CN106357226B - 功率放大模块 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能抑制温度变化引起的增益变动并能抑制电路规模增大的功率放大模块，其包括：第一双极晶体管，基极被输入无线电频率信号，从集电极输出放大信号；第二双极晶体管，与第一双极晶体管热耦合，基极被输入无线电频率信号，并且模拟第一双极晶体管的动作；第三双极晶体管，集电极被提供电源电压，基极被提供第一控制电压，从发射极向第一及第二双极晶体管的基极输出第一偏置电流；第一电阻器，第一端子被提供第二控制电压，第二端子与第二双极晶体管的集电极连接，在第二端子生成第三控制电压；以及第四双极晶体管，集电极被提供电源电压，基极被提供第三控制电压，从发射极向第一及第二双极晶体管的基极输出第二偏置电流。

Description

功率放大模块
技术领域
本发明涉及功率放大模块。
背景技术
移动终端的无线通信方式有第二代移动通信系统(2G)、第3/4代移动通信系统(3G/4G)。在2G中，从移动终端连续地发送数据的突发动作时，要求无线电频率(RF：RadioFrequency)信号的功率根据标准所规定的波形特性发生变化。此外，在移动终端中，为了向基站发送RF信号，使用用于放大RF信号的功率的功率放大模块。因而，为了根据标准所规定的波形特性输出RF信号，要求抑制功率放大模块的增益变动。
例如，在专利文献1的图3中，公开了一种无线电频率放大器，其目的在于抑制温度变化导致的增益变动。该无线电频率放大器具备功率晶体管Q1和尺寸为功率晶体管Q1的1/m的控制晶体管Qc。输入至功率晶体管Q1的基极的RF信号经由电阻器Rb/m及电阻器Rb，输入至控制晶体管Qc的基极。温度变化等引起的功率晶体管Q1的集电极电流的变化反映在控制晶体管Qc的集电极电流中。于是，通过根据控制晶体管Qc的集电极电流的变化控制差动放大器，从而控制提供至功率晶体管Q1的基极的偏置电流，由此抑制增益变动。
现有技术文献
专利文献
专利文献1
日本专利特开平11-330866号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
如上所述，在专利文献1公开的结构中，为了抑制温度变化引起的增益变动，用差动放大器控制偏置电流。因此，电路规模会变大。
本发明是鉴于上述的问题而完成的，其目的是提供一种功率放大模块，该功率放大器能抑制温度变化引起的增益变动并且不会增大电路规模。
解决技术问题的技术方案
本发明的一个方面所涉及的功率放大模块包括：第一双极晶体管，该第一双极晶体管在基极被输入无线电频率信号，从集电极输出将无线电频率信号放大后的放大信号；第二双极晶体管，该第二双极晶体管与第一双极晶体管热耦合，在基极被输入无线电频率信号，并且模拟所述第一双极晶体管的动作；第三双极晶体管，该第三双极晶体管在集电极被提供电源电压，在基极被提供第一控制电压，从发射极向第一及第二双极晶体管的基极输出第一偏置电流；第一电阻器，该第一电阻器在第一端子被提供第二控制电压，第二端子与第二双极晶体管的集电极连接，在第二端子生成与第二双极晶体管的集电极电流对应的第三控制电压；以及第四双极晶体管，该第四双极晶体管在集电极被提供电源电压，在基极被提供第三控制电压，从发射极向第一及第二双极晶体管的基极输出第二偏置电流。
发明效果
根据本发明，能提供一种功率放大模块，该功率放大器能抑制温度变化引起的增益变动并且能抑制电路规模的增大。
附图说明
图1是表示包含本发明的一个实施方式的功率放大模块的发送单元的结构例的图。
图2是表示功率放大模块112的结构例的图。
图3是表示放大电路200及偏置电路230的结构例、即放大电路200A及偏置电路230A的结构的图。
图4是表示用于与本发明的实施方式比较的比较例的结构的图。
图5是表示图4所示的比较例的模拟结果的图。
图6是表示本实施方式的放大电路200A及偏置电路230A的模拟结果的图。
图7是表示放大电路200及偏置电路230的结构例、即放大电路200B及偏置电路230B的结构的图。
