CN1519199A - 硫化镉纳米棒的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开的硫化镉纳米棒的制备方法，包括以下步骤：1)在溶度为0.01M的含镉离子溶液中，按体积比1∶0.01～100比例加入巯基乙酸，充分搅拌后，再按体积比1∶0.01～100比例加入溶度为0.01M硫化钠；2)把上述配好的溶液放入高压釜中，在100～500℃温度范围内处理1～200小时，然后将溶液离心、干燥，得硫化镉纳米棒。本发明操作工艺简单，适于大批量生产，成本低，制造过程中对环境无污染。

Description

硫化镉纳米棒的制备方法
                          技术领域
本发明涉及硫化镉纳米棒的制备方法
                          背景技术
硫化镉是一种重要的半导体材料，被广泛的应用于太阳能电池、发光二极管等光电子领域。近来由于纳米技术的发展，使得纳米硫化镉拥有一些硫化镉薄膜和块体材料所没有的性质，比如单根硫化镉纳米棒发射蓝色激光等，所以纳米硫化镉引起了广泛的重视。但是，大量、有效、低成本的制备硫化镉纳米棒，是保证硫化镉纳米材料在未来光电子领域广泛应用的前提条件。目前制备硫化镉纳米棒的方法有很多，比如模板辅助电化学法、热蒸发法、激光烧蚀法、溶剂热法，但是上述方法不能全部满足大量、有效、低成本、防止环境污染等要求。
                          发明内容
本发明的目的是提供一种制备硫化镉纳米棒的方法，以降低成本、不污染环境。
本发明提供的硫化镉纳米棒的制备方法，包括以下步骤：
1)在溶度为0.01M的含镉离子溶液中，按体积比1∶0.01～100比例加入巯基乙酸，充分搅拌后，再按体积比1∶0.01～100比例加入溶度为0.01M硫化钠；
2)把上述配好的溶液放入高压釜中，在100～500℃温度范围内处理1～200小时，然后将溶液离心、干燥，得硫化镉纳米棒。
上述步骤1)按体积比加入巯基乙酸的优选比例为1∶0.5～2，按体积比加入溶度为0.01M硫化钠的优选比例为1∶0.5～2；步骤2)的优选温度150～200℃，时间10小时。在优选条件下获得的硫化镉纳米棒产率高，晶体质量好。
本发明中，所述的含镉离子溶液可以是硫酸镉、硝酸镉溶液。
本发明操作工艺简单，适于大批量生产，成本低，制造过程中对环境无污染。
                          附图说明
图1是硫化镉纳米棒的X射线衍射图谱；
图2是硫化镉纳米棒的透射电镜照片。
                        具体实施方式
以下结合实例进一步说明本发明
实施例
在60毫升0.01M的硫酸镉溶液中加入50μL的巯基乙酸，搅拌10分钟后，再加入60毫升0.01M硫化钠，把上述配好的溶液放入高压釜中，在150℃下处理60小时，把处理好的溶液离心，干燥。所得物质的X射线图，电镜照片见图1、图2，从图1所示的X射线图，可证明获得物质是硫化镉，图2所示的透射电子显微镜照片，可以证明获得物质是硫化镉纳米棒。

Claims (4)

1.硫化镉纳米棒的制备方法，其特征是包括以下步骤：
1)在溶度为0.01M的含镉离子溶液中，按体积比1∶0.01～100比例加入巯基乙酸，充分搅拌后，再按体积比1∶0.01～100比例加入溶度为0.01M硫化钠；
2)把上述配好的溶液放入高压釜中，在100～500℃温度范围内处理1～200小时，然后将溶液离心、干燥，得硫化镉纳米棒。
2.根据权利要求1所述的硫化镉纳米棒的制备方法，其特征是在步骤1)中按体积比1∶0.5～2比例加入巯基乙酸。
3.根据权利要求1所述的硫化镉纳米棒的制备方法，其特征是在步骤1)中按体积比1∶0.5～2比例加入溶度为0.01M硫化钠。
4.根据权利要求1所述的硫化镉纳米棒的制备方法，其特征是所说步骤2)为在150～200℃温度范围内处理10小时。
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