CN1950994A - Pwm驱动电路 - Google Patents

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Abstract

一种PWM驱动电路包括：负载驱动功率MOS晶体管(Q5(Q6))；由电阻器(R3(R5))或电阻器(R4(R6))和MOS晶体管(Q5(Q6))的电容构成、且根据PWM电压减小电压的斜率(through rate)并将电压提供给MOS晶体管(Q5(Q6))栅极的CR电路；以及栅极电压控制部分(4(5))，当在MOS晶体管(Q5(Q6))的栅极电压的转换期间，检测到MOS晶体管(Q5(Q6))完全从截止切换到导通时，停止CR电路的操作，以将MOS晶体管(Q5(Q6))的栅极电势减小(增加)到预定值。以这种方式，可以减小开关噪声和开关损耗。

Description

PWM驱动电路
技术领域
本发明涉及一种PWM驱动电路，更具体地，涉及一种可以减少开关噪声的PWM驱动电路。
背景技术
在PWM驱动电路中，一般执行斜率(through rate)控制，以减少开关噪声(例如，见专利文献1的[0007])。执行斜率控制的目的在于，通过使驱动负载的功率MOS晶体管(下称“负载驱动功率MOS晶体管”)的栅极电压逐渐地上升或下降，来减少开关噪声。
这里，图5中示出了其中执行斜率控制的常规PWM驱动电路的配置示例。图5所示的PWM驱动电路包括P沟道MOS晶体管(下称“PMOS晶体管”)Q1、Q3和Q5，N沟道MOS晶体管(下称“NMOS晶体管”)Q2、Q4和Q6，电阻器R1和R2，以及输出端子3。
PMOS晶体管Q1和NMOS晶体管Q2一起形成反相器电路1，其输出端通过电阻器R1，与PMOS晶体管Q5的栅极相连。PMOS晶体管Q3和NMOS晶体管Q4一起形成反相器电路2，其输出端通过电阻器R2，与NMOS晶体管Q6的栅极相连。将恒定电压VCC施加到PMOS晶体管Q5的源极，将NMOS晶体管Q6的源极接地。PMOS晶体管Q5的漏极和NMOS晶体管Q6的漏极与输出端子3相连。
反相器电路1将输入的PWM电压VPWM反相，并输出结果电压。因为通过由电阻器R1和PMOS晶体管Q5的电容(例如栅-源电容或栅-背栅电容)构成的CR电路，将反相器电路1的输出馈送到PMOS晶体管Q5的栅极，所以PMOS晶体管Q5的栅极电压逐渐上升或下降。
反相器电路2将输入的PWM电压VPWM反相，并输出结果电压。因为通过由电阻器R2和NMOS晶体管Q6的电容(例如栅-源电容或栅-背栅电容)构成的CR电路，将反相器电路2的输出馈送到NMOS晶体管Q6的栅极，所以NMOS晶体管Q6的栅极电压逐渐上升或下降。
如上所述，作为负载驱动功率MOS晶体管，PMOS晶体管Q5和NMOS晶体管Q6的栅极电压逐渐上升或下降，所以可以减少开关噪声。
此外，在图5所示的PWM驱动电路中，当PWM电压VPWM处于高电平时，PMOS晶体管Q5导通，NMOS晶体管Q6截止，由此，从输出端子3输出的输出电压VOUT的值变得与VCC近似相等；当PWM电压VPWM处于低电平时，PMOS晶体管Q5截止，NMOS晶体管Q6导通，由此，从输出端子3输出的输出电压VOUT的值变得近似等于0。
图6中示出其中执行斜率控制的常规PWM驱动电路的另一配置示例。在图6中，用相同的参考数字标识图5中也有的电路模块，并且不再重复对其的说明。
图6所示的PWM驱动电路在以下方面与图5所示的PWM驱动电路不同。在PMOS晶体管Q1的漏极与NMOS晶体管Q2的漏极之间，去除电阻器R1，取而代之地设置其中串联了电阻器R3和R4的电路，PMOS晶体管Q5的栅极与电阻器R3和R4连接在一起的节点相连，在PMOS晶体管Q3的漏极与NMOS晶体管Q4的漏极之间，去除电阻器R2，取而代之地设置其中串联了电阻器R5和R6的电路，NMOS晶体管Q6的栅极与电阻器R5和R6连接在一起的节点相连。
如图5所示的PWM驱动电路的情况一样，因为由电阻器R3或R4和PMOS晶体管Q5的电容(例如栅极-源电容或栅-背栅电容)构成的CR电路使作为负载驱动功率MOS晶体管的PMOS晶体管Q5的栅极电压逐渐上升或下降，并且由电阻器R5或R6和NMOS晶体管Q6的电容(例如栅-源电容或栅-背栅电容)构成的CR电路使作为负载驱动功率MOS晶体管的NMOS晶体管Q6的栅极电压逐渐上升或下降，所以图6所示的PWM驱动电路可以减少开关噪声。