图8是表示放大电路200及偏置电路230的结构例、即放大电路200A及偏置电路230C的结构的图。
图9是表示放大电路200及偏置电路230的结构例、即放大电路200A及偏置电路230D的结构的图。
具体实施方式
以下，参照附图对于本发明的一个实施方式进行说明。图1是表示包含本发明的一个实施方式的功率放大模块的发送单元的结构例的图。发送单元100在例如移动电话等的移动通信设备上，用于向基站发送声音或数据等各种信号。此外，移动通信设备还具备用于从基站接收信号的接收单元，但是此处省略说明。
如图1所示，发送单元100包括基带部110、RF部111、功率放大模块112、前端部113、以及天线114。
基带部110调制声音或数据等输入信号，输出调制信号。在本实施方式中，从基带部110输出的调制信号作为振幅及相位在IQ平面上表示的IQ信号(I信号及Q信号)进行输出。IQ信号的频率为例如从数MHz至数10MHz左右。此外，基带部110输出用于控制功率放大模块112的增益的模式信号MODE。
RF部111根据从基带部110输出的IQ信号生成用于进行无线发送的RF信号(RFIN)。RF信号例如是数百MHz至数GHz左右。此外，在RF部111中，可以不进行从IQ信号向RF信号的直接转换，而是将IQ信号转换成中间频率(IF:IntermediateFrequency)信号，再基于IF信号生成RF信号。
功率放大模块112将从RF部111输出的RF信号(RFIN)的功率放大到向基站发送所需的电平，并输出放大信号(RFOUT)。在功率放大模块112中，基于从基带部110提供的模式信号MODE决定偏置电流的电流量，以控制增益。
前端部113对放大信号(RFOUT)进行滤波，对从基站接收到的接收信号进行开关等。从前端部113输出的放大信号经由天线114发送给基站。
图2是表示功率放大模块112的结构例的图。如图2所示，功率放大模块112具备放大电路200、电感器210、偏置控制电路220、以及偏置电路230。
放大电路200将RF信号(RFIN)放大，并输出放大信号(RFOUT)。此外，放大电路的级数不限于一级，也可以是两级以上。
设置电感器210用于RF信号的隔离。经由电感器210向放大电路200提供电源电压Vcc。
偏置控制电路220基于模式信号MODE输出用于控制偏置电流IBIAS的控制电压V1、V2。
偏置电路230向放大电路200提供偏置电流IBIAS。此外，从偏置电流230输出的偏置电流的电流量由控制电压V1、V2进行控制。
图3是表示图2所示的放大电路200及偏置电路230的结构例、即放大电路200A及偏置电路230A的结构的图。
放大电路200A具备双极晶体管300、电容器301、以及电阻器302。双极晶体管300(第一双极晶体管)是例如异质结双极晶体管(HBT)。在双极晶体管300的基极，经由电容器301输入RF信号(RFIN)。在双极晶体管300的集电极，经由电感器210向其提供电源电压Vcc。双极晶体管300的发射极接地。此外，在双极晶体管300的基极，经由电阻器302(第二电阻器)向其提供偏置电流。而且，从双极晶体管300的集电极输出放大信号(RFOUT)。
偏置电路230A具备双极晶体管310、311、312、313、314、电容器320、321、以及电阻器330、331、332、333。双极晶体管310～314分别是例如HBT。
双极晶体管310(第二双极晶体管)是模拟双极晶体管300的动作的晶体管。在双极晶体管310的基极，经由电容器320输入RF信号(RFIN)。双极晶体管310的集电极与电阻器332连接。双极晶体管310的发射极接地。此外，在双极晶体管310的基极，经由电阻器330(第三电阻器)向其提供偏置电流。而且，双极晶体管310的集电极输出放大RF信号(RFIN)后的放大信号。即，双极晶体管310的集电极电流变为与RF信号(RFIN)对应的电平。
此外，双极晶体管310的发射极面积可以比双极晶体管300的发射极面积更小。通过减小双极晶体管310的发射极面积，能降低偏置电路230A的消耗电流。
