CN109039289A - 功率放大电路 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够在抑制功率放大电路的特性的劣化的同时抑制多个单位晶体管间的温度分布的不均匀的功率放大电路。功率放大电路具备：第一晶体管组，包含多个单位晶体管，对输入信号进行放大并输出放大信号；偏置电路，对第一晶体管组的各单位晶体管的基极或栅极供给偏置电流或偏置电压；多个第一电阻元件，分别连接在第一晶体管组的各单位晶体管的基极或栅极与偏置电路的输出之间；以及多个第二电阻元件，分别连接在第一晶体管组的各单位晶体管的发射极或源极与基准电位之间。

Description

功率放大电路
技术领域
本发明涉及功率放大电路。
背景技术
在搭载于便携式电话等移动体通信机的功率放大电路中，一般来说，作为放大器而使用双极晶体管。双极晶体管具有如下的热正反馈特性，即，若晶体管元件的温度上升，则集电极电流增加，由此温度进一步上升而集电极电流增加。因此，例如在双极晶体管由多个单位晶体管构成的情况下，若在各单位晶体管间产生温度差，则温度比较高的单位晶体管会引入其它单位晶体管的集电极电流，其结果是，可能产生由多个单位晶体管构成的晶体管组整体的集电极电流下降的现象(电流崩塌现象)。
因此，为了抑制各单位晶体管的温度上升，例如已知有在各单位晶体管的发射极与接地之间插入电阻元件(以下，也称作“发射极镇流电阻”。)的结构。通过插入发射极镇流电阻，从而能够抑制多个单位晶体管间的温度分布的不均匀，进而能够避免电流崩塌现象的产生。
发明内容
发明要解决的课题
关于这样的发射极镇流电阻，如果不具有某种程度以上的电阻值，则抑制温度分布的不均匀的效果会降低。然而，如果发射极镇流电阻的电阻值过大，则可能会导致功率放大电路的输出功率的减小、功率附加效率的下降等。
本发明是鉴于这样的情形而完成的，其目的在于，提供一种能够在抑制功率放大电路的特性的劣化的同时抑制多个单位晶体管间的温度分布的不均匀的功率放大电路。
用于解决课题的技术方案
为了达成这样的目的，本发明的一个侧面涉及的功率放大电路具备：第一晶体管组，包含多个单位晶体管，对输入信号进行放大并输出放大信号；偏置电路，对第一晶体管组的各单位晶体管的基极或栅极供给偏置电流或偏置电压；多个第一电阻元件，分别连接在第一晶体管组的各单位晶体管的基极或栅极与偏置电路的输出之间；以及多个第二电阻元件，分别连接在第一晶体管组的各单位晶体管的发射极或源极与基准电位之间。
发明效果
根据本发明，能够提供一种能够在抑制功率放大电路的特性的劣化的同时抑制多个单位晶体管间的温度分布的不均匀的功率放大电路。
附图说明
图1是示出本发明的第一实施方式涉及的功率放大电路的结构例的图。
图2是示出本发明的第一实施方式涉及的功率放大电路包含的放大器以及偏置电路的电路图的一个例子的图。
图3是示出发射极镇流电阻的温度特性的图像的曲线图。
图4A是示出比较例涉及的功率放大电路包含的多个单位晶体管的温度分布的仿真结果的一个例子的曲线图。
图4B是示出本发明的第一实施方式涉及的功率放大电路包含的多个单位晶体管的温度分布的仿真结果的一个例子的曲线图。
图5是示出本发明的第一实施方式的变形例涉及的功率放大电路包含的放大器以及偏置电路的电路图的一个例子的图。
图6是示出本发明的第二实施方式涉及的功率放大电路的结构例的图。
图7是示出本发明的第二实施方式涉及的功率放大电路包含的放大器以及偏置电路的电路图的一个例子的图。
图8是示出本发明的第三实施方式涉及的功率放大电路包含的放大器以及偏置电路的电路图的一个例子的图。
图9是示出发射极镇流电阻以及基极镇流电阻的温度特性的图像的曲线图。
图10是示出晶体管、发射极镇流电阻以及基极镇流电阻的布局的俯视图。
图11是图10所示的A-A线剖视图。
附图标记说明
