CN1518213B - 表面声波器件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供表面声波器件及其制造方法。该表面声波器件包括：表面声波滤波器芯片，其具有一压电基板，在该压电基板上形成有多个梳状电极；和封装，其具有一第一空腔，在该第一空腔内容纳有所述表面声波滤波器芯片，所述封装包括一挠性芯片安装基板，该挠性芯片安装基板具有第一表面，所述表面声波滤波器芯片通过凸起面朝下地安装在该第一表面上，并且该挠性芯片安装基板具有等于或小于100μm的厚度，所述凸起连接到形成在所述第一表面上的互连线。根据本发明，可以避免在芯片安装区域中出现显著的应力而使得凸起与所述互连线之间的连接被撕开，从而使得表面声波器件具有较高的安装可靠度。

Description

表面声波器件及其制造方法
技术领域
本发明总体上涉及表面声波器件及其制造方法，更具体来说，涉及适合用于嵌入在电视机(下面称作TV)、磁带录像机(VTR)、数字视频光盘(DVD)播放机、蜂窝电话等中的滤波器器件或振荡器的表面声波器件，以及这种器件的制造方法。
背景技术
现在，表面声波(SAW)器件广泛用于各种处理45MHz～2GHz波段中的射频信号的电路。这种电路的示例有：发射带通滤波器、接收带通滤波器、本机振荡滤波器、天线双工器、中频滤波器和FM调制器。
近来，这些用于信号处理的器件的尺寸已经缩小了，从而也强烈要求缩小在上述这些器件中使用的包括SAW器件在内的电子元件的尺寸。尤其是，诸如蜂窝电话的便携式电子设备需要可以面朝下地安装并且具有低封装高度的SAW器件。
图1示出了面朝下安装的常规紧凑尺寸SAW器件。SAW器件900具有SAW滤波器芯片901，该SAW滤波器芯片901被倒装安装在容器(也称作封装)内，该容器由芯片安装基板921、包围部件922和盖部件923组成。板载(on-base)布线或互联导线931设置在芯片安装基板921的暴露于所述封装的空腔中的表面(该表面定义为上表面)上。板载互连导线931位于与SAW滤波器芯片901的凸起911相对应的位置，从而电连接到所述凸起911。
板载互连导线931由穿透芯片安装基板921的通孔互连932电连接到设置在芯片安装基板921的后表面上的端子933。如图2所示，端子933由焊料943连接到设置在部件安装板941上的板载布线或互连导线942。
很多情况下，容纳SAW滤波器芯片901的封装由陶瓷制成，如在第7-336186号日本待审专利申请中所公开的。
需要防止安装在印刷电路板上的电子元件由于板的弯曲而被损坏。如图2中所示，通过使部件安装板941变形来测试SAW器件900，其中，在部件安装板941上通过焊接固定有元件。这称作板弯曲试验。
通常，在蜂窝电话系统所用的800MHz～1.9GHz波段中使用的SAW滤波器芯片具有小于2mm×2mm的尺寸。因此，可以忽略板弯曲试验中封装的变形，从而可以保证满意的可靠度。不过，在SAW器件用作TV中频滤波器的30MHz～75MHz波段中所用的SAW滤波器芯片的尺寸却有10mm×2mm这么大。因此，板弯曲试验将使封装显著地变形。这就导致在用于把SAW滤波器芯片连接到封装的凸起接合上出现了很大的应力。如图2中所示，大的应力可能撕开凸起911与板载互连导线931之间的连接，从而降低安装可靠性。
发明内容
本发明的目的就在于提供一种抗弯曲的SAW器件及这种SAW器件的制造方法。
本发明的该目的利用一种表面声波器件来实现，该表面声波器件包括：表面声波滤波器芯片，其具有压电基板，在该压电基板上形成有多个梳状电极；和封装，其具有第一空腔，在该第一空腔内容纳有所述表面声波滤波器芯片，所述封装包括一挠性芯片安装基板，该挠性芯片安装基板具有第一表面，所述表面声波滤波器芯片通过凸起面朝下地安装在该第一表面上，并且该挠性芯片安装基板具有等于或小于100μm的厚度，所述凸起连接到形成在所述第一表面上的互连线。
本发明的上述目的通过一种表面声波器件的制造方法来实现，该表面声波器件的制造方法包括以下步骤：通过凸起将一表面声波滤波器芯片面朝下地接合在厚度等于或小于100μm的挠性芯片安装基板上，而使所述凸起连接到形成在该挠性芯片安装基板的表面上的互连线；和将第一框部件附接到挠性芯片安装基板上，其中所述第一框部件附接有盖以限定第一空腔，这样，所述表面声波滤波器芯片就容纳在该第一空腔中，并且被封闭地密封起来。
本发明的上述目的还可通过一种表面声波器件的制造方法来实现，该表面声波器件的制造方法包括以下步骤：将第一框部件附接到厚度等于或小于100μm的挠性芯片安装基板上，该第一框部件限定了一空腔；通过凸起将一表面声波滤波器芯片面朝下地接合到挠性芯片安装基板上，而使所述凸起连接到形成在该挠性芯片安装基板的表面上的互连线；和将盖附接到第一框部件上，这样，所述表面声波滤波器芯片就容纳在第一空腔内，并且被封闭地密封起来。
本发明的上述目的还可通过一种表面声波器件的制造方法来实现，该表面声波器件的制造方法包括以下步骤：利用粘接剂将表面声波滤波器芯片附接到盖的背面侧；和将该表面声波滤波器芯片面朝下地接合到挠性芯片安装基板上，该挠性芯片安装基板附接有限定第一空腔的第一框部件，这样，表面声波滤波器芯片就容纳在第一空腔内，并且被封闭地密封起来，所述挠性芯片安装基板的厚度等于或小于100μm，其中，面朝下地接合所述表面声波滤波器芯片的步骤是通过凸起面朝下地接合所述表面声波滤波器芯片，而使所述凸起连接到形成在所述挠性芯片安装基板的表面上的互连线。
附图说明
结合附图阅读下面的具体说明时，本发明的其他目的、特征和优点将变得更加清楚，图中：
图1是常规SAW器件的横截面视图；
图2是安装在部件安装板上的常规SAW器件的横截面视图；
图3A是根据本发明第一实施例的SAW器件芯片的平面图；