电阻器332(第一电阻器)的第1端子被提供控制电压V2(第二控制电压)，第2端子与双极晶体管310的集电极连接。双极晶体管310的集电极电流流过电阻器332。由此，在电阻器332的第2端子生成与双极晶体管310的集电极电流对应的控制电压V3(第三控制电压)。
双极晶体管311(第三双极晶体管)是用于生成向双极晶体管300、310提供的偏置电流(第一偏置电流)的晶体管。向双极晶体管311的集电极提供电源电压(例如电池电压VBAT)。双极晶体管311的基极与双极晶体管313的基极连接。向双极晶体管311的基极提供用于控制偏置电流的控制电压V4(第一控制电压)。双极晶体管311的发射极与电阻器302、330连接。从双极晶体管311的发射极输出与控制电压V4对应的偏置电流(第一偏置电流)。
双极晶体管312(第四双极晶体管)是用于生成向双极晶体管300、310提供的偏置电流(第二偏置电流)的晶体管。向双极晶体管312的集电极提供电源电压(例如电池电压VBAT)。双极晶体管312的基极与电阻器333的第1端子连接。电阻器333的第2端子与电阻器332的第2端子连接。因而，在双极晶体管312的基极，经由电阻器333向其提供控制电压V3(第三控制电压)(实际上是从控制电压V3根据双极晶体管312的基极电流而下降后的电压)。双极晶体管312的发射极与电阻器302、330连接。从双极晶体管312的发射极输出与控制电压V3对应的偏置电流(第二偏置电流)。
电阻器331(第五电阻器)的第1端子被提供控制电压V1(第四控制电压)，第2端子与双极晶体管313的集电极连接。
双极晶体管313(第五双极晶体管)的基极和集电极连接，基极与双极晶体管311的基极连接，发射极与双极晶体管314(第六双极晶体管)的集电极连接。双极晶体管314的基极与集电极连接，发射极接地。从双极晶体管313的基极输出与控制电压V1对应的控制电压V4。
电容器321的第1端子与双极晶体管313的基极连接，第2端子接地。
在放大电路200A及偏置电路230A中，双极晶体管300、310、314热耦合。即，双极晶体管300、310、314在集成电路上接近地进行配置，使得当一个晶体管的温度变动时，其他晶体管的温度也变动。
对于放大电路200A及偏置电路230A的动作进行说明。
由于双极晶体管300的动作而导致双极晶体管300的温度变化时，放大电路200A的增益发生变化。具体而言，在温度变化时，发射极接地电流放大率(以下，简称为“电流放大率”)β及基极－发射极间电压VBE发生变化。电流放大率β及基极－发射极间电压VBE均随着温度上升而降低。若双极晶体管300的基极电压及集电极电压固定，则电流放大率β的降低使怠速电流减少。此外，基极－发射极间电压VBE的减低使怠速电流增加。此处，电流放大率β及基极－发射极间电压VBE对怠速电流的贡献率不同，因此电流放大率β及基极－发射极间电压VBE的变化使得放大电路200A的增益变动。
例如，在由于温度上升引起双极晶体管300的电流放大率β降低时，若偏置电流IBIAS固定，则放大电路200A的增益降低。此时，双极晶体管310模拟双极晶体管300的动作，因此发生与双极晶体管300相同的温度变化。因而，双极晶体管310的电流放大率β降低，控制电压V3上升。若控制电压V3上升，则从双极晶体管312的发射极输出的偏置电流增加。由此，向双极晶体管300提供的偏置电流IBIAS增加，抑制放大电路200A的增益降低。
此外，在放大电路200A及偏置电路230A中，双极晶体管300、310热耦合，因此能使双极晶体管300、310的伴随温度变化的电流放大率β变化更准确地联动。
此外，例如，在由于温度上升引起双极晶体管300的基极－发射极间电压VBE降低时，若偏置电流IBIAS一定，则放大电路200A的增益上升。在放大电路200A及偏置电路230A中，双极晶体管300、314热耦合。因而，双极晶体管314发生与双极晶体管300相同的温度变化。因而，双极晶体管314的基极－发射极间电压VBE降低，控制电压V4降低。若控制电压V4降低，则从双极晶体管311的发射极输出的偏置电流减少。由此，向双极晶体管300提供的偏置电流IBIAS减少，抑制放大电路200A的增益上升。
