制电压Vcc与技术进步的潮流相反，存在问题。特别是，如CDMA方式的通信系统那样，被要求在大范围的输出动态范围内线性工作的系统中，低输出时影响大的无效电流的由温度变化引起的变动成为问题。
作为对上述问题的对策，提出了一种复合型偏置电流供给电路，附加了通过1级部分的导通电压Vbeon导通的晶体管。
图13是现有电流镜型基极偏置电流供给电路的第3例的电路图。
图13所示的现有的电流镜型基极偏置电流供给电路，由在被供给控制电压Vcon的控制电位节点和地电位节点之间顺序串联连接的电阻R1和连接成二极管的双极晶体管Q2、Q1、集电极连接在被供给电源电压Vcc的电源电位节点上且基极连接在晶体管Q2的集电极上的双极晶体管Q4、连接在控制电位节点和晶体管Q4的发射极之间的电阻R2、连接在晶体管Q4的发射极和地电位节点之间的连接成二极管的双极晶体管Q3构成，由晶体管Q4的发射极与晶体管Q3的集电极的连接节点供给基极偏置电流。
基极偏置电流经由扼流电感线圈L供给RF信号放大双极晶体管(用于放大RF信号的双极晶体管)RFTr的基极。晶体管RFTr连接在电源电位节点和地电位节点之间，输入RF信号RFin经由电容器C输入晶体管RFTr的基极，输出RF信号RFout从晶体管RFTr的集电极输出。
图14是表示使用图13示出的现有的电流镜型基极偏置电流供给电路的情况的、RF信号放大双极晶体管的集电极偏置电流与控制电压Vcon的温度特性的曲线图。具体而言，曲线T1、T2、T3分别表示环境温度90℃、30℃、-30℃的温度特性。
使用图13所示的现有的电流镜型基极偏置电流供给电路的情况，当将控制电压Vcon设定成例如2.8V这样的低电压时，RF信号放大双极晶体管的集电极偏置电流在环境温度为-30℃、30℃、90℃下分别为27mA、35mA、45mA。与使用图12示出的现有的电流镜型基极偏置电流供给电路的情况相比较，该电流变动幅度缩小并改善。
但是，在使用图13所示的现有的电流镜型基极偏置电流供给电路的情况下，为了降低输出阻抗，需要足够的电流流过晶体管Q4，所以，还不能说电流变动幅度被充分缩小。
而且，由于偏置电流供给电路的输出阻抗低，故RF信号向偏置电流供给电路泄漏，所以如图13所示，在偏置电流供给电路的输出节点和RF信号放大双极晶体管RFTr之间，用于阻止RF信号的扼流电感线圈L是必要不可少的。
发明内容
本发明是鉴于上述问题点而提出来的，其目的在于提供一种偏置电流供给电路及具有该偏置电流供给电路的放大电路，使用双极晶体管构成，能对利用低电源电压工作的线性高效率高输出放大电路的集电极电流因温度变化引起的变动进行抑制。
根据本发明实施例1涉及的偏置电流供给电路的基本构成，其特征在于，具备：
第1、第2双极晶体管，构成协作供给信号放大双极晶体管的基极偏置电流的2个射极跟随器；
通常温度特性电路，具有电流供给量随温度上升而增加的通常温度特性，将基极电流供给上述第1双极晶体管；及
逆温度特性电路，具有电流供给量随温度上升而减少的逆温度特性，将基极电流供给上述第2双极晶体管。
根据本发明实施例1涉及的偏置电流供给电路的基本构成的其他观点，其特征在于，具备：
第1双极晶体管和电阻，在电源电位节点和地电位节点之间顺序串联连接；
第2双极晶体管，与上述第1双极晶体管并联连接；
通常温度特性电路，具有电流供给量随温度上升而增加的通常温度特性，被供给控制电压并工作对供给上述第1双极晶体管的基极电流进行控制；及
逆温度特性电路，具有电流供给量随温度上升而减少的逆温度特性，被供给上述控制电压并工作对供给上述第2双极晶体管的基极电流进行控制；
从共用连接的上述第1和第2双极晶体管的发射极，供给信号放大双极晶体管的基极偏置电流。
根据本发明实施例1涉及的偏置电流供给电路的具体构成，其特征在于，具备：
第1、第2双极晶体管，在电源电位节点和地电位节点之间顺序串联连接；
第3双极晶体管和第1连接成二极管的双极晶体管，在电源电位节点和地电位节点之间顺序串联连接；
第1电阻，连接在控制电位节点与上述第1双极晶体管的基极之间；
第4双极晶体管，集电极与上述第1双极晶体管的基极连接，基极与上述第2双极晶体管和上述第1连接成二极管的双极晶体管的基极共用连接，发射极与地电位节点连接；
第5双极晶体管，连接在电源电位节点和上述第1双极晶体管的发射极之间；
第2电阻，连接在控制电位节点和上述第5双极晶体管的基极之间；
第3电阻和第6双极晶体管，在上述第5双极晶体管的基极和地电位节点之间顺序串联连接；
第7双极晶体管，连接在电源电位节点和上述第6双极晶体管的基极之间；
第4电阻，连接在上述第7双极晶体管的发射极和地电位节点之间；
第5电阻，连接在控制电位节点和上述第7双极晶体管的基极之间；及
第2、3连接成二极管的双极晶体管，在上述第7双极晶体管的基极和地电位节点之间顺序串联连接。
根据本发明实施例2涉及的偏置电流供给电路的基本构成，其特征在于，具备：
第1双极晶体管，构成供给信号放大双极晶体管的基极偏置电流的射极跟随器；
第2双极晶体管，与上述第1双极晶体管串联连接；
通常温度特性电路，具有电流供给量随温度上升而增加的通常温度特性，将基极电流供给上述第1双极晶体管；及
偏置电流补偿电路，具有电流供给量随温度上升而增加的通常温度特性，将基极电流供给上述第2双极晶体管，使由上述第1双极晶体管的发射极供给的上述基极偏置电流的一部分流过上述第2双极晶体管，由此对上述基极偏置电流伴随环境温度上升的增加进行抑制。
根据本发明实施例2涉及的偏置电流供给电路的基本构成的其它观点，其特征在于，具备：
第1、第2双极晶体管，在电源电位节点和地电位节点之间顺序串联连接；
通常温度特性电路，具有电流供给量随温度上升而增加的通常温度特性，被供给控制电压并工作对供给上述第1双极晶体管的基极电流进行控制；及
偏置电流补偿电路，具有电流供给量随温度上升而增加的通常温度特性，被供给控制电压并工作对供给上述第2双极晶体管的基极电流进行控制，由此对由上述第1双极晶体管的发射极供给的信号放大双极晶体管的基极偏置电流进行控制。
根据本发明实施例2涉及的偏置电流供给电路的具体构成，其特征在于，具备：
第1、第2双极晶体管，在电源电位节点和地电位节点之间顺序串联连接；
第3双极晶体管和第1连接成二极管的双极晶体管，在电源电位节点和地电位节点之间顺序串联连接；
第1电阻，连接在控制电位节点与上述第1双极晶体管的基极之间；
第4双极晶体管，集电极与上述第1双极晶体管的基极连接，基极与上述第2双极晶体管和上述第1连接成二极管的双极晶体管的基极共用连接，发射极与地电位节点连接；
第5双极晶体管，连接在上述第1双极晶体管的发射极和地电位节点之间；
第6双极晶体管，集电极与电源电位节点连接，发射极与上述第5双极晶体管的基极连接；
第2电阻，连接在上述第6双极晶体管的发射极和地电位节点之间；
第3电阻，连接在控制电位节点和上述第6双极晶体管的基极之间；及
第4电阻和第2、3连接成二极管的双极晶体管，在上述第6双极晶体管的基极和地电位节点之间顺序串联连接。
根据本发明实施例3涉及的偏置电流供给电路，其特征在于，具备：
第1电阻和第1双极晶体管，在控制电位节点和地电位节点之间顺序串联连接；