图3B是沿图3A中所示的线A-A所截取的横截面视图；
图3C是沿图3A和3B中所示的线B-B所截取的横截面视图；
图3D是图3A至3C所示的SAW器件的仰视图；
图4是说明弯曲弹性刚度的图；
图5是说明当对其上安装有SAW器件的部件安装板进行板弯曲试验时所导致的第一实施例的效果的图；
图6A、6B、6C和6D是示出根据本发明第一实施例的SAW器件的制造过程的图；
图7A、7B、7C和7D是示出根据本发明第一实施例的SAW器件的另一制造过程的图；
图8A、8B和8C分别是根据本发明第二实施例的其他SAW器件的横截面视图；
图9A是根据本发明第三实施例的SAW器件沿图9B和9C中所示的线C-C所截取的横截面视图；
图9B是沿图9A中所示的线D-D所截取的横截面视图；
图9C是图9A和9B中所示的SAW器件的仰视图；
图10是说明当对其上安装有SAW器件的部件安装板进行板弯曲试验时所导致的第三实施例的效果的图；
图11A、11B、11C和11D分别是示出根据本发明第三实施例的SAW器件的制造过程的图；
图12A是沿图12B和12C中所示的线E-E所截取的根据本发明第四实施例的SAW器件的横截面视图；
图12B是沿图12A和12C中所示的线F-F所截取的横截面视图；
图12C是图12A和12B中所示的SAW器件的仰视图；
图13是说明当对其上安装有SAW器件的部件安装板进行板弯曲试验时所导致的第四实施例的效果的图；
图14A是沿图14B和14C中所示的线H-H所截取的根据本发明第五实施例的SAW器件的横截面视图；
图14B是沿图14A中所示的线G-G所截取的横截面视图；
图14C是图14A和14B中所示的SAW器件的仰视图；
图15是说明当对其上安装有SAW器件的部件安装板进行板弯曲试验时所导致的第五实施例的效果的图；
图16A、16B和16C分别是示出根据本发明第五实施例的SAW器件的制造过程的图；以及
图17A、17B和17C分别是示出根据本发明的第六实施例的图14A至14C中所示的SAW器件的另一制造过程的图。
具体实施方式
(第一实施例)
图3A是本发明第一实施例中所用的SAW滤波器芯片1的平面图，图3B是沿图3A、3C和3D中所示的线A-A所截取的包括SAW滤波器芯片1的SAW器件10的横截面视图。图3C是沿图3A和3B中所示的线B-B所截取的横截面视图，图3D是SAW器件10的仰视图。SAW器件10可以用在TV中频波段中。
如图3A所示，SAW芯片1具有一压电基板12，在该压电基板12上构图有多个梳状电极(交指型变换器：IDT)13和多个电极端子。优选地由金制成的多个金属凸起11形成在所述多个电极端子上。为了削弱SAW的反射，通过印刷将吸声材料14沿SAW传播方向形成在两侧。压电基板12相对的两侧面相对于SAW传播方向是倾斜的，以便避免由所述侧面反射的SAW造成滤波特性的退化。多个IDT 13被设计得具有合适的参数值以实现希望的滤波特性。这种参数的示例有电极指间距和电极权重(weighting)。
如图3B所示，SAW滤波器芯片1倒装安装在具有4层结构的封装中，该4层结构是多层结构的一个示例。所述封装由芯片安装基板21、上框部件22、下框部件25和盖23组成。多条板载互连或布线导线31形成在芯片安装基板21上，并且电连接到SAW滤波器芯片1。上框部件22限定了空腔20，在该空腔20中容纳有位于芯片安装基板21上的SAW滤波器芯片1。下框部件25在芯片安装基板21与芯片安装侧相反的一侧限定了空腔30。盖23封闭地密封着由上框部件22限定的空腔20。优选地，空腔30的尺寸大于表面声波滤波器芯片1的尺寸。
芯片安装基板21由诸如树脂的具有良好的挠曲性的材料制成，典型情况下是挠性印刷电路(FPC)板。优选地，芯片安装基板21是厚度仅为100μm或者更薄的薄片，以便保证具有足够的挠曲性。稍后将参照图4来说明芯片安装基板21的挠曲性。
分别限定了空腔20和30的上框部件22和下框部件25由具有可接合到芯片安装基板21的良好接合性能的材料制成，并且可以由树脂制成。上框部件22和下框部件25具有接合到芯片安装基板21的相同尺寸的接合面。芯片安装基板21夹在上框部件22与下框部件25之间，并且被接合到这两个部件。框22和25可以变化得具有不同形状或不同尺寸以便接合，只要芯片安装基板21由该两个框22和25夹持着即可。
盖23具有平板形状，由具有可接合到上框部件22的良好接合性能的基板制成。盖23可以由树脂制成，所述树脂可以是含有双顺丁烯二酰亚胺和三嗪的BT树脂、PPE(聚苯醚)或聚酰亚胺树脂。
如上所述，SAW器件10具有设置在芯片安装基板21的第一表面(上表面)上的框部件22，以便限定用于容纳SAW滤波器芯片1的空腔20。也就是说，框部件22具有用于容纳SAW滤波器芯片1的开口。盖23将其内容纳有SAW滤波器芯片1的空腔20封闭地密封起来。
多条板载互连导线31设置在芯片安装基板21上，并且连接到SAW滤波器芯片1的多个金属凸起11。板载互连导线31具有与金属凸起11的位置相对应的布局。将金属凸起11和板载互连导线31机械地并且电气地连接起来，从而可以将SAW滤波器芯片1与芯片安装基板21机械地并且电气地连接起来。使用导电树脂51来将金属凸起11与板载互连导线31机械地并且电气地连接起来。导电树脂51可以比诸如焊料的金属更具有挠性。树脂51用于减小当芯片安装基板21变形时施加到接合界面的应力。
位于芯片安装基板21下侧的空腔30用于使芯片安装基板21可以自由变形。支撑SAW滤波器芯片1的芯片安装基板21是薄的薄片状部件，其挠曲性将防止板21的芯片安装区域受到由诸如部件22和23的其他部件的变形所引起的挠性安装基板21的变形的影响。也就是说，由其他部件的变形所引起的挠性安装基板21的变形将集中在夹在上框部件22与下框部件25之间的端部部分的邻域中。这防止了挠性安装基板21的芯片安装区域变形得使金属凸起11与板载互连导线31脱离。