如上所述，在放大电路200A及偏置电路230A中，能抑制由偏置晶体管300的温度变化引起的增益的变动。此外，偏置电路230A作为用于控制偏置电流的结构，与使用差动放大器的情况相比，可以减小电路规模的增大。
此外，在放大电路200A中，RF信号(RFIN)经由电容器301提供至电阻器302和双极晶体管300的基极之间。相同地，在偏置电路230A中，RF信号(RFIN)经由电容器320提供至电阻器330和双极晶体管310的基极之间。由此，向双极晶体管310提供RF信号(RFIN)的路径与向双极晶体管300提供RF信号(RFIN)的路径等同。例如，若在向双极晶体管310提供RF信号(RFIN)的路径上存在电阻器，则RF信号(RFIN)的交流分量衰减，双极晶体管310的模拟精度降低。在图3所示的结构中，RF信号(RFIN)在与双极晶体管300、310等同的路径提供，因此能防止双极晶体管310的模拟精度的降低。由此，提高由温度变化引起的增益变动的抑制效果。
在本实施方式的放大电路200A及偏置电路230A中，对于抑制伴随电流放大率β的变化的增益变动，使用模拟结果进行说明。图4是表示用于与本实施方式比较的比较例的结构的图。比较例包含放大电路200A及偏置电路400。此外，在与图3所示的要素相同的要素上标注相同的符号并省略说明。
如图4所示，偏置电路400具备双极晶体管311、313、314、电容器321、以及电阻器331。此外，偏置电路400不具备偏置电路230A的双极晶体管310、312、电容器320、以及电阻器330、332、333。即，偏置电路400不具备抑制伴随双极晶体管300的温度变化的电流放大率β变化引起的放大电路400A的增益变动的结构。此外，双极晶体管300、314热耦合。
图5是表示图4所示的比较例的模拟结果的图。在图5中，横轴是时刻(秒)，纵轴是输出功率(dBm)。此外，纵轴将输出功率的目标电平作为零来进行标准化。在图5中，输出功率的目标电平示出了上限、以及下限。图5是以输出功率达到目标电平的方式输出脉冲信号的结果。在图5所示的结果中，特别是在从动作开始后的200微秒的期间中增益发生变动。
图6是表示本实施方式的放大电路200A及偏置电路230A的模拟结果的图。横轴及纵轴与图5相同。图6与图5相同，是以输出功率达到目标电平的方式输出脉冲信号的结果。在图6所示的结果中，若与图5所示的结果进行比较，则可知特别是在从动作开始后的200微秒的期间中增益的变动量降低。如上所述，从模拟结果还可知在本实施方式的放大电路200A及偏置电路230A中，能抑制伴随电流放大率β变化的增益变动。
图7是表示放大电路200及偏置电路230的结构例、即放大电路200B及偏置电路230B的结构的图。此外，在与图3所示的放大电路200A及偏置电路230A相同的要素上标注相同的符号并省略说明。
放大电路200B不具备图3所示的放大电路200A的电容器301及电阻器302。偏置电路230B不具备图3所示的偏置电路230A的电容器320。而且，在双极晶体管300、310的基极，经由电容器700向其输入RF信号(RFIN)。此外，电阻器330(第四电阻器)的第1端子与双极晶体管311、312的发射极连接，电阻器330的第2端子与双极晶体管300、310的基极连接。即，在图7所示的结构中，电容器700及电阻器330被放大电路200B及偏置电路230B共用。即使在上述的结构中，也能起到与图3所示的结构相同的效果。此外，通过共用电容器700及电阻器330，能减小功率放大模块112的电路规模。
图8是表示放大电路200及偏置电路230的结构例、即放大电路200A及偏置电路230C的结构的图。此外，在与图3所示的放大电路200A及偏置电路230A相同的要素上标注相同的符号并省略说明。
