CN1471227A - 电机驱动装置 - Google Patents

电机驱动装置 Download PDF

Info

Publication number
CN1471227A
CN1471227A CNA031079865A CN03107986A CN1471227A CN 1471227 A CN1471227 A CN 1471227A CN A031079865 A CNA031079865 A CN A031079865A CN 03107986 A CN03107986 A CN 03107986A CN 1471227 A CN1471227 A CN 1471227A
Authority
CN
China
Prior art keywords
driving pulse
output transistor
current
transistor
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA031079865A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1254003C (zh
Inventor
宫崎胜己
v
末次大祐
加
菅田由加
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Electronics Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of CN1471227A publication Critical patent/CN1471227A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1254003C publication Critical patent/CN1254003C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
    • H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M7/53—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M7/537—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters
    • H02M7/538—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters in a push-pull configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/0048—Circuits or arrangements for reducing losses
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B70/00—Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
    • Y02B70/10—Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Control Of Stepping Motors (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)

Abstract

一种采用半导体集成电路的电机驱动装置，将输出晶体管的源极－栅极间设置的电压箝位电路产生箝位电流抑制到最小限度来降低消耗功率。该电机驱动装置包括：电压箝位电路，设置在向电机流过驱动电流的第1输出晶体管的源极和栅极间，在第1和第2输出晶体管两者截止时稳压源极上产生的高电压；以及恒流电路，连接在接地间，响应第1驱动脉冲并以规定的微小电流来处理箝位电流那样进行工作。