上述芯片安装基板21的挠曲性可以通过诸如BT树脂、聚酰亚胺树脂或PPE的绝缘基板来实现。与常规上用于安装SAW滤波器芯片的氧化铝陶瓷相比，BT树脂、聚酰亚胺树脂或PPE具有非常小的弯曲弹性刚度。
下面，对芯片安装基板21的弯曲弹性刚度和挠曲性进行说明。对于弯曲的应力σ(弯曲应力)定义如下：
σ = 3 FL 2 bh 2 - - - ( 1 )
其中，L是芯片安装基板21的长侧的长度，b是短侧的长度(宽度)，h是厚度，F是在上表面上从上至下垂直地施加给板21的中央的力。对于弯曲的应变ε(弯曲应变)表达如下：
ϵ = 6 Sh L 2 - - - ( 2 )
其中，S是板21的变形量。
通过将弯曲应力σ除以弯曲应变ε来获得弯曲弹性刚度E，因此表达如下：
E = σ ϵ = 3 FL 2 b h 2 × L 2 6 Sh = FL 3 4 S bh 3 - - - ( 3 )
每个长度的单位是[mm]，弯曲弹性刚度的单位是[GPa]。
考虑这样一个示例，其中，芯片安装基板21由E＝2～8GPa(对应于BT树脂或聚酰亚胺树脂的弯曲弹性刚度)的材料制成，并且具有L＝10mm、h＝0.1mm(100μm)和b＝2mm的尺寸。在该情况下，当上面的芯片安装基板21的变形量S为0.01mm(10μm)时，可以算出所施加的力F在1.6～6.4×10-4N(1.6～6.4×10-2gf)之间。与之相比，对于如上所述的同样的变形量S，常规的氧化铝陶瓷板(E＝314GPa)需要2.5×10-2N(2.5gf)这么大的力。也就是说，对于相同的变形量S，用于挠性安装基板21的力大约为用于常规的氧化铝陶瓷的力的1/100。通过使用弯曲弹性刚度为2～8GPa的材料，可以实现挠性极好的安装基板21。还要注意的是，常规的氧化铝陶瓷板需要大约200μm的厚度，以便避免对工艺的特定限制和发生破裂。与之对照，挠性安装板21不需要厚达200μm的厚度。
优选地，芯片安装基板21为100μm厚或更薄。从式(3)可以看出，随着芯片安装基板21的厚度h减小，施加到基板21的力F将减小。当芯片安装基板21为100μm厚或更薄时，基板21的变形集中在与板支撑部分相邻近的区域中，在所述板支撑部分中，基板21夹持在上框部件22与下框部件25之间。这样，基板21的芯片安装区域具有较小的由封装变形所致的应力。更具体来说，芯片安装基板21为80μm厚或更薄。这使得在选择适合用于芯片安装基板21的材料方面具有更大的自由度。也就是说，可以为基板21选择具有更大的弯曲弹性刚度的材料。
当芯片安装基板21为50μm厚时，优选地，SAW器件10具有的尺寸使其封装长为10.8mm、宽为2.2mm、厚为600μm。在该情况下，空腔20的尺寸为：9.2mm长、3.8mm宽、0.5mm高。
现在转到图3A至3D，下面对其他的结构元件进行说明。如图3C所示，芯片安装基板21上的多条板载互连导线31通过穿透芯片安装基板21和下框部件25的多个通孔互连32连接到设置在下框部件25的下表面上的多个端子33。端子33由金属图案形成，用作用于进行外部连接的端子。信号通过端子33输入到SAW滤波器芯片1并从SAW滤波器芯片1输出，所述端子33包括用于将封装和SAW滤波器芯片1接地的地端子。
优选的是，将多个端子33集中地布置在下框部件25的相对两个长侧的中央部分中，如图3D所示。例如，将端子33布置得使其中心至中心的距离为1.27mm。端子33的集中布置改进了SAW器件10的电气特性，并且限制了由于部件安装板41的变形(参看图5)所致的SAW器件10的变形。
如图5所示，可将如此封装的SAW器件10安装在其上设置有多条板载互连导线或多个焊盘42的部件安装板41上。SAW器件10的端子33由焊料层43连接到板载互连导线42，从而将SAW器件10与部件安装板41电气地并且机械地连接起来。在焊接中，可以采用回流工艺。在该情况下，为了避免由加热所致的失效，SAW滤波器芯片1上的金属凸起11优选地由金制成。
图5还示出了由对部件安装板41进行的弯曲试验所引起的SAW器件10的变形。当弯曲部件安装板41时，通过板载互连导线42、焊料层43和端子33连接到板41的下框部件25出现变形。该变形导致挠性安装基板21出现变形。基板21的挠曲性导致应力集中在挠性板支撑部分邻近的区域中，从而避免了在芯片安装区域中出现显著的应力。因此，SAW器件10对于弯曲试验是高度可靠的。优选地，金属凸起11位于比基板21夹持在上框部件22与下框部件25之间的挠性板支撑部分更靠内的位置处，以便减小施加给金属凸起11与挠性基板21之间的交界面的应力。
下面参照图6A至6D来说明SAW器件10的制造方法。图6A的步骤制作出其上形成有多条板载互连导线31的挠性安装基板21。举例来说，板21为50μm厚。优选地，多条板载互连导线31设置在中央段，以便可以将SAW滤波器芯片1安装在挠性板21的中央。换句话说，多条板载互连导线31被布置得使SAW滤波器芯片1可以位于由上框部件22所限定的空腔20的中央。提前在挠性安装基板21中形成了多个通孔互连32(参看图3C)。
接下来，如图6B所示，在要放置SAW滤波器芯片1的金属凸起11的位置处形成导电树脂51。导电树脂51可以通过丝网印刷来形成。然后，如图6C所示，将SAW滤波器芯片1倒装接合在挠性安装基板21上。
将具有多个通孔互连32和多个端子33的下框部件25置于挠性基板21的下侧或背面侧，而将上框部件22置于基板21的上侧。接着，将盖23附接到上框部件22的顶部。然后，对如此层叠的下框部件25、基板21、上框部件22和盖23进行加热同时从两侧压紧，这样这些部件将接合到一起。另选地，可以先将上框部件22和盖接合起来，从而可以简化图6D的工艺。