偏置电路230C除图3所示的偏置电路230A具备的要素以外，还具备双极晶体管800及电阻器810。双极晶体管800是例如HBT。双极晶体管800(第七双极晶体管)的集电极与双极晶体管311、312的发射极连接，基极经由电阻器810(第六电阻器)与双极晶体管314的基极连接，发射极接地。双极晶体管800与双极晶体管300热耦合。
在图8所示的结构中，通过在偏置电路230C中设置双极晶体管800，能抑制功率放大模块112的线形性劣化。对于这点进行说明。
在偏置电路230C中，偏置电流从双极晶体管311、312的发射极输出。此处，偏置电流受到RF信号(RFIN1)的影响而发生振幅变动。若RF信号(RFIN1)的电平变大，则偏置电流的振幅也变大。而且，若偏置电流的振幅变大，则产生负电流(从电阻器302、330向双极晶体管311、312的发射极方向的电流)。
在没有双极晶体管800的结构(即图3所示的偏置电路230A)的情况下，有时负电流会通过双极晶体管311、312的基极－发射极PN结的整流作用截止。负电流截止时，平均偏置电流上升，放大电路200A的增益变大。而且，放大电路200A的增益的增大导致功率放大模块112的线形性降低。
在偏置电路230C中，负电流经由双极晶体管800流入接地。因而，在偏置电路230C中，由于偏置电流I的负电流部分没有被截止，因此在RF信号(RFIN1)的电平变大的情况下，能抑制平均偏置电流上升。由此，能抑制功率放大模块112的增益的线形性劣化。
如上所述，在图8所示的结构中，除与图3所示的结构相同的效果以外，能抑制功率放大模块112的增益的线形性劣化。
此外，在图8所示的结构中，在双极晶体管314的基极和双极晶体管800的基极之间设置电阻器810。由此，能对流过双极晶体管800的电流量进行调整。
此外，在图8所示的结构中，双极晶体管800与双极晶体管300热耦合。由此，流过双极晶体管800的电流量伴随双极晶体管800的温度变化进行调整。
此外，即使在图7所示的结构中，也能采用与图8相同的结构。
图9是表示放大电路200及偏置电路230的结构例、即放大电路200A及偏置电路230D的结构的图。此外，在与图3所示的放大电路200A及偏置电路230A相同的要素上标注相同的符号并省略说明。
偏置电路230D具备场效应晶体管(FET)900、901、902代替偏置电路230A的双极晶体管311、312、313。
向FET900(第一场效应晶体管)的漏极提供电池电压VBAT。FET900的栅极与FET902的栅极连接。向FET900的栅极提供控制电压V4。FET900的源极与电阻器302、330连接。
向FET901(第二场效应晶体管)的漏极提供电池电压VBAT。FET901的栅极与电阻器333的第1端子连接。电阻器333的第2端子与电阻器332的第2端子连接。因而，在FET901的栅极，经由电阻器333向其提供控制电压V3(实际上是从控制电压V3根据FET901的栅极电流下降后的电压)。FET901的源极与电阻器302、330连接。
FET902(第三场效应晶体管)的漏极与电阻器331的第2端子连接。FET902的栅极与漏极连接，栅极与FET900的栅极连接，源极与双极晶体管314的集电极连接。从FET902的栅极输出与控制电压V1对应的控制电压V4。
在偏置电路230D中，FET900、901、902进行与偏置电路230A的双极晶体管311、312、313相同的动作。由此，在偏置电路230D中，能起到与偏置电路230A相同的效果。此外，在偏置电路230D中，通过使用FET900、901、902，与使用双极晶体管311、312、313的情况相比，可以实现低电压动作。
此外，即使在图7所示的偏置电路230B以及图8所示的偏置电路230C中，也可以具备FET900、901、902代替双极晶体管311、312、313。
上面是对本发明的示例性的实施方式进行了说明。在图3所示的结构中，根据模拟双极晶体管300的动作的双极晶体管310的集电极电流，控制从双极晶体管312输出的偏置电流。由此，能抑制双极晶体管300的温度变化引起的增益的变动。此外，偏置电路230A作为用于控制偏置电流的结构，不需要差动放大器，因此能抑制电路规模的增大。在图7～图9所示的结构中也相同。
