CN105591622B - 功率放大器 - Google Patents

功率放大器 Download PDF

Info

Publication number
CN105591622B
CN105591622B CN201510733710.XA CN201510733710A CN105591622B CN 105591622 B CN105591622 B CN 105591622B CN 201510733710 A CN201510733710 A CN 201510733710A CN 105591622 B CN105591622 B CN 105591622B
Authority
CN
China
Prior art keywords
transistor
power amplifier
base stage
collector
power
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201510733710.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN105591622A (zh
Inventor
杉浦真
杉浦一真
山田孝
林范雄
田中聪
嶋本健
嶋本健一
渡边雄
渡边一雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of CN105591622A publication Critical patent/CN105591622A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105591622B publication Critical patent/CN105591622B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0211—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the supply voltage or current
    • H03F1/0216—Continuous control
    • H03F1/0222—Continuous control by using a signal derived from the input signal
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/211—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
    • H03F3/245—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/516—Some amplifier stages of an amplifier use supply voltages of different value
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/555—A voltage generating circuit being realised for biasing different circuit elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

本发明涉及可改善大输出时功率放大器的功率附加效率的功率放大器。所述功率放大器包括：将输入到基极的输入信号放大并从集电极输出的第一晶体管；集电极被施加电源电压、将偏置电压或偏置电流从发射极提供给第一晶体管的基极的第二晶体管；集电极与第一晶体管的集电极相连接、将输入到基极的输入信号放大并从集电极输出的第三晶体管；基极与集电极相连接、将偏压从发射极提供给第三晶体管的基极的第四晶体管；以及一端被施加偏置控制电压、另一端与第二和第四晶体管的基极相连接的第一电阻器。