Description

电机驱动装置
技术领域
本发明主要涉及半导体集成电路构成的供给用于驱动三相电机的驱动电流的电机的驱动装置。
背景技术
半导体集成电路内构成的三相电机驱动的高电压-高功率容量输出级，在对状态线圈进行电流供给的输出晶体管上大多采用Nch(N沟道)型MOSFET(Metal-Oxide Semiconductor Field EffectTransistor；这里将MOSFET简称为‘晶体管’)。这是因为Pch(P沟道)型晶体管与Nch型晶体管相比平均单位面积的导通电阻大，在成本方面不利。
图3是表示现有的电机驱动装置结构的电路图。在图中，31u、31v、31w是三相电机的Y型连接的状态线圈，1是直流电源，2是高压电源，3是接地线，4、5是状态线圈中用于流过电机的驱动电流的输出Nch型晶体管，6、7是驱动输出晶体管4的Pch型晶体管和Nch型晶体管。8、9、10是逆变器，21、22是例如齐纳二极管构成的电压箝位电路。
Pch型晶体管6的漏极连接到高电压电源2，源极连接到输出晶体管4的栅极，栅极连接到用于驱动输出晶体管4的传送驱动脉冲A的逆变器8的输出端。Nch型晶体管7的漏极连接到输出晶体管4的栅极，源极连接到接地线3，栅极与Pch型晶体管6同样连接到驱动脉冲A。
输出晶体管4的漏极连接到直流电源1，源极连接到状态线圈31w的端部W。另一输出晶体管5的漏极连接到状态线圈31w的端部W，源极连接到接地线3，栅极连接到逆变器9的输出端。逆变器9还与一个逆变器10串联连接，传送用于对输出晶体管5进行导通、截止控制的驱动脉冲B(第2驱动脉冲)。此外，在输出晶体管4的栅极-源极间，连接相互相反方向串联连接的齐纳二极管21、22构成的电压箝位电路。该电压箝位电路进行输出晶体管4的正负栅极过电压保护。
对于其他状态线圈31u、31v的各端子U、V设置与以上说明的结构相同的驱动装置。
下面说明动作。
图4是输入到逆变器8、10的驱动脉冲的时序图，图5A、图5B和图5C是表示电路动作的说明图。
驱动脉冲A和B按相互不同的时序来供给。驱动脉冲A为‘H’时，通过逆变器8使栅极为‘L’，所以Pch型晶体管6导通，Nch型晶体管7截止。因此，输出晶体管4的栅极为‘H’并导通，向成为负载的电机的状态线圈31w、31v供给驱动电流。此时驱动脉冲B为‘L’，所以输出晶体管5的栅极为‘L’并截止。该第1动作如图5A所示。
另一方面，驱动脉冲B为‘H’时，通过逆变器9、10使输出晶体管5的栅极变为‘H’并导通。此时通过状态线圈31u的端部U上连接的输出级的电路动作来连接直流电源1。此时，驱动脉冲A为‘L’，晶体管6、7的栅极为‘H’，Pch型晶体管6截止，Nch型晶体管7导通。因此，输出晶体管4的栅极变为‘L’并截止。由此，输出晶体管5将通过状态线圈31u、31w流入的驱动电流引入流到接地线3。该第2动作如图5B所示。
一般在驱动三相电机时，如图5A、图5B所示，在输出晶体管4、5为有源的期间以外，存在与其他两相不进行电流转换的停止期间。此时，输出晶体管4、5截止，从状态线圈31w观察输出级的阻抗为高阻抗。在图5A、图5B所示的动作后，如果输出晶体管4、5截止，则在状态线圈31w中残留电荷，使端部W为高电位。在从直流电源1供给使用高电压的输出晶体管4、5的栅极-源极间耐压以上的电压的电路中，需要进行保护而避免栅极击穿。因此，在向电机供给驱动电流的输出晶体管4的栅极-源极间连接齐纳二极管21、22，在该停止期间，使齐纳二极管21、22的电压箝位电路工作，经由Nch型晶体管7将箝位电流流入地线3，以便除去残留电荷。该第3动作如图5C所示。
现有的电机驱动装置具有以上那样的结构，所以存在以下问题。
所述高阻抗时的电压一般为直流电源1的电源电压的一半，如果电源电压的值大，则该箝位电流也大，从而不能忽视其造成的功率损失。近年来，作为对半导体集成电路所要求的主要条件之一，可列举出消耗功率低，但上述箝位电流的产生却阻碍了消耗功率低。特别是在驱动高电压系统、高功率容量输出级时，不能忽视该箝位电流造成的功率损失。
发明内容
本发明是考虑上述课题的发明，其目的在于获得一种采用半导体集成电路的电机驱动装置，可将箝位电流抑制到最小限度并降低消耗功率。
根据本发明，提供一种电机驱动装置，其特征在于包括：第1输出晶体管，导通时在电机的状态线圈中流过驱动电流；第1晶体管开关，响应第1驱动脉冲并使所述第1输出晶体管导通，响应第1驱动脉冲的未接收并使所述第1输出晶体管截止；第2输出晶体管，响应第2驱动脉冲并导通，响应第2驱动脉冲的未接收并截止，导通时从所述状态线圈将另一驱动电流引入接地；电压箝位电路，在所述第1和第2输出晶体管两者截止时，将所述第1和第2输出晶体管间的线路中产生的高电压电荷作为箝位电流释放；以及恒流电路，将所述电压箝位电路的箝位电流控制到小值。
此外，根据本发明，提供一种电机驱动装置，其中，配有第2晶体管开关，响应在第1驱动脉冲的下降时和第2驱动脉冲的上升时生成的第3驱动脉冲并从第1输出晶体管的栅极释放电荷。
此外，根据本发明，提供一种电机驱动装置，其中，第3驱动脉冲与第1和第2驱动脉冲的宽度比较具有短的脉冲宽度。
此外，根据本发明，提供一种电机驱动装置，其中，第2晶体管开关由响应第3驱动脉冲并导通，具有导通时小阻抗的晶体管构成。
此外，根据本发明，提供一种电机驱动装置，其中，在恒流电路的第1驱动脉冲的未接收时，从电压箝位电路通过恒流电路向地流过小值的箝位电流。
附图说明
图1是表示本发明实施例1的电机驱动装置的结构电路图。
图2是实施例1的驱动脉冲的时序图。
图3是现有的电机驱动装置的结构电路图。
