CN108512515B - 功率放大电路 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种功率放大电路，在对放大器和前级的电路的阻抗进行匹配的同时提高功率增益的线性。功率放大电路具备：放大晶体管，在基极被供给输入信号，并从集电极输出放大信号；偏置电路，对放大晶体管的基极供给偏置电流或电压；以及第一电阻元件，连接在放大晶体管的基极与偏置电路之间，偏置电路具备：电压生成电路；第一晶体管，在基极被供给第一直流电压，并从发射极供给偏置电流或电压；第二晶体管，在基极被供给第二直流电压，发射极与第一晶体管的发射极连接；信号供给电路，设置在放大晶体管的基极与第二晶体管的基极之间，对第二晶体管的基极供给输入信号；以及阻抗电路，设置在第一晶体管的基极与第二晶体管的基极之间。

Description

功率放大电路
技术领域
本发明涉及功率放大电路。
背景技术
在搭载于便携式电话等移动通信设备的功率放大电路中，一般作为放大器而使用双极晶体管。双极晶体管具有如下的热的正反馈特性，即，当元件的温度上升时，集电极电流增加，由此温度进一步上升，从而集电极电流进一步增加。因此，为了抑制由温度上升造成的集电极电流的增加，例如，已知有在双极晶体管的基极与基极偏置电压供给端子之间插入电阻元件(以下，也称为镇流电阻。)的结构。在该结构中，通过镇流电阻中的电压降，基极电流的增加被抑制，因此集电极电流的增加也被抑制。
在具备镇流电阻的结构中，当基极电流随着输入信号的功率水平的增大而增加时，镇流电阻中的电压降变大，因此基极电压下降。由此，集电极电流的振幅不跟随基极电流的振幅，功率增益下降，放大器的线性可能会劣化。为了抑制该线性的劣化，例如，在专利文献1中公开了在信号输入端子与基极偏置电压供给端子之间设置了电容元件的功率放大器。根据该结构，能够将从信号输入端子供给的功率传递到基极偏置电压供给端子。因此，可抑制基极电压的下降，可改善线性。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2003-324325号公报
但是，在专利文献1公开的结构中，连接在信号输入端子与基极偏置电压供给端子之间的电容元件可能成为从信号输入端子观察到的匹配电路的一部分。即，存在该电容元件对放大器的输入阻抗和该放大器的前级的电路的输出阻抗的匹配造成影响这样的问题。
发明内容
发明要解决的课题
本发明是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于，提供一种在对放大器和前级的电路的阻抗进行匹配的同时提高功率增益的线性的功率放大电路。
用于解决课题的技术方案
为了达成这样的目的，本发明的一个侧面涉及的功率放大电路具备：放大晶体管，在基极或栅极被供给输入信号，并从集电极或漏极输出将输入信号进行了放大的放大信号；偏置电路，对放大晶体管的基极或栅极供给偏置电流或电压；以及第一电阻元件，串联连接在放大晶体管的基极或栅极与偏置电路之间，偏置电路具备：电压生成电路，生成第一直流电压；第一晶体管，在基极或栅极被供给第一直流电压，并从发射极或源极经由第一电阻元件对放大晶体管的基极或栅极供给偏置电流或电压；第二晶体管，在基极或栅极被供给第二直流电压，发射极或源极与第一晶体管的发射极或源极连接；信号供给电路，设置在放大晶体管的基极或栅极与第二晶体管的基极或栅极之间，且该信号供给电路对第二晶体管的基极或栅极供给输入信号；以及阻抗电路，设置在第一晶体管的基极或栅极与第二晶体管的基极或栅极之间。
发明效果
根据本发明，能够提供一种在对放大器和前级的电路的阻抗进行匹配的同时提高功率增益的线性的功率放大电路。
附图说明
图1是示出本发明的第一实施方式涉及的功率放大电路的结构例的图。
图2A是示出比较例中的输入功率Pin与电压Vbias′的关系的样子的曲线图。
图2B是示出比较例中的增益特性的样子的曲线图。
图2C是示出比较例中的输入功率Pa下的电压Vbias′的时间变化的样子的曲线图。
图3A是示出本发明的第一实施方式涉及的功率放大电路中的输入功率Pin与电压Vbias的关系的样子的曲线图。