Description

功率放大器
技术领域
本发明涉及功率放大器。
背景技术
手机等移动通信设备中，为了将发送给基站的射频(RF：Radio Frequency)信号功率放大而使用功率放大器(Power Amplifier)。
例如，专利文献1中公开了设有多个放大器单元(unit cell)的功率放大器。各放大器单元包括放大用晶体管和向该晶体管的基极提供偏压的偏置电路。
现有技术文献
专利文献
【专利文献1】日本专利特开2011-130066号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
如专利文献1所公开，给放大用晶体管的基极提供偏压的结构为通常结构，输出电平一增大，从偏置电路流入放大用晶体管的基极的电流就增加，功率附加效率(PAE：PowerAdded Efficiency)降低。
本发明鉴于这种情况而提出，其目的在于改善大输出时的功率放大器的功率附加效率。
用于解决技术问题的手段
根据本发明的一个方面的功率放大器包括：将输入到基极的输入信号放大并从集电极输出的第一晶体管；集电极被施加电源电压、将偏置电压或偏置电流从发射极提供给第一晶体管的基极的第二晶体管；集电极与第一晶体管的集电极相连接、将输入到基极的输入信号放大并从集电极输出的第三晶体管；基极与集电极相连接、将偏压从发射极提供给第三晶体管的基极的第四晶体管；以及一端被施加偏置控制电压、另一端与第二和第四晶体管的基极相连接的第一电阻器。
发明的效果
根据本发明，能够改善大输出时功率放大器的功率附加效率。
附图说明
图1是表示包含作为本发明一实施方式的功率放大器模块的发送单元的结构例的图。
图2是表示作为功率放大器160的结构之一例的功率放大器160A的结构的图。
图3是示出表现输出功率与基极电压VB1的关系的仿真结果的图。
图4是示出表现输出功率与电压VBAMP1的关系的仿真结果的图。
图5是示出表现输出功率与电流IC1的关系的仿真结果的图。
图6是表示功率放大器160A由16个放大器单元200构成的状况(无二极管连接)的实验结果的图。
图7是表示功率放大器160A由14个放大器单元200和2个放大器单元210构成的状况(有二极管连接)的实验结果的图。
图8是表示作为功率放大器160的结构之另一例的功率放大器160B的结构的图。
图9是表示作为功率放大器160的结构之另一例的功率放大器160C的结构的图。
图10是示出表现输出功率与基极电压VB1的关系的仿真结果的图。
图11是示出表现输出功率与电压VBAMP1的关系的仿真结果的图。
图12是示出表现输出功率与功率附加效率的关系的仿真结果的图。
图13是表示作为功率放大器160的结构之另一例的功率放大器160D的结构的图。
图14是表示作为功率放大器160的结构之另一例的功率放大器160E的结构的图。
图15是表示作为功率放大器160的结构之另一例的功率放大器160F的结构的图。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的一个实施方式。图1是表示包含作为本发明一实施方式的功率放大器模块的发送单元的结构例的图。发送单元100例如在手机等移动通信设备中用于将语音和数据等各种信号发送给基站。再有，移动通信设备还包括用于从基站接收信号的接收单元，只是这里不作说明。
如图1所示，发送单元100包括调制部110、功率放大器模块120、前端部130和天线140。
调制部110基于GSM标准等调制方式对输入信号进行调制，生成用于进行无线发送的RF信号。RF信号例如从数百MHz到数GHz左右。
功率放大器模块120将RF信号(RFIN)的功率放大至发送到基站所需的电平，并输出放大信号(RFOUT)。功率放大器模块120例如可以由两级功率放大器构成。具体而言，如图1所示，功率放大器模块120可以包括功率放大器150、160和匹配电路(MN：Matching Network)170、180、190。功率放大器150是前级(驱动级)放大器，将输入的RF信号放大并输出。功率放大器160是后级(功率级)放大器，将输入的RF信号放大并输出。匹配电路170、180、190是用于对电路间的阻抗进行匹配的电路，由电容器和电感器构成。再有，构成功率放大器模块120的功率放大器的级数不限于两级，一级也行，三级以上也可以。
前端部130对放大信号进行滤波并跟从基站接收的接收信号进行切换等。从前端部130输出的放大信号经由天线140发送到基站。
图2是表示作为功率放大器160的结构之一例的功率放大器160A的结构的图。功率放大器160A包括放大器单元200、210、电感器220、电阻器230、电容器240和二极管250、251。
放大器单元200、210是各自包括放大用晶体管的单元。功率放大器160A包括多个(例如16个)放大器单元。功率放大器160A中的多个放大器单元的一部分为放大器单元200，另一部分为放大器单元210。再有，放大器单元200、210也可以各为一个。
放大器单元200包括NPN晶体管(以下，简称为“晶体管”。)260、261、电容器262和电阻器263。晶体管260、261例如为异质结双极晶体管(HBT：Heterojunction BipolarTransistor)。
晶体管260(第一晶体管)中，集电极上经由电感器220被提供电源电压VCC，基极上经由电容器262被输入RF信号(RFIN)，发射极接地。另外，晶体管260的基极上由晶体管261的发射极提供偏压。晶体管260将输入到基极的RF信号放大，并将放大信号从集电极输出。
晶体管261(第二晶体管)中，集电极上被提供电池电压VBAT，基极上经由电阻器230被提供偏置控制电压VCONT，发射极与电阻器263的一端相连接。电阻器263的一端与晶体管261的发射极相连接，另一端与晶体管260的基极相连接。晶体管261和电阻器263基于偏置控制电压VCONT对晶体管260的基极输出偏置电流。
电容器262的一端被输入RF信号，另一端与晶体管260的基极相连接。电容器262切断RF信号的DC分量，并向晶体管260的基极进行输出。
放大器单元210包括晶体管270、271、电容器272和电阻器273。晶体管270、271例如是HBT。
晶体管270(第三晶体管)中，集电极上经由电感器220被提供电源电压VCC，基极上经由电容器272被输入RF信号(RFIN)，发射极接地。另外，晶体管270的基极上由晶体管271的发射极提供偏压。晶体管270将输入到基极的RF信号放大，并从集电极输出放大信号。