要注意的是，图6A至6D涉及单个SAW器件10。然而，可以同时生产许多SAW器件10。这将使用多部件排列基板，其中每个都具有部件的二维排列。例如，将挠性安装基板21以矩阵形式布置在多部件排列基板上。类似地，也为上框基板22、下框基板25和盖33制备了多部件排列基板。将这些基板接合到一起，这样所得到的叠层就有许多SAW器件10。然后，使用激光将该叠层分割成单个的SAW器件10。也可以不用激光，而用旋转切割刀或压力切割刀。使用多部件排列基板有助于降低成本。
下面参照图7A至7D来说明SAW器件10的另一种制造方法。如图7A所示，通过在把SAW滤波器芯片1安装在挠性基板21上之前将上框部件22附接到挠性基板21的上表面，限定了空腔20。这样，可以增强挠性安装基板21的强度，并且可以使该挠性安装基板21易于运输。在附接之前，在挠性安装基板21中形成多个通孔互连32(参看图3D)。
上框部件22的提前附接使得难于通过丝网印刷在挠性安装基板21的板载互连导线31上淀积导电树脂51。考虑上述问题，本方法采用了图7B的工艺，在该工艺中，将电各向异性的薄片52放入空腔20中并放置在挠性安装基板21上。然后，如图7C所示，将SAW滤波器芯片1接合到该薄片52上。
然后，将具有多个通孔互连32和多个端子33的下框部件25置于挠性安装基板21的下表面上，并且将盖23置于上框部件22的顶端。对如此形成的叠层进行加热同时从两侧压紧，从而将该叠层固定。这样，就可以制作出SAW器件10。
如上所述，芯片安装基板21的挠曲性用于减小施加给SAW滤波器芯片1与封装之间的交界面处的应力。这样，即使在基板21变形时，也可以避免连接失效。因此，SAW器件1具有较高的安装可靠度。
(第二实施例)
图8A至8C示出了根据本发明第二实施例的SAW器件60、70和80。在这些图中，与前述图中所示的元件相同的元件由相同的标号来指示，这里将省略对这些元件的说明。
图8A是沿与图3A中所示的线A-A相同的线所截取的SAW器件60的横截面视图。图8A的横截面对应于图3B的横截面。平板状盖板61附接到SAW器件10的下框部件25的下表面。盖板61封闭地密封着空腔30。盖板61可以是薄片状树脂板。盖板61的厚度具有设计灵活性。当盖板61相对较薄时，可以缩小SAW器件60的尺寸。当盖板61相对较厚时，SAW器件60将抗变形。
盖板61覆盖着芯片安装基板21，防止了外部震动影响到该芯片安装基板21。多个端子33设置在盖板61的底部表面上。SAW器件60中所用的多个通孔互连32穿透盖板61并且与多条板载互连导线31电连接。SAW器件60的其余部分与SAW器件10的那些部分相同。在SAW器件60的制造过程中，在图6D或图7D的步骤中将盖板61与其他部件压紧到一起。
图8B是沿与图3B中所示的线B-B相同的线所截取的SAW器件70的横截面视图。在SAW器件10的结构中的盖23的整个背面侧或下表面上，设置了由导电材料制成的平面图案75。平面图案75通过多个通孔互连74电连接到与该多个通孔互连74相连的多条板载互连导线31和多个端子33。
平面图案75通过多个端子33接地，为SAW滤波器芯片1电屏蔽了外部噪声。就此而言，平面图案75是一屏蔽部件。平面图案75形成了位于空腔20中的SAW滤波器芯片1上方的地平面或地电势，这样SAW滤波器芯片1操作上就稳定了。SAW器件70的结构的其余部分与SAW器件10的那些部分相同。在该制造工艺中，在加热压紧前，对盖23的内表面或底部表面进行了金属化。
图8C是沿与图3B中所示的线B-B相同的线所截取的SAW器件80的横截面视图。SAW器件80除了具有上述上平面图案75之外，还具有设置在空腔30上方的平面图案82。这样就从SAW器件10的上侧和下侧将SAW滤波器芯片1电气地防护起来。
平面图案82设置在挠性芯片安装基板21的整个下表面上。平面图案82通过穿透芯片安装基板21的多个通孔互连81电连接到多条板载互连导线31，并且通过穿透下框部件25的多个通孔互连32电连接到多个端子33。
平面图案82通过多个端子33接地，为SAW滤波器芯片1电屏蔽了外部噪声。平面图案82形成了位于空腔30中的SAW滤波器芯片1的下方的地平面或地电势，这样SAW滤波器芯片1操作上就稳定了。可以将平面图案82设置在芯片安装基板21的上表面上。在该情况下，在多条板载互连导线31与平面图案82之间的交界面处设置绝缘层。SAW器件80的结构的其余部分与SAW器件10的那些部分相同。在该制造工艺中，在加热压紧前，对盖23的内表面或下表面进行了金属化，并且也对芯片安装基板21的下表面进行了金属化。
(第三实施例)
下面来说明根据本发明第三实施例的SAW器件90，其中，与前述图中所示的部件相同的部件具有相同的标号。在第三实施例中，省略了在第一实施例中用于限定空腔30的下框部件25。
图9A是沿图9B和9C中所示的线C-C所截取的SAW器件90的横截面视图，图9B是沿图9A中所示的线D-D所截取的横截面视图，而图9C是SAW器件90的仰视图。在这些图中，为前面所述的元件赋予了相同的标号。
SAW滤波器芯片1倒装安装在由挠性芯片安装基板21和上框部件22所组成的双层封装上。多个端子33设置在芯片安装基板21的下表面上，并且通过穿透基板21的多个通孔互连92电连接到多条板载互连导线31，如图9B和9C所示。
如图10所示，可将如此封装的SAW器件90安装在其上设置有多条板载互连导线或多个焊盘42的部件安装板41上。SAW器件90的多个端子33通过多个焊料层43连接到多条互连导线42，从而将SAW器件90与部件安装板41电气地并且机械地连接起来。
