CN109428557A - 功率放大电路 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种功率放大电路，具备：多尔蒂放大器；以及控制电路，向第二偏置电路供给与第二信号的电平相应的控制信号，多尔蒂放大器具备：分配器，将第一信号分配为第二信号和第三信号；载波放大器，放大第二信号并输出第四信号；峰值放大器，放大第三信号并输出第五信号；合成器，将第四信号和第五信号进行合成并输出第一信号的放大信号；第一偏置电路，向载波放大器供给第一偏置电流或电压；以及第二偏置电路，向峰值放大器供给与控制信号相应的第二偏置电流或电压，控制电路包含：检测部，输出与第二信号的电平相应的检测信号；输出部，输出与检测信号相应的控制信号；以及滤波器电路，使检测信号的交流分量或控制信号的交流分量衰减。

Description

功率放大电路
技术领域
本发明涉及功率放大电路。
背景技术
作为高效率的功率放大电路，已知有多尔蒂放大器。多尔蒂放大器一般为载波放大器和峰值放大器(peak amplifier)并联地连接的结构，载波放大器与输入信号的功率电平无关地工作，峰值放大器在输入信号的功率电平小的情况下截止，在输入信号的功率电平大的情况下导通。在该结构中，在输入信号的功率电平大的情况下，载波放大器在以饱和输出功率电平维持饱和的同时工作。由此，与通常的功率放大电路相比，多尔蒂放大器能够使效率提高。
作为这样的多尔蒂放大器的变形例，例如，在专利文献1公开了如下结构，即，通过载波放大器的基极电流来检测载波放大器的饱和状态，并使用检测信号对峰值放大器的偏置电流进行控制。在该结构中，通过根据输出功率来调整峰值放大器的偏置电流，从而与一般的多尔蒂放大器相比，能够使AM-AM特性提高。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：美国专利申请公开第2016/0241209号说明书
然而，在专利文献1公开的多尔蒂放大器中，因为在供给到载波放大器的基极的输入信号包含交流分量，所以在对该载波放大器的基极电流进行检测而得到的检测信号中也可能包含交流分量。在该情况下，变成通过包含了交流分量的检测信号来控制峰值放大器的偏置电路。因此，向峰值放大器的偏置电流的供给变得不稳定，有可能导致输出功率的高次谐波失真等特性的劣化。
发明内容
发明要解决的课题
本发明是鉴于这样的情形而完成的，其目的在于，提供一种在提高AM-AM特性的同时可抑制高次谐波失真的功率放大电路。
用于解决课题的技术方案
本发明的一个侧面涉及的功率放大电路具备多尔蒂放大器和控制电路，多尔蒂放大器具备：分配器，将第一信号分配为第二信号和第三信号；载波放大器，放大第二信号并输出第四信号；峰值放大器，放大第三信号并输出第五信号；合成器，将第四信号和第五信号进行合成并输出第一信号的放大信号；第一偏置电路，向载波放大器供给第一偏置电流或电压；以及第二偏置电路，向峰值放大器供给与控制信号相应的第二偏置电流或电压，控制电路向第二偏置电路供给与第二信号的电平相应的控制信号，控制电路包括：检测部，输出与第二信号的电平相应的检测信号；输出部，输出与检测信号相应的控制信号；以及滤波器电路，使检测信号的交流分量或控制信号的交流分量衰减。
本发明的一个侧面涉及的功率放大电路具备多尔蒂放大器、第三晶体管以及控制电路，多尔蒂放大器具备：分配器，将第一信号分配为第二信号和第三信号；载波放大器，包含放大第二信号并输出第四信号的第一晶体管；峰值放大器，包含放大第三信号并输出第五信号的第二晶体管；合成器，将第四信号和第五信号进行合成并输出第一信号的放大信号；第一偏置电路，向第一晶体管的基极供给第一偏置电流或电压；以及第二偏置电路，向第二晶体管的基极供给与控制信号相应的第二偏置电流或电压，第三晶体管与第一晶体管并联连接，并输出与第四信号的电平相应的第六信号，控制电路向第二偏置电路供给与第六信号相应的控制信号。
本发明的一个侧面涉及的功率放大电路具备多尔蒂放大器、放大器、第三偏置电路以及控制电路，多尔蒂放大器具备：分配器，将第一信号分配为第二信号和第三信号；载波放大器，放大第二信号并输出第四信号；峰值放大器，放大第三信号并输出第五信号；合成器，将第四信号和第五信号进行合成并输出第一信号的放大信号；第一偏置电路，向载波放大器供给第一偏置电流或电压；以及第二偏置电路，向峰值放大器供给与控制信号相应的第二偏置电流或电压，放大器放大输入信号并输出第一信号，第三偏置电路向放大器供给第三偏置电流或电压，控制电路向第二偏置电路供给与输入信号的电平相应的控制信号。
发明效果
根据本发明，能够提供一种在提高AM-AM特性的同时可抑制高次谐波失真的功率放大电路。
附图说明
图1是示出本发明的第一实施方式涉及的功率放大电路的结构例的概念图。
图2是示出本发明的第一实施方式涉及的功率放大电路的结构例的电路图。
图3是示出在一般的多尔蒂放大器中使峰值放大器的偏置电压变化的情况下的AM-AM特性的图。
图4是示出偏置电路122的变形例的电路图。
图5是示出本发明的第一实施方式的变形例涉及的功率放大电路的结构例的电路图。
图6是示出本发明的第二实施方式涉及的功率放大电路的结构例的电路图。
图7是示出本发明的第三实施方式涉及的功率放大电路的结构例的电路图。
附图标记说明