1A～1C：功率放大电路，10～15、30～33：放大器，20(20a、20b)：偏置电路，100～102(100a～102a、100b～102b)：晶体管，110(110a、110b)：电阻元件，300：晶体管组，500：半导体基板，501：子集电极层，502：集电极层，503：基极层，504：发射极层，505：集电极电极，506：基极电极，507：电阻元件，508：发射极电极，Q1～Qm(Q1a～Qma、Q1b～Qnb)：单位晶体管，C1～Cm(C1a～Cma、C1b～Cnb)：电容元件，RE1～REm(RE1a～REma、RE1b～REnb)、RB1～RBm(RB1a～RBma、RB1b～RBnb)、RBx：电阻元件。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的一个实施方式进行说明。另外，对相同的要素标注相同的附图标记，省略重复的说明。
图1是示出本发明的第一实施方式涉及的功率放大电路的结构例的图。图1所示的功率放大电路1A例如搭载于便携式电话，用于放大向基站发送的无线频率(RF：RadioFrequency)信号的功率。被放大的RF信号的通信标准例如为2G(第二代移动通信系统)、3G(第三代移动通信系统)、4G(第四代移动通信系统)、5G(第五代移动通信系统)、LTE(LongTerm Evolution，长期演进)-FDD(Frequency Division Duplex，频分双工)、LTE-TDD(TimeDivision Duplex，时分双工)、LTE-Advanced、LTE-Advanced Pro等。另外，功率放大电路1A所放大的信号的通信标准不限于此。
功率放大电路1A例如具备两个放大路径。具体地，功率放大电路1A具备：构成第一路径的放大器10～12；构成第二路径的放大器13～15；以及对这些放大器10～15中的每一个供给偏置电流或偏置电压的偏置电路20。
对第一路径输入例如中频波段的RF信号RFmid，功率经由第一级的放大器10、第二级的放大器11以及第三级的放大器12而被放大。对第二路径输入例如低频波段的RF信号RFlow，功率经由第一级的放大器13、第二级的放大器14以及第三级的放大器15而被放大。此外，对偏置电路20供给对偏置电流或偏置电压进行控制的控制信号Cont。另外，对第一路径以及第二路径供给的信号的频带是一个例子，并不限于此。例如，也可以是高频波段和中频波段或者高频波段和低频波段等的组合，或者也可以是LTE和5G或者4G和5G等不同的通信标准的组合。
图2是示出本发明的第一实施方式涉及的功率放大电路包含的放大器以及偏置电路的电路图的一个例子的图。具体地，图2示出了图1所示的第一路径的第三级的放大器12和偏置电路20的具体的结构。
放大器12例如包含：包含m个(m为1以上的整数)单位晶体管Q1～Qm的晶体管组(第一晶体管组)；m个电容元件C1～Cm；m个电阻元件RE1～REm；以及m个电阻元件RB1～RBm。另外，在本说明书中，“单位晶体管”是指发挥作为晶体管的功能的最小限度的结构。
单位晶体管Q1～Qm例如构成异质结双极晶体管(HBT：Heterojunction BipolarTransistor)等双极晶体管。这些单位晶体管Q1～Qm相互并联连接，合起来发挥作为一个晶体管的功能。关于单位晶体管Q1～Qm，分别对集电极供给电源电压Vcc，经由电容元件C1～Cm对基极供给RF信号RFin(输入信号)，经由电阻元件RE1～REm对发射极供给基准电位(例如，接地电位)。此外，从偏置电路20分别对单位晶体管Q1～Qm的基极供给偏置电流Ibias。由此，单位晶体管Q1～Qm对RF信号RFin的功率进行放大并输出RF信号RFout(放大信号)。另外，关于单位晶体管Q1～Qm，也可以代替双极晶体管而是构成MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)等场效应晶体管的单位晶体管。在该情况下，只要将集电极、基极、发射极分别读作漏极、栅极、源极即可。