在对SAW器件90的弯曲试验中，弯曲了部件安装板41，从而芯片安装基板21和上框部件22也因此变形了。附接有上框部件22的芯片安装基板21通过多条板载互连导线42、多个焊料层43和多个端子33连接到板41。基板21的挠曲性导致应力集中在邻近挠性板支撑部分的区域中，从而防止了在芯片安装区域中出现显著的应力，如图10所示。因此，SAW器件90在弯曲试验中具有高的可靠度。优选地，为了减小施加给多个金属凸起11与挠性板21之间的交界面处的应力，该多个金属凸起11位于比挠性板支撑部分更靠内的位置处，在所述挠性板支撑部分中，板21附接到上框部件22。
下面参照图11A至11D来说明SAW器件90的制造方法。图11A的步骤将制作出其上形成有多条板载互连导线31的挠性安装基板21。举例来说，基板21为50μm厚。优选地，多条板载互连导线31设置在中央部分使SAW滤波器芯片1可以安装在挠性板21的中央。换句话说，将多条板载互连导线31布置得使SAW滤波器芯片1可以位于由上框部件22所限定的空腔20的中央。提前在挠性安装基板21中形成了多个通孔互连92(参看图9B和9C)。
接下来，如图11B所示，将电各向异性的导电薄片52放入空腔20内，并且放置在挠性安装基板21上。然后，如图10C所示，将SAW滤波器芯片1接合到所述薄片52。图11A至11C中所示的步骤与图6A至图6C中所示的步骤相同。
然后，如图11D所示，将其底部表面敷有粘接剂片91的盖23附接到上框部件22的顶端。这样，就可以制作出SAW器件90。另选地，可以按与图6A至6D中所示相类似的方式来制作SAW器件90。
(第四实施例)
下面对本发明第四实施例进行说明。第四实施例与第一实施例的不同之处在于：多个端子33沿SAW器件的短侧边沿放置。要注意的是，第一实施例将多个端子33沿所述器件的长侧边沿布置。在下面的说明中，用类似的标号来指示类似的元件。下面将要具体说明的第四实施例的部件与第一至第三实施例中的任何一个的部件相同。
图12A是沿图12B和12C中所示的线E-E所截取的根据本发明的SAW器件95的横截面视图，图12B是沿图12A和12C中所示的线F-F所截取的横截面视图，而图12C是SAW器件95的仰视图。
多个端子33沿SAW器件95的短侧边沿布置在中央段。优选地，将多条板载互连导线31布置得靠近芯片安装基板21的短侧，以便容易地接触所述多个端子33。
图13示出了对安装在部件安装板41上的SAW器件95进行的弯曲试验。当弯曲部件安装板41时，附接到其上的芯片安装基板21和上框部件22变形了。芯片安装基板21通过多条板载互连导线42、多个焊料层43和多个端子33连接到部件安装板41。由于芯片安装基板21的挠曲性，应力集中到了基板21的与利用多个焊料层43来固定的多个部分相邻近的多个部分中。因此，基板21的芯片安装区域就受到了较少的应力。
(第五实施例)
图14A是沿图14B和14C中所示的线H-H所截取的根据本发明第五实施例的SAW器件100的横截面视图，图14B是沿图14A中所示的线G-G所截取的横截面视图，而图14C是SAW器件100的仰视图。在这些图中，与前述图中所示的部件相同的部件具有相同的标号。SAW器件100具有设计得用来处理TV中频波段的SAW滤波器芯片1，如同本发明的第一至第四实施例的情况那样。
如在图14A中所示，SAW滤波器芯片1倒装接合到多层封装上，该多层封装具有下述结构。该封装由挠性芯片安装基板21、上框部件22、粘接剂层103、下板101、粘接剂层104和盖23构成。粘接剂层103将芯片安装基板21与上框部件22接合起来。粘接剂层104在与基板21的芯片安装侧相对的一侧限定了窄空腔102，并且将基板21与下板101接合起来。挠性芯片安装基板21可以是作为树脂板的FPC，并且优选地是厚为100μm或更薄的薄片。上框部件22可以由树脂制成。
下板101透过窄空腔102面对芯片安装基板21的下表面。举例来说，下板101具有平板形状，并且由树脂制成。窄空腔102使挠性芯片安装基板21可以变形。不过，如果芯片安装基板由于外界震动过度变形，在多个金属凸起11与多条板载互连导线31(包括导电树脂51)之间可能发生交界面失效。下板101限制了芯片安装基板21的变形。例如，芯片安装基板21和下板101隔开例如40μm的间隔。当然，可以适当地选择间隔，只要可以阻止芯片安装板21的过度变形即可。窄空腔102取决于粘接剂层104的厚度。如果芯片安装基板21和下板101独立地发生变形，可以略去窄空腔102。在此情况下，下板102将接触芯片安装基板21。
下板101在芯片安装区域外部的位置处附接到芯片安装基板21。这样，就将粘接剂层104设置在芯片安装区域外部的周围。粘接剂层104由诸如树脂的粘接剂制成。粘接剂层104用作隔离件以及粘接部件。
基板21的芯片安装区域没有固定到下板101上，而是可以自由移动的。这允许当封装由于外部应力而变形时板21可以变形。这样，施加到SAW滤波器芯片1与芯片安装基板21之间的多个电连接处的应力更小，从而SAW器件100是高度可靠的。
盖23可以是树脂平板，其利用粘接剂层105附接到框部件22上。粘接剂层105可以用于将盖23接合到SAW滤波器芯片1的背面侧，该背面侧与其上形成有多个IDT 13的正面侧相反。盖23可以比框部件22和下板101变形更小。由盖23支撑的SAW滤波器芯片1具有良好的位置稳定性。这样，就可以进一步改进对于弯曲试验和外部震动的稳定性。
芯片安装基板21上的多条板载互连导线31连接到SAW滤波器芯片1的多个金属凸起11。多条板载互连导线31具有与多个金属凸起11的位置相对应的布局。将多个金属凸起11与多条板载互连导线31电气地并且机械地连接起来，从而可以将SAW滤波器芯片1与芯片安装基板21电气地并且机械地连接起来。可以使用导电树脂51来将多个金属凸起11与多条板载互连导线31电气地并且机械地连接起来。