此外，在图3所示的结构中，双极晶体管300、310热耦合，因此提高了双极晶体管310的模拟精度，提高了抑制双极晶体管300的温度变化引起的增益变动的效果。在图7～图9所示的结构中也相同。
而且，在图3所示的结构中，模拟双极晶体管300的动作的双极晶体管310的发射极面积比双极晶体管300的发射极面积更小。由此，能降低消耗电流。在图7～图9所示的结构中也相同。
此外，在图3所示的结构中，向双极晶体管310提供RF信号(RFIN)的路径与向双极晶体管300提供RF信号(RFIN)的路径等同。由此，能防止双极晶体管310的模拟精度的降低，提高温度变化引起的增益变动的抑制效果。在图7～图9所示的结构中也相同。
此外，在图3所示的结构中，双极晶体管314与双极晶体管300热耦合。因而，双极晶体管314的基极－发射极间电压VBE伴随双极晶体管300的基极－发射极间电压VBE进行变化。而且，伴随双极晶体管314的基极－发射极间电压VBE变化，提供至双极晶体管311的基极的控制电压V4变化，由此，从双极晶体管311输出的偏置电流发生变化。由此，能抑制双极晶体管300的温度变化引起的增益变动。在图7～图9所示的结构中也相同。
此外，在图8所示的结构中，在RF信号(RFIN)的电平变大时产生的负电流(从电阻器302、330向双极晶体管311、312的发射极方向的电流)经由双极晶体管800流入接地。由此，能抑制平均偏置电流的上升，并能抑制功率放大模块112的增益的线形性劣化。
此外，在图8所示的结构中，在双极晶体管314的基极和双极晶体管800的基极之间设置电阻器810。由此，能对流过双极晶体管800的电流量进行调整。
而且，在图8所示的结构中，双极晶体管800与双极晶体管300热耦合。由此，流过双极晶体管800的电流量伴随双极晶体管800的温度变化进行调整。
此外，在图9所示的结构中，具备FET900、901、902代替图3所示的双极晶体管311、312、313。由此，与使用双极晶体管311、312、313的情况相比，能实现低电压动作。
上述说明的各实施方式用于方便理解本发明，并不用于限定并解释本发明。在不脱离本发明的思想的前提下，可以对本发明变更或改良，并且本发明的等同发明也包含在本发明的范围内。即，本领域的技术人员在各实施方式上加以适当的设计变更，只要包含本发明的技术特征，也被包含在本发明的范围内。例如各实施方式具备的各要素及其配置、材料、条件、形状、尺寸等，不限于例示，能进行适当地变更。此外，各实施方式具备的各要素，能在技术上可能的范围内任意组合，这些组合只要包含本发明的技术特征也包含在本发明的范围内。
标号说明
100 发送单元
110 基带部
111 RF部
112 功率放大模块
113 前端部
114 天线
200、200A 放大电路
210 电感器
220 偏置控制电路
230、230A、400 偏置电路
300、310、311、312、313、314、800 双极晶体管
301、320、321、700 电容器
302、330、331、332、333、810 电阻器
900、901、902 场效应晶体管

Claims (10)

1.一种功率放大模块，其特征在于，包括：
第一双极晶体管，该第一双极晶体管在基极被输入无线电频率信号，从该第一双极晶体管的集电极输出将所述无线电频率信号放大后的放大信号；
第二双极晶体管，该第二双极晶体管与所述第一双极晶体管热耦合，在该第二双极晶体管的基极被输入所述无线电频率信号，并且模拟所述第一双极晶体管的动作；
第三双极晶体管，该第三双极晶体管在集电极被提供电源电压，在该第三双极晶体管的基极被提供第一控制电压，从该第三双极晶体管的发射极向所述第一双极晶体管及所述第二双极晶体管的基极输出第一偏置电流；
第一电阻器，该第一电阻器的第一端子被提供第二控制电压，该第一电阻器的第二端子与所述第二双极晶体管的集电极连接，在该第一电阻器的所述第二端子生成与所述第二双极晶体管的集电极电流对应的第三控制电压；以及