图4是现有的电路中使用的驱动脉冲的时序图。
图5A是表示现有电路动作的说明图。
图5B是表示现有电路动作的说明图。
图5C是表示现有电路动作的说明图。
具体实施方式
以下，说明本发明。
图1是表示本发明实施例1的电机驱动装置的结构电路图。在图中，对与图3相当的部分附以相同标号，原则上省略其说明。40是对于输出晶体管4设置的电路，其中的电路配置与以往的图3在下述方面有所不同。
向Nch型晶体管(第2晶体管开关)7的栅极提供用于使输出晶体管(第1晶体管开关)4导通的驱动脉冲(第3驱动脉冲)C。11是连接在电压箝位电路和接地线3间的恒流电路。电压箝位电路与输出晶体管4的栅极相连接，但如果与恒流电路11相连接，则也可以不一定与输出晶体管4的栅极相连接。此外，该恒流源11由逆变器8的输出信号来控制，使得按与Pch型晶体管(第1晶体管开关)6反相的关系进行导通、截止切换。
下面，说明动作，但基本动作与图3的说明相同，所以省略。图2是实施例1的驱动脉冲A、B、C的时序图。驱动脉冲C产生于驱动脉冲A的下降时刻T1、T3和驱动脉冲B的上升T2时刻，与这些驱动脉冲A、B相比具有时间充分短的脉冲宽度PW。
驱动脉冲(第1驱动脉冲)A为‘H’时，Pch型晶体管6导通，输出晶体管4导通，但该期间恒流电路11截止。因此，在第1动作中，向电机的状态线圈31w、31v供给驱动电流。
此外，驱动脉冲A为‘L’时，Pch型晶体管6截止，输出晶体管4也截止，但该期间恒流电路11导通并被连接到输出晶体管4的栅极。输出晶体管(第2输出晶体管)5也变为截止状态，从状态线圈31w来观察输出级的阻抗升高，输出晶体管4的源极电位高并且电压箝位电路起作用，通过Nch型晶体管7流过箝位电流。此时恒流电路11具有将该箝位电流抑制到规定的微小电流的作用。作为恒流电路11，被用于保持输出晶体管4的截止状态、即维持栅极电压‘L’的充分小的电流值。
这里，主要必须考虑输出晶体管4的栅极电容和镜效应的影响。仅在微小电流值的恒流电路11中，在输出晶体管4迅速截止和输出电压急剧变化时有不能确保保持输出晶体管4的截止状态的情况。因此，按规定的时序提供驱动脉冲C使Nch型晶体管7工作，使输出晶体管4的栅极变为地电位。具体地说，使用图2所示的驱动脉冲(第3驱动脉冲)C。驱动脉冲C产生于驱动脉冲A的下降时T1、T3和驱动脉冲B的上升时T2，与这些驱动脉冲A、B相比具有时间充分短的脉冲宽度。换句话说，驱动脉冲A的下降时T1、T3是输出晶体管4截止的时刻，驱动脉冲B的上升时T2是输出晶体管5的导通时刻。这种情况下，从与恒流电路11的关系来看，作为Nch型晶体管7，需要导通时的阻抗具有足够低的值。
下面说明T2时的驱动脉冲C的作用。驱动脉冲B的上升导致输出晶体管5的导通，由此输出电位急剧地下降。此时，Nch型的输出晶体管4的栅极电压保持不变，源极-栅极间电位Vgs开路。因此，将驱动脉冲C的T2脉冲提供给Nch型晶体管7并使其导通，使输出晶体管4的栅极电位迅速下降，可防止输出晶体管4导通。
如以上那样，根据本实施例1，配有齐纳二极管21、22构成的电压箝位电路和连接在接地线3之间、响应驱动脉冲A并以规定的微小电流来处理箝位电流那样工作的恒流电路11，所以在第3动作时，可获得限制箝位电流并抑制消耗功率的效果。
此外，与驱动脉冲A的下降时同步，并且响应具有比该驱动脉冲A充分短期间的驱动脉冲C来使Nch型晶体管7导通，将截止时的输出晶体管4的栅极实质性地连接到地，由此，可获得在第1动作结束时，实现输出晶体管4的尽早截止动作的效果。
此外，与驱动脉冲B的上升时同步，并且响应具有比该驱动脉冲B充分短期间的驱动脉冲C来使Nch型晶体管7导通，将截止时的输出晶体管4的栅极实质性地连接到地，由此，可获得在第2动作开始时，输出电压急剧变化时保持输出晶体管4的截止状态的效果。
根据该实施例1，为了获得小的电机驱动装置，输出晶体管4、5由Nch型晶体管构成。但是，输出晶体管4、5也可以由Pch型晶体管构成。
此外，根据本实施例1，除了实施例1所示的晶体管电路以外，可以采用调换Nch型和Pch型的电路结构，而且可以使用NPN型和PNP型晶体管来取代FET的结构。
如以上那样，根据本发明，采用半导体集成电路的电机驱动装置包括：第1输出晶体管，导通时在电机的状态线圈中流过驱动电流；第1晶体管开关，响应第1驱动脉冲并使所述第1输出晶体管导通，响应第1驱动脉冲的未接收并使所述第1输出晶体管截止；第2输出晶体管，响应第2驱动脉冲并导通，响应第2驱动脉冲的未接收并截止，导通时从所述状态线圈将另一驱动电流引入接地；电压箝位电路，在所述第1和第2输出晶体管两者截止时，将所述第1和第2输出晶体管间的线路中产生的高电压电荷作为箝位电流释放；以及恒流电路，将所述电压箝位电路的箝位电流控制到小值；所以在箝位电流产生时，具有限制该电流量来抑制消耗电力的效果。
根据本发明，配有第2晶体管开关，响应第1驱动脉冲的下降时和第2驱动脉冲的上升时生成的第3驱动脉冲，并从第1输出晶体管的栅极释放电荷，所以具有实现输出晶体管的迅速截止动作，在输出电压急剧变化时保持输出晶体管的截止状态的效果。
根据本发明，第3驱动脉冲具有比第1和第2驱动脉冲宽度短的脉冲宽度，所以具有不通过第2晶体管开关漏泻箝位电流的效果。
根据本发明，第3驱动脉冲具有比第1和第2驱动脉冲宽度短的脉冲宽度，所以具有可以从第1输出晶体管的栅极迅速释放电荷的效果。
根据本发明，在恒流电路未接收第1驱动脉冲时，形成从电压箝位电路通过恒流电路向地流过小值的箝位电流的结构，所以具有防止第1输出晶体管导通时恒流电路产生错误功能的效果。