专利文献1：JP-A-2001-204187
发明内容
本发明要解决的问题
这里，图7A示出了在图5或图6所示的常规PWM驱动电路中，当将PWM电压VPWM从高电平切换到低电平时，观察到的PWM电压VPWM、PMOS晶体管Q5的栅极电压VGP、NMOS晶体管Q6的栅极电压VGN和输出电压VOUT的时序图。对于PMOS晶体管Q5的栅极电压VGP、NMOS晶体管Q6的栅极电压VGN和输出电压VOUT，示出了当电流从输出端子3流向负载时(当馈出电流时)，以及当电流流入输出端子3时(当汇入电流时)，观察到的波形。
NMOS晶体管Q6的栅极电压VGN以CR电路的时间常数，从将PWM电压VPWM从高电平反转到低电平的时间点(t1)，逐渐上升。然后，在NMOS晶体管Q6的栅极电压VGN达到阈值VTHN的时间点(t2)处，NMOS晶体管Q6从截止切换到导通。
即使在NMOS晶体管Q6从截止切换到导通之后，NMOS晶体管Q6的栅极电压VGN继续以CR电路的时间常数，逐渐上升，直到其达到预定值(近似等于VCC)时的时间点(t3)。这使得NMOS晶体管Q6不可能在t2与t3之间的时间段中获得足够低的导通电阻。
另一方面，当将PWM电压VPWM从低电平切换到高电平时，PMOS晶体管Q5在给定的时间段中，无法获得足够低的导通电阻(见图7B)。
采用图5或图6所示的常规PWM驱动电路，虽然通过斜率控制，减少了开关噪声，但是，因为在从负载驱动功率MOS晶体管从截止切换到导通的时间点，直到其栅极电压被完全反转的时间点的时间段中，负载驱动功率MOS晶体管无法获得足够低的导通电阻，所以出现了开关损耗增加的问题。在向包括电感组件的负载馈送PWM驱动电路的输出时，这个问题变得更加严重。
专利文献1的目的在于，在通过执行PWM控制来驱动电机的驱动控制设备中，设置振荡电路和回流抑止二极管，以减少开关噪声和开关损耗。但是，采用这种配置，出现的新问题在于，例如，振荡电路的线圈妨碍设备的小型化。
考虑到上述通常遇到的问题，本发明的目的是提供一种受到的开关噪声和开关损耗的影响更少的PWM驱动电路。
解决问题的手段
为实现上述目的，根据本发明，PWM驱动电路设置有：场效应晶体管，用于驱动负载(下称“负载驱动场效应晶体管”)；斜率控制部分，根据PWM电压，减小电压的斜率，然后向负载驱动场效应晶体管的栅极馈入得到的电压；以及栅极电压控制部分，当在负载驱动场效应晶体管的栅极电压的转换期间，检测到负载驱动场效应晶体管的输出电压几乎已被反转，并且变为与在负载驱动场效应晶体管完全导通时所获得的值近似相等时，停止斜率控制部分的操作，将负载驱动场效应晶体管的栅极电势上拉或下拉到预定值。
采用这种配置，当在负载驱动场效应晶体管的栅极电压的转换期间，负载驱动场效应晶体管的输出电压几乎已被反转，并且变为与在负载驱动场效应晶体管完全导通时所获得的值近似相等时，负载驱动场效应晶体管快速转换。这使得可以将从负载驱动场效应晶体管从截止切换到导通的时间点，直到完全反转了栅极电压的时间点的时间段缩短。这有助于缩短负载驱动场效应晶体管的导通电阻相对高的时间段，从而有助于减少开关损耗。此外，与常规示例的情况一样，当由于PWM电压的反转，负载驱动场效应晶体管从导通切换到截止时，负载驱动场效应晶体管的栅极电压随着斜率控制部分的特征而逐渐变化。这就可以减少开关噪声。
优选地，作为PWM电压和负载驱动场效应晶体管的输出电压的检测结果，只有在发现PWM电压的值处于使负载驱动场效应晶体管导通的电平，并且发现负载驱动场效应晶体管的输出电压与在负载驱动场效应晶体管完全导通时所获得的值近似相等时，栅极电压控制部分才停止斜率控制部分的操作，并将负载驱动场效应晶体管的栅极电势上拉或下拉到预定值。
采用这种配置，可以防止栅极电压控制部分不必要地停止斜率控制部分的操作，以及将负载驱动场效应晶体管的栅极电势上拉或下拉到预定值。这保证了根据PWM电压，负载驱动场效应晶体管的精确的导通/截止切换。
可以将根据本发明的PWM驱动电路应用于电机驱动电路、DC-DC转换器等。
本发明效果
根据本发明，可以实现一种受到的开关噪声和开关损耗的影响更少的PWM驱动电路。