100：功率放大电路，110：驱动放大器，111：载波放大器，112：峰值放大器，120～122：偏置电路，130：控制电路，131：检测部，132：滤波器电路，133：输出部，140：分配器，150：合成器，160、161：电压源，Q1～Q9：晶体管，MP1、MP2：P沟道MOSFET，C1～C4：电容器，L1～L3：电感器，R1～R7：电阻元件，OP1：运算放大器。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。另外，对同一要素标注同一附图标记，并省略重复的说明。
图1是示出本发明的第一实施方式涉及的功率放大电路的结构例的概念图。图1所示的功率放大电路100例如搭载于便携式电话等移动通信机，用于放大发送到基站的无线频率(RF：Radio-Frequency)信号的功率。功率放大电路100例如对2G(第二代移动通信系统)、3G(第三代移动通信系统)、4G(第四代移动通信系统)、5G(第五代移动通信系统)、LTE(Long Term Evolution，长期演进)-FDD(Frequency Division Duplex，频分双工)、LTE-TDD(Time Division Duplex，时分双工)、LTE-Advanced、LTE-Advanced Pro等通信标准的信号的功率进行放大。此外，RF信号的频率例如为几百MHz～几GHz左右。另外，功率放大电路100进行放大的信号的通信标准以及频率不限于这些。
功率放大电路100例如具备驱动放大器110、载波放大器111、峰值放大器112、偏置电路120～122、控制电路130、分配器140、合成器150以及电容器C1～C3。另外，虽然在图1中示出了由初级的放大器(驱动放大器110)和后级的放大器(载波放大器111和峰值放大器112)通过两个阶段对RF信号的功率进行放大的结构，但是该级数也可以为1级，或者还可以为3级以上。以下，对各构成要素进行具体说明。
驱动放大器110以及偏置电路120构成对输入到功率放大电路100的输入信号RFin进行放大的初级的放大电路。
驱动放大器110对经由电容器C1输入的输入信号RFin进行放大，并输出放大信号RF1(第一信号)。该放大信号RF1供给到分配器140。驱动放大器110没有特别限定，例如由异质结双极晶体管(HBT：Heterojunction Bipolar Transistor)等双极晶体管或场效应晶体管(MOSFET：Metal-oxide-semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)等构成。另外，在后述的载波放大器111和峰值放大器112中也是同样的。
偏置电路120(第三偏置电路)向驱动放大器110供给偏置电流或电压(第三偏置电流或电压)。在驱动放大器110中，根据从偏置电路120供给的偏置电流或电压对增益进行控制。
电容器C1是阻断叠加在所输入的RF信号的直流分量而仅使交流分量通过的耦合电容器。另外，在电容器C2、C3中也是同样的。
载波放大器111、峰值放大器112、偏置电路121、122、控制电路130、分配器140以及合成器150构成对从驱动放大器110输出的放大信号RF1进行进一步放大的后级的放大电路。该后级的放大电路是与一般的多尔蒂放大器类似的结构。
分配器140将放大信号RF1分配为到载波放大器111的信号RF2(第二信号)和到峰值放大器112的信号RF3(第三信号)。分配器140例如由电感器以及电容器构成。从分配器140输出的两个信号RF2、RF3被分配为相位差例如为90度。
载波放大器111对输入的信号RF2(第二信号)进行放大，并输出放大信号RF4(第四信号)。此外，峰值放大器112对输入的信号RF3(第三信号)进行放大，并输出放大信号RF5(第五信号)。在此，载波放大器111与输入信号RFin的功率电平无关地工作。另一方面，峰值放大器112在输入信号RFin的功率电平为比最大电平低给定电平的电平(回退点)以上的区域中工作。由此，在输入信号RFin的功率电平比较低的区域(小于回退点的区域)中，仅有载波放大器111工作。此外，在输入信号RFin的功率电平比较高的区域(回退点以上的区域)中，载波放大器111和峰值放大器112这两者工作。像这样，多尔蒂放大器通过具备载波放大器111，从而与仅使用了一个放大器的结构相比，效率提高，其中，载波放大器111在输入信号RFin的功率电平比较高的区域，在饱和输出功率附近维持饱和的同时进行工作。
偏置电路121(第一偏置电路)向载波放大器111供给偏置电流或电压(第一偏置电流或电压)。偏置电路122(第二偏置电路)向峰值放大器112供给偏置电流或电压(第二偏置电流或电压)。此外，在载波放大器111和峰值放大器112中，分别根据从偏置电路121和偏置电路122供给的偏置电流或电压对增益进行控制。另外，例如可以是，载波放大器111被偏置为成为AB类，峰值放大器112被偏置为成为C类。
控制电路130对供给到载波放大器111的信号RF2的电平或输入信号RFin的电平进行检测(图1中虚线箭头)，并向峰值放大器112的偏置电路122供给与该电平相应的控制信号cont(图1中实线箭头)。由此，能够根据载波放大器111的饱和状态，对供给到峰值放大器112的偏置电流或电压进行调整。因此，与一般的多尔蒂放大器相比，AM-AM特性提高。另外，关于偏置电路121、122以及控制电路130的具体的结构，将在以下按每个实施方式进行说明。