如图14B所示，挠性安装基板21上的多条板载互连导线31利用穿透挠性基板21和下板101(包括粘接剂层103和104)的多个通孔互连32连接到设置在下板101的下表面上的多个端子33。将用于进行外部连接的多个端子33沿下板101的长侧边沿布置在中央段，如图14C所示。另选地，可以将多个端子33沿下板101的短侧边沿来布置。
可以将如此封装的SAW器件100安装在部件安装板41上。多个焊料层43将多个端子33和多条板载互连导线42接合起来。在接合中可以采用回流焊工艺。在该情况下，多个金属凸起11优选地由金制成。
图15还示出了由于弯曲试验所引起的SAW器件100的变形，在该弯曲试验中，弯曲了部件安装板41。如图15所示，当部件安装板41弯曲时，通过多个端子33、多个焊料层43和多个端子33连接到板41的下板101因此而发生了变形。由于板101的变形，挠性安装基板21也变形了。不过，基板21的挠曲性避免了由于变形导致在其芯片安装区域中的应力集中。因此，安装在部件安装板41上的SAW器件100是高度可靠的。优选地，基板21被夹在框部件22与下板101之间的多个支撑部分位于附接到SAW滤波器芯片1的多个金属凸起11的外部，以便防止向该多个金属凸起11与挠性安装基板21之间的多个交界面施加显著的应力。
利用粘接剂将SAW滤波器芯片1的背面侧附接到盖23。这样，即使SAW滤波器芯片1掉下并且受到外部震动的影响，盖23也可用于吸收所述外部震动中的大部分，从而可以保护在多个金属凸起11与芯片安装基板21之间的多个交界面不受外部震动的影响。因此，SAW器件100是高度可靠的。
下面参照图16A至16C来说明SAW器件100的制造方法。如图16A所示，涂有粘接剂层103的框部件22设置在具有多条片载(on-chip)互连导线31和多个通孔互连32的芯片安装基板21的上表面上。此外，具有粘接剂层104、多个端子33和多个通孔互连32的下板101设置在芯片安装基板21的下表面上。然后，对如此形成的叠层进行加热并从两侧压紧，以便将框部件22和下板101与芯片安装基板21接合起来。
接下来，如图16B所示，以面朝下的方式将SAW滤波器芯片1容纳在空腔20中，并且将其倒装接合到多条板载互连导线31，其中，在该SAW滤波器芯片1中，多个金属凸起11敷有导电树脂51。可以利用橡皮辊从调节为固定厚度的导电粘接剂层将导电树脂51转印到多个金属凸起11上。
接下来，如图16C所示，将设置有粘接剂层105的盖23放置在框部件22上，以便密封空腔20。然后，对该叠层进行加热同时从两侧压紧，以便通过粘接剂层105将盖23固定到框部件22。
要注意的是，图16A至图16C涉及单个SAW器件100。不过，可以同时生产许多SAW器件100。这将使用多部件排列基板，每个基板都具有部件的二维排列。例如，以矩阵形式将多个挠性安装基板21排列在多部件排列基板上。类似地，也为上框部件基板22、下板101和盖23制备相应的多部件排列基板。把这些基板接合起来，这样，所得到的叠层就具有很多个接合起来的SAW器件100。然后，通过使用激光或合适的刀具将该叠层分割成多个独立的SAW器件100。
(第六实施例)
本发明第六实施例是本发明第五实施例的工艺的变型。图17A至17C示出了该变型，其中，与前述图中所示的部件相同的部件具有相同的标号。
参照图17A，以面朝上方式将SAW滤波器芯片1接合到盖23。SAW滤波器芯片1的背面侧由粘接剂层105粘接到盖23。接下来，通过使用橡皮辊将导电树脂从导电粘接剂层转印到芯片1的多个金属凸起11上。然后，如图17C所示，将其上附接有SAW滤波器芯片1的盖23上下颠倒，并且将其放置在由芯片安装基板21、框部件22和下板101组成的封装的框部件22上，从而利用盖23将空腔20覆盖起来。然后，对如此排列的叠层进行加热同时压紧，以便可以将层叠的部件固定到一起。可以利用图16A所示的工艺来制作封装。图17A至17C所示的工艺可以应用于多部件排列基板。
本发明并不限于这里具体公开的实施例，相反，在不偏离本发明的范围的条件下，可以进行其他实施例、变型和修改。
本发明基于分别在2003年1月28日和2003年11月7日提交的第2003-18777和第2003-377893号日本专利申请，这里通过引用并入其全部内容。

Claims (26)

1.一种表面声波器件，其包括：
表面声波滤波器芯片，其具有一压电基板，在该压电基板上形成有多个梳状电极；和
封装，其具有一第一空腔，在该第一空腔内容纳有所述表面声波滤波器芯片，
所述封装包括一挠性芯片安装基板，该挠性芯片安装基板具有第一表面，所述表面声波滤波器芯片通过凸起面朝下地安装在该第一表面上，并且该挠性芯片安装基板具有等于或小于100μm的厚度，所述凸起连接到形成在所述第一表面上的互连线。
2.根据权利要求1所述的表面声波器件，其中，所述封装具有第二空腔，通过该第二空腔，所述挠性芯片安装基板的与所述第一表面相反的第二表面被暴露出来。
3.根据权利要求1所述的表面声波器件，其中，所述封装包括一下框部件，该下框部件附接到所述挠性芯片安装基板上，并且限定了一第二空腔，该第二空腔具有比所述表面声波滤波器芯片大的尺寸。
4.根据权利要求1所述的表面声波器件，其中，所述封装包括：
第二空腔，所述挠性芯片安装基板的与所述第一表面相反的第二表面暴露于第二空腔；和
盖板，其密封所述第二空腔。
5.根据权利要求1所述的表面声波器件，其中，所述封装包括一具有平板形状的下板，该下板在比表面声波滤波器芯片更靠外的多个位置处附接到所述挠性芯片安装基板。
6.根据权利要求5所述的表面声波器件，还包括一粘接剂层，该粘接剂层将所述挠性芯片安装基板和所述下板接合起来，并且被设置在比所述表面声波滤波器芯片更靠外的多个位置处。
7.根据权利要求1所述的表面声波器件，其中，所述封装包括一盖，该盖将所述第一空腔封闭地密封起来，并且附接到所述表面声波滤波器芯片的背面侧。