附图说明
图1示出了根据本发明的PWM驱动电路的配置示例的图。
图2示出了图1所示的PWM驱动电路的电路配置示例的图。
图3A示出了图2所示的PWM驱动电路的相关电路模块的电压的时序图。
图3B示出了图2所示的PWM驱动电路的相关电路模块的电压的时序图。
图4示出了根据本发明的电机驱动电路的配置示例的方框图。
图5示出了常规PWM驱动电路的配置示例的图。
图6示出了常规PWM驱动电路的配置的另一示例的图。
图7A示出了图5或6所示的PWM驱动电路的相关电路模块的电压的时序图。
图7B示出了图5或6所示的PWM驱动电路的相关电路模块的电压的时序图。
参考符号列表
1，2      反相器电路
3         输出端子
4，5      栅极电压控制部分
6         与门
7         或门
8         电机驱动电路
9         U相PWM驱动电路
10        V相PWM驱动电路
11        W相PWM驱动电路
12        PWM电压产生电路
13        三相无刷电机
Q1，Q3，Q5，Q8    PMOS晶体管
Q2，Q4，Q6，Q7    NMOS晶体管
R1-R6   电阻器
具体实施方式
以下，将参考附图描述本发明的一个实施例。图1示出了根据本发明的PWN驱动电路的配置示例。在图1中，用相同的参考数字标识图6中也有的电路模块，并不再重复对其的说明。
图1所示的本发明的PWM驱动电路与图1所示的PWM驱动电路的不同之处在于，附加地设置了栅极电压控制部分4和5。栅极电压控制部分4检测输出电压VOUT和PWM电压VPWM。如果发现输出电压VOUT已增加到预定值(近似等于VCC)，并几乎被反转，并且发现PWM电压VPWM处于高电平，则栅极电压控制部分4下拉PMOS晶体管Q5的栅极电势，以快速降低PMOS晶体管Q5的栅极电压，从而缩短将PMOS晶体管Q5的栅极电压完全反转所需的时间。
栅极电压控制部分5检测输出电压VOUT和PWM电压VPWM。如果发现输出电压VOUT已减小到预定值(近似等于O)，并几乎被反转，并且发现PWM电压VPWM处于低电平，则栅极电压控制部分5上拉NMOS晶体管Q6的栅极电势，以快速提高NMOS晶体管Q6的栅极电压，从而缩短将NMOS晶体管Q6的栅极电压完全反转所需的时间。
因为图1所示的本发明的PWM驱动电路设置有执行上述操作的栅极电压控制部分4和5，所以可以将从作为负载驱动功率MOS晶体管的PMOS晶体管Q5或NMOS晶体管Q6从截止切换到导通的时间点，直到完全反转栅极电压的时间点的时间段缩短。这有助于缩短负载驱动功率MOS晶体管的导通电阻相对高的时间段，从而可以减少开关损耗。此外，与常规示例的情况一样，当由于PWM电压VPWM的反转，负载驱动功率MOS晶体管从导通切换到截止时，负载驱动功率MOS晶体管的栅极电压以CR电路的时间常数，逐渐变化，直到几乎反转了输出电压VOUT。这有助于减少开关噪声。
取而代之的是，可以使栅极电压控制电路4只检测输出电压VOUT，如果发现输出电压VOUT已增加到预定值(近似等于VCC)，并几乎被反转，则栅极电压控制部分4下拉PMOS晶体管Q5的栅极电势；可以使栅极电压控制电路5只检测输出电压VOUT，如果发现输出电压VOUT已减小到预定值(近似等于0)，并几乎被反转，则栅极电压控制部分5上拉NMOS晶体管Q6的栅极电势。但是，为防止不必要地上拉或下拉负载驱动功率MOS晶体管的栅极电势，优选地采用图1所示的配置。可选地，与图1所示的PWM驱动电路的情况一样，可以通过以下列方式配置PWM驱动电路，来减少开关噪声和开关损耗。从图1所示的PWM驱动电路中去除了电阻器R3和R4，取而代之地设置电阻器，该电阻器的一端连接到PMOS晶体管Q1和NMOS晶体管Q2连接在一起的节点，另一端连接到PMOS晶体管Q5的栅极与栅极电压控制部分4连接在一起的节点；去除了电阻器R5和R6，取而代之地设置电阻器，该电阻器的一端连接到PMOS晶体管Q3和NMOS晶体管Q4连接在一起的节点，另一端连接到NMOS晶体管Q6的栅极与栅极电压控制部分5连接在一起的节点。
接着，图2示出了图1所示的PWM驱动电路的电路配置示例。在图2中，用相同的参考数字标识图1中也有的电路模块，并不再重复对其的说明。