合成器150对从载波放大器111输出的放大信号RF4和从峰值放大器112输出的放大信号RF5进行合成，并作为放大信号RFout进行输出。合成器150还兼具在对放大信号RF4以及放大信号RF5的相位进行变换的同时对载波放大器111的输出阻抗以及峰值放大器112的输出阻抗中的任一者或两者进行变换的阻抗匹配的功能。例如，在信号RF2与信号RF3的相位差为90度的情况下，对相位进行变换，使得放大信号RF4与放大信号RF5的相位差成为0度。接着，按每个实施方式对偏置电路122的控制进行详细说明。
图2是示出本发明的第一实施方式涉及的功率放大电路的结构例的电路图。具体地，图2是示出了图1所示的功率放大电路100中的载波放大器111、峰值放大器112、偏置电路121、122以及控制电路130的电路结构的具体例的图。另外，在图2中，仅图示分配器140之后的结构，省略前级的放大器的结构。对于图2所示的构成要素中的与图1所示的构成要素对应的构成要素，使用同样的附图标记并省略说明。
晶体管Q1(第一晶体管)是构成载波放大器111的HBT。晶体管Q2(第二晶体管)是构成峰值放大器112的HBT。具体地，在晶体管Q1中，经由电感器L1对集电极供给电源电压Vcc，经由电容器C2对基极供给信号RF2，发射极接地。同样地，在晶体管Q2中，经由电感器L2对集电极供给电源电压Vcc，经由电容器C3对基极供给信号RF3，发射极接地。电感器L1、L2是抑制信号向电源电路泄漏的扼流电感器。
偏置电路121A(第一偏置电路)向晶体管Q1的基极供给给定的偏置电流Ibias1。具体地，偏置电路121A例如具备电压源160、晶体管Q3以及电阻元件R1。
电压源160生成给定的电压，并供给到晶体管Q3的基极。
在晶体管Q3中，经由控制电路130A对集电极供给电源电压Vcc，发射极经由电阻元件R1与晶体管Q1的基极连接。由此，在偏置电路121A中，偏置电流Ibias1从晶体管Q3的发射极经由电阻元件R1供给到晶体管Q1的基极。另外，电阻元件R1抑制由晶体管Q1的温度上升造成的偏置电流Ibias1的增加。
控制电路130A例如包含检测部131A、滤波器电路132A以及输出部133A。
检测部131A包含P沟道MOSFET(MP1)(第一FET)。在P沟道MOSFET(MP1)中，对源极供给电源电压Vcc，栅极与漏极连接，漏极与包含于偏置电路121A的晶体管Q3的集电极连接。即，P沟道MOSFET(MP1)与晶体管Q3串联连接。由此，P沟道MOSFET(MP1)的漏极电流Id1(检测信号)成为与晶体管Q3输出的偏置电流Ibias1相同的量(Id1＝Ibias1)。此外，伴随着信号RF2的功率电平的增大，晶体管Q1的基极电流变动，由此偏置电流Ibias1(＝Id1)的电流量增加。即，P沟道MOSFET(MP1)的漏极电流Id1根据信号RF2的功率电平而变动。因此，P沟道MOSFET(MP1)作为检测信号RF2的功率电平的检测部而发挥功能。
滤波器电路132A例如是包含电容器C4以及电阻元件R4的低通滤波器。该低通滤波器的截止频率设为比RF信号的载波频率低。进而，在RF信号的调制方式伴随着包络线的变化的情况下，设为比包络线分量的频率高。电容器C4的一端被供给电源电压Vcc，另一端与P沟道MOSFET(MP2)的栅极和电阻元件R4的一端的连接点连接。电阻元件R4串联连接在P沟道MOSFET(MP1)的栅极与P沟道MOSFET(MP2)的栅极之间。滤波器电路132A具有以下的功能。
即，晶体管Q1的基极电流根据供给到晶体管Q1的基极的信号RF2而变动。而且，伴随着晶体管Q1的基极电流的变动，从晶体管Q3的发射极输出的偏置电流Ibias1也变动。即，伴随着晶体管Q1的基极电流的变动，P沟道MOSFET(MP1)的漏极电流Id1变动。因此，P沟道MOSFET(MP1)的漏极电流Idl根据信号RF2而变动。在此，因为信号RF2是RF信号，所以在漏极电流Id1中包含RF信号的载波附近的频率的交流分量。因此，假设控制电路130A不具备滤波器电路132A，则包含了交流分量的漏极电流Id1传递到输出部133A，变成偏置电路122A被包含了交流分量的控制信号cont控制。由此，供给到晶体管Q2的偏置电流Ibias2的电流量变动，有可能导致合成器150输出的输出功率的高次谐波失真等特性的劣化。
关于这一点，滤波器电路132A将使漏极电流Id1包含的交流分量衰减了的信号供给到输出部133A。由此，可抑制交流分量传递到输出部133A。另外，滤波器电路132A的结构不限于此，只要交流分量被衰减，也可以是其它结构。例如，滤波器电路132A也可以由电容器和电感器的组合等构成。
输出部133A包含与P沟道MOSFET(MP1)进行电流镜连接的P沟道MOSFET(MP2)(第二FET)。在P沟道MOSFET(MP2)中，对源极供给电源电压Vcc，栅极与P沟道MOSFET(MP1)的栅极连接，漏极与包含于偏置电路122A的晶体管Q5的集电极连接。由此，在P沟道MOSFET(MP2)的源极-漏极间流过与P沟道MOSFET(MP1)的漏极电流Id1成比例的电流(漏极电流Id2)(Id2∝Id1)。此外，如上所述，P沟道MOSFET(MP1)的漏极电流Id1根据信号RF2的功率电平而变动。因此，P沟道MOSFET(MP2)的漏极电流Id2根据信号RF2的功率电平而变动。漏极电流Id2作为对偏置电流Ibias2进行控制的控制信号cont而被供给到偏置电路122A。