8.根据权利要求1所述的表面声波器件，其中，所述封装包括：盖，其将所述第一空腔封闭地密封起来；和电屏蔽部件，其附接到所述盖上并且面对所述表面声波滤波器芯片。
9.根据权利要求1所述的表面声波器件，其中，所述封装包括一电屏蔽部件，该屏蔽部件附接到所述挠性芯片安装基板上。
10.根据权利要求8所述的表面声波器件，其中，所述电屏蔽部件是一平面图案。
11.根据权利要求9所述的表面声波器件，其中，所述电屏蔽部件是一平面图案。
12.根据权利要求1所述的表面声波器件，其中，所述表面声波滤波器芯片具有多个金属凸起，该多个金属凸起通过导电树脂被电气地并且机械地连接到所述挠性芯片安装基板上的多条互连导线上。
13.根据权利要求1所述的表面声波器件，其中，所述表面声波滤波器芯片具有多个金属凸起，该多个金属凸起通过电各向异性导电薄片被电气地并且机械地连接到所述挠性芯片安装基板上的多条互连导线上。
14.根据权利要求1所述的表面声波器件，其中，所述表面声波滤波器芯片被倒装接合到所述第一空腔中的挠性芯片安装基板上。
15.根据权利要求1所述的表面声波器件，其中，所述挠性芯片安装基板具有2～8GPa的弯曲弹性刚度。
16.根据权利要求1所述的表面声波器件，其中，所述挠性芯片安装基板包括双顺丁烯二酰亚胺-三嗪树脂、聚苯醚和聚酰亚胺树脂中的至少一种。
17.根据权利要求1所述的表面声波器件，其中，所述封装包括一下板，该下板被设置得使得在所述挠性芯片安装基板与该下板之间限定了另一空腔。
18.根据权利要求1所述的表面声波器件，其中，在所述挠性芯片安装基板的背面侧设置有用于进行外部连接的多个端子。
19.一种制造表面声波器件的方法，包括以下步骤：
通过凸起将一表面声波滤波器芯片面朝下地接合在一挠性芯片安装基板上，而使所述凸起连接到形成在该挠性芯片安装基板的表面上的互连线，该挠性芯片安装基板具有等于或小于100μm的厚度；和
将一附接有盖以限定第一空腔的第一框部件附接到所述挠性芯片安装基板，从而所述表面声波滤波器芯片被容纳在所述第一空腔中，并且被封闭地密封起来。
20.根据权利要求19所述的方法，还包括如下步骤：将一第二框部件在比所述表面声波滤波器芯片更靠外的多个位置处附接到所述挠性芯片安装基板，该第二框限定了露出所述挠性芯片安装基板的背面侧的第二空腔。
21.根据权利要求19所述的方法，还包括如下步骤：利用粘接剂将所述盖附接到所述表面声波滤波器芯片的背面侧。
22.一种制造表面声波器件的方法，包括以下步骤：
将一第一框部件附接到一挠性芯片安装基板，该挠性芯片安装基板具有等于或小于100μm的厚度，所述第一框部件限定第一空腔；
通过凸起将一表面声波滤波器芯片面朝下地接合到所述挠性芯片安装基板，而使所述凸起连接到形成在该挠性芯片安装基板的表面上的互连线；和
将一盖附接到所述第一框部件，以便所述表面声波滤波器芯片被容纳在所述第一空腔中，并且被封闭地密封起来。
23.根据权利要求22所述的方法，还包括如下步骤：将一第二框部件在比所述表面声波滤波器芯片更靠外的多个位置处附接到所述挠性芯片安装基板，所述第二框限定了露出所述挠性芯片安装基板的背面侧的第二空腔。
24.根据权利要求22所述的方法，还包括如下步骤：利用粘接剂将所述盖附接到所述表面声波滤波器芯片的背面侧。
25.一种制造表面声波器件的方法，包括以下步骤：
利用粘接剂将一表面声波滤波器芯片附接到一盖的背面侧；和
将所述表面声波滤波器芯片面朝下地接合到附接有限定第一空腔的第一框部件的挠性芯片安装基板，以便所述表面声波滤波器芯片被容纳在所述第一空腔内并且被封闭地密封起来，
所述挠性芯片安装基板具有等于或小于100μm的厚度，
其中，面朝下地接合所述表面声波滤波器芯片的步骤是通过凸起面朝下地接合所述表面声波滤波器芯片，而使所述凸起连接到形成在所述挠性芯片安装基板的表面上的互连线。
26.根据权利要求25所述的方法，还包括如下步骤：将一第二框部件在比所述表面声波滤波器芯片更靠外的多个位置处附接到所述挠性芯片安装基板的背面侧。
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Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005099088A1 (en) * 2004-03-26 2005-10-20 Cypress Semiconductor Corp. Integrated circuit having one or more conductive devices formed over a saw and/or mems device
JP2006135771A (ja) * 2004-11-08 2006-05-25 Renesas Technology Corp 電子部品モジュール
DE102005028906A1 (de) * 2005-06-22 2006-12-28 Giesecke & Devrient Gmbh Vorrichtung für die Prüfung von Banknoten
JP2007081613A (ja) * 2005-09-13 2007-03-29 Seiko Epson Corp 弾性表面波デバイス及びその製造方法
JP4535286B2 (ja) * 2006-03-31 2010-09-01 Ｔｄｋ株式会社 弾性表面波素子および当該素子を備えた弾性表面波装置
JP2008135999A (ja) * 2006-11-28 2008-06-12 Fujitsu Media Device Kk 弾性波デバイスおよびその製造方法