图3B是示出本发明的第一实施方式涉及的功率放大电路中的增益特性的样子的曲线图。
图3C是示出本发明的第一实施方式涉及的功率放大电路中的输入功率Pa下的电压Vbias的时间变化的样子的曲线图。
图4是示出本发明的第二实施方式涉及的功率放大电路的结构例的图。
图5是示出本发明的第三实施方式涉及的功率放大电路的结构例的图。
图6A是示出本发明的第三实施方式涉及的功率放大电路中的输入功率Pin与电压Vbias的关系的样子的曲线图。
图6B是示出本发明的第三实施方式涉及的功率放大电路中的输入功率Pb下的电压Vbias的时间变化的样子的曲线图。
图7是示出本发明的第四实施方式涉及的功率放大电路的结构例的图。
附图标记说明
100A～100D：功率放大电路，110A～110C、120：偏置电路，Q1～Q6：晶体管，C1～C3：电容器，R1～R4：电阻元件。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的一个实施方式进行说明。另外，对同一要素标注同一附图标记，并省略重复的说明。
图1是示出本发明的第一实施方式涉及的功率放大电路的结构例的图。图1所示的功率放大电路100A例如搭载于便携式电话，用于放大发送到基站的无线频率(RF：RadioFrequency，射频)信号的功率。功率放大电路100A例如放大2G(第二代移动通信系统)、3G(第三代移动通信系统)、4G(第四代移动通信系统)、5G(第五代移动通信系统)、LTE(LongTerm Evolution，长期演进)-FDD(Frequency Division Duplex，频分双工)、LTE-TDD(TimeDivision Duplex，时分双工)、LTE-Advanced、LTE-Advanced Pro等通信标准的信号的功率。另外，功率放大电路100A放大的信号的通信标准不限于这些。
功率放大电路100A具备晶体管Q1、偏置电路110A、电容器C1以及电阻元件R1。功率放大电路100A将供给到输入端子的输入信号RFin进行放大，并从输出端子输出放大信号RFout。以下，对各构成要素进行详细说明。
晶体管Q1(放大晶体管)，在集电极被供给电源电压(未图示)，在基极串联连接电容器C1，发射极被接地。在晶体管Q1的基极，从功率放大电路100A的外部经由电容器C1被供给输入信号RFin，并从偏置电路110A经由电阻元件R1被供给偏置电流或电压。由此，从晶体管Q1的集电极输出将输入信号RFin进行了放大的放大信号RFout。晶体管Q1例如可以根据从偏置电路110A供给的偏置电流或电压来控制增益。
另外，晶体管Q1可以是并联连接了多个单位晶体管(指)的结构(即，多指结构)。
此外，晶体管Q1没有特别限定，但在本说明书中作为是异质结双极晶体管(HBT：Heterojunction Bipolar Transistor)等双极晶体管的情形而进行说明。另外，也可以代替双极晶体管而使用场效应晶体管(FET：Field Effect Transistor)。FET例如有MOSFET(Metal-oxide-semiconductor Field Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)、JFET(Junction Field Effect Transistor，结型场效应晶体管)、MESFET(Metal-semiconductor Field Effect Transistor，金属半导体场效应晶体管)等。在代替双极晶体管而使用FET的情况下，只要将集电极、基极、发射极分别改称为漏极、栅极、源极即可。关于以下说明的其他晶体管，也是同样的。
偏置电路110A生成偏置电流或电压，并对晶体管Q1的基极供给偏置电流或电压。偏置电路110A的结构的详情将后述。
电容器C1的一端与输入端子连接，另一端与晶体管Q1的基极连接。电容器C1除去输入信号RFin的直流分量。
电阻元件R1(第一电阻元件)串联连接在晶体管Q1的基极与偏置电路110A的输出之间。具体地，电阻元件R1的一端与晶体管Q1的基极连接，另一端与晶体管Q2、Q3的发射极连接。电阻元件R1是用于抑制晶体管Q1的热的正反馈的镇流电阻。即，晶体管Q1具有如下的热的正反馈特性：当晶体管元件的温度上升时，集电极电流增加，由此，温度进一步上升，从而集电极电流进一步增加。因此，例如在并联连接了多个单位晶体管的多指结构中，如果不具备电阻元件R1，则集电极电流会集中在一部分的晶体管，有可能引起热失控而导致破坏。关于这一点，在功率放大电路100A中，通过具备电阻元件R1，从而当晶体管Q1的基极电流增加时，通过电阻元件R1中的电压降，可抑制基极电流的该增加。因此，可抑制晶体管Q1的集电极电流的增加。
接着，对偏置电路110A的结构的详情进行说明。偏置电路110A例如具备电压生成电路200、晶体管Q2、Q3、电容器C2以及电阻元件R2。
电压生成电路200例如包括电阻元件R3、晶体管Q4、Q5以及电容器C3。电阻元件R3在一端从电压生成电路200的外部被供给给定的电流或电压，另一端与晶体管Q4的集电极连接。晶体管Q4、Q5串联连接。具体地，晶体管Q4(第四晶体管)的集电极与基极连接(以下，也称为二极管连接。)，集电极与电阻元件R3的另一端连接，发射极与晶体管Q5的集电极连接。晶体管Q5(第五晶体管)被二极管连接，发射极被接地。电容器C3的一端与晶体管Q4的基极连接，另一端被接地。电容器C3交流地将晶体管Q2的基极电压接地。
通过上述的结构，在电压生成电路200中，在晶体管Q4的集电极生成给定电平的电压V1(第一直流电压)(例如，2.8V左右)。另外，也可以代替晶体管Q4、Q5而使用二极管元件。
晶体管Q2(第一晶体管)在集电极被供给电源电压Vbatt，在基极被供给电压V1，发射极与电阻元件R1的另一端连接。晶体管Q2经由电阻元件R1对晶体管Q1的基极供给偏置电流或电压。另外，将晶体管Q2的发射极电压设为电压Vbias。
电阻元件R2(第二电阻元件)的一端与晶体管Q2的基极连接，另一端与晶体管Q3的基极连接。电阻元件R2将与供给到一端的电压V1相应的电压V2(第二直流电压)从另一端输出，并作为偏置电压供给到晶体管Q3的基极。另外，电压V2例如是低于电压V1的电压。通过电阻元件R2的电阻值的调整，能够调整晶体管Q3的偏置电压。另外，电阻元件R2是阻抗电路的一个具体例。
电容器C2串联连接在晶体管Q1的基极与晶体管Q3的基极之间。具体地，电容器C2的一端连接于输入端子与电容器C1的一端的连接点，另一端连接于晶体管Q3的基极以及电阻元件R2的另一端。电容器C2除去输入信号RFin的直流分量，并对交流分量进行检波而供给到晶体管Q3的基极。另外，电容器C2是信号供给电路的一个具体例。此外，电容器C2的一端也可以连接于电容器C1的另一端与电阻元件R1的一端的连接点。
晶体管Q3(第二晶体管)在集电极被供给电源电压Vbatt，在基极被供给与电压V1相应的电压V2(第二直流电压)，发射极与晶体管Q2的发射极连接。此外，在晶体管Q3的基极经由电容器C2被供给输入信号RFin的交流分量。由此，晶体管Q3被电压V2偏置，将对输入信号RFin进行了放大的信号输出到晶体管Q2的发射极。另外，通过供给到晶体管Q3的偏置电压的调整，晶体管Q3例如能够被偏置为，在输入信号RFin的功率水平比较小的情况下成为截止，在输入信号RFin的功率水平比较大的情况下成为导通。
接着，边参照图2A～图2C以及图3A～图3C边对电容器C2、电阻元件R2以及晶体管Q3的功能进行说明。另外，在以下的说明中，比较例是指，与图1所示的功率放大电路100A相比不具备电容器C2、电阻元件R2以及晶体管Q3的结构。此外，为了便于说明，对于比较例中的构成要素，使用与在功率放大电路100A中对应的构成要素的附图标记同样的附图标记。
图2A是示出比较例中的输入功率Pin与电压Vbias′的关系的样子的曲线图，图2B是示出比较例中的增益特性的样子的曲线图，图2C是示出比较例中的输入功率Pa下的电压Vbias′的时间变化的样子的曲线图。此外，图3A是示出本发明的第一实施方式涉及的功率放大电路中的输入功率Pin与电压Vbias的关系的样子的曲线图，图3B是示出本发明的第一实施方式涉及的功率放大电路中的增益特性的样子的曲线图，图3C是示出本发明的第一实施方式涉及的功率放大电路中的输入功率Pa下的电压Vbias的时间变化的样子的曲线图。另外，比较例中的电压Vbias′是指相当于功率放大电路100A中的电压Vbias的电压。
如图2A所示，当输入功率超过给定的水平时，比较例中的电压Vbias′急剧下降。这是因为，伴随着晶体管Q1的基极电流的增加，产生电阻元件R1中的电压降，从而晶体管Q1的基极电压下降。因此，集电极电流的振幅不跟随基极电流的振幅，如图2B所示那样产生功率增益的下降(以下，也称为增益压缩。)，从而线性劣化。
此外，图2C示出输入功率的水平比较大的情况(图2B所示的输入功率Pa)下的电压Vbias′的波形。输入信号经由电阻元件R1传输到晶体管Q2的发射极，因此电压Vbias′成为振幅波形。在此，当根据输入信号的信号振幅而晶体管Q2的发射极电压下降时，晶体管Q2成为导通状态。然后，在晶体管Q2为导通状态的期间(时间t1)，电压Vbias′的波形维持在给定的值。具体地，电压Vbias′维持在从晶体管Q2的基极电压(V1)减去晶体管Q2的基极-发射极间电压(Vbe2)的值(V1-Vbe2)。
另一方面，在功率放大电路100A中，由电容器C2检波后的输入信号供给到晶体管Q3，在晶体管Q3中该输入信号被放大并输出到晶体管Q2的发射极。由此，尤其在输入信号的功率水平比较大的情况下，晶体管Q2的发射极的电压振幅与比较例相比变大(参照图2C以及图3C)。因此，在功率放大电路100A中，与比较例相比，晶体管Q2为导通状态的时间(即，电压Vbias维持在给定的值(V1-Vbe2)的时间)t2变长(t1＜t2)。由此，电压Vbias的平均值Vbias_ave变得高于比较例中的电压Vbias′的平均值Vbias′_ave。因此，如图3A所示，在功率放大电路100A中，与比较例相比，可抑制输入功率Pin的功率水平比较大的区域中的电压Vbias的下降、以及晶体管Q1的基极电压的下降。即，功率放大电路100A如图3B所示那样可抑制增益压缩，从而功率增益的线性得以提高。
返回到图1，对从输入端子观察到的偏置电路110A侧的阻抗进行说明。例如，像专利文献1所公开的那样，在不具备晶体管Q3以及电阻元件R2的结构中，由于电容器C2的影响，会产生输入端子与晶体管Q1的阻抗的不匹配，可能导致功率附加效率的下降、功率增益的下降。此外，例如，在功率放大电路由两级放大器构成、且晶体管Q1为后级的放大器的情况下，可能产生级间的阻抗的不匹配。另一方面，在功率放大电路100A中，在从输入端子观察到的电容器C2的前面连接晶体管Q3的基极以及电阻元件R2。在此，晶体管的基极的阻抗一般比较高。因此，在功率放大电路100A中，与专利文献1所公开的结构相比，相对于从输入端子观察到的电容器C1侧的阻抗的、电容器C2侧的阻抗变高。由此，能够抑制电容器C2对放大器和该放大器的前级的电路的阻抗匹配造成的影响。即，功率放大电路100A能够在对放大器和前级的电路的阻抗进行匹配的同时提高功率增益的线性。
图4是示出本发明的第二实施方式涉及的功率放大电路的结构例的图。另外，对于与功率放大电路100A相同的要素标注相同的附图标记并省略说明。此外，在第二实施方式中，省略关于与第一实施方式共同的事项的记述，仅对不同点进行说明。特别是，对于同样的结构所带来的同样的作用效果，将不在每个实施方式中依次提及。
如图4所示，与功率放大电路100A相比，功率放大电路100B代替偏置电路110A而具备偏置电路110B。具体地，偏置电路110B与偏置电路110A相比还具备电阻元件R4。
电阻元件R4(第三电阻元件)与电容器C2串联连接。通过电阻元件R4的电阻值的调整，能够调整电容器C2中的输入信号RFin的检波电平。
通过这样的结构，功率放大电路100B也能够与功率放大电路100A同样地，在对放大器和前级的电路的阻抗进行匹配的同时提高功率增益的线性。
图5是示出本发明的第三实施方式涉及的功率放大电路的结构例的图。另外，对于与功率放大电路100A相同的要素标注相同的附图标记，并省略说明。
如图5所示，与功率放大电路100A相比，功率放大电路100C代替偏置电路110A而具备偏置电路110C。具体地，偏置电路110C与偏置电路110A相比还具备晶体管Q6。
晶体管Q6(第三晶体管)被二极管连接，集电极与晶体管Q2、Q3的发射极连接，发射极与晶体管Q5的基极连接。即，在晶体管Q6的发射极被供给晶体管Q5的基极-发射极间电压Vbe5(第三直流电压)。边参照图6A以及图6B边对晶体管Q6的功能进行说明。
图6A是示出本发明的第三实施方式涉及的功率放大电路中的输入功率Pin与电压Vbias的关系的样子的曲线图，图6B是示出本发明的第三实施方式涉及的功率放大电路中的输入功率Pb下的电压Vbias的时间变化的样子的曲线图。另外，输入功率Pb是指，输入信号RFin的功率水平比较大且例如晶体管Q1以饱和状态进行动作的情况下的输入功率。
如图6B所示，在功率放大电路100C中，除了晶体管Q2的导通以及截止的切换以外，晶体管Q6的导通以及截止也切换。即，当根据输入信号的信号振幅而晶体管Q6的集电极电压上升时，晶体管Q6成为导通状态。然后，在晶体管Q6为导通状态的期间(时间t3)，电压Vbias的波形维持在给定的值。具体地，电压Vbias维持在将晶体管Q5的基极-发射极间电压(Vbe5)和晶体管Q6的基极-发射极间电压(Vbe6)相加的值(Vbe5+Vbe6)。
像这样，在功率放大电路100C中，当电压Vbias下降时，晶体管Q2成为导通，当上升时，晶体管Q6成为导通。由此，在晶体管Q1以饱和状态动作的情况下，与不具备晶体管Q6的结构相比，电压Vbias的平均值下降(参照图6B以及图3C)。在此，在功率放大电路100A中，如图3A所示，在饱和状态下，电压Vbias过度上升，且功率增益的线性得以提高，另一方面，功率附加效率可能会下降。关于这一点，在功率放大电路100C中，如图6A所示，可抑制饱和状态下的电压Vbias的过度上升，能够提高功率附加效率。
通过这样的结构，功率放大电路100C也能够与功率放大电路100A同样地，在对放大器和前级的电路的阻抗进行匹配的同时提高功率增益的线性。此外，功率放大电路100C通过具备晶体管Q6，从而与功率放大电路100A、100B相比，能够在输入信号的功率水平比较高的区域中提高功率附加效率。
另外，也可以代替晶体管Q6而使用二极管元件。
此外，功率放大电路100C也可以如功率放大电路100B所示那样还具备电阻元件R4。
图7是示出本发明的第四实施方式涉及的功率放大电路的结构例的图。另外，对于与功率放大电路100A相同的要素标注相同的附图标记，并省略说明。
如图7所示，功率放大电路100D与功率放大电路100A相比，放大器被多级连接。具体地，功率放大电路100D具备初级(驱动级)的放大器和输出级(功率级)的放大器。
初级的结构与后级的结构相比，代替偏置电路110A而具备偏置电路120。另外，对于初级的构成要素，在对应的后级的构成要素的附图标记标注后缀“a”，并省略说明。
偏置电路120与偏置电路110A相比不具备晶体管Q3、电容器C2以及电阻元件R2。即，在初级的放大器中，从晶体管Q2a的发射极经由电阻元件R1a向晶体管Q1a的基极供给偏置电流或电压。另外，在偏置电路120中，电压Vbias_a的平均值有可能会根据输入信号RFin的功率水平的增大而下降。但是，因为初级与后级相比被放大的信号的功率水平小，所以影响小。
通过这样的结构，功率放大电路100D也能够与功率放大电路100A同样地，在对前级的放大器的输出阻抗和后级的放大器的输入阻抗进行匹配的同时提高功率增益的线性。
另外，如图7所示，在放大器被多级连接的结构中，上述的偏置电路120与偏置电路110A～110C的组合没有特别限定。例如，可以对初级的放大器应用偏置电路110A～110C中的任一个，并对后级的放大器应用偏置电路120，或者也可以对初级以及后级双方的放大器应用偏置电路110A～110C中的任一个。
此外，被多级连接的放大器的级数不限于两级，也可以是3级以上。
以上，对本发明的例示性的实施方式进行了说明。在功率放大电路100A～100D中，偏置电路110A～110C具备：晶体管Q2，对晶体管Q1的基极供给偏置电流或电压；晶体管Q3，将由信号供给电路(例如，电容器C2)供给的输入信号RFin进行放大并输出到晶体管Q2的发射极；以及阻抗电路(例如，电阻元件R2)，连接在晶体管Q2、Q3的基极间。由此，可抑制电压Vbias的下降，能够提高功率增益的线性。此外，从输入端子观察到的电容器C2侧的阻抗变高，因此可抑制电容器C2对放大器和该放大器的前级的电路的阻抗匹配造成的影响。因此，与专利文献1所公开的结构相比，功率放大电路100A～100D能够在对放大器和前级的电路的阻抗进行匹配的同时提高功率增益的线性。
此外，如图1等所示，阻抗电路能够由电阻元件构成。另外，阻抗电路的结构不限于此。
此外，如图1等所示，信号供给电路能够由电容器构成。另外，信号供给电路的结构不限于此。
此外，功率放大电路100B还具备与电容器C2串联连接的电阻元件R4。因此，通过电阻元件R4的电阻值的调整，能够调整电容器C2中的输入信号RFin的检波电平。
此外，功率放大电路100C还具备晶体管Q6，晶体管Q6被二极管连接，且集电极与晶体管Q2、Q3的发射极连接。由此，与不具备晶体管Q6的结构相比，电压Vbias的平均值下降。因此，功率放大电路100C可抑制电压Vbias的过度上升，能够提高功率附加效率。
此外，如图5所示，晶体管Q6的发射极也可以与电压生成电路200的晶体管Q5的基极连接。另外，晶体管Q6的结构不限于此。
以上说明过的各实施方式用于使本发明容易理解，而非用于对本发明进行限定解释。本发明能够在不脱离其主旨的情况下进行变更或改良，并且本发明也包含其等价物。即，只要具备本发明的特征，则由本领域技术人员对各实施方式适当施加了设计变更的实施方式也包含于本发明的范围。例如，各实施方式具备的各要素及其配置、材料、条件、形状、尺寸等并非限定于例示的内容，能够适当地进行变更。此外，只要技术上可能，各实施方式具备的各要素就能够进行组合，将它们进行了组合的实施方式也是只要包含本发明的特征，则包含于本发明的范围。

Claims (6)

1.一种功率放大电路，具备：
放大晶体管，在基极或栅极被供给输入信号，并从集电极或漏极输出将所述输入信号进行了放大的放大信号；
偏置电路，对所述放大晶体管的基极或栅极供给偏置电流或电压；
第一电容器，一端与输入端子连接，另一端与所述放大晶体管的基极或栅极连接；以及
第一电阻元件，串联连接在所述放大晶体管的基极或栅极与所述偏置电路之间，
所述偏置电路具备：
电压生成电路，生成第一直流电压；
第一晶体管，在基极或栅极被供给所述第一直流电压，并从发射极或源极经由所述第一电阻元件对所述放大晶体管的基极或栅极供给所述偏置电流或电压；
第二晶体管，在基极或栅极被供给第二直流电压，发射极或源极与所述第一晶体管的发射极或源极连接；
信号供给电路，设置在所述放大晶体管的基极或栅极与所述第二晶体管的基极或栅极之间，且该信号供给电路对所述第二晶体管的基极或栅极供给所述输入信号；以及
阻抗电路，设置在所述第一晶体管的基极或栅极与所述第二晶体管的基极或栅极之间。
2.根据权利要求1所述的功率放大电路，其中，
所述阻抗电路包括：第二电阻元件，一端与所述第一晶体管的基极或栅极连接，另一端与所述第二晶体管的基极或栅极连接，
从所述第二电阻元件的所述另一端输出所述第二直流电压。
3.根据权利要求1或2所述的功率放大电路，其中，
所述信号供给电路包括：电容器，串联连接在所述放大晶体管的基极或栅极与所述第二晶体管的基极或栅极之间。
4.根据权利要求3所述的功率放大电路，其中，
所述信号供给电路还包括：第三电阻元件，与所述电容器串联连接。
5.根据权利要求1或2所述的功率放大电路，其中，
所述偏置电路还具备第三晶体管，
在所述第三晶体管中，集电极或漏极与基极或栅极连接，集电极或漏极与所述第一晶体管以及所述第二晶体管的发射极或源极连接，在发射极或源极被供给第三直流电压。
6.根据权利要求5所述的功率放大电路，其中，
所述电压生成电路还具备被串联连接的第四晶体管以及第五晶体管，
在所述第四晶体管中，集电极或漏极与基极或栅极连接，从集电极或漏极输出所述第一直流电压，
在所述第五晶体管中，集电极或漏极与基极或栅极连接，发射极或源极被接地，
所述第三晶体管的发射极或源极与所述第五晶体管的基极或栅极连接。
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