电容元件C1～Cm分别在一端被供给RF信号RFin，另一端与单位晶体管Q1～Qm的基极连接。电容元件C1～Cm阻断RF信号RFin的直流分量，并使交流分量通过。
电阻元件RB1～RBm(第一电阻元件)在一端从偏置电路20被供给偏置电流，另一端与单位晶体管Q1～Qm的基极连接。即，电阻元件RB1～RBm是插入到偏置电路20与单位晶体管Q1～Qm的基极之间的镇流电阻(以下，也称作“基极镇流电阻”。)。
电阻元件RE1～REm(第二电阻元件)的一端与单位晶体管Q1～Qm的发射极连接，另一端与接地连接。即，电阻元件RE1～REm是插入到单位晶体管Q1～Qm的发射极与接地之间的发射极镇流电阻。关于电阻元件RB1～RBm以及电阻元件RE1～REm的效果将在后面进行叙述。
偏置电路20例如包含晶体管100～102和电阻元件110。
晶体管100～102例如为双极晶体管。具体地，在晶体管100中，集电极与基极连接(以下，也称作“二极管连接”。)，经由电阻元件110对集电极供给控制信号Cont，发射极与晶体管101的集电极连接。晶体管101进行二极管连接，发射极被接地。由此，在晶体管100的集电极生成给定电平的电压(例如，2.6V左右)。
晶体管102在集电极被供给电池电压Vbatt，基极与进行二极管连接的晶体管100的集电极(基极)连接，发射极与电阻元件RB1～RBm各自的一端连接。对晶体管102的基极供给控制信号Cont以及晶体管100的集电极电压。由此，从晶体管102的发射极输出与控制信号Cont相应的偏置电流Ibias。另外，控制信号Cont可以是控制电流，也可以是控制电压。此外，关于晶体管100、101，也可以代替晶体管而是二极管。
接着，对功率放大电路1A具备电阻元件RE1～REm(发射极镇流电阻)以及电阻元件RB1～RBm(基极镇流电阻)这两者的效果。一般来说，双极晶体管具有负的温度特性，即，伴随着温度的上升，成为导通(ON)的基极-发射极间电压下降。此外，双极晶体管具有热正反馈特性，即，若温度上升，则集电极电流增加，由此温度进一步上升，集电极电流越来越增加。因此，例如在由多个单位晶体管构成的晶体管组中，若由于起因于各单位晶体管的布局的散热程度之差而在各单位晶体管间产生温度差，则电流容易流向温度高的单位晶体管，该单位晶体管的温度会越来越上升。这样，若温度高的单位晶体管与温度低的单位晶体管的温度差变大，则温度高的单位晶体管会引入其它单位晶体管的集电极电流，从而在该其它单位晶体管不会流过充足的电流。由此，该其它单位晶体管的增益急剧下降，其结果是，可能产生将由多个单位晶体管构成的晶体管组整体合在一起的集电极电流急剧下降这样的电流崩塌现象。
为了避免该电流崩塌现象的产生，例如已知有在各单位晶体管的发射极与接地之间插入发射极镇流电阻的结构。一般来说，在发射极镇流电阻的电阻值足够大的情况下，能够抑制多个单位晶体管间的温度的不均匀，进而能够避免电流崩塌现象的产生。然而，如果发射极镇流电阻的电阻值过大，则可能会导致功率放大电路的输出功率的减小、功率附加效率的下降等。
图3是示出发射极镇流电阻的温度特性的图像的曲线图。在该曲线图中，横轴表示温度，纵轴表示电阻值。在该曲线图中，示出了本实施方式涉及的发射极镇流电阻(电阻元件RE1～REm)的电阻值的温度特性200、不具备基极镇流电阻的比较例中的发射极镇流电阻的电阻值的温度特性201、以及在常温的环境下产生电流崩塌现象的发射极镇流电阻的电阻值的边界线202。即，示出：若电阻值大于边界线202，则能够避免电流崩塌现象的产生，若电阻值小于边界线202，则存在产生电流崩塌现象的可能性。