WO2008078898A1 (en) * 2006-12-22 2008-07-03 Lg Innotek Co., Ltd High frequency module and manufacturing method thereof
CN101868915B (zh) * 2007-11-28 2013-11-06 株式会社村田制作所 弹性波装置
US7726184B2 (en) * 2007-12-28 2010-06-01 Honeywell International Inc. Surface acoustic wave sensor and package
JP2009194091A (ja) * 2008-02-13 2009-08-27 Seiko Instruments Inc 電子部品、電子機器、及びベース部材製造方法
CN101692441B (zh) * 2009-04-16 2012-04-11 旭丽电子(广州)有限公司 一种印刷电路板封装结构
US20110075392A1 (en) 2009-09-29 2011-03-31 Astec International Limited Assemblies and Methods for Directly Connecting Integrated Circuits to Electrically Conductive Sheets
US20120314390A1 (en) * 2010-03-03 2012-12-13 Mutual-Tek Industries Co., Ltd. Multilayer circuit board
US8384269B2 (en) * 2010-10-20 2013-02-26 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Electrostatic bonding of a die substrate to a package substrate
JP2012151698A (ja) * 2011-01-19 2012-08-09 Taiyo Yuden Co Ltd 弾性波デバイス
JP5821961B2 (ja) 2011-09-02 2015-11-24 株式会社村田製作所 複合回路モジュール
CN104347526B (zh) 2013-07-29 2018-06-19 讯芯电子科技（中山）有限公司 双工器封装结构及制造方法
CN106067457B (zh) * 2016-08-11 2020-08-21 苏州日月新半导体有限公司 集成电路封装体及其制造方法与所使用的封装基板
CN106921357A (zh) * 2017-02-28 2017-07-04 宜确半导体（苏州）有限公司 声波设备及其晶圆级封装方法
CN109103328B (zh) * 2018-03-23 2023-06-20 北京航天微电科技有限公司 一种声表面波芯片及其制作方法
CN109904148B (zh) * 2018-12-26 2023-07-04 天津大学 具有集成电路模块和声波滤波器模块的柔性系统
WO2021114140A1 (zh) * 2019-12-11 2021-06-17 广东省半导体产业技术研究院 滤波芯片封装方法及封装结构
CN111490743B (zh) * 2020-05-22 2023-06-06 北京超材信息科技有限公司 一种终端saw滤波器制作方法
CN113210240B (zh) * 2021-03-23 2022-09-06 魔音智芯科技(深圳)有限公司 一种双面叉指换能器的兰姆波器件及其制备方法
WO2023017825A1 (ja) * 2021-08-11 2023-02-16 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
CN115628765B (zh) * 2022-10-27 2023-11-07 中船重工安谱（湖北）仪器有限公司 声表面波测量装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1119372A (zh) * 1994-03-16 1996-03-27 富士通株式会社 表面声波滤波器元件和通过对其封装而制成的表面声波滤波器
CN1192578A (zh) * 1997-02-27 1998-09-09 精工爱普生株式会社 半导体装置及备有它的电子机器

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07336186A (ja) 1994-06-06 1995-12-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 面実装型弾性表面波素子
US6321444B1 (en) * 2000-04-11 2001-11-27 Japan Radio Co., Ltd. Method of making surface acoustic wave device
JP3860364B2 (ja) * 1999-08-11 2006-12-20 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1119372A (zh) * 1994-03-16 1996-03-27 富士通株式会社 表面声波滤波器元件和通过对其封装而制成的表面声波滤波器
CN1192578A (zh) * 1997-02-27 1998-09-09 精工爱普生株式会社 半导体装置及备有它的电子机器

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