在图2所示的PWM驱动电路中，与门6和NMOS晶体管Q7一起形成栅极控制部分4，或门7和PMOS晶体管Q8一起形成栅极控制部分5。
NMOS晶体管Q7的漏极与PMOS晶体管Q5的栅极相连，NMOS晶体管Q7的源极接地。与门6将输出电压VOUT和PWM电压VPWM相与，然后将结果馈送到NMOS晶体管Q7的栅极。
PMOS晶体管Q8的漏极与NMOS晶体管Q6的栅极相连，将恒定电压VCC施加到PMOS晶体管Q8的源极。或门7将输出电压VOUT和PWM电压VPWM相或，然后将结果馈送到PMOS晶体管Q8的栅极。
这里，图3A示出在图2所示的PWM驱动电路中，当将PWM电压VPWM从高电平切换到低电平时，观察到的PWM电压VPWM、PMOS晶体管Q5的栅极电压VGP、NMOS晶体管Q6的栅极电压VGN和输出电压VOUT的时序图。对于PMOS晶体管Q5的栅极电压VGP、NMOS晶体管Q6的栅极电压VGN和输出电压VOUT，示出了当电流从输出端子3流向负载时(当馈出电流时)，以及当电流流入输出端子3时(当汇入电流时)，观察到的波形。
NMOS晶体管Q6的栅极电压VGN以CR电路的时间常数，从将PWM电压VPWM从高电平反转到低电平的时间点(t1)，逐渐上升。然后，在NMOS晶体管Q6的栅极电压VGN达到阈值VTHN的时间点(t2或t2’)处，NMOS晶体管Q6从截止切换到导通。
即使在NMOS晶体管Q6从截止切换到导通之后，NMOS晶体管Q6的栅极电压VGN继续以CR电路的时间常数，逐渐上升，直到输出电压VOUT达到预定值V1(＝低电平)的时间点(t4或t4’)，并且PWM电压VPWM呈低电平。在时间点t4或t4’，或门7的输出从高电平切换到低电平，PMOS晶体管Q8从截止切换到导通。因此，在时间点t4或t4’之后，NMOS晶体管Q6的栅极电压VGN快速增加，至时间点(t5或t5’)达到预定值(近似等于VCC)。这使得在图2所示的本发明的PWM驱动电路中，NMOS晶体管Q6无法获得足够低的导通电阻的时间段(从时间点t2到时间点t5，或从时间点t2’到时间点t5’)，比在图5或6所示的常规PWM驱动电路中，NMOS晶体管Q6无法获得足够低的导通电阻的时间段(图7所示的时间点t2到时间点t3)短。
此外，因为设置了由与门6和NMOS晶体管Q7构成的栅极控制部分4，所以使PMOS晶体管Q5无法获得足够低的导通电阻的时间段，比常规示例的时间段短(见图3B)。
这使得可以实现等于或低于常规示例的斜率，从而减少开关噪声和开关损耗。
注意，可以通过调整在与门6中设置的MOS晶体管的栅极宽度/长度，设定前述的预定值V1。可以通过调整在或门7中设置的MOS晶体管的栅极宽度/长度，针对OR门7，进行相似的设定(设定图3B所示的预定值V2)。
可以将上述本发明的PWM驱动电路应用于DC-DC转换器、电机驱动电路等。
通过向本发明的PWM驱动电路的输出端子连接平滑电路(例如，由以下组件构成的电路：一端与输出端子相连的电感器；以及电容器，一端与电感器的另一端相连，另一端与地电势相连)，可以实现受到的开关噪声和开关损耗的影响更少的DC-DC转换器。
以下，将描述本发明的PWM驱动电路应用于电机驱动电路的情况。图4示出设置有本发明的PWM驱动电路的电机驱动电路的配置示例。电机驱动电路8具有U相PWM驱动电路9、V相PWM驱动电路1O、W相PWM驱动电路11和PWM电压产生电路12。这里，U相PWM驱动电路9、V相PWM驱动电路10、W相PWM驱动电路11具有与图2所示的PWM驱动电路相同的配置。
U相PWM驱动电路9的输出端子与三相无刷电机13的U相定子线圈相连，V相PWM驱动电路10的输出端子与三相无刷电机13的V相定子线圈相连，W相PWM驱动电路11的输出端子与三相无刷电机13的W相定子线圈相连。PWM电压产生电路12接收三相无刷电机13每一相处的电机电压，接着根据接收的电机电压，产生每一相处的PWM电压，然后向U相PWM驱动电路9输出U相PWM电压，向V相PWM驱动电路10输出V相PWM电压，向W相PWM驱动电路11输出W相PWM电压。
采用这种结构，可以实现受到的开关噪声和开关损耗的影响更少的电机驱动电路。虽然设置在图4所示的电机驱动电路中的PWM驱动电路12根据每一相的电机电压，产生每一相的PWM电压，但是，在电机驱动电路与具有转子位置检测传感器的三相无刷电机相连的情况下，可以由PWM驱动电路替代PWM驱动电路12，该PWM驱动电路接收转子位置检测传感器的输出信号，并根据转子位置检测传感器的输出信号，产生每一相的PWM电压。
工业应用性
可以将本发明的PWM驱动电路应用于电机驱动电路、DC-DC转换器等。可以将电机驱动电路应用于普遍具有电机的电子装置，可以将DC-DC转换器用作在电子装置中设置的直流电源。

Claims (8)

1.一种PWM驱动电路，包括：
负载驱动场效应晶体管；
斜率控制部分，根据PWM电压，减小电压的斜率，然后向所述负载驱动场效应晶体管的栅极馈入得到的电压；以及
栅极电压控制部分，当在所述负载驱动场效应晶体管的栅极电压的转换期间，检测到所述负载驱动场效应晶体管的输出电压几乎已被反转，并且变为与在所述负载驱动场效应晶体管完全导通时所获得的值近似相等时，停止所述斜率控制部分的操作，将所述负载驱动场效应晶体管的栅极电势上拉或下拉到预定值。
2.根据权利要求1所述的PWM驱动电路，其中
作为PWM电压和所述负载驱动场效应晶体管的输出电压的检测结果，只有在发现PWM电压的值处于使所述负载驱动场效应晶体管导通的电平，并且发现所述负载驱动场效应晶体管的输出电压与在所述负载驱动场效应晶体管完全导通时所获得的值近似相等时，所述栅极电压控制部分才停止所述斜率控制部分的操作，并将所述负载驱动场效应晶体管的栅极电势上拉或下拉到预定值。
3.一种电机驱动电路，包括：
PWM电压产生电路，产生PWM电压；以及
PWM驱动电路，根据从所述PWM电压产生电路输出的PWM电压，驱动电机，其中
所述PWM驱动电路包括：
负载驱动场效应晶体管；
斜率控制部分，根据PWM电压，减小电压的斜率，然后向所述负载驱动场效应晶体管的栅极馈入得到的电压；以及
栅极电压控制部分，当在所述负载驱动场效应晶体管的栅极电压的转换期间，检测到所述负载驱动场效应晶体管的输出电压几乎已被反转，并且变为与在所述负载驱动场效应晶体管完全导通时所获得的值近似相等时，停止所述斜率控制部分的操作，将所述负载驱动场效应晶体管的栅极电势上拉或下拉到预定值。
4.根据权利要求3所述的电机驱动电路，其中
作为PWM电压和所述负载驱动场效应晶体管的输出电压的检测结果，只有在发现PWM电压的值处于使所述负载驱动场效应晶体管导通的电平，并且发现所述负载驱动场效应晶体管的输出电压与在所述负载驱动场效应晶体管完全导通时所获得的值近似相等时，所述栅极电压控制部分才停止所述斜率控制部分的操作，并将所述负载驱动场效应晶体管的栅极电势上拉或下拉到预定值。
5.根据权利要求3所述的电机驱动电路，其中
所述PWM电压产生电路根据电机的转子位置，产生PWM电压。
6.根据权利要求4所述的电机驱动电路，其中
所述PWM电压产生电路根据电机的转子位置，产生PWM电压。
7.一种包括PWM驱动电路的DC-DC转换器，其中
PWM驱动电路包括：
负载驱动场效应晶体管；
斜率控制部分，根据PWM电压，减小电压的斜率，然后向所述负载驱动场效应晶体管的栅极馈入得到的电压；以及
栅极电压控制部分，当在所述负载驱动场效应晶体管的栅极电压的转换期间，检测到所述负载驱动场效应晶体管的输出电压几乎已被反转，并且变为与在所述负载驱动场效应晶体管完全导通时所获得的值近似相等时，停止所述斜率控制部分的操作，将所述负载驱动场效应晶体管的栅极电势上拉或下拉到预定值。
8.根据权利要求7所述的DC-DC转换器，其中
作为PWM电压和所述负载驱动场效应晶体管的输出电压的检测结果，只有在发现PWM电压的值处于使所述负载驱动场效应晶体管导通的电平，并且发现所述负载驱动场效应晶体管的输出电压与在所述负载驱动场效应晶体管完全导通时所获得的值近似相等时，所述栅极电压控制部分才停止所述斜率控制部分的操作，并将所述负载驱动场效应晶体管的栅极电势上拉或下拉到预定值。
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TW (1) TW200537811A (zh)
WO (1) WO2005109616A1 (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101789680A (zh) * 2010-03-12 2010-07-28 西安科技大学 一种可快速关断耗尽型开关器件的驱动电路
CN101552598B (zh) * 2008-04-03 2011-08-03 晶豪科技股份有限公司 切换式功率晶体管的栅极驱动电路
CN102280908A (zh) * 2010-06-10 2011-12-14 力林科技股份有限公司 外差斜率的频率产生模式用于电源供应器的轻重载切换
CN102717825A (zh) * 2012-06-20 2012-10-10 清华大学 一种协同式车道保持控制方法
CN103716036A (zh) * 2013-12-05 2014-04-09 中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所 高速高输出幅值的驱动电路
CN104467370A (zh) * 2013-09-25 2015-03-25 硅谷实验室公司 用于隔离的驱动器的软关闭

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7492207B2 (en) * 2006-12-08 2009-02-17 Infineon Technologies Ag Transistor switch
US7728568B1 (en) * 2006-12-22 2010-06-01 Chil Semiconductor Inc. Power supply circuit and switch drivers
JP5225741B2 (ja) * 2008-04-28 2013-07-03 ローム株式会社 スイッチ駆動装置
JP2010197326A (ja) * 2009-02-27 2010-09-09 Renesas Electronics Corp 半導体装置
CN102370999A (zh) * 2010-08-04 2012-03-14 曼尼托沃食品服务有限公司 使用脉宽调制的制冰机离子清洁器的功率控制方法和系统
JP6283161B2 (ja) * 2012-12-19 2018-02-21 株式会社マキタ 操作棹を有する作業機
KR101911269B1 (ko) 2017-04-24 2018-10-24 엘지전자 주식회사 전력 변환 장치 및 이를 포함하는 공기 조화기
CN111146943B (zh) * 2018-11-05 2022-02-18 瑞昱半导体股份有限公司 稳压装置及其控制方法
US11606030B1 (en) * 2020-10-15 2023-03-14 Dialog Semiconductor B.V. Driver for driving a p-type power switch

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4797579A (en) * 1987-07-27 1989-01-10 Raytheon Company CMOS VLSI output driver with controlled rise and fall times
US5081380A (en) * 1989-10-16 1992-01-14 Advanced Micro Devices, Inc. Temperature self-compensated time delay circuits
US5214320A (en) * 1992-06-12 1993-05-25 Smos Systems, Inc. System and method for reducing ground bounce in integrated circuit output buffers
US5481178A (en) * 1993-03-23 1996-01-02 Linear Technology Corporation Control circuit and method for maintaining high efficiency over broad current ranges in a switching regulator circuit