Claims (5)

1.一种电机驱动装置，其特征在于包括：
第1输出晶体管，导通时在电机的状态线圈中流过驱动电流；
第1晶体管开关，响应第1驱动脉冲并使所述第1输出晶体管导通，响应第1驱动脉冲的未接收并使所述第1输出晶体管截止；
第2输出晶体管，响应第2驱动脉冲并导通，响应第2驱动脉冲的未接收并截止，导通时从所述状态线圈将另一驱动电流引入接地；
电压箝位电路，在所述第1和第2输出晶体管两者截止时，将所述第1和第2输出晶体管间的线路中产生的高电压电荷作为箝位电流释放；以及
恒流电路，将所述电压箝位电路的箝位电流控制到小值。
2.如权利要求1所述的电机驱动装置，其特征在于，配有第2晶体管开关，响应在第1驱动脉冲的下降时和第2驱动脉冲的上升时生成的第3驱动脉冲，并从第1输出晶体管的栅极释放电荷。
3.如权利要求2所述的电机驱动装置，其特征在于，第3驱动脉冲与第1和第2驱动脉冲的宽度比较具有短的脉冲宽度。
4.如权利要求2所述的电机驱动装置，其特征在于，第2晶体管开关由响应第3驱动脉冲并导通，具有导通时小阻抗的晶体管构成。
5.如权利要求1所述的电机驱动装置，其特征在于，在恒流电路的第1驱动脉冲的未接收时，从电压箝位电路通过恒流电路向地流过小值的箝位电流。
CNB031079865A 2002-07-26 2003-03-28 电机驱动装置 Expired - Fee Related CN1254003C (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002218532A JP4084117B2 (ja) 2002-07-26 2002-07-26 モータの駆動装置
JP218532/02 2002-07-26
JP218532/2002 2002-07-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1471227A true CN1471227A (zh) 2004-01-28
CN1254003C CN1254003C (zh) 2006-04-26