晶体管271(第四晶体管)连接有二极管，基极上经由电阻器230被提供偏置控制电压VCONT，发射极与电阻器273的一端相连接。电阻器273的一端与晶体管271的发射极相连接，另一端与晶体管270的基极相连接。晶体管271和电阻器273基于偏置控制电压VCONT对晶体管270的基极输出偏置电流。再有，所谓“二极管连接”是将晶体管的基极与集电极相连接并使用晶体管的基极和发射极之间的二极管的形态。
电容器272的一端被输入RF信号，另一端与晶体管270的基极相连接。电容器272切断RF信号的DC分量，并向晶体管270的基极进行输出。
电感器220的一端被施加电源电压VCC，另一端与晶体管260、270的集电极相连接。电源电压VCC例如是由稳压器产生的规定电平的电压。
电阻器230的一端被施加偏置控制电压VCONT，另一端与晶体管261、271的基极相连接。
电容器240的一端与晶体管261、271的基极相连接，另一端接地。电容器240可以降低输入到晶体管261、271的基极的噪声。
二极管250、251被串联连接，二极管250的阳极与晶体管261、271的基极相连接，二极管251的阴极接地。二极管250、251可以相对于偏置控制电压VCONT的偏差对晶体管261、271的基极电压变动进行抑制。
如图2所示，放大器单元200、210并联连接。即，晶体管260、270从进行公共连接的集电极输出放大信号RFOUT。
功率放大器160A中，随着输出功率变大晶体管260、270需要更多的偏置电流。
这里，若设由晶体管261提供给晶体管260的偏置电流为IE1、晶体管261的基极电流为IB1、晶体管261的电流放大率为hFE，则有IB1＝(1/(hFE+1))×IE1。即，放大器单元200中，基极电流IB1的增加量与偏置电流IE1的增加量之比成为1/(hFE+1)倍。
另一方面，若设由晶体管271提供给晶体管270的偏置电流为IE2、流入晶体管271的基极和集电极的电流为IBC2，则由于晶体管271连接有二极管，因此IBC2＝IE2。即，放大器单元210中，IBC2的增加量与偏置电流IE2的增加量之比成为1倍。
这样，放大器单元210中，与放大器单元200比较，流入偏压晶体管271的电流的增加量与偏置电流的增加量之比增大。因此，功率放大器160A中，与全部的放大器单元都为放大器单元200的结构相比，流入电阻器230的电流增加，电阻器230的电压降增大。这种差异在大输出时尤为显著。因此，功率放大器160A中，在大输出时，晶体管261、271的基极电压VB1降低。并且，通过基极电压VB1降低，晶体管260、270的基极电压降低，晶体管260、270的集电极电流减小。
如上所述，输入的RF信号一增大，流入晶体管260、270的电流就增加。这里要注意，伴随RF信号的变化的电流的增加部分不是为了输出此时输出的功率所需的最低电流。放大器单元210起到抑制该剩余电流的作用。结果，功率放大器160A能够改善大输出时的功率附加效率。
现根据仿真结果说明通过功率放大器160A改善功率附加效率的情况。
图3～图5表示由16个放大器单元200构成功率放大器160A时(无二极管连接)和由14个放大器单元200和2个放大器单元210构成功率放大器160A时(有二极管连接)的仿真结果。
图3是示出表现输出功率与电压VB1的关系的仿真结果的图。图3中，横轴为功率放大器160A的放大信号RFOUT的输出功率(dBm)，纵轴为基极电压VB1(V)。再有，基极电压VB1为晶体管261、271的基极电压。
图4是示出表现输出功率与电压VBAMP1的关系的仿真结果的图。图4中，横轴为功率放大器160A的放大信号RFOUT的输出功率(dBm)，纵轴为电压VBAMP1(V)。再有，电压VBAMP1为晶体管260的基极电压。
图5是示出表现输出功率与电流IC1的关系的仿真结果的图。图5中，横轴为功率放大器160A的放大信号RFOUT的输出功率(dBm)，纵轴为电流IC1(A)。再有，电流IC1为晶体管260的集电极电流。
如图3所示，在具有二极管连接的结构中，在输出功率大的区域中，基极电压VB1降低。如图4所示，在具有二极管连接的结构中，在输出功率高的区域中，电压VBAMP1也随之降低。所以，如图5所示，在具有二极管连接的结构中，在输出功率大的区域中，电流IC减小。根据该仿真结果可以看出，功率放大器160A在大输出时的功率附加效率得到改善。
另外，示出了通过功率放大器160A来改善功率附加效率的实验验证结果。图6是示出表现由16个放大器单元200构成功率放大器160A的状况(无二极管连接)的实验结果的图。图7是示出表现由14个放大器单元200和2个放大器单元210构成功率放大器160A的状况(有二极管连接)的实验结果的图。在图6和图7中，横轴为功率放大器模块120的放大信号RFOUT的输出功率(dBm)，纵轴为功率放大器模块120的功率附加效率(％)。再有，功率放大器模块120的驱动级的功率放大器150由16个放大器单元200构成。
比较图6和图7，具有二极管连接的结构中在输出功率大的区域中功率附加效率得到改善。这样，从实验结果可知，通过功率放大器160A功率附加效率得到改善。
图8是表示作为功率放大器160的结构之另一例的功率放大器160B的结构的图。再有，对与功率放大器160A相同的结构要素标注相同的标号，其说明从略。
功率放大器160B包括放大器单元800、810、电感器220、电阻器230、电容器240、二极管250、251和晶体管261、271。
除了不包括晶体管261以外，放大器单元800具有与功率放大器160A的放大器单元200相同的结构。如图8所示，在多个放大器单元800的外部设置有一个晶体管261。即，晶体管261的发射极与各放大器单元800的电阻器263的一端相连接。
除了不包括晶体管271以外，放大器单元810具有与功率放大器160A的放大器单元210相同的结构。如图8所示，在多个放大器单元810的外部设有一个连接有二极管的晶体管271。即，晶体管271的发射极与各放大器单元810的电阻器273的一端相连接。
这样，在由多个放大器单元800、810共用晶体管261、271的结构中，也通过连接有二极管的晶体管271来增大大输出时流过电阻器230的电流。基于此，与功率放大器160A一样，功率放大器160B能够改善大输出时的功率附加效率。
图9是表示作为功率放大器160的结构之另一例的功率放大器160C的结构的图。再有，对与功率放大器160A相同的结构要素标注相同的标号，其说明从略。
功率放大器160C包括放大器单元200、电感器220、电阻器230、电容器240、二极管250、251、晶体管900、901、电容器902和电阻器903。晶体管900、901例如是HBT。
晶体管900(第五晶体管)连接有二极管，其基极经由电容器902被输入RF信号(RFIN)，发射极接地。