第2双极晶体管，集电极与电源电位节点连接，基极与上述第1双极晶体管的集电极连接，发射极与上述第1双极晶体管的基极连接；
第2电阻，连接在上述第2双极晶体管的发射极和地电位节点之间；
第3双极晶体管，集电极与电源电位节点连接，基极与上述第1双极晶体管的基极共用连接，由发射极供给信号放大双极晶体管的基极偏置电流；
连接成二极管的双极晶体管，连接在上述第3双极晶体管的发射极和地电位节点之间；及
第3电阻，连接在上述第3双极晶体管的发射极和上述连接成二极管的双极晶体管的集电极的连接节点、与控制电位节点之间。
根据本发明实施例1涉及的放大电路的基本构成，其特征在于，具备：
第1、第2双极晶体管，构成协作供给信号放大双极晶体管的基极偏置电流的2个射极跟随器；
通常温度特性电路，具有电流供给量随温度上升而增加的通常温度特性，将基极电流供给上述第1双极晶体管；及
逆温度特性电路，具有电流供给量随温度上升而减少的逆温度特性，将基极电流供给上述第2双极晶体管；及
信号放大双极晶体管，连接在电源电位节点和地电位节点之间，基极与上述第1和第2双极晶体管的发射极连接，输入信号经由电容器输入基极，输出信号由集电极输出。
根据本发明实施例1涉及的放大电路的基本构成的其它观点，其特征在于，具备：
第1双极晶体管和电阻，在电源电位节点和地电位节点之间顺序串联连接；
第2双极晶体管，与上述第1双极晶体管并联连接；
通常温度特性电路，具有电流供给量随温度上升而增加的通常温度特性，被供给控制电压并工作对供给上述第1双极晶体管的基极电流进行控制；
逆温度特性电路，具有电流供给量随温度上升而减少的逆温度特性，被供给上述控制电压并工作对供给上述第2双极晶体管的基极电流进行控制；及
信号放大双极晶体管，连接在电源电位节点和地电位节点之间，基极与上述第1和第2双极晶体管的发射极连接，输入信号经由电容器输入基极，输出信号由集电极输出。
根据本发明实施例1涉及的放大电路的具体构成，其特征在于，具备：
第1、第2双极晶体管，在电源电位节点和地电位节点之间顺序串联连接；
第3双极晶体管和第1连接成二极管的双极晶体管，在电源电位节点和地电位节点之间顺序串联连接；
第1电阻，连接在控制电位节点与上述第1双极晶体管的基极之间；
第4双极晶体管，集电极与上述第1双极晶体管的基极连接，基极与上述第2双极晶体管和上述第1连接成二极管的双极晶体管的基极共用连接，发射极与地电位节点连接；
第5双极晶体管，连接在电源电位节点和上述第1双极晶体管的发射极之间；
第2电阻，连接在控制电位节点和上述第5双极晶体管的基极之间；
第3电阻和第6双极晶体管，在上述第5双极晶体管的基极和地电位节点之间顺序串联连接；
第7双极晶体管，连接在电源电位节点和上述第6双极晶体管的基极之间；
第4电阻，连接在上述第7双极晶体管的发射极和地电位节点之间；
第5电阻，连接在控制电位节点和上述第7双极晶体管的基极之间；
第2、3连接成二极管的双极晶体管，在上述第7双极晶体管的基极和地电位节点之间顺序串联连接；及
信号放大双极晶体管，连接在电源电位节点和地电位节点之间，基极与上述第1和第5双极晶体管的发射极连接，输入信号经由电容器输入基极，输出信号由集电极输出。
根据本发明实施例2涉及的放大电路的基本构成，其特征在于，具备：
第1双极晶体管，构成供给信号放大双极晶体管的基极偏置电流的射极跟随器；
第2双极晶体管，与上述第1双极晶体管串联连接；
通常温度特性电路，具有电流供给量随温度上升而增加的通常温度特性，将基极电流供给上述第1双极晶体管；
偏置电流补偿电路，具有电流供给量随温度上升而增加的通常温度特性，将基极电流供给上述第2双极晶体管，使由上述第1双极晶体管的发射极供给的上述基极偏置电流的一部分流过上述第2双极晶体管，由此对上述基极偏置电流伴随环境温度上升的增加进行抑制；及
信号放大双极晶体管，连接在电源电位节点和地电位节点之间，基极与上述第1双极晶体管的发射极连接，输入信号经由电容器输入基极，输出信号由集电极输出。
根据本发明实施例2涉及的放大电路的基本构成的其他观点，其特征在于，具备：
第1、第2双极晶体管，在电源电位节点和地电位节点之间顺序串联连接；
通常温度特性电路，具有电流供给量随温度上升而增加的通常温度特性，被供给控制电压并工作对供给上述第1双极晶体管的基极电流进行控制；
偏置电流补偿电路，具有电流供给量随温度上升而增加的通常温度特性，被供给控制电压并工作对供给上述第2双极晶体管的基极电流进行控制，由此对由上述第1双极晶体管的发射极供给的信号放大双极晶体管的基极偏置电流进行控制；及
信号放大双极晶体管，连接在电源电位节点和地电位节点之间，基极与上述第1双极晶体管的发射极连接，输入信号经由电容器输入基极，输出信号由集电极输出。
根据本发明实施例2涉及的放大电路的具体构成，其特征在于，具备：
第1、第2双极晶体管，在电源电位节点和地电位节点之间顺序串联连接；
第3双极晶体管和第1连接成二极管的双极晶体管，在电源电位节点和地电位节点之间顺序串联连接；
第1电阻，连接在控制电位节点与上述第1双极晶体管的基极之间；
第4双极晶体管，集电极与上述第1双极晶体管的基极连接，基极与上述第2双极晶体管和上述第1连接成二极管的双极晶体管的基极共用连接，发射极与地电位节点连接；
第5双极晶体管，连接在上述第1双极晶体管的发射极和地电位节点之间；
第6双极晶体管，集电极与电源电位节点连接，发射极与上述第5双极晶体管的基极连接；
第2电阻，连接在上述第6双极晶体管的发射极和地电位节点之间；
第3电阻，连接在控制电位节点和上述第6双极晶体管的基极之间；
第4电阻和第2、3连接成二极管的双极晶体管，在上述第6双极晶体管的基极和地电位节点之间顺序串联连接；及
信号放大双极晶体管，连接在电源电位节点和地电位节点之间，基极与上述第1双极晶体管的发射极连接，输入信号经由电容器输入基极，输出信号由集电极输出。
根据本发明实施例3涉及的放大电路，其特征在于，具备：
第1电阻和第1双极晶体管，在控制电位节点和地电位节点之间顺序串联连接；
第2双极晶体管，集电极与电源电位节点连接，基极与上述第1双极晶体管的集电极连接，发射极与第1双极晶体管的基极连接；
第2电阻，连接在上述第2双极晶体管的发射极和地电位节点之间；
第3双极晶体管，集电极与电源电位节点连接，基极与上述第1双极晶体管的基极共用连接，由发射极供给信号放大双极晶体管的基极偏置电流；
连接成二极管的双极晶体管，连接在上述第3双极晶体管的发射极和地电位节点之间；
第3电阻，连接在上述第3双极晶体管的发射极和上述连接成二极管的双极晶体管的集电极的连接节点、与控制电位节点之间；及
信号放大双极晶体管，连接在电源电位节点和地电位节点之间，基极与上述第1双极晶体管的发射极连接，输入信号经由电容器输入基极，输出信号由集电极输出。
附图说明
图1是表示本发明的实施例1涉及的偏置电流供给电路及放大电路的基本构成的电路图。
图2是表示本发明的实施例1涉及的偏置电流供给电路及放大电路的具体构成的电路图。
图3是表示使用实施例1涉及的偏置电流供给电路的情况下、RF信号放大双极晶体管的集电极偏置电流与控制电压Vcon的温度特性的曲线图。
图4是表示仅使用实施例1涉及的偏置电流供给电路之中偏置电流供给电路A的情况下、RF信号放大双极晶体管的集电极偏置电流与控制电压Vcon的温度特性的曲线图。