第四双极晶体管，该第四双极晶体管在集电极被提供所述电源电压，在该第四双极晶体管的基极被提供所述第三控制电压，从该第四双极晶体管的发射极向所述第一双极晶体管及所述第二双极晶体管的基极输出第二偏置电流。
2.如权利要求1所述的功率放大模块，其特征在于，
所述第二双极晶体管的发射极面积比所述第一双极晶体管的发射极面积小。
3.如权利要求1或2所述的功率放大模块，其特征在于，还包括：
第二电阻器，该第二电阻器的第一端子与所述第三双极晶体管及所述第四双极晶体管的发射极连接，该第二电阻器的第二端子与所述第一双极晶体管的基极连接；以及
第三电阻器，该第三电阻器的第一端子与所述第三双极晶体管及所述第四双极晶体管的发射极连接，该第三电阻器的第二端子与所述第二双极晶体管的基极连接，
所述无线电频率信号被提供至所述第二电阻器的所述第二端子和所述第一双极晶体管的基极之间、以及所述第三电阻器的所述第二端子和所述第二双极晶体管的基极之间。
4.如权利要求1或2所述的功率放大模块，其特征在于，
还包括第四电阻器，该第四电阻器的第一端子与所述第三双极晶体管及所述第四双极晶体管的发射极连接，该第四电阻器的第二端子与所述第一双极晶体管及所述第二双极晶体管的基极连接，
所述无线电频率信号被提供至所述第四电阻器的所述第二端子和所述第一双极晶体管及所述第二双极晶体管的基极之间。
5.如权利要求1或2所述的功率放大模块，其特征在于，
还包括：第五电阻器、第五双极晶体管、以及第六双极晶体管，
所述第五电阻器的第一端子被提供第四控制电压，所述第五电阻器的第二端子与所述第五双极晶体管的集电极连接，
所述第五双极晶体管的基极与集电极连接，所述第五双极晶体管的发射极与所述第六双极晶体管的集电极连接，
所述第六双极晶体管的基极与集电极连接，所述第六双极晶体管的发射极接地，
所述第一双极晶体管及所述第六双极晶体管热耦合，
从所述第五双极晶体管的基极输出所述第一控制电压。
6.如权利要求5所述的功率放大模块，其特征在于，
还包括第七双极晶体管，该第七双极晶体管的集电极与所述第三双极晶体管及所述第四双极晶体管的发射极连接，该第七双极晶体管的基极与所述第六双极晶体管的基极连接，该第七双极晶体管的发射极接地。
7.如权利要求6所述的功率放大模块，其特征在于，
还包括第六电阻器，该第六电阻器设置在所述第六双极晶体管的基极和所述第七双极晶体管的基极之间。
8.如权利要求6或7所述的功率放大模块，其特征在于，
所述第一双极晶体管及所述第七双极晶体管热耦合。
9.如权利要求1或2所述的功率放大模块，其特征在于，
具备第一场效应晶体管代替所述第三双极晶体管，在该第一场效应晶体管的漏极被提供所述电源电压，在该第一场效应晶体管的栅极被提供所述第一控制电压，从该第一场效应晶体管的源极向所述第一双极晶体管及所述第二双极晶体管的基极输出所述第一偏置电流，
还具备第二场效应晶体管代替所述第四双极晶体管，在该第二场效应晶体管的漏极被提供所述电源电压，在该第二场效应晶体管的栅极被提供所述第三控制电压，从该第二场效应晶体管的源极向所述第一双极晶体管及所述第二双极晶体管的基极输出所述第二偏置电流。
10.如权利要求5所述的功率放大模块，其特征在于，
具备第一场效应晶体管代替所述第三双极晶体管，在该第一场效应晶体管的漏极被提供所述电源电压，在该第一场效应晶体管的栅极被提供所述第一控制电压，从该第一场效应晶体管的源极向所述第一双极晶体管及所述第二双极晶体管的基极输出所述第一偏置电流，
还具备第二场效应晶体管代替所述第四双极晶体管，在该第二场效应晶体管的漏极被提供所述电源电压，在该第二场效应晶体管的栅极被提供所述第三控制电压，从该第二场效应晶体管的源极向所述第一双极晶体管及所述第二双极晶体管的基极输出所述第二偏置电流，
还具备第三场效应晶体管代替所述第五双极晶体管，该第三场效应晶体管的漏极与所述第五电阻器的所述第二端子连接，该第三场效应晶体管的栅极与漏极连接，该第三场效应晶体管的源极与所述第六双极晶体管的集电极连接。
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