像这样，控制电路130A对信号RF2的功率电平进行检测，并将与检测的功率电平相应的漏极电流Id2(控制信号cont)供给到偏置电路122A。
偏置电路122A(第二偏置电路)将与从控制电路130A供给的控制信号cont相应的偏置电流Ibias2供给到晶体管Q2的基极。具体地，偏置电路122A例如具备晶体管Q4～Q6以及电阻元件R2、R3。在晶体管Q5中，集电极和基极连接(以下，也称为“二极管连接”。)，对集电极供给控制信号cont，发射极与晶体管Q6的集电极连接。晶体管Q6进行二极管连接，集电极与晶体管Q5的发射极连接，发射极接地。由此，在晶体管Q5的集电极生成给定电平的电压Vc(例如，2.6V左右)。关于晶体管Q4以及电阻元件R2，分别与偏置电路121A中的晶体管Q3以及电阻元件R1相同，因此省略详细的说明。
电阻元件R3的一端与晶体管Q5的集电极连接，另一端与晶体管Q5的发射极连接。由此，在电流量少的情况下，从控制电路130A供给的漏极电流Id2流过电阻元件R3，若电流量增加，则流过晶体管Q5。因此，晶体管Q5的集电极电压Vc成为如下特性，即，在漏极电流Id2的电流量少的区域中以线性上升，伴随着电流量的增加，呈对数函数上升。故此，偏置电路122A与不具备电阻元件R3的结构相比，集电极电压Vc的上升变缓。偏置电路122A生成与该集电极电压Vc的电压值相应的偏置电流Ibias2，并供给到晶体管Q2的基极。
通过上述结构，在功率放大电路100A中，若信号RF2的功率电平变大，则P沟道MOSFET(MP1)的漏极电流Id1增加，与此相伴地，P沟道MOSFET(MP2)的漏极电流Id2也增加。由此，供给到偏置电路122A的漏极电流Id2增加。即，根据信号RF2的功率电平，对偏置电流Ibias2的电流量进行控制。因此，能够伴随着载波放大器111的饱和状态对峰值放大器112的工作状态进行控制，并能够使AM-AM特性提高。此外，在功率放大电路100A中，通过控制电路130A具备滤波器电路132A，从而即使信号RF2的功率电平大且交流分量包含于漏极电流Id1，该交流分量也会被衰减而传递到输出部133A。因此，与在专利文献1公开的结构相比，供给到峰值放大器112的偏置电流Ibias2的电流量稳定，可抑制输出功率的高次谐波失真等特性的劣化。
图3是示出在一般的多尔蒂放大器中使峰值放大器的偏置电压变化的情况下的AM-AM特性的图。具体地，图3示出了将多尔蒂放大器中的峰值放大器的偏置电压设为0V、1.9V、2.1V、2.3V的情况下的AM-AM特性。在图3所示的曲线图中，纵轴表示增益(dB)，横轴表示输出功率(dBm)。
如图3所示，若峰值放大器的偏置电压固定，则在偏置电压为0V或1.9V的情况下，增益伴随着输出功率的增大而下降。另一方面，在偏置电压为2.1V或2.3V的情况下，增益一度伴随着输出功率的增大而上升，然后下降。因此可知，若使偏置电压根据输出功率的电平而变动，则作为多尔蒂放大器整体，成为连结了图3所示的圆圈标记那样的AM-AM特性，增益的线性提高。由此可知，在功率放大电路100A中，通过根据信号RF2的功率电平对峰值放大器112的偏置电流Ibias2进行控制，从而AM-AM特性提高。
图4是示出偏置电路122的变形例的电路图。与图2所示的偏置电路122A相比，图4所示的偏置电路122B代替电阻元件R3而具备电阻元件R5。
电阻元件R5的一端与晶体管Q5的集电极连接，另一端与接地连接。由此，如图2所示，与电阻元件R3连接在晶体管Q5的集电极-发射极间的结构相比，电压Vc的变化范围从晶体管的一个基极-发射极间电压变为两个基极-发射极间电压。由此，偏置电流Ibias2的控制范围扩大。
图5是示出本发明的第一实施方式的变形例涉及的功率放大电路的结构例的电路图。图5所示的功率放大电路100B与功率放大电路100A相比，控制电路中的检测部以及输出部的结构不同。具体地，图5所示的控制电路130B具备检测部131B以及输出部133B。
检测部131B具备电阻元件R6。电阻元件R6的一端被供给电源电压Vcc，另一端与晶体管Q3的集电极连接。由此，在电阻元件R6中流过与偏置电流Ibias1相同的量的电流。因此，若偏置电流Ibias1伴随着信号RF2的功率电平的增大而增加，则电阻元件R6中的电压降变大，电阻元件R6的一端与另一端的电压差变大。
输出部133B具备运算放大器OP1。在运算放大器OPI中，对非反转输入端子供给电阻元件R6的一端处的电压，对反转输入端子供给电阻元件R6的另一端处的电压。由此，运算放大器OP1从输出端子输出与电阻元件R6的电压差成比例的电压(控制信号)。即，运算放大器OP1输出的电压成为与偏置电流Ibias1的电流量成比例的值。
像这样，控制电路130B能够向偏置电路122A供给与偏置电流Ibias1相应的电压。此外，滤波器电路132A对运算放大器OP1的输出电压包含的交流分量进行衰减。