Family

ID=30437658

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB031079865A Expired - Fee Related CN1254003C (zh) 2002-07-26 2003-03-28 电机驱动装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6762576B2 (zh)
JP (1) JP4084117B2 (zh)
KR (1) KR100527528B1 (zh)
CN (1) CN1254003C (zh)
TW (1) TW591881B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101238637B (zh) * 2005-06-10 2010-06-09 西门子威迪欧汽车电子股份公司 控制外部半桥功率输出级的电子控制单元和具有电子控制单元的电动驱动装置
CN106972836A (zh) * 2015-12-18 2017-07-21 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体器件和电路保护方法
CN111682745A (zh) * 2019-03-11 2020-09-18 精工爱普生株式会社 驱动控制装置、驱动电路以及移动体

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5367424B2 (ja) 2009-03-19 2013-12-11 ラピスセミコンダクタ株式会社 ブラシレスモータ駆動回路
TWI393342B (zh) * 2009-10-15 2013-04-11 Univ Nat Cheng Kung The Driving and Switching Method of Variable Structure Motor
JP5360002B2 (ja) * 2010-06-28 2013-12-04 富士電機株式会社 半導体素子の駆動装置
EP3102661B1 (en) 2014-02-07 2020-08-05 GOJO Industries, Inc. Compositions and methods with efficacy against spores and other organisms

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1656777A (en) 1924-11-06 1928-01-17 Kny Scheerer Corp Of America Combination heat and light therapy lamp
US3604913A (en) * 1969-02-07 1971-09-14 Richard C Crete Photographic lighting assembly
JPS5577368A (en) * 1978-11-30 1980-06-11 Mitsubishi Electric Corp Thyristor driving circuit
JPS56121395A (en) * 1980-02-25 1981-09-24 Sony Corp Driving circuit of dc motor
JPS58186392A (ja) * 1982-04-23 1983-10-31 Hitachi Ltd モ−タの駆動回路
US4463413A (en) 1983-08-29 1984-07-31 Shirley Howard L Adjustable photographic light stand
CA1274499A (en) 1987-06-19 1990-09-25 Karl Rotter Mobile universal shop light
JP2797338B2 (ja) * 1988-10-11 1998-09-17 松下電器産業株式会社 ゲートドライブ回路
JP2688976B2 (ja) * 1989-03-08 1997-12-10 三菱電機株式会社 半導体集積回路装置
JPH037090A (ja) * 1989-06-01 1991-01-14 Mitsubishi Electric Corp モータドライブ回路
US5023755A (en) 1990-04-09 1991-06-11 Rosenberg Rex W Support system
US5103384A (en) * 1990-10-16 1992-04-07 Drohan William M Flashlight holder
US5126928A (en) 1991-10-28 1992-06-30 Charles Hughes Mobile boom-mounted shop light
GB9124398D0 (en) 1991-11-16 1992-01-08 Moss Ellis Patents Ltd Lamp stands
JP2908948B2 (ja) * 1992-12-10 1999-06-23 三菱電機株式会社 パワーデバイスの制御回路及び半導体集積回路装置
JP3267756B2 (ja) * 1993-07-02 2002-03-25 株式会社日立製作所 半導体集積回路装置
US5424931A (en) * 1994-05-09 1995-06-13 Wheeler; Todd D. Mobile illumination device
US5436726A (en) * 1994-05-23 1995-07-25 It's Dents Or Us Flaw highlighting light panel and booth for automobile body repair
JP3222330B2 (ja) * 1994-09-20 2001-10-29 株式会社日立製作所 半導体回路及び半導体集積回路
US5614797A (en) 1995-02-28 1997-03-25 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Stator coil driver circuit for a brushless DC motor
US6000823A (en) * 1995-12-11 1999-12-14 Donnelly Mirrors Limited Rearview mirror assembly
US5743623A (en) * 1996-09-12 1998-04-28 Kerr; Daniel G. Self-locking flashlight holder
JPH11234103A (ja) * 1998-01-22 1999-08-27 Abb Res Ltd パワートランジスタにおけるスイッチング動作の制御方法および装置
JP3404287B2 (ja) * 1998-04-28 2003-05-06 株式会社日立製作所 インバータ装置の駆動回路
JP2000022456A (ja) * 1998-06-26 2000-01-21 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 半導体集積回路
US6019484A (en) 1998-07-27 2000-02-01 Seyler; Christopher M. Portable task lighting device
JP4215335B2 (ja) * 1999-03-10 2009-01-28 ローム株式会社 モータ駆動装置
JP2000339958A (ja) * 1999-05-25 2000-12-08 Toshiba Corp 半導体集積回路
JP3643298B2 (ja) * 2000-06-02 2005-04-27 株式会社デンソー 出力回路