JPH0974344A (ja) * 1995-09-04 1997-03-18 Fuji Electric Co Ltd 絶縁ゲート半導体素子の駆動回路
US6084378A (en) * 1997-05-30 2000-07-04 Stmicroelectronics, Inc. Variable slew rate pulse width modulation system
JPH1141969A (ja) * 1997-07-19 1999-02-12 Izumi Giken:Kk モータ駆動用インバータのドライブ回路
JP2000049585A (ja) * 1998-07-31 2000-02-18 Fujitsu Ltd 出力バッファ回路
JP4988998B2 (ja) * 2001-08-09 2012-08-01 オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド モータドライブ回路
US6437611B1 (en) * 2001-10-30 2002-08-20 Silicon Integrated Systems Corporation MOS output driver circuit with linear I/V characteristics
JP4066231B2 (ja) * 2002-02-08 2008-03-26 ローム株式会社 スイッチングレギュレータ
JP2003244966A (ja) * 2002-02-18 2003-08-29 Mitsubishi Electric Corp 駆動回路
KR100632980B1 (ko) * 2002-12-20 2006-10-11 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 게이트 드라이버, 이 게이트 드라이버를 포함하는 모터구동 장치, 및 이 모터 구동 장치를 장착한 기기

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101552598B (zh) * 2008-04-03 2011-08-03 晶豪科技股份有限公司 切换式功率晶体管的栅极驱动电路
CN101789680A (zh) * 2010-03-12 2010-07-28 西安科技大学 一种可快速关断耗尽型开关器件的驱动电路
CN101789680B (zh) * 2010-03-12 2012-07-25 西安科技大学 一种可快速关断耗尽型开关器件的驱动电路
CN102280908A (zh) * 2010-06-10 2011-12-14 力林科技股份有限公司 外差斜率的频率产生模式用于电源供应器的轻重载切换
CN102280908B (zh) * 2010-06-10 2013-09-11 力林科技股份有限公司 外差斜率的频率产生模式用于电源供应器的轻重载切换
CN102717825A (zh) * 2012-06-20 2012-10-10 清华大学 一种协同式车道保持控制方法
CN104467370A (zh) * 2013-09-25 2015-03-25 硅谷实验室公司 用于隔离的驱动器的软关闭
CN104467370B (zh) * 2013-09-25 2020-10-09 硅谷实验室公司 用于隔离的驱动器的软关闭的设备和方法
CN103716036A (zh) * 2013-12-05 2014-04-09 中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所 高速高输出幅值的驱动电路
CN103716036B (zh) * 2013-12-05 2016-05-11 中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所 高速高输出幅值的驱动电路

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