通过上述结构，偏置电路122A也向晶体管Q2的基极供给与从控制电路130B供给的控制信号cont相应的偏置电流Ibias2。因此，功率放大电路100B能够得到与功率放大电路100A同样的效果。像这样，偏置电路122A可以像功率放大电路100A那样通过电流进行控制，也可以像功率放大电路100B那样通过电压进行控制。
另外，在功率放大电路100B中，也能够代替偏置电路122A而应用图4所示的偏置电路122B的结构。
图6是示出本发明的第二实施方式涉及的功率放大电路的结构例的电路图。图6所示的功率放大电路100C与功率放大电路100A相比，检测部131A检测的对象不同。具体地，功率放大电路100C还具备用于检测信号RF2的功率电平的晶体管Q7。
晶体管Q7(第三晶体管)与构成载波放大器111的晶体管Q1并联连接。具体地，在晶体管Q7中，集电极与P沟道MOSFET(MP1)的漏极连接，对基极供给经由了电容器C2的信号RF2以及偏置电流Ibias1，发射极接地。晶体管Q7例如是具有与晶体管Q1同样的特性且尺寸比晶体管Q1小的晶体管。由此，晶体管Q7输出与晶体管Q1输出的放大信号RF4的电平相应的电流(第六信号)。更具体地，晶体管Q7例如输出与晶体管Q1的输出电流成比例的电流。即，晶体管Q7具有复制晶体管Q1的功能。
在检测部131A包含的P沟道MOSFET(MP1)的源极-漏极间流过与流过晶体管Q7的电流相同的量的电流(检测信号)。因此，检测部131A能够通过漏极电流Id1来检测信号RF2的功率电平。关于滤波器电路132A以及输出部133A的工作，与功率放大电路100A相同，因此省略详细的说明。
通过上述结构，在功率放大电路100C中，也根据信号RF2的功率电平对供给到偏置电路122A的漏极电流Id2的电流量进行控制。因此，功率放大电路100C能够得到与功率放大电路100A同样的效果。此外，在功率放大电路100C中，对尺寸比晶体管Q1小的晶体管Q7的输出电流进行检测。由此，与检测晶体管Q1的基极电流的结构相比，可抑制漏极电流Id1包含的交流分量。因此，在功率放大电路100C中，控制电路130A也可以不具备滤波器电路132A。
另外，在功率放大电路100C中，也能够代替偏置电路122A而应用图4所示的偏置电路122B的结构。此外，能够代替控制电路130A而应用图5所示的控制电路130B的结构。
图7是示出本发明的第三实施方式涉及的功率放大电路的结构例的电路图。图7所示的功率放大电路100D与功率放大电路100A、100B相比，检测部131A检测的对象不同。具体地，在功率放大电路100D中，检测部131A对供给到驱动放大器110的偏置电流Ibias3进行检测。
晶体管Q8构成驱动放大器110。具体地，在晶体管Q8中，经由电感器L3对集电极供给电源电压Vcc，经由电容器C1对基极供给输入信号RFin，发射极接地。此外，从偏置电路120A对晶体管Q8的基极供给偏置电流Ibias3(第三偏置电流)。
偏置电路120A(第三偏置电路)例如具备电压源161、晶体管Q9以及电阻元件R7。关于电压源161、晶体管Q9以及电阻元件R7的功能，与图2所示的偏置电路121A中的电压源160、晶体管Q3以及电阻元件R1相同，因此省略详细的说明。
在本实施方式中，检测部131A对流过偏置电路120A的偏置电流Ibias3的电流量进行检测。具体地，P沟道MOSFET(MP1)与输出偏置电流Ibias3的晶体管Q9串联连接。由此，在P沟道MOSFET(MP1)的源极-漏极间流过与晶体管Q9输出的偏置电流Ibias3相同的量的电流。此外，晶体管Q8的基极电流伴随着输入信号RFin的功率电平的增大而变动，由此，偏置电流Ibias3(＝Id1)的电流量增加。因此，检测部131A能够通过漏极电流Id1来检测输入信号RFin的功率电平。关于滤波器电路132A以及输出部133A的工作，与功率放大电路100A相同，因此省略详细的说明。
通过上述结构，在功率放大电路100D中，也根据输入信号RFin的功率电平对供给到偏置电路122A的漏极电流Id2的电流量进行控制。因此，功率放大电路100D能够得到与功率放大电路100A同样的效果。此外，在功率放大电路100D中，因为对初级的晶体管Q8的基极电流进行检测，所以与对后级的晶体管Q1的基极电流进行检测的结构相比，成为检测对象的信号的功率电平低，因此可抑制漏极电流Id1包含的交流分量。因此，在功率放大电路100D中，控制电路130A也可以不具备滤波器电路132A。
另外，在功率放大电路100D中，也能够代替偏置电路122A而应用图4所示的偏置电路122B的结构。此外，能够代替控制电路130A而应用图5所示的控制电路130B的结构。
以上，对本发明的例示性的实施方式进行了说明。功率放大电路100A、100B具备多尔蒂放大器以及控制电路130，多尔蒂放大器具备：载波放大器111，对信号RF2进行放大并输出放大信号RF4；峰值放大器112，对信号RF3进行放大并输出放大信号RF5；以及偏置电路121、122，向载波放大器111或峰值放大器112分别供给偏置电流或电压。此外，控制电路130A、130B具备：检测部131A、131B，输出与信号RF2的电平相应的检测信号；输出部133A、133B，向偏置电路122输出与检测信号相应的控制信号；以及滤波器电路132A，使检测信号或控制信号的交流分量衰减。由此，在功率放大电路100A、100B中，根据信号RF2的功率电平对偏置电流Ibias2的电流量进行控制。因此，因为伴随着载波放大器111的饱和状态对峰值放大器112的工作状态进行控制，所以能够使AM-AM特性提高。此外，在功率放大电路100A、100B中，通过控制电路130A、130B具备滤波器电路132A，从而检测信号或控制信号包含的交流分量被衰减并供给到偏置电路122。因此，供给到峰值放大器112的偏置电流Ibias2稳定，可抑制输出功率的高次谐波失真等特性的劣化。