如温度特性201所示，在比较例中，发射极镇流电阻的电阻值被设计为超过边界线202，使得在任意的温度下都能够避免电流崩塌现象的产生。另一方面，如温度特性200所示，本实施方式的发射极镇流电阻的电阻值被设计为小于比较例的发射极镇流电阻的电阻值，因此在温度比较低的区域中低于边界线202，产生发生电流崩塌现象的可能性。
然而，在本实施方式中，通过同时具有发射极镇流电阻和基极镇流电阻，从而可通过这双方的电阻元件抑制各单位晶体管的温度上升。即，即使发射极镇流电阻的电阻值小于比较例的发射极镇流电阻的电阻值，也能够抑制各单位晶体管的温度的上升。因此，根据本实施方式，能够在抑制功率放大电路的输出功率、功率附加效率的特性的劣化的同时，抑制多个单位晶体管间的温度分布的不均匀，进而避免电流崩塌现象的产生。
图4A是示出比较例涉及的功率放大电路包含的多个单位晶体管的温度分布的仿真结果的一个例子的曲线图。图4B是示出本发明的第一实施方式涉及的功率放大电路包含的多个单位晶体管的温度分布的仿真结果的一个例子的曲线图。具体地，如图4A以及图4B的曲线图的下部所示，比较例以及本发明都是在十六个单位晶体管在一个方向上对齐排列的晶体管组300中对各位置的温度进行了仿真的结果。在各曲线图中，横轴表示单位晶体管的对齐方向上的位置，纵轴表示温度。
如图4A所示，在比较例中，十六个单位晶体管中的中央区域的四个单位晶体管的温度为250度左右，另一方面，周边区域的十二个单位晶体管的温度为100度左右。由此可知，在比较例中，在中央区域的单位晶体管与周边区域的单位晶体管之间存在大的温度差，产生了温度分布的不均匀。另一方面，如图4B所示，在本实施方式中，十六个单位晶体管中的多数单位晶体管的温度在200～250度左右的范围内。由此可知，在本实施方式中，与比较例相比，抑制了多个单位晶体管间的温度分布的不均匀。
另外，作为与功率放大电路1A不同的结构(参考例)，还可考虑不具备发射极镇流电阻而通过基极镇流电阻来抑制温度分布的不均匀等的结构。然而，在该参考例的情况下，基极镇流电阻的电阻值需要为不具备基极镇流电阻的结构中的发射极镇流电阻的电阻值的β倍(β是晶体管的电流放大率)。因此，在该参考例中，电阻元件的尺寸增大，其结果是，芯片面积可能会增大。关于这一点，本实施方式具备发射极镇流电阻和基极镇流电阻这两者，因此与参考例相比，能够在抑制芯片面积的增大的同时抑制温度分布的不均匀。
图5是示出本发明的第一实施方式的变形例涉及的功率放大电路包含的放大器以及偏置电路的电路图的一个例子的图。另外，对于与图2所示的结构相同的要素，标注相同的附图标记并省略说明。此外，在本实施方式以后，省略关于与第一实施方式共同的事项的记述，仅对不同点进行说明。特别是，关于基于同样的结构的同样的作用效果，将不在每个实施方式中逐次提及。
图5所示的变形例与图2所示的结构相比，不同点在于，除了电阻元件RB1～RBm以外，还具备电阻元件RBx。即，在本变形例中，作为基极镇流电阻所需的电阻值的一部分由电阻元件RBx构成，其余的电阻值由电阻元件RB1～RBm构成。由此，与图2所示的结构相比，可缩小电阻元件RB1～RBm各自的尺寸，因此能够使芯片面积缩小。
像这样，基极镇流电阻的结构不限于图2所示的结构，也可以将其一部分公共化，或者将全部公共化。
图6是示出本发明的第二实施方式涉及的功率放大电路的结构例的图。图6所示的功率放大电路1B与图1所示的功率放大电路1A相比，不同点在于，第一路径以及第二路径都在第三级具备双系统的放大器。
具体地，功率放大电路1B代替放大器12而具备放大器30、31，代替放大器15而具备放大器32、33。放大器30和放大器31、以及放大器32和放大器33根据功率放大电路1B的动作模式而分开使用。具体地，若以中频波段的第一路径为例进行说明，则例如在功率放大电路1B输出给定电平以上的功率的高功率模式(第一模式)的情况下，放大器30、31双方导通，在输出不足给定电平的功率的低功率模式(第二模式)的情况下，放大器30截止，仅放大器31导通。由此，可抑制不必要的功率消耗。