图5是表示本发明的实施例2涉及的偏置电流供给电路及放大电路的基本构成的电路图。
图6是表示本发明的实施例2涉及的偏置电流供给电路及放大电路的具体构成的电路图。
图7是表示使用实施例2涉及的偏置电流供给电路的情况下、RF信号放大双极晶体管的集电极偏置电流与控制电压Vcon的温度特性的曲线图。
图8是表示本发明的实施例3涉及的偏置电流供给电路及放大电路的构成的电路图。
图9是表示使用实施例3涉及的偏置电流供给电路的情况下、RF信号放大双极晶体管的集电极偏置电流与控制电压Vcon的温度特性的曲线图。
图10是表示本发明的实施例3涉及的偏置电流供给电路及放大电路的变形例的构成的电路图。
图11是现有的电流镜型基极偏置电流供给电路的第1例的电路图。
图12是现有的电流镜型基极偏置电流供给电路的第2例的电路图。
图13是现有的电流镜型基极偏置电流供给电路的第3例的电路图。
图14是表示使用图13示出的现有的电流镜型基极偏置电流供给电路的情况下、RF信号放大双极晶体管的集电极偏置电流与控制电压Vcon的温度特性的曲线图。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明涉及的偏置电流供给电路和放大电路的实施例。
图1是表示本发明的实施例1涉及的偏置电流供给电路及放大电路的基本构成的电路图。
本发明的实施例1涉及的偏置电流供给电路，具备：第1双极晶体管Q1和电阻R，在被供给电源电压Vcc的电源电位节点和地电位节点之间顺序串联连接；第2双极晶体管Q2，与第1双极晶体管Q1并联连接；通常温度特性电路1，具有电流供给量随温度上升而增加的通常温度特性，被供给控制电压Vcon并工作对供给第1双极晶体管Q1的基极电流进行控制；及逆温度特性电路2，具有电流供给量随温度上升而减少的逆温度特性，供给控制电压Vcon并工作对供给第2双极晶体管Q2的基极电流进行控制；从第1和第2双极晶体管Q1、Q2与电阻R的连接节点、即共用连接的第1和第2双极晶体管Q1、Q2的发射极，供给RF信号放大双极晶体管RFTr的基极偏置电流。
放大电路由RF信号放大双极晶体管RFTr构成，连接在电源电位节点和地电位节点之间，其基极与第1和第2双极晶体管Q1、Q2的发射极连接，输入RF信号RFin经电容器C输入基极，输出RF信号RFout从集电极输出。
另外，图1示出的构成中，在RF信号放大双极晶体管RFTr的基极与第1和第2双极晶体管Q1、Q2的发射极之间，插入连接用于阻止RF信号的扼流电感线圈L，但是否配置扼流电感线圈L是任意的，也可以去掉扼流电感线圈L形成短路。
换句话解释上述构成，本发明实施例1涉及的偏置电流供给电路具备：第1、第2双极晶体管Q1、Q2，构成协作供给RF信号放大双极晶体管RFTr的基极偏置电流的2个射极跟随器；通常温度特性电路1，具有电流供给量随温度上升而增加的通常温度特性，将基极电流供给第1双极晶体管Q1；及逆温度特性电路2，具有电流供给量随温度上升而减少的逆温度特性，将基极电流供给第2双极晶体管Q2。
在本发明实施例1涉及的偏置电流供给电路中，如果环境温度上升，则由通常温度特性电路1向第1双极晶体管Q1提供的基极电流增加，所以第1双极晶体管Q1的发射极电流增加，另一方面，由逆温度特性电路2向第2双极晶体管Q2提供的基极电流减少，所以第2双极晶体管Q2的发射极电流减少。
相反，如果环境温度下降，则由通常温度特性电路1向第1双极晶体管Q1提供的基极电流减少，所以第1双极晶体管Q1的发射极电流减少，另一方面，由逆温度特性电路2向第2双极晶体管Q2提供的基极电流增加，所以第2双极晶体管Q2的发射极电流增加。
因此，由第1、第2双极晶体管Q1、Q2构成的2个射极跟随器协作而供给RF信号放大双极晶体管RFTr的基极偏置电流因温度变化而产生的变动相抵，因而，RF信号放大双极晶体管RFTr的集电极偏置电流因温度变化而产生的变动被抑制在最小限度内。
另外，如后面所述，通常温度特性电路1和逆温度特性电路2可以分别由通过1级部分的导通电压Vbeon而导通的双极晶体管的组合来构成，所以，本发明的实施例1涉及的偏置电流供给电路的控制电压Vcon能够低电压化。
图2是表示本发明的实施例1涉及的偏置电流供给电路和放大电路的具体构成的一个例子的电路图。
本发明的实施例1涉及的偏置电流供给电路具备：双极晶体管Q1、Q6，在被供给电源电压Vcc的电源电位节点和地电位节点之间顺序串联连接；双极晶体管Q3和连接成二极管的双极晶体管Q5，在电源电位节点和地电位节点之间顺序串联连接；电阻R1，连接在被供给控制电压Vcon的控制电位节点与晶体管Q1的基极之间；电阻R2，连接在晶体管Q1的基极和电阻R1的连接节点、与晶体管Q3的基极之间；电阻R3，一端连接至晶体管Q1的基极；双极晶体管Q4，集电极与电阻R3的另一端连接，基极与晶体管Q5、Q6的基极共用连接，发射极与地电位节点连接；双极晶体管Q2，连接在电源电位节点和晶体管Q1的发射极之间；电阻R4，连接在控制电位节点和晶体管Q2的基极之间；电阻R5和双极晶体管Q7，连接在晶体管Q2的基极和地电位节点之间；双极晶体管Q8，连接在电源电位节点和晶体管Q7的基极之间；电阻R6，连接在晶体管Q8的发射极和地电位节点之间；电阻R7，连接在控制电位节点和晶体管Q8的基极之间；连接成二极管双极晶体管Q9、Q10，顺序串联连接在晶体管Q8的基极和节点电位节点之间。
放大电路由RF信号放大双极晶体管RFTr构成，连接在电源电位节点和地电位节点之间，其基极与晶体管Q1、Q2的发射极连接，输入RF信号RFin经电容器C输入基极，输出RF信号RFout从集电极输出。
另外，在图2示出的构成中，在RF信号放大双极晶体管RFTr的基极与晶体管Q1、Q2的发射极之间，插入连接用于阻止RF信号的扼流电感线圈L，但是否配置扼流电感线圈L是任意的，也可以去掉扼流电感线圈L形成短路。
而且，在图2所示的本发明实施例1涉及的偏置电流供给电路中所含的电阻R2、R3也用于阻止RF信号向偏置电流供给电路泄漏，所以，是否配置电阻R2、R3是任意的，也可以去掉电阻R2、R3形成短路。
晶体管Q3、Q4、Q5、Q6和电阻R1、R2、R3构成的电路相当于图1的通常温度特性电路1，在此基础上加上作为射极跟随器的晶体管Q1的电路，构成具有通常温度特性的偏置电流供给电路A。
由于偏置电流供给电路A具有通常的温度特性，所以，当环境温度上升时，作为射极跟随器的晶体管Q1使向RF信号放大双极晶体管RFTr供给的基极偏置电流增加，当环境温度下降时，使基极偏置电流减少。
晶体管Q3、Q4、Q5构成用于设定晶体管Q1基极电位的电流镜电路，晶体管Q6是用于设定晶体管Q1的电流值的晶体管，其基极电位由晶体管Q3、Q4、Q5构成的电流镜电路供给。
电阻R1设定晶体管Q3的电流值，电阻R2、R3如上所述阻止FR信号向偏置电流供给电路泄露。
通过控制电压Vcon，决定由电源电位节点供给的晶体管Q1的集电极电流和RF信号放大双极晶体管RFTr的集电极电流。
晶体管Q7、Q8、Q9、Q10和电阻R4、R5、R6、R7构成的电路相当于图1的逆温度特性电路2，在此基础上加上作为射极跟随器的晶体管Q2的电路构成具有与通常相反的温度特性的偏置电流供给电路B。
由于偏置电流供给电路B具有与通常相反的温度特性，所以，当环境温度上升时，作为射极跟随器的晶体管Q2使向RF信号放大双极晶体管RFTr供给的基极偏置电流减少，当环境温度下降时，使基极偏置电流增加。
晶体管Q2的基极电位由晶体管Q7的集电极电流和电阻R7设定。
晶体管Q8、Q9、Q10和电阻R5、R6构成的电路是用于设定晶体管Q7的基极电位的电路。
由于各个双极晶体管具有通常的温度特性，所以流过晶体管Q7的集电极电流随环境温度的上升而增加，而随环境温度的降低而减少。另一方面，作为射极跟随器的晶体管Q2的基极电位，由电阻R4引起的压降决定。因此，环境温度上升时，晶体管Q2的基极电位大幅下降，而环境温度降低时，晶体管Q2的基极电位上升。
其结果，作为射极跟随器的晶体管Q2，在低温时，向RF信号放大双极晶体管RFTr提供足够的基极偏置电流，但在高温时，不能供给基极偏置电流。
因此，由晶体管Q1、Q2构成的2个射极跟随器协作而供给的RF信号放大双极晶体管RFTr的基极偏置电流因温度变化引起的变动相抵，结果，RF信号放大双极晶体管RFTr的集电极偏置电流因温度变化而产生的变动被抑制在最小限度内。
另外，偏置电流供给电路A和偏置电流供给电路B可以分别通过1级部分的导通电压Vbeon而导通的双极晶体管的组合来构成，所以，本发明的实施例1涉及的偏置电流供给电路的控制电压Vcon能够低电压化。
图3是表示使用实施例1涉及的偏置电流供给电路的情况下、RF信号放大双极晶体管的集电极偏置电流与控制电压Vcon的温度特性的曲线图。图4是表示仅使用实施例1涉及的偏置电流供给电路之中偏置电流供给电路A的情况下、RF信号放大双极晶体管的集电极偏置电流与控制电压Vcon的温度特性的曲线图。图3和图4中，曲线T1、T2、T3分别表示环境温度80℃、30℃、-20℃下的温度特性。
其中使用的双极晶体管是铟·镓·磷/镓·砷(InGaP/GaAs)异质结双极晶体管，RF信号放大双极晶体管RFTr使用发射极尺寸4×30μm的48条，在偏置电流供给电路中，晶体管Q1使用发射极尺寸4×30μm的8条，晶体管Q2使用发射极尺寸4×30μm的6条，晶体管Q6使用发射极尺寸4×30μm的2条，晶体管Q2、Q3、Q4、Q5、Q7、Q8、Q9、Q10使用发射极尺寸4×10μm的各1条。
另外，各电阻的电阻值如下：电阻R1为600Ω、电阻R2为1000Ω、电阻R3为100Ω、电阻R4为1000Ω、电阻R5为600Ω、电阻R6为17000Ω、电阻R7为2000Ω、电阻R8为200Ω。
电源电压Vcc是3.4V，控制电压Vcon在2.0V～3.0V的范围内可变。但是，上述各设定值是在假定控制电压Vcon为2.8V的情况下设定的。
如图3的曲线所示，可知在使用本发明实施例1涉及的偏置电流供给电路的情况下，将控制电压Vcon设定为2.8V时，各环境温度的RF信号放大双极晶体管的集电极偏置电流为46mA、42mA、45mA，基本没有变化。另外，即使控制电压Vcon变动，也可以将RF信号放大双极晶体管的集电极偏置电流的变动抑制得较小。
另一方面，如图4的曲线所示，可知在仅使用本发明实施例1涉及的偏置电流供给电路中的偏置电流供给电路A的情况下，将控制电压Vcon设定为2.8V时，各环境温度下的RF信号放大双极晶体管的集电极偏置电流为75mA、52mA、30mA，变化较大。
也就是说，可知如果使用本发明实施例1涉及的偏置电流供给电路，则可以将RF信号放大双极晶体管的集电极偏置电流因温度变化引起的变动抑制在最小限度内。
图5是表示本发明的实施例2涉及的偏置电流供给电路及放大电路的基本构成的电路图。
本发明实施例2涉及的偏置电流供给电路具备：第1双极晶体管Q1和第2双极晶体管Q2，在被供给电源电压Vcc的电源电位节点和地电位节点之间顺序串联连接；通常温度特性电路1，具有电流供给量随温度上升而增加的通常温度特性，被供给控制电压Vcon并工作对供给第1双极晶体管Q1的基极电流进行控制；及偏置电流补偿电路3，具有电流供给量随温度上升而增加的通常温度特性，被供给控制电压Vcon并工作对供给第2双极晶体管Q2的基极电流进行控制，由此对由第1双极晶体管Q1的发射极供给的偏置电流进行控制；从第1和第2双极晶体管Q1、Q2的连接节点、即第1双极晶体管Q1的发射极，提供RF信号放大双极晶体管RFTr的基极偏置电流。
放大电路由RF信号放大双极晶体管RFTr构成，连接在电源电位节点和地电位节点之间，其基极与第1双极晶体管Q1的发射极连接，输入RF信号RFin经电容器C输入基极，输出RF信号RFout从集电极输出。
另外，在图5示出的构成中，在RF信号放大双极晶体管RFTr的基极与第1双极晶体管Q1的发射极之间，插入连接用于阻止RF信号的扼流电感线圈L，但是否配置扼流电感线圈L是任意的，也可以去掉扼流电感线圈L形成短路。
对上述构成换而言之，本发明实施例2涉及的偏置电流供给电路具备：第1双极晶体管Q1，构成提供RF信号放大双极晶体管RFTr的基极偏置电流的射极跟随器；第2双极晶体管Q2，与第1双极晶体管Q1串联连接；通常温度特性电路1，具有电流供给量随温度上升而增加的通常温度特性，将基极电流供给第1双极晶体管Q1；及偏置电流补偿电路3，具有电流供给量随温度上升而增加的通常温度特性，将基极电流供给第2双极晶体管Q2，使由第1双极晶体管Q1的发射极供给的基极偏置电流的一部分流过第2双极晶体管Q2，由此对基极偏置电流伴随环境温度上升的增加进行抑制。
在本发明实施例2涉及的偏置电流供给电路中，当环境温度上升时，由于从通常温度特性电路1向第1双极晶体管Q1提供的基极电流增加，所以第1双极晶体管Q1的发射极电流增加，另外，由于从偏置补偿电路3向第2双极晶体管Q2提供的基极电流也增加，所以第1双极晶体管Q1的发射极电流之中流过第2双极晶体管Q2的电流增加，可以抑制由第1双极晶体管Q1的发射极提供的偏置电流的增加。
相反，当环境温度降低时，由于从通常温度特性电路1向第1双极晶体管Q1提供的基极电流减少，所以第1双极晶体管Q1的发射极电流减少，另外，由于从偏置补偿电路3向第2双极晶体管Q2提供的基极电流也减少，所以第1双极晶体管Q1的发射极电流之中流过第2双极晶体管Q2的电流减少，偏置电流补偿电路3和第2双极晶体管Q2产生的偏置电流抑制效果几乎消失，第1双极晶体管Q1的发射极电流的大部分作为偏置电流提供。
因而，由第1双极晶体管Q1构成的射极跟随器所提供的RF信号放大双极晶体管RFTr的基极偏置电流因温度变化引起的变动相抵消，其结果，RF信号放大双极晶体管RFTr的集电极偏置电流因温度变化引起的变动被抑制在最小限度内。
另外，如后面说明的那样，通常温度特性电路1和偏置电流补偿电路3可以分别由1级部分的导通电压Vbeon而导通的双极晶体管的组合来构成，所以，本发明的第2实施例涉及的偏置电流供给电路的控制电压Vcon能够低电压化。
图6是表示本发明的实施例2涉及的偏置电流供给电路和放大电路的具体构成的一个例子的电路图。
本发明实施例2涉及的偏置电流供给电路，具备：双极晶体管Q1、Q5，在被提供了电源电压Vcc的电源电位节点和地电位节点之间顺序串联连接；双极晶体管Q2和连接成二极管的双极晶体管Q4，在电源电位节点和地电位节点之间顺序串联连接；电阻R1，连接在被提供了控制电压Vcon的控制电位节点与双极晶体管Q1的基极之间；电阻2，连接在晶体管Q1的基极和电阻R1的连接节点与晶体管Q2的基极之间；电阻3，一端连接至晶体管Q1的基极；双极晶体管Q3，集电极连接至电阻R3的另一端，基极与晶体管Q4、Q5的基极共用连接，发射极连接至地电位节点；双极晶体管Q6，连接在晶体管Q1的发射极和地电位节点之间；双极晶体管Q7，集电极连接至电源电压节点，发射极连接至晶体管Q6的基极；电阻R4，连接在晶体管Q7的发射极和地电位节点之间；电阻R5，连接在控制电位节点和晶体管Q7的基极之间；电阻6和连接成二极管的双极晶体管Q8、Q9，在晶体管Q7的基极和地电位节点之间顺序串联连接。
放大电路由RF信号放大双极晶体管RFTr构成，连接在电源电位节点和地电位节点之间，其基极与晶体管Q1的发射极连接，输入RF信号RFin经电容器C输入基极，输出RF信号RFout从集电极输出。
另外，在图6示出的构成中，在RF信号放大双极晶体管RFTr的基极与晶体管Q1的发射极之间，插入连接用于阻止RF信号的扼流电感线圈L，但是否配置扼流电感线圈L是任意的，也可以去掉扼流电感线圈L形成短路。
另外，图6示出的实施例2涉及的偏置电流供给电路所含的电阻R2、R3也用于防止向偏置电流供给电路泄漏RF信号，所以是否配置电阻R2、R3是任意的，也可以去掉电阻R2、R3形成短路。
由晶体管Q2、Q3、Q4、Q5和电阻R1、R2、R3构成的电路相当于图5的通常温度特性电路1，在此基础上增加作为射极跟随器的晶体管Q1的电路构成具有通常温度特性的偏置电流供给电路A。
由于偏置电流供给电路A具有通常的温度特性，所以作为射极跟随器的晶体管Q1，当环境温度上升时，使供给RF信号放大双极晶体管RFTr的基极偏置电流增加，当环境温度降低时，使基极偏置电流减少。
晶体管Q2、Q3、Q4构成用于设定晶体管Q1的基极电位的电流镜电路。晶体管Q5是用于设定晶体管Q1的电流值的晶体管，其基极电位由晶体管Q2、Q3、Q4构成的电流镜电路提供。
电阻R1设定晶体管Q2的电流值，电阻R2、R3如上所述用于阻止RF信号泄漏至偏置电流供给电路。
通过控制电压Vcon，控制由电源电位节点提供的晶体管Q1的集电极电流和RF信号放大双极晶体管RFTr的集电极电流。
晶体管Q7、Q8、Q9和电阻R4、R5、R6构成的电路相当于图5的偏置电流补偿电路3，在此基础上增加晶体管Q6的电路在此构成偏置电流供给电路D。
晶体管Q7、Q8、Q9和电阻R4、R5、R6构成的电路是用于设定晶体管Q6的基极电位的电路，该晶体管Q6与晶体管Q1串联、且与晶体管Q5并联连接。
由于各个晶体管具有通常温度特性，所以流过晶体管Q7的发射极电流随环境温度的上升而增加，另外随环境温度的降低而减少。因此，当环境温度上升时，晶体管Q6的基极电位上升，当环境温度降低时，晶体管Q6的基极电位降低。
其结果，作为射极跟随器的晶体管Q1的发射极电位，在低温时维持在相对高的水平，在高温时降低相对大的程度。
也就是说，当环境温度上升时，由于向作为射极跟随器的晶体管Q1提供的基极电流增加，所以晶体管Q1的发射极电流增加，另外，由于向与晶体管Q1串联且与晶体管Q5并联的晶体管Q6提供的基极电流也增加，所以晶体管Q1的发射极电流之中流过晶体管Q6的电流增加，而变得比流过晶体管Q5的电流多，抑制了由晶体管Q1的发射极提供的偏置电流的增加。
相反，当环境温度降低时，由于向晶体管Q1提供的基极电流减少，所以晶体管Q1的发射极电流减少，另外，由于向晶体管Q6提供的基极电流也减少，所以晶体管Q1的发射极电流之中流过晶体管Q6的电流减少，偏置电流补偿电路D引起的偏置电流抑制效果基本被抵销，晶体管Q1的发射极电流的大部分作为偏置电流被提供。
因此，由晶体管Q1构成的射极跟随器提供的RF信号放大双极晶体管RFTr的基极偏置电流因温度变化引起的变动相抵，结果可以将RF信号放大双极晶体管RFTr的集电极偏置电流因温度变化引起的变动抑制在最小限度内。
另外，偏置电流供给电路A和偏置电流补偿电路D分别由1级部分的导通电压Vbeon而导通的双极晶体管的组合来构成，所以，本发明的第2实施例涉及的偏置电流供给电路的控制电压Vcon能够低电压化。
图7是表示使用本发明的实施例2涉及的偏置电流供给电路的情况下、RF信号放大双极晶体管的集电极偏置电流与控制电压Vcon的温度特性的曲线图。在图7中，曲线T1、T2、T3分别表示环境温度80℃、30℃、-20℃的温度特性。
而且，本发明实施例2涉及的偏置电流供给电路所含的偏置电流供给电路A的一部分参照符号虽然不同，但电路构成与本发明实施例1涉及的偏置电流供给电路所含的偏置电流供给电路A完全相同。因此，仅使用本发明实施例2涉及的偏置电流供给电路之中偏置电流供给电路A的情况下、RF信号放大双极晶体管的集电极偏置电流与控制电压Vcon的温度特性的曲线图，与图4完全相同。
其中使用的双极晶体管是铟·镓·磷/镓·砷(InGaP/GaAs)的异质结双极晶体管，RF信号放大双极晶体管RFTr分别使用发射极尺寸4×30μm的48条，在偏置电流供给电路中，晶体管Q1使用发射极尺寸4×30μm的8条，晶体管Q5、Q6使用发射极尺寸4×30μm的2条，晶体管Q7使用发射极尺寸4×10μm的2条，晶体管Q2、Q3、Q4、Q8、Q9各使用发射极尺寸4×10μm的1条。
另外，各个电阻的电阻值如下：电阻R1为600Ω、电阻R2为1000Ω、电阻R3为100Ω、电阻R4为6000Ω、电阻R5为3000Ω、电阻R6为400Ω。
电源电压Vcc是3.4V，控制电压Vcon在2.0V到3.0V的范围内可变。但是，上述各设定值是在假设将控制电压Vcon设定为2.8V的情况下设定的。
如图7的曲线所示，可知使用本发明实施例2涉及的偏置电流供给电路的情况，当将控制电压Vcon设定成2.8V时，各环境温度下的RF信号放大双极晶体管的集电极偏置电流为65A、62mA、53mA时，基本不发生变化。而且，即使控制电压Vcon变动，也可以将RF信号放大双极晶体管的集电极偏置电流的变动抑制得较小。
另一方面，如图4的曲线所示，可知仅使用本发明实施例2涉及的偏置电流供给电路之中偏置电流供给电路A的情况，当将控制电压Vcon设定成2.8V时，各环境温度下的RF信号放大双极晶体管的集电极偏置电流为75mA、52mA、30mA时，有大的变化。
也就是说，可知如果使用本发明实施例2涉及的偏置电流供给电路，则RF信号放大双极晶体管的集电极偏置电流因温度变化引起的变动抑制在最小限度内。
图8是表示本发明实施例3涉及的偏置电流供给电路和放大电路的构成的电路图。
本发明实施例3涉及的偏置电流供给电路具备：电阻R1和双极晶体管Q1，在被供给控制电压Vcon的控制电位节点和地电位节点之间顺序串联连接；双极晶体管Q2，集电极连接至被供给电源电压Vcc的电源电位节点，基极连接至晶体管Q1的集电极，发射极连接至晶体管Q1的基极；电阻R3，连接在晶体管Q2的发射极和地电位节点之间；双极晶体管Q4，集电极连接至电源电位节点，基极与晶体管Q1的基极共用连接；连接成二极管的双极晶体管Q3，连接在晶体管Q4的发射极和地电位节点之间；及电阻R2，连接在晶体管Q4的发射极和晶体管Q3的集电极的连接节点与控制电位节点之间；从晶体管Q4的发射极和晶体管Q3的集电极的连接节点，供给RF信号放大双极晶体管RFTr的基极偏置电流。
放大电路由RF信号放大双极晶体管RFTr构成，连接在电源电位节点和地电位节点之间，其基极与晶体管Q4的发射极和晶体管Q3的集电极的连接节点连接，输入RF信号RFin经电容器C输入基极，输出RF信号RFout从集电极输出。
另外，在图8示出的构成中，在晶体管Q4的发射极和晶体管Q3的集电极的连接节点、与RF信号放大双极晶体管RFTr的基极之间，插入连接用于阻止RF信号的扼流电感线圈L，但是否配置扼流电感线圈L是任意的，也可以去掉扼流电感线圈L形成短路。
本发明实施例3涉及的偏置电流供给电路是对如图13所示的现有的偏置电流供给电路进行改良后的电路。在如图13所示的现有的偏置电流供给电路中，插入电阻R1和晶体管Q1之间串联连接的晶体管Q2，在本发明实施例3涉及的偏置电流供给电路中，被从电阻R1和晶体管Q1之间去除，在电源电位节点和地电位节点之间与电阻R3一起按照晶体管Q2、电阻R3的顺序串联连接。
在本发明实施例3涉及的偏置电流供给电路中，晶体管Q2、Q4具有射极跟随器的功能，晶体管Q2、Q4的基极电位由晶体管Q1设定。放大电路为高输出时，由晶体管Q4向RF信号放大双极晶体管RFTr提供基极偏置电流。
而且，无论在现有的偏置电流供给电路中，还是在本发明实施例3涉及的偏置电流供给电路中，电阻R2和连接成二极管的双极晶体管Q3用于流过无效电流。
在现有偏置电流供给电路中，由于2个晶体管Q1、Q2串联连接，所以流过晶体管Q1、Q2的电流由流过电阻R1的电流Icon＝(Vcon-2Vbeon)/2(Vbeon是晶体管的导通电压)决定。因此，当晶体管的导通电压Vbeon相应于环境温度的变化而变动时，该变动的部分变成2倍而反映在电流Icon的变动中，电流Icon较大地变动。例如，当控制电压Vcon＝2.8V时，晶体管的导通电压Vbeon对应于环境温度的变化而从1.2V变动至1.3V，则2级的晶体管的导通电压Vbeon的变动部分为0.1+0.1＝0.2V，电流Icon从0.66mA变化至0.33mA，变动较大。其结果，作为射极跟随器的晶体管Q4的电流值受到温度变化的影响而大幅减少，向RF信号放大双极晶体管RFTr提供的基极偏置电流的供给量也减少。
另一方面，在本发明实施例3涉及的偏置电流供给电路中，顺序串联连接的电阻R1和晶体管Q1、顺序串联连接的晶体管Q2和电阻R3相互构成并联电路。因此，即使晶体管的导通电压Vbeon相应于环境温度的变化而变动，流过电阻R1电流Icon的变动仅反映1个晶体管Q1的导通电压Vbeon变动的部分，晶体管Q2的定电流性由电阻R3维持。其结果，作为射极跟随器的晶体管Q4的电流值的变动也被抑制得较小，向RF信号放大双极晶体管RFTr提供的基极偏置电流的变动也被抑制得较小。
图9是使用本发明实施例3涉及的偏置电流供给电路的情况下、RF信号放大双极晶体管RFTr的集电极偏置电流与控制电压Vcon的温度特性的曲线图。在图9中，曲线T1、T2、T3分别表示环境温度90℃、30℃、-30℃下的温度特性。
其中使用的双极晶体管是铟·镓·磷/镓·砷(InGaP/GaAs)的异质结双极晶体管，RF信号放大双极晶体管RFTr使用发射极尺寸4×30μm的48条，在偏置电流供给电路中，晶体管Q1、Q2各使用发射极尺寸4×10μm的1条，晶体管Q3使用发射极尺寸4×20μm的1条，晶体管Q4使用发射极尺寸4×30μm的8条。
另外，各个电阻的电阻值如下：电阻R1为600Ω、电阻R2为5000Ω、电阻R3为3000Ω。
电源电压Vcc是3.4V。控制电压Vcon在1.4V到3.0V的范围内可变。但是，上述各设定值是在假设将控制电压Vcon设定为2.8V的情况下设定的。
如图9的曲线所示，可知使用本发明实施例3涉及的偏置电流供给电路的情况，当将控制电压Vcon设定成2.8V时，各环境温度的RF信号放大双极晶体管的集电极偏置电流为39A、35mA、30mA时，基本不发生变化，变动被抑制得较小。
另一方面，如图14的曲线所示，可知使用图13所示的现有偏置电流供给电路的情况，当将控制电压Vcon设定成2.8V时，各环境温度下的RF信号放大双极晶体管的集电极偏置电流为45mA、35mA、27mA时，有大的变化。
也就是说，可知如果使用本发明实施例3涉及的偏置电流供给电路，则RF信号放大双极晶体管的集电极偏置电流因温度变化引起的变动抑制在最小限度内。
图10是表示本发明实施例3涉及的偏置电流供给电路和放大电路的变化例的构成的电路图。
本发明实施例3涉及的偏置电流供给电路的变化例与图8所示的本发明实施例3涉及的偏置电流供给电路的不同之处在于，还具备插入连接在晶体管Q3的基极和集电极之间的电阻Rc1、及插入连接在晶体管Q2的基极和晶体管Q1的集电极之间的电阻Rc2。
各晶体管、各电阻、电源电压Vcc、控制电压Vcon的设定值如图9的说明中记载的那样设定时，电阻Rc1和电阻Rc2的电阻值分别设定为1000Ω即可。
通过插入连接电阻Rc1和电阻Rc2，能实现图9示出的温度特性，同时偏置电流供给电路的输出阻抗在低频时变得较低，在高频时变得较高，所以不需要用于阻止RF信号的扼流电感线圈L。即使插入连接这些电阻，直流上如果电流增益为100以上，则偏置电流的温度特性与图9的曲线所示的温度特性基本相同。
基于上述电阻Rc1和电阻Rc2的RF信号的阻止是利用了晶体管的基极频率特性的效果，直流上这些电阻只能表现出串联10Ω左右的电阻，但射频(RF)的交流上这些电阻能表现出串联100Ω以上的电阻，能得到阻止RF信号的效果。
发明的效果如下：
根据本发明的实施例1涉及的偏置电流供给电路和放大电路的基本构成，具备：第1、第2双极晶体管，构成协作供给信号放大双极晶体管的基极偏置电流的2个射极跟随器；通常温度特性电路，具有电流供给量随温度上升而增加的通常温度特性，将基极电流供给上述第1双极晶体管；及逆温度特性电路，具有电流供给量随温度上升而减少的逆温度特性，将基极电流供给上述第2双极晶体管；所以，可以抑制通过低电源电压工作的线性高效率高输出放大电路的集电极电流因温度变化引起的变动。
根据本发明的实施例2涉及的偏置电流供给电路和放大电路的基本构成，具备：第1双极晶体管，构成供给信号放大双极晶体管的基极偏置电流的射极跟随器；第2双极晶体管，与上述第1双极晶体管串联连接；通常温度特性电路，具有电流供给量随温度上升而增加的通常温度特性，将基极电流供给上述第1双极晶体管；及偏置电流补偿电路，具有电流供给量随温度上升而增加的通常温度特性，将基极电流供给上述第2双极晶体管，使由上述第1双极晶体管的发射极供给的上述基极偏置电流的一部分流过上述第2双极晶体管，由此对上述基极偏置电流伴随环境温度上升的增加进行抑制；所以，可以抑制通过低电源电压工作的线性高效率高输出放大电路的集电极电流因温度变化引起的变动。