此外，在功率放大电路100A、100C、100D中，控制电路130A具备进行电流镜连接的P沟道MOSFET(MP1、MP2)和滤波器电路132A。由此，能够进行检测信号的输出和与该检测信号相应的控制信号的生成。
此外，在功率放大电路100A、100C、100D中，滤波器电路132A的结构没有特别限定，例如，也可以包含：电阻元件R4，串联连接在P沟道MOSFET(MP1)的栅极与P沟道MOSFET(MP2)的栅极之间；以及电容器C4，在一端被供给电源电压Vcc，另一端与电阻元件R4的一端连接。
此外，功率放大电路100C具备与构成载波放大器111的晶体管Q1并联连接的晶体管Q7，检测部131A对晶体管Q7输出的信号进行检测。由此，在功率放大电路100C中，根据信号RF2的功率电平对偏置电流Ibias2的电流量进行控制。因此，因为伴随着载波放大器111的饱和状态对峰值放大器112的工作状态进行控制，所以能够使AM-AM特性提高。此外，在功率放大电路100C中，因为对作为晶体管Q1的复制的晶体管Q7的输出电流进行检测，所以与检测晶体管Q1的基极电流的结构相比，可抑制检测信号包含的交流分量。
此外，功率放大电路100D具备驱动放大器110，检测部131A对与输入到驱动放大器110的输入信号RFin相应的检测信号进行检测。由此，在功率放大电路100D中，根据输入信号RFin的功率电平对偏置电流Ibias2的电流量进行控制。因此，因为伴随着载波放大器111的饱和状态对峰值放大器112的工作状态进行控制，所以能够使AM-AM特性提高。此外，在功率放大电路100D中，因为对初级的驱动放大器110的基极电流进行检测，所以与对后级的晶体管Q1的基极电流进行检测的结构相比，成为检测对象的信号的功率电平低，因此可抑制检测信号包含的交流分量。
另外，虽然在上述实施方式以及变形例中，均示出了如下结构，即，对于输入信号RFin或信号RF2的电平，通过被供给各个信号的晶体管的基极电流或集电极电流来进行检测，但是该信号的电平的检测对象不限于电流，也可以检测电压电平，或者还可以检测功率电平。
另外，以上说明的各实施方式用于使本发明容易理解，并非用于对本发明进行限定解释。本发明能够在不脱离其主旨的情况下进行变更/改良，并且本发明还包含其等价物。即，只要具备本发明的特征，本领域技术人员对各实施方式适当地进行了没计变更的实施方式也包含于本发明的范围。例如，各实施方式具备的各要素及其配置、材料、条件、形状、尺寸等并不限定于例示的各要素及其配置、材料、条件、形状、尺寸等，能够适当地进行变更。此外，各实施方式是例示，能够对不同的实施方式所示的结构进行部分置换或组合，这是不言而喻的，关于这些，只要包含本发明的特征，也包含于本发明的范围。

Claims (9)

1.一种功率放大电路，具备：
多尔蒂放大器；以及
控制电路，
所述多尔蒂放大器具备：
分配器，将第一信号分配为第二信号和第三信号；
载波放大器，放大所述第二信号并输出第四信号；
峰值放大器，放大所述第三信号并输出第五信号；
合成器，对所述第四信号和所述第五信号进行合成，并输出所述第一信号的放大信号；
第一偏置电路，向所述载波放大器供给第一偏置电流或电压；以及
第二偏置电路，向所述峰值放大器供给与控制信号相应的第二偏置电流或电压，
所述控制电路向所述第二偏置电路供给与所述第二信号的电平相应的所述控制信号，
所述控制电路包含：
检测部，输出与所述第二信号的电平相应的检测信号；
输出部，输出与所述检测信号相应的所述控制信号；以及
滤波器电路，使所述检测信号的交流分量或所述控制信号的交流分量衰减。
2.根据权利要求1所述的功率放大电路，其中，
所述第一偏置电路包含输出所述第一偏置电流的晶体管，
所述检测部包含与所述晶体管串联连接的第一FET，
所述输出部包含与所述第一FET进行电流镜连接并输出所述控制信号的第二FET，
所述滤波器电路设置在所述第一FET的栅极与所述第二FET的栅极之间。
3.根据权利要求2所述的功率放大电路，其中，
所述滤波器电路包含：
电阻元件，串联连接在所述第一FET的栅极与所述第二FET的栅极之间；以及
电容器，在一端被供给电源电压，另一端与所述电阻元件的一端连接。
4.一种功率放大电路，具备：
多尔蒂放大器；
第三晶体管；以及
控制电路，
所述多尔蒂放大器具备：
分配器，将第一信号分配为第二信号和第三信号；
载波放大器，包含放大所述第二信号并输出第四信号的第一晶体管；
峰值放大器，包含放大所述第三信号并输出第五信号的第二晶体管；
合成器，对所述第四信号和所述第五信号进行合成，并输出所述第一信号的放大信号；
第一偏置电路，向所述第一晶体管的基极供给第一偏置电流或电压；以及
第二偏置电路，向所述第二晶体管的基极供给与控制信号相应的第二偏置电流或电压，
所述第三晶体管与所述第一晶体管并联连接，并输出与所述第四信号的电平相应的第六信号，
所述控制电路向所述第二偏置电路供给与所述第六信号相应的所述控制信号。
5.根据权利要求4所述的功率放大电路，其中，
所述控制电路包含：
第一FET，与所述第三晶体管串联连接，并输出与所述第六信号的电平相应的检测信号；
第二FET，与所述第一FET进行电流镜连接，并输出与所述检测信号相应的所述控制信号；以及
滤波器电路，设置在所述第一FET的栅极与所述第二FET的栅极之间，使所述检测信号的交流分量衰减。
6.根据权利要求5所述的功率放大电路，其中，
所述滤波器电路包含：
电阻元件，串联连接在所述第一FET的栅极与所述第二FET的栅极之间；以及
电容器，在一端被供给电源电压，另一端与所述电阻元件的一端连接。
7.一种功率放大电路，具备：
多尔蒂放大器；
放大器；
第三偏置电路；以及
控制电路，
所述多尔蒂放大器具备：
分配器，将第一信号分配为第二信号和第三信号；
载波放大器，放大所述第二信号并输出第四信号；
峰值放大器，放大所述第三信号并输出第五信号；
合成器，对所述第四信号和所述第五信号进行合成，并输出所述第一信号的放大信号；
第一偏置电路，向所述载波放大器供给第一偏置电流或电压；以及
第二偏置电路，向所述峰值放大器供给与控制信号相应的第二偏置电流或电压，
所述放大器放大输入信号并输出所述第一信号，
所述第三偏置电路向所述放大器供给第三偏置电流或电压，
所述控制电路向所述第二偏置电路供给与所述输入信号的电平相应的所述控制信号。
8.根据权利要求7所述的功率放大电路，其中，
所述第三偏置电路包含输出所述第三偏置电流的晶体管，
所述控制电路包含：
第一FET，与所述晶体管串联连接，并输出与所述输入信号的电平相应的检测信号；
第二FET，与所述第一FET进行电流镜连接，并输出与所述检测信号相应的所述控制信号；以及
滤波器电路，设置在所述第一FET的栅极与所述第二FET的栅极之间，使所述检测信号的交流分量衰减。
9.根据权利要求8所述的功率放大电路，其中，
所述滤波器电路包含：
电阻元件，串联连接在所述第一FET的栅极与所述第二FET的栅极之间；以及
电容器，在一端被供给电源电压，另一端与所述电阻元件的一端连接。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113271072A (zh) * 2020-02-14 2021-08-17 株式会社东芝 放大电路以及电压校正电路
CN113395045A (zh) * 2021-05-31 2021-09-14 锐石创芯（深圳）科技有限公司 多尔蒂功率放大器、系统及控制方法
CN113765483A (zh) * 2020-06-01 2021-12-07 株式会社村田制作所 控制电路
CN114553151A (zh) * 2022-02-25 2022-05-27 优镓科技(苏州)有限公司 基于自适应偏置的Doherty功率放大器
CN116918248A (zh) * 2021-02-18 2023-10-20 新唐科技日本株式会社 高频功率放大器件

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102069634B1 (ko) * 2018-07-05 2020-01-23 삼성전기주식회사 선형성 보상기능을 갖는 다단 파워 증폭 장치
US11929721B2 (en) * 2020-04-07 2024-03-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. Power amplifier module
JP2022017951A (ja) * 2020-07-14 2022-01-26 株式会社村田製作所 電力増幅回路
CN116711209A (zh) * 2020-12-31 2023-09-05 华为技术有限公司 Doherty PA的动态偏置
CN117837080A (zh) * 2021-10-13 2024-04-05 株式会社村田制作所 多赫蒂放大电路
WO2023068266A1 (ja) * 2021-10-20 2023-04-27 株式会社村田製作所 電力増幅回路及び電力増幅装置
WO2023199883A1 (ja) * 2022-04-12 2023-10-19 株式会社村田製作所 電力増幅モジュール
WO2024085154A1 (ja) * 2022-10-18 2024-04-25 株式会社村田製作所 検出回路
CN115567012B (zh) * 2022-11-22 2023-03-10 成都明夷电子科技有限公司 一种自适应宽带Doherty功率放大器

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1960165A (zh) * 2005-10-18 2007-05-09 株式会社日立国际电气 放大器装置
CN101388648A (zh) * 2007-09-14 2009-03-18 财团法人工业技术研究院 多频多模式功率放大电路以及其操作方法
CN101557198A (zh) * 2009-03-17 2009-10-14 京信通信系统（中国）有限公司 Doherty功率放大器及其处理射频信号的方法