图7是示出本发明的第二实施方式涉及的功率放大电路包含的放大器以及偏置电路的电路图的一个例子的图。具体地，图7示出图6所示的第一路径的第三级的放大器30、31和偏置电路20的具体的结构。
放大器30例如包含：包含m个(m为1以上的整数)单位晶体管Q1a～Qma的晶体管组；m个电容元件C1a～Cma；m个电阻元件RE1a～REma；以及m个电阻元件RB1a～RBma。放大器31例如包含：包含n个(n为1以上的整数)单位晶体管Q1b～Qnb的晶体管组(第二晶体管组)；n个电容元件C1b～Cnb；n个电阻元件RE1b～REnb(第三电阻元件)；以及n个电阻元件RB1b～RBnb。偏置电路20a例如包含晶体管100a～102a和电阻元件110a。偏置电路20b例如包含晶体管100b～102b和电阻元件110b。另外，关于这些放大器30、31以及偏置电路20a、20b的结构，与图2所示的放大器12以及偏置电路20相同，因此标注同样的附图标记并省略说明。此外，放大器30中的单位晶体管的数量m和放大器31中的单位晶体管的数量n可以相同，也可以不同。
在功率放大电路1B中，在高功率模式的动作时，被框40(实线)包围的构成要素进行动作，在低功率模式的动作时，仅被框41(虚线)包围的构成要素进行动作。这种与动作模式相应的放大器的切换，例如通过分别对偏置电路20a、20b供给的控制信号Conta、Contb来进行。
通过这种结构，功率放大电路1B也能够与功率放大电路1A同样地，在抑制输出功率、功率附加效率的特性的劣化的同时，抑制多个单位晶体管间的温度分布的不均匀，其结果是，能够避免电流崩塌现象的产生。
图8是示出本发明的第三实施方式涉及的功率放大电路包含的放大器以及偏置电路的电路图的一个例子的图。图8所示的功率放大电路1C与图7所示的功率放大电路1B相比，不同点在于，放大器31不具备电阻元件RB1b～RBnb。
即，在本实施方式涉及的功率放大电路中，无需在全部的单位晶体管设置发射极镇流电阻和基极镇流电阻这两者。如图8所示，也可以在一部分的单位晶体管设置发射极镇流电阻和基极镇流电阻，在其它的单位晶体管设置发射极镇流电阻或基极镇流电阻中的任一者。例如，在功率放大电路1C中，应用了如下结构，即，在单位晶体管Q1a～Qma(即，仅在高功率模式的动作时进行动作的单位晶体管)设置发射极镇流电阻和基极镇流电阻这两者，在单位晶体管Q1b～Qnb(即，在低功率模式的动作时也进行动作的单位晶体管)未设置基极镇流电阻。这是因为，低功率模式与高功率模式相比输出功率小，各单位晶体管的温度不易上升，因此不易产生温度分布的不均匀。
通过这种结构，功率放大电路1C也能够与功率放大电路1A同样地，在抑制输出功率、功率附加效率的特性的劣化的同时，抑制多个单位晶体管间的温度分布的不均匀，其结果是，能够避免电流崩塌现象的产生。
此外，在功率放大电路1C中，在一部分的单位晶体管Q1b～Qnb未设置基极镇流电阻，因此与功率放大电路1B相比，能够使芯片面积缩小。
另外，在上述的功率放大电路1B、1C中，示出了如下结构，即，在高功率模式下，放大器30、31这两者进行动作，在低功率模式下，放大器31进行动作，但是进行动作的放大器的分配并不限于此。例如，也可以是如下结构，即，在高功率模式下，放大器30进行动作，在低功率模式下，放大器31进行动作。在该情况下，构成放大器30的单位晶体管的数量m优选比构成放大器31的单位晶体管的数量n多(m＞n)。
接着，参照图9～图11，对发射极镇流电阻以及基极镇流电阻的布局进行说明。
图9是示出发射极镇流电阻以及基极镇流电阻的温度特性的图像的曲线图。在该曲线图中，横轴表示温度，纵轴表示电阻值。在图9示出了功率放大电路1A涉及的发射极镇流电阻(电阻元件RE1～REm)的温度特性400和基极镇流电阻(电阻元件RB1～RBm)的温度特性401。
如温度特性400所示，发射极镇流电阻的电阻值伴随着温度的上升而增加。另一方面，如温度特性401所示，基极镇流电阻的电阻值伴随着温度的上升而慢慢地减小。因此，为了抑制多个单位晶体管间的温度分布的不均匀，优选在更高温的状态下使用发射极镇流电阻，在更低温的状态下使用基极镇流电阻。以下，对实现该状态的各电阻元件的布局的一个例子进行说明。
图10是示出晶体管、发射极镇流电阻以及基极镇流电阻的布局的俯视图，图11是图10所示的A-A线剖视图。
具体地，图10是m个单位晶体管Q1～Qm、m个电容元件C1～Cm以及m个电阻元件RB1～RBm形成在例如半导体基板(未图示)的主面上的情况下的对该主面的俯视。如图10所示，单位晶体管Q1～Qm、电容元件C1～Cm以及电阻元件RB1～RBm分别在一个方向上对齐排列。
图11示出了多个单位晶体管Q1～Qm中的单位晶体管Q1的剖视图。单位晶体管Q1包含在半导体基板500上依次形成的子集电极层501、集电极层502、基极层503以及三个发射极层504。在集电极层502的两侧，分别形成有集电极电极505。在基极层503上，基极电极506形成在三个发射极层504各自之间。在三个发射极层504上，分别形成有电阻元件507以及发射极电极508。
电阻元件507相当于图2所示的电阻元件RE1，即，是发射极镇流电阻。在此，在功率放大电路中构成晶体管的各单位晶体管是主要的发热源，发射极镇流电阻设置在各单位晶体管中的发射极层504与发射极电极508之间。即，发射极镇流电阻设置在温度容易上升的位置。
另一方面，如图10所示，基极镇流电阻形成在比发射极镇流电阻远离单位晶体管Q1的位置。例如，若以电阻元件RB1为例，则在半导体基板的俯视下，形成有电容元件C1，使得将作为发热源的单位晶体管Q1与电阻元件RB1之间隔开。像这样，基极镇流电阻设置在温度比较不易上升的位置。
通过上述的布局，发射极镇流电阻在比较高温的状态(即，电阻值比较大的状态)下使用，基极镇流电阻在比较低温的状态(即，电阻值比较大的状态)下使用。由此，容易抑制流过单位晶体管的电流的增加，因此，其结果是，容易抑制单位晶体管的温度的上升。另外，发射极镇流电阻以及基极镇流电阻的布局是一个例子，并不限定于此。
以上，对本发明的例示性的实施方式进行了说明。功率放大电路1A具备：包含多个单位晶体管Q1～Qm，对输入信号进行放大并输出放大信号的晶体管组；对晶体管组的各单位晶体管Q1～Qm的基极或栅极供给偏置电流或偏置电压的偏置电路20；分别连接在晶体管组的各单位晶体管Q1～Qm的基极或栅极与偏置电路20的输出之间的多个电阻元件RB1～RBm；以及分别连接在晶体管组的各单位晶体管Q1～Qm的发射极或源极与基准电位之间的多个电阻元件RE1～REm。由此，即使发射极镇流电阻的电阻值小于比较例的发射极镇流电阻的电阻值，也能够抑制各单位晶体管的温度的上升。因此，根据功率放大电路1A，能够在抑制功率放大电路的输出功率、功率附加效率的特性的劣化的同时，抑制多个单位晶体管间的温度分布的不均匀，进而能够避免电流崩塌现象的产生。
此外，功率放大电路1C还具备：包含多个单位晶体管Q1b～Qnb，对输入信号进行放大并输出放大信号的晶体管组；以及分别连接在晶体管组的各单位晶体管Q1b～Qnb的发射极或源极与基准电位之间的多个电阻元件RE1b～REnb，在功率放大电路1C的动作模式为输出给定电平以上的功率的第一模式的情况下，晶体管组的各单位晶体管Q1a～Qma以及晶体管组的各单位晶体管Q1b～Qnb导通，在动作模式为输出不足给定电平的功率的第二模式的情况下，晶体管组的各单位晶体管Q1a～Qma截止，晶体管组的各单位晶体管Q1b～Qnb导通。由此，功率放大电路1C因为在一部分的单位晶体管Q1b～Qnb未设置基极镇流电阻，所以与功率放大电路1B相比能够使芯片面积缩小。
