CN106100594A - 功率放大模块 - Google Patents

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Abstract

本发明能抑制功率放大模块的增益的线形性劣化。包括：基极被输入第一信号且从集电极输出将第一信号放大后的第二信号的第一放大晶体管；第一电阻；及经由第一电阻将第一偏置电流提供给第一放大晶体管的基极的第一偏置电路。第一偏置电路包含：基极与集电极连接且在集电极被提供偏置控制电流的第一双极晶体管；基极与集电极连接且集电极与第一双极晶体管的发射极连接的第二双极晶体管；基极与第一双极晶体管的基极连接且发射极与第一电阻的一端连接并且从发射极输出第一偏置电流的第三双极晶体管；集电极与第三双极晶体管的发射极连接且基极与第二双极晶体管的基极连接的第四双极晶体管；及设置在第三双极晶体管的基极‑发射极之间的第一电容器。

Description

功率放大模块
技术领域
本发明涉及功率放大模块。
背景技术
在移动电话等的移动通信设备上，使用功率放大模块来对发送给基站的无线电频率(RF:Radio Frequency)信号的功率进行放大。在功率放大模块中使用用于向功率放大用的晶体管提供偏置电流的偏置电路。例如，专利文献1公开了使用由共源共栅电流镜电路构成的偏置电路的功率放大电路。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特表2005－501458号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
图10是表示专利文献1公开的功率放大电路的结构的图。在图10所示的功率放大电路中，由晶体管Q2～Q5(共源共栅电流镜电路)构成偏置电路。该偏置电路从晶体管Q3的发射极向构成放大电路的晶体管Q1的基极输出偏置电流。
此处，从偏置电路输出的偏置电流受到RF信号(被输入到晶体管Q1的基极的信号)的影响而产生变化。图11是表示受到RF信号的影响导致偏置电流变化的一个示例的图。如图11所示，偏置电流受到RF信号的影响而发生变化。而且，若RF信号的电平变大，则在偏置电流中将产生负电流(从晶体管Q1的基极流向晶体管Q3的发射极侧的电流)。此时，虽然负电流的一部分经由晶体管Q2流向接地，但不是全部负电流都流过晶体管Q2。负电流中未流过晶体管Q2的部分要朝晶体管Q3的发射极方向流动，却被晶体管Q3的基极-发射极间的PN结的整流特性截止。由此，偏置电流的负电流部分被截止时，平均偏置电流变大，从而功率放大模块的增益变大。即，功率放大模块的增益的线形性劣化。
上述的增益线形性劣化在电流源Ibias的电流量变小时由较小的RF信号造成。因此，在通过将电流源Ibias的电流量作为模式信号并据此改变晶体管Q1的偏置电流来将图10所示的功率放大电路作为可变增益放大电路使用的情况下，在进行了减小增益的控制后，增益的线形性劣化将变得显著。
虽然考虑通过增大流过晶体管Q2的电流量来抑制偏置电流的负电流部分被截止，但是会导致消耗电流的增大，因此并非优选。或者，通过增大电流源Ibias的电流量，从而增大晶体管Q2及Q3的电流量，也能抑制偏置电流的负电流部分被截止，但是存在消耗电流增大并且无法进行减小增益的控制的问题。
本发明是鉴于上述的情况完成的，其目的是抑制功率放大模块的增益的线形性劣化。
解决技术问题的技术方案
本发明的一个方式所涉及的功率放大模块包括：第一放大晶体管，该第一放大晶体管的基极被输入第一信号，从该第一放大晶体管的集电极输出将第一信号放大后的第二信号；第一电阻；以及第一偏置电路，该第一偏置电路经由第一电阻将第一偏置电流提供给第一放大晶体管的基极，第一偏置电路包含：第一双极晶体管，该第一双极晶体管的基极与集电极连接，并且集电极被提供偏置控制电流；第二双极晶体管，该第二双极晶体管的基极与集电极连接，并且集电极与第一双极晶体管的发射极连接；第三双极晶体管，该第三双极晶体管的基极与第一双极晶体管的基极连接，发射极与第一电阻的一端连接，并且从发射极输出第一偏置电流；第四双极晶体管，该第四双极晶体管的集电极与第三双极晶体管的发射极连接，基极与第二双极晶体管的基极连接；以及设置在第三双极晶体管的基极与发射极之间的第一电容器。
技术效果
根据本发明，可以抑制功率放大模块的增益的线形性劣化。
附图说明
图1是表示包含本发明的一个实施方式的功率放大模块的发送单元的结构例的图。
图2是表示功率放大模块112的结构例的图。
图3是表示放大电路200及偏置电路210的结构例的图。
图4是表示放大电路201及偏置电路211的结构例的图。
图5是表示偏置电路210的另一个结构例的图。
图6是表示偏置电路210的另一个结构例的图。
图7是表示偏置电路210的另一个结构例的图。
图8是表示偏置电路210的另一个结构例的图。
图9是表示偏置电路210的另一个结构例的图。
图10是表示使用由共源共栅电流镜电路构成的偏置电路的功率放大电路的一个示例的图。
图11是表示受到RF信号的影响导致偏置电流变化的一个示例的图。
具体实施方式
以下，参照附图对于本发明的一个实施方式进行说明。图1是表示包含本发明的一个实施方式的功率放大模块的发送单元的结构例的图。发送单元100在例如移动电话等的移动通信设备上，用于向基站发送声音或数据等各种信号。此外，移动通信设备还包括用于从基站接收信号的接收单元，但是此处省略说明。
如图1所示，发送单元100包括基带部110、RF部111、功率放大模块112、前端部113、以及天线114。
基带部110基于HSUPA或LTE等调制方式，调制声音或数据等输入信号，输出调制信号。在本实施方式中，从基带部110输出的调制信号作为振幅及相位在IQ平面上表示的IQ信号(I信号及Q信号)进行输出。IQ信号的频率为例如从数MHz至数10MHz左右。此外，基带部110输出用于控制功率放大模块112的增益的模式信号MODE。
RF部111根据从基带部110输出的IQ信号生成用于进行无线发送的RF信号(RFIN)。RF信号例如是数百MHz至数GHz左右。此外，在RF部111中，可以不进行从IQ信号向RF信号的直接转换，而是将IQ信号转换成中间频率(IF:Intermediate Frequency)信号，再基于IF信号生成RF信号。
功率放大模块112将从RF部111输出的RF信号(RFIN)的功率放大到向基站发送所需的电平，并输出放大信号(RFOUT)。在功率放大模块112中，基于从基带部110提供的模式信号MODE决定偏置电流的电流量，以控制增益。
前端部113对放大信号(RFOUT)进行滤波，对从基站接收到的接收信号进行开关等。从前端部113输出的放大信号经由天线114发送给基站。
图2是表示功率放大模块112的结构例的图。如图2所示，功率放大模块112包括放大电路200、201；偏置电路210、211；匹配电路(MN:Matching Network)220、221、222；电感器230、231；电阻240、241；及偏置控制电路250。
放大电路200、201构成二级放大电路。放大电路200将RF信号(RFIN1)(第一信号)放大，并输出放大信号(RFOUT1)(第二信号)。从放大电路200输出的放大信号(RFOUT1)经由匹配电路221，作为RF信号(RFIN2)输入至放大电路201。放大电路201将RF信号(RFIN2)放大，并输出放大信号(RFOUT2)(第三信号)。此外，放大电路的级数不限于两级，可以是一级，也可以是三级。
偏置电路210、211分别向放大电路200、201提供偏置电流。偏置电路210(第一偏置电路)将对应于从偏置控制电路250输出的偏置控制电流ICONT1(第一偏置控制电流)的偏置电流IBIAS1(第一偏置电流)提供至放大电路200。此外，偏置电路211(第二偏置电路)将对应于从偏置控制电路250输出的偏置控制电流ICONT2(第二偏置控制电流)的偏置电流IBIAS2(第二偏置电流)提供至放大电路201。
为了使电路间的阻抗匹配，设置匹配电路220、221、222。匹配电路220、221、222分别用例如电感器或电容器构成。
设置电感器230、231用于RF信号的隔离。分别经由电感器230、231向放大电路200、201提供电源电压Vcc。
偏置控制电路250基于模式信号MODE输出用于控制偏置电流IBIAS1、IBIAS2的偏置控制电流ICONT1、ICONT2。偏置控制电流ICONT1经由电阻240(第四电阻)被提供至偏置电路210。此外，偏置控制电流ICONT2经由电阻241被提供至偏置电路211。功率放大模块112通过具备电阻240、241，能抑制从偏置控制电路250观察到的偏置电路210、211的阻抗变化。在功率放大模块112中，通过控制偏置电流IBIAS1、IBIAS2来控制增益。此外，偏置控制电路250也可以设置在功率放大模块112的外部。此外，功率放大模块112也可以不具备电阻240、241。
图3是表示放大电路200及偏置电路210的结构例的图。
放大电路200具备晶体管300A(第一放大晶体管)、电容器301A、以及电阻302A(第一电阻)。晶体管300A是例如异质结双极晶体管(HBT)。在晶体管300A的基极，经由电容器301A输入RF信号(RFIN)。在晶体管300A的集电极，经由电感器230向其提供电源电压Vcc。晶体管300的发射极接地。此外，在晶体管300A的基极，经由电阻302A向其提供偏置电流IBIAS1。而且，从晶体管300A的集电极输出放大信号(RFOUT1)。
偏置电路210A具备晶体管310A、311A、312A、313A、以及电容器320。晶体管310A～313A分别是例如HBT。晶体管310A(第一双极晶体管)采用二极管连接方式，在集电极被提供偏置控制电流ICONT1。晶体管311A(第二双极晶体管)采用二极管连接方式，集电极与晶体管310A的发射极连接，发射极接地。晶体管312A(第三双极晶体管)的集电极被提供电源电压(例如电池电压VBAT)，基极与双极晶体管310A的基极连接。晶体管313A(第四双极晶体管)的集电极与晶体管312A的发射极连接，基极与晶体管311A的基极连接，发射极接地。电容器320(第1电容器)的一端与晶体管312A的基极连接，另一端与晶体管312A的发射极连接。
对于偏置电路210A的动作进行说明。在偏置电路210A中，从晶体管312A的发射极输出与偏置控制电流ICONT1对应的偏置电流IBIAS1。此处，偏置电流IBIAS1受到RF信号(RFIN1)的影响而发生振幅变化。若RF信号(RFIN1)的电平变大，则偏置电流IBIAS1的振幅也变大。若偏置电流IBIAS1的振幅变大并且产生负电流(从放大电路200朝晶体管312A的发射极方向的电流)，则该负电流的一部分从晶体管312A的发射极经由电容器320流入晶体管310A的基极。此外，该负电流的一部分还流入晶体管313A。
由此，在偏置电路210A中，通过设置将负电流旁通的电流路径(电容器320及晶体管313A)，伴随RF信号(RFIN1)的变化，偏置电流IBIAS能变成负电流。因而，在偏置电路210A中，由于偏置电流IBIAS1的负电流部分没有被截止，因此在RF信号(RFIN1)的电平变大的情况下，能抑制平均偏置电流上升。由此，能抑制功率放大模块112的增益的线形性劣化。
图4是表示放大电路201及偏置电路211的结构例的图。此外，在与图3所示的放大电路200及偏置电路210A相同的要素上标注相同的符号并省略详细的说明。
放大电路201具备晶体管300B(第二放大晶体管)、电容器301B、以及电阻302B。放大电路201内的结构由于与放大电路200相同，因此省略详细的说明。
偏置电路211具备晶体管310B、311B、312B。晶体管310B(第五双极晶体管)采用二极管连接方式，集电极被提供偏置控制电流ICONT2。晶体管311B(第六双极晶体管)采用二极管连接方式，集电极与晶体管310B的发射极连接，发射极接地。晶体管312B(第七双极晶体管)的集电极被提供电源电压(例如电池电压VBAT)，基极与双极晶体管310B的基极连接。
对于偏置电路211的动作进行说明。偏置电路211不具备将偏置电路210A的负电流旁通的电流路径(电容器320及晶体管313A)。因而，在偏置电路211中，若RF信号(RFIN2)的电平变大，则偏置电流IBIAS2的负电流部分会被截止。因此，在偏置电路211中，在RF信号(RFIN2)的电平变大的情况下平均偏置电流会上升。若平均偏置电流上升，则放大电路201的增益会变大。
由于放大电路201的增益增大会导致功率放大模块112的线形性降低，因此，对于偏置电路211也考虑采用与偏置电路210A相同的结构。然而，如偏置电路210A那样设置将负电流旁通的电流路径的情况下，放大电路201的最大功率(功率最大值)可能会降低。因此，在功率放大模块112中，将偏置电流IBIAS2提供给需要更高功率的第二级放大电路201的偏置电路211采用不具备将负电流旁通的电流路径的结构。
此外，偏置电路211也可以采用与偏置电路210A相同的结构。此外，偏置电路211也可以采用与后文中阐述的偏置电路210B～210F中的任意一个相同的结构。
图5是表示偏置电路210的另一个结构例的图。此外，在与图3所示的偏置电路210A相同的要素上标注相同的符号并省略说明。
偏置电路210B在偏置电路210A的结构上还具备电阻500(第二电阻)。电容器320的一端与晶体管312A的发射极连接，另一端与电阻500的一端连接。电阻500的另一端与晶体管312A的基极连接。
在偏置电路210B中，与偏置电路210A相同，若偏置电流IBIAS1的振幅变大并产生负电流，则该负电流的一部分从晶体管312A的发射极经由电容器320及电阻500，旁通至晶体管310A。由此，能抑制平均偏置电流的增大，并能抑制放大电路200的增益的增大。而且，在偏置电路210B中，通过调整电阻500的电阻值，能调整旁通至晶体管310A的电流量。
图6是表示偏置电路210的另一个结构例的图。此外，在与图3所示的偏置电路210A相同的要素上标注相同的符号并省略说明。
偏置电路210C在偏置电路210A的结构上还具备电阻600(第三电阻)。电阻600的一端与晶体管311A的基极连接，另一端与晶体管313A的基极连接。
在偏置电路210C中，与偏置电路210A相同，若偏置电流IBIAS1的振幅变大并产生负电流，则该负电流的一部分旁通至晶体管313A。由此，能抑制平均偏置电流的增大，并能抑制放大电路200的增益的增大。而且，在偏置电路210C中，通过调整电阻600的电阻值，能调整旁通至晶体管313A的电流量。此外，在图5所示的偏置电路210B中，也可以具备电阻600。此外，在后文中阐述的偏置电路210D～210F中，也可以具备电阻600。
图7是表示偏置电路210的另一个结构例的图。此外，在与图3所示的偏置电路210A相同的要素上标注相同的符号并省略说明。
偏置电路210D在偏置电路210A的结构上还具备电容器700(第二电容器)。电容器700的一端与晶体管312A的基极连接，另一端与晶体管313A的发射级连接。
在偏置电路210D中，与偏置电路210A相同，若偏置电流IBIAS1的振幅变大并且产生负电流，则该负电流的一部分旁通至晶体管310A。由此，能抑制平均偏置电流的增大，并能抑制放大电路200的增益的增大。而且，在偏置电路210D中，通过设置电容器700，能调整旁通至晶体管310A的电流量。
此外，在偏置电路210D中，通过电容器700能抑制电容器320的电容值偏差的影响。例如，在没有电容器700的情况下，若电容器320的电容值变动，则旁通的电流量也变动。在偏置电路210D中，在由偏差导致电容器320的电容值增加的情况下，电容器700的电容值也同样地增加，因此，能够抑制被旁通的电流量的变动。
此外，在图5～图6所示的偏置电路210B～210C中，也可以具备电容器700。此外，在后文中阐述的偏置电路210E～210F中，也可以具备电容器700。
图8是表示偏置电路210的另一个结构例的图。此外，在与图3所示的偏置电路210A相同的要素上标注相同的符号并省略说明。
偏置电路210E在偏置电路210A的结构上还具备场效应晶体管(FET)800(第一FET)。电容器320的一端与晶体管312A的发射极连接，另一端与FET800的源极连接。FET800的漏极与晶体管312A的基极连接，在栅极被提供控制电压VCONT(连接控制信号)。
在偏置电路210E中，通过从偏置控制电路250输出的控制电压VCONT，控制晶体管312A的基极-发射极间的电容器320的电连接。
具体而言，例如，在RF信号(RFIN1)的功率较低的情况下，通过导通FET800，与偏置电路210A相同地将偏置电流IBIAS1的负电流的一部分旁通至晶体管310A，能抑制放大电路200的增益的增大。
此外，例如，在RF信号(RFIN1)的功率比较高的情况下，通过截止FET800，停止向晶体管310A旁通，能抑制放大电路200的最大功率(功率最大值)的降低。此外，FET800可以不是导通/断开这样的二元动作，而是根据控制电压VCONT的电平阶段性地控制电流量。
此外，在图5～图7所示的偏置电路210B～210D中，也可以具备FET800。此外，在后文中阐述的偏置电路210F中，也可以具备FET800。
图9是表示偏置电路210的另一个结构例的图。此外，在与图3所示的偏置电路210A相同的要素上标注相同的符号并省略说明。
偏置电路210F具备FET900、901代替偏置电路210A的晶体管310A、312A。FET900(第二FET)采用二极管连接方式，在漏极被提供偏置控制电流ICONT1。晶体管311A的集电极与FET900的源极连接。FET901(第三FET)的漏极被提供电源电压(例如电池电压VBAT)，栅极与FET900的栅极连接。晶体管313A的集电极与FET901的源极连接。电容器320的一端与FET901的栅极连接，另一端与FET901的源极连接。
在偏置电路210F中，FET900、901进行与偏置电路210A的晶体管310A、312A相同的动作。即，从FET901的源极输出偏置电流IBIAS1。而且，在偏置电路210F中，与偏置电路210A相同，若偏置电流IBIAS1的振幅变大并且产生负电流，则该负电流的一部分经由电容器320旁通至FET900。由此，能抑制平均偏置电流的增大，并能抑制放大电路200的增益的增大。而且，在偏置电路210F中，通过使用FET900、901，与使用晶体管310A、312A的情况相比，可以实现低电压动作。此外，在图5～图8所示的偏置电路210B～210E中，也可以具备FET900、901代替晶体管310A、312A。
上面是对本发明的示例性的实施方式进行了说明。在功率放大模块112中，在偏置电路210中，通过设置将偏置电流IBIAS1的负电流旁通的电流路径，伴随RF信号(RFIN1)的变化，偏置电流IBIAS1能变成负电流。因而，在偏置电路210中，由于偏置电流IBIAS1的负电流部分没有被截止，因此在RF信号(RFIN1)的电平变大的情况下，能抑制平均偏置电流上升。由此，能抑制功率放大模块112的增益的线形性劣化。
此外，在功率放大模块112中，如图5所示的偏置电路210B那样，通过具备与电容器320串联连接的电阻500，能调整旁通至晶体管310A的电流量。
此外，在功率放大模块112中，如图6所示的偏置电路210C那样，通过在晶体管311、313的基极间具备电阻600，能调整旁通至晶体管313A的电流量。
此外，在功率放大模块112中，如图7所示的偏置电路210D那样，通过在晶体管312A的基极和晶体管313A的发射极间具备电容器700，能调整旁通至晶体管310A的电流量。而且，利用电容器700能消除电容器320的电容值偏差的影响。
此外，在功率放大模块112中，如图8所示的偏置电路210E那样，可以具备FET800用于控制晶体管312A的基极-发射极间的电容器320的电连接。由此，例如在RF信号(RFIN1)的功率比较高的情况下，通过截止FET800，停止向晶体管310A旁通，能抑制放大电路200的最大功率(功率最大值)的降低。
此外，在功率放大模块112中，如图9所示的偏置电路210F那样，通过具备FET900、901代替晶体管310A、312A，可实现低电压动作。
此外，在功率放大模块112中，如图2所示那样，通过具备电阻240、241，能抑制从偏置控制电路250观察到的偏置电路210、211的阻抗变化。
此外，在功率放大模块112中，对于将偏置电流IBIAS2提供至后级放大电路201的偏置电路211，如图4所示那样，能设为不具备将偏置电流IBIAS2的负电流旁通的电流路径的结构。由此，在需要更高功率的后级放大电路201中，能抑制最大功率(功率最大值)降低。此外，在具备三级以上的放大电路的功率放大模块中，将偏置电流提供给最后一级的放大电路的偏置电路也能采用不具备旁通负电流的电流路径的结构。
上述说明的各实施方式用于方便理解本发明，并不用于限定并解释本发明。在不脱离本发明的思想的前提下，可以对本发明变更或改良，并且本发明的等同发明也包含在本发明的范围内。即，本领域的技术人员在各实施方式上加以适当的设计变更，只要包含本发明的技术特征，也被包含在本发明的范围内。例如各实施方式具备的各要素及其配置、材料、条件、形状、尺寸等，不限于例示，能进行适当地变更。此外，各实施方式具备的各要素，能在技术上可能的范围内任意组合，这些组合只要包含本发明的技术特征也包含在本发明的范围内。
标号说明
100 发送单元
110 基带部
111 RF部
112 功率放大模块
113 前端部
114 天线
200、201 放大电路
210,210A,210B,210C,210D,210E,210F,211 偏置电路
220、221、222 匹配电路
230、231 电感器
240、241 电阻
250 偏置控制电路
300A,300B,310A,310B,311A,311B,312A,312B,313A 晶体管
301A,301B,700 电容器
302A,302B,500,600 电阻
800,900,901 FET

Claims (8)

1.一种功率放大模块，其特征在于，包括：
第一放大晶体管，该第一放大晶体管的基极被输入第一信号，并且从该第一放大晶体管的集电极输出将所述第一信号放大后的第二信号；
第一电阻；以及
第一偏置电路，该第一偏置电路经由所述第一电阻将第一偏置电流提供给所述第一放大晶体管的基极，
所述第一偏置电路包含：
第一双极晶体管，该第一双极晶体管的基极与集电极连接，并且该第一双极晶体管的集电极被提供偏置控制电流；
第二双极晶体管，该第二双极晶体管的基极与集电极连接，并且该第二双极晶体管的集电极与所述第一双极晶体管的发射极连接；
第三双极晶体管，该第三双极晶体管的基极与所述第一双极晶体管的基极连接，该第三双极晶体管的发射极与所述第一电阻的一端连接，并且从该第三双极晶体管的发射极输出所述第一偏置电流；
第四双极晶体管，该第四双极晶体管的集电极与所述第三双极晶体管的发射极连接，该第四双极晶体管的基极与所述第二双极晶体管的基极连接；以及设置在所述第三双极晶体管的基极-发射极之间的第一电容器。
2.如权利要求1所述的功率放大模块，其特征在于，
所述第一偏置电路还包括在所述第三双极晶体管的基极-发射极之间与所述第一电容器串联连接的第二电阻。
3.如权利要求1或2所述的功率放大模块，其特征在于，
所述第一偏置电路还包括设置在所述第二双极晶体管的基极和所述第四双极晶体管的基极之间的第三电阻。
4.如权利要求1至3中任意一项所述的功率放大模块，其特征在于，
所述第一偏置电路还包括一端与所述第三双极晶体管的基极连接并且另一端与所述第四双极晶体管的发射极连接的第二电容器。
5.如权利要求1至4中任意一项所述的功率放大模块，其特征在于，
所述第一偏置电路还包括第一FET，该第一FET基于连接控制信号，控制所述第三双极晶体管的基极-发射极之间的所述第一电容器的电连接。
6.如权利要求1至5中任意一项所述的功率放大模块，其特征在于，
还包括第四电阻，该第四电阻的一端被提供所述偏置控制电流，并且该第四电阻的另一端与所述第一双极晶体管的集电极连接。
7.如权利要求1至6中任意一项所述的功率放大模块，其特征在于，
所述第一偏置电路具备第二FET代替所述第一双极晶体管，该第二FET的栅极和漏极连接，并且该第二FET的漏极被提供所述偏置控制电流，
所述第一偏置电路还具备第三FET代替所述第三双极晶体管，该第三FET的栅极与所述第二FET的栅极连接，并且该第三FET的源极与所述第一电阻的一端连接。
8.如权利要求1至7中任一项所述的功率放大模块，其特征在于，还包括：
第二放大晶体管，该第二放大晶体管的基极被输入所述第二信号，并且从该第二放大晶体管的集电极输出将所述第二信号放大后的第三信号；
第五电阻；以及
第二偏置电路，该第二偏置电路经由所述第五电阻将第二偏置电流提供给所述第二放大晶体管的基极，
所述第二偏置电路包含：
第五双极晶体管，该第五双极晶体管的基极与集电极连接，并且该第五双极晶体管的集电极被提供所述偏置控制电流；
第六双极晶体管，该第六双极晶体管的基极与集电极连接，并且该第六双极晶体管的集电极与所述第五双极晶体管的发射极连接；以及
第七双极晶体管，该第七双极晶体管的基极与所述第五双极晶体管的基极连接，该第七双极晶体管的发射极与所述第五电阻的一端连接，并且从该第七双极晶体管的发射极输出所述第二偏置电流，
所述第二偏置电路在所述第七双极晶体管的基极-发射极之间不具备电容器。
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