CN1459820A - 放电灯 - Google Patents

放电灯 Download PDF

Info

Publication number
CN1459820A
CN1459820A CN03110192A CN03110192A CN1459820A CN 1459820 A CN1459820 A CN 1459820A CN 03110192 A CN03110192 A CN 03110192A CN 03110192 A CN03110192 A CN 03110192A CN 1459820 A CN1459820 A CN 1459820A
Authority
CN
China
Prior art keywords
lamp
alkali metal
discharge vessel
glass
discharge
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN03110192A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1306553C (zh
Inventor
福岛谦辅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ushio Denki KK
Original Assignee
Ushio Denki KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ushio Denki KK filed Critical Ushio Denki KK
Publication of CN1459820A publication Critical patent/CN1459820A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1306553C publication Critical patent/CN1306553C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/24—Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases
    • H01J9/245—Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases specially adapted for gas discharge tubes or lamps
    • H01J9/247—Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases specially adapted for gas discharge tubes or lamps specially adapted for gas-discharge lamps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/02—Details
    • H01J61/30—Vessels; Containers
    • H01J61/302—Vessels; Containers characterised by the material of the vessel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/82—Lamps with high-pressure unconstricted discharge having a cold pressure > 400 Torr
    • H01J61/822—High-pressure mercury lamps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/84—Lamps with discharge constricted by high pressure
    • H01J61/86—Lamps with discharge constricted by high pressure with discharge additionally constricted by close spacing of electrodes, e.g. for optical projection

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Vessels And Coating Films For Discharge Lamps (AREA)
  • Discharge Lamps And Accessories Thereof (AREA)

Abstract

本发明提供一种能同时解决放电容器的失透现象和放电容器的破损的超高压水银灯。该超高压水银灯，在由熔融石英玻璃制成的放电容器中，相对配置一对电极，在该放电容器中封入0.15mg/mm3以上的水银，其特征在于，从该放电容器内表面开始的深度4μm的区域的碱金属浓度为10wt.ppm以下。

Description

放电灯
技术领域
本发明涉及一种高压水银灯，特别是涉及一种短弧型超高压水银灯，在放电容器内封入0.15mg/mm3以上的水银，亮灯时的水银蒸汽压达到150大气压以上。
背景技术
投射型投影装置要求对于矩形屏幕，进行均匀且具有足够的显色性的图像照明，因此使用封入了水银和金属卤化物的金属卤化物灯作为光源。最近，发展为更加小型化、点光源化，电极间距离极小的灯也被实际应用。
在这样的背景下，最近提出了一种具有极高的水银蒸汽压，例如200巴(bar)(约197大气压)以上的水银灯，来代替金属卤化物灯。该灯通过提高水银蒸汽压，能抑制电弧的扩散，并进一步提高光输出，这种灯在例如特开平2-148561号(美国专利第5,109,181号)、特开平6-52830号(美国专利第5,497,049号)中被公开。
用于投影装置中的上述光源装置在投射鲜明的图像时，存在放电灯的失透现象的问题。另一方面，最近通过采用使用了DMDTM(TaxasInstrument公司；数字微反射镜器件)的DLPTM(同一公司；数字光处理器)方式，就不必使用液晶板，由此，更小型的投影装置就引人注目。即，投影装置用的放电灯在要求高的光输出和照度维持率的同时，随着投影装置的小型化，要求放电灯更小型化，所以要求其亮灯条件更加苛刻。
其中，根据紫外光的透过特性，一般采用石英玻璃作为放电容器的材料。石英玻璃中的碱金属成分对灯的放电寿命有不良影响。对其机理进行了如下研究，但其详细内容尚不清楚。通常在亮灯(工作)时，灯光产生的辐射热和电极间产生的焦耳热使灯主体变为高温。在该高温下，玻璃中的碱金属离子(阳离子)的迁移率变大，由于在灯电极间产生的电场的作用，向电极部(阴极一侧)移动。此时，碱金属离子使玻璃和电极部之间的接合恶化，降低了玻璃/电极界面的接合强度。其结果是，灯的使用寿命变短。此外，玻璃内表面的碱金属成分促使亮灯时的玻璃表面失透，而成为照度下降的一个原因。
灯在制造后出厂之前，为了排除劣质品，要进行被称为老化试验的亮灯试验。该老化试验的条件是，(例如)反复进行7次2分钟亮灯、1分钟灭灯，然后进行45分钟连续亮灯，对于现有的超高压水银灯，在该老化试验期间，由于在密封部的金属箔上的剥离而引起破损缺陷。
发明内容
因此，本发明的目的是提供一种投影装置用的超高压水银灯，该超高压水银灯在由石英玻璃制成的放电容器中封入0.15mg/mm3以上的水银，可以同时解决放电容器的失透现象和放电容器的破损。
关于石英玻璃中的碱金属成分含量，在特开2001-229876号公报中已经被公开。在该公报中将作为放电容器材料的石英玻璃中的碱金属成分的总量限定在0.6ppm以下。该含量是石英玻璃整体所含的碱金属总量。但是，本发明者通过研究发现，对于石英玻璃管中的碱金属浓度，从玻璃表面到玻璃内部，在玻璃管的厚度方向上存在浓度梯度(浓度分布)，即使玻璃整体的碱金属总量在0.6ppm以下，在靠近表面的层中，碱金属含量是远大于0.6ppm的高浓度。
本发明者对于同一种玻璃管，制造了对内表面进行化学腐蚀的灯和不进行化学腐蚀的灯，对内表面进行腐蚀的灯与未进行腐蚀的灯相比较，可以发现金属箔剥离的发生率和灯破损率均优。因此，着眼于发光管内表面的碱金属浓度，通过限定该浓度，完成了本发明。
为了解决上述问题，技术方案1的发明提供一种超高压水银灯，在由熔融石英玻璃制成的放电容器中，相对配置一对电极，在该放电容器中封入0.15mg/mm3以上的水银，其特征在于，从该放电容器内表面开始的深度4μm的区域的碱金属浓度为10wt.ppm以下。
其中，“碱金属”指锂(Li)、钠(Na)、钾(K)。
之所以限定从放电容器内表面到深度4μm的区域内的碱金属浓度，是因为根据石英玻璃中的碱金属浓度的扩散系数和亮灯之后的离子电流的评价，从石英玻璃内表面到深度4μm的区域内的碱金属浓度对水银灯使用寿命特性(破损率和照度维持率)有特别大的影响。
附图说明
图1表示本发明的超高压水银灯的整体结构。
图2是表示本发明的超高压水银灯的效果的表。
具体实施方式
图1表示本发明的超高压水银灯(以下简称为“放电灯”)的整体构成。放电灯10具有近似球形的放电空间部12，该放电空间部12由熔融石英玻璃制成的放电容器11形成，在该放电空间部12内相对配置有阴极13和阳极14。此外，还形成从放电空间部12的两端延伸的各密封部15，在上述密封部15内，通过例如夹紧密封气密地埋设有通常由钼制成的导电用金属箔16，在前端分别形成阴极13和阳极14的电极棒17的基端部配置在该导电用金属箔16的一端，并在此状态下被焊接，进行电连接，同时，突出到外部的外部导线棒18与上述导电用金属箔16的另一端焊接。
在放电空间部12内封入水银、稀有气体和卤素气体。水银用以得到必要的可视光波长，例如波长360～780nm的放射光，封入量为0.15mg/mm3以上。该封入量随温度条件而不同，但都是亮灯时达到150大气压以上的极高蒸汽压。此外，通过封入更多的水银，可以制造亮灯时水银蒸汽压达到200大气压以上、300大气压以上的高水银蒸汽压的放电灯，从而可以实现水银蒸汽压高、适用于投影装置的光源。
稀有气体例如氩气封入约13kPa，用以改善亮灯初始性能。
卤素的溴、氯、氟等以与不同于水银的其他金属的化合物形态而被封入，卤素的封入量可以从例如10-6～10-2μmol/mm3的范围选择，其功能是利用卤素循环来提高使用寿命，但是象本发明的放电灯那样极小型且具有高内压的灯封入上述卤素，被认为会对后述的放电容器破损、失透等现象产生影响。
以下举例说明上述放电灯的数值，例如发光部的最大外径为9.5mm，电极间距离为1.5mm，发光管内容积为75mm3，管壁负载为1.5W/mm3，额定电压为80V，额定功率为150W。将该放电灯安装在上述投影装置或悬挂投影仪等演示用机器中，可以提供显色性良好的放射光。
以下，对与本发明的作用效果相关的试验进行说明。所使用的超高压水银灯的发光部最大外径为9.4mm，电极间距离为1.3mm，发光管内容积为75mm3，封入水银量为0.25mg/mm3，封入卤素的封入量10-4μmol/mm3，管壁负载为1.5W/mm3，额定电压为80V，额定功率为150W。试验使用图2的表所示的18种灯试样各10～数10个，上述灯试样从发光管内表面开始的深度4μm的平均碱金属浓度不同。观察从发光管内表面开始的深度4μm的平均碱金属浓度，腐蚀时的放电容器的破损状态，和由于形成乳化而导致的照度维持率下降。
对于放电容器的破损状态，使放电灯被腐蚀并同样地亮灯约1小时，然后观察放电容器的破损状态，记录被确认为破损的比例。对于各个放电灯，所谓的“破损”是指放电灯上产生裂纹或放电灯破坏的情况。
从发光管内表面开始的深度4μm的平均碱金属浓度不同的上述18种试样，是调整了发光管成形后的熔融石英玻璃原管内表面的碱金属浓度的试样，并且对该内表面进行化学腐蚀，调整到各种浓度而得到的。
从图2可知，从发光管内表面开始的深度4μm的平均碱金属浓度在10wt.ppm以下，可以将腐蚀后的破损率控制在30％以下。并且可以确保300小时后的平均照度维持率在50％以上。
从上述排除劣质品的目的出发，“腐蚀后的破损率在30％以下”，该破损率是足够的。通过水银灯功率来判断照度维持率优劣的基准是各式各样的，但用现有方法制造的水银灯的平均照度维持率小于50％，“300小时后的平均照度维持率在50％以上”就是基于上述的邻界值。
以下，对从发光管内表面开始的深度4μm的平均碱金属浓度的分析法进行简要说明。该分析法为无框架(frameless)原子吸光法(FL-ASS)，分析仪器使用市售品(HITACH制造)。测定原理是公知的，利用各元素吸收固有波长的光，即光的吸光度(光的衰减量)。具体地讲，使特定的光穿过被检测体，测定此时的吸光度，根据吸光度的大小，来评价被检测体中所含的各元素的含量。
作为本发明的分析方法，首先作成检测线。准备若干种目标元素的已知浓度的溶剂，作成浓度对吸光度的检测线。然后，向溶解了高纯度玻璃(合成石英玻璃)的氟酸(HF)溶液中加入纯水，将HF浓度稀释到5％。然后加入任意浓度的碱金属，测定该溶液的吸光度。然后，绘制对于所添加的碱金属量的吸光度变化图表，作成检测线。根据该检测线，确定试样中的碱金属含量。
以下是玻璃表层中的碱金属浓度的评价方法，其步骤如下。
i)在玻璃管内注满腐蚀液，对管内表面均匀地进行腐蚀。在此过程中不要使管的外侧被腐蚀。腐蚀溶液使用47％HF(28±1℃)。
ii)测量腐蚀前后的玻璃管的重量差，求出腐蚀重量。玻璃管的重量使用微量天平(microbalance)和电子天平进行称量。
iii)另一方面，在腐蚀前后用显微测长器测量玻璃管的内径，求出壁厚方向的变化量。此时，将玻璃管放入折射率调整液中，来补偿在玻璃管表面(曲面)上的折射率的影响。
iv)根据上述ii)和iii)，推导出腐蚀重量和壁厚变化量之间的关系。
v)对金属管内表面进行任意时间的腐蚀，然后评价该腐蚀液中所含的碱金属浓度。
vi)反复进行腐蚀操作，根据腐蚀重量求出壁厚的减少量(从最表面开始的深度)，求出内径方向上的碱金属浓度。
将碱金属浓度的单位从ng/μm换算为wt.ppm的方法如下。在本实施例中，厚度1μm的玻璃重量约为4mg。因此上述值除以4mg就可以从ng/μm换算为wt.ppm。
此外，本发明的超高压水银灯不限于直流亮灯，也适用于交流亮灯。这是因为，发光管内表面层上的碱金属引起的失透(照度维持率下降)现象的抑制效果与直流亮灯时的相同。
此外，本发明的超高压水银灯，可以适用于将灯的长度方向轴垂直配置、水平配置、倾斜配置等各种亮灯姿势。
此外，当将本发明的超高压水银灯内置在凹面反射镜中时，可以采用这样的结构，即在凹面反射镜上设置前面玻璃等，使其处于密封或者大致密封状态，或者不设置前面玻璃而使其处于开放状态。

Claims (1)

1.一种超高压水银灯，在由熔融石英玻璃制成的放电容器中，相对配置一对电极，在该放电容器中封入0.15mg/mm3以上的水银，其特征在于，
从该放电容器内表面开始的深度4μm的区域的碱金属浓度为10wt.ppm以下。
CNB031101925A 2002-05-20 2003-04-16 放电灯 Expired - Lifetime CN1306553C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP144332/2002 2002-05-20
JP2002144332A JP3678212B2 (ja) 2002-05-20 2002-05-20 超高圧水銀ランプ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1459820A true CN1459820A (zh) 2003-12-03
CN1306553C CN1306553C (zh) 2007-03-21

Family

ID=29397733

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB031101925A Expired - Lifetime CN1306553C (zh) 2002-05-20 2003-04-16 放电灯

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6838823B2 (zh)
EP (1) EP1365439B1 (zh)
JP (1) JP3678212B2 (zh)
CN (1) CN1306553C (zh)
DE (1) DE60326787D1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1717142B (zh) * 2004-06-28 2010-06-16 优志旺电机株式会社 高压放电灯照明装置

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6901499B2 (en) 2002-02-27 2005-05-31 Microsoft Corp. System and method for tracking data stored in a flash memory device
US7847484B2 (en) * 2004-12-20 2010-12-07 General Electric Company Mercury-free and sodium-free compositions and radiation source incorporating same
JP4799132B2 (ja) 2005-11-08 2011-10-26 株式会社小糸製作所 放電ランプ装置用アークチューブ
US7474057B2 (en) * 2005-11-29 2009-01-06 General Electric Company High mercury density ceramic metal halide lamp

Family Cites Families (79)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3538397A (en) * 1967-05-09 1970-11-03 Motorola Inc Distributed semiconductor power supplies and decoupling capacitor therefor
US3772097A (en) * 1967-05-09 1973-11-13 Motorola Inc Epitaxial method for the fabrication of a distributed semiconductor power supply containing a decoupling capacitor
US3460010A (en) * 1968-05-15 1969-08-05 Ibm Thin film decoupling capacitor incorporated in an integrated circuit chip,and process for making same
DE1951968A1 (de) * 1969-10-15 1971-04-22 Philips Patentverwaltung AEtzloesung zur selektiven Musterzeugung in duennen Siliziumdioxydschichten
US4164751A (en) * 1976-11-10 1979-08-14 Texas Instruments Incorporated High capacity dynamic ram cell
US4266282A (en) * 1979-03-12 1981-05-05 International Business Machines Corporation Vertical semiconductor integrated circuit chip packaging
US4317686A (en) * 1979-07-04 1982-03-02 National Research Development Corporation Method of manufacturing field-effect transistors by forming double insulative buried layers by ion-implantation
JPS6048106B2 (ja) * 1979-12-24 1985-10-25 富士通株式会社 半導体集積回路
US4349862A (en) * 1980-08-11 1982-09-14 International Business Machines Corporation Capacitive chip carrier and multilayer ceramic capacitors
JPS5780828A (en) * 1980-11-07 1982-05-20 Hitachi Ltd Semiconductor integrated circuit device
US4577214A (en) * 1981-05-06 1986-03-18 At&T Bell Laboratories Low-inductance power/ground distribution in a package for a semiconductor chip
US4427989A (en) * 1981-08-14 1984-01-24 International Business Machines Corporation High density memory cell
JPS58119670A (ja) * 1982-01-11 1983-07-16 Nissan Motor Co Ltd 半導体装置
FR2527036A1 (fr) * 1982-05-14 1983-11-18 Radiotechnique Compelec Procede pour connecter un semiconducteur a des elements d'un support, notamment d'une carte portative
US4493056A (en) * 1982-06-30 1985-01-08 International Business Machines Corporation RAM Utilizing offset contact regions for increased storage capacitance
DE3235650A1 (de) * 1982-09-27 1984-03-29 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Informationskarte und verfahren zu ihrer herstellung
JPS6010765A (ja) * 1983-06-30 1985-01-19 Fujitsu Ltd 半導体装置
FR2556503B1 (fr) * 1983-12-08 1986-12-12 Eurofarad Substrat d'interconnexion en alumine pour composant electronique
US4605980A (en) * 1984-03-02 1986-08-12 Zilog, Inc. Integrated circuit high voltage protection
JPS60211866A (ja) * 1984-04-05 1985-10-24 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路
US4567542A (en) * 1984-04-23 1986-01-28 Nec Corporation Multilayer ceramic substrate with interlayered capacitor
JPS60253090A (ja) * 1984-05-30 1985-12-13 Hitachi Ltd 半導体装置
EP0170052B1 (en) * 1984-07-02 1992-04-01 Fujitsu Limited Master slice type semiconductor circuit device
JPS6187944A (ja) * 1984-10-05 1986-05-06 Mazda Motor Corp エンジンの制御装置
FR2581480A1 (fr) * 1985-04-10 1986-11-07 Ebauches Electroniques Sa Unite electronique notamment pour carte a microcircuits et carte comprenant une telle unite
DE3518197A1 (de) * 1985-05-21 1986-11-27 Heinrich 7413 Gomaringen Grünwald Verfahren zur entfernung von metallionen aus koerpern aus glas, keramischen werkstoffen und sonstigen amorphen werkstoffen sowie kristallinen werkstoffen
US4748495A (en) * 1985-08-08 1988-05-31 Dypax Systems Corporation High density multi-chip interconnection and cooling package
US4737830A (en) * 1986-01-08 1988-04-12 Advanced Micro Devices, Inc. Integrated circuit structure having compensating means for self-inductance effects
JPH074995B2 (ja) * 1986-05-20 1995-01-25 株式会社東芝 Ｉｃカ−ド及びその製造方法
JPH0793958B2 (ja) * 1986-06-25 1995-10-11 株式会社ブリヂストン ゴルフクラブヘツド
JPS6370550A (ja) * 1986-09-12 1988-03-30 Nec Corp 半導体集積回路装置
US5243208A (en) * 1987-05-27 1993-09-07 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device having a gate array with a ram and by-pass signal lines which interconnect a logic section and I/O unit circuit of the gate array
US4835416A (en) * 1987-08-31 1989-05-30 National Semiconductor Corporation VDD load dump protection circuit
US5016138A (en) * 1987-10-27 1991-05-14 Woodman John K Three dimensional integrated circuit package
FR2625190A1 (fr) * 1987-12-23 1989-06-30 Trt Telecom Radio Electr Procede de metallisation d'un substrat en silice, quartz, verre, ou en saphir et substrat obtenu par ce procede
DE3813421A1 (de) * 1988-04-21 1989-11-02 Philips Patentverwaltung Hochdruck-quecksilberdampfentladungslampe
US5307309A (en) * 1988-05-31 1994-04-26 Micron Technology, Inc. Memory module having on-chip surge capacitors
US5266821A (en) * 1988-05-31 1993-11-30 Micron Technology, Inc. Chip decoupling capacitor
US5032892A (en) * 1988-05-31 1991-07-16 Micron Technology, Inc. Depletion mode chip decoupling capacitor
US4992849A (en) * 1989-02-15 1991-02-12 Micron Technology, Inc. Directly bonded board multiple integrated circuit module
US5255156A (en) * 1989-02-22 1993-10-19 The Boeing Company Bonding pad interconnection on a multiple chip module having minimum channel width
DE3911711A1 (de) * 1989-04-10 1990-10-11 Ibm Modul-aufbau mit integriertem halbleiterchip und chiptraeger
US5399898A (en) * 1992-07-17 1995-03-21 Lsi Logic Corporation Multi-chip semiconductor arrangements using flip chip dies
US4991000A (en) * 1989-08-31 1991-02-05 Bone Robert L Vertically interconnected integrated circuit chip system
US5200362A (en) * 1989-09-06 1993-04-06 Motorola, Inc. Method of attaching conductive traces to an encapsulated semiconductor die using a removable transfer film
US5012323A (en) * 1989-11-20 1991-04-30 Micron Technology, Inc. Double-die semiconductor package having a back-bonded die and a face-bonded die interconnected on a single leadframe
US5182632A (en) * 1989-11-22 1993-01-26 Tactical Fabs, Inc. High density multichip package with interconnect structure and heatsink
US5045921A (en) * 1989-12-26 1991-09-03 Motorola, Inc. Pad array carrier IC device using flexible tape
US5227338A (en) * 1990-04-30 1993-07-13 International Business Machines Corporation Three-dimensional memory card structure with internal direct chip attachment
US5137836A (en) * 1991-05-23 1992-08-11 Atmel Corporation Method of manufacturing a repairable multi-chip module
JPH05290807A (ja) * 1992-04-10 1993-11-05 Hitachi Ltd メタルハライドランプ
US5422435A (en) * 1992-05-22 1995-06-06 National Semiconductor Corporation Stacked multi-chip modules and method of manufacturing
US5497049A (en) * 1992-06-23 1996-03-05 U.S. Philips Corporation High pressure mercury discharge lamp
US5369552A (en) * 1992-07-14 1994-11-29 Ncr Corporation Multi-chip module with multiple compartments
US5438216A (en) * 1992-08-31 1995-08-01 Motorola, Inc. Light erasable multichip module
US5535101A (en) * 1992-11-03 1996-07-09 Motorola, Inc. Leadless integrated circuit package
JPH06187944A (ja) * 1992-12-17 1994-07-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高圧放電灯の発光管
US5322207A (en) * 1993-05-03 1994-06-21 Micron Semiconductor Inc. Method and apparatus for wire bonding semiconductor dice to a leadframe
US6235669B1 (en) * 1993-06-01 2001-05-22 General Electric Company Viscosity tailoring of fused silica
US5323060A (en) * 1993-06-02 1994-06-21 Micron Semiconductor, Inc. Multichip module having a stacked chip arrangement
US5483024A (en) * 1993-10-08 1996-01-09 Texas Instruments Incorporated High density semiconductor package
US5367435A (en) * 1993-11-16 1994-11-22 International Business Machines Corporation Electronic package structure and method of making same
US5477082A (en) * 1994-01-11 1995-12-19 Exponential Technology, Inc. Bi-planar multi-chip module
US5434745A (en) * 1994-07-26 1995-07-18 White Microelectronics Div. Of Bowmar Instrument Corp. Stacked silicon die carrier assembly
US5465470A (en) * 1994-08-31 1995-11-14 Lsi Logic Corporation Fixture for attaching multiple lids to multi-chip module (MCM) integrated circuit
US5674785A (en) * 1995-11-27 1997-10-07 Micron Technology, Inc. Method of producing a single piece package for semiconductor die
US6013948A (en) * 1995-11-27 2000-01-11 Micron Technology, Inc. Stackable chip scale semiconductor package with mating contacts on opposed surfaces
KR100248792B1 (ko) * 1996-12-18 2000-03-15 김영환 단일층 세라믹 기판을 이용한 칩사이즈 패키지 반도체
US6097098A (en) * 1997-02-14 2000-08-01 Micron Technology, Inc. Die interconnections using intermediate connection elements secured to the die face
JPH10294423A (ja) * 1997-04-17 1998-11-04 Nec Corp 半導体装置
JP3036498B2 (ja) * 1997-12-08 2000-04-24 日本電気株式会社 半導体パッケージ
US6414391B1 (en) * 1998-06-30 2002-07-02 Micron Technology, Inc. Module assembly for stacked BGA packages with a common bus bar in the assembly
KR100293815B1 (ko) * 1998-06-30 2001-07-12 박종섭 스택형 패키지
US6057601A (en) * 1998-11-27 2000-05-02 Express Packaging Systems, Inc. Heat spreader with a placement recess and bottom saw-teeth for connection to ground planes on a thin two-sided single-core BGA substrate
WO2001029862A1 (en) * 1999-10-18 2001-04-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. High-pressure discharge lamp, lamp unit, method for producing high-pressure discharge lamp, and incandescent lamp
EP1112973B1 (en) * 1999-12-27 2005-09-07 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Process for producing a quartz glass product and the product so produced
JP3415533B2 (ja) * 2000-01-12 2003-06-09 エヌイーシーマイクロ波管株式会社 高圧放電灯
JP4358959B2 (ja) 2000-02-10 2009-11-04 フェニックス電機株式会社 放電灯
JP3582500B2 (ja) * 2001-05-23 2004-10-27 ウシオ電機株式会社 超高圧水銀ランプ

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1717142B (zh) * 2004-06-28 2010-06-16 优志旺电机株式会社 高压放电灯照明装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE60326787D1 (de) 2009-05-07
EP1365439B1 (en) 2009-03-25
JP3678212B2 (ja) 2005-08-03
EP1365439A2 (en) 2003-11-26
CN1306553C (zh) 2007-03-21
US6838823B2 (en) 2005-01-04
EP1365439A3 (en) 2006-06-07
US20030214234A1 (en) 2003-11-20
JP2003338263A (ja) 2003-11-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2980882B2 (ja) 高圧水銀ランプ
JP3582500B2 (ja) 超高圧水銀ランプ
CN1306553C (zh) 放电灯
EP1310984B1 (en) High pressure mercury lamp, illumination device using the high-pressure mercury lamp, and image display apparatus using the illumination device
CN100367448C (zh) 金属卤化物灯、金属卤化物灯照明设备及汽车前灯装置
CN1171278C (zh) 长寿命金属卤化物灯
JP2000100377A (ja) 高圧放電ランプおよび照明装置
US7002298B2 (en) Ultra-high pressure discharge lamp
JP2009545110A (ja) 高圧放電ランプ
KR101135870B1 (ko) 개선된 램프 특성을 갖는 램프
US7045961B2 (en) High-pressure discharge lamp
US6462471B1 (en) High pressure mercury lamp provided with a sealing body made of a functional gradient material
JP4765827B2 (ja) 高圧放電ランプ
JPH09283081A (ja) 冷陰極低圧水銀蒸気放電ランプ、表示装置および照明装置
JP2000058001A (ja) 高圧水銀ランプ
JPH0443549A (ja) 冷陰極蛍光ランプ装置
JP4134926B2 (ja) 超高圧水銀ランプ
JP2002251978A (ja) 高圧水銀ランプ
US20130106280A1 (en) Ceramic metal halide lamp
WO2003100822A1 (fr) Lampe a vapeur de mercure a pression elevee
JP2005347060A (ja) 高圧放電ランプ及び光源システム
CA2388902A1 (en) High-pressure discharge lamp
JPH09102296A (ja) 平面発光型蛍光ランプ
JPH09115480A (ja) 高圧蒸気放電灯
JPS62281253A (ja) メタルハライドランプ

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20070321

CX01 Expiry of patent term