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101238637B (zh) * 2005-06-10 2010-06-09 西门子威迪欧汽车电子股份公司 控制外部半桥功率输出级的电子控制单元和具有电子控制单元的电动驱动装置
CN106972836A (zh) * 2015-12-18 2017-07-21 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体器件和电路保护方法
CN111682745A (zh) * 2019-03-11 2020-09-18 精工爱普生株式会社 驱动控制装置、驱动电路以及移动体
CN111682745B (zh) * 2019-03-11 2023-03-28 精工爱普生株式会社 驱动控制装置、驱动电路以及移动体

Also Published As

Publication number Publication date
KR100527528B1 (ko) 2005-11-09
CN1254003C (zh) 2006-04-26
JP4084117B2 (ja) 2008-04-30
TW200402186A (en) 2004-02-01
KR20040010078A (ko) 2004-01-31
TW591881B (en) 2004-06-11
US6762576B2 (en) 2004-07-13
JP2004064863A (ja) 2004-02-26
US20040017168A1 (en) 2004-01-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102013217173B4 (de) Schaltungsanordnung umfassend eine Halbbrücke und Schaltungsanordnung zum Ansteuern eines High-Side-Schalters
CN1042993C (zh) 负载驱动装置
CN109698611B (zh) 多级降栅压型SiC-MOSFET驱动电路
CN1909372A (zh) 用于电源开关器件的隔离式栅极驱动器电路
CN1860655A (zh) 用于操作发电机的频率变换器的方法
US9083333B2 (en) Switching circuit
CN1716747A (zh) 直流－直流变换器
CN1717854A (zh) 用于开关变换器快速瞬态响应的分级电感器
CN1950994A (zh) Pwm驱动电路
CN110492439B (zh) 适用于大功率SiCMOSFET的保护电路
CN1622443A (zh) 反相器电路
CN1254003C (zh) 电机驱动装置
US20100027303A1 (en) Devices and Methods for Converting or Buffering a Voltage
US7848125B2 (en) Keep-alive for power stage with multiple switch nodes
CN1314892C (zh) 电磁线圈驱动装置
JP4925719B2 (ja) ゲート駆動回路
CN1777016A (zh) Mos型fet、及配有它的电机驱动装置和电机
CN104350671A (zh) 开关转换电源装置
CN1890852A (zh) 用于控制感性用电器的电路装置和方法
CN113676029A (zh) 一种基于igbt的有源钳位电路
CN1550066A (zh) 半桥电路
CN110970882A (zh) 一种保护电路及电池管理系统
US20210384824A1 (en) Power electronics device and method for supplying electrical voltage to a driver circuit of a power semiconductor switch
DE102017105560A1 (de) Wandeln von elektrischer energie
CN102594099A (zh) 智能功率模块的栅极驱动电路

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20170710

Address after: Tokyo, Japan, Japan

Co-patentee after: Renesas Systems Design Inc

Patentee after: Renesas Electronics Corporation

Address before: Tokyo, Japan, Japan

Co-patentee before: Matsushita Denki KK.

Patentee before: Missubishi Electric Co., Ltd.

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20171120

Address after: Tokyo, Japan, Japan

Patentee after: Renesas Electronics Corporation

Address before: Tokyo, Japan, Japan

Co-patentee before: Renesas Systems Design Inc

Patentee before: Renesas Electronics Corporation

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20060426

Termination date: 20190328