此外，功率放大电路1A形成在半导体基板500上，在半导体基板500上，多个电阻元件RB1～RBm分别形成在比多个电阻元件RE1～REm远离晶体管组的各单位晶体管Q1～Qm的位置。由此，发射极镇流电阻在比较高温的状态下使用，基极镇流电阻在比较低温的状态下使用。因此，容易抑制流过单位晶体管的电流的增加，其结果是，容易抑制单位晶体管的温度的上升。
此外，功率放大电路1A还具备一端被供给输入信号且另一端与晶体管组的各单位晶体管Q1～Qm的基极或栅极连接的多个电容元件C1～Cm，在半导体基板500的俯视下，多个电容元件C1～Cm分别形成在晶体管组的各单位晶体管Q1～Qm与多个电阻元件RB1～RBm之间。由此，电容元件将作为发热源的单位晶体管与基极镇流电阻之间隔开，因此可抑制基极镇流电阻的温度的上升。
另外，在上述的实施方式中，示出了如下例子，即，功率放大电路1A～1C在各放大路径中具备三级的放大器，对其中的第三级放大器应用了发射极镇流电阻以及基极镇流电阻，但是，应用发射极镇流电阻以及基极镇流电阻的放大器不限定于第三级，例如也可以为第一级或第二级。此外，放大器的级数不限于三级，也可以为一级、两级或四级以上。另外，在经由多个放大器对功率进行放大的情况下，最终级的放大器的输出功率最大，晶体管的温度最容易上升。因此，通过对最终级的放大器应用发射极镇流电阻以及基极镇流电阻，对其它级的放大器应用发射极镇流电阻或基极镇流电阻中的任一者，从而能够抑制芯片面积的不必要的增大。
以上说明的各实施方式用于使本发明容易理解，并非用于对本发明进行限定解释。本发明能够在不脱离其主旨的情况下进行变更或改良，并且本发明还包含其等价物。即，关于本领域技术人员对各实施方式适当地施加了设计变更的实施方式，只要具备本发明的特征，就包含于本发明的范围。例如，各实施方式具备的各要素及其配置、材料、条件、形状、尺寸等，并不限定于例示的各要素及其配置、材料、条件、形状、尺寸等，能够适当地进行变更。此外，只要在技术上可行，各实施方式具备的各要素就能够进行组合，关于对各要素进行了组合的实施方式，只要包含本发明的特征，则也包含于本发明的范围。

Claims (4)

1.一种功率放大电路，具备：
第一晶体管组，包含多个单位晶体管，对输入信号进行放大并输出放大信号；
偏置电路，对所述第一晶体管组的各单位晶体管的基极或栅极供给偏置电流或偏置电压；
多个第一电阻元件，分别连接在所述第一晶体管组的各单位晶体管的基极或栅极与所述偏置电路的输出之间；以及
多个第二电阻元件，分别连接在所述第一晶体管组的各单位晶体管的发射极或源极与基准电位之间。
2.根据权利要求1所述的功率放大电路，其中，
所述功率放大电路还具备：
第二晶体管组，包含多个单位晶体管，对所述输入信号进行放大并输出所述放大信号；以及
多个第三电阻元件，分别连接在所述第二晶体管组的各单位晶体管的发射极或源极与基准电位之间，
在所述功率放大电路的动作模式为输出给定电平以上的功率的第一模式的情况下，所述第一晶体管组的各单位晶体管以及所述第二晶体管组的各单位晶体管导通，
在所述动作模式为输出不足所述给定电平的功率的第二模式的情况下，所述第一晶体管组的各单位晶体管截止且所述第二晶体管组的各单位晶体管导通。
3.根据权利要求1所述的功率放大电路，其中，
所述功率放大电路形成在半导体基板上，
在所述半导体基板上，所述多个第一电阻元件分别形成在比所述多个第二电阻元件远离所述第一晶体管组的各单位晶体管的位置。
4.根据权利要求3所述的功率放大电路，其中，
所述功率放大电路还具备：多个电容元件，一端被供给所述输入信号，另一端与所述第一晶体管组的各单位晶体管的基极或栅极连接，
在所述半导体基板的俯视下，所述多个电容元件分别形成在所述第一晶体管组的各单位晶体管与所述多个第一电阻元件之间。
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