晶体管901(第六晶体管)连接有二极管，其基极经由电阻器230被提供偏置控制电压VCONT，发射极与电阻器903的一端相连接。电阻器903的一端与晶体管901的发射极相连接，另一端与晶体管900的基极相连接。
功率放大器160C中，RF信号一增大，流入晶体管900的电流就增大。流入晶体管901的电流也随之增大。其结果是，电阻器230产生的电压降增加，晶体管261的基极电压VB1降低。而且，由于基极电压VB1降低，晶体管260的基极电压降低，晶体管260的集电极电流减小。基于此，功率放大器160C能够改善大输出时的功率附加效率。
现在根据仿真结果说明功率放大器160C改善功率附加效率的情况。
图10～图12表示功率放大器160C为包括16个放大器单元200和晶体管900、901的结构时的仿真结果。
图10是示出表现输出功率与基极电压VB1的关系的仿真结果的图。图10中，横轴为功率放大器160C的放大信号RFOUT的输出功率(dBm)，纵轴为基极电压VB1(V)。再有，基极电压VB1为晶体管261的基极电压。
图11是示出表现输出功率与电压VBAMP1的关系的仿真结果的图。图11中，横轴为功率放大器160C的放大信号RFOUT的输出功率(dBm)，纵轴为电压VBAMP1(V)。再有，电压VBAMP1为晶体管260的基极电压。
图12是示出表现输出功率与功率附加效率的关系的仿真结果的图。图12中，横轴为功率放大器160C的放大信号RFOUT的输出功率(dBm)，纵轴为功率附加效率(％)。
如图10所示，功率放大器160C中，在输出功率高的区域中基极电压VB1降低。如图11所示，在输出功率大的区域中，电压VBAMP1随之降低。因此，如图12所示，功率放大器160C在输出功率高的区域中的功率附加效率得到改善。
图13是表示作为功率放大器160的结构之另一例的功率放大器160D的结构的图。再有，对与功率放大器160B、160C相同的构成要素标注相同的标号，其说明从略。
取代功率放大器160C的放大器单元200，功率放大器160D设有功率放大器160B的放大器单元800和晶体管261。这样，在多个放大器单元800共用晶体管261的结构中，与功率放大器160C一样，也可以通过连接有二极管的晶体管900、901来改善大输出时的功率附加效率。
图14是表示作为功率放大器160的结构之另一例的功率放大器160E的结构的图。再有，对与功率放大器160C相同的结构要素标注相同的标号，其说明从略。
取代功率放大器160C的晶体管900、901、电容器902和电阻器903，功率放大器160E设有输出电平检测部1400和调整电流生成部1410。
输出电平检测部1400检测出功率放大器160E的输出电平并将其输出到调整电流生成部1410。
调整电流生成部1410基于输出电平检测部1400的检测结果生成伴随输出电平增大的调整电流IADJ。经由电阻器230提供该调整电流IADJ。
功率放大器160E中，输出电平一增大、调整电流IADJ就增大。调整电流IADJ一增大，由电阻器230产生的电压降就增大，晶体管261的基极电压VB1降低。而且，由于基极电压VB1降低，提供给晶体管260的基极的电压VBAMP1降低，晶体管260的集电极电流减小。基于此，功率放大器160E能够改善大输出时的功率附加效率。
图15是示出表现功率放大器160的结构之另一例的功率放大器160F的结构的图。再有，对与功率放大器160E相同的结构要素标注相同的标号，其说明从略。
取代功率放大器160E的输出电平检测部1400和调整电流生成部1410，功率放大器160F设有输入电平检测部1500和调整电流生成部1510。
输入电平检测部1500检测出功率放大器160F的输入电平并将其输出到调整电流生成部1510。
调整电流生成部1510基于输入电平检测部1500的检测结果，生成伴随输入电平增大的调整电流IADJ。经由电阻器230提供该调整电流IADJ。
功率放大器160F中，输入电平一增大，调整电流IADJ就增大。调整电流IADJ一增大，就使电阻器230产生的电压降增大，晶体管261的基极电压VB1降低。而且，由于基极电压VB1降低，提供给晶体管260的基极的电压VBAMP1降低，晶体管260的集电极电流减小。基于此，功率放大器160F能够改善大输出时的功率附加效率。
以上，就本发明的实施方式作了说明。如功率放大器160A、160B中所示，通过设置晶体管270和晶体管271，能够在大输出时降低基极电压VB1，改善功率附加效率，其中，所述晶体管270的集电极与晶体管260的集电极相连接，将输入到基极的RF信号放大并从集电极输出，所述晶体管271连接有二极管，将偏置电压或电流从发射极提供给晶体管270的基极。
另外，如功率放大器160C、160D中所示，通过设置晶体管900和晶体管901，能够在大输出时降低电压VB1，改善功率附加效率，其中，所述晶体管900连接有二极管，其基极被输入RF信号，所述晶体管901连接有二极管，其发射极与晶体管900的基极相连接。
另外，如功率放大器160E中所示，根据输出电平来生成调整电流IADJ，从而能够在大输出时降低基极电压VB1，改善功率附加效率。
另外，如功率放大器160F中所示，根据输入电平来生成调整电流IADJ，从而能够在大输出时降低基极电压VB1，改善功率附加效率。
再有，以上说明的各实施方式是为了使本发明易于理解，而不是为了限定并解释本发明。本发明可以不脱离其精神地加以变更和修改，并且本发明还包括其等同发明。即，只要其具备本发明的特征，由本领域技术人员对各实施方式作了适当设计变更而得的发明也包括在本发明的范围内。例如，各实施方式具备的各要素及其配置、材料、条件、形状、尺寸等并不仅限于所给出的示例，而是可以适当变更。此外，只要技术上可行，各实施方式具备的各要素可以被组合，并且只要组合成的装置包含本发明的特征，该装置就包括在本发明的范围内。
例如，本实施方式中，示出了在功率放大器模块120的功率级的功率放大器160中改善功率附加效率的结构，但是也可以在驱动级的功率放大器150中采用与功率放大器160同等的结构。在具有三级以上的功率放大器的结构中也一样。
标号说明
100 发送单元
110 调制部
120 功率放大器模块
130 前端部
140 天线
150、160 功率放大器
200、210、800、810 放大器单元
220 电感器
230、263、273、903 电阻器
240、262、272、902 电容器
250、251 二极管
260、261、270、271、900、901 晶体管
1400 输出电平检测部
1410、1510 调整电流生成部
1500 输入电平检测部