CN101563840A (zh) * 2006-12-19 2009-10-21 三菱电机株式会社 电力放大装置
CN102801392A (zh) * 2012-09-13 2012-11-28 电子科技大学 一种射频功率放大装置
US20150268680A1 (en) * 2014-03-21 2015-09-24 Nxp B.V. Adaptive bias circuit
US20160241209A1 (en) * 2015-02-15 2016-08-18 Skyworks Solutions, Inc. Doherty power amplifier having am-am compensation
US20160353394A1 (en) * 2015-06-01 2016-12-01 Fujitsu Limited Radio communication device

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5383437B2 (ja) 2009-11-04 2014-01-08 三菱電機株式会社 増幅装置
US9166536B2 (en) 2012-10-30 2015-10-20 Eta Devices, Inc. Transmitter architecture and related methods
EP3480945A1 (en) * 2017-11-06 2019-05-08 NXP USA, Inc. Multiple-stage power amplifiers implemented with multiple semiconductor technologies

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1960165A (zh) * 2005-10-18 2007-05-09 株式会社日立国际电气 放大器装置
CN101563840A (zh) * 2006-12-19 2009-10-21 三菱电机株式会社 电力放大装置
CN101388648A (zh) * 2007-09-14 2009-03-18 财团法人工业技术研究院 多频多模式功率放大电路以及其操作方法
CN101557198A (zh) * 2009-03-17 2009-10-14 京信通信系统（中国）有限公司 Doherty功率放大器及其处理射频信号的方法
CN102801392A (zh) * 2012-09-13 2012-11-28 电子科技大学 一种射频功率放大装置
US20150268680A1 (en) * 2014-03-21 2015-09-24 Nxp B.V. Adaptive bias circuit
US20160241209A1 (en) * 2015-02-15 2016-08-18 Skyworks Solutions, Inc. Doherty power amplifier having am-am compensation
US20160353394A1 (en) * 2015-06-01 2016-12-01 Fujitsu Limited Radio communication device

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PETER SINGERL等: "A 2.7-GHz Multi-Level PWM Carrier-Bursting", 《 2015 10TH EUROPEAN MICROWAVE INTEGRATED CIRCUITS CONFERENCE》 *

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113271072A (zh) * 2020-02-14 2021-08-17 株式会社东芝 放大电路以及电压校正电路
CN113271072B (zh) * 2020-02-14 2024-06-11 株式会社东芝 放大电路以及电压校正电路
CN113765483A (zh) * 2020-06-01 2021-12-07 株式会社村田制作所 控制电路
CN116918248A (zh) * 2021-02-18 2023-10-20 新唐科技日本株式会社 高频功率放大器件
CN116918248B (zh) * 2021-02-18 2024-03-19 新唐科技日本株式会社 高频功率放大器件
CN113395045A (zh) * 2021-05-31 2021-09-14 锐石创芯（深圳）科技有限公司 多尔蒂功率放大器、系统及控制方法
WO2022253200A1 (zh) * 2021-05-31 2022-12-08 锐石创芯(深圳)科技股份有限公司 多尔蒂功率放大器、系统及控制方法
CN114553151A (zh) * 2022-02-25 2022-05-27 优镓科技(苏州)有限公司 基于自适应偏置的Doherty功率放大器

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