根据本发明的实施例3涉及的偏置电流供给电路和放大电路，具备：第1电阻和第1双极晶体管，在控制电位节点和地电位节点之间顺序串联连接；第2双极晶体管，集电极与电源电位节点连接，基极与上述第1双极晶体管的集电极连接，发射极与第1双极晶体管的基极连接；第2电阻，连接在上述第2双极晶体管的发射极和地电位节点之间；第3双极晶体管，集电极与电源电位节点连接，基极与上述第1双极晶体管的基极共用连接，由发射极供给信号放大双极晶体管的基极偏置电流；连接成二极管的双极晶体管，连接在上述第3双极晶体管的发射极和地电位节点之间；及第3电阻，连接在上述第3双极晶体管的发射极和上述连接成二极管的双极晶体管的集电极的连接节点、与控制电位节点之间；所以，可以抑制通过低电源电压工作的线性高效率高输出放大电路的集电极电流因温度变化引起的变动。

Claims (25)

1.一种偏置电流供给电路，其特征在于，具备：
第1、第2双极晶体管，构成协作供给信号放大双极晶体管的基极偏置电流的2个射极跟随器；
通常温度特性电路，具有电流供给量随温度上升而增加的通常温度特性，将基极电流供给上述第1双极晶体管；及
逆温度特性电路，具有电流供给量随温度上升而减少的逆温度特性，将基极电流供给上述第2双极晶体管。
2.一种偏置电流供给电路，其特征在于，具备：
第1双极晶体管和电阻，在电源电位节点和地电位节点之间顺序串联连接；
第2双极晶体管，与上述第1双极晶体管并联连接；
通常温度特性电路，具有电流供给量随温度上升而增加的通常温度特性，被供给控制电压并工作对供给上述第1双极晶体管的基极电流进行控制；及
逆温度特性电路，具有电流供给量随温度上升而减少的逆温度特性，被供给上述控制电压并工作对供给上述第2双极晶体管的基极电流进行控制；
从共用连接的上述第1和第2双极晶体管的发射极，供给信号放大双极晶体管的基极偏置电流。
3.一种偏置电流供给电路，其特征在于，具备：
第1、第2双极晶体管，在电源电位节点和地电位节点之间顺序串联连接；
第3双极晶体管和第1连接成二极管的双极晶体管，在电源电位节点和地电位节点之间顺序串联连接；
第1电阻，连接在控制电位节点与上述第1双极晶体管的基极之间；
第4双极晶体管，集电极与上述第1双极晶体管的基极连接，基极与上述第2双极晶体管和上述第1连接成二极管的双极晶体管的基极共用连接，发射极与地电位节点连接；
第5双极晶体管，连接在电源电位节点和上述第1双极晶体管的发射极之间；
第2电阻，连接在控制电位节点和上述第5双极晶体管的基极之间；
第3电阻和第6双极晶体管，在上述第5双极晶体管的基极和地电位节点之间顺序串联连接；
第7双极晶体管，连接在电源电位节点和上述第6双极晶体管的基极之间；
第4电阻，连接在上述第7双极晶体管的发射极和地电位节点之间；
第5电阻，连接在控制电位节点和上述第7双极晶体管的基极之间；及
第2、3连接成二极管的双极晶体管，在上述第7双极晶体管的基极和地电位节点之间顺序串联连接。
4.如权利要求3所述的偏置电流供给电路，其特征在于还具备：
第6电阻，插入连接在上述第1双极晶体管的基极和上述第1电阻的连接节点、与上述第3双极晶体管的基极之间；及
第7电阻，插入连接在上述第1双极晶体管的基极和上述第1电阻的连接节点、与上述第4双极晶体管的集电极之间。
5.一种偏置电流供给电路，其特征在于，具备：
第1双极晶体管，构成供给信号放大双极晶体管的基极偏置电流的射极跟随器；
第2双极晶体管，与上述第1双极晶体管串联连接；
通常温度特性电路，具有电流供给量随温度上升而增加的通常温度特性，将基极电流供给上述第1双极晶体管；及
偏置电流补偿电路，具有电流供给量随温度上升而增加的通常温度特性，将基极电流供给上述第2双极晶体管，使由上述第1双极晶体管的发射极供给的上述基极偏置电流的一部分流过上述第2双极晶体管，由此对上述基极偏置电流伴随环境温度上升的增加进行抑制。
6.一种偏置电流供给电路，其特征在于，具备：
第1、第2双极晶体管，在电源电位节点和地电位节点之间顺序串联连接；
通常温度特性电路，具有电流供给量随温度上升而增加的通常温度特性，被供给控制电压并工作对供给上述第1双极晶体管的基极电流进行控制；及
偏置电流补偿电路，具有电流供给量随温度上升而增加的通常温度特性，被供给控制电压并工作对供给上述第2双极晶体管的基极电流进行控制，由此对由上述第1双极晶体管的发射极供给的信号放大双极晶体管的基极偏置电流进行控制。
7.一种偏置电流供给电路，其特征在于，具备：
第1、第2双极晶体管，在电源电位节点和地电位节点之间顺序串联连接；
第3双极晶体管和第1连接成二极管的双极晶体管，在电源电位节点和地电位节点之间顺序串联连接；
第1电阻，连接在控制电位节点与上述第1双极晶体管的基极之间；
第4双极晶体管，集电极与上述第1双极晶体管的基极连接，基极与上述第2双极晶体管和上述第1连接成二极管的双极晶体管的基极共用连接，发射极与地电位节点连接；
第5双极晶体管，连接在上述第1双极晶体管的发射极和地电位节点之间；
第6双极晶体管，集电极与电源电位节点连接，发射极与上述第5双极晶体管的基极连接；
第2电阻，连接在上述第6双极晶体管的发射极和地电位节点之间；
第3电阻，连接在控制电位节点和上述第6双极晶体管的基极之间；及
第4电阻和第2、3连接成二极管的双极晶体管，在上述第6双极晶体管的基极和地电位节点之间顺序串联连接。
8.如权利要求7所述的偏置电流供给电路，其特征在于还具备：
第5电阻，插入连接在上述第1双极晶体管的基极和上述第1电阻的连接节点、与上述第3双极晶体管的基极之间；及
第6电阻，插入连接在上述第1双极晶体管的基极和上述第1电阻的连接节点、与上述第4双极晶体管的集电极之间。
9.一种偏置电流供给电路，其特征在于，具备：
第1电阻和第1双极晶体管，在控制电位节点和地电位节点之间顺序串联连接；
第2双极晶体管，集电极与电源电位节点连接，基极与上述第1双极晶体管的集电极连接，发射极与第1双极晶体管的基极连接；
第2电阻，连接在上述第2双极晶体管的发射极和地电位节点之间；
第3双极晶体管，集电极与电源电位节点连接，基极与上述第1双极晶体管的基极共用连接，由发射极供给信号放大双极晶体管的基极偏置电流；
连接成二极管的双极晶体管，连接在上述第3双极晶体管的发射极和地电位节点之间；及
第3电阻，连接在上述第3双极晶体管的发射极和上述连接成二极管的双极晶体管的集电极的连接节点、与控制电位节点之间。
10.如权利要求9所述的偏置电流供给电路，其特征在于还具备：
第4电阻，插入连接在上述连接成二极管的双极晶体管的基极与集电极之间；及
第5电阻，插入连接在上述第2双极晶体管的基极与上述第1双极晶体管的集电极之间。
11.一种放大电路，其特征在于，具备：
第1、第2双极晶体管，构成协作供给信号放大双极晶体管的基极偏置电流的2个射极跟随器；
通常温度特性电路，具有电流供给量随温度上升而增加的通常温度特性，将基极电流供给上述第1双极晶体管；及
逆温度特性电路，具有电流供给量随温度上升而减少的逆温度特性，将基极电流供给上述第2双极晶体管；及
信号放大双极晶体管，连接在电源电位节点和地电位节点之间，基极与上述第1和第2双极晶体管的发射极连接，输入信号经由电容器输入基极，输出信号由集电极输出。
12.一种放大电路，其特征在于，具备：
第1双极晶体管和电阻，在电源电位节点和地电位节点之间顺序串联连接；
第2双极晶体管，与上述第1双极晶体管并联连接；
通常温度特性电路，具有电流供给量随温度上升而增加的通常温度特性，被供给控制电压并工作对供给上述第1双极晶体管的基极电流进行控制；
逆温度特性电路，具有电流供给量随温度上升而减少的逆温度特性，被供给上述控制电压并工作对供给上述第2双极晶体管的基极电流进行控制；及
信号放大双极晶体管，连接在电源电位节点和地电位节点之间，基极与上述第1和第2双极晶体管的发射极连接，输入信号经由电容器输入基极，输出信号由集电极输出。
13.如权利要求11或12所述的放大电路，其特征在于，还具备扼流电感线圈，插入连接在上述信号放大双极晶体管的基极、与上述第1和第2双极晶体管的发射集之间。
14.一种放大电路，其特征在于，具备：
第1、第2双极晶体管，在电源电位节点和地电位节点之间顺序串联连接；
第3双极晶体管和第1连接成二极管的双极晶体管，在电源电位节点和地电位节点之间顺序串联连接；
第1电阻，连接在控制电位节点与上述第1双极晶体管的基极之间；
第4双极晶体管，集电极与上述第1双极晶体管的基极连接，基极与上述第2双极晶体管和上述第1连接成二极管的双极晶体管的基极共用连接，发射极与地电位节点连接；
第5双极晶体管，连接在电源电位节点和上述第1双极晶体管的发射极之间；
第2电阻，连接在控制电位节点和上述第5双极晶体管的基极之间；
第3电阻和第6双极晶体管，在上述第5双极晶体管的基极和地电位节点之间顺序串联连接；
第7双极晶体管，连接在电源电位节点和上述第6双极晶体管的基极之间；
第4电阻，连接在上述第7双极晶体管的发射极和地电位节点之间；
第5电阻，连接在控制电位节点和上述第7双极晶体管的基极之间；
第2、3连接成二极管的双极晶体管，在上述第7双极晶体管的基极和地电位节点之间顺序串联连接；及
信号放大双极晶体管，连接在电源电位节点和地电位节点之间，基极与上述第1和第5双极晶体管的发射极连接，输入信号经由电容器输入基极，输出信号由集电极输出。
15.如权利要求14所述的放大电路，其特征在于还具备：
第6电阻，插入连接在上述第1双极晶体管的基极和上述第1电阻的连接节点、与上述第3双极晶体管的基极之间；及
第7电阻，插入连接在上述第1双极晶体管的基极和上述第1电阻的连接节点、与上述第4双极晶体管的集电极之间。
16.如权利要求14或15所述的放大电路，其特征在于，还具备扼流电感线圈，插入连接在上述信号放大双极晶体管的基极、与上述第1和第5双极晶体管的发射集之间。
17.一种放大电路，其特征在于，具备：
第1双极晶体管，构成供给信号放大双极晶体管的基极偏置电流的射极跟随器；
第2双极晶体管，与上述第1双极晶体管串联连接；
通常温度特性电路，具有电流供给量随温度上升而增加的通常温度特性，将基极电流供给上述第1双极晶体管；
偏置电流补偿电路，具有电流供给量随温度上升而增加的通常温度特性，将基极电流供给上述第2双极晶体管，使由上述第1双极晶体管的发射极供给的上述基极偏置电流的一部分流过上述第2双极晶体管，由此对上述基极偏置电流伴随环境温度上升的增加进行抑制；及
信号放大双极晶体管，连接在电源电位节点和地电位节点之间，基极与上述第1双极晶体管的发射极连接，输入信号经由电容器输入基极，输出信号由集电极输出。
18.一种放大电路，其特征在于，具备：
第1、第2双极晶体管，在电源电位节点和地电位节点之间顺序串联连接；
通常温度特性电路，具有电流供给量随温度上升而增加的通常温度特性，被供给控制电压并工作对供给上述第1双极晶体管的基极电流进行控制；
偏置电流补偿电路，具有电流供给量随温度上升而增加的通常温度特性，被供给控制电压并工作对供给上述第2双极晶体管的基极电流进行控制，由此对由上述第1双极晶体管的发射极供给的信号放大双极晶体管的基极偏置电流进行控制；及
信号放大双极晶体管，连接在电源电位节点和地电位节点之间，基极与上述第1双极晶体管的发射极连接，输入信号经由电容器输入基极，输出信号由集电极输出。
19.如权利要求17或18所述的放大电路，其特征在于，还具备扼流电感线圈，插入连接在上述信号放大双极晶体管的基极与上述第1双极晶体管的发射集之间。
20.一种放大电路，其特征在于，具备：
第1、第2双极晶体管，在电源电位节点和地电位节点之间顺序串联连接；
第3双极晶体管和第1连接成二极管的双极晶体管，在电源电位节点和地电位节点之间顺序串联连接；
第1电阻，连接在控制电位节点与上述第1双极晶体管的基极之间；
第4双极晶体管，集电极与上述第1双极晶体管的基极连接，基极与上述第2双极晶体管和上述第1连接成二极管的双极晶体管的基极共用连接，发射极与地电位节点连接；
第5双极晶体管，连接在上述第1双极晶体管的发射极和地电位节点之间；
第6双极晶体管，集电极与电源电位节点连接，发射极与上述第5双极晶体管的基极连接；
第2电阻，连接在上述第6双极晶体管的发射极和地电位节点之间；
第3电阻，连接在控制电位节点和上述第6双极晶体管的基极之间；
第4电阻和第2、3连接成二极管的双极晶体管，在上述第6双极晶体管的基极和地电位节点之间顺序串联连接；及
信号放大双极晶体管，连接在电源电位节点和地电位节点之间，基极与上述第1双极晶体管的发射极连接，输入信号经由电容器输入基极，输出信号由集电极输出。
21.如权利要求20所述的放大电路，其特征在于，还具备：
第5电阻，插入连接在上述第1双极晶体管的基极和上述第1电阻的连接节点、与上述第3双极晶体管的基极之间；及
第6电阻，插入连接在上述第1双极晶体管的基极和上述第1电阻的连接节点、与上述第4双极晶体管的集电极之间。
22.如权利要求20或21所述的放大电路，其特征在于，还具备扼流电感线圈，插入连接在上述信号放大双极晶体管的基极与上述第1双极晶体管的发射集之间。
23.一种放大电路，其特征在于，具备：
第1电阻和第1双极晶体管，在控制电位节点和地电位节点之间顺序串联连接；
第2双极晶体管，集电极与电源电位节点连接，基极与上述第1双极晶体管的集电极连接，发射极与第1双极晶体管的基极连接；
第2电阻，连接在上述第2双极晶体管的发射极和地电位节点之间；
第3双极晶体管，集电极与电源电位节点连接，基极与上述第1双极晶体管的基极共用连接，由发射极供给信号放大双极晶体管的基极偏置电流；
连接成二极管的双极晶体管，连接在上述第3双极晶体管的发射极和地电位节点之间；
第3电阻，连接在上述第3双极晶体管的发射极和上述连接成二极管的双极晶体管的集电极的连接节点、与控制电位节点之间；及
信号放大双极晶体管，连接在电源电位节点和地电位节点之间，基极与上述第3双极晶体管的发射极连接，输入信号经由电容器输入基极，输出信号由集电极输出。
24.如权利要求23所述的放大电路，其特征在于，还具备：
第4电阻，插入连接在上述连接成二极管的双极晶体管的基极与集电极之间；及
第5电阻，插入连接在上述第2双极晶体管的基极与上述第1双极晶体管的集电极之间。
25.如权利要求23或24所述的放大电路，其特征在于，还具备扼流电感线圈，插入连接在上述信号放大双极晶体管的基极与上述第3双极晶体管的发射集之间。
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