Claims (5)

1.一种功率放大器，其特征在于，包括：
第一晶体管，该第一晶体管将输入到基极的输入信号放大并从集电极输出；
第二晶体管，该第二晶体管的集电极被施加电源电压，将偏置电压或偏置电流从发射极提供给所述第一晶体管的基极；
第三晶体管，该第三晶体管的集电极与所述第一晶体管的集电极相连接，将输入到基极的所述输入信号放大并从集电极输出；
第四晶体管，该第四晶体管的基极与集电极相连接，将偏置电压或偏置电流从发射极提供给所述第三晶体管的基极；以及
第一电阻器，该第一电阻器的一端被施加偏置控制电压，其另一端与所述第二和第四晶体管的基极相连接，电流通过所述第一电阻器流向所述第一晶体管和所述第三晶体管的基极。
2.如权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，
所述功率放大器包括集电极进行公共连接的多个所述第一晶体管。
3.如权利要求2所述的功率放大器，其特征在于，
所述功率放大器包括集电极进行公共连接的多个所述第三晶体管。
4.一种功率放大器，其特征在于，包括：
第一晶体管，该第一晶体管将输入到基极的输入信号放大并从集电极输出；
第二晶体管，该第二晶体管的集电极被施加电源电压，并将偏置电压或偏置电流从发射极提供给所述第一晶体管的基极；
第五晶体管，该第五晶体管的集电极与基极相连接，其基极被输入所述输入信号；
第六晶体管，该第六晶体管的集电极与基极相连接，其发射极与所述第五晶体管的基极相连接；以及
第一电阻器，该第一电阻器的一端被施加偏置控制电压，其另一端与所述第二和第六晶体管的基极相连接。
5.如权利要求4所述的功率放大器，其特征在于，
所述功率放大器包括集电极进行公共连接的多个所述第一晶体管。
CN201510733710.XA 2014-11-12 2015-11-02 功率放大器 Active CN105591622B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201462078612P 2014-11-12 2014-11-12
US62/078,612 2014-11-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105591622A CN105591622A (zh) 2016-05-18
CN105591622B true CN105591622B (zh) 2018-06-26

Family

ID=55913032

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510733710.XA Active CN105591622B (zh) 2014-11-12 2015-11-02 功率放大器

Country Status (2)

Country Link
US (2) US9768729B2 (zh)
CN (1) CN105591622B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9806674B2 (en) * 2015-12-14 2017-10-31 Murata Manufacturing Co., Ltd. Power amplifier circuit
CN116699452B (zh) * 2023-06-15 2024-01-09 合芯科技(苏州)有限公司 一种服务器主板的电源效率的测试系统及方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101373953A (zh) * 2007-08-23 2009-02-25 三菱电机株式会社 功率放大器

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4287116B2 (ja) 2002-02-27 2009-07-01 シャープ株式会社 電力増幅器
JP2008271517A (ja) * 2007-03-23 2008-11-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波電力増幅器、半導体装置、および高周波電力増幅方法
JP5423381B2 (ja) 2009-12-16 2014-02-19 株式会社村田製作所 半導体集積回路装置および電力増幅器
US20140152389A1 (en) * 2011-07-25 2014-06-05 Andrew Llc Actively Tuned Circuit Having Parallel Carrier and Peaking Paths

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101373953A (zh) * 2007-08-23 2009-02-25 三菱电机株式会社 功率放大器

Also Published As

Publication number Publication date
US20180041169A1 (en) 2018-02-08
US9768729B2 (en) 2017-09-19
US20160134241A1 (en) 2016-05-12
CN105591622A (zh) 2016-05-18
US10236828B2 (en) 2019-03-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10536116B2 (en) Envelope tracking with fast error amplifiers for multiple input multiple output communications
CN106026932B (zh) 功率放大模块
CN102208899B (zh) 功率放大器
CN105897175B (zh) 具有可调共基极偏置的功率放大系统
US10778262B2 (en) Power amplification module
CN104065349B (zh) 射频放大电路以及功率放大模块
CN208337517U (zh) 功率放大电路
CN101036288B (zh) 双重偏置控制电路及其控制方法
KR102177542B1 (ko) 무선 주파수 스위치 회로
US10615762B2 (en) Power amplification module
US9209769B2 (en) Power amplifier and communication device
US11515840B2 (en) Power amplifier
CN105591622B (zh) 功率放大器
US20150244334A1 (en) Amplification device and radio communication apparatus equipped with amplification device
CN110034737A (zh) 功率放大电路
CN110492853A (zh) 功率放大器
CN110518883A (zh) 功率放大电路
US20220021341A1 (en) Power amplifier circuit
CN109586674A (zh) 功率放大电路
CN109951193A (zh